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DE102007010711A1 - Circuit arrangement for measuring device, has electric contact fabricating conductive connection between substrate and microelectronic component, where part of electric contact is provided between substrate and microelectronic component - Google Patents

Circuit arrangement for measuring device, has electric contact fabricating conductive connection between substrate and microelectronic component, where part of electric contact is provided between substrate and microelectronic component Download PDF

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DE102007010711A1
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Abstract

The circuit arrangement has a substrate (1), a microelectronic component (2) and an electric contact. The electric contact (3,3') fabricates a conductive connection between the substrate and the microelectronic component. A part of the electric contact is provided between the substrate and the microelectronic component. The microelectronic component is arranged at a distance for mechanically decoupling the microelectronic component and the substrate. An independent claim is also included for a method for the production of a circuit arrangement.

Description

Die Erfindung betrifft eine Schaltanordnung und ein Verfahren zu deren Herstellung, welche einen Träger, ein mikroelektronisches Bauteil und mindestens eine elektrische Kontaktierung umfasst, wobei die mindestens eine elektrische Kontaktierung eine leitende Verbindung zwischen dem Träger und dem mikroelektronischen Bauteil herstellt.The The invention relates to a switching arrangement and a method for the same Manufacturing a carrier, a microelectronic Component and at least one electrical contact, wherein the at least one electrical contact a conductive connection between the carrier and the microelectronic device manufactures.

Die Integrationsdichte von Schaltungen auf einem mikroelektronischen Bauteil nimmt gemäß dem Gesetz von Moore exponentiell zu. Daher müssen immer mehr Schaltungen auf immer kleinerem Raum gepackt werden. Dabei entsteht das Problem, dass die Gesamtheit der mikroelektronischen Bauteile auf der Trägerplatte nicht mehr genügend Platz finden, so dass neue Packkonzepte erforderlich sind. So zeigt z. B. die WO 01/37338 A2 ein Verfahren zum Integrieren eines Chips innerhalb einer Leiterplatte, wobei der Chip auf der Leiter platte angeordnet und von einem Polymer umgeben ist. Auf diese Art und Weise können viele mikroelektronische Bauteile übereinander und nebeneinander angeordnet werden, so dass eine größere Oberfläche zum Anbringen von mikroelektronischen Bauteilen zur Verfügung steht.The integration density of circuits on a microelectronic device increases exponentially according to Moore's Law. Therefore, more and more circuits must be packaged in ever smaller space. This creates the problem that the totality of the microelectronic components on the support plate no longer find enough space, so that new packaging concepts are required. So z. B. the WO 01/37338 A2 a method for integrating a chip within a printed circuit board, wherein the chip is arranged on the circuit board and surrounded by a polymer. In this way, many microelectronic components can be arranged one above the other and next to one another, so that a larger surface is available for mounting microelectronic components.

Bei vielen Anwendungen sind mikrotechnisch hergestellte Sensoren und Aktoren, sogenannte mikroelektronisch-mechanische Systeme (MEMS) von Nöten. Diese sind typischerweise sehr empfindlich gegenüber mechanischen Belastungen ihres Trägers. Eine mechanische Belastung durch äußere Einflüsse wie z. B. Biegung oder thermische Verformung setzt die Sensoren unter eine Vorbelastung und ändert ihre Kenndaten, was zu einer Verfälschung der Messdaten führt und gegebenenfalls sogar sicherheitsrelevante Auswirkungen hat, wie dies z. B. bei Sensoren eines Antiblockiersystems oder einer Flughöhensensorik offensichtlich ist.at many applications are microfabricated sensors and Actuators, so-called microelectronic-mechanical systems (MEMS) of Needed. These are typically very sensitive to mechanical loads on their wearer. A mechanical one Exposure to external influences such as z. B. bending or thermal deformation sets the sensors under a preload and changes their characteristics, resulting in a Falsification of the measured data leads and if necessary even safety-relevant effects, as z. B. at Sensors of an anti-lock braking system or an altitude sensor obviously.

Um die empfindlichen MEMS dennoch auf hochintegrierten Schaltungen zu verwenden, werden heutzutage Trägermaterialien mit geeigneten Ausdehnungskoeffizienten verwendet, welche den Belastungen, welchen der Träger ausgesetzt ist, angepasst sind. Desweiteren gibt es zwischen dem MEMS und dem Träger eine mechanische Verbindung mittels Mitteln mit einem niedrigen Elastizitätsmodul und einer elektrischen Verbindung mittels Drahtbondtechnik. Mit diesen sehr aufwendigen Lösungsansätzen werden die mechanischen Belastungen, welche auf das Trägersubstrat wirken, zu einem geringen Prozentteil auf die hochempfindlichen MEMS Bausteine übertragen. Die Kosten der Lösungsansätze übersteigen jedoch oftmals die Kosten der Bauteilherstellung.Around the sensitive MEMS nevertheless on highly integrated circuits Nowadays, carrier materials are used with suitable ones Expansion coefficients used, which the loads, which the wearer is exposed. Furthermore There is a mechanical between the MEMS and the carrier Compound by means of a low modulus of elasticity and an electrical connection by means of wire bonding technology. With These are very expensive solutions the mechanical stresses acting on the carrier substrate act, to a small extent on the highly sensitive Transfer MEMS blocks. The cost of the solutions exceeds however, often the cost of component manufacturing.

Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, die mechanische Belastung auf ein mikroelektronisches Bauteil zu minimieren bei gleichzeitiger Gewährleistung seiner Funktion.The Object of the present invention is the mechanical stress to minimize on a microelectronic component while at the same time Ensuring its function.

Die Aufgabe wird durch eine Schaltanordnung gemäß dem Hauptanspruch gelöst.The Task is achieved by a switching arrangement according to the Main claim solved.

Die erfindungsgemäße Schaltanordnung umfasst einen Träger, ein mikroelektronisches Bauteil und mindestens eine elektrische Kontaktierung, wobei die mindestens eine elektrische Kontaktierung eine leitende Verbindung zwischen dem Träger und dem mikroelektronischen Bauteil herstellt. Die Schaltanordnung ist dadurch gekennzeichnet, dass zwischen dem Träger und dem mikroelektronischen Bauteil ein Teil der elektrischen Kontaktierung freigestellt ist und das mikroelektronische Bauteil zur mechanischen Entkopplung des mikroelektronischen Bauteils und des Trägers vom Träger beabstandet angeordnet ist, wobei das mikroelektronische Bauteil an der mindestens einen elektrischen Kontaktierung hängend oder tragend befestigt ist.The The switching arrangement according to the invention comprises a Carrier, a microelectronic device and at least an electrical contact, wherein the at least one electrical Contacting a conductive connection between the carrier and the microelectronic device. The switching arrangement is characterized in that between the carrier and the microelectronic component part of the electrical contact is released and the microelectronic component for mechanical Decoupling of the microelectronic device and the carrier spaced from the carrier, wherein the microelectronic Part hanging on the at least one electrical contact or carrying attached.

Durch die mechanische Entkopplung des mikroelektronischen Bauteils vom Träger werden die mechanischen Belastungen, welche auf den Träger wirken, nur in geringem Maße auf das mikroelektronische Bauteil übertragen. Die mechanische Entkopplung wird dadurch erreicht, dass das mikroelektronische Bauteil mit dem Gehäuse nicht direkt in Verbindung steht, sondern an der mindestens einen elektrischen Kontaktierung, welche auch mit dem Träger verbunden ist, aufgehängt ist oder auf der elektrischen Kontaktierung tragend angeordnet ist. Dazu ist es notwendig, dass zwischen der Verbindung der elektrischen Kontaktierung mit dem Träger und der Verbindung der elektrischen Kontaktierung mit dem mikroelektronischen Bauteil ein Teilbereich der elektrischen Kontaktierung freigestellt ist, d. h. dass dieser Teilbereich weder vom Gehäuse noch vom mikroelektronischen Bauteil berührt wird. Dadurch kann das mikroelektronische Bauteil vom Träger beabstandet ausgeführt werden. Die Kontaktierung kann dabei in die gewünschte Form gebogen oder vorgeformt werden bzw. in einem später erläuterten Verfahren als Schicht aufgedampft werden.By the mechanical decoupling of the microelectronic component from Carriers are the mechanical strains which on act on the carrier, only to a small extent on the transferred microelectronic device. The mechanical Decoupling is achieved in that the microelectronic component with the housing is not directly related, but at the at least one electrical contact, which also connected to the carrier is suspended or is arranged supporting on the electrical contact. To it is necessary that between the connection of the electric Contact with the carrier and the connection of the electrical Contacting the microelectronic component is a subarea the electrical contact is released, d. H. that this Part of neither the housing nor the microelectronic Component is touched. This allows the microelectronic Component be carried out spaced from the carrier. The contact can be bent into the desired shape or preformed or explained in a later Process are applied by vapor deposition.

Der Abstand zwischen dem Träger und dem mikroelektronischen Bauteil sollte so bemessen sein, dass auch bei einer hohen mechanischen Belastung des Trägers das mikroelektronische Bauteil nicht mit dem Träger in Kontakt kommt, da ein Kontakt das mikroelektronische Bauteil beschädigen könnte. Mit der erfindungsgemäßen mechanischen Entkopplung von Träger und mikroelektronischem Bauteil kann das mikroelektronische Bauteil besser gegenüber äußeren mechanischen Einflüssen isoliert werden.Of the Distance between the carrier and the microelectronic Component should be sized so that even at a high mechanical Load of the carrier, the microelectronic device not comes into contact with the carrier, since a contact is the microelectronic Could damage the component. With the invention mechanical decoupling of carrier and microelectronic Component, the microelectronic device better against external mechanical Influences are isolated.

Vorteilhafte Weiterbildungen der erfindungsgemäßen Schaltanordnung sind in den untergeordneten Ansprüchen beschrieben.Advantageous developments of the switching arrangement according to the invention are in the lower Neten claims described.

Eine vorteilhafte Weiterbildung der Schaltanordnung ist es, dass der Träger eine Aussparung aufweist und das mikroelektronische Bauteil in der Aussparung angeordnet ist. Durch eine derartige Ausführung wird das mikroelektronische Bauteil schützend in der Aussparung angeordnet bei gleichzeitiger mechanischer Entkopplung, wie in den vorhergehenden Abschnitten beschrieben.A Advantageous development of the switching arrangement is that of Carrier has a recess and the microelectronic Component is arranged in the recess. By such an embodiment the microelectronic device is protected in the recess arranged with simultaneous mechanical decoupling, as in the previous sections.

Eine weitere vorteilhafte Weiterbildung ist es, wenn der Träger zumindest einen Teil eines Gehäuses bildet, wobei in dem Gehäuse ein geschlossener Hohlraum vorhanden ist, in welchem das mikroelektronische Bauteil angeordnet ist. Durch ein geschlossenes Gehäuse wird das mikroelektronische Bauteil weitestgehend gegen äußere Einflüsse geschützt. Insbesondere lässt sich bei geeigneter Materialwahl des Gehäuses eine thermische Isolation gegenüber dem Außenraum des Gehäuses erreichen. Dies ist wichtig, da manche mikroelektronische Bauteile innerhalb eines bestimmten Temperaturbereiches arbeiten, was aufgrund der Wärmeabstrahlung der das Gehäuse umgebenden Bauteile nicht immer gewährleistet ist.A Another advantageous embodiment is when the carrier forms at least a part of a housing, wherein in the Housing a closed cavity is present, in which the microelectronic component is arranged. By a closed Housing is the microelectronic device largely protected against external influences. Especially can be with a suitable choice of material of the housing a thermal insulation from the outside reach the housing. This is important as some microelectronic Components within a certain temperature range work, which due to the heat radiation of the housing surrounding components is not always guaranteed.

Der geschlossene Hohlraum kann dabei als Aussparung in den Träger gefräst oder geätzt werden und wird nach dem Anbringen des mikroelektronischen Bauteils im Hohlraum mit einer Deckplatte verschlossen. Zur einfachen Herstellung eines geschlossenen Gehäuses ist es insbesondere vorteilhaft, wenn der Träger bzw. das Gehäuse aus mindestens zwei verschiedenen Teilen aufgebaut ist.Of the closed cavity can be used as a recess in the carrier be milled or etched and will after attaching of the microelectronic device in the cavity with a cover plate locked. For easy production of a closed housing it is particularly advantageous if the carrier or the Housing made up of at least two different parts is.

Zweckmäßig ist die erfindungsgemäße Schaltanordnung insbesondere dann, wenn das mikroelektronische Bauteil mindestens ein MEMS aufweist. Da insbesondere MEMS stark auf äußere Einflüsse reagieren, kann durch die mechanische Entkopplung von mikroelektronischem Bauteil und Träger eine robuste Arbeitsweise des mikroelektronischen Bauteils erreicht werden, was eine verbesserte Messung der z. B. Sensoren und Aktoren zulässt.expedient is the switching arrangement according to the invention in particular when the microelectronic device has at least one MEMS. In particular MEMS strongly on external influences can be due to the mechanical decoupling of microelectronic Component and support a robust operation of the microelectronic Component can be achieved, resulting in an improved measurement of z. B. Sensors and actuators allow.

Für den Betrieb einiger mikroelektronischer Bauteile ist es vorteilhaft, wenn der geschlossene Hohlraum der Schaltanordnung mit einem Material gefüllt ist, welches zumindest eine flüssige Phase aufweist. Dabei ist es zweckmäßig, wenn die flüssige Phase des Materials in einem Temperatur- und Druckbereich liegt, welcher beim Betrieb der Schaltanordnung und insbesondere des mikroelektronischen Bauteils erreicht wird. Auch ist es sinnvoll, dass das Material dielektrische Eigenschaften hat, damit es nicht zu einem Kurzschluss innerhalb des Hohlraumes kommen kann. Durch das Auffüllen des Hohlraumes mit einem Material mit flüssiger Phase, welches insbesondere in flüssiger Phase ist, wenn das mikroelektronische Bauteil betrieben wird, wird eine weitere Dämpfung von mechanischen äußeren Belastungen erreicht. Die Dämpfung ist dabei auf die viskosen Eigenschaften der Flüssigkeit zurückzuführen. Desweiteren kann durch eine Zuleitung und eine Ableitung des Materials innerhalb des Hohlraums ein Strömungssensor betrieben werden, welcher Veränderungen des Flusses bzw. der Zusammensetzung des fließenden Materials überwacht. Eine derartige Anwendung kann bei Sensoren, welche die Orientierung und Beschleunigung im Raum messen, von großem Nutzen sein.For the operation of some microelectronic components, it is advantageous when the closed cavity of the switch assembly is filled with a material is, which has at least one liquid phase. there it is useful if the liquid phase the material is in a temperature and pressure range, which during operation of the switching arrangement and in particular of the microelectronic component is reached. Also, it makes sense that the material is dielectric Has properties so it does not cause a short circuit inside of the cavity can come. By filling the cavity with a liquid phase material, which in particular in the liquid phase is when the microelectronic device is operated, will be a further damping of mechanical outer Loads achieved. The damping is on the viscous properties attributed to the liquid. Furthermore can through a supply line and a derivative of the material within of the cavity a flow sensor are operated, which Changes in the flow or composition of the flowing Materials monitored. Such an application may be included Sensors that measure the orientation and acceleration in space, be of great use.

Eine bevorzugte Ausführungsform der erfindungemäßen Schaltanordnung ist es, wenn mindestens zwei elektrische Kontaktierungen vorhanden sind, welche den Träger mit dem mikroelektronischen Bauteil verbinden, und mindestens zwei elektrische Kontaktierungen zur Minimierung eines auf das mikroelektronische Bauteil wirkenden physikalischen Drehmoments auf gegenüber liegenden Seiten des Schwerpunkts des mikroelektronischen Bauteil mit dem mikroelektronischen Bauteil verbunden sind. Dadurch lässt sich eine besonders stressarme Verbindung zwischen den elektrischen Kontaktierung und dem mikroelektronischen Bauteil herstellen, was zu einer verbesserten Funktionsweise und einer längeren Lebensdauer der Schaltanordnung führt. Weiterhin ist es vorteilhaft, wenn die Verbindung zwischen den elektrischen Kontaktierungen und dem mikroelektronischen Bauteil formfest ist.A preferred embodiment of erfindungemäßen Switching arrangement is when at least two electrical contacts are present, which the carrier with the microelectronic device connect, and at least two electrical contacts for minimization a physical torque acting on the microelectronic device on opposite sides of the center of gravity of the microelectronic Component are connected to the microelectronic device. Thereby can be a particularly low-stress connection between the electrical contact and the microelectronic component resulting in improved performance and longer life Lifespan of the switching arrangement leads. It continues advantageous if the connection between the electrical contacts and the microelectronic component is dimensionally stable.

Weiterhin ist es vorteilhaft, wenn die elektrische Kontaktierung blattfederartig ausgebildet ist. Durch die federnde Ausbildung der elektrischen Kontaktierung wird eine noch bessere mechanische Entkopplung erreicht, da die mechanische Energie, welche auf den Träger wirkt, in Federbewegungen umgesetzt wird und das mikroelektronische Bauteil nahezu in Ruhe bleibt.Farther it is advantageous if the electrical contact leaf-spring-like is trained. Due to the resilient design of the electrical Contacting an even better mechanical decoupling is achieved because the mechanical energy acting on the carrier is implemented in spring movements and the microelectronic component remains almost at rest.

Weiterhin ist es vorteilhaft, wenn die elektrische Kontaktierung eine im wesentlichen bogenförmige Rundung zwischen dem Träger und dem mikroelektronischen Bauteil aufweist. Die bogenförmige Rundung erlaubt es, eine besonders stressentkoppelnde Verbindung zwischen dem Träger und dem mikroelektronischen Bauteil herzustellen. So kann bei thermischen Belastungen das Material der elektrischen Kontaktierung sich ausdehnen und zusammenziehen, wobei die Ausdehnung bzw. die Kontraktion sich nicht auf das mikroelektronische Bauteil überträgt, sondern primär eine Aufweitung der bogenförmigen Rundung zwischen dem Träger und dem mikroelektronischen Bauteil verursacht. Auf diese Weise wird die Schub- bzw. Zugspannung an der festen Verbindung zwischen der elektrischen Kontaktierung und dem mikroelektronischen Bauteil, insbesondere bei Vorhandensein von mindestens zwei elektrischen Kontaktierungen, welche auf gegenüber liegenden Seiten des Schwerpunkts des mikroelektronischen Bauteils angeordnet sind, verringert, wobei sich hierdurch die Schub- bzw. Zugspannung auf die bogenförmige Rundung erhöht, die Kontakte am mikroelektronische Bauteil jedoch entlastet.Furthermore, it is advantageous if the electrical contact has a substantially arcuate curve between the carrier and the microelectronic component. The arcuate curve makes it possible to produce a particularly stress-decoupling connection between the carrier and the microelectronic component. Thus, during thermal loading, the material of the electrical contacting can expand and contract, wherein the expansion or contraction does not transfer to the microelectronic component, but primarily causes a widening of the arcuate curve between the carrier and the microelectronic component. In this way, the shear or tensile stress on the fixed connection between the electrical contact and the microelectronic component, in particular in the presence of at least two electrical contacts, which on opposite lying sides of the center of gravity of the microelectronic device are reduced, thereby increasing the shear or tensile stress on the arcuate curve, but relieves the contacts on the microelectronic device.

Obwohl das Eigengewicht des mikroelektronischen Bauteils primär durch die elektrischen Kontaktierungen getragen wird, kann es vorteilhaft sein, zusätzliche elastische Stützelemente auf dem Träger anzuordnen. Dabei sind die elastischen Stützelemente derart angeordnet, dass sie zwischen einer Oberfläche des Trägers und einer dieser Oberfläche gegenüber liegenden Oberfläche des mikroelektronischen Bauteils befestigt sind. Dabei ist es vorteilhaft, wenn die Oberfläche des elastischen Stützelementes, welche der benachbarten Oberfläche des mikroelektronischen Bauteils zugewandt ist, wesentlich kleiner ist als die Oberfläche des mikroelektronischen Bauteils. Durch den wesentlich kleineren Querschnitt ergibt sich eine kleine Kontaktfläche, was die mechanische Entkopplung nicht wesentlich schwächt.Even though the dead weight of the microelectronic device primarily is supported by the electrical contacts, it may be advantageous be, additional elastic support elements to arrange the carrier. Here are the elastic support elements arranged so as to be between a surface of the Carrier and one of these surface opposite attached surface of the microelectronic device are. It is advantageous if the surface of the elastic support element which of the adjacent surface the microelectronic device facing, much smaller is as the surface of the microelectronic device. Due to the much smaller cross-section results in a small Contact surface, which is not essential mechanical decoupling weakens.

Vorteilhafterweise ist das elastische Stützelement so angeordnet, dass es im unbelasteten Zustand der Schaltanordnung das mikroelektronische Bauteil nicht berührt. Wird das mikroelektronische Bauteil jedoch aufgrund von äußeren Einflüssen beschleunigt, so verhindern die elastischen Stützelemente, dass das mikroelektronische Bauteil den Träger berührt und somit beschädigt werden kann. Die Höhe des elastischen Stützelements sollte dabei nicht größer sein als der Abstand zwischen der Trägeroberfläche und der ihr gegenüber liegenden Oberfläche des mikroelektronischen Bauteils. Es kann vorteilhaft sein, dass im Ruhezustand das Stützelement so gewählt ist, dass es das mikroelektronische Bauteil berührt, jedoch keine tragende Funktion ausübt.advantageously, the elastic support element is arranged so that it in the unloaded state of the switching arrangement, the microelectronic component not touched. However, the microelectronic device becomes accelerated due to external influences, so prevent the elastic support elements that the microelectronic Component touched the wearer and thus damaged can be. The height of the elastic support element should not be greater than the distance between the surface of the support and its opposite lying surface of the microelectronic device. It may be advantageous that in the resting state, the support element chosen so that it is the microelectronic device touched, but does not have a supporting function.

Eine vorteilhafte Weiterbildung des elastischen Stützelementes ist es hierbei, wenn dieses aus einem Klebstoff mit einem niedrigen Elastizitätsmodul besteht, welcher schnell und einfach aufgebracht werden kann.A advantageous development of the elastic support element it is this, if this is made of an adhesive with a low Young's modulus exists, which is fast and easy can be applied.

Zweckmäßig ist mindestens eine elektrische Kontaktierung mit einem elektrischen Leiter leitend verbunden, wobei der elektrische Leiter innerhalb oder außerhalb des Trägers verläuft. Dadurch können durch etablierte Prozesse Kontaktierungen zu weiteren Bauteilen oder Schaltanordnungen realisiert werden.expedient is at least one electrical contact with an electrical Conductively connected conductor, wherein the electrical conductor within or outside the carrier runs. Thereby can establish contacts with other processes through established processes Components or switching arrangements can be realized.

Eine erfindungsgemäße Schaltanordnung kommt vorteilhafter Weise in einer Messvorrichtung zur Anwendung, wobei das mikroelektronische Bauteil dabei als Drucksensor und/oder Beschleunigungssensor und/oder Flusssensor und/oder Präzisionsoszillator und/oder Hochfrequenzfilter ausgebildet ist. Derartige Anwendungen finden sich häufig in der Telekommunikation, Automobilindustrie, Medizintechnik, Mess- und Regeltechnik und in optischen Technologien.A Switching arrangement according to the invention is more advantageous Mode in a measuring device for use, wherein the microelectronic Component as a pressure sensor and / or acceleration sensor and / or Flow sensor and / or precision oscillator and / or high-frequency filter is trained. Such applications are common in telecommunications, automotive industry, medical technology, measuring and control technology and in optical technologies.

Im folgenden soll noch auf das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung einer Schaltanordnung eingegangen werden.in the The following is intended to the process of the invention for making a circuit arrangement.

Bei der erfindungsgemäßen Herstellung einer Schaltanordnung, welche einen Träger, ein mikroelektronisches Bauteil und mindestens eine elektrische Kontaktierung umfasst, wird die mindestens eine elektrische Kontaktierung teilweise mit dem Träger und teilweise mit dem mikroelektronischen Bauteil verbunden, wobei ein Teil der mindestens einen elektrischen Kontaktierung zwischen dem Träger und dem mikroelektronischen Bauteil freigestellt angeordnet ist, in dem Sinne, dass die elektrische Kontaktierung in diesem Teil weder den Träger noch das mikroelektronische Bauteil berührt, so dass das mikroelektronische Bauteil vom Träger beabstandet an der mindestens einen elektrischen Kontaktierung hängend oder tragend befestigt wird. Mit einem derartigen Verfahren kann eine mechanische Entkopplung des mikroelektronischen Bauteils vom Träger gewährleistet werden.at the production according to the invention of a switching arrangement, which a carrier, a microelectronic device and comprises at least one electrical contact, the at least one electrical contacting partly with the carrier and partially connected to the microelectronic device, wherein a Part of the at least one electrical contact between the Carrier and the microelectronic component free is arranged, in the sense that the electrical contact in this part neither the vehicle nor the microelectronic Touched component, so that the microelectronic device spaced from the carrier at the at least one electrical Contacting is attached hanging or carrying. With Such a method can be a mechanical decoupling of Microelectronic component ensured by the carrier become.

Vorteilhafte Weiterbildungen des Verfahrens sind in den untergeordneten Verfahrensansprüchen angegeben.advantageous Further developments of the method are given in the subordinate method claims.

Eine vorteilhafte Weiterbildung des Verfahrens ist dadurch gekennzeichnet, dass vor dem Aufbringen der mindestens einen elektrischen Kontaktierung eine Aussparung in den Träger eingebracht wird und das mikroelektronische Bauteil in der Aussparung angeordnet wird.A advantageous development of the method is characterized in that before the application of the at least one electrical contact a recess is introduced into the carrier and the microelectronic component is arranged in the recess.

Ein weiterer Vorteil ist dadurch gegeben, dass vor dem Befestigen des mikroelektronisches Bauteils an der mindestens einen elektrischen Kontaktierung auf der Oberfläche des Trägers mindestens eine Opferschicht aufgebracht wird, auf welcher das mikroelektronische Bauteil platziert wird und welche das mikroelektronische Bauteil zumindest in Teilen umschließt. Dabei können verschiedene Opferschichten in verschiedenen Schritten angebracht werden. So ist es beispielsweise vorteilhaft, auf den Träger bzw. in der Aussparung eine Opferschicht aufzubringen, das mikroelektronische Bauteil auf der Opferschicht anzuordnen und eine weitere Opferschicht auf die bereits vorhandene Opferschicht aufzubringen derart, dass das mikroelektronische Bauteil zumindest in Teilen umschlossen wird. Dies ist insbesondere dann vorteilhaft, wenn die zweite umschließende Opferschicht eine Oberfläche das mikroelektronische Bauteil gerade noch um schließt, so dass später auf dieser Opferschicht eine Metallisierungslage aufgebracht werden kann. Dies ermöglicht eine besonders einfache Form der Herstellung einer erfindungsgemäßen Schaltanordnung.A further advantage is given by the fact that at least one sacrificial layer is applied to the surface of the carrier prior to attaching the microelectronic component to the at least one electrical contact on which the microelectronic component is placed and which encloses the microelectronic component at least in part. Different sacrificial layers can be applied in different steps. For example, it is advantageous to apply a sacrificial layer to the carrier or in the recess, to arrange the microelectronic component on the sacrificial layer and to apply a further sacrificial layer to the already existing sacrificial layer in such a way that the microelectronic component is at least partially enclosed. This is particularly advantageous when the second enclosing sacrificial layer, a surface of the microelectronic device just closes around, so that later on this sacrificial layer, a metallization can be applied. this makes possible a particularly simple form of manufacturing a switching arrangement according to the invention.

Auf eine ähnliche Art und Weise kann eine besondere Ausführung der erfindungsgemäßen Schaltanordnung realisiert werden. Dabei werden die elektrischen Kontaktierungen zuerst auf dem Träger aufgebracht und zeigen im wesentlichen senkrecht nach oben. Danach wird eine Opferschicht aufgebracht, welche im wesentlichen die elektrischen Kontaktierungen umgibt. Auf die Opferschicht wird das mikroelektronische Bauteil aufgesetzt, woraufhin das mikroelektronische Bauteil mit den elektrischen Kontaktierungen verbunden wird. Zu einem späteren Zeitpunkt kann die Opferschicht wieder entfernt werden.On a similar way may be a special design implemented the switching arrangement according to the invention become. The electrical contacts are first on applied to the carrier and show substantially perpendicular to above. Thereafter, a sacrificial layer is applied, which is substantially surrounds the electrical contacts. On the sacrificial layer is the microelectronic component mounted, whereupon the microelectronic Component is connected to the electrical contacts. To at a later time, the sacrificial layer can be removed again become.

Bei Vorhandensein einer Opferschicht, welche im wesentlichen das mikroelektronische Bauteil umschließt, kann das Aufbringen der mindestens einen elektrischen Kontaktierung besonders einfach durchgeführt werden. Dabei wird eine Metallisierungslage zumindest in Teilabschnitten der Oberfläche des Trägers und auf der Opferschicht aufgebracht. Die Metallisierungslage kann durch Aufdampfen oder Abscheidungsprozesse aufgebracht werden. In einem zweiten Prozessschritt werden Löcher in der das mikroelektronische Bauteil umschließenden Opferschicht eingebracht und das mikroelektronische Bauteil ankontaktiert. In einem weiteren Schritt wird die Metallisierungslage strukturiert, wobei das Strukturieren vorzugsweise durch Ätzen geschieht, insbesondere durch Ätzen mit einer Maske. Dadurch kann bei gleichzeitigem Aufbringen der elektrischen Kontaktierungen und der Verbindungen der elektrischen Kontaktierungen mit dem Träger und mit dem mikroelektronischen Bauteil eine Strukturierung der Kontaktierung erreicht werden, so dass diese beispielsweise blattfederartig oder mit einer bogenförmigen Rundung ausgestaltet wird. Das schichtweise Aufbringen der Schichten und das Strukturieren derselbigen stellt eine besonders effiziente und kostengünstige Herstellungsmethode der elektrischen Kontaktierung dar.at Presence of a sacrificial layer, which is essentially the microelectronic Component encloses, the application of at least an electrical contact particularly easily performed become. In this case, a metallization is at least in sections the surface of the wearer and on the sacrificial layer applied. The metallization layer can by vapor deposition or Deposition processes are applied. In a second process step holes are in the surrounding the microelectronic device Inserted sacrificial layer and contacted the microelectronic device. In a further step, the metallization layer is structured, wherein structuring is preferably done by etching, in particular by etching with a mask. This can with simultaneous application of the electrical contacts and the connections of the electrical contacts with the carrier and with the microelectronic component structuring the Contact can be achieved so that this example, leaf spring-like or is designed with an arcuate curve. The layered application of the layers and structuring The same represents a particularly efficient and cost effective Production method of the electrical contacting is.

Weiterhin ist es vorteilhaft, wenn nach dem Aufbringen der elektrischen Kontaktierung und dem Verbinden der elektrischen Kontaktierung mit dem Träger und mit dem mikroelektronischen Bauteil die Opferschicht wieder entfernt wird. Durch das Vorhandensein der Opferschicht wird das Aufbringen der elektrischen Kontaktierung in einem stressfreien Umfeld erzeugt, so dass diese Verbindung das mikroelektronische Bauteil nach dem Entfernen der Opferschicht tragen bzw. stützen kann.Farther it is advantageous if after applying the electrical contact and connecting the electrical contact with the carrier and with the microelectronic device, the sacrificial layer again Will get removed. Due to the presence of the sacrificial layer is the Apply the electrical contact in a stress-free Environment created so that this connection is the microelectronic Wear or support the component after removal of the sacrificial layer can.

Zweckmäßig kann es sein, dass auf dem Träger zusätzliche elastische Stützelemente angeordnet werden, wie in einem der vorherigen Abschnitte beschrieben. Dabei können die Stützelemente sowohl komplett aus einem elastischen Material hergestellt sein, oder aus einer elastischen Hülle mit einer Flüssigkeit gefüllt sein.expedient It may be that on the carrier additional elastic support elements are arranged, as in one described in the previous sections. The can Support elements both completely made of an elastic material be made of an elastic shell or with be filled with a liquid.

Weitere vorteilhafte Weiterbildungen der Schaltanordnung und des Verfahrens zu deren Herstellung sind in den weiteren untergeordneten Ansprüchen gegeben.Further advantageous developments of the circuit arrangement and the method for their preparation are in the further subordinate claims given.

Im folgenden wird die erfindungsgemäße Schaltanordnung anhand einiger Ausführungsbeispiele genauer beschrieben. Es zeigen:in the The following will be the switching arrangement according to the invention described in more detail with reference to some embodiments. Show it:

1 einfache Ausführungsform der Schaltanordnung; 1 simple embodiment of the switching arrangement;

2a bis 2c weitere Ausführungsformen der Schaltanordnung; 2a to 2c further embodiments of the switching arrangement;

3 Aufsicht auf eine erfindungsgemäße Schaltanordnung 3 Top view of a switching arrangement according to the invention

4a, 4b schematische Darstellung einer erfindungsgemäßen elektrischen Kontaktierung; 4a . 4b schematic representation of an electrical contact according to the invention;

5a bis 5e Verfahrensschritte zum Herstellen einer erfindungsgemäßen Schaltanordnung. 5a to 5e Method steps for producing a switching arrangement according to the invention.

1 zeigt eine einfache Ausführung der erfindungsgemäßen Schaltanordnung. Dabei ist auf einem Träger 1 ein mikroelektronisches Bauteil 2 derart angeordnet, dass es vom Träger 1 beabstandet ist und die elektrischen Kontaktierungen 3, 3' den Träger 1 mit dem mikroelektronischen Bauteil 2 verbinden. Dabei ist das mikroelektronische Bauteil 2 mit dem Bereich 30 und der Träger 1 mit dem Bereich 31 der elektrischen Kontaktierung 3 verbunden. Der Teilbereich 32 ist zwischen dem mikroelektronischen Bauteil 2 und dem Träger 1 angeordnet und freigestellt, in dem Sinne, dass dieser Teil weder mit dem mikroelektronischen Bauteil 2 oder dem Träger 1 verbunden ist. Der Abstand zwischen dem Träger 1 und dem mikroelektronischen Bauteil 2 wird dadurch erreicht, dass der Teil 32 der elektrischen Kontaktierung aufgebogen ist. Die mechanische Entkopplung wird weiterhin dadurch verbessert, dass die elektrischen Kontaktierungen 3, 3' aus Materialien gefertigt sind, die nicht eine zu hohe Steifigkeit aufweisen und nachgeben, um eine mechanische Entkopplung zu erreichen. Als Materialien kommen hierbei insbesondere Kupfer (bei Verwendung von Leiterplatten), sowie Aluminium und Gold (bei Draht- und Bändchenbonds) in Frage. Weitere Metalle, und in beschränktem Maße auch Polymere, können abhängig vom Verwendungszweck eingesetzt werden. 1 shows a simple embodiment of the switching arrangement according to the invention. It is on a carrier 1 a microelectronic component 2 arranged so that it is from the carrier 1 is spaced apart and the electrical contacts 3 . 3 ' the carrier 1 with the microelectronic component 2 connect. This is the microelectronic component 2 with the area 30 and the carrier 1 with the area 31 the electrical contact 3 connected. The subarea 32 is between the microelectronic device 2 and the carrier 1 arranged and released, in the sense that this part neither with the microelectronic device 2 or the carrier 1 connected is. The distance between the carrier 1 and the microelectronic device 2 is achieved by the part 32 the electrical contact is bent up. The mechanical decoupling is further improved by the fact that the electrical contacts 3 . 3 ' are made of materials that do not have too high stiffness and yield to achieve a mechanical decoupling. As materials in this case in particular copper (when using printed circuit boards), and aluminum and gold (in wire and ribbon bonds) in question. Other metals, and to a lesser extent, polymers, may be used depending on the purpose.

In 1 ist das mikroelektronische Bauteil 2 an den Kontakten 30, 30' aufgehängt. In einer ähnlichen Ausführung könnte das mikroelektronische Bauteil 2 auf den Kontakten 30, 30' angeordnet sein, so dass diese von den elektrischen Kontaktierungen 30, 30' getragen werden. Um die Kontakte 30, 30' nicht zu strapazieren, bietet es sich an, diese so anzuordnen, dass auf den Schwerpunkt des mikroelektronischen Bauteils 2 kein Drehmoment wirkt, welches im Laufe der Zeit aufgrund der mechanischen Beanspruchung zu einem Defekt in der Verbindung 30, 30' führen kann.In 1 is the microelectronic device 2 at the contacts 30 . 30 ' suspended. In a similar chen execution could be the microelectronic component 2 on the contacts 30 . 30 ' be arranged so that these from the electrical contacts 30 . 30 ' be worn. To the contacts 30 . 30 ' not to straining, it is advisable to arrange them so that the center of gravity of the microelectronic device 2 no torque acts, which over time due to the mechanical stress to a defect in the connection 30 . 30 ' can lead.

Der Träger 1 ist als Leiterplatte ausgebildet, da diese mit etablierten Prozessen strukturiert und bearbeitet werden kann. Das mikroelektronische Bauteil kann in der in 1 gezeigten Ausführung beispielsweise ein Oberflächenwellenbauelement sein oder ein hochpräziser Oszillator oder ein mikroelektronischer Sensor, welcher den Piezoeffekt oder den Halleffekt ausnutzt. Durch die Beabstandung vom Träger 1 messen diese mikroelektronischen Bauteile 2 nicht die Beanspruchung des Trägers 1, sondern nur die externen äußeren Einflüsse für welche sie konzipiert sind. Im Bereich 31 der Kontaktierung bzw. 31' sind Vias 4 bzw. 4' zu sehen, welche die zwei sich gegenüber liegenden Oberflächen des Trägers miteinander leitend verbinden. Über solche Vias können Leiterbahnen oder weitere Bauteile auf der anderen Seite angesprochen werden.The carrier 1 is designed as a printed circuit board, since it can be structured and processed with established processes. The microelectronic component can be found in the in 1 For example, be shown a surface acoustic wave device or a high-precision oscillator or a microelectronic sensor, which exploits the piezoelectric effect or the Hall effect. By the spacing from the vehicle 1 measure these microelectronic components 2 not the stress of the wearer 1 but only the external external influences for which they are designed. In the area 31 the contacting or 31 ' are vias 4 respectively. 4 ' to see which conductively interconnect the two opposing surfaces of the carrier. About such vias conductor tracks or other components can be addressed on the other side.

Die erfindungsgemäßen Schaltanordnungen besitzen eine Ausdehnung in der Größenordnung von μm2 oder mm2. Momentan sind die mikroelektronischen Bauteile im Bereich von 0,01 mm2 bis 50 mm2 verfügbar, wobei eine weitere Miniaturisierung in den μm2-Bereich absehbar ist. Typische Kontaktierungen haben eine Breite von 10 μm (bei Drahtbonds) bis zu 500 μm (bei Verwendung von Leiterplattentechniken). Die Schaltanordnung und das Verfahren können auch in den kleineren Ausmaßen verwendet werden.The switching arrangements according to the invention have an extent of the order of μm 2 or mm 2 . Currently, the microelectronic components in the range of 0.01 mm 2 to 50 mm 2 are available, with further miniaturization in the μm 2 range is foreseeable. Typical contacts have a width of 10 μm (for wire bonds) up to 500 μm (when using printed circuit board techniques). The switching arrangement and the method can also be used in the smaller dimensions.

In den 2a bis c sind weitere alternative Ausführungsformen der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung gegeben. In 2a ist eine Aussparung 5 im Träger 1 eingebracht, in welcher das mikroelektronische Bauteil 2 eingebracht ist und über die Kontaktierung 30 mit der elektrischen Kontaktierung 3 verbunden ist und an dieser hängt. Im Gegensatz zu 1 ist in 2a nur eine elektrische Kontaktierung 3 gegeben. Auf diese Weise kann ein Drehmoment, welches auf den Schwerpunkt des mikroelektronischen Bauteils 2 wirkt, nur dann vermieden werden, wenn die Kontaktierung 30 direkt über dem Schwerpunkt angeordnet ist. Für den Fall, dass die Kontaktierung 30 nicht über dem Schwerpunkt sitzt, ist das mikroelektronische Bauteil 2 einem ständigen Drehmoment ausgesetzt und ist besonders gut geeignet, um Drehbeschleunigungen zu messen. Dabei ist die elektrische Kontaktierung 3 als Blattfeder federnd ausgebildet.In the 2a to c are given further alternative embodiments of the circuit arrangement according to the invention. In 2a is a recess 5 in the carrier 1 introduced, in which the microelectronic component 2 is introduced and about the contact 30 with the electrical contact 3 is connected and hangs on this. In contrast to 1 is in 2a only one electrical contact 3 given. In this way, a torque acting on the center of gravity of the microelectronic device 2 works, only be avoided when contacting 30 is located directly above the center of gravity. In the event that contacting 30 not sitting above the center of gravity, is the microelectronic device 2 exposed to a constant torque and is particularly well suited to measure spin. Here is the electrical contact 3 designed as a leaf spring resilient.

In 2b bildet der Träger 1 mit einer Abdeckung 1' einen Hohlraum 6, in welchem das mikroelektronische Bauteil 2 angeordnet ist. Das mikroelektronische Bauteil wird wie in den vorherigen Abbildungen durch die elektrischen Kontaktierungen 3, 3' vom Träger bzw. der Abdeckung 1' beabstandet getragen, wobei die elektrischen Kontaktierungen 3, 3' im Gehäuseinneren verlaufen und durch ein Via 4 bzw. ein als Sacklochbohrung ausgeführtes Via 4' elektrisch leitend verbunden sind. Desweiteren sind elastische Stützelemente 7 aufgeführt, welche bei einer Bewegung des mikroelektronischen Bauteils 2 verhindern sollen, dass dieses an eine der Oberflächen des Hohlraums 6 anschlägt und das mikroelektronische Bauteil 2 dadurch beschädigt wird.In 2 B forms the carrier 1 with a cover 1' a cavity 6 in which the microelectronic component 2 is arranged. The microelectronic component is as in the previous figures by the electrical contacts 3 . 3 ' from the carrier or the cover 1' worn spaced, wherein the electrical contacts 3 . 3 ' run inside the housing and through a via 4 or a via hole made as a blind hole 4 ' are electrically connected. Furthermore, elastic support elements 7 which occurs during a movement of the microelectronic device 2 To prevent this from happening on any of the surfaces of the cavity 6 strikes and the microelectronic device 2 is damaged.

Es ist deutlich erkennbar, dass die dem elektronischen Bauteil 2 zugewandte Fläche der elastischen Stützelemente 7 eine sehr viel kleinere Oberfläche aufweisen als die der Oberfläche des elastischen Stützelements am nächsten liegende Oberfläche des mikroelektronischen Bauteils. Dadurch wird für den Fall einer Berührung zwischen dem mikroelektronischen Bauteil 2 und den elastischen Stützelementen 7 nur eine geringe mechanische Kopplung zwischen dem Gehäuse, bestehend aus dem Träger 1 und der Abdeckung 1', und dem mikroelektronischen Bauteil 2 hergestellt.It is clearly evident that the electronic component 2 facing surface of the elastic support elements 7 have a much smaller surface area than the surface of the elastic support member closest to the surface of the microelectronic device. As a result, in the event of a contact between the microelectronic component 2 and the elastic support elements 7 only a slight mechanical coupling between the housing, consisting of the carrier 1 and the cover 1' , and the microelectronic device 2 produced.

Die elastischen Stützelemente sind hierbei Klebstoffpunkte aus einem Klebstoff mit einem niedrigen Elastizitätsmodul. Dadurch besitzen sie eine zusätzlich dampfende Wirkung, falls das mikroelektronische Bauteil 2 in Richtung einer der Oberflächen des Hohlraums 6 beschleunigt wird. Wie in 1 bereits erwähnt, befindet sich an der elektrischen Kontaktierung 3 eine Rundung 32. Ohne die Rundung 32 bewegen sich bei einer thermischen Belastung des Trägers die Kontakte 30, 30' aufeinander zu und erhöhen dadurch die Spannung auf die Kontakte 30, 30' selbst. Die Rundung 32 absorbiert die durch die thermische Erwärmung entstandene Schub- bzw. Zugspannung durch eine weitere Auswölbung der Rundung 32 selbst und verringert die auf die Kontakte 30, 30' wirkenden Kräfte.The elastic support elements here are adhesive dots made of an adhesive with a low modulus of elasticity. As a result, they have an additional steaming effect, if the microelectronic component 2 towards one of the surfaces of the cavity 6 is accelerated. As in 1 already mentioned, is located at the electrical contact 3 a rounding 32 , Without the rounding 32 At a thermal load of the carrier move the contacts 30 . 30 ' towards each other, thereby increasing the voltage on the contacts 30 . 30 ' itself. The rounding 32 absorbed by the thermal heating shear or tensile stress absorbed by a further bulge of the rounding 32 itself and reduces the on the contacts 30 . 30 ' acting forces.

Anstelle der elastischen Stützelemente 7 kann der Hohlraum 6 auch mit einer Flüssigkeit, insbesondere einer dielektrischen Flüssigkeit gefüllt werden. Dabei wird die Viskosität der Flüssigkeit so gewählt, wie es das mikroelektronische Bauteil in seiner Funktion erfordert. Beispielsweise ist eine Flüssigkeit von hoher Viskosität bei schlagartigen starken Stößen besonders gut geeignet, da diese die Beschleunigung des mikroelektronischen Bauteils 2 verlangsamt. Im Falle von hochsensiblen Sensoren bietet es sich an, eine Flüssigkeit von niedriger Viskosität zu wählen, da diese nur eine geringe Absorption der mechanischen Energie, welche auf die Schaltanordnung wirkt, aufnimmt.Instead of the elastic support elements 7 can the cavity 6 also be filled with a liquid, in particular a dielectric liquid. The viscosity of the liquid is chosen as required by the microelectronic component in its function. For example, a liquid of high viscosity is particularly well suited for sudden, strong impacts, as these accelerate the microelectronic component 2 slowed down. In the case of highly sensitive sensors, it is advisable to choose a liquid of low viscosity, since this absorbs only a small absorption of the mechanical energy which acts on the switching arrangement.

Bei einem mit Flüssigkeit gefüllten Hohlraum mit einer Zuleitung und/oder Ableitung kann insbesondere der außen wirkende hydrostatische Druck mit Hilfe eines mikroelektronischen Bauteils gemessen werden. Des Weiteren kann das Auffüllen mit Flüssigkeit helfen, dass -aufgrund der geringeren Kompressibilität der Flüssigkeit- die mikroelektronischen Bauteile im Hohlraum gegenüber Druckschwankungen geschützt werden.at a fluid filled cavity with a Supply and / or discharge can in particular the outside acting hydrostatic pressure with the help of a microelectronic Component be measured. Furthermore, the padding can with liquid help that - due to the lower compressibility the liquid-the microelectronic components in the cavity be protected against pressure fluctuations.

Eine besondere Ausführung ist gegeben, wenn der Hohlraum 6 mit einem Wachs bzw. einem Harz gefüllt ist, welches im erkalteten Zustand eine feste Form annimmt, jedoch bei Erreichen einer bestimmten Betriebstemperatur der Schaltanordnung in die flüssige Phase übergeht und somit die Funktion der mechanischen Entkopplung zwischen Träger und mikroelektronischem Bauteil gewährleistet ist.A special design is given when the cavity 6 is filled with a wax or a resin which assumes a solid form in the cooled state, but on reaching a certain operating temperature of the switching device merges into the liquid phase and thus the function of mechanical decoupling between the carrier and microelectronic device is ensured.

In 2c ist eine spezielle Ausführungsform der erfindungsgemäßen Schaltanordnung gegeben. Hierbei ist der Hohlraum 6 über zwei Kanäle 8, 8' mit weiteren Elementen verbunden, wobei durch die Kanäle 8, 8' ein Medium wie beispielsweise Luft oder eine Flüssigkeit strömt, welche in dem Hohlraum 6 läuft und beispielsweise durch die Zuleitung 8' wieder abläuft. Bei einer derartigen Anordnung kann ein MEMS sowohl den Druck des Flusses bzw. die Materialzusammensetzung desselben feststellen. Besonders für Beschleunigungssensoren bzw. Orientierungssensoren sind derartige Vorrichtungen gut geeignet. Statt Medien kann auch ein optischer Zugang zum Hohlraum geschaffen werden, z. B. durch eine Integration von Lichtleitfasern oder Fenstern in die Umhüllung.In 2c is given a special embodiment of the switching arrangement according to the invention. Here is the cavity 6 over two channels 8th . 8th' connected to other elements, passing through the channels 8th . 8th' a medium, such as air or liquid, flows in the cavity 6 runs and for example through the supply line 8th' runs again. In such an arrangement, a MEMS can detect both the pressure of the flow and the material composition thereof. Such devices are particularly suitable for acceleration sensors or orientation sensors. Instead of media, an optical access to the cavity can be created, for. B. by an integration of optical fibers or windows in the enclosure.

In 3 ist eine Aufsicht auf die Schaltanordnung aus 2b gegeben. Es sind vier elektrische Kontaktierungen 3, 3', 3'', 3''' zu sehen, welche eine bogenförmige Rundung aufweisen. Die Kontakte 30, 31 können durch Schichtprozesse oder Mikroschweißen oder Löten hergestellt werden. Anhand dieses Beispieles soll verständlich gemacht werden, wie die bogenförmige Rundungen 32, 32', 32'', 32''' eine Schub- bzw. Zugspannung, welche sich aufgrund einer Erwärmung der Schaltanordnung auf den Kontakte 30 und 30', bzw. 30'' und 30''' aufbaut, kompensieren. Dabei wirkt die Spannung auf den Kontakt 30 nach rechts und die Spannung auf den Kontakt 30' nach links, so dass sich das mikroelektronische Bauteil 2 nicht bewegt, aber die Kontakte 30 und 30' jeweils beansprucht werden. Durch die bogenförmige Rundung 32 bzw. 32' kann die elektrische Kontaktierung die Schub- bzw. Zugspannung durch Verformung der Rundung kompensieren und schont damit die Kontakte 30 und 30'. Weiterhin ist auf dem mikroelektronischen Bauteil 2 ein MEMS 20 sichtbar, welches stressfrei von den elektrischen Kontaktierungen 30, 30', 30'', 30''' beabstandet und mechanisch entkoppelt vom Träger 1 angeordnet ist.In 3 is a plan view of the switching arrangement 2 B given. There are four electrical contacts 3 . 3 ' . 3 '' . 3 ''' to see, which have an arcuate curve. The contacts 30 . 31 can be produced by layer processes or micro welding or soldering. Based on this example, it should be made clear how the arcuate curves 32 . 32 ' . 32 '' . 32 ''' a shear stress, which is due to heating of the switching arrangement on the contacts 30 and 30 ' , respectively. 30 '' and 30 ''' build up, compensate. The voltage acts on the contact 30 to the right and the tension on the contact 30 ' to the left, leaving the microelectronic device 2 not moved, but the contacts 30 and 30 ' each claimed. Due to the curved curve 32 respectively. 32 ' The electrical contact can compensate for the shear or tensile stress by deformation of the rounding and thus protects the contacts 30 and 30 ' , Furthermore, on the microelectronic device 2 a MEMS 20 visible, which is stress-free from the electrical contacts 30 . 30 ' . 30 '' . 30 ''' spaced and mechanically decoupled from the carrier 1 is arranged.

In 4a und 4b werden zwei Ausführungsformen von erfindungsgemäßen elektrischen Kontaktierungen aufgeführt. In 4a ist zwischen den Kontakten 30 und 30' eine bogenförmige Rundung 32 ausgebildet. Diese bogenförmige Rundung sorgt dafür, dass bei veränderten thermischen Verbindungen der Stress auf die mit dem mikroelektronischen Bauteil 2 verbundenen Kontakte 30, welche wie in den 1, 2b, 2c auf gegenüber liegenden Seiten des Schwerpunktes des mikroelektronischen Bauteils 2 angeordnet sind, durch die bogenförmige Rundung 32 kompensiert wird. Durch eine derartige Ausführung wird das mikroelektronische Bauteil auch von Schub- bzw. Zugspannungen oder Torsionsspannungen, welche auf das Gehäuse, aufgebaut aus zumindest dem Träger 1 und der Abdeckung 1', wirken, nicht belastet, da die Ausführung der elektrischen Kontaktierung in 3a auch insbesondere bei einer Verdrillung der elektrischen Kontaktierungen 3, 3', 3'', 3''' selber die Spannung über die bogenförmige Rundungen 32, 32', 32'', 32''' kompensiert.In 4a and 4b Two embodiments of electrical contacts according to the invention are listed. In 4a is between the contacts 30 and 30 ' an arcuate curve 32 educated. This arcuate curve ensures that with changed thermal connections the stress on with the microelectronic component 2 connected contacts 30 , which like in the 1 . 2 B . 2c on opposite sides of the center of gravity of the microelectronic device 2 are arranged through the arcuate curve 32 is compensated. By such an embodiment, the microelectronic component is also of shear or tensile stresses or torsional stresses, which on the housing, composed of at least the carrier 1 and the cover 1' , act, not burdened, since the execution of the electrical contact in 3a also in particular at a twist of the electrical contacts 3 . 3 ' . 3 '' . 3 ''' itself the tension over the arcuate curves 32 . 32 ' . 32 '' . 32 ''' compensated.

In 4b ist die bogenförmige Rundung mit einem größeren Radius gezeigt, wobei eine derartige elektrische Kontaktierung gut als blattfederartiges Element eingesetzt werden kann. Dies ist insbesondere bei oszillatorischen mikroelektronischen Bauteilen gut geeignet, um mit dem mikroelektronischen Bauteil mitzuschwingen.In 4b the arcuate curve is shown with a larger radius, such electrical contact can be used well as a leaf spring-like element. This is well suited in particular for oscillatory microelectronic components in order to resonate with the microelectronic component.

Anhand der 5a bis 5e soll die Herstellung einer erfindungsgemäßen Schaltanordnung erläutert wer den. In 5a ist ein Träger 1 zu sehen, welcher eine Aussparung 5 aufweist, in welche eine Opferschicht 61 flächig eingebracht wird. Auf der Opferschicht 61 wird das elektronische Bauteil 2 angeordnet. In diesem Fall weist das elektronische Bauteil 2 ein MEMS mit einer Deckelung 40 auf, welche unter anderem als Kontaktierungsfläche dient. Obwohl das Aufbringen einer Opferschicht 61 nicht zwingend notwendig ist, da auch andere Möglichkeiten denkbar sind, die Beabstandung zwischen dem Träger 1 und dem mikroelektronischen Bauteil herzustellen, wie z. B. Wachs, welches bei Betriebstemperatur der Schaltanordnung flüssig ist oder Auflegen auf elastischen Stützelementen, wie in den Ansprüchen beschrieben, so ist ein Opferpolymer, welches später durch ein geeignetes Medium ausgelöst werden kann, vorteilhaft, da auf der Opferschicht weitere Lagen angebracht werden können.Based on 5a to 5e the production of a circuit arrangement according to the invention explains who the. In 5a is a carrier 1 to see which one recess 5 in which a sacrificial layer 61 is introduced flat. On the sacrificial layer 61 becomes the electronic component 2 arranged. In this case, the electronic component 2 a MEMS with a cap 40 on, which serves as a contact surface, among other things. Although applying a sacrificial layer 61 is not absolutely necessary, since other possibilities are conceivable, the spacing between the carrier 1 and the microelectronic device, such as. As wax, which is liquid at operating temperature of the switching arrangement or laying on elastic support elements, as described in the claims, a sacrificial polymer, which can be triggered later by a suitable medium, advantageous because further layers can be mounted on the sacrificial layer.

Dieses wird in 5b gezeigt, wo auf der Opferschicht 61 nach dem Einbringen des mikroelektronischen mechanischen Systems 2 eine weitere Opferschicht 62 eingebracht wird, welche mit der Oberkante der Deckelung 40 abschließt. Auf dem Träger bzw. der Opferschicht 62 bzw. der Deckelung 40 wird eine Metallisierungslage 70 aufgetragen. Dies kann durch bekannte Prozesse geschehen wie beispielsweise Metallabscheidung bzw. Metallaufdampfung. Das MEMS selber ist im Hohlraum 41 des mikroelektronischen Bauteils 2 untergebracht, da es auf diese Weise nicht berührt wird und somit sowohl in der Aussparung 5 als auch durch die Deckelung 40 geschützt ist.This will be in 5b shown where on the sacrificial layer 61 after introduction of the microelectronic mechanical system 2 another sacrificial layer 62 is introduced, which with the upper edge of the cap 40 concludes. On the carrier or the sacrificial layer 62 or the cap 40 becomes a metallization layer 70 applied. This can be done by known processes like For example, metal deposition or metal evaporation. The MEMS itself is in the cavity 41 of the microelectronic device 2 housed as it is not touched in this way and thus both in the recess 5 as well as through the cap 40 is protected.

In einem weiteren Schritt werden in die Metallisierungslage 70 Löcher 71 bzw. 71' eingebracht und über einen elektrochemischen Prozess eine Ankontaktierung an die Bauelementkontakte 30 bzw. 30' hergestellt bzw. eine Ankontaktierung an das mikroelektronische Bauteil über Kontakte 30, 30' geschaffen. Dabei werden die Löcher 71 bzw. 71' durch Laserbeschuss hergestellt und an den Lochoberflächen die Metallisierungslage falls nötig neu aufgetragen. Die Löcher können jedoch auch durch verschiedene Ätzverfahren, wie Plasmaätzen mit Maske, oder mit mechanischen Verfahren wie Bohren hergestellt werden. Mit Hilfe eines Ätzbads und einer Maske werden überflüssige Komponenten der Metallisierungslage 70 abgetragen. Dabei kann die Maske gleichzeitig die bogenförmigen Rundungen der elektrischen Kontaktierung 3 bzw. 3' herstellen. Auch die Ausbildung als Blattfeder ist möglich.In a further step are in the metallization 70 holes 71 respectively. 71 ' introduced and via an electrochemical process a Ankontaktierung to the device contacts 30 respectively. 30 ' made or a Ankontaktierung to the microelectronic device via contacts 30 . 30 ' created. This will be the holes 71 respectively. 71 ' produced by laser bombardment and re-applied at the hole surfaces, the metallization layer if necessary. However, the holes may also be made by various etching techniques, such as plasma etching with a mask, or by mechanical methods such as drilling. Using an etching bath and a mask become superfluous components of the metallization layer 70 ablated. The mask can simultaneously the arcuate curves of the electrical contact 3 respectively. 3 ' produce. The training as a leaf spring is possible.

Anschließend kann die Opferschicht 61 und 62, beispielsweise mit Hilfe eines CO2-Lasers, entfernt werden, so dass, wie in 5d gezeigt, das mikroelektronische Bauteil 2 an den elektrischen Kontaktierungen 3 bzw. 3' aufgehängt ist und vom Träger 1 beabstandet ausgeführt ist. Dadurch ist die mechanische Entkopplung sichergestellt. In einem weiteren Schritt wird der Träger 1 mit einer Abdeckelung versehen und ein geschlossener Hohlraum 6 gebildet. In dem in dem 5a bis 5d gezeigten Beispiel ist das MEMS, welches im Hohlraum 41 angeordnet ist, sehr gut gegen mechanische, elektrische und thermische Einflüsse isoliert.Subsequently, the sacrificial layer 61 and 62 be removed, for example with the aid of a CO 2 laser, so that, as in 5d shown the microelectronic device 2 at the electrical contacts 3 respectively. 3 ' is suspended and from the carrier 1 spaced executed. As a result, the mechanical decoupling is ensured. In a further step, the carrier becomes 1 provided with a cover and a closed cavity 6 educated. In that in the 5a to 5d The example shown is the MEMS, which is in the cavity 41 is arranged, very well insulated against mechanical, electrical and thermal influences.

In der 5e ist eine Weiterbildung der Schaltanordnung gezeigt. Die elektrischen Kontaktierungen 3 und 3' werden über Vias 9 bzw. Sacklochbohrungen 9' mit der äußeren Hülle des Gehäuses kontaktiert, wobei in diesem Falle ein weiteres mikroelektronisches Bauteil 2', wie in 1 ausgeführt, an die Schaltanordnung angebunden wird.In the 5e a development of the switching arrangement is shown. The electrical contacts 3 and 3 ' be about vias 9 or blind holes 9 ' contacted with the outer shell of the housing, in which case another microelectronic device 2 ' , as in 1 executed, is connected to the switching arrangement.

Das erfindungsgemäße Verfahren kann herkömmliche Leiterplattentechnologien bzw. Spritzpressprozesse zum Herstellen der elektrischen Kontaktierungen zwischen dem Träger und dem mikroelektronischen Bauteil verwenden. Alternativ können die elektrischen Kontaktierungen auch aus einem Stanzgitter bestehen oder aus Drahtbonds gefertigt werden.The inventive method can conventional Printed circuit board technologies or injection molding processes for manufacturing the electrical contacts between the carrier and use the microelectronic device. Alternatively, the electrical contacts also consist of a stamped grid or made of wire bonds.

Die hier offenbarte Schaltanordnung kann in einer Vielzahl von Anwendungen zum Einsatz kommen. Beispielhaft sei der Betrieb von MEMS genannt, welche gegenüber äußeren mechanischen Belastungen sehr empfindlich reagieren. Zugleich sollen die MEMS spezifische äußere Einflüsse messen. Dies betrifft beispielsweise Drucksensoren, Beschleunigungssensoren oder Oberflächen- und Volumenwellenbauelemente als auch hochpräzise Oszillatoren und mikroelektronische Sensoren. Diese Elemente kommen insbesondere im Telekommunikationsbereich, der Automobiltechnik, der Medizintechnik, den optischen Technologien und der Mess- und Regeltechnik in Betracht. Durch die mechanische Entkopplung kann ein zuverlässiger Einsatz der mikroelektronisch-mechanischen Systeme sichergestellt werden.The Switching arrangement disclosed herein may be used in a variety of applications be used. By way of example, mention may be made of the operation of MEMS, which against external mechanical loads very sensitive. At the same time, the MEMS specific outer Measure influences. This applies, for example, to pressure sensors, Acceleration sensors or surface and bulk wave devices as well as high-precision oscillators and microelectronic Sensors. These elements are particularly important in the telecommunications sector, automotive technology, medical technology, optical technologies and the measurement and control technology into consideration. By the mechanical Decoupling can be a reliable use of the microelectronic-mechanical Systems are ensured.

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Claims (26)

Schaltanordnung, welche einen Träger, ein mikroelektronisches Bauteil und mindestens eine elektrische Kontaktierung umfasst, wobei die mindestens eine elektrische Kontaktierung eine leitende Verbindung zwischen dem Träger und dem mikroelektronischen Bauteil herstellt, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen dem Träger und dem mikroelektronischen Bauteil ein Teil der elektrischen Kontaktierung freigestellt ist und das mikroelektronische Bauteil zur mechanischen Entkopplung des mikroelektronischem Bauteils und des Trägers vom Träger beabstandet angeordnet ist, wobei das mikroelektronische Bauteil an der mindestens einen elektrischen Kontaktierung hängend oder tragend befestigt ist.Switching arrangement, which comprises a carrier, a microelectronic component and at least one electrical contact, wherein the at least one electrical contact makes a conductive connection between the carrier and the microelectronic component, characterized in that between the carrier and the microelectronic component, a part of the electrical contact Is released and the microelectronic component for mechanical decoupling of the microelectronic device and the carrier is spaced from the carrier, wherein the microelectronic device is attached to the at least one electrical contact hanging or supporting. Schaltanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Träger eine Aussparung aufweist und das mikroelektronische Bauteil in der Aussparung angeordnet ist.Switching arrangement according to Claim 1, characterized that the carrier has a recess and the microelectronic Component is arranged in the recess. Schaltanordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Träger zumindest einen Teil eines Gehäuses mit einem geschlossenen Hohlraum bildet, wobei das mikroelektronische Bauteil im Hohlraum angeordnet ist.Switching arrangement according to Claim 1 or 2, characterized that the carrier at least a part of a housing forms with a closed cavity, the microelectronic Component is arranged in the cavity. Schaltanordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass der geschlossene Hohlraum mit ei nem Material gefüllt ist, welches zumindest eine flüssige Phase aufweist.Switching arrangement according to Claim 3, characterized that the closed cavity filled with egg nem material is, which has at least one liquid phase. Schaltanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass innerhalb und/oder außerhalb des Trägers mindestens ein elektrischer Leiter vorhanden ist, wobei mindestens ein elektrischer Leiter mit mindestens einer elektrischen Kontaktierung verbunden ist.Switching arrangement according to one of the preceding claims, characterized in that inside and / or outside the carrier at least one electrical conductor available is, wherein at least one electrical conductor with at least one electrical Contacting is connected. Schaltanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens zwei elektrische Kontaktierungen vorhanden sind, welche den Träger mit dem mikroelektronischen Bauteil verbinden, und mindestens zwei elektrische Kontaktierungen zur Minimierung eines auf das mikroelektronische Bauteil wirkenden physikalischen Drehmoments auf gegenüberliegenden Seiten eines Schwerpunktes des mikroelektronischen Bauteils mit dem mikroelektronischen Bauteil verbunden sind.Switching arrangement according to one of the preceding claims, characterized in that at least two electrical contacts which are the carrier with the microelectronic Connect component, and at least two electrical contacts for minimizing a force acting on the microelectronic device physical torque on opposite sides a center of gravity of the microelectronic device with the microelectronic Component are connected. Schaltanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine elektrische Kontaktierung blattfederartig ausgebildet ist.Switching arrangement according to one of the preceding claims, characterized in that at least one electrical contact is formed leaf-spring-like. Schaltanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine elektrische Kontaktierung eine im Wesentlichen bogenförmige Rundung aufweist, wobei die bogenförmige Rundung zwischen dem Träger und dem mikroelektronischen Bauteil angeordnet ist.Switching arrangement according to one of the preceding claims, characterized in that at least one electrical contact has a substantially arcuate curve, wherein the arcuate curve between the carrier and the microelectronic component is arranged. Schaltanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass eine dem mikroelektronischen Bauteil benachbarte Oberflä che des Trägers mindestens ein elastisches Stützelement aufweist, wobei das elastische Stützelement zum mikroelektronischen Bauteil hin eine wesentlich kleinere Oberfläche als eine dem elastischen Stützelement am Nächsten liegende Oberfläche des mikroelektronischen Bauteils hat und eine maximale Höhe besitzt, welche einem Abstand zwischen der Oberfläche des Trägers und der dem Stützelement am Nächsten liegende Seite des mikroelektronischen Bauteils entspricht.Switching arrangement according to one of the preceding claims, characterized in that one of the microelectronic component adjacent surface of the support at least an elastic support member, wherein the elastic Support element to the microelectronic component towards a much smaller surface than the elastic support element nearest surface of the microelectronic Component has and has a maximum height, which one Distance between the surface of the carrier and the side closest to the support element of the microelectronic device. Schaltanordnung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass das mindestens eine elastische Stützelement aus einem Klebstoff mit einem niedrigen Elastizitätsmodel besteht.Switching arrangement according to Claim 9, characterized in that the at least one elastic support element consists of a Adhesive with a low elasticity model exists. Schaltanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine elektrische Kontaktierung aus einer elektrisch leitenden Schicht und/oder einem Drahtbond und/oder einem Stanzgitter besteht.Switching arrangement according to one of the preceding claims, characterized in that at least one electrical contact from an electrically conductive layer and / or a wire bond and / or a punched grid. Schaltanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das mikroelektronische Bauteil mindestens ein mikroelektronisch-mechanisches System (MEMS) umfasst.Switching arrangement according to one of the preceding claims, characterized in that the microelectronic component at least a microelectronic-mechanical system (MEMS) comprises. Schaltanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Träger aus mindestens zwei Teilen aufgebaut ist.Switching arrangement according to one of the preceding claims, characterized in that the carrier consists of at least two parts is built. Schaltanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Träger eine Leiterplatte aufweist.Switching arrangement according to one of the preceding claims, characterized in that the carrier is a printed circuit board having. Schaltanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das mikroelektronische Bauteil eine größte Ausdehnung von 0,01 mm^2 bis 50 mm^2, vorzugsweise von 1 mm^2 bis 25 mm^2 aufweist und/oder die mindestens eine elektrische Kontaktierung eine Breite zwischen 1 μm und 500 μm, vorzugsweise von 20 μm bis 300 μm, aufweist, und eine Länge der elektrischen Kontaktierung größer als die Breite ist.Switching arrangement according to one of the preceding claims, characterized in that the microelectronic component is a largest dimension of 0.01 mm ^ 2 to 50 mm ^ 2, preferably from 1 mm ^ 2 to 25 mm ^ 2 and / or the at least one electrical Contacting a width between 1 micron and 500 microns, preferably from 20 microns to 300 microns, and, a length of electrical contact greater as the width is. Messvorrichtung, welche eine Schaltanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 14 aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass das mikroelektronische Bauteil ein Drucksensor und/oder Beschleunigungssensor und/oder Flusssensor und/oder Präzisionsoszillator und/oder Hochfrequenzfilter ist.Measuring device, which a switching arrangement according to one of claims 1 to 14, characterized the microelectronic component is a pressure sensor and / or acceleration sensor and / or flow sensor and / or precision oscillator and / or High frequency filter is. Verfahren zur Herstellung einer Schaltanordnung, welche einen Träger, ein mikroelektronisches Bauteil und mindestens eine elektrische Kontaktierung umfasst, dadurch gekennzeichnet, dass die mindestens eine elektrische Kontaktierung teilweise mit dem Träger und teilweise mit dem mikroelektronischen Bauteil verbunden und aufgebracht wird, wobei ein Teil der mindestens einen elektrischen Kontaktierung zwischen dem Träger und dem mikroelektronischen Bauteil freigestellt angeordnet wird und das mikroelektronische Bauelement vom Träger beabstandet an der mindestens einen elektrischen Kontaktierung hängend oder tragend befestigt wird.Method for producing a switching arrangement, which a carrier, a microelectronic device and comprises at least one electrical contact, characterized that the at least one electrical contact with partially the carrier and partly with the microelectronic device is connected and applied, wherein a part of the at least one electrical contact between the carrier and the Microelectronic component is placed free and the microelectronic device spaced from the carrier the hanging at least one electrical contact or being attached. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass der Träger mindestens zwei Teile mit einem ersten und einem zweiten Teil aufweist und der erste Teil des Trägers mit dem zweiten Teil des Trägers zu einem Gehäuse verschlossen wird, wobei zwischen dem ersten und dem zweiten Teil ein geschlossener Hohlraum gebildet wird, in welchem das mikroelektronischen Bauteil angeordnet wird.Method according to claim 17, characterized in that that the carrier has at least two parts with a first and a second part and the first part of the carrier with the second part of the carrier to a housing is closed, being between the first and the second part a closed cavity is formed, in which the microelectronic Component is arranged. Verfahren nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, dass der geschlossene Hohlraum mit einer Flüssigkeit, insbesondere einer dielektrischen Flüssigkeit, gefüllt wird.Method according to claim 18, characterized that the closed cavity with a liquid, in particular a dielectric liquid is filled. Verfahren nach Anspruch 17 bis 19, dadurch gekennzeichnet, dass vor dem Aufbringen der mindestens einen elektrischen Kontaktierung eine Aussparung in den Träger eingebracht wird und das mikroelektronische Bauteil in der Aussparung angeordnet wird.Method according to claims 17 to 19, characterized that before the application of the at least one electrical contact a recess is introduced into the carrier and the microelectronic component is arranged in the recess. Verfahren nach Anspruch 17 bis 20, dadurch gekennzeichnet, dass vor dem Befestigen des mikroelektronischen Bauteils an der mindestens einen elektrischen Kontaktierung auf einer Oberfläche des Trägers mindestens eine Opferschicht aufgebracht wird, auf welcher das mikroelektronische Bauteil platziert wird und welche das mikroelektronische Bauteil zumindest in Teilen umschließt.Method according to claims 17 to 20, characterized that before attaching the microelectronic device to the at least one electrical contact on a surface the carrier is applied at least one sacrificial layer, on which the microelectronic component is placed and which encloses the microelectronic component at least in part. Verfahren nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, dass das Aufbringen der mindestens einen elektrischen Kontaktierung folgende Schritte umfasst: a) Aufbringen einer Metallisierungslage zumindest auf Teilabschnitten der Oberfläche des Trägers und der Opferschicht; b) Erstellen von Löchern in der das mikroelektronische Bauteil umschließenden Opferschicht und Ankontaktieren des mikroelektronischen Bauteils; c) Strukturieren der Metallisierungslage, wobei das Strukturieren vorzugsweise durch Ätzen mit einer Strukturierungsmaske durchgeführt wird.Method according to claim 21, characterized that applying the at least one electrical contact following steps include: a) applying a metallization layer at least on portions of the surface of the carrier and the sacrificial layer; b) Creating holes in the sacrificial layer surrounding the microelectronic device and contacting the microelectronic device; c) structuring the metallization layer, wherein the structuring preferably by etching is performed with a structuring mask. Verfahren nach einem der Ansprüche 21 oder 22, dadurch gekennzeichnet, dass die Opferschicht nach dem Aufbringen der mindestens einen elektrischen Kontaktierung entfernt wird.Method according to one of claims 21 or 22, characterized in that the sacrificial layer after application the at least one electrical contact is removed. Verfahren nach einem der Ansprüche 17 bis 23, dadurch gekennzeichnet, dass auf einer dem mikroelektronischen Bauteil benachbarten Oberfläche des Trägers mindestens ein elastisches Stützelement angeordnet wird, wobei das elastische Stützelement zum mikroelektronischen Bauteil hin eine wesentlich kleinere Oberfläche als eine dem elastischen Stützelement am Nächsten liegende Oberfläche des mikroelektronischen Bauteils aufweist.Method according to one of claims 17 to 23, characterized in that on a the microelectronic component adjacent surface of the carrier at least an elastic support element is arranged, wherein the elastic support element to the microelectronic component towards a much smaller surface than an elastic support element nearest surface of the microelectronic Component has. Verfahren nach einem der Ansprüche 17 bis 24, dadurch gekennzeichnet, dass der Träger mindestens einen weiteren elektrischen Leiter aufweist, welcher als Sacklochbohrung oder Through-Via realisiert wird.Method according to one of claims 17 to 24, characterized in that the carrier at least one having another electrical conductor, which as a blind hole or through-through is realized. Verfahren nach einem der Ansprüche 17 bis 25, dadurch gekennzeichnet, dass das mikroelektronische Bauteil als mikroelektronisch-mechanisches System (MEMS) ausgebildet ist.Method according to one of claims 17 to 25, characterized in that the microelectronic component as Microelectronic-mechanical system (MEMS) is formed.
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