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DE102019217735A1 - Radar chip with a waveguide coupling - Google Patents

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DE102019217735A1
DE102019217735A1 DE102019217735.2A DE102019217735A DE102019217735A1 DE 102019217735 A1 DE102019217735 A1 DE 102019217735A1 DE 102019217735 A DE102019217735 A DE 102019217735A DE 102019217735 A1 DE102019217735 A1 DE 102019217735A1
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DE
Germany
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waveguide
radar
line
substrate
coupling
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Application number
DE102019217735.2A
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German (de)
Inventor
Steffen Wälde
Roland Baur
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Vega Grieshaber KG
Original Assignee
Vega Grieshaber KG
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Publication date
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01QANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q1/00Details of, or arrangements associated with, antennas
    • H01Q1/12Supports; Mounting means
    • H01Q1/22Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles
    • H01Q1/225Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles used in level-measurement devices, e.g. for level gauge measurement
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
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    • H01P3/12Hollow waveguides
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    • H01Q13/02Waveguide horns

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  • Waveguide Aerials (AREA)

Abstract

Radarchip mit einer Hohlleitereinkopplung, die ein Hochfrequenzsubstrat mit einer ersten Leitung, einer zweiten Leitung und einem dazwischen angeordneten substratintegrierten Wellenleiter aufweist, zum Einkoppeln des Radarsignals in die Antenne oder den Hohlleiter des Radarmessgeräts.Radar chip with a waveguide coupling, which has a high-frequency substrate with a first line, a second line and a substrate-integrated waveguide arranged in between, for coupling the radar signal into the antenna or the waveguide of the radar measuring device.

Description

Gebiet der ErfindungField of the invention

Die Erfindung betrifft die Radarmesstechnik. Insbesondere betrifft die Erfindung einen Radarchip mit einer Hohlleitereinkopplung, die Verwendung eines derartigen Radarchips in einem Radarmessgerät, sowie ein Verfahren zum Herstellen eines solchen Radarchips.The invention relates to radar measurement technology. In particular, the invention relates to a radar chip with a waveguide coupling, the use of such a radar chip in a radar measuring device, and a method for producing such a radar chip.

Hintergrundbackground

Radarmessgeräte können in der Automatisierungstechnik im industriellen Umfeld eingesetzt werden. Beispielsweise sind sie in Form von Radarfüllstandmessgeräten ausgeführt, die sehr häufig mit Hornantennen ausgestattet sind, welche über Hohlleiter gespeist werden. Vor allem im Frequenzbereich zwischen 40 und 300 GHz sind die mechanischen Abmessungen der Hohlleiterkomponenten in einem Bereich, dass man sie gut im Radargerät integrieren kann.Radar measuring devices can be used in automation technology in an industrial environment. For example, they are designed in the form of radar level measuring devices, which are very often equipped with horn antennas that are fed via waveguides. Especially in the frequency range between 40 and 300 GHz, the mechanical dimensions of the waveguide components are in a range that they can be easily integrated into the radar device.

Die Einkopplung der von der Hochfrequenzschaltung des Messgeräts erzeugten Radarsignale in die Hornantenne kann über eine sogenannte Stripline, die auch als Mikrostreifenleitung bezeichnet wird, erfolgen, die in einen Hohlleiter der Hornantenne hineinragt.The coupling of the radar signals generated by the high-frequency circuit of the measuring device into the horn antenna can take place via a so-called stripline, which is also referred to as a microstrip line, which protrudes into a waveguide of the horn antenna.

Um die Hochfrequenzschaltung, die als Radarchip ausgeführt sein kann, vor mechanischen Beanspruchungen zu schützen, kann diese in eine Vergussmasse eingegossen werden.In order to protect the high-frequency circuit, which can be designed as a radar chip, from mechanical stress, it can be cast in a potting compound.

ZusammenfassungSummary

Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Radarchip mit einer Hohlleitereinkopplung bereitzustellen, der durch Vergussmasse geschützt werden kann.It is an object of the present invention to provide a radar chip with a waveguide coupling that can be protected by potting compound.

Diese Aufgabe wird durch die Merkmale der unabhängigen Patentansprüche gelöst. Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen und der folgenden Beschreibung von Ausführungsformen.This object is achieved by the features of the independent patent claims. Further developments of the invention emerge from the subclaims and the following description of embodiments.

Ein erster Aspekt der vorliegenden Offenbarung betrifft einen Radarchip mit einer Hohlleitereinkopplung, eingerichtet zum Einkoppeln eines Radarsignals des Radarchips in eine Antenne oder einen Hohlleiter eines Radarmessgeräts. Bei diesem Hohlleiter kann es sich insbesondere um einen Teil der Antenne handeln, der das eingekoppelte Radarsignal in das Antennenhorn einleitet.A first aspect of the present disclosure relates to a radar chip with a waveguide coupling, set up to couple a radar signal of the radar chip into an antenna or a waveguide of a radar measuring device. This waveguide can in particular be a part of the antenna that introduces the coupled radar signal into the antenna horn.

Die Hohlleitereinkopplung weist ein Hochfrequenzsubstrat auf, beispielsweise in Form einer Platine, mit einer ersten Leitung, einer zweiten Leitung und einem zwischen diesen beiden Leitungen angeordneten Wellenleiter, der in das Substrat integriert ist. Diese Anordnung ist eingerichtet zum Übertragen des Radarsignals von dem Radarchip an eine Antenne oder einen Hohlleiter des Radarmessgeräts, sowie zum Einkoppeln des Radarsignals in die Antenne bzw. den Hohlleiter des Radarmessgeräts. Ebenso werden die an dem zu messenden Medium reflektierten Radarsignale über diese Anordnung von der Antenne zum Radarchip übertragen. The waveguide coupling has a high-frequency substrate, for example in the form of a circuit board, with a first line, a second line and a waveguide which is arranged between these two lines and which is integrated into the substrate. This arrangement is set up for transmitting the radar signal from the radar chip to an antenna or a waveguide of the radar measuring device, as well as for coupling the radar signal into the antenna or the waveguide of the radar measuring device. The radar signals reflected on the medium to be measured are also transmitted from the antenna to the radar chip via this arrangement.

Der substratintegrierte Wellenleiter kann als gefüllter Hohlleiter angesehen werden. Gemäß einer Ausführungsform weist er eine flächige Oberseite und eine flächige Unterseite auf, zwischen denen sich Substratmaterial befindet und welche mittels Durchkontaktierungen bzw. Vias, welche die „Seitenwände“ des „Hohlleiters“ ausbilden, elektrisch leitend miteinander verbunden sind.The substrate-integrated waveguide can be viewed as a filled waveguide. According to one embodiment, it has a flat top side and a flat bottom side, between which there is substrate material and which are electrically conductively connected to one another by means of plated-through holes or vias that form the “side walls” of the “waveguide”.

Gemäß einer Ausführungsform sind die erste Leitung, die zweite Leitung und die Oberseite des dazwischen angeordneten substratintegrierten Wellenleiters in derselben Ebene des Hochfrequenzsubstrats angeordnet. Bei dieser Ebene kann es sich um eine Außenebene handeln, aber auch um eine Ebene im Inneren des Hochfrequenzsubstrats.According to one embodiment, the first line, the second line and the upper side of the substrate-integrated waveguide arranged therebetween are arranged in the same plane of the high-frequency substrate. This plane can be an outer plane, but it can also be a plane inside the high-frequency substrate.

Gemäß einer Ausführungsform sind die erste Leitung, die zweite Leitung und die Oberseite des dazwischen angeordneten substratintegrierten Wellenleiters auf der Oberfläche des Hochfrequenzsubstrats angeordnet.According to one embodiment, the first line, the second line and the upper side of the substrate-integrated waveguide arranged therebetween are arranged on the surface of the high-frequency substrate.

Gemäß einer Ausführungsform ist die erste Leitung mit einem Anfangsbereich der Oberseite des des substratintegrierten Wellenleiters verbunden bzw. daran angeschlossen. Bei diesem Anfangsbereich handelt es sich beispielsweise um die „Vorderkante“ der metallischen Oberseite des substratintegrierten Wellenleiters. Die zweite Leitung ist entsprechend mit einem Endbereich (der Hinterkante) der Oberseite des substratintegrierten Wellenleiters verbunden bzw. daran angeschlossen.According to one embodiment, the first line is connected to or connected to an initial region of the upper side of the waveguide integrated into the substrate. This starting area is, for example, the “front edge” of the metallic top side of the substrate-integrated waveguide. The second line is correspondingly connected to or connected to an end region (the rear edge) of the upper side of the substrate-integrated waveguide.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist der substratintegrierte Wellenleiter der Hohlleitereinkopplung eine Breite auf, die um ein Vielfaches größer ist als die Breiten der ersten Leitung und der zweiten Leitung. Die Breite verläuft hierbei parallel zur Oberfläche des Substrats und senkrecht zur Ausbreitungsrichtung des Radarsignals. Generell lässt sich sagen, dass die Breite, wie in 1 dargestellt, nicht zwangsweise die Breite der Leiterbahn ist. Der Rand und somit die Breite des substratintegrierten Wellenleiters wird durch die Vias definiert. Die Fläche 102a kann sich aber darüber hinaus großflächig ausdehnen und aus „Gleichstrom-Sicht“ mit Ground (Schaltungsmasse) verbunden sein. Das wiederum bietet Vorteile hinsichtlich der Ex-Zulassung. Denn somit kann sich auf der unvergossenen Mikrostreifenleitung, die den Hohlleiter speist, keine Spannung aufbauen, da diese über den substratintegrierten Wellenleiter aus Gleichstromsicht kurzgeschlossen ist. Das wiederum führt dazu, dass sich potentiell zündbare Atmosphäre über diese Leitung nicht entzünden kann.According to a further embodiment, the substrate-integrated waveguide of the waveguide coupling has a width which is many times greater than the widths of the first line and the second line. The width runs parallel to the surface of the substrate and perpendicular to the direction of propagation of the radar signal. In general, it can be said that the width, as in 1 shown, is not necessarily the width of the conductor track. The edge and thus the width of the substrate-integrated waveguide is defined by the vias. The surface 102a but can also expand over a large area and be connected to ground (circuit ground) from the "direct current point of view". The again offers advantages in terms of Ex approval. This is because no voltage can build up on the unpotted microstrip line that feeds the waveguide, since it is short-circuited from a direct current perspective via the waveguide integrated into the substrate. This in turn means that a potentially flammable atmosphere cannot ignite via this line.

Gemäß einer Ausführungsform ist die Breite der ersten Leitung geringer als die Breite der zweiten Leitung.According to one embodiment, the width of the first line is less than the width of the second line.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist der Radarchip mit der Hohlleitereinkopplung eine Vergussmasse auf, in welcher der Radarchip, die erste Leitung und ein Teilbereich der Oberseite des substratintegrierten Wellenleiters eingebettet ist, eingerichtet zum Schutz des Radarchips vor mechanischen Belastungen.According to a further embodiment, the radar chip with the waveguide coupling has a potting compound in which the radar chip, the first line and a portion of the top of the substrate-integrated waveguide are embedded, set up to protect the radar chip from mechanical loads.

Bei dieser Vergussmasse kann es sich beispielsweise um eine verhältnismäßig harte Vergussmasse handeln, beispielsweise ein Zweikomponentenharz, beispielsweise GlobTop.This potting compound can be, for example, a relatively hard potting compound, for example a two-component resin, for example GlobTop.

Diese Vergussmasse bettet auch die Bonddrähte bzw. Lötverbindungen ein.This potting compound also embeds the bond wires or soldered connections.

Es kann auch eine weitere Vergussmasse vorgesehen sein, welche nach der ersten Vergussmasse auf die erste Vergussmasse aufgebracht ist und diese beispielsweise vollständig einbettet. Hierbei kann es sich um eine weichere Vergussmasse handeln, beispielsweise eine gallertartige. Dieses soll insbesondere einen Explosionsschutz für die gesamte Anordnung bereitstellen.A further potting compound can also be provided, which is applied to the first potting compound after the first potting compound and, for example, completely embeds it. This can be a softer potting compound, for example a gelatinous one. This should in particular provide explosion protection for the entire arrangement.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist die erste Leitung eine erste Anpassstruktur im Bereich des Anschlusses an dem substratintegrierten Wellenleiter auf. Alternativ oder zusätzlich hierzu kann die zweite Leitung eine zweite Anpassstruktur im Bereich ihres Anschlusses an den substratintegrierten Wellenleiter aufweisen.According to a further embodiment, the first line has a first matching structure in the area of the connection to the substrate-integrated waveguide. As an alternative or in addition to this, the second line can have a second matching structure in the area of its connection to the substrate-integrated waveguide.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist der substratintegrierte Wellenleiter Durchkontaktierungen von seiner Oberseite zu seiner Unterseite auf.According to a further embodiment, the substrate-integrated waveguide has vias from its upper side to its lower side.

Ein weiterer Aspekt der vorliegenden Offenbarung betrifft eine Hohlleitereinkopplung mit den oben und/oder im Folgenden beschriebenen Merkmalen.Another aspect of the present disclosure relates to a waveguide coupling with the features described above and / or below.

Ein weiterer Aspekt der vorliegenden Offenbarung betrifft die Verwendung eines oben und im Folgenden beschriebenen Radarchips mit Hohlleitereinkopplung in einem Radarmessgerät, insbesondere in einem Radarfüllstandmessgerät. Beispielsweise weist das Radarmessgerät eine Antenne oder einen Hohlleiter auf, die bzw. der auf der Oberseite des substratintegrierten Wellenleiters aufliegt, so dass eine Vergussmasse ins Innere der Antenne bzw. des Hohlleiters fließen kann.Another aspect of the present disclosure relates to the use of a radar chip with waveguide coupling described above and below in a radar measuring device, in particular in a radar level measuring device. For example, the radar measuring device has an antenna or a waveguide which rests on the upper side of the substrate-integrated waveguide so that a potting compound can flow into the interior of the antenna or the waveguide.

Ein weiterer Aspekt betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines oben und im Folgenden beschriebenen Radarchips mit einer Hohlleitereinkopplung, bei dem zunächst ein Radarchip mit einer Hohlleitereinkopplung bereitgestellt wird, der eingerichtet ist zum Einkoppeln eines Radarsignals des Radarchips in eine Antenne oder einen Hohlleiter, gefolgt von einem Vergießen des Radarchips, der ersten Leitung und eines Teilbereichs der Oberseite des substratintegrierten Wellenleiters mit einer ersten Vergussmasse, zum Schutz des Radarchips vor mechanischen Belastungen.Another aspect relates to a method for producing a radar chip with a waveguide coupling described above and below, in which a radar chip with a waveguide coupling is first provided, which is set up to couple a radar signal from the radar chip into an antenna or a waveguide, followed by potting of the radar chip, the first line and a portion of the top of the substrate-integrated waveguide with a first potting compound to protect the radar chip from mechanical loads.

In einem möglichen weiteren Verfahrensschritt wird der Radarchip mit einer weiteren Vergussmasse vergossen, welche auf die erste Vergussmasse aufgebracht wird. Durch die ebene Struktur der oberen Metallschicht des substratintegrierten Wellenleiters ist es möglich, eine Abdichtung zwischen Vergussmasse und Hohlleiter zu realisieren, da ein Eindringen der zweiten Vergussmasse in den Hohlleiter dazu führen würde, dass dieser seine Aufgabe nicht mehr erfüllt.In a possible further method step, the radar chip is potted with a further potting compound, which is applied to the first potting compound. The planar structure of the upper metal layer of the substrate-integrated waveguide makes it possible to create a seal between the potting compound and the waveguide, since penetration of the second potting compound into the waveguide would mean that it no longer fulfills its task.

Durch den zweiten Verguss kann neben dem mechanischen Schutz ein effizienter Explosionsschutz bereitgestellt werden.In addition to mechanical protection, the second encapsulation can provide efficient explosion protection.

Im Folgenden werden mit Verweis auf die Figuren Ausführungsformen beschrieben. Werden in der folgenden Figurenbeschreibung die gleichen Bezugsziffern verwendet, so bezeichnen diese gleiche oder ähnliche Elemente. Die Darstellungen in den Figuren sind schematisch und nicht maßstäblich.Embodiments are described below with reference to the figures. If the same reference numerals are used in the following description of the figures, they denote the same or similar elements. The representations in the figures are schematic and not to scale.

FigurenlisteFigure list

  • 1 zeigt eine Hohlleitereinkopplung gemäß einer Ausführungsform. 1 shows a waveguide coupling according to an embodiment.
  • 2 zeigt eine alternative Hohlleitereinkopplung. 2 shows an alternative waveguide coupling.
  • 3 zeigt die Seitenansicht eines Radarmessgeräts mit einer Hohll eitereinkopplung. 3 shows the side view of a radar measuring device with a hollow conductor coupling.
  • 4 zeigt eine Seitenschnittansicht eines Radarmessgeräts mit einer Hohlleitereinkopplung gemäß einer Ausführungsform. 4th shows a side sectional view of a radar measuring device with a waveguide coupling according to an embodiment.
  • 5 zeigt die Draufsicht auf die in der 3 dargestellte Hohlleitereinkopplung. 5 shows the top view of the in the 3 Waveguide coupling shown.
  • 6 zeigt eine Draufsicht auf die in 4 dargestellte Hohlleitereinkopplung. 6th shows a top view of the in 4th Waveguide coupling shown.
  • 7 zeigt eine Draufsicht auf die in 4 dargestellte Hohlleitereinkopplung, im Vergleich zur 6 jedoch mit installierter Antenne. 7th shows a top view of the in 4th Waveguide coupling shown, compared to 6th but with the antenna installed.
  • 8 zeigt ein Flussdiagramm eines Verfahrens gemäß einer Ausführungsform. 8th shows a flow diagram of a method according to an embodiment.

Detaillierte Beschreibung von AusführungsformenDetailed description of embodiments

Radarfüllstandmessgeräte sind sehr häufig mit Hornantennen ausgestattet, die über Hohlleiter gespeist werden. Vor allem im Frequenzbereich zwischen 40 und 300 GHz sind die mechanischen Abmessungen der Hohlleiterkomponenten in einem Bereich, dass man sie gut im Radargerät integrieren kann.Radar level gauges are very often equipped with horn antennas that are fed via waveguides. Especially in the frequency range between 40 and 300 GHz, the mechanical dimensions of the waveguide components are in a range that they can be easily integrated into the radar device.

3 zeigt die Seitenansicht eines Radarmessgeräts mit einer Hohlleitereinkopplung. Zur radarbasierten Füllstandmessung wird ein hochfrequentes Messsignal in der Elektronikeinheit eines Radarmoduls 300 auf einem Radarchip 301 erzeugt. 3 shows the side view of a radar measuring device with a waveguide coupling. A high-frequency measurement signal is used in the electronics unit of a radar module for radar-based level measurement 300 on a radar chip 301 generated.

Der ungehäuste Radarchip sitzt auf einem speziellen Leiterplattensubstrat 302, das gute Hochfrequenzeigenschaften, wie zum Beispiel eine geringe Signaldämpfung, aufweist. Dort ist er beispielsweise aufgeklebt und wird mit Bondverbindungen 303 kontaktiert. Das hochfrequente Radarsignal wird dann über die Bondverbindung 303 auf eine Stripline 304 (Mikrostreifenleitung) geführt. Alternativ hierzu kann der Chip auch auf das Substrat aufgelötet werden. Das Radarsignal wird dann über eine Lötverbindung auf eine Stripline 304 (Mikrostreifenleitung) geführt. Die Mikrostreifenleitung wiederum führt direkt in einen Hohlleiter 305, der senkrecht auf dem Hochfrequenzsubstrat steht. Der Hohlleiter weist ein kleines Tor 306 auf, durch das die Mikrostreifenleitung hindurchgeführt wird.The unhoused radar chip sits on a special circuit board substrate 302 that has good high-frequency properties, such as low signal attenuation. There it is glued on, for example, and is made with bond connections 303 contacted. The high-frequency radar signal is then transmitted via the bond 303 on a stripline 304 (Microstrip line). As an alternative to this, the chip can also be soldered onto the substrate. The radar signal is then soldered to a stripline 304 (Microstrip line). The microstrip line in turn leads directly into a waveguide 305 which is perpendicular to the high frequency substrate. The waveguide has a small gate 306 through which the microstrip line is passed.

Der Hohlleiter ist mit der Antenne 307 verbunden. Das Radarsignal kann über diese Anordnung gesendet und empfangen werden. Zur Erhöhung der Bandbreite des Übergangs zwischen der Mikrostreifenleitung und dem Hohlleiter kann ein im Substrat integrierter Resonator 308 verwendet werden. Zum Schutz des Radarchips vor mechanischen Belastungen, Staub oder anderen Verunreinigungen wird dieser mitsamt den Bondverbindungen bzw. Lötverbindungen unter einem Epoxidharz 309 (GlobTop) vergossen. Das Harz wird dabei in flüssiger Form auf den Chip und das Substrat aufgebracht. Dabei fließt das Harz bis zu einem nichtdefinierten Punkt über die Mikrostreifenleitung.The waveguide is with the antenna 307 connected. The radar signal can be sent and received via this arrangement. A resonator integrated in the substrate can be used to increase the bandwidth of the transition between the microstrip line and the waveguide 308 be used. To protect the radar chip from mechanical loads, dust or other impurities, it is covered with an epoxy resin together with the bonded connections or soldered connections 309 (GlobTop) potted. The resin is applied to the chip and the substrate in liquid form. The resin flows over the microstrip line to an undefined point.

Diese Anordnung weist jedoch einige Nachteile auf, die mit der im Folgenden beschriebenen Anordnung behoben werden.However, this arrangement has some disadvantages which are remedied by the arrangement described below.

Ein Nachteil ist, dass das GlobTop 309 die Mikrostreifenleitung nur bis zu einem undefinierten Bereich abdeckt. Da sich das GlobTop 309 in den dielektrischen Eigenschaften von Luft unterscheidet, besitzt die Mikrostreifenleitung in dem Bereich, in dem sie vom GlobTop Material verdeckt wird, eine andere Impedanz als in dem Bereich, in dem die Leitung von Luft umgeben ist.One disadvantage is that the GlobTop 309 only covers the microstrip line up to an undefined area. Since the GlobTop 309 differs from air in its dielectric properties, the microstrip line has a different impedance in the area in which it is covered by the GlobTop material than in the area in which the line is surrounded by air.

Weiterhin können Radargeräte unter bestimmten Voraussetzungen eine Zulassung zum Einsatz in explosionsgefährdeten Bereichen erhalten. Eine Voraussetzung hierfür kann sein, dass die gesamte Elektronikeinheit unter einer Vergussmasse 401 vergossen wird, damit sich in der Elektronik kein zündfähiges Gemisch anreichern kann. Um solch eine Elektronikeinheit vergießen zu können, muss diese nach außen hin abgedichtet werden. Das kann jedoch ein Problem in Zusammenhang mit dem Hochfrequenzsignal darstellen. Der Hohlleiter sollte nicht mit Vergussmasse volllaufen, da sonst dessen Hochfrequenzeigenschaften verschlechtert werden können. Da die Mikrostreifenleitung jedoch durch ein Tor in den Hohlleiter hinein führt, würde das mit oben beschriebenen Aufbau zwangsläufig passieren.Furthermore, under certain conditions, radar devices can receive approval for use in potentially explosive areas. A prerequisite for this can be that the entire electronics unit is under a potting compound 401 is potted so that no ignitable mixture can accumulate in the electronics. In order to be able to encapsulate such an electronic unit, it must be sealed from the outside. However, this can present a problem with the high frequency signal. The waveguide should not be filled with potting compound, otherwise its high-frequency properties could be impaired. However, since the microstrip line leads through a gate into the waveguide, this would inevitably happen with the structure described above.

Eine Lösung für dieses Problem ist in 1 dargestellt. Die elektromagnetische Welle breitet sich bei einer Stripline 103a zwischen der oben liegenden Leiterbahn und dem Masse-Layer im Dielektrikum der PCB aus. Diese Welle wird in einen aus dem PCB-Material, den zwei Kupferlayern 102a 102b und Durchkontaktierungen 101 bestehenden gefüllten Hohlleiter überführt. Danach wird sie wieder nach dem gleichen Prinzip in eine zweite Stripline 103b zurück überführt und in den Hohlleiter eingekoppelt. Vorteilhaft erweisen sich dabei Anpassstrukturen in Form von Tapern 104a 104b, die aus hochfrequenztechnischer Sicht einen dämpfungs- und reflexionsärmeren Übergang zwischen den jeweiligen Leitungsstrukturen schaffen Das GlobTop Material kann jetzt bis auf die glatte Oberfläche 102a des im Substrat integrierten Wellenleiters hinausgeführt werden. Der substratintegrierte Wellenleiter ist aufgrund seiner Beschaffenheit weitgehend unabhängig von Materialien, die sich auf dessen Ober- und Unterseite befindet, und insbesondere vom GlobTop Material. Daher ist es an dieser Stelle weitgehend unerheblich, wie weit das GlobTop in seiner flüssigen Form auf den substratintegrierten Wellenleiter fließt.One solution to this problem is in 1 shown. The electromagnetic wave propagates along a stripline 103a between the conductor track on top and the ground layer in the dielectric of the PCB. This wave is converted into one of the PCB material, the two copper layers 102a 102b and vias 101 existing filled waveguide transferred. After that, it is turned back into a second stripline using the same principle 103b transferred back and coupled into the waveguide. Adaptation structures in the form of tapers have proven to be advantageous 104a 104b which, from a high-frequency point of view, create a transition between the respective line structures with less attenuation and reflection. The GlobTop material can now go down to the smooth surface 102a of the waveguide integrated in the substrate. Due to its nature, the substrate-integrated waveguide is largely independent of materials on its top and bottom, and in particular of the GlobTop material. It is therefore largely irrelevant at this point how far the GlobTop flows in its liquid form onto the substrate-integrated waveguide.

Da nun die gesamte Mikrostreifenleitung auf der dem Radarchip zugewandten Seite unter GlobTop Material vergossen werden kann, kann man die Impedanz der Leitung über deren Breite auf eine definierte Impedanz von zum Beispiel 50 Ohm abstimmen. In 1 ist zu erkennen, dass die Mikrostreifenleitungen auf der linken Seite eine andere Breite hat als auf der rechten Seite der Platine. Auch der Taper 104a ist auf das GlobTop Material abgestimmt.Since the entire microstrip line can now be encapsulated under GlobTop material on the side facing the radar chip, the impedance of the line can be adjusted across its width to a defined impedance of, for example, 50 ohms. In 1 it can be seen that the microstrip lines on the left-hand side have a different width than on the right-hand side of the board. Also the taper 104a is matched to the GlobTop material.

Weiterhin kann jetzt der metallische Hohlleiter so ausgeführt werden, dass dessen Außenwandung 402 direkt auf der Fläche des im Substrat integrierten Wellenleiters aufsetzt, siehe 4. So kann eine Dichtfläche realisiert werden, damit die oben beschriebene Vergussmasse nicht in den Hohlleiter hineinfließen, gleichzeitig aber, das Hochfrequenzsignal in den Hohlleiter eingekoppelt werden kann.Furthermore, the metallic waveguide can now be designed so that its outer wall 402 touches down directly on the surface of the waveguide integrated in the substrate, see 4th . A sealing surface can thus be implemented so that the above-described sealing compound does not flow into the waveguide, but at the same time the high-frequency signal can be coupled into the waveguide.

Die 5-7 zeigen jeweils die Draufsicht des Radarmoduls. 5 beschreibt eine erste Ausführungsform. 6 zeigt den Fall, dass das GlobTop Material durch den substratintegrierten Wellenleiter auf der Mikrostreifenleitung einen definierten Abschluss findet.The 5-7 each show the top view of the radar module. 5 describes a first embodiment. 6th shows the case in which the GlobTop material has a defined termination on the microstrip line due to the substrate-integrated waveguide.

7 zeigt ein Schnittbild mit der Ausführungsform, in welcher die Antenne so konstruiert ist, dass sie ebenfalls mit einer glatten Dichtfläche auf dem substratintegrierten Wellenleiter aufsetzt, um somit Dichtheit zwischen der vergossenen Elektronik/Radarmodul und dem luftgefüllten Hohlleiter/Radarantenne herzustellen. 7th shows a sectional view with the embodiment in which the antenna is designed so that it is also placed with a smooth sealing surface on the substrate-integrated waveguide in order to create a seal between the encapsulated electronics / radar module and the air-filled waveguide / radar antenna.

Ein wichtiger Aspekt ist die Bereitstellung von einer Abdichtmöglichkeit zwischen der vergossenen Elektronik und dem luftgefüllten Hohlleiter durch Leitung der elektromagnetischen Energie im Dielektrikum der Platine bei durchgängiger ununterbrochener Massefläche.An important aspect is the provision of a sealing option between the encapsulated electronics and the air-filled waveguide by conducting the electromagnetic energy in the dielectric of the board with a continuous, uninterrupted ground plane.

Ein weiterer Aspekt ist die Vermeidung einer undefinierten Stelle des Impedanzsprungs zwischen von GlobTop-umgebener-Mikrostreifenleitung und luftumhüllter Mikrostreifenleitung.Another aspect is the avoidance of an undefined point of the impedance jump between the microstrip line surrounded by GlobTop and the air-covered microstrip line.

Die oben liegende Kupferschicht zeigt links die Stripline, in die der Radar-Chip 301 das Sendesignal einspeist. In der Mitte liegt der Bereich mit dem gefüllten substratintegrierten Wellenleiter und der glatten Kupferoberfläche. Die durchsichtige Kontur, welche über der Stripline zur Signaleinspeisung und zur Hälfte über dem gefüllten Wellenleiter liegt, stellt das GlobTop Material dar. Auf der rechten Seite sieht man die Stripline im unvergossenen Bereich, die das Signal zum Hohlleiter 305 der Antenne 307 leitet.The copper layer on top shows the stripline into which the radar chip is located on the left 301 feeds the transmission signal. In the middle is the area with the filled, substrate-integrated waveguide and the smooth copper surface. The transparent contour, which lies over the stripline for signal feed and half over the filled waveguide, represents the GlobTop material. On the right-hand side you can see the stripline in the unsealed area that carries the signal to the waveguide 305 the antenna 307 directs.

Die Abschrägungen 104a, 104b an den Übergängen von den Striplines 103a, 103b auf die Masseflächen 102a, 102b des gefüllten Wellenleiters dienen der besseren Überleitung zwischen Stripline und gefülltem Wellenleiter und verbessern die Anpassung. Die Durchkontaktierungen 101 bilden die beiden Wandungen des gefüllten Wellenleiters.The bevels 104a , 104b at the transitions from the striplines 103a , 103b on the ground planes 102a , 102b of the filled waveguide serve to improve the transition between the stripline and the filled waveguide and improve the adaptation. The vias 101 form the two walls of the filled waveguide.

Eine weitere Möglichkeit bildet die Verwendung von 3 Lagen in der Leiterplatte, wie sie in 2 dargestellt ist. Die elektromagnetische Welle wird über Lambda/4 Striplines über den mittleren Layer transferiert. Der unterste Layer ist ein geschlossener Masselayer.Another possibility is the use of 3 layers in the circuit board, as shown in 2 is shown. The electromagnetic wave is transferred via lambda / 4 striplines over the middle layer. The lowest layer is a closed mass layer.

8 zeigt ein Flussdiagramm eines Verfahrens gemäß einer Ausführungsform. In Schritt 801 wird ein oben beschriebener Radarchip mit einer Hohlleitereinkopplung bereitgestellt. In Schritt 802 werden der Radarchip, seine erste Leitung und ein Teilbereich der Oberseite des substratintegrierten Wellenleiters mit einer ersten Vergussmasse vergossen, zum Schutz des Radarchips vor mechanischen Belastungen. In Schritt 803 wird der Radarchip mit einer weiteren Vergussmasse vergossen, welche auf die erste Vergussmasse aufgebracht wird, zum Explosionsschutz. 8th shows a flow diagram of a method according to an embodiment. In step 801 an above-described radar chip with a waveguide coupling is provided. In step 802 the radar chip, its first line and part of the top of the substrate-integrated waveguide are encapsulated with a first potting compound to protect the radar chip from mechanical loads. In step 803 the radar chip is potted with another potting compound, which is applied to the first potting compound, for explosion protection.

Bei diesem Vorgang muss nicht darauf geachtet werden, dass keine Vergussmasse in den Hohlleiter bzw. die Antenne einfließt, da der Innenraum der Antenne bzw. des Hohlleiters dort, wo das Hochfrequenzsignal in den Hohlleiter bzw. die Antenne eingeführt ist, abgedichtet ist.During this process, it is not necessary to ensure that no potting compound flows into the waveguide or the antenna, since the interior of the antenna or the waveguide is sealed where the high-frequency signal is introduced into the waveguide or the antenna.

Ergänzend sei darauf hingewiesen, dass „umfassend“ und „aufweisend“ keine anderen Elemente oder Schritte ausschließt und die unbestimmten Artikel „eine“ oder „ein“ keine Vielzahl ausschließen. Ferner sei darauf hingewiesen, dass Merkmale oder Schritte, die mit Verweis auf eines der obigen Ausführungsbeispiele beschrieben worden sind, auch in Kombination mit anderen Merkmalen oder Schritten anderer oben beschriebener Ausführungsbeispiele verwendet werden können. Bezugszeichen in den Ansprüchen sind nicht als Einschränkungen anzusehen.In addition, it should be noted that “comprising” and “having” do not exclude any other elements or steps and the indefinite articles “a” or “a” do not exclude a multiplicity. Furthermore, it should be pointed out that features or steps that have been described with reference to one of the above exemplary embodiments can also be used in combination with other features or steps of other exemplary embodiments described above. Reference signs in the claims are not to be regarded as restrictions.

Claims (15)

Radarchip (301) mit einer Hohlleitereinkopplung (100), eingerichtet zum Ein- und Auskoppeln eines Radarsignals des Radarchips in eine Antenne (307) oder einen Hohlleiter (305) eines Radarmessgeräts (300), die Hohlleitereinkopplung aufweisend: ein Hochfrequenzsubstrat (302) mit einer ersten Leitung (103a), einer zweiten Leitung (103b) und einem dazwischen angeordneten substratintegrierten Wellenleiter (102a, 102b, 101, 302), eingerichtet zum Übertragen des Radarsignals von dem Radarchip an eine Antenne oder einen Hohlleiter des Radarmessgeräts und zum und zum Einkoppeln des Radarsignals in die Antenne oder den Hohlleiter des Radarmessgeräts bzw. zum Auskoppeln des Radarsignals aus der Antenne oder den Hohlleiter.Radar chip (301) with a waveguide coupling (100), set up for coupling a radar signal from the radar chip into and out of an antenna (307) or a waveguide (305) of a radar measuring device (300), having the waveguide coupling: a high-frequency substrate (302) with a first line (103a), a second line (103b) and a substrate-integrated waveguide (102a, 102b, 101, 302) arranged between them, set up to transmit the radar signal from the radar chip to an antenna or a waveguide of the Radar measuring device and for and for coupling the radar signal into the antenna or the waveguide of the radar measuring device or for decoupling the radar signal from the antenna or the waveguide. Radarchip (301) mit einer Hohlleitereinkopplung (100) nach Anspruch 1, wobei die erste Leitung (103a), die zweite Leitung (103b) und eine Oberseite (102a) des dazwischen angeordneten substratintegrierten Wellenleiters (102a, 102b, 101, 302) in derselben Ebene des Hochfrequenzsubstrats (302) angeordnet sind.Radar chip (301) with a waveguide coupling (100) according to Claim 1 , wherein the first line (103a), the second line (103b) and an upper side (102a) of the substrate-integrated waveguide (102a, 102b, 101, 302) arranged therebetween in the same plane of the high frequency substrate (302) are arranged. Radarchip (301) mit einer Hohlleitereinkopplung (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die erste Leitung (103a), die zweiten Leitung (103b) und die Oberseite (102a) des dazwischen angeordneten substratintegrierten Wellenleiters (102a, 102b, 101, 302) auf der Oberfläche des Hochfrequenzsubstrats (302) angeordnet sind.Radar chip (301) with a waveguide coupling (100) according to one of the preceding claims, wherein the first line (103a), the second line (103b) and the upper side (102a) of the substrate-integrated waveguide (102a, 102b, 101, 302) arranged therebetween are arranged on the surface of the high frequency substrate (302). Radarchip (301) mit einer Hohlleitereinkopplung (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die erste Leitung (103a) mit einem Anfangsbereich der Oberseite (102a) des substratintegrierten Wellenleiters (102a, 102b, 101, 302) verbunden ist; wobei die zweite Leitung (103b) mit einem Endbereich der Oberseite (102a) des substratintegrierten Wellenleiters (102a, 102b, 101, 302) verbunden ist.Radar chip (301) with a waveguide coupling (100) according to one of the preceding claims, wherein the first line (103a) is connected to an initial region of the upper side (102a) of the substrate-integrated waveguide (102a, 102b, 101, 302); wherein the second line (103b) is connected to an end region of the upper side (102a) of the substrate-integrated waveguide (102a, 102b, 101, 302). Radarchip (301) mit einer Hohlleitereinkopplung (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der substratintegrierte Wellenleiter (102a, 102b, 101, 302) der Hohlleitereinkopplung eine Breite aufweist, die um ein Vielfaches größer ist als die Breiten der ersten Leitung (103a) und der zweiten Leitung (103b).Radar chip (301) with a waveguide coupling (100) according to one of the preceding claims, wherein the substrate-integrated waveguide (102a, 102b, 101, 302) of the waveguide coupling has a width which is many times greater than the width of the first line (103a) and the second line (103b). Radarchip (301) mit einer Hohlleitereinkopplung (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Breite der ersten Leitung (103a) geringer ist als die Breite der zweiten Leitung (103b).Radar chip (301) with a waveguide coupling (100) according to one of the preceding claims, wherein the width of the first line (103a) is smaller than the width of the second line (103b). Radarchip (301) mit einer Hohlleitereinkopplung (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, weiterhin aufweisend: eine erste Vergussmasse (309), in welcher der Radarchip (301), die erste Leitung (103a) und ein Teilbereich der Oberseite (102a) des substratintegrierten Wellenleiters (102a, 102b, 101, 302) eingebettet ist, eingerichtet zum Schutz des Radarchips (301) vor mechanischen Belastungen.Radar chip (301) with a waveguide coupling (100) according to one of the preceding claims, further comprising: a first potting compound (309), in which the radar chip (301), the first line (103a) and a portion of the upper side (102a) of the substrate-integrated waveguide (102a, 102b, 101, 302) are embedded, set up to protect the radar chip ( 301) from mechanical loads. Radarchip (301) mit einer Hohlleitereinkopplung (100) nach Anspruch 7, weiter aufweisend: eine weitere Vergussmasse (401), welche nach der ersten Vergussmasse auf die erste Vergussmasse aufgebracht ist.Radar chip (301) with a waveguide coupling (100) according to Claim 7 , further comprising: a further potting compound (401) which is applied to the first potting compound after the first potting compound. Radarchip (301) mit einer Hohlleitereinkopplung (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die erste Leitung (103a) eine erste Anpassstruktur (104a) im Bereich des Anschlusses der ersten Leitung an den substratintegrierten Wellenleiter (102a, 102b, 101, 302) aufweist; und/oder wobei die zweite Leitung (103b) eine zweite Anpassstruktur (104b) im Bereich des Anschlusses der zweiten Leitung an den substratintegrierten Wellenleiter (102a, 102b, 101, 302) aufweist.Radar chip (301) with a waveguide coupling (100) according to one of the preceding claims, wherein the first line (103a) has a first matching structure (104a) in the region of the connection of the first line to the substrate-integrated waveguide (102a, 102b, 101, 302); and or wherein the second line (103b) has a second matching structure (104b) in the region of the connection of the second line to the substrate-integrated waveguide (102a, 102b, 101, 302). Radarchip (301) mit einer Hohlleitereinkopplung (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der substratintegrierte Wellenleiter (102a, 102b, 101, 302) Durchkontaktierungen (101) von seiner Oberseite (102a) zu seiner Unterseite (102b) aufweist.Radar chip (301) with a waveguide coupling (100) according to one of the preceding claims, wherein the substrate-integrated waveguide (102a, 102b, 101, 302) has vias (101) from its top (102a) to its bottom (102b). Hohlleitereinkopplung (100), eingerichtet zum Ein-und Auskoppeln eines Radarsignals eines Radarchips in eine Antenne (307) oder einen Hohlleiter (305) eines Radarmessgeräts (300), die Hohlleitereinkopplung aufweisend: ein Hochfrequenzsubstrat (302) mit einer ersten Leitung (103a), einer zweiten Leitung (103b) und einem dazwischen angeordneten substratintegrierten Wellenleiter (102a, 102b, 101, 302), eingerichtet zum Übertragen des Radarsignals von einem Radarchip an eine Antenne oder einen Hohlleiter des Radarmessgeräts und zum Einkoppeln des Radarsignals in die Antenne oder den Hohlleiter des Radarmessgeräts.Waveguide coupling (100), set up for coupling and decoupling a radar signal from a radar chip into an antenna (307) or a waveguide (305) of a radar measuring device (300), having the waveguide coupling: a high-frequency substrate (302) with a first line (103a), a second line (103b) and a substrate-integrated waveguide (102a, 102b, 101, 302) arranged between them, set up to transmit the radar signal from a radar chip to an antenna or a waveguide of the Radar measuring device and for coupling the radar signal into the antenna or the waveguide of the radar measuring device. Verwendung eines Radarchips (301) mit einer Hohlleitereinkopplung (100) nach einem der Ansprüche 1 bis 10 oder einer Hohlleitereinkopplung nnach Anspruch 11 in einem Radarmessgerät (300), insbesondere in einem Radarfüllstandmessgerät.Use of a radar chip (301) with a waveguide coupling (100) according to one of the Claims 1 to 10 or a waveguide coupling Claim 11 in a radar measuring device (300), in particular in a radar level measuring device. Verwendung nach Anspruch 12, wobei das Radarmessgerät (300) eine Antenne (307) oder einen Hohlleiter (305) aufweist, die bzw. der auf der Oberseite (102a) des Hohlleiters (102a, 102b, 101, 302) aufliegt.Use after Claim 12 , wherein the radar measuring device (300) has an antenna (307) or a waveguide (305) which rests on the upper side (102a) of the waveguide (102a, 102b, 101, 302). Verfahren zum Herstellen eines Radarchips (301) mit einer Hohlleitereinkopplung (100) nach einem der Ansprüche 1 bis 9, aufweisend die Schritte: Bereitstellen eines Radarchips (301) mit einer Hohlleitereinkopplung (100), eingerichtet zum Einkoppeln eines Radarsignals des Radarchips in eine Antenne (307) oder einen Hohlleiter (305) eines Radarmessgeräts (300), die Hohlleitereinkopplung aufweisend: ein Hochfrequenzsubstrat (302) mit einer ersten Leitung (103a), einer zweiten Leitung (103b) und einem dazwischen angeordneten substratintegrierten Wellenleiter (102a, 102b, 101, 302), eingerichtet zum Übertragen des Radarsignals von dem Radarchip an eine Antenne oder einen Hohlleiter eines Radarmessgeräts und zum Einkoppeln des Radarsignals in die Antenne (307) oder den Hohlleiter (305) des Radarmessgeräts; Vergießen des Radarchips (301), der ersten Leitung (103a) und eines Teilbereichs der Oberseite (102a) des substratintegrierten Wellenleiters (102a, 102b, 101, 302) mit einer ersten Vergussmasse (309), zum Schutz des Radarchips (301) vor mechanischen Belastungen.Method for producing a radar chip (301) with a waveguide coupling (100) according to one of the Claims 1 to 9 , comprising the steps: providing a radar chip (301) with a waveguide coupling (100), set up for coupling a radar signal from the radar chip into an antenna (307) or a waveguide (305) of a radar measuring device (300), having the waveguide coupling: a high-frequency substrate ( 302) with a first line (103a), a second line (103b) and a substrate-integrated waveguide (102a, 102b, 101, 302) arranged between them, set up to transmit the radar signal from the radar chip to an antenna or a waveguide of a radar measuring device and to the Coupling the radar signal into the antenna (307) or the waveguide (305) of the radar measuring device; Potting the radar chip (301), the first line (103a) and a portion of the top side (102a) of the substrate-integrated waveguide (102a, 102b, 101, 302) with a first potting compound (309) to protect the radar chip (301) from mechanical damage Charges. Verfahren nach Anspruch 14, weiter aufweisend den Schritt: Vergießen des Radarchips (301) mit einer weiteren Vergussmasse (401), welche auf die erste Vergussmasse (309) aufgebracht wird.Procedure according to Claim 14 , further comprising the step: Potting the radar chip (301) with a further potting compound (401) which is applied to the first potting compound (309).
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