Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

DE102015206299A1 - Über Leiterplatte auf Leadframe verschaltete Sensorschaltung - Google Patents

Über Leiterplatte auf Leadframe verschaltete Sensorschaltung Download PDF

Info

Publication number
DE102015206299A1
DE102015206299A1 DE102015206299.6A DE102015206299A DE102015206299A1 DE 102015206299 A1 DE102015206299 A1 DE 102015206299A1 DE 102015206299 A DE102015206299 A DE 102015206299A DE 102015206299 A1 DE102015206299 A1 DE 102015206299A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
sensor
sensor circuit
wiring substrate
wiring
circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE102015206299.6A
Other languages
English (en)
Other versions
DE102015206299B4 (de
Inventor
Michael Schulmeister
Stefan Günthner
Roland Burghardt
Jakob Schillinger
Karl-Friedrich Becker
Harald Pötter
Tina Thomas
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Continental Automotive Technologies GmbH
Original Assignee
Continental Automotive GmbH
Continental Teves AG and Co OHG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Continental Automotive GmbH, Continental Teves AG and Co OHG filed Critical Continental Automotive GmbH
Priority to DE102015206299.6A priority Critical patent/DE102015206299B4/de
Publication of DE102015206299A1 publication Critical patent/DE102015206299A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE102015206299B4 publication Critical patent/DE102015206299B4/de
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3135—Double encapsulation or coating and encapsulation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
    • B81B7/0032—Packages or encapsulation
    • B81B7/0045—Packages or encapsulation for reducing stress inside of the package structure
    • B81B7/0048—Packages or encapsulation for reducing stress inside of the package structure between the MEMS die and the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49517—Additional leads
    • H01L23/49531—Additional leads the additional leads being a wiring board
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49537—Plurality of lead frames mounted in one device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
    • H01L23/49548—Cross section geometry
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/552—Protection against radiation, e.g. light or electromagnetic waves
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2203/00—Forming microstructural systems
    • B81C2203/01—Packaging MEMS
    • B81C2203/0154—Moulding a cap over the MEMS device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
    • H01L23/49548—Cross section geometry
    • H01L23/49551—Cross section geometry characterised by bent parts
    • H01L23/49555—Cross section geometry characterised by bent parts the bent parts being the outer leads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L24/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H01L2924/143—Digital devices
    • H01L2924/1433—Application-specific integrated circuit [ASIC]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/146—Mixed devices
    • H01L2924/1461—MEMS
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19106—Disposition of discrete passive components in a mirrored arrangement on two different side of a common die mounting substrate

Landscapes

  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Gyroscopes (AREA)
  • Testing Or Calibration Of Command Recording Devices (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen Sensors (14), der eingerichtet ist, eine physikalische Größe basierend auf einem von der physikalischen Größe abhängigen Geberfeld zu messen, umfassend: – Verschalten einer Sensorschaltung (44) zum Erfassen des Geberfeldes und zum Ausgeben eines vom Geberfeld abhängigen Sensorsignals (16) auf einem ersten Verdrahtungsträger (32), – Verschalten des ersten Verdrahtungsträgers (32) auf einem zweiten Verdrahtungsträger (40), und – Verkapseln des zweiten Verdrahtungsträgers (40) und des darauf getragenen ersten Verdrahtungsträgers (32) mit der Sensorschaltung (44) in einer Schutzmasse (38).

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines Sensors und den Sensor.
  • Aus der DE 10 2007 060 931 A1 ist ein Sensor mit einer verkapselten Sensorschaltung bekannt, die auf einem Substrat in Form einer Leiterplatte mit einer elektrischen Beschaltung gehalten und über Bond-Drähte mit der elektrischen Beschaltung verschalten ist.
  • Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung die bekannte elektronische Baugruppe zu verbessern.
  • Die Aufgabe wird durch die Merkmale der unabhängigen Ansprüche gelöst. Bevorzugte Weiterbildungen sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.
  • Gemäß einem Aspekt der Erfindung umfasst ein Verfahren zum Herstellen eines Sensors, der eingerichtet ist, eine physikalische Größe basierend auf einem von der physikalischen Größe abhängigen Geberfeld zu messen, die Schritte Verschalten einer Sensorschaltung zum Erfassen des Geberfeldes und zum Ausgeben eines vom Geberfeld abhängigen Sensorsignals auf einem ersten Verdrahtungsträger, Verschalten des ersten Verdrahtungsträgers auf einem zweiten Verdrahtungsträger und Verkapseln des zweiten Verdrahtungsträgers und des darauf getragenen ersten Verdrahtungsträgers mit der Sensorschaltung in einer Schutzmasse.
  • Dem angegebenen Verfahren liegt die Überlegung zugrunde, dass die Verkapselung in der Schutzmasse notwendig ist, um die Sensorschaltung vor äußeren Einflüssen zu schützen, die Verwitterungserscheinungen an der Sensorschaltung hervorrufen können, welche wiederrum die Funktionsfähigkeit der Sensorschaltung beeinträchtigen. Dies schränkt die Lebensdauer der Sensorschaltung ein, was Auswirkungen auf die Wartung der Systeme, wie Fahrzeuge hat, in denen der Sensor mit der Sensorschaltung zum Einsatz kommt.
  • Die Verkapselung einer auf einer Platinenleiterplatte, auch gedruckte Leiterplatte (von printed circuit board), Leiterkarte, nur Leiterplatte oder nur Platine genannt, in einer Schutzmasse ist eine technisch aufwändige Angelegenheit, weil die Leiterplatte zum Fixieren in einem Werkzeug eingespannt werden muss, was wiederum die auf der Platinenleiterplatte ausgebildeten Leiterbahnen beschädigen oder gar zerstören könnte. Somit müssen für den Verkapselungsprozess in der Schutzmasse kostenintensive Spezialprozesse verwendet werden, die die Herstellungskosten des Sensors in die Höhe treiben. Andererseits wird gerade unter Verwendung einer Leiterplatte gegenüber anderen Verdrahtungsträgern, wie der genannte Leadframe, eine sehr hohe Packungsdichte der Sensorschaltung erreicht und die Beschaltung der Sensorschaltung kann flexibel an den Einsatzzweck mit weiteren Komponenten wie passiven Bauelementen, weiteren integrierten Schaltungen und/oder anderen elektronischen Bauelementen angepasst werden.
  • Um diese hohe Packungsdichte und Flexibilität zu erhalten wird im Rahmen des angegebenen Verfahrens vorgeschlagen, die Sensorschaltung auf einem ersten Verdrahtungsträger auszubilden, der möglichst beide Eigenschaften, also hohe Packungsdichte und hohe Flexibilität bei der Beschaltung ermöglichen sollte. Dieser erste Verdrahtungsträger wird dann auf einem zweiten Verdrahtungsträger verschaltet, dessen Eigenschaften an die mechanischen Belastungen bei der Verkapselung in der Schutzmasse angepasst werden können. Mit anderen Worten können die beiden Verdrahtungsträger entkoppelt voneinander ausgelegt werden, so dass sich einerseits ein bauraumsparender, flexibler Sensor realisieren lässt, der dennoch mit kostengünstigen Standartprozessen in der Schutzmasse verkapselt werden kann.
  • Als erster Verdrahtungsträger kann zwar prinzipiell ein beliebiger Verdrahtungsträger gewählt werden, vorzugsweise ist der erste Verdrahtungsträger jedoch eine oben genannte Platinenleiterplatte, weil sich hiermit die hohe Packungsdichte und die hohe Flexibilität gleichermaßen realisieren lässt. Hier ergibt sich durch die Erfindung als weiterer Vorteil, dass sich nun die Platinenleiterplatte vollständig mit der Schutzmasse verkapseln lässt, weil die Platinenleiterplatte während des Verkapselungsvorgangs am zweiten Verdrahtungsträger gehalten werden kann. Auf diese Weise können unsymmetrische Belastungen auf die Platinenleiterplatte vermieden werden, die sich beispielsweise durch eine unsymmetrische Wärmeausdehnung der Schmutzmasse ergeben könnten, wenn diese nur einseitig auf die Platinenleiterplatte aufgebracht ist.
  • Zudem können auf der Platinenleiterplatte vor dem Verkapseln in der Schutzmasse kostengünstig weitere Peripherieschaltungen untergebracht werden, so dass sich mit dem angegebenen Sensor äußerst kostengünstig kundenspezifische Lösungen realisieren lassen, um im Rahmen dessen bereits im Sensor Rechenelemente zum Regeln, Überwachen oder anderweitigen Weiterverarbeiten des Sensorsignals untergebracht werden können.
  • Als zweiter Verdrahtungsträger kann beispielsweise ein Leadframe gewählt werden, der mechanisch äußerst robust ist und somit im Rahmen eines Standartprozesses zum Verkapseln des Sensors in der Schutzmasse in einem Werkzeug zum Halten des Sensors während des Verkapselns eingeklemmt werden kann.
  • Zudem können an diesem Leadframe in kostengünstiger Weise weitere elektronische Bauelemente untergebracht werden, die einerseits geometrisch sperrig andererseits jedoch mechanisch simpel sind, weil sie sich beispielsweise einstückig fertigen lassen. Derartige elektronische Bauelemente können beispielsweise Antennen oder Abschmirmbleche sein.
  • Ferner kann an dem Leadframe auch die Schnittstelle zum Ausgeben des Sensorsignals und/oder weiteren Signalen ausgebildet werden. Diese Schnittstelle kann beispielsweise ein Stecker sein, an dem ein Datenkabel angeschlossen werden kann. Alternativ könnte das Datenkabel an die Schnittstelle auch fest beispielsweise durch Verlöten, Verkleben oder Verklemmen angeschlossen werden.
  • In einer anderen Weiterbildung umfasst das angegebenen Verfahren den Schritt Einhüllen wenigstens eines Teils der Sensorschaltung in einem mechanischem Enkopplungsmaterial, vor dem Einhüllen in einer Schutzmasse. Diese Entkopplungsmasse entkoppelt die Sensorschaltung von der Schutzmasse, in der die Sensorschaltung verkapselt ist, mechanisch, so dass die Schutzmasse die mit der Sensorschaltung gewonnenen Messergebnisse nicht verfälschen kann.
  • In einer besonderen Weiterbildung des angegebenen Verfahrens ist das mechanische Entkopplungsmaterial rheologisch thixotroph eingestellt, wodurch sich das mechanische Entkopplungsmaterial in einfacher Weise auf den ersten Verdrahtungsträger auftragen und die Sensorschaltung verkapseln lässt, ohne dass das mechanische Entkopplungsmaterial bei der Herstellung des Sensors wegläuft oder wegfließt.
  • Zudem kann auch der gesamte Sensor schlussendlich in einer weiteren Schutzmasse eingehüllt werden, die ebenfalls so eingestellt sein kann, dass sie Wärmeausdehungs- und andere an der Sensorschaltung mechanische Spannungen hervorrufende Effekte vom gesamten Sensor fernhält.
  • Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung umfasst ein Sensor zum Messen einer physikalischen Größe basierend auf einem von der physikalischen Größe abhängigen Geberfeld, eine Sensorschaltung zum Erfassen des Geberfeldes und zum Ausgeben eines vom Geberfeld abhängigen Sensorsignals, einen ersten Verdrahtungsträgers, auf dem die Sensorschaltung verschaltet ist, einen zweiten Verdrahtungsträger, auf dem der erste Verdrahtungsträger mit der Sensorschaltung verschaltet ist und eine Schutzmasse, in der die Sensorschaltung, der erste Verdrahtungsträger und der zweite Verdrahtungsträger verkapselt sind.
  • Der angegebene Sensor kann dabei vorzugsweise mit einem angegebenen Verfahren hergestellt werden.
  • Der angegebene Sensor kann beispielsweise ein Raddrehzahlsensor, ein Inertialsensor, ein Airbagbeschleunigungsensor sein. Derartige Sensoren werden beispielsweise zur Erfassung der Rückführgrößen in Fahrzeugregelsystemen, wie beispielsweise im Airbag, in der Fahrwerksregelung, im elektronischen Stabilitätsprogramm, ESP genannt, in der Roll-Over Erkennung, in der Front- und Seitenaufprallerkennung, eingesetzt.
  • Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung umfasst ein Fahrzeug einen angegebenen Sensor, insbesondere zur Erfassung von Fahrdynamikdaten, wie die Querbeschleunigung und die Gierrate des Fahrzeuges.
  • Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich im Zusammenhang mit der folgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele, die im Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläutert werden, wobei:
  • 1 eine schematische Ansicht eines Fahrzeuges mit einer Fahrdynamikregelung,
  • 2 eine schematische Ansicht eines Inertialsensors aus 1, und
  • 3 eine schematische Ansicht eines Inertialsensors aus 1 zeigen.
  • In den Figuren werden gleiche technische Elemente mit gleichen Bezugszeichen versehen und nur einmal beschrieben.
  • Es wird auf 1 Bezug genommen, die eine schematische Ansicht eines Fahrzeuges 2 mit einer an sich bekannten Fahrdynamikregelung zeigt. Details zu dieser Fahrdynamikregelung können beispielsweise der DE 10 2011 080 789 A1 entnommen werden.
  • Das Fahrzeug 2 umfasst ein Chassis 4 und vier Räder 6. Jedes Rad 6 kann über eine ortsfest am Chassis 4 befestigte Bremse 8 gegenüber dem Chassis 4 verlangsamt werden, um eine Bewegung des Fahrzeuges 2 auf einer nicht weiter dargestellten Straße zu verlangsamen.
  • Dabei kann es in einer dem Fachmann bekannten Weise passieren, dass die Räder 6 des Fahrzeugs 2 ihre Bodenhaftung verlieren und sich das Fahrzeug 2 sogar von einer beispielsweise über ein nicht weiter gezeigtes Lenkrad vorgegebenen Trajektorie durch Untersteuern oder Übersteuern wegbewegt. Dies wird durch an sich bekannte Regelkreise wie ABS (Antiblockiersystem) und ESP (elektronisches Stabilitätsprogramm) vermieden.
  • In der vorliegenden Ausführung weist das Fahrzeug 2 dafür Drehzahlsensoren 10 an den Rädern 6 auf, die eine Dreh-zahl 12 der Räder 6 erfassen. Ferner weist das Fahrzeug 2 einen Inertialsensor 14 auf, der Fahrdynamidaten 16 des Fahrzeuges 2 erfasst aus denen beispielsweise eine Nickrate, eine Wankrate, eine Gierrate, eine Querbeschleunigung, eine Längsbeschleunigung und/oder eine Vertikalbeschleunigung in einer dem Fachmann an sich bekannten Weise ausgegeben werden kann.
  • Basierend auf den erfassten Drehzahlen 12 und Fahrdynamikdaten 16 kann ein Regler 18 in einer dem Fachmann bekannten Weise bestimmen, ob das Fahrzeug 2 auf der Fahrbahn rutscht oder sogar von der oben genannten vorgegebenen Trajektorie abweicht und entsprechen mit einem an sich bekannten Reglerausgangssignal 20 darauf reagieren. Das Reglerausgangssignal 20 kann dann von einer Stelleinrichtung 22 verwendet werden, um mittels Stellsignalen 24 Stellglieder, wie die Bremsen 8 anzusteuern, die auf das Rutschen und die Abweichung von der vorgegebenen Trajektorie in an sich bekannter Weise reagieren.
  • Der Regler 18 kann beispielsweise in eine an sich bekannte Motorsteuerung des Fahrzeuges 2 integriert sein. Auch können der Regler 18 und die Stelleinrichtung 22 als eine gemeinsame Regeleinrichtung ausgebildet und optional in die zuvor genannte Motorsteuerung integriert sein.
  • In 1 ist der Inertialsensor 14 als externe Einrichtung außerhalb des Reglers 18 gezeigt. In einem solchen Fall spricht man von einem als Satelliten ausgebildeten Inertialsensor 14, der im Rahmen der 3 an späterer Stelle näher erläutert werden soll. Im Rahmen der 2 ist der Inertialsensor 14 jedoch als elektronisches Bauteil ausgeführt, das beispielsweise in ein Gehäuse des Reglers 18 mit integriert werden kann.
  • Der Inertialsensor 14 umfasst mindestens ein mikroelektromechanisches System 26, MEMS 26 genannt, als Messaufnehmer. In der vorliegenden 2 sind zwei Messaufnehmer vorhanden, die in an sich bekannter Weise ein von den Fahrdynamikdaten 16 abhängiges, nicht weiter dargestelltes Signal über Bonddrähte 28 an eine Signalauswerteschaltung 30 in Form einer anwendungsspezifischen integrierten Schaltung 30, ASIC 30 (engl: application-specific integrated circuit) genannt ausgeben. Das heißt, dass die ASIC 30 basierend auf den empfangenen, von den Fahrdynamikdaten 16 abhängigen Signalen die Fahrdynamikdaten 16 erzeugt.
  • Die MEMSs 26 und die ASIC 30 sind auf einer Platinenleiterplatte 32 als sogenannte Bare Dies getragen und mit verschiedenen, auf der Platinenleiterplatte 32 ausgeformten elektrischen Leitungen 34 elektrisch kontaktiert. Bei Verwendung von Klebern oder Klebefolien zur mechanischen Fixierung der Bare Dies können zur elektrischen Anbindung an die Leitungen 34 durchweg die oben genannten Bonddrähte 28 verwendet werden. Alternativ könnte durch eine Flip-Chip Montage die mechanische Fixierung und wenigstens ein Teil der elektrischen Anbindung an die Leitungen 34 erfolgen. Von den Leitungen 34 ist in 2 lediglich eine einzige Leitung 34 im Schnitt zu sehen. Die Kontaktierung kann dabei direkt, beispielsweise über eine an sich bekannte Flip Chip-Verbindung oder, wie in 2 gezeigt, über einen Bonddraht 28 erfolgen.
  • Die MEMSs 26 und die ASIC 30 können ferner von einem mechanischen Entkopplungsmaterial 36 umhüllt sein, die wiederum gemeinsam mit den MEMSs 26 und der ASIC 30 in einem Spritzpressmaterial 38, wie beispielsweise einem Epoxidharz 38 verkapselt sein kann. Das Entkopplungsmaterial 36 kann mechanische Spannungen, die beispielsweise durch Wärmeausdehnung des Epoxidharzes 38 bedingt sein können, vom den MEMSs 26 fernhalten, weil diese die Erfassung der Fahrdynamikdaten 16 beeinflussen können. Für eine einfache Verarbeitung des Entkopplungsmaterials 36 bei der Herstellung des Sensors 14 kann dieses rheologisch thixotrop eingestellt sein.
  • Das Spritzpressmaterial 38 könnte damit allein bereits als Gehäuse des Inertialsensors 14 dienen und die darin aufge-nommenen Schaltungskomponenten schützen.
  • Im Rahmen der vorliegenden Ausführung ist die Platinenleiterplatte 32 auf einem Leadframe 40 gehalten und elektronisch verschaltet. Die Verschaltung kann durch Kleben, Löten, Schweißen und/oder Drahtbonden erfolgen. Der Leadframe 40 kontaktiert damit die Platinenleiterplatte 32 und bindet diese elektronisch an eine Schnittstelle 42 an, über die die mit dem Inertialsensor 14 erfassten Fahrdynamikdaten 16 an eine höhere Verarbeitungsebene, wie beispielsweise den Regler 18 ausgegeben werden können.
  • Dabei ist die Sensorschaltung 44 aus den MEMSs 26 und den ASIC 30 an einer Seite der Platinenleiterplatte 32 verschaltet, auf der die Platinenleiterplatte 32 an den Leadframe 40 angebunden ist.
  • In 3 ist der Inertialsensor 14 als Satellit ausgeführt und kann unabhängig vom Regler 18 in dem Fahrzeug 2 an einer beliebigen Stelle angeordnet werden.
  • Im Rahmen der 3 ist die Schnittstelle 42 am Leadframe 40 in einem Steckergehäuse 48 eingehaust. In diesem Steckergehäuse 48 kann formschlüssig ein nicht gezeigter Stecker eines nicht gezeigten Datenkabels aufgenommen werden, das die erfassten Fahrdynamikdaten 16 zu nächsthöheren Verarbeitungsebene, in diesem Fall den Regler 18 leitet.
  • Der Leadframe 40 umfasst darüber hinaus optional ein Abschirmblech 50, das ebenso auch in dem Inertialsensor 14 der 2 ausgebildet sein könnte. Im Rahmen der Ausführung des Inertialsensor 14 als Satellit ist dieses Abschirmblech jedoch besonders günstig, weil es elektromagnetische Störstrahlungen, die nicht durch ein anderweitiges Gehäuse gedämpft werden können, von der Sensorschaltung 44 fernhält.
  • Zudem ist der Inertialsensor 14 noch in einer zusätzlichen Schutzmasse 52 eingehaust, die den Sensor vor Umwelteinflüssen, wie beispielsweise Verwitterung schützt.
  • Auf der Platinenleiterplatte 32 können nun ferner noch zusätzliche Bauelemente 54 angeordnet werden, die angefangen von passiven Bauelementen zur Filterung der Signale innerhalb des Inertialsensors 14 bis hin zur signalverarbeitenden Einrichtungen, im Rahmen derer sogar Regelungsaufgaben übernommen werden können, alle möglichen elektronischen Bauelemente umfassen können. Damit ist insbesondere der als Satellit ausgebildete Inertialsensor 14 in kostengünstiger Weise beliebig an spezielle Kundenwünsche anpassbar, weil nach der Bestückung der Platinenleiterplatte 32 alle restlichen Fertigungsschritte wieder in standartisiert durchgeführt werden können.
  • Je nach Bedarf können diese zusätzlichen Bauelemente 54 jedoch mit dem gleichen Vorteil auch in dem als elektronisches Bauelement ausgeführten Inertialsensor 14 der 2 verbaut werden.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • DE 102007060931 A1 [0002]
    • DE 102011080789 A1 [0026]

Claims (10)

  1. Verfahren zum Herstellen eines Sensors (14), der eingerichtet ist, eine physikalische Größe basierend auf einem von der physikalischen Größe abhängigen Geberfeld zu messen, umfassend: – Verschalten einer Sensorschaltung (44) zum Erfassen des Geberfeldes und zum Ausgeben eines vom Geberfeld abhängigen Sensorsignals (16) auf einem ersten Verdrahtungsträger (32), – Verschalten des ersten Verdrahtungsträgers (32) auf einem zweiten Verdrahtungsträger (40), und – Verkapseln des zweiten Verdrahtungsträgers (40) und des darauf getragenen ersten Verdrahtungsträgers (32) mit der Sensorschaltung (44) in einer Schutzmasse (38).
  2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei der erste Verdrahtungsträger (32) eine Platinenleiterplatte ist.
  3. Verfahren nach Anspruch 2, umfassend: – Verschalten einer Peripherieschaltung (54) auf der Platinenleiterplatte (32) vor dem Verkapseln in der Schutzmasse (38).
  4. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei der zweite Verdrahtungsträger (40) ein Leadframe ist.
  5. Verfahren nach Anspruch 4, wobei der Leadframe (40) ein Abschirmelement (50) zum Abschirmen elektrischer und/oder magnetischer Felder umfasst.
  6. Verfahren nach Anspruch 4 oder 5, wobei der Leadframe (40) eine Schnittstelle (42) zum Ausgeben des Sensorsignals (16) umfasst.
  7. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, umfassend: – Einhüllen wenigstens eines Teils der Sensorschaltung (44) in einem mechanischem Enkopplungsmaterial (36), vor dem Einhüllen in einer Schutzmasse (38).
  8. Verfahren nach Anspruch 7, wobei das mechanische Entkopplungsmaterial (36) rheologisch thixotroph eingestellt ist.
  9. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, umfassend: – Einhüllen der verkapselten Verdrahtungsträger (32, 40) und der Sensorschaltung (44) in einer weiteren Schutzmasse (52).
  10. Sensor (14) zum Messen einer physikalischen Größe basierend auf einem von der physikalischen Größe abhängigen Geberfeld, umfassend: – eine Sensorschaltung (44) zum Erfassen des Geberfeldes und zum Ausgeben eines vom Geberfeld abhängigen Sensorsignals (16), – einen ersten Verdrahtungsträgers (32), auf dem die Sensorschaltung (44) verschaltet ist, – einen zweiten Verdrahtungsträger (40), auf dem der erste Verdrahtungsträger (32) mit der Sensorschaltung (44) verschaltet ist, und – eine Schutzmasse (38), in der die Sensorschaltung (44), der erste Verdrahtungsträger (32) und der zweite Verdrahtungsträger (40) verkapselt sind.
DE102015206299.6A 2014-04-24 2015-04-09 Über Leiterplatte auf Leadframe verschaltete Sensorschaltung Active DE102015206299B4 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102015206299.6A DE102015206299B4 (de) 2014-04-24 2015-04-09 Über Leiterplatte auf Leadframe verschaltete Sensorschaltung

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102014207758 2014-04-24
DE102014207758.3 2014-04-24
DE102015206299.6A DE102015206299B4 (de) 2014-04-24 2015-04-09 Über Leiterplatte auf Leadframe verschaltete Sensorschaltung

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102015206299A1 true DE102015206299A1 (de) 2015-10-29
DE102015206299B4 DE102015206299B4 (de) 2023-08-31

Family

ID=52829076

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102015206299.6A Active DE102015206299B4 (de) 2014-04-24 2015-04-09 Über Leiterplatte auf Leadframe verschaltete Sensorschaltung

Country Status (2)

Country Link
DE (1) DE102015206299B4 (de)
WO (1) WO2015162010A1 (de)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102016208782A1 (de) * 2016-05-20 2017-11-23 Continental Teves Ag & Co. Ohg Verfahren zum Ummanteln einer elektrischen Einheit und elektrisches Bauelement

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007060931A1 (de) 2006-12-21 2008-08-28 Continental Teves Ag & Co. Ohg Verkapselungsmodul, Verfahren zu dessen Herstellung und Verwendung
DE102011080789A1 (de) 2010-08-10 2012-02-16 Continental Teves Ag & Co. Ohg Verfahren und System zur Regelung der Fahrstabilität

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3663120B2 (ja) * 2000-09-04 2005-06-22 株式会社日立製作所 自動車用エンジンコントロールユニットの実装構造及び実装方法
JP3906767B2 (ja) * 2002-09-03 2007-04-18 株式会社日立製作所 自動車用電子制御装置
JP4948613B2 (ja) * 2010-02-25 2012-06-06 三菱電機株式会社 樹脂封止形電子制御装置、及びその製造方法
CN204807109U (zh) * 2012-02-10 2015-11-25 大陆-特韦斯贸易合伙股份公司及两合公司 电子构件
JP5813596B2 (ja) * 2012-08-10 2015-11-17 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007060931A1 (de) 2006-12-21 2008-08-28 Continental Teves Ag & Co. Ohg Verkapselungsmodul, Verfahren zu dessen Herstellung und Verwendung
DE102011080789A1 (de) 2010-08-10 2012-02-16 Continental Teves Ag & Co. Ohg Verfahren und System zur Regelung der Fahrstabilität

Also Published As

Publication number Publication date
DE102015206299B4 (de) 2023-08-31
WO2015162010A1 (de) 2015-10-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102013214915A1 (de) Verdrahtungseinrichtung zum Verdrahten einer elektronischen Vorrichtung
DE102014208429A1 (de) Sensorherstellung durch Halten des Zwischenspritzlings
DE102012223982A1 (de) Verfahren zum Herstellen einer elektronischen Baugruppe
DE102013217888B4 (de) Elektronische Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Vorrichtung
DE102008015709A1 (de) Elektrische Einrichtung mit Abdeckung
EP3167253B1 (de) Körperschallentkopplung an mit geberfeldern arbeitenden sensoren
EP3194897B1 (de) Feuchtigkeitserfassung innerhalb eines sensors
WO2016005609A2 (de) Kundenspezifischer sensor hergestellt durch dreifach-molden
DE19921692A1 (de) Anordnung zum Schutz von elektronischen Funktionseinheiten und/oder Funktionsgruppen
DE102015206299B4 (de) Über Leiterplatte auf Leadframe verschaltete Sensorschaltung
DE102013224645A1 (de) Verfahren zum Herstellen einer elektronischen Baugruppe
WO2016005201A1 (de) Sensor mit opferanode
DE102015207533A1 (de) Schirmung als Silikonvergusshalter
DE102014213591A1 (de) Neutralteil für einen kundenspezifisch adaptierbaren Sensor
DE102014213590A1 (de) Kundenspezifischer Adapter für Standardsensor
DE102014210523A1 (de) Spannungsarmes Verkleben von Sensorchips
DE102017220905A1 (de) Sensoreinheit für ein Fahrzeug
DE102014207766A1 (de) 3-Achsen-Inertialsensor mit 2-Achsen-Inertialsensor überwachen
DE102014213231A1 (de) Sensorunterseitig verschaltete passive Bauelemente
EP3167249B1 (de) Neutralteil für einen kundenspezifisch adaptierbaren sensor
EP3089228B1 (de) Komponente mit reduzierten spannungskräften im substrat
DE102017220907A1 (de) Sensoreinheit für ein Fahrzeug
DE102012200648A1 (de) Sensorvorrichtung
DE102013210535A1 (de) Gehäusevorrichtung für ein elektronisches Modul und Verfahren zum Herstellen einer Gehäusevorrichtung für ein elektronisches Modul

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R016 Response to examination communication
R081 Change of applicant/patentee

Owner name: CONTINENTAL AUTOMOTIVE TECHNOLOGIES GMBH, DE

Free format text: FORMER OWNERS: CONTINENTAL AUTOMOTIVE GMBH, 30165 HANNOVER, DE; CONTINENTAL TEVES AG & CO. OHG, 60488 FRANKFURT, DE

R018 Grant decision by examination section/examining division
R081 Change of applicant/patentee

Owner name: CONTINENTAL AUTOMOTIVE TECHNOLOGIES GMBH, DE

Free format text: FORMER OWNER: CONTINENTAL AUTOMOTIVE TECHNOLOGIES GMBH, 30165 HANNOVER, DE