-
Die
Erfindung betrifft eine automatisierbare Vorrichtung zum Prüfen von
mono- oder polykristallinen Siliziumscheiben, insbesondere von Solarzellen oder
Siliziumwafern unter Nutzung einer mechanisch betätigten Verformungseinheit
und ein automatisierbares Verfahren zum Prüfen unter Auswertung der Messdaten
aus einer Biegebeanspruchung zur Fehlerermittlung und sich daraus
ergebenden Selektion der Siliziumscheiben.
-
Es
sind eine Reihe unterschiedlicher Vorrichtungen und Verfahren zum
Prüfen
von Solarzellen und Siliziumwafern bekannt. So sind verschiedene Möglichkeiten
beschrieben um Risse, Spalten und ähnliche Defekte bei Halbleiterscheiben
erkennen und auswerten zu können.
Unter anderem sind Verfahren bekannt die zerstörungsfrei mit kristallografischen,
thermographischen, thermo-mechanischen, bildanalytischen, spektrometrischen,
strahlungs-technischen,
schall-emmissions nutzenden, dauerschwingverhalten untersuchenden
und ultraschall nutzenden Prüfmethoden
arbeiten. Nachteilig bei allen diesen Verfahren und den zugehörigen Prüfvorrichtungen
ist deren hoher gerätetechnische
Aufwand und die nicht eindeutige reproduzierbare Fehlererkennung.
-
So
ist zum Beispiel in der
DE
101 01 203 A1 ein Verfahren zum Erfassen und Klassifizieren
von Kratzern auf Halbleiterwafern beschrieben. Dabei wird auf dem
Wafer ein Koordinatensystem aufgesetzt und definiert und dann die
Verteilung der Fehlerzellen ermittelt. Aus der Verteilung der Fehlerzellen ergibt
sich die Art und der Grad der Schädigung der geprüften Solarzellen.
-
Da
Kratzer auf Wafern vor allen bei den immer geringer werdenden Schichtdicken
als Ausgang von möglichen
Rissbildungen gefährlich
sind, ist in der
DE
198 40 432 A1 eine technische Lösung beschrieben, bei der die
Kratzer mittels einer strukturanalytischen Methode mit Hilfe einer
speziellen Spektroskopie ermittelt und ausgewertet werden können.
-
Es
ist des weiteren aus der
DE
198 22 360 A1 eine Vorrichtung und ein Verfahren bekannt,
wobei die energetische Lage und Breite von vorliegenden Defekten
durch Messung der Bandverbiegung in Abhängigkeit von der Lichtintensität und/oder
Temperatur ermittelt wird.
-
In
einer anderen technischen Lösung
zur Fehlersuche von Rissen gemäß der
DE 199 41 135 A1 wird
die Siliziumscheibe einem Hochfrequenz-Magnetfeld ausgesetzt und
der Wirbelstrom im Halbleitermaterial kontaktlos ausgelesen. Die
Ladungsträger
werden dabei mit Licht erzeugt.
-
Aus
der
DE 197 23 080
A1 ist es auch bekannt Kristallrisse mit Hilfe mehrere
Lastimpulse festzustellen, wobei die Änderung der thermischen Widerstände ausgewertet
wird.
-
Nach
der
DE 100 41 118
A1 wird die Wafer-Oberfläche mit Licht unter einem bestimmten
Einfallswinkel abgerastert und das unter einem vorgegebenen Winkel
wieder reflektierte Licht zur Signalerzeugung für die Suche nach Krazern verwendet.
-
All
diese Verfahren sind zwar geeignet eine Vielzahl von verschiedenen
Defekten zu erfassen und abzubilden. Für eine Untersuchung der bruch-mechanischen
Eigenschaften von Siliziumscheiben unter den Belastungen eines automatisierten
Fertigungsprozesses sind diese aber nur bedingt und mit hohem Aufwand
geeignet.
-
Aus
der
DE 103 39 519
A1 14 115 ist ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Prüfung der
Biegefestigkeit von Solarzellen im Fertigungsprozess bekannt, bei
dem die Solarzellen bei der Prüfung
den gleichen Biegebeanspruchungen wie im Fertigungsprozess der Solarmodule,
sowie bei der Betriebsbelastung unterzogen werden. Dabei wird die
Größe der Impedanzänderung
der Zellen bei unterschiedlichen Biegebeanspruchungen, Messfrequenzen
und fehlender Bestrahlung als Parameter für ausreichende Biegbeanspruchung
gemessen und ausgewertet. Es erfolgt eine Reihe von unterschiedlichen
Annahmen und es werden die Solarzellen während der Impedanzmessung und
der Biegebeanspruchung zusätzlich
mit einer Dichte-Schwingung beaufschlagt. Als Ergebnis werden die
Impedanz-Änderungen
als Funktion der Biegebeanspruchung, der Schwingungs-Amplitude, der akustischen
Frequenz sowie der Messfrequenz dargestellt. Die Spannung und/oder
der Strom der Solarzellen wird als Funktion unterschiedlicher Biegebeanspruchungen
und Bestrahlungen gemessen und einer Auswerteeinrichtung zugeführt, die
während
der Belastung emittierten akustischen Signale werden mit einem Sensor aufgenommen
und ebenfalls der Auswerteeinrichtung zugeführt. Diese technische Lösung ist
sowohl konstruktiv als auch gerätetechnisch
sehr aufwendig ausgeführt.
-
In
der Dissertation der Universität
Konstanz mit dem Titel „Charakterisierungsverfahren
und industriekompatible Herstellungsprozesse für dünne multikristalline Siliziumsolarzellen" von Dr. Andreas Schneider
vom 16.02.2004 wird auf den Seiten 29 bis 32 unter anderem ausführlich auf
das sogenannte Twisten von Solarzellen eingegangen. Dabei werden die
Solarzellen in allen Stadien des gesamten Fertigungsprozesses in
einer bestimmten Art und Weise mechanisch verbogen und ausführlichen
Bruchtests unterzogen. Es wir gezeigt, inwieweit sich die Twist-Test-Methode
eignet geschädigte
Wafer rechtzeitig aus zu sortieren. Dieses sogenannte Twisten ist
allerdings bereits seit 1984 im Zusammenhang als Testmethode für Solarzellen
bekannt. Es wird genau auf das mechanische Verbiegen eingegangen
und es werden jeweils verschiedene Solarzellen einer Herstellungsserie
jeweils einem mechanischen Biegeprozess unterzogen.
-
Aufgabe
der Erfindung ist es, eine neuartige leicht automatisierbare und
konstruktiv einfache Vorrichtung zum Prüfen von mono- oder polykristallinen Siliziumscheiben
unterschiedlicher Formen und Abmessungen, insbesondere von Solarzellen
oder Siliziumwafern unter Nutzung einer mechanisch betätigten Verformungseinheit
und ein dazugehöriges
automatisierbares Verfahren zum Prüfen unter Auswertung der Messdaten
aus einer Biegebeanspruchung zur Fehlerermittlung zu schaffen, die
schnell und mit hoher Zuverlässigkeit
eine Fehlerermittlung bei den geprüften Siliziumscheiben gewährleistet
und damit eine genaue algorithmisierte Selektion der Siliziumscheiben
nach Fehler- und Qualitätskriterien
ermöglicht.
-
Die
Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die
Merkmale des ersten und zweiten Patentanspruchs gelöst. Weitere
zweckmäßige Ausgestaltungen
der Erfindung sind Gegenstand der weiteren rückbezüglichen Unteransprüche. Die
erfindungsgemäße Vorrichtung
zum Prüfen
von mono- oder polykristallinen Siliziumscheiben, insbesondere von
Solarzellen oder Siliziumwafern arbeitet zwar unter Nutzung einer
an sich bekannten mechanisch betätigten Verformungseinheit
aber mit einer völlig
neuartigen Auswertung von ermittelten Messdaten, die aus mehrmaligen
mechanischen Biegeprozessen gewonnen werden. Neuartig ist auch die
konstruktiv einfache Bauweise der erfindungsgemäßen Vorrichtung. Dabei ist
an einer verfahrbaren Linearführung 13 ein
Mitnehmerarm 12 so angeordnet, dass er nach innen mit einer
zweiten Führungsplatte 11 verbunden ist.
Diese zweite Führungsplatte 11 ist
ebenfalls höhenverfahrbar
geführt
und an dieser sind in Richtung der zu prüfenden Siliziumscheibe 17 hin
mindestens zwei erste Auflagebolzen 5 angeordnet. An dieser zweiten
Führungsplatte 11 oder
am Mitnehmerarm 12 oder an der Linearführung 13 ist eine
Weg-Messeinrichtung so angeordnet, dass diese den zurückgelegten
Weg den der Mitnehmerarm 13 mit der zweite Führungsplatte 11 mit
ihren zwei ersten Auflagebolzen 5 gegenüber der zu prüfenden Siliziumscheibe 17 zurücklegt,
genau ermittelt.
-
In
der erfindungsgemäßen Vorrichtung
ist des weiteren eine höhenverfahrbare
erste Führungsplatte 9 angeordnet,
die mit der zweiten Führungsplatte 11 über eine
oder mehrere Distanzfeder(n) 16 gekoppelt ist. An dieser
ersten Führungsplatte 9 sind in
Richtung der zu prüfenden
Siliziumplatte 17 hin, mindestens zwei zweite Auflagebolzen 6 angeordnet. Die
zwei ersten Auflagebolzen 5 und die beiden zweiten Auflagebolzen 6 enden
in ihrer Grundstellung genau in einer Ebene und sind räumlich im
Inneren der erfindungsgemäßen Vorrichtung
so verteilt angeordnet, dass sie vier plane Auflagepunkte für die Auflage der
zu prüfenden
Solarzelle 17 bilden. Bevorzugt liegen die Auflagepunkte
außen
in der Nähe
der Ecken bei einer eckigen Siliziumscheibe bzw. außen in der Nähe des Umfangs
bei einer runden Siliziumscheibe. Beide Führungsplatten 9 und 11 sind
bevorzugt über geeignete
angeordnete Führungssäulen 8 gegen eine
fixiert angeordnete Siliziumscheibe 17 linear verfahrbar.
Die Verfahrbarkeit der höhenverstellbaren
ersten Führungsplatte 9 wird
durch einen oder mehrere angeordnete Endanschläge 7 begrenzt. Die zu
prüfende
Siliziumscheibe 17 wird auf der anderen Seite gegenüber der
Auflagefläche
mit mindestens einem Messbolzen 4 positioniert und unverrückbar fixiert.
Der bzw. die Messbolzen 4 sind an einer Aufnahmeplatte 3 angeordnet.
Die Aufnahmeplatte 3 ist über Ausgleichsfedern 15 an
einer Halteplatte 1 geführt
und gelenkig befestigt. Zwischen Halteplatte 1 und Aufnahmeplatte 3 ist
des weiteren mindestens ein Kraftsensor 2 zur Ermittlung
der über
die Messbolzen 4 einwirkenden Kraft angeordnet. Diese erfindungsgemäße Vorrichtung
ist zum Prüfen
von mono- oder polykristallinen Siliziumscheiben unterschiedlicher
Formen und Abmessungen, wie insbesondere von Solarzellen oder Siliziumwafern
geeignet, ist konstruktiv einfach aus wenigen beweglichen Teilen aufgebaut
und kann leicht als automatisierte Vorrichtung betrieben werden.
-
Beim
erfindungsgemäßen Verfahren
zum Prüfen
von mono- oder polykristallinen Siliziumscheiben wird die zu prüfende Siliziumscheibe 17,
wie an sich bekannt, mechanisch verformt und es werden Messdaten
aus einer Biegebeanspruchung ausgewertet. Allerdings nicht wie bisher
aus dem Stand der Technik bekannt, mittels Auswertung der elektrischen Messdaten. Überaschenderweise
wurde gefunden, dass eine Siliziumscheibe 17 bei zweimaliger
oder mehrmaliger hintereinander erfolgender mechanischer Verformung
bestimmten charakteristischen Veränderungen in dem Kraft-Weg-
Verläufen
unterliegt, die mittels geeigneter rechentechnischer Geräte verglichen
und ausgewertet werden können,
so dass allein an Hand der mechanisch einwirkenden Kräfte, der
Kraftverläufe
und der Wegverläufe
der Durchbiegungen die zu prüfenden
Siliziumscheiben 17 qualitativ selektiert und klassifiziert
werden können.
Die rein mechanischen Messdaten, die durch mehrmaliges Prüfen einer
in der erfindungsgemäßen Vorrichtung
fixierten Siliziumscheibe 17 gewonnen werden, werden erfindungsgemäß entweder
getaktet oder stetig aufgenommen, rechentechnisch gespeichert und
datentechnisch verglichen. Insbesondere werden die Werte von der über die
zu prüfende
Siliziumscheibe 17 auf den Kraftsensor 14 wirkenden Werte
der Kraft und die Durchbiegung der Siliziumscheibe 17 bei
jeder mechanischen Verformung als analoge oder digitalisierte Daten
ermittelt und/oder berechnet und verglichen.
-
Durch
dieses neuartige einfache Prüfverfahren
können
erstmals wiederholt einsetzbare Prüfbedingungen für verschiedene
Arten und Abmessungen von mono- oder polykristallinen Siliziumscheiben geschaffen
werden. Der Prüfprozess
ist problemlos automatisierbar und kann in bestehende Fertigungsprozesse
auf einfache Art und Weise integriert werden. Die mono- oder polykristallinen
Siliziumscheiben können
damit des weiteren erstmals einer zerstörungsfreien Prüfung unterzogen
werden und es lassen sich Klassifizierungen von Fehlerparametern feststellen,
auswerten und die Siliziumscheiben genau klassifizieren. Der wesentlichste
Vorteil des erfindungsgemäßen Verfahrens
zur Prüfung
von Siliziumscheiben ist, dass es nicht zum Bruch der Siliziumscheiben
kommen muss. Das Verfahren ist beliebig oft unter gleichen Prüfkriterien
für verschiedene
Arten von Siliziumscheiben fertigungstechnisch reproduzierbar und
kann leicht in eine automatisierte Fertigung, insbesondere auch
von Solarzellen integriert werden.
-
In
einer bevorzugten Ausbildung des erfindungsgemäßen Verfahren zum Prüfen von
mono- oder polykristallinen
Siliziumscheiben werden die ermittelten Werte aller Messpunkte und/oder
Fehler datentechnisch verglichen und es erfolgt eine umgehende Fehleranalyse
aller einzelnen Werteabweichungen.
-
Bei
erfindungsgemäßen Verfahren
zum Prüfen
von mono- oder polykristallinen Siliziumscheiben ist es auch möglich, dass
nur ermittelte Werte einzelner definiert ausgewählter Messpunkte und/oder Fehler
datentechnisch verglichen werden und nur eine Fehleranalyse dieser
einzelnen bestimmten Werteabweichungen erfolgt. Dadurch kann die
Zeitdauer des Prüfprozesses
wesentlich beschleunigt werden.
-
In
einem anders spezifizierten Verfahren zum Prüfen von mono- oder polykristallinen
Siliziumscheiben erfolgt jeweils eine Interpolation der Kraft-Weg-Geraden
jeder Verformung und die Berechnung des Anstieges der interpolierenden
Geraden über
die ermittelten Werte der Messpunkte. Anschließend werden die ermittelten
Werte datentechnisch verglichen und ins Verhältnis zueinandergesetzt und/oder
es erfolgt eine Fehleranalyse.
-
In
einer weiteren bevorzugten Verfahrensabwandlung zum Prüfen von
mono- oder polykristallinen Siliziumscheiben werden über die
ermittelten Werte der Messpunkte jeder mechanischen Verformung jeweils
einer Interpolation der Kraft-Weg-Kurven unterworfen. Es erfolgt
anschließend
eine Integration der datentechnisch vorliegenden rein mechanisch
ermittelten Ausgangswerte und die berechneten Werte werden mit mathematischen
Methoden datentechnisch verglichen.
-
In
einer besonderen Ausführung
des erfindungsgemäßen Verfahrens
zum Prüfen
von mono- oder polykristallinen
Siliziumscheiben unter Auswertung der Messdaten aus mehreren mechanischen Verformungen
wird der Prüfprozess
bereits bei der zweiten oder einer weiteren folgenden mechanischen
Verformung bei Erreichen bestimmter größerer definierter Veränderungen
(Grenzwertüberschreitung)
der Messwerte oder auch bei größeren Abweichungen
bereits nach relativ kurzer Dauer der Messwertermittlung der Messkurven
abgebrochen. Voraussetzung ist dabei eine stetige Ermittlung einzelner Messwerte
und der ständige
rechentechnische Vergleich der ermittelten Daten der aufeinanderfolgenden
mechanischen Verformungsprozesse. Dies hat den Vorteil, dass es
zu keiner weiteren mechanischen Schädigung der zu prüfenden Siliziumscheibe 17 kommt
und ein Zerbrechen der Prüflinge
zuverlässig
vermieden werden kann.
-
Die
erfindungsgemäße Vorrichtung
soll an Hand der 1 in einem Ausführungsbeispiel
näher erläutert werden.
Die 1 zeigt den schematischen Aufbau einer erfindungsgemäßen Vorrichtung
zum Prüfen
von mono- oder polykristallinen Siliziumscheiben mit der das erfindungsgemäße Verfahren
realisiert werden kann. Dabei ist in einem Gehäuse (nicht gezeichnet) eine
verfahrbare angetriebene Linearführung 13,
wie z. B. eine Linearachse angeordnet. Gleichfalls ist ein Mikrorechner
zum Speichern und Auswerten der ermittelten Daten in die erfindungsgemäße Vorrichtung
integriert. Des weiteren sind im Inneren der Vorrichtung vier Führungssäulen 8 verteilt so
angeordnet, dass auf jeweils zwei diagonal gegenüberliegenden Führungssäulen 8 je
eine erste Führungsplatte 9 und
je eine zweite Führungsplatte 11 höhenverfahrbar
angeordnet und geführt
sind. In der ersten Führungsplatte 9 und
der zweiten Führungsplatte 11 sind
Bohrungen an entsprechenden Stellen außen so angeordnet, dass in
denen zur spielfreien und präzisen
Führung
Führungsbuchsen 10 montiert sind,
die auf den Führungssäulen 8 leicht
und spielfrei gleiten. Zwischen den sich kreuzenden Führungsplatten 9 und 11 ist
zentrisch eine Distanzfeder 16 befestigt, die die Führungsplatten 9 und 11 voneinander
beabstandet. Auf der ersten Führungsplatte 9 sind
weiter innen neben den Führungsbuchsen 10 in
Richtung der zu prüfenden
Siliziumscheibe 17 hin je zwei zweite Auflagebolzen 6 angeordnet.
Gleichfalls sind auf der zweiten Führungsplatte 11 weiter
innen neben den Führungsbuchsen 10,
in Richtung der zu prüfenden
Siliziumscheibe 17 hin, je zwei erste Auflagebolzen 5 angeordnet.
Die Längen
der ersten Auflagebolzen 5 und der zweiten Auflagebolzen 6 sind
so aufeinander abgestimmt, dass deren Enden in der Ausgangsstellung
der Führungsplatten 9 und 11 in
der erfindungsgemäßen Vorrichtung
jeweils vier genau in einer Ebene liegende Auflagepunkte (oder auch
Auflageflächen)
für die
zu prüfende
Siliziumscheibe 17 bilden. Die zu prüfende Siliziumscheibe 17 ist
zunächst
auf diese Auflagepunkte lose aufgelegt.
-
Über der
zu prüfenden
Siliziumplatte 17 ist in der erfindungsgemäßen Vorrichtung
eine Halteplatte 1 angeordnet. An dieser Halteplatte 1 ist
in Richtung der zu prüfenden
mono- oder polykristallinen
Siliziumplatte 17 hin eine Aufnahmeplatte 3 zur
Aufnahme der auszuwertenden Druckkräfte befestigt. Diese Aufnahmeplatte 3 ist
mit Ausgleichsfedern 15 belastungsfrei, kraftneutral und
selbstjustierend an der Halteplatte 1 aufgehangen. Zwischen
Halteplatte 1 und Aufnahmeplatte 3 ist ein Kraftsensor 2 zur
Auswertung der Kraftverläufe
während
des Biegeprozesses der Siliziumscheibe 17 zentrisch angeordnet. Hier
im vorliegenden Ausführungsbeispiel
ist des weiteren ein Verbindungsbolzen 14 zwischenmontiert,
der über
ein Kugelgelenk auf den Kraftaufnehmer des Kraftsensors 2 wirkt.
An der Aufnahmeplatte 3 sind links und rechts außen zwei
Messbolzen 4 angeordnet. Diese Messbolzen 4 befinden
sich in einer Flucht mit den zweiten Auflagebolzen 6, d.
h. ihre Mittelpunkte sind deckungsgleich mit den Mittelpunkten der
zweiten Auflagebolzen 6. Anstelle eines zentrisch angeordneten
zentralen Kraftsensors 2 können auch zwei oder mehrere
Kraftsensoren an der Aufnahmeplatte 3 angeordnet sein.
-
Die
in die Vorrichtung eingelegte und auf den vier Auflagepunkten der
Auflagebolzen 5 und 6 aufliegende mono- oder polykristalline
Siliziumscheibe 17 wird zunächst in Richtung der Messbolzen 4 verfahren
bis die Siliziumscheibe 17 an den Auflageflächen der
beiden Messbolzen 4 anliegt. Dabei werden alle beiden ersten
Auflagebolzen 5 über
die zweite Führungsplatte 11 nach
oben in Richtung der zu prüfenden
Siliziumscheibe 17 bewegt. Gleichzeitig werden über die
hier in diesem speziellen Ausführungsbeispiel
zentral angeordnete Distanzfeder 16 gekoppelten zweiten
Auflagebolzen 6 über
die erste Führungsplatte 9 mit
nach oben bewegt. Dies erfolgt, indem der Mitnehmerarm 12 der
Linearführung 13 in Richtung
der Messbolzen 4 verfahren wird. Die eigentliche Prüfposition
ist erreicht, wenn die zu prüfende
Siliziumscheibe 17 an den Messbolzen anliegt, d. h. die
zu prüfende
Siliziumscheibe 17 ist nunmehr zuverlässig fixiert. Damit die Siliziumscheibe 17 in dieser
Position exakt fixiert bleibt, läuft
die erste Führungsplatte 9 gegen
zwei Endanschläge 7.
Ein weiteres Verfahren nach oben ist deshalb für die beiden zweiten Auflagebolzen 6 in
dieser Prüfposition
nicht mehr möglich.
Beim weiteren nach oben Verfahren der zweiten Führungsplatte 11 wird
die zu prüfende Siliziumscheibe 17 diagonal
nach oben gebogen (mechanisch verformt), da sich die beiden ersten
Auflagebolzen 5 weiter nach oben bewegen, während die
beiden zweiten Auflagebolzen 6 aufgrund der Endanschläge 7 in
Prüfstellung
verharren. Die Distanzfeder 16 wird dabei weiter zusammengedrückt. Von oben
wird über
die beiden Messbolzen 4 die Kraft, die auf die Messbolzen 4 wirkt,
mittels des Kraftsensors 2 gemessen. Die Messsignale werden
vom ersten angezeigten Messsignal an aufgezeichnet. Gleichzeitig
wird der zurückgelegte
Weg des Mitnehmerarms 12 ab Erreichen der Prüfposition
genau gemessen und aufgezeichnet. Die mechanische Verformung der
Siliziumscheibe 17 wird bis zu einem definierten Verformungspunkt,
welcher einem vorher definierten Prüfkriterium entspricht, fortgeführt. Dieses Prüfkriterium
wird in Abhängigkeit
von der Form, der Größe und der
Materialzusammensetzung, der zu prüfenden mono- oder polykristallinen
Siliziumscheiben 17 bestimmt. Nach dem Stopp eines ersten
Prüfprozesses
wird die Vorrichtung in die Ausgangslage nach unten zurückgefahren.
Die Messwerte der Kraft-Wegverläufe
werden datentechnisch gespeichert. Anschließend erfolgt ein zweiter in
der Regel mit gleichen Wegverläufen
beaufschlagter Prüfprozess,
wobei wiederum die analogen Messdaten, d. h. die einwirkenden Kräfte, die
Kraftverläufe
und die Wegverläufe
der Durchbiegungen der Siliziumscheibe 17 stetig aufgenommen
und gespeichert werden. Anschließend erfolgt ein Vergleich
der aufgenommenen und gespeicherten Daten beider mechanischen Verformungen.
Bei qualitativ fehlerfreien Siliziumscheiben sind die vergleichbaren
Daten des ersten mechanischen und zweiten mechanischen Verformungsprozesses
identisch oder liegen innerhalb geringer Abweichungen. Solcherart
Siliziumscheiben 17 sind dann nicht nur mechanisch fehlerfrei,
sondern es ist dann auch zu erwarten, dass diese geprüften Siliziumscheiben 17 die
zu erwartenden weiteren mechanischen Belastungen währen des
weiteren Herstellungsprozesses, z. B. für Solarzellenmodule, erfüllen. Durch
dieses neuartige, einfache und schnelle Verfahren zum Prüfen mono-
oder polykristallinen Siliziumscheiben werden die auftretenden werkstoff-
und fertigungstechnisch bedingten Fehler sehr zuverlässig erkannt. Über den
problemlosen datentechnischen Vergleich (bevorzugt über geeignete Mikrorechner)
der ermittelten Werte und/oder Fehler und der sich daraus ergebenden
Kraft-Weg-Verläufe der
beiden oder mehreren mechanischen Verformungen können die Siliziumscheiben genau
klassifiziert werden.
-
- 1
- Halteplatte
- 2
- Kraftsensor
- 3
- Aufnahmeplatte
- 4
- Messbolzen
- 5
- Erster
Auflagebolzen
- 6
- Zweiter
Auflagebolzen
- 7
- Endanschlag
- 8
- Führungssäule
- 9
- erste
Führungsplatte
- 10
- Führungsbuchse
- 11
- zweite
Führungsplatte
- 12
- Mitnehmerarm
- 13
- Linearführung
- 14
- Verbindungsbolzen
- 15
- Ausgleichsfeder
- 16
- Distanzfeder
- 17
- Siliziumscheibe