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Technisches Gebiet
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Die vorliegende Anmeldung betrifft allgemein eine elektronische Vorrichtung und insbesondere ein System und ein Verfahren zum Ansteuern eines Hochfrequenz-(HF)-Schalters.
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Hintergrund
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HF-Schalter werden in vielfältigen HF-Schaltungen verwendet, um verschiedene Funktionen zu implementieren. Zum Beispiel kann ein HF-System, das verschiedene Signalisierungsverfahren über verschiedene Frequenzen verwendet, durch Verwendung eines Netzwerks von Antennenschaltern implementiert werden, um aus verschiedenen Arten von HF-Frontend-Schaltungen auszuwählen. Ein Beispiel für eine solche Schaltung ist ein Mobiltelefon für mehrere Standards, das Anrufe unter Verwendung verschiedener Standards, wie etwa CDMA (Code Division Multiple Access) oder GSM (Global System for Mobile Communications) tätigen kann. Durch Verwendung eines HF-Schalters kann eine für CDMA-Kommunikation optimierte HF-Frontend-Schaltung für CDMA-Anrufe verwendet werden, während eine für GSM-Kommunikation optimierte HF-Frontend-Schaltung für GSM-Anrufe verwendet werden kann. Außerdem können HF-Schalter zur Implementierung von justierbaren Anpassungsnetzwerken für Antennen und Leistungsverstärkern und zur Bereitstellung von Justierungsabstimmung für Hochfrequenzfilter verwendet werden, indem passive Anpassungs- und Abstimmelemente hinein- und herausgeschaltet und/oder umgangen werden.
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Da HF-Komponenten mehr in integrierte Schaltungsprozesse feiner Geometrie integriert werden, gibt es eine Anzahl technischer Probleme in Bezug auf die Herstellung von HF-Schaltern, die gute Hochfrequenzleistungsfähigkeit aufweisen. Ein solches Problem ist der Umgang mit großen Spannungsauslenkungen, die während des Verlaufs einer Signalübertragung auftreten können. In einigen Fällen können diese Spannungsauslenkungen die Durchbruchspannungen der bestimmten verwendeten Halbleiterprozesstechnologie überschreiten. Eine Möglichkeit, wie dieses Problem behandelt werden kann, ist Stapeln mehrerer Vorrichtungen und/oder Verwendung von physisch größeren Vorrichtungen, die höheren Spannungen besser widerstehen können. Ein anderes Problem bei der Integration von HF-Schaltern betrifft die Verwaltung der parasitären Umgebung des HF-Schalters selbst, da große Vorrichtungen, die verwendet werden, um höheren Spannungen zu widerstehen, anfällig für höhere parasitäre Kapazitäten sein können, die ein HF-Signal dämpfen und/oder verschlechtern können. Es ist daher eine Aufgabe, die oben geschilderten Probleme ganz oder teilweise zu beheben.
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Kurzfassung der Erfindung
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Es werden eine Hochfrequenz-Schaltschaltung nach Anspruch 1 oder 13 sowie ein Verfahren nach Anspruch 24 bereitgestellt. Die Unteransprüche definieren weitere Ausführungsformen. In den Ansprüchen wird zur besseren Unterscheidung der Begriff Widerstand für das Bauteil und der Begriff Widerstandswert für die Höhe des Widerstands (z.B. 1 Ω, 1 kΩ etc.) verwendet. In der folgenden Beschreibung wird wie üblich der Begriff Widerstand teilweise für beides verwendet.
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Gemäß einer Ausführungsform umfasst eine Hochfrequenz-(HF)-Schaltschaltung (im Englischen auch als RF „radio frequency“ bezeichnet) mehrere in Reihe geschaltete HF-Schaltzellen mit einem Ladepfad und einem Steuerknoten, mehrere zwischen Steuerknoten angrenzender HF-Schaltzellen geschaltete erste Gatewiderstände und einen Eingangswiderstand mit einem ersten Ende, das mit einem Steuerknoten einer der mehreren HF-Schaltzellen gekoppelt ist, und einem zweiten Ende, das an einen Ausgang eines Schalttreibers konfiguriert ist. Jede der mehreren in Reihe geschalteten HF-Schaltzellen umfasst einen Schalttransistor.
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Kurze Beschreibung der Zeichnungen
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Für ein vollständigeres Verständnis der vorliegenden Erfindung und ihrer Vorteile wird nun auf die folgenden Beschreibungen in Verbindung mit den beigefügten Zeichnungen verwiesen. Es zeigen:
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1a bis 1f beispielhafte HF-Systeme und Schaltschaltungen;
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2a und 2b Schaltbilder von Ausführungsformen von HF-Schaltschaltungen;
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3a bis 3c Schaltbilder weiterer Ausführungsformen von HF-Schaltschaltungen;
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4a bis 4f Schaltbilder verschiedener HF-Schalnetzwerke und entsprechende Signalformdiagramme;
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5a und 5b eine Ausführungsform eines HF-Schalters mit kapazitiver Ballastschaltung und ein entsprechendes Layoutdiagramm; und
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6 ein Flussdiagramm einer Ausführungsform eines Verfahrens.
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In verschiedenen Figuren beziehen sich im Allgemeinen, solange es nicht anders angegeben wird, entsprechende Zahlen und Symbole auf entsprechende Teile. Die Figuren sind so gezeichnet, dass die relevanten Aspekte der bevorzugten Ausführungsformen deutlich dargestellt werden, und sind nicht unbedingt maßstabsgetreu. Um bestimmte Ausführungsformen deutlicher darzustellen, kann einer Figurenzahl ein Buchstabe folgen, der Varianten derselben Struktur, desselben Materials oder desselben Prozessschrittes angibt.
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Ausführliche Beschreibung beispielhafter Ausführungsformen
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Im Folgenden wird die Herstellung und Verwendung der zurzeit bevorzugten Ausführungsformen ausführlich besprochen. Es versteht sich jedoch, dass die vorliegende Erfindung viele anwendbare erfindungsgemäße Konzepte bereitstellt, die in vielfältigen spezifischen Kontexten realisiert werden können. Die besprochenen spezifischen Ausführungsformen veranschaulichen lediglich spezifische Weisen der Herstellung und Verwendung der Erfindung und begrenzen nicht den Schutzumfang der Erfindung.
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Die vorliegende Erfindung wird mit Bezug auf bevorzugte Ausführungsformen in einem spezifischen Kontext beschrieben: einem System und Verfahren zum Ansteuern eines Hochfrequenz- bzw. HF-Schalters. Die Erfindung kann auch auf andere Systeme und Anwendungen angewandt werden, darunter andere Schaltungen, die Schalter für Hochfrequenzanwendungen benutzen, wie etwa drahtlose und verdrahtete Kommunikationssysteme, Radarsysteme und in Schaltungen wie Oszillatoren, Empfangs-/Sendeschaltern, Dämpfungsgliedern, Leistungsverstärker-Bypassschaltungen, HF-Anpassungs- und HF-Filterumschaltung allgemein.
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Bei Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung wird ein HF-Schalter unter Verwendung von in Reihe geschalteten Transistoren mit in Reihe geschalteten Lastpfaden implementiert. Die Auswirkung kapazitiver parasitärer Elemente wird durch Verwendung einer Kette von zwischen die Gates eines jeden der in Reihe geschalteten Transistoren geschalteten Vorspannungswiderständen gemindert. Bei einer Ausführungsform verteilt die Verwendung solcher Widerstände eine angelegte HF-Spannung symmetrisch über die in Reihe geschalteten Transistoren, verringert Leistungsverlust in Schalter-Vorspannungsschaltungen und stellt eine niedrige ausgeschaltete Kapazität für den Schalter bereit.
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Bei weiteren Ausführungsformen umfasst der HF-Schalter auch Gatewiderstände, die mit jedem HF-Schalttransistor in Reihe geschaltet sind. Bei einigen Ausführungsformen werden die Widerstände der Vorspannungswiderstände und der Gatewiderstände gewichtet, um eine Verteilung von Transistoreinschaltzeiten zu verringern.
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1a zeigt ein beispielhaftes HF-System 100, in dem ein HF-Sendeempfänger 106 mit einer Zuführungsleitung einer Umgedrehtes-F-Antenne (IFA) 104, die zum Beispiel in einem Mobil-HF-System wie einem Mobiltelefon verwendet werden kann, gekoppelt. Zusätzlich zu dem HF-Sendeempfänger 106 ist ein Antennenapertur-Abstimmnebenschlussschalter 102 über eine Induktivität L mit der Antenne 104 und dem Kondensator C gekoppelt, um Abstimmung der Antenne 104 zu gewährleisten. In dem dargestellten Beispiel ist nur ein einziger Nebenschlussschalter 102 gezeigt. Bei verschiedenen Ausführungsformen können jedoch mehrere Schalter in Verbindung mit anderen passiven Elementen verwendet werden, um Abstimmung der Antenne 104 zu gewährleisten.
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Während des Betriebs des HF-Systems 100 kann die Spannung VSW an den Schalter 102 aufgrund der resonanten Beschaffenheit der Antenne 104 und ihrer unmittelbaren elektrischen Umgebung sehr hohe Spannungsauslenkungen erfahren. Tatsächlich kann bei einigen Systemen die Schaltspannung VSW HF-Spannungen von etwa 80 V erfahren, wenn der HF-Sendeempfänger 106 mit 33 dBm Leistung sendet und der Schalter 102 offen ist. Dementsprechend werden beim Entwurf des Schalters 102 verschiedene Maßnahmen getroffen, um solchen hohen Spannungen zu widerstehen.
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1b zeigt eine ausführliche Ansicht des Nebenschlussschalters 102 und Treibers 126. Wie gezeigt, wird der Nebenschlussschalter 102 unter Verwendung mehrerer gestapelter Transistoren implementiert, die in Reihe geschaltet sind, wobei jeder Transistor MSW davon einen Reihengatewiderstand RGATE aufweist. Eine solche Stapelung wird zum Beispiel verwendet, um Durchbruch bei Anwesenheit hoher HF-Spannungsauslenkungen zu verhindern. Wie weiter gezeigt ist, sind die gemeinsamen Source-/Drainknoten der Transistoren MSW über Widerstände RDS mit Masse gekoppelt. In einem Beispiel können Ausführungsformen von Widerständen RDS etwa 400 kΩ betragen, es können jedoch andere Werte verwendet werden. Die Schaltschaltung kann unter Verwendung von FET-Transistoren in einem CMOS-Bulk, CMOS-SOI unter Verwendung von Dünn- oder Dickfilmsilizium auf Isolator (SOI), GaAs-HEMTs oder einer anderen Technologie des FET-Transistortyps implementiert werden. In einigen Fällen können auch PIN-Dioden verwendet werden. Wie gezeigt, wird der Transistor MSW unter Verwendung eines NMOS-Bauelements implementiert, der Transistor MSW kann jedoch unter Verwendung eines PMOS-Bauelements oder eines anderen Transistortyps implementiert werden.
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Während des Betriebs führt der Treiber 126 den Gates der Transistoren MSW in dem Schalter 102 eine negative Spannung zu, um den Knoten In1 von Masse zu isolieren, indem die Transistoren MSW ausgeschaltet werden. Um einen leitfähigen Pfad von dem Knoten In1 zu Masse bereitzustellen, wird eine positive Spannung an die Gates der Transistoren MSW in dem Schalter 102 angelegt, um die Transistoren MSW einzuschalten. Bei einigen Ausführungsformen können zusätzliche (nicht gezeigte) Gleichstromsperrkondensatoren mit dem Eingangsknoten In1 gekoppelt werden, um eine symmetrische HF-Auslenkung sicherzustellen. Solche Gleichstromsperrkondensatoren werden zum Beispiel benutzt, wenn eine Gleichspannung auf der HF-Leitung vorliegt. Bei einigen Ausführungsformen, bei denen keine Gleichspannung auf der HF-Leitung vorliegt, werden keine Gleichstromsperrkondensatoren verwendet. Bei Schaltern, die keine negative Vorspannung an den MOS-Transistoren aufweisen, wird typischerweise Gleichstromsperrung verwendet. Solche Situationen können zum Beispiel in Systemen auftreten, bei denen das Gate eines Transistors zwischen einer positiven Spannung und Masse geschaltet wird, sowie es gewöhnlich bei Schaltungen der Fall ist, die unter Verwendung von GaAs-HEMT-Schalttechnologien implementiert werden. Ferner versteht sich, dass die Polarität der Aktivierungs- und Deaktivierungsspannungen anders sein kann, wenn andere Transistortypen neben NMOS-Bauelementen verwendet werden. Bei Ausführungsformen, die PMOS-Bauelemente verwenden, kann zum Beispiel die Aktivierungsspannung niedriger als die Deaktivierungsspannung sein.
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1c zeigt den Schalter 102 und den entsprechenden Treiber 126, wobei die Transistoren MSW ferner mit parasitären Gate-Drain-Kapazitäten Cgs und Gate-Source-Kapazitäten Cgs vermerkt sind. Wenn der Schalter 102 ausgeschaltet ist, verteilt die Reihenverknüpfung parasitärer Kapazitäten Cgs und Cgd das an jedem Eingangsknoten In1 anwesende HF-Signal homogen über die Transistoren MSW. Um Verzerrung des RD-Signals zu verhindern, wird der Widerstand von RGATE und RDS hoch genug ausgewählt, um sicherzustellen, dass die Kapazitäten Cgs und Cgd als in Reihe geschaltete Kapazitäten erscheinen, um parasitäre Last an dem Eingangsknoten In1 und Ausgangsknoten Out zu verhindern. Beispielhafte Werte für RGATE und RDS sind 400 kΩ bzw. 400 kΩ; es können jedoch andere Werte verwendet werden. Unter nicht idealen Bedingungen wird jedoch der Grad der durch die Widerstände RGATE gewährten Isolation durch die den Widerständen RGATE zugeordneten parasitären Kapazitäten begrenzt.
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1d zeigt den Schalter 102, bei dem die parasitären Nebenschlusskapazität jedes Gatewiderstands RGATE durch die Kapazität Cbp repräsentiert wird und die Nebenschlusskapazität des Widerstands RDS durch die Kapazität Cp repräsentiert wird. Außerdem ist der Treiber 126 als unter Verwendung des PMOS-Schaltransistors 140 implementiert gezeigt, um positive Spannung +VGATE an Gates der Transistoren MSW zu koppeln, um den Schalter 110 einzuschalten, und unter Verwendung von NMOS-Schalttransistoren 142, um negative Spannung -VGATE an die Gates der Transistoren MSW zu koppeln, um den Schalter 110 auszuschalten.
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Die parasitären Kapazitäten Cbp und Cp können sich aus Nichtidealheiten der physischen Implementierung des Widerstands RGATE ergeben. Wenn zum Beispiel der Widerstand RGATE und/oder RDS unter Verwendung von über dem Substrat angeordnetem Polysilizium implementiert wird, wird eine geringe Menge an Bypasskapazität bestehen. Abhängig von dem konkreten Widerstandslayout kann zum Beispiel ein 400 kΩ eine Bypasskapazität von 2 fF aufweisen. Bei 1 GHz entspricht eine Kapazität von 2 fF einer kapazitiven Impedanz von 80 kΩ, um dadurch die effektive Gesamtimpedanz von RGATE bei 1 GHz zu verringern. Es versteht sich, dass dies nur ein konkretes Beispiel für einen physischen Widerstand ist. Anderen Ausführungsformen von Widerständen können andere Widerstandswerte und/oder andere parasitäre Kapazitäten zugeordnet sein.
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Wenn mehrere Transistoren gestapelt werden, wird die Auswirkung der parasitären Kapazität des Widerstands RGATE auf die Bauelementeisolation weiter verschlimmert. Zum Beispiel werden bei einer Ausführungsform 40 Transistoren in einer Reihenkonfiguration in einer 1,5-V-Bauelementetechnologie gestapelt, um mit HF-Spannungsauslenkungen von etwa 60 V umzugehen. Jedem dieser 40 Transistoren ist ein Reihengatewiderstand zugeordnet. Wenn der Schalter ausgeschaltet ist, verringert die parallele Kombination von 40 Gatewiderständen zusammen mit ihrer zugeordneten parasitären Kapazität die effektive Impedanz, die das Gate der Transistoren isoliert, wenn die Transistoren ausgeschaltet sind, weiter. Mit Bezug auf das vorherige Beispiel erzeugt die Stapelung von 40 Bauelementen, die jeweils einen zugeordneten 400-kΩ-Widerstand mit 2 fF parasitärer Kapazität aufweisen, eine effektive Impedanz einer resistiven Impedanz von 20 kΩ, die mit einer kapazitiven Impedanz von 2 kΩ parallelgeschaltet ist, wodurch sehr wenig Gateisolation gewährleistet wird, wenn die Schalttransistoren ausgeschaltet sind.
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Treiber des Invertertyps, wie etwa die gezeigte Implementierung, die Transistoren 140 und 142 verwendet, stellen eine sehr niedrige Impedanz für die Gates der Transistoren MSW des Schalters 110 bereit. Bei einigen Implementierungen kann diese niedrige Impedanz als eine HF-Masse erscheinen. Wenn eine niedrige Impedanz an die parasitären Kapazitäten Cgs und Cgs angelegt wird, wird außerdem die an dem Eingangsknoten Iin1 und dem Ausgangsknoten Out zu sehende parasitäre Kapazität aufgrund der Auswirkung des parallelen Hinzufügens parasitärer Kapazität Cbp weiter vergrößert. Diese an dem Eingangsknoten Iin1 und dem Ausgangsknoten Out zu sehende parasitäre Kapazität nimmt zu, wenn mehr Transistoren gestapelt werden und die Breiten der Transistoren MSW vergrößert werden. Die gewöhnlich für HF-Schalter verwendete Leistungszahl RON·Coff wird somit verschlechtert, weil Cbp die Impedanz der Gatewiderstände RGATE verringert.
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1e zeigt den Schalter 111, bei dem Widerstände RDS mit den Source-/Drainverbindungen der Transistoren MSW parallelgeschaltet werden, statt von einer Source-/Drainverbindung nach Masse gekoppelt zu werden. Eine solche Konfiguration kann verwendet werden, um mehr Bauelemente als bei der Ausführungsform von 1d zu stapeln. Der Wert von RDS kann in diesem Fall im Bereich von zwischen etwa 20 kΩ und etwa 40 kΩ liegen; abhängig von der konkreten Anwendung und ihren Spezifikationen können jedoch andere Werte außerhalb dieses Bereichs verwendet werden. Wieder wird die parasitäre Nebenschlusskapazität jedes Gatewiderstands RGATE durch die Kapazität Cbp repräsentiert und die Nebenschlusskapazität des Widerstands RDS wird durch die Kapazität Cp repräsentiert. Bei einer solchen Schaltung werden die Source-/Drainverbindungen über einen (nicht gezeigten) zusätzlichen Widerstand, der mit Masse gekoppelt ist, oder durch einen mit Masse gekoppelten Schaltereingang auf Masse vorgespannt.
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1f zeigt eine Ausführungsform des Schalters
150, bei der der gemeinsame Widerstand R
G2 zwischen die Signalquelle
152 und die Reihengatewiderstände R
G1 geschaltet ist. Durch Reihenschaltung eines gemeinsamen Widerstands R
G2 mit der Signalquelle
152 kann die am Ausgang des HF-Schalters zu sehende kapazitive Impedanz signifikant verringert werden. Die zusätzlichen gemeinsamen Widerstände R
G2 können jedoch die Schaltzeit des Schalters verlangsamen. Diese Schaltzeit kann folgendermaßen abgeleitet werden. Der Gatestrom jedes Transistors kann als
ausgedrückt werden, wobei i der durch die Signalquelle
152 produzierte Gesamtstrom, N die Anzahl gestapelter Transistoren, G
GS die Gate-Source-Kapazität jedes gestapelten Transistors und V
C die Spannung an jeder Gate-Source-Kapazität ist. Die Spannung um die untere Stromschleife herum kann als
V0 = i·RG2 + i / N·RG1 + VC (2) ausgedrückt werden, wobei V
0 die Ausgangsspannung der Signalquelle
152 ist. Durch Sammeln von Termen und Verwendung von Gleichung (1) zum Ersetzen des Ausdrucks für i/N wird
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Dementsprechend wird die folgende Zeitkonstante ersichtlich: τ = (N·RG2 + RG1)·CGS (4)
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In Schalter mit einer großen Anzahl gestapelter Transistoren wird der gemeinsame Widerstand der mehreren Gatewiderstände RG1 niedrig, um dadurch zu bewirken, dass ein großer Teil der HF-Auslenkung am Ausgang des Schalters an dem gemeinsamen Widerstand RG2 zu sehen ist. Außerdem können relativ große Ströme durch die Widerstände RG1 und RG2 geleitet werden. Wenn zum Beispiel eine HF-Spannung von 36 V an einen Stapel von 24 Transistoren mit RG1 = 100 KΩ und RG2 = 10 KΩ angelegt wird, beträgt die parallele Kombination von 24 RG1-Widerständen etwa 4,1 KΩ. In diesem Beispiel beträgt der durch die Signalquelle 152 produzierte Spitzenstrom i etwa 3,6 mA, wodurch eine Verlustleistung von etwa 35 mW produziert wird, die die Widerstände in einigen Fällen abhängig von dem konkreten zur Implementierung der Widerstände verwendeten Material thermisch belasten kann.
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2a zeigt ein HF-Schaltsystem 200 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Wie gezeigt, sind die Widerstände RG1 nun zwischen angrenzende Gates der Transistoren MSW geschaltet und über einen gemeinsamen Widerstand RG2 mit der Treiberschaltung 202 gekoppelt. In der Figur ist die parasitäre Kapazität des Drain-Source-Widerstands RDS als Kapazität Cp repräsentiert, die parasitäre Kapazität der Widerstände RG1 als Kapazität Cbp1 repräsentiert und die parasitäre Kapazität der Widerstände RG2 als Kapazität Cbp2 repräsentiert.
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Bei einer Ausführungsform wird der Gesamtwiderstand am Ausgang des Treibers 202 Roff = N·RG2 + RG1, was mit der
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Anzahl gestapelter Transistoren MSW zunimmt. Selbst für kleine Werte von RG1 wie 20 KΩ wird somit eine hohe angelegte HF-Spannung an dem Knoten HF über den hohen Reihenwiderstand von Roff aufgeteilt, um dadurch geringe Verlustleistung in den Widerständen RG1 und RG2 zu ermöglichen. Bei einigen Ausführungsformen sieht jeder Widerstand RG1 eine selbe Spannungsdifferenz, so dass der Spannungsabfall an jedem Widerstand etwa VRF/N beträgt, wobei VRF die angelegte HF-Spannung ist.
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Bei verschiedenen Ausführungsformen wird die Widerstands-Parasitär-Bypasskapazität Cpb1 der Widerstände RG1 durch den Stapel aufgeteilt, statt sich zu akkumulieren. Dementsprechend kann das HF-Schaltsystem 200 über den Schalter hinweg eine kleinere Kapazität als die Ausführungsform von 1f aufweisen. In einigen Fällen führt kleinere Kapazität zu geringeren Hochfrequenzverlusten während des Betriebs.
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Im Hinblick auf ESD-Leistungsfähigkeit verteilt die Struktur des HF-Schaltsystems eine angelegte HF-Spannung gleichmäßiger über alle Transistoren MSW, um dadurch zu ermöglichen, dass der Schalter angelegten HF-Spannungen höherer Amplitude sowie größeren ESD-Impulsen widersteht. Bei einigen Ausführungsformen kann das HF-Schaltsystem 200 dafür ausgelegt werden, einem ESD-Impuls von mindestens 1,5 kV zu widerstehen.
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2b zeigt ein HF-Schaltsystem 220 gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Wie gezeigt ist der Treiber 220 über Widerstände RG2 an einem Punkt in der Mitte des Transistorstapels mit dem HF-Schalter gekoppelt, statt an einem ersten Transistor mit Bezug auf 2a. Bei einigen Ausführungsformen kann der Widerstand RG2 symmetrisch mit einem Mittenabgriff der Reihenkombination der Widerstände RG1 gekoppelt sein, so dass mit jeder Seite des Mittenabgriffs eine gleiche Anzahl von Widerständen RG1 gekoppelt ist. Als Alternative kann der Widerstand RG2 mit einem Punkt gekoppelt werden, der sich nicht symmetrisch zwischen einer gleichen Anzahl von Widerständen RG1 befindet. Durch Koppeln des Treibers 202 mit einem Transistor MSW, der sich in der Mitte der Kette von Schalttransistoren befindet, kann die maximale Anstiegszeit sowie die Verteilung zwischen der schnellsten und langsamsten Anstiegszeit verringert werden. Der Grund dafür besteht darin, dass der maximale Gesamtwiderstand vom Ausgang des Treibers 202 zu dem entferntesten Transistor verringert wird. Bei einer Ausführungsform kann der Widerstand RGND zwischen einem Source-/Drainanschluss eines der in Reihe geschalteten Transistoren nach Masse gekoppelt werden, um den Transistoren eine Vorspannung zuzuführen, wenn der HF-Schalter 220 ausgeschaltet ist, zum Beispiel wenn Gleichstromkopplungskondensatoren verwendet werden.
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3a zeigt eine weitere Ausführungsform eines HF-Schalters 300, bei dem Widerstände RG3 in Reihe mit den Gates der Schalttransistoren zusätzlich zu den Widerständen RG1 und dem Widerstand RG2, wie in der Ausführungsform von 2b oben beschrieben, hinzugefügt werden. Der Zusatz der Widerstände RG3 hat die Auswirkung, die Gatekapazität der Schalttransistoren von den Widerständen RG1 und dem Widerstand RG2 zu entkoppeln, um dadurch die Möglichkeit schnellerer Anstiegszeiten zu erlauben. Bei einigen Ausführungsformen weisen die Widerstände RG1 und RG3, die näher an dem Widerstand RG2 gekoppelt sind, einen höheren Wert als die Widerstände RG1 und RG3 auf, die weiter entfernt von dem Transistor RG2 gekoppelt sind. Eine solche Konfiguration kann zum Beispiel zum Ausrichten der Einschaltverzögerung der Schalttransistoren verwendet werden. Bei einer Ausführungsform kann eine R-2R-Leiterkonfiguration angewandt werden, um die Anstiegszeit der Schalttransistoren besser auszurichten. In dem dargestellten Beispiel hat der Widerstand RG3, der mit dem Gate des mittleren Transistors M0 verbunden ist, einen Wert von 2R, während der Widerstand RG1 und der unmittelbar angrenzende nächste Widerstand RG3 Werte von R aufweisen. Der Widerstand der nächsten beiden Widerstände RG1 und RG3 hat einen Wert von R/2, also die Hälfte des vorherigen Werts von R, und so weiter bis zu Werten von R / 2(n – 1) für die Widerstände RG1 und RG3 der n-ten Stufe.
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3b zeigt eine Ausführungsform eines HF-Schalters 320, der dieselbe Struktur wie der HF-Schalter 300 in 3a aufweist, bei dem aber beispielhafte Widerstandswerte angemerkt sind. Zum Beispiel hat RG2 einen Wert von 12 KΩ und der Parameter R einen Wert von 10 KΩ, so dass die Werte der durch die Widerstände RG1 und RG3 gebildeten R-2R-Leiter im Bereich von 20 KΩ bis 10K / 2(n – 1)Ω liegen. Wie weiter gezeigt wird, ist der Widerstand der Drain-Source-Widerstände jeweils auf 40 KΩ eingestellt und der Widerstand RGND auf 500 KΩ eingestellt. Es versteht sich, dass die Ausführungsform von 3b nur eine von vielen beispielhaften Ausführungsformen ist. Bei alternativen Ausführungsformen könnten neben den in 3b gezeigten andere Widerstandswerte verwendet werden.
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3c zeigt eine Ausführungsform eines HF-Schalters 330, der dieselbe Struktur wie der HF-Schalter 300 und ähnliche Werte aufweist, mit der Ausnahme des mit dem Gate des Transistors M0 in Reihe geschalteten Widerstands, der statt 20 KΩ einen Wert von 100 KΩ aufweist. Durch Vergrößern des Werts dieses Widerstands auf 100 KΩ kann der Versatz der Verzögerungszeiten zum Einschalten der Schalttransistoren verringert werden. Bei alternativen Ausführungsformen können statt 100 KΩ andere Werte verwendet werden.
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4a zeigt ein Schaltbild eines HF-Schalters mit ähnlicher Struktur wie die Ausführungsform von 1f, und 4b zeigt ein Signalformdiagramm, das einen Vergleich der Anstiegszeit von Gatespannungen am Eingang verschiedener Transistoren zeigt. Wie gezeigt sind die Widerstandswerte für den HF-Schalter 12 KΩ für RG2, 200 KΩ für RG1, 40 KΩ für die Source-Drain-Widerstände der Schalttransistoren und 500 KΩ für RGND. Wie gezeigt, haben die Gates aller Transistoren innerhalb von 1,41 µs 80% ihres Endwerts erreicht.
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4c zeigt ein Schaltbild eines HF-Schalters mit einer ähnlichen Struktur wie die Ausführungsform von 2b, und 4d zeigt ein Signalformdiagramm, das einen Vergleich der Anstiegszeit von Gatespannungen am Eingang verschiedener Transistoren zeigt. Wie gezeigt, sind die Widerstandswerte für den HF-Schalter 12 KΩ für RG2, 40 KΩ für RG1, 40 KΩ für die Source-Drain-Widerstände der Schalttransistoren und 500 KΩ für RGND. Wie gezeigt, variiert die 80%-Anstiegszeit der Spannungen am Gate aller Transistoren um 3,3 µs.
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4e zeigt ein Schaltbild eines HF-Schalters mit einer ähnlichen Struktur wie die Ausführungsform von 3b und 4f zeigt ein Signalformdiagramm eines Vergleichs der Anstiegszeit von Gatespannungen am Eingang verschiedener Transistoren. Wie gezeigt, sind die Widerstandswerte für den HF-Schalter 12 KΩ für RG2, 40 KΩ für die Source-Drain-Widerstände der Schalttransistoren und 500 KΩ für RGND, und RG1 und RG3 bilden eine R-2R-Leiter, wobei der Parameter R 10 KΩ ist. Wie gezeigt, variiert die 80%-Anstiegszeit der Spannungen am Gate aller Transistoren um 300 ns. Es versteht sich, dass die in den Signalformdiagrammen von 4b, 4d und 4f gezeigte Leistungsfähigkeit nur einige wenige Beispiele für viele mögliche HF-Schaltsysteme sind. Die Anstiegszeit der Leistungsfähigkeit von Systemen anderer Ausführungsformen kann gemäß der konkreten Ausführungsform und den Bauelementeeigenschaften der Transistoren und Widerständen, mit denen die HF-Schaltschaltung implementiert wird, unterschiedlich sein.
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5 zeigt einen HF-Schalter 500 gemäß weiteren Ausführungsformen. Wie gezeigt, ist der HF-Schalter 500 der Ausführungsform von 2a ähnlich, mit zusätzlichen Kondensatoren CM(1) bis CM(n), die mit jeweiligen Transistoren in dem HF-Schalter 500 parallelgeschaltet sind.
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Diese Kondensatoren CM(1) bis CM(n) stellen kapazitive Ballastschaltung bereit, die dabei hilft, die an jedem Transistor MSW zu sehende Spannung zu entzerren und kann unter Verwendung von in der Technik bekannten Kondensatorstrukturen, zum Beispiel MIM-Kondensatoren (Metall-Isolator-Metall), implementiert werden. Bei einigen Ausführungsformen können die kapazitiven parasitären Elemente der RG1-Widerstände immer noch asymmetrische Spannungen an den Transistoren MSW verursachen. Wenn zum Beispiel der HF-Schalter 500 ausgeschaltet ist, wird die angelegte HF-Spannung über die Gate-Source- und Gate-Drain-Kapazität der einzelnen Schalttransistoren MSW über kapazitive Spannungsaufteilung verteilt. Dementsprechend kann parasitäre Kapazität von den Gates der Transistoren MSW nach Masse Asymmetrien in der kapazitiven Spannungsaufteilung verursachen. In solchen Umständen können einzelne Schalttransistoren großen Signalauslenkungen ausgesetzt sein, die Beschädigung an den Bauelementen verursachen können und/oder verursachen können, dass die Bauelemente durchbrechen. Durch Verwendung von Ballastkondensatoren CM(1) bis CM(n) können diese Asymmetrien ausgeglichen werden, indem Verringerung der Auswirkung parasitärer Kapazitäten der Widerstände RG1 bereitgestellt wird. Bei einer Ausführungsform umfasst der HF-Schalter 500 67 gestapelte Transistoren (n = 67), wobei der Kondensator CM(n) einen Wert von etwa 3 pF aufweist und der Kondensator CM(1) einen Wert von etwa 40 ff aufweist, wobei n = 67 ist. Bei einigen Ausführungsformen nehmen die Kapazitäten von CM(n) bis CM(1) linear von 3 pF auf 44 ff ab. Als Alternative können die Kapazitäten von CM(n) bis CM(1) auf nichtlineare Weise abnehmen. Es versteht sich ferner, dass die Ausführungsform von 5a nur eines von vielen Beispielen dafür ist, wie kapazitive Ballastschaltung auf Ausführungsformen von HF-Schaltern angewandt werden kann. Bei alternativen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung können abhängig von dem konkreten System, seinen Spezifikationen und den Eigenschaften zur Implementierung des HF-Schalters 500 verwendeten Bauelemente andere Kondensatorwerte verwendet werden. Bei einigen Ausführungsformen können die Widerstände RG1 unter Verwendung von Metall-Meanderwiderständen implementiert werden.
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5b zeigt eine Draufsicht eines integrierten Schaltungslayouts 510 des in 5a gezeigten HF-Schalters. Das Layout 510 umfasst einen Schalttransistorbereich 502 und Ballastkondensatoren 504. Wie gezeigt, repräsentiert der obere Teil des Layouts die größeren Ballastkondensatoren 504, während sich die kleineren Ballastkondensatoren in Richtung des unteren Teils des Transistorbereichs 502 befinden. Der untere Teil 506 des Layouts 510 repräsentiert verschiedene Unterstützungsschaltkreise für den HF-Schalter, darunter Ladungspumpen und Schalttreiberschaltungen.
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6 zeigt ein Flussdiagramm 600 einer Ausführungsform eines Verfahrens zum Betrieb einer Hochfrequenz- bzw. HF-Schaltschaltung mit mehreren in Reihe geschalteten HF-Schaltzellen, die einen Lastpfad und einen Steuerknoten umfassen, einem Eingangswiderstand mit einem ersten Ende, das mit einem Steuerknoten einer der mehreren HF-Schaltzellen gekoppelt ist, und mehreren ersten Gatewiderständen, die zwischen Steuerknoten angrenzender HF-Schaltzellen geschaltet sind, wobei jede der mehreren in Reihe geschalteten HF-Schaltzellen einen Schalttransistor umfasst. In Schritt 602 wird die HF-Schaltschaltung durch Anlegen einer Aktivierungsspannung an ein zweites Ende des Eingangswiderstands eingeschaltet, wobei die Aktivierungsspannung einer Einschaltspannung der Schalttransistoren der HF-Schaltzellen entspricht. In Schritt 604 wird die HF-Schaltschaltung ausgeschaltet, um eine Deaktivierungsspannung an ein zweites Ende des Eingangswiderstands anzulegen, wobei die Deaktivierungsspannung einer Ausschaltspannung der Schalttransistoren der HF-Schaltzellen entspricht.
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Zu Vorteilen von Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung gehört die Möglichkeit, die Ausschaltkapazität zu verkleinern, die ESD-Leistungsfähigkeit zu vergrößern und die Bauelementezuverlässigkeit von HF-Schaltern, die gestapelte Schalttransistoren benutzen, zu vergrößern. Zu anderen Vorteilen gehören geringerer Stromverbrauch, geringere Erwärmung und geringere Erzeugung von Oberschwingungen verglichen mit herkömmlichen HF-Schaltern. Ein weiterer Vorteil umfasst die Möglichkeit, die Anstiegszeit der Gates der einzelnen HF-Schalttransistoren auszugleichen, um "heißes Umschalten" von Bauelementen während des Betriebs zu erlauben.
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Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können Schaltungen oder Systeme dafür ausgelegt werden, bestimmte Operationen oder Aktionen auszuführen, indem Hardware, Software, Firmware oder eine Kombination dieser auf dem System installiert wird, die bewirkt oder bewirken, dass das System die Aktionen ausführt. Ein allgemeiner Aspekt umfasst eine Hochfrequenz- bzw. HF-Schaltschaltung, umfassend: mehrere in Reihe geschaltete HF-Schaltzellen mit einem Lastpfad und einem Steuerknoten, wobei jede der mehreren in Reihe geschalteten HF-Schaltzellen einen Schalttransistor umfasst; mehrere zwischen Steuerknoten angrenzender HF-Schaltzellen geschaltete erste Gatewiderstände; und einen Eingangswiderstand mit einem ersten Ende, das mit einem Steuerknoten einer der mehreren HF-Schaltzellen gekoppelt ist, und einem zweiten Ende, das an einem Ausgang eines Schalttreibers konfiguriert ist. Andere Ausführungsformen dieses Aspekts umfassen entsprechende Schaltungen und Systeme, die dafür ausgelegt sind, die verschiedenen Aktionen der Verfahren auszuführen.
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Implementierungen können eines oder mehrere der folgenden Merkmale umfassen. Die HF-Schaltschaltung, bei der jede HF-Schaltzelle ferner einen Lastpfadwiderstand umfasst, der mit dem Lastpfad der HF-Schaltzelle parallelgeschaltet ist. Die HF-Schaltschaltung, wobei die mehreren in Reihe geschalteten HF-Schaltzellen einen ersten Anschluss, der mit einem Lastpfad einer ersten HF-Schaltzelle an einem ersten Ende der mehreren in Reihe geschalteten HF-Schaltzellen gekoppelt ist, und einen zweiten Anschluss, der mit einem Lastpfad einer letzten HF-Schaltzelle an einem zweiten Ende der mehreren in Reihe geschalteten HF-Schaltzellen gekoppelt ist, umfassen. Bei einigen Ausführungsformen ist das erste Ende des Eingangswiderstands mit dem Steuerknoten der ersten HF-Schaltzelle gekoppelt. Das erste Ende des Eingangswiderstands kann mit einem Steuerknoten einer Zwischen-HF-Schaltzelle gekoppelt sein, so dass zwischen die Zwischen-HF-Schaltzelle und den ersten Anschluss und zwischen die Zwischen-HF-Schaltzelle und den zweiten Anschluss eine gleiche Anzahl von HF-Schaltzellen geschaltet ist.
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In einigen Ausführungsformen umfasst jede HF-Schaltzelle ferner einen zweiten Gatewiderstand mit einem ersten Ende, das mit einem Gate des Schalttransistors gekoppelt ist, und einem zweiten Ende, das mit dem Steuerknoten der HF-Schaltzelle gekoppelt ist. Mindestens ein Teil der zweiten Gatewiderstände der mehreren HF-Schaltzellen und mindestens ein Teil der mehreren ersten Gatewiderstände können eine R-2R-Leiter bilden. Jede HF-Schaltzelle kann ferner einen mit dem Lastpfad der HF-Schaltzelle parallelgeschalteten Lastpfadwiderstand umfassen; und die HF-Schaltschaltung kann ferner einen zwischen einen Lastpfad einer der HF-Schaltzellen und Masse geschalteten Massewiderstand umfassen. Bei einigen Ausführungsformen umfasst jede HF-Schaltzelle ferner einen parallelen Kondensator, der mit dem Lastpfad parallelgeschaltet ist. Der parallele Kondensator umfasst zum Beispiel einen MIM-Kondensator (Metall-Isolator-Metall). Bei einigen Ausführungsformen ist eine Kapazität des parallelen Kondensators der ersten HF-Schaltzelle größer als eine Kapazität des parallelen Kondensators der letzten HF-Schaltzelle. Die Kapazität des parallelen Kondensators nimmt bei einigen Ausführungsformen von dem ersten HF-Schalter zu dem letzten HF-Schalter linear ab.
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Ein weiterer allgemeiner Aspekt umfasst eine Hochfrequenz- bzw. HF-Schaltschaltung, umfassend: eine erste Vielzahl von in Reihe geschalteten Widerständen; eine zweite Vielzahl von Nebenschlusswiderständen mit ersten Enden, die zwischen Widerstände der ersten Vielzahl von in Reihe geschalteten Widerständen geschaltet sind; einen Eingangskopplungswiderstand mit einem mit einem Mittenabgriff der ersten Vielzahl von in Reihe geschalteten Widerständen gekoppelten ersten Ende; mehrere in Reihe geschaltete Transistoren, die zwischen einen ersten HF-Schaltanschluss und einen zweiten HF-Schaltanschluss geschaltet sind, wobei jeder der mehreren in Reihe geschalteten Transistoren Steuerknoten aufweist, die mit jeweiligen Enden der zweiten Vielzahl von Nebenschlusswiderständen gekoppelt sind, wobei ein Widerstand eines jeden der ersten Vielzahl von in Reihe geschalteten Widerständen sukzessiv von einem Mittenabgriff in Richtung eines Endes der ersten Vielzahl von in Reihe geschalteten Widerständen abnimmt; und ein Widerstand eines jeden der zweiten Vielzahl von Nebenschlusswiderständen sukzessiv von einem ersten Nebenschlusswiderstand der zweiten Vielzahl von Nebenschlusswiderständen, die mit dem Mittenabgriff gekoppelt sind, zu einem ersten Transistor, der mit dem ersten HF-Schaltanschluss gekoppelt ist, abnimmt und sukzessiv von dem ersten Nebenschlusswiderstand der zweiten Vielzahl von Nebenschlusswiderständen, der mit dem Mittenabgriff gekoppelt ist, zu einem letzten Transistor, der mit dem zweiten HF-Schaltanschluss gekoppelt ist, abnimmt. Andere Ausführungsformen dieses Aspekts umfassen entsprechende Schaltungen und Systeme, die dafür ausgelegt sind, die verschiedenen Schritte des Verfahrens auszuführen.
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Implementierungen können ein oder mehrere der folgenden Merkmale umfassen. Die HF-Schaltschaltung umfasst ferner eine dritte Vielzahl von Widerständen, die mit einem entsprechenden Lastpfad eines jeden der mehreren in Reihe geschalteten Transistoren parallelgeschaltet sind. Die HF-Schaltschaltung umfasst ferner einen Vorspannungswiderstand mit einem ersten Ende, das mit einem der mehreren in Reihe geschalteten Transistoren gekoppelt ist, und einem zweiten Ende, das mit einem Referenzspannungsknoten gekoppelt ist. Bei einigen Ausführungsformen bilden die erste Vielzahl von in Reihe geschalteten Widerständen und die zweite Vielzahl von Nebenschlusswiderständen eine R-2R-Leiter.
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Bei einer Ausführungsform umfasst ein erster Nebenschlusswiderstand, der zwischen den Mittenabgriff und einen Mittentransistor der mehreren in Reihe geschalteten Transistoren geschaltet ist, einen ersten Widerstand; Reihenwiderstände der ersten Vielzahl von Reihenwiderständen, die mit dem Mittenabgriff gekoppelt sind, umfassen einen Widerstand von etwa der Hälfte des ersten Widerstands; nachfolgende Reihenwiderstände der ersten Vielzahl von Reihenwiderständen, die unmittelbar an die vorhergehenden Reihenwiderstände angrenzen, umfassen einen Widerstand, der etwa die Hälfte der vorhergehenden Reihenwiderstände beträgt; Nebenschlusswiderstände der zweiten Vielzahl von Nebenschlusswiderständen, die unmittelbar an den ersten Nebenschlusswiderstand angrenzen, umfassen einen Widerstand von etwa der Hälfte des ersten Widerstands; und nachfolgende Nebenschlusswiderstände der zweiten Vielzahl von Nebenschlusswiderständen, die unmittelbar an die vorhergehenden Nebenschlusswiderstände angrenzen, umfassen einen Widerstand von etwa der Hälfte der vorhergehenden Nebenschlusswiderstände. Bei einigen Ausführungsformen umfasst ein erster Nebenschlusswiderstand, der zwischen den Mittenabgriff und einen Mittentransistor der mehreren in Reihe geschalteten Transistoren geschaltet ist, einen ersten Widerstand; Reihenwiderstände der ersten Vielzahl von Reihenwiderständen, die mit dem Mittenabgriff gekoppelt sind, umfassen einen zweiten Widerstand; nachfolgende Reihenwiderstände der ersten Vielzahl von Reihenwiderständen, die unmittelbar an die vorhergehenden Reihenwiderstände angrenzen, umfassen einen Widerstand von etwa der Hälfte der vorhergehenden Reihenwiderstände; Nebenschlusswiderstände der zweiten Vielzahl von Nebenschlusswiderständen, die unmittelbar an den ersten Nebenschlusswiderstand angrenzen, umfassen den zweiten Widerstand; und nachfolgende Nebenschlusswiderstände der zweiten Vielzahl von Nebenschlusswiderständen, die unmittelbar an die vorhergehenden Nebenschlusswiderstände angrenzen, umfassen einen Widerstand von etwa der Hälfte der vorhergehenden Nebenschlusswiderstände.
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Bei einigen Ausführungsformen umfasst die HF-Schaltschaltung ferner eine dritte Vielzahl von Widerständen, die mit einem entsprechenden Lastpfad eines jeden der mehreren in Reihe geschalteten Transistoren parallelgeschaltet sind; und einen Vorspannungswiderstand mit einem ersten Ende, das mit einem der mehreren in Reihe geschalteten Transistoren gekoppelt ist, und einem zweiten Ende, das mit einem Referenzspannungsknoten gekoppelt ist. Der Eingangskopplungswiderstand kann einen Widerstand von etwa 12 kΩ aufweisen; der erste Widerstand beträgt etwa 100 kΩ; der zweite Widerstand beträgt etwa 100 kΩ; jeder der dritten Vielzahl von Widerständen umfasst einen Widerstand von etwa 40 kΩ; und der Vorspannungswiderstand umfasst einen Widerstand von etwa 500 kΩ.
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Die HF-Schaltschaltung kann ferner eine Treiberschaltung umfassen, die mit einem zweiten Ende des Eingangskopplungswiderstands gekoppelt ist. Bei einigen Ausführungsformen umfasst die HF-Schaltschaltung ferner eine Antenne, die mit dem ersten HF-Schaltanschluss und/oder dem zweiten HF-Schaltanschluss gekoppelt ist. Die erste Vielzahl von in Reihe geschalteten Widerständen, die zweite Vielzahl von Nebenschlusswiderständen, der Eingangskopplungswiderstand und die mehreren in Reihe geschalteten Transistoren können auf einer einzigen integrierten Schaltung angeordnet sein.
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Ein anderer allgemeiner Aspekt umfasst ein Verfahren zum Betrieb einer Hochfrequenz- bzw. HF-Schaltschaltung, die mehrere in Reihe geschaltete HF-Schaltzellen mit einem Lastpfad und einem Steuerknoten und einen Eingangswiderstand mit einem ersten Ende, das mit einem Steuerknoten einer der mehreren HF-Schaltzellen gekoppelt ist, und mehrere erste Gatewiderstände, die zwischen Steuerknoten angrenzender HF-Schaltzellen geschaltet sind, umfasst, wobei jede der mehreren in Reihe geschalteten HF-Schaltzellen einen Schalttransistor umfasst. Das Verfahren umfasst Einschalten der HF-Schaltschaltung einschließlich Anlegen einer Aktivierungsspannung an ein zweites Ende des Eingangswiderstands, wobei die Aktivierungsspannung einer Einschaltspannung der Schalttransistoren der HF-Schaltzellen entspricht; und Ausschalten der HF-Schaltschaltung, einschließlich Anlegen einer Deaktivierungsspannung an ein zweites Ende des Eingangswiderstands, wobei die Deaktivierungsspannung einer Ausschaltspannung der Schalttransistoren der HF-Schaltzellen entspricht. Andere Ausführungsformen dieses Aspekts umfassen entsprechende Schaltungen und Systeme, die dafür ausgelegt sind, die verschiedenen Schritte der Verfahren auszuführen.
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Implementierungen können ein oder mehrere der folgenden Merkmalen umfassen. Das Verfahren umfasst ferner Anlegen einer HF-Spannung an ein erstes Ende der mehreren in Reihe geschalteten HF-Schaltzellen, wobei die HF-Spannung im Wesentlichen gleichmäßig über jede der mehreren HF-Schaltzellen verteilt ist. Das Verfahren, wobei jede HF-Schaltzelle ferner einen zweiten Gatewiderstand mit einem ersten Ende, das mit einem Gate des Schalttransistors gekoppelt ist, und einem zweiten Ende, das mit dem Steuerknoten der HF-Schaltzelle gekoppelt ist, umfasst; Widerstände der ersten Gatewiderstände, die näher an dem Eingangswiderstand gekoppelt sind, höher als Widerstände der ersten Gatewiderstände sind, die weiter von dem Eingangswiderstand entfernt gekoppelt sind; Widerstände der zweiten Gatewiderstände, die näher bei dem Eingangswiderstand gekoppelt sind, höher als Widerstände der zweiten Gatewiderstände sind, die weiter von dem Eingangswiderstand entfernt gekoppelt sind; und eine Anstiegszeit an einem Gate jedes Transistors innerhalb von 20% voneinander liegt. System und Verfahren für eine Ansteuerung eines Hochfrequenzschalters.
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Obwohl die vorliegende Erfindung mit Bezug auf beispielhafte Ausführungsformen beschrieben wurde, soll die vorliegende Beschreibung nicht in einem einschränkenden Sinne aufgefasst werden. Fachleuten werden bei Durchsicht der Beschreibung verschiedene Modifikationen und Kombinationen der beispielhaften Ausführungsformen sowie andere Ausführungsformen der Erfindung einfallen. Zum Beispiel könnten Ausführungsformen von Schalttreibern verwendet werden, um Oszillatoren abzustimmen, indem Kondensatoren und andere Abstimmkomponenten hinein- und herausgeschaltet werden. Ausführungsformen von Schalttreiberschaltungen können auch auf Empfangs-/Sendeschalter, Dämpfungsglieder, Leistungsverstärker-Bypassschaltungen, HF-Anpassung, HF-Filterumschaltung allgemein und auch auf andere Arten von Schaltungen und Systeme angewandt werden.