DE102005044716A1

DE102005044716A1 - Active optical element

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Publication number: DE102005044716A1
Application number: DE200510044716
Authority: DE
Inventors: Christian Dr. Münster
Original assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Current assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date: 2005-09-19
Filing date: 2005-09-19
Publication date: 2007-04-05
Also published as: WO2007033964A1

Abstract

Optisches Element, umfassend einen Grundkörper (10.1) und wenigstens eine mit dem Grundkörper (10.1) verbundene, durch Anlegen wenigstens eines ersten Feldes (13) verformbare aktive erste Schicht (10.2), wobei die erste Schicht (10.2) als Korrekturschicht zur durch Anlegen des ersten Feldes (13) induzierten, verformungsbedingten, zumindest lokalen und zumindest teilweisen Korrektur wenigstens eines ersten Fehlers des optischen Elements (10) ausgebildet ist.An optical element comprising a base body (10.1) and at least one active first layer (10.2) connected to the base body (10.1) and deformable by applying at least one first field (13), the first layer (10.2) being used as a correction layer for the application of the first field (13) induced, deformation-induced, at least local and at least partial correction of at least one first error of the optical element (10) is formed.

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNGBACKGROUND THE INVENTION

Die vorliegende Erfindung betrifft ein aktives optisches Element und eine ein solches aktives optisches Element umfassende optische Einrichtung. Die Erfindung lässt sich im Zusammenhang mit der bei der Herstellung mikroelektronischer Schaltkreise verwendeten Mikrolithographie einsetzen. Sie betrifft daher weiterhin eine Objektiveinrichtung, die sich insbesondere für die Anwendung in einer Mikrolithographieeinrichtung eignet, sowie eine eine solche Objektiveinrichtung umfassende Mikrolithographieeinrichtung. Schließlich betrifft die Erfindung ein Verfahren zum Korrigieren eines Fehlers einer optischen Einrichtung und ein dieses Verfahren verwendendes Abbildungsverfahren.The The present invention relates to an active optical element and an optical device comprising such an active optical element. The Invention leaves associated with in the manufacture of microelectronic Circuits used to use microlithography. It therefore concerns continue to use a lens device, especially for the application in a microlithography device and one such Lens comprehensive microlithography device. Finally, concerns the invention a method for correcting a fault of a optical device and an imaging method using this method.

Insbesondere im Bereich der Mikrolithographie ist es neben der exakten Positionierung der verwendeten optischen Elemente der Objektiveinrichtung, also beispielsweise der Linsen oder Spiegel, unter anderem erforderlich, die verwendeten optischen Elemente mit möglichst hoher Präzision auszuführen, um eine entsprechend hohe Abbildungsqualität zu erzielen. Die hohen Genauigkeitsanforderungen, die im mikroskopischen Bereich in der Größenordnung weniger Nanometer oder darunter liegen, sind dabei nicht zuletzt eine Folge des ständigen Bedarfs, die Auflösung der bei der Herstellung mikroelektronischer Schaltkreise verwendeten optischen Systeme zu erhöhen, um die Miniaturisierung der herzustellenden mikroelektronischen Schaltkreise voranzutreiben.Especially In the field of microlithography, it is next to the exact positioning the optical elements of the lens device used, ie for example, the lenses or mirrors, among other things, required To perform the optical elements used with the highest possible precision to to achieve a correspondingly high image quality. The high accuracy requirements, those in the microscopic range of the order of a few nanometers or below are not least a consequence of the constant need, the resolution used in the manufacture of microelectronic circuits increase optical systems, about the miniaturization of the microelectronic devices to be produced To advance circuits.

Mit der erhöhten Auflösung und der damit in der Regel einhergehenden Verringerung der Wellenlänge des verwendeten Lichts steigen nicht nur die Anforderungen an die Positioniergenauigkeit und die Formtreue der verwendeten optischen Elemente. Es steigen natürlich auch die Anforderungen hinsichtlich der Minimierung der Abbildungsfehler sowohl der einzelnen optischen Elemente als auch der gesamten optischen Anordnung.With the heightened resolution and the associated usually reducing the wavelength of the used light not only increase the requirements for the positioning accuracy and the dimensional accuracy of the optical elements used. It's rising Naturally also the requirements with regard to the minimization of aberrations both the individual optical elements and the entire optical Arrangement.

Um bei geringen Arbeitswellenlängen im UV-Bereich, beispielsweise mit Arbeitswellenlängen im Bereich von 193 nm, insbesondere aber auch im so genannten extremen UV-Bereich (EUV) mit Arbeitswellenlängen im Bereich von 13 nm, die hohen Anforderungen an die Formtreue bzw. die Minimierung des so genannten Passefehlers der verwendeten optischen Elemente im mikroskopischen Bereich einzuhalten, wird häufig vorgeschlagen, die optischen Elemente aus einem Grundkörper und einer Reihe von darauf aufgebrachten unterschiedlichen Schichten auszubilden. Die unterschiedlichen Schichten werden dann durch entsprechende Feinbearbeitungsmethoden, wie Läppen oder Ionenstrahlbearbeitung etc., lokal abgetragen, um den Passefehler zu reduzieren. Derartige Verfahren sind beispielsweise aus der US 2002/0171922 A1 (Shiraishi et al.), der US 2003/0058986 A1 (Oshino et al.), der US 2003/0081722 A1 (Kandaka et al.), der US 2003/0147139 A1 (Kandaka et al.) sowie der US 2004/0061868 A1 (Chapman et al.) bekannt. Aus der US 5,757,017 (Braat) ist es in diesem Zusammenhang weiterhin bekannt, auf eine reflektierende Oberfläche eines Spiegels eine transparente Korrekturschicht aufzubringen, welche geometrische Fehler der Oberfläche durch lokal unterschiedliche Schichtdicke ausgleicht.At low operating wavelengths in the UV range, for example with operating wavelengths in the range of 193 nm, but especially in the so-called extreme UV range (EUV) with working wavelengths in the range of 13 nm, the high demands on the form fidelity or minimization of the so-called Passefehlers of the optical elements used in the microscopic range, it is often proposed to form the optical elements of a main body and a series of different layers applied thereto. The different layers are then removed locally by appropriate finishing methods, such as lapping or ion beam machining, etc., in order to reduce the pass error. Such methods are known, for example, from US 2002/0171922 A1 (Shiraishi et al.), US 2003/0058986 A1 (Oshino et al.), US 2003/0081722 A1 (Kandaka et al.), US 2003/0147139 A1 (Kandaka et al.) And US 2004/0061868 A1 (Chapman et al.). From the US 5,757,017 (Braat) it is also known in this context to apply to a reflective surface of a mirror, a transparent correction layer, which compensates geometric errors of the surface by locally different layer thickness.

Alle diese Verfahren weisen den Nachteil auf, dass die Korrektur des jeweiligen Fehlers an dem betreffenden optischen Element in der Regel vorab, d. h. vor dem Einbau in die jeweilige Objektiveinrichtung erfolgen muss. Fehler, bei oder nach dem Einbau, z. B. im Betrieb, auftreten bzw. erst nach dem Einbau erfasst werden, können nicht ohne weiteres korrigiert werden. Sie erfordern gegebenenfalls einen in der Regel sehr aufwändigen erneuten Ausbau und eine Nachbearbeitung des betreffenden optischen Elements.All These methods have the disadvantage that the correction of the respective error on the relevant optical element in the Rule in advance, d. H. before installation in the respective lens device must be done. Error, during or after installation, eg. B. in operation, occur or can be detected only after installation, can not be corrected easily. They may require an in usually very elaborate renewed and reworked the relevant optical element.

Aus der US 5,710,657 (Um) ist es im Zusammenhang mit einzelnen Pixeln zugeordneten Umlenkspiegeln für Videoprojektoren weiterhin bekannt, die Auslenkung des Spiegels über ein verformbares Substrat zu erzielen, auf dem die reflektierende Oberfläche des Spiegels aufgebracht ist. Das Substrat ist dabei durch ein elektrisches oder magnetisches Feld verformbar. Zwar lässt sich hierbei die makroskopische Geometrie des Spiegels zu einem beliebigen Zeitpunkt problemlos ändern. Nach wie vor besteht aber auch hier das Problem, dass eine Abweichung der reflektierenden Oberfläche des Spiegels von einer Soll-Geometrie hierdurch nicht beseitigt wird. Eine ähnliche Einrichtung zur Auslenkung von Spiegeln mit demselben Nachteil ist aus der US 6,661,561 B2 (Fitzpatrick et al.) bekannt. Allerdings wird hier die Verformung des Substrats für die reflektierende Oberfläche des Spiegels durch die elektrostatische Anziehungskraft zwischen zwei Kondensatorplatten verwendet, von denen eine am Substrat befestigt ist.From the US 5,710,657 In order to achieve the deflection of the mirror over a deformable substrate on which the reflecting surface of the mirror is applied, it is also known (see above), in connection with individual pixels associated deflection mirrors for video projectors. The substrate is deformable by an electric or magnetic field. Although the macroscopic geometry of the mirror can be easily changed at any time. As before, however, there is also the problem here that a deviation of the reflecting surface of the mirror from a desired geometry is not eliminated by this. A similar device for the deflection of mirrors with the same disadvantage is known from US Pat. No. 6,661,561 B2 (Fitzpatrick et al.). However, here the deformation of the substrate for the reflecting surface of the mirror is used by the electrostatic attraction between two capacitor plates, one of which is fixed to the substrate.

Aus der US 4,989,958 (Hamada et al.) und der WO 2004/084262 A2 (Viinikanoja) ist es weiterhin im Zusammenhang mit optischen Systemen für Videokameras etc. bekannt, die makroskopische Geometrie gelförmiger oder flüssiger Linsen durch externe elektrische Felder zu modifizieren. Hier besteht aber das Problem, dass diese gelförmigen oder flüssigen Linsen nur für eine vergleichsweise grobe Einstellung ihrer makroskopischen Geometrie geeignet sind.From the US 4,989,958 (Hamada et al.) And WO 2004/084262 A2 (Viinikanoja) it is also known in the context of optical systems for video cameras, etc., to modify the macroscopic geometry of gel or liquid lenses by external electric fields. Here, however, there is the problem that these gel or liquid lenses are only suitable for a comparatively coarse adjustment of their macroscopic geometry.

KURZE ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNGSHORT SUMMARY THE INVENTION

Der vorliegenden Erfindung liegt daher die Aufgabe zu Grunde, ein optisches Element bzw. eine optische Einrichtung sowie ein Verfahren zur Fehlerkorrektur bei einer optischen Einrichtung bzw. ein Abbildungsverfahren zur Verfügung zu stellen, welches bzw. welche die oben genannten Nachteile nicht oder zumindest in geringerem Maße aufweist und insbesondere auf einfache Weise jederzeit eine, insbesondere im mikroskopischen Bereich liegende, Fehlerkorrektur ermöglicht.Of the The present invention is therefore based on the object, an optical Element or an optical device and a method for error correction in an optical device or an imaging method for disposal to provide which or which do not have the above-mentioned disadvantages or at least to a lesser extent and in particular in a simple manner at any time, in particular in the microscopic range, allows error correction.

Der vorliegenden Erfindung liegt weiterhin die Aufgabe zu Grunde, ein optisches Element bzw. eine optische Einrichtung sowie ein Verfahren zur Fehlerkorrektur bei einer optischen Einrichtung bzw. ein Abbildungsverfahren zur Verfügung zu stellen, welches bzw. welche auf einfache Weise eine, insbesondere im mikroskopischen Bereich liegende, Fehlerkorrektur an der optischen Einrichtung ohne das Erfordernis spezieller Handhabungsvorgänge an dem optischen Element bzw. der optischen Einrichtung ermöglicht.Of the The present invention is further based on the object, a optical element or an optical device and a method for error correction in an optical device or an imaging method to disposal to provide, which or which in a simple way one, in particular in the microscopic range, error correction at the optical Device without the need for special handling operations on the optical element or the optical device allows.

Es sei an dieser Stelle angemerkt, dass sich der "mikroskopische Bereich" im Sinne der vorliegenden Erfindung insbesondere im Sub-Mikrometerbereich bis hin zum Sub-Nanometerbereich, insbesondere in den Bereich weniger Angström, erstreckt. Insbesondere erstreckt er sich im Bereich weniger Hundert Mikrometer bis hin zum Bereich weniger Nanometer.It It should be noted at this point that the "microscopic area" within the meaning of the present Invention especially in the sub-micron range up to the sub-nanometer range, especially in the area of less angstroms. Especially it extends in the range of a few hundred microns right up to to the range of a few nanometers.

Der vorliegenden Erfindung liegt die Erkenntnis zu Grunde, dass eine solche Fehlerkorrektur jederzeit in einfacher Weise und ohne spezielle Handhabungsvorgänge möglich ist, wenn die erste Schicht als Korrekturschicht ausgebildet ist, die zur durch Anlegen des ersten Feldes induzierten, verformungsbedingten, zumindest lokalen und zumindest teilweisen Korrektur wenigstens eines ersten Fehlers des optischen Elements bzw. einer das optische Elements umfassenden optischen Elementgruppe ausgebildet ist.Of the The present invention is based on the finding that a such error correction at any time in a simple manner and without special handling operations possible is when the first layer is formed as a correction layer, those induced by the application of the first field, deformation-induced, at least local and at least partial correction at least a first error of the optical element or one of the optical Element comprehensive optical element group is formed.

Es hat sich gezeigt, dass durch eine solche durch das erste Feld induzierte lokale Verformung der ersten Schicht in einfacher Weise zum einen eine lokale Korrektur eines geometrischen Fehlers als auch eines Abbildungsfehlers des jeweiligen optischen Elements möglich ist. Ebenso ist es hiermit aber gegebenenfalls auch möglich, Abbildungsfehler anderer optischer Elemente im Strahlengang zu korrigieren.It has been shown to be induced by such by the first field local deformation of the first layer in a simple manner on the one hand a local correction of a geometric error as well as a Image defect of the respective optical element is possible. Likewise, it is also possible, if necessary, aberrations of others correct optical elements in the beam path.

Die Korrektur ist dabei jederzeit in situ durch entsprechende Modifikation des ersten Feldes an nahezu beliebige Randbedingungen anpassbar, ohne dass hierfür eine besondere Handhabung des ersten optischen Elements nötig wäre. Insbesondere kann die Korrektur gegebenenfalls jederzeit im Betrieb der optischen Einrichtung erfolgen, deren Teil das erste optische Element ist. So kann gegebenenfalls auch eine entsprechende automatische Regelung des Korrekturvorgangs vorgesehen sein, welche die Korrektur des ersten Fehlers an sich ändernde Randbedingungen anpasst.The Correction is always in situ by appropriate modification the first field can be adapted to almost any boundary conditions, without that a special handling of the first optical element would be necessary. Especially Optionally, the correction may be at any time during operation of the optical Device made part of which is the first optical element. Thus, if appropriate, a corresponding automatic control the correction process be provided which the correction of first error changing Adjusts boundary conditions.

Dabei hat es sich gezeigt, dass im mikroskopischen Bereich durch die derzeit technisch erzielbare Variation der Feldstärke Korrekturen im Bereich weniger Nanometer möglich sind, während durch die derzeit technisch erzielbare Variation der Feldverteilung, also die Variation der Feldliniendichte, Korrekturen im Bereich weniger hundert Mikrometer bis hinunter zu etwa 50 Mikrometern möglich sind. Bei weiter fortschreitender technischer Entwicklung ist jedoch auch vorstellbar, dass durch Variation der Feldverteilung bzw. der Feldliniendichte Korrekturen im Sub-Mikrometerbereich möglich sind.there It has been shown that microscopically by the present technically achievable variation of the field strength corrections in the range less Nanometer possible are while by the currently technically achievable variation of the field distribution, So the variation of the field line density, corrections in the range less than a hundred microns down to about 50 microns are possible. However, as technology advances, so too conceivable that by varying the field distribution or the field line density Corrections in the sub-micrometer range are possible.

Ein Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist daher ein optisches Element umfassend einen Grundkörper und wenigstens eine mit dem Grundkörper verbundene, durch Anlegen wenigstens eines ersten Feldes verformbare aktive erste Schicht. Die erste Schicht ist als Korrekturschicht zur durch Anlegen des ersten Feldes induzierten, verformungsbedingten, zumindest lokalen und zumindest teilweisen Korrektur wenigstens eines ersten Fehlers des optischen Elements ausgebildet.One The subject of the present invention is therefore an optical element comprising a main body and at least one connected to the body by applying at least a first field deformable active first layer. The first layer is used as a correction layer by applying the first field induced, deformation-induced, at least local and at least partially correcting at least a first error formed of the optical element.

Ein weiterer Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist eine optische Einrichtung mit wenigstens einem erfindungsgemäßen optischen Element, wobei das optische Element insbesondere Bestandteil einer optischen Elementgruppe mit einer Mehrzahl optischer Elemente ist.One Another object of the present invention is an optical Device with at least one optical element according to the invention, wherein the optical element in particular part of an optical element group with a plurality of optical elements.

Ein weiterer Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist eine optische Einrichtung mit einer optischen Elementgruppe, wobei die optische Elementgruppe eine Mehrzahl optischer Elemente umfasst und die Mehrzahl optischer Elemente wenigstens ein erstes optisches Element umfasst. Das erste optische Element umfasst einen Grundkörper und wenigstens eine mit dem Grundkörper verbundene, durch Anlegen eines ersten Feldes verformbare aktive erste Schicht. Die erste Schicht ist als Korrekturschicht zur durch Anlegen des ersten Feldes induzierten, verformungsbedingten, zumindest lokalen und zumindest teilweisen Korrektur wenigstens eines ersten Fehlers der optischen Elementgruppe ausgebildet.One Another object of the present invention is an optical Device with an optical element group, wherein the optical Element group comprises a plurality of optical elements and the plurality optical elements comprises at least a first optical element. The first optical element comprises a base body and at least one with the main body connected, deformable by applying a first field active first shift. The first layer is used as a correction layer for Creating the first field induced, deformation-induced, at least local and at least partial correction of at least a first Error of the optical element group formed.

Ein weiterer Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist ein Objektiv, insbesondere für eine Mikrolithographieeinrichtung, mit einer erfindungsgemäßen optischen Einrichtung. Ein wei terer Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist eine Mikrolithographieeinrichtung zum Transferieren eines auf einer Maske gebildeten Musters auf ein Substrat mit einem optischen Projektionssystem, das ein erfindungsgemäßes Objektiv umfasst.Another object of the present invention is a lens, in particular for a Mi. krolithographieeinrichtung, with an optical device according to the invention. A further subject of the present invention is a microlithography device for transferring a pattern formed on a mask onto a substrate with a projection optical system comprising an objective according to the invention.

Ein weiterer Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zum Korrigieren eines Fehlers einer optischen Einrichtung, wobei in einem ersten Schritt eine optische Einrichtung zur Verfügung gestellt wird, die wenigstens ein erstes optisches Element umfasst, das einen Grundkörper und eine damit verbundene erste Schicht aufweist, die als eine durch Anlegen wenigstens eines ersten Feldes verformbare aktive Schicht ausgeführt ist. In dem ersten Schritt wird dabei ein erstes optisches Element zur Verfügung gestellt, dessen erste Schicht als Korrekturschicht zur durch Anlegen des ersten Feldes induzierten, verformungsbedingten, zumindest lokalen und zumindest teilweisen Korrektur wenigstens eines ersten Fehlers der optischen Einrichtung ausgebildet ist. In einem zweiten Schritt wird der erste Fehler dann durch Anlegen des ersten Feldes zumindest lokal und zumindest teilweise korrigiert.One Another object of the present invention is a method for correcting a failure of an optical device, wherein in a first step, an optical device provided which comprises at least a first optical element, the one body and having a first layer associated therewith that acts as one Creating at least a first field deformable active layer accomplished is. In the first step is thereby a first optical element for disposal Its first layer as a correction layer to by applying the first field induced, deformation-induced, at least local and at least partial correction of at least a first error of optical device is formed. In a second step the first error is then at least by applying the first field locally and at least partially corrected.

Ein weiterer Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist schließlich ein Abbildungsverfahren, insbesondere ein Mikrolithographieverfahren, bei dem in einem Abbildungsschritt mit einem optischen Projektionssystem ein auf einer Maske gebildetes Muster auf ein Substrat transferiert wird. In dem Abbildungsschritt wird dabei ein Projektionssystem verwendet, das wenigstens eine optische Einrichtung mit einem ersten optischen Element umfasst, das einen Grundkörper und eine damit verbundene erste Schicht aufweist, die als eine durch Anlegen wenigstens eines ersten Feldes verformbare aktive Schicht ausgeführt ist. In dem Abbildungsschritt wird weiterhin ein erstes optisches Element verwendet, dessen erste Schicht als Korrekturschicht zur durch Anlegen des ersten Feldes induzierten, verformungsbedingten, zumindest lokalen und zumindest teilweisen Korrektur wenigstens eines ersten Fehlers der optischen Einrichtung ausgebildet ist. In dem Abbildungsschritt erfolgt dann eine zumindest lokale und zumindest teilweise Korrektur des ersten Fehlers mit einem erfindungsgemäßen Verfahren zum Korrigieren eines Fehlers einer optischen Einrichtung.One Another object of the present invention is finally a Imaging method, in particular a microlithography method, in an imaging step with a projection optical system a pattern formed on a mask is transferred to a substrate becomes. In the imaging step becomes a projection system used, the at least one optical device with a first optical element comprising a body and an associated having first layer, which as a by applying at least one first field deformable active layer is executed. In the imaging step Furthermore, a first optical element is used whose first Layer as correction layer for by applying the first field induced, deformation-induced, at least local and at least partial correction of at least a first error of the optical device is trained. In the imaging step, then at least one local and at least partial correction of the first error with a method according to the invention for correcting an error of an optical device.

Es sei an dieser Stelle angemerkt, dass der Begriff "Schicht" im Sinne der vorliegenden Erfindung nicht nur eine einzelne Lage aus einem einzigen Werkstoff umfassen soll. Vielmehr soll dieser Begriff auch funktionale Einheiten umfassen, die gegebenenfalls aus mehreren Lagen aufgebaut sind. Mit anderen Worten kann eine "Schicht" im Sinne der vorliegenden Erfindung auch selbst wiederum mehrere unterschiedliche Lagen umfassen, die gegebenenfalls aus unterschiedlichen Materialien bestehen können. Insbesondere kann eine "Schicht" im Sinne der vorliegenden Erfindung von einem so genannten Multilayer-System gebildet sein.It It should be noted at this point that the term "layer" in the sense of the present Invention not just a single layer of a single material should include. Rather, this term is also functional units include, which are optionally composed of several layers. In other words, a "layer" in the sense of the present Invention itself also comprise several different layers, which may optionally consist of different materials. Especially can be a "layer" in the sense of the present Invention be formed by a so-called multilayer system.

Weitere bevorzugte Ausgestaltungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen bzw. der nachstehenden Beschreibung bevorzugter Ausführungsbeispiele, welche auf die beigefügten Zeichnungen Bezug nimmt.Further preferred embodiments of the invention will become apparent from the dependent claims or the below description of preferred embodiments, which the attached Drawings reference.

KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGENBRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

1 ist eine schematische Darstellung einer bevorzugten Ausführungsform der erfindungsgemäßen Mikrolithographieeinrichtung mit einer eine bevorzugte Ausführungsform des erfindungsgemäßen optischen Elements umfassenden bevorzugten Ausführungsform der erfindungsgemäßen optischen Einrichtung; 1 is a schematic representation of a preferred embodiment of the microlithography device according to the invention with a preferred embodiment of the optical device according to the invention comprising a preferred embodiment of the optical element according to the invention;

2 ist eine schematische Schnittdarstellung eines Details des optischen Elements aus 1 ohne anliegendes Feld; 2 is a schematic sectional view of a detail of the optical element 1 without adjoining field;

3 ist eine schematische Schnittdarstellung des Details aus 2 mit anliegendem Feld; 3 is a schematic sectional view of the details 2 with adjoining field;

4 ist ein Ablaufdiagramm einer bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Abbildungsverfahrens mit der Mikrolithographieeinrichtung aus 1, bei dem eine bevorzugte Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens zum Korrigieren eines Fehlers einer optischen Einrichtung Anwendung findet; 4 is a flowchart of a preferred embodiment of the imaging method according to the invention with the microlithography device 1 in which a preferred embodiment of the method according to the invention for correcting a fault of an optical device is used;

5 ist eine schematische Darstellung einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der erfindungsgemäßen Mikrolithographieeinrichtung mit einer eine bevorzugte Ausführungsform des erfindungsgemäßen optischen Elements umfassenden bevorzugten Ausführungsform der erfindungsgemäßen optischen Einrichtung; 5 is a schematic representation of another preferred embodiment of the microlithography device according to the invention with a preferred embodiment of the optical device according to the invention comprising a preferred embodiment of the optical element according to the invention;

6 ist eine schematische Schnittdarstellung eines Details des optischen Elements aus 5 ohne anliegendes Feld; 6 is a schematic sectional view of a detail of the optical element 5 without adjoining field;

7 ist eine schematische Schnittdarstellung des Details aus 6 mit anliegendem Feld; 7 is a schematic sectional view of the details 6 with adjoining field;

8 ist eine schematische Schnittdarstellung eines Details einer weiteren bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen optischen Elements ohne anliegendes Feld; 8th is a schematic sectional view of a detail of another preferred embodiment of the optical element according to the invention without adjacent field;

9 ist eine schematische Schnittdarstellung des Details aus 8 mit anliegendem Feld; 9 is a schematic sectional view of the details 8th with adjoining field;

10 ist eine schematische Darstellung einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der erfindungsgemäßen Mikrolithographieeinrichtung mit einer eine bevorzugte Ausführungsform des erfindungsgemäßen optischen Elements umfassenden bevorzugten Ausführungsform der erfindungsgemäßen optischen Einrichtung; 10 is a schematic representation of another preferred embodiment of the microlithography device according to the invention with a preferred embodiment of the optical device according to the invention comprising a preferred embodiment of the optical element according to the invention;

11 ist eine schematische Schnittdarstellung eines Details einer weiteren bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen optischen Elements ohne anliegendes Feld; 11 is a schematic sectional view of a detail of another preferred embodiment of the optical element according to the invention without adjacent field;

12 ist eine schematische Darstellung einer Draufsicht auf ein Detail der Ausführung aus 11; 12 is a schematic representation of a plan view of a detail of the embodiment 11 ;

13 ist eine schematische Schnittdarstellung eines Details einer weiteren bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen optischen Elements ohne anliegendes Feld; 13 is a schematic sectional view of a detail of another preferred embodiment of the optical element according to the invention without adjacent field;

14 ist eine schematische Schnittdarstellung des Details aus 13 mit anliegendem Feld; 14 is a schematic sectional view of the details 13 with adjoining field;

DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNGDETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

Erstes AusführungsbeisgielFirst execution example

Unter Bezugnahme auf die 1 bis 3 wird zunächst eine bevorzugte Ausführungsform des erfindungsgemäßen optischen Elements als Teil einer bevorzugten Ausführungsform der erfindungsgemäßen optischen Einrichtung für ein Objektiv für die Mikrolithographie beschrieben.With reference to the 1 to 3 First, a preferred embodiment of the optical element according to the invention as part of a preferred embodiment of the optical device for a microlithography lens according to the invention will be described.

1 zeigt eine schematische Darstellung einer bevorzugten Ausführungsform der erfindungsgemäßen Mikrolithographieeinrichtung 1, die mit Licht im extremen UV-Bereich (EUV) arbeitet. Die Mikrolithographieeinrichtung 1 umfasst ein optisches Projektionssystem 2 mit einem Beleuchtungssystem 3, einer Maske 4 und einer optischen Einrichtung in Form eines Objektivtubus 5 mit einer optischen Achse 5.1. Das Beleuchtungssystem 3 beleuchtet über ein entsprechendes – nicht näher dargestelltes – Lichtleitsystem die reflektierend ausgebildete Maske 4. Auf der Maske 4 befindet sich ein Muster, welches über die im Objektivtubus 5 angeordneten optischen Elemente auf ein Substrat 6, beispielsweise einen Wafer, projiziert wird. 1 shows a schematic representation of a preferred embodiment of the microlithography device according to the invention 1 , which works with light in the extreme UV range (EUV). The microlithography device 1 includes an optical projection system 2 with a lighting system 3 , a mask 4 and an optical device in the form of a lens barrel 5 with an optical axis 5.1 , The lighting system 3 illuminated via a corresponding - not shown - - the light guide system, the reflective mask 4 , On the mask 4 there is a pattern, which on the in the lens barrel 5 arranged optical elements on a substrate 6 , For example, a wafer is projected.

Der Objektivtubus 5 umfasst eine optische Elementgruppe 5.2, die von einer Reihe von optischen Elementen 7, 8, 9, 10 gebildet ist. Wegen der Arbeitswellenlänge im EUV-Bereich (13 nm) handelt es sich bei den optischen Elementen 7, 8, 9, 10 um reflektierende optische Elemente, also Spiegel oder dergleichen. Diese weisen bei der gezeigten koaxialen Anordnung der optischen Elemente 7, 8, 9, 10 entsprechende – nicht näher dargestellte – Ausnehmungen auf, um den Lichtdurchgang durch die optische Elementgruppe 5.2 zu gewährleisten.The lens barrel 5 comprises an optical element group 5.2 made of a series of optical elements 7 . 8th . 9 . 10 is formed. Because of the working wavelength in the EUV range (13 nm), the optical elements are 7 . 8th . 9 . 10 to reflective optical elements, ie mirrors or the like. These have in the illustrated coaxial arrangement of the optical elements 7 . 8th . 9 . 10 corresponding - not shown - recesses on the passage of light through the optical element group 5.2 to ensure.

Die 2 und 3 zeigen schematische, nicht maßstäbliche Schnittdarstellungen eines Details des optischen Elements 10 aus 1, das als Spiegel ausgeführt ist. Der Spiegel 10 umfasst einen Grundkörper 10.1, auf den eine aktive erste Schicht 10.2 aufgebracht ist.The 2 and 3 show schematic, not to scale sectional views of a detail of the optical element 10 out 1 which is designed as a mirror. The mirror 10 includes a main body 10.1 on which an active first layer 10.2 is applied.

Zwischen der ersten Schicht 10.2 und dem Grundkörper 10.1 ist eine Spannungsreduzierungsschicht 10.3 (so genannte anti stress layer) vorgesehen. Diese Spannungsreduzierungsschicht 10.3 baut Spannungen zwischen der ersten Schicht 10.2 und dem Grundkörper 10.1 ab, die in Folge von Zugkräften zwischen der ersten Schicht 10.2 und dem Grundkörper 10.1 auftreten könnten. So werden Verformungen des Grundkörpers 10.1 durch derartige Zugkräfte, wie sie beispielsweise beim Schichtaufbau auftreten können, vermie den. Es versteht sich hierbei, dass bei anderen Varianten der Erfindung zwischen der aktiven ersten Schicht und dem Grundkörper natürlich auch noch weitere beliebig gestaltete Schichten angeordnet sein können. Insbesondere kann es sich hierbei um weitere aktive Schichten handeln.Between the first shift 10.2 and the body 10.1 is a stress reduction layer 10.3 (so-called anti-stress layer) provided. This stress reduction layer 10.3 builds tension between the first layer 10.2 and the body 10.1 as a result of tensile forces between the first layer 10.2 and the body 10.1 could occur. This is how deformations of the body are made 10.1 by such tensile forces, as they may occur, for example, the layer structure, avoid the. It goes without saying that in other variants of the invention, of course, other layers of any desired design can also be arranged between the active first layer and the main body. In particular, these may be further active layers.

Auf der dem Grundkörper 10.1 abgewandten Seite der ersten Schicht 10.2 sind weitere Schichten 10.4 und 10.5 angeordnet, welche die optischen Eigenschaften des Spiegels in hinlänglich bekannter Weise beeinflussen können und daher hier nicht näher beschieben werden sollen. Hierbei kann es sich beispielsweise auch um so genannte Multilayer-Systeme wie beispielsweise Molybdän-Silizium-Systeme oder Wolfram-Silizium-Systeme handeln.On the body 10.1 opposite side of the first layer 10.2 are more layers 10.4 and 10.5 arranged, which can influence the optical properties of the mirror in a well-known manner and are therefore not described here in detail. These may, for example, also be so-called multilayer systems such as, for example, molybdenum-silicon systems or tungsten-silicon systems.

Im vorliegenden Beispiel ist die Schicht 10.5 als Multilayer-System ausgebildet, das im EUV-Bereich – auch oberhalb des Totalreflexionswinkels – den reflektierenden Bereich des Spiegels 10 ausbildet. Es versteht sich jedoch, dass bei anderen Varianten der Erfindung, je nach Arbeitswellenlänge und Einfallswinkel des Lichts, beispielsweise unterhalb des Totalreflexionswinkels, der reflektierende Bereich auch durch eine einfache reflektierende Oberfläche ausgebildet sein kann.In the present example, the layer is 10.5 designed as a multilayer system, the EUV area - also above the total reflection angle - the reflective area of the mirror 10 formed. However, it is understood that in other variants of the invention, depending on the operating wavelength and angle of incidence of the light, for example, below the total reflection angle, the reflective region may also be formed by a simple reflective surface.

Es versteht sich hierbei, dass bei anderen Varianten des erfindungsgemäßen optischen Elements eine andere Anzahl solcher zusätzlicher Schichten vorgesehen sein kann. Insbesondere können diese zusätzlichen Schichten auch wieder eine oder mehrere Spannungsreduzierungsschichten umfassen. Weiterhin können auch eine oder mehrere solche zusätzlichen Schichten zwischen dem Grundkörper 10.1 und der ersten Schicht 10.2 angeordnet sein.It goes without saying here that with other variants of the optical element according to the invention, a different number of such additional layers can be provided. In particular, these additional layers may again comprise one or more stress reduction layers. Furthermore, one or more such additional layers between the body 10.1 and the first layer 10.2 disposed be.

Weiterhin können alle oder einzelne dieser weiteren Schichten 10.4 und 10.5 und/oder die Spannungsreduzierungsschicht 10.3 aber gegebenenfalls auch entfallen, sodass gegebenenfalls nur die erste Schicht 10.2 auf dem Grundkörper 10.1 vorgesehen ist. Bei einer besonders vorteilhaften Variante der Erfindung fehlen zumindest die weiteren Schichten 10.4 und 10.5, sodass die aktive erste Schicht 10.2 die Außenoberfläche des Spiegels ausbildet und dessen optische Eigenschaften mit bestimmt. Die erste Schicht 10.2 kann hierzu beispielsweise als Wolfram-Nickel-Schicht ausgebildet sein, welche bei hoher Sensitivität gegenüber dem aufgebauten Feld gute reflektierende Eigenschaften aufweist.Furthermore, all or some of these additional layers can 10.4 and 10.5 and / or the stress reduction layer 10.3 but possibly also omitted, so possibly only the first layer 10.2 on the body 10.1 is provided. In a particularly advantageous variant of the invention, at least the further layers are missing 10.4 and 10.5 so that the active first layer 10.2 forms the outer surface of the mirror and determines its optical properties. The first shift 10.2 For this purpose, for example, it may be formed as a tungsten-nickel layer, which has good reflective properties with high sensitivity to the built-up field.

Schließlich versteht es sich, dass es sich bei den weiteren Schichten 10.4 und 10.5 und/oder der Spannungsreduzierungsschicht 10.3 auch um so genannte Ablöseschichten (so genannte release layer) handeln kann. Diese können dazu verwendet werden, diese und gegebenenfalls darüber liegende Schichten im Rahmen der Schichtentwicklung wieder abzulösen. Ebenso kann es sich aber auch bei der ersten Schicht 10.2 selbst um eine Ablöseschicht und/oder eine Spannungsreduzierungsschicht handeln.After all, it is understood that it is the other layers 10.4 and 10.5 and / or the stress reduction layer 10.3 can also act as so-called release layer. These can be used to replace these and possibly overlying layers as part of the layer development again. It can also be the same with the first shift 10.2 itself a stripping layer and / or a voltage reduction layer.

Der Grundkörper 10.1 weist in einem Bereich 11 nahe der optischen Achse 5.1 eine im mikroskopischen Bereich in der Größenordnung weniger Nanometer oder darunter liegende lokale Abweichung von seiner Sollgeometrie auf. Aufgrund der im vorliegenden Beispiel im Wesentlichen konstanten Schichtdicke der Schichten 10.2 bis 10.5 weist die reflektierende Schicht 10.5, welche die Oberfläche 10.6 des Spiegels 10 ausbildet, daher ebenfalls eine Abweichung von ihrer – in 2 durch die gestrichelte Kontur 12 angedeuteten – Sollgeometrie auf. Der Spiegel 10 weist in dem Bereich 11 somit ebenfalls einen im mikroskopischen Bereich in der Größenordnung weniger Nanometer oder darunter liegenden lokalen geometrischen ersten Fehler in Form eines lokalen Passefehlers auf. Bei dem ersten Fehler kann es sich sowohl um einen intrinsischen Fehler handeln, den der Spiegel 10 schon in seinem Ausgangszustand aufweist, als auch um einen extrinsischen Fehler, den der Spiegel 10 erst im Betrieb, beispielsweise durch thermische oder anderweitig induzierte Verformungen erfährt.The main body 10.1 points in one area 11 near the optical axis 5.1 a local deviation from its nominal geometry lying in the microscopic range of the order of a few nanometers or less. Due to the essentially constant layer thickness of the layers in the present example 10.2 to 10.5 has the reflective layer 10.5 which the surface 10.6 of the mirror 10 training, therefore also a deviation from their - in 2 through the dashed outline 12 indicated - target geometry on. The mirror 10 points in the area 11 Thus, also in the microscopic range in the order of a few nanometers or less lying local geometric first error in the form of a local Passefehlers. The first error can be either an intrinsic error, which is the mirror 10 already in its initial state, as well as an extrinsic error, the mirror 10 only during operation, for example by thermal or otherwise induced deformations undergoes.

Um diesen ersten Fehler erfindungsgemäß korrigieren zu können, handelt es sich bei der ersten Schicht 10.2 um eine im Verhältnis zum Grundkörper 10.1 dünne Korrekturschicht aus einem Material, das sich unter Einwirkung eines ersten Feldes 13, wie es in 3 schematisch durch die Feldlinien 13.1 dargestellt ist, verformt. Im vorliegenden Beispiel ändert das Material der ersten Schicht 10.2 seine Ausdehnung im Wesentlichen entlang der Feldlinien 13.1, hier also in der Schichtdickenrichtung 14.In order to be able to correct this first error according to the invention, the first layer is concerned 10.2 one in relation to the main body 10.1 thin correction layer of a material, which acts under the action of a first field 13 as it is in 3 schematically through the field lines 13.1 is shown deformed. In this example, the material changes the first layer 10.2 its extent essentially along the field lines 13.1 , here in the layer thickness direction 14 ,

Die lokale Ausdehnung der ersten Schicht 10.2 ist eine Funktion der lokalen Feldstärke des ersten Feldes 13. Im vorliegenden Bespiel ist die lokale Ausdehnung proportional zur lokalen Feldstärke. Es versteht sich jedoch, dass je nach dem Material der aktiven ersten Schicht auch beliebige andere Abhängigkeiten zwischen der lokalen Ausdehnung und der lokalen Feldstärke bestehen können.The local extent of the first layer 10.2 is a function of the local field strength of the first field 13 , In the present example, the local extent is proportional to the local field strength. However, it is understood that, depending on the material of the active first layer, any other dependencies between the local extent and the local field strength may exist.

Wie 3 zu entnehmen ist, ist das erste Feld und damit die lokale Ausdehnung der ersten Schicht 10.2 so gewählt, dass der erste Fehler, also die Passedeformation der die Oberfläche 10.6 ausbildenden Schicht 10.5, bedingt durch die Verformung der ersten Schicht 10.2 lokal im Wesentlichen vollständig korrigiert ist. Durch geeignete Wahl der Feldstärkeverteilung und der Richtung der Feldlinien des ersten Feldes 13 können somit beliebige lokale Passefehler in der Schicht 10.5 und der Oberfläche 10.6 korrigiert werden.As 3 is the first field and thus the local extent of the first layer 10.2 chosen so that the first mistake, so the pass deformation of the surface 10.6 training layer 10.5 caused by the deformation of the first layer 10.2 locally substantially completely corrected. By a suitable choice of the field strength distribution and the direction of the field lines of the first field 13 Thus, any local Passefehler in the layer 10.5 and the surface 10.6 Getting corrected.

Es versteht sich, dass mit dem beschriebenen Korrekturmechanismus natürlich nicht nur geometrische Fehler des Grundkörpers, sondern zusätzlich oder alternativ auch geometrische Fehler der darüber liegenden Schichten korrigiert werden können.It It goes without saying that with the described correction mechanism of course not only geometric errors of the body, but in addition or alternatively also corrects geometric errors of the overlying layers can be.

Bei dem durch die erfindungsgemäße Fehlerkorrektur ausgeglichenen lokalen Passefehler handelt es sich vorzugsweise zumindest um einen so genannten langwelligen bzw. niedrigfrequenten Fehler. Die erfindungsgemäße Fehlerkorrektur hat somit zum einen den Vorteil, dass bei der Fertigung des betreffenden optischen Elements, hier also beispielsweise des Spiegels 10, die niedrigfrequenten Fehler (Passefehler) nur in einem vergleichsweise breiten Zielkorridor gehalten werden müssen, da sie später über die erfindungsgemäße Fehlerkorrektur ausgeglichen werden können. Es ist dann nur noch wie schon bisher entsprechend hoher Aufwand für die Korrektur der mittel- und hochfrequenten Fehler zu betreiben. Diese mittel- und hochfrequenten Fehler werden in der Regel über die Oberflächenrauhigkeit korrigiert. Insgesamt sinkt also der Aufwand bei der Herstellung des Spiegels 10 erheblich.The local matching error compensated by the error correction according to the invention is preferably at least a so-called long-wave or low-frequency error. The error correction according to the invention thus has, on the one hand, the advantage that in the production of the relevant optical element, in this case, for example, the mirror 10 , the low-frequency errors (Passefehler) must be kept only in a comparatively wide target corridor, since they can be compensated later on the error correction according to the invention. It is then only to operate as previously correspondingly high costs for the correction of medium and high-frequency errors. These medium and high frequency errors are usually corrected by the surface roughness. Overall, so the effort in the production of the mirror decreases 10 considerably.

Hiermit ist es möglich, sämtliche entsprechenden Fehler des betreffenden optischen Elements, hier also beispielsweise eines Spiegels 10, zu korrigieren. Es versteht sich jedoch, dass die Korrektur auch auf die tatsächlich genutzten Bereiche des Spiegels 10 lokal beschränkt bleiben kann. Weiterhin versteht es sich, dass die Korrektur mit der Nutzung des betreffenden optischen Elements variieren kann, d. h. der korrigierte Bereich also beispielsweise wandern kann oder der Grad der Korrektur je nach den tatsächlichen Randbedingungen bzw. Anforderungen variiert werden kann.This makes it possible, all the corresponding errors of the optical element in question, here for example a mirror 10 , to correct. It is understood, however, that the correction also applies to the actual used areas of the mirror 10 can be limited locally. Furthermore, it is understood that the correction can vary with the use of the relevant optical element, ie, the corrected range can thus, for example, migrate or the degree of correction depending on the actual boundary conditions or requirements can be varied.

Wie 1 zu entnehmen ist, wird das erste Feld 13 über in der Nähe des Spiegels 10 angeordnete Felderzeugungskomponenten 15.1 und 15.2 einer Felderzeugungseinrichtung 15 generiert. Hierzu sind die Felderzeugungskomponenten 15.1 und 15.2 mit einer Energieversorgungs- und Steuerungseinrichtung 15.3 verbunden. Die Energieversorgungs- und Steuerungseinrichtung 15.3 versorgt die Felderzeugungskomponenten 15.1 und 15.2 gezielt mit Energie, um die zur Korrektur der lokalen ersten Fehler des Spiegels 10 erforderliche Verteilung und Richtung der lokalen Feldstärke des ersten Feldes 13 zu generieren.As 1 can be seen, becomes the first field 13 over near the mirror 10 arranged field generation components 15.1 and 15.2 a field generator 15 generated. These are the field generation components 15.1 and 15.2 with an energy supply and control device 15.3 connected. The power supply and control device 15.3 supplies the field generation components 15.1 and 15.2 Targeted with energy to help correct the local first error of the mirror 10 required distribution and direction of the local field strength of the first field 13 to generate.

Bei der ersten Schicht 10.2 kann es sich um ein Material handeln, das sich unter Einwirkung eines elektrischen Feldes in der beschriebenen Weise verformt. Bei den Felderzeu gungskomponenten 15.1 und 15.2 handelt es sich dann um entsprechende Elektrodenanordnungen, welche, versorgt durch die Energieversorgungs- und Steuerungseinrichtung 15.3, ein entsprechendes elektrisches Feld im Bereich der ersten Schicht 10.2 erzeugen.At the first shift 10.2 it may be a material that deforms under the action of an electric field in the manner described. For the field generation components 15.1 and 15.2 These are then corresponding electrode arrangements, which, supplied by the power supply and control device 15.3 , a corresponding electric field in the region of the first layer 10.2 produce.

Bei der ersten Schicht 10.2 kann es sich aber auch um ein Material handeln, das sich unter Einwirkung eines Magnetfeldes in der beschriebenen Weise verformt. Bei den Felderzeugungskomponenten 15.1 und 15.2 handelt es sich dann um entsprechende Spulenanordnungen, welche, versorgt durch die Energieversorgungs- und Steuerungseinrichtung 15.3, ein entsprechendes Magnetfeld im Bereich der ersten Schicht 10.2 erzeugen.At the first shift 10.2 but it may also be a material that deforms under the action of a magnetic field in the manner described. In the field generation components 15.1 and 15.2 These are then corresponding coil arrangements, which, supplied by the power supply and control device 15.3 , a corresponding magnetic field in the region of the first layer 10.2 produce.

Schließlich kann es sich bei der ersten Schicht 10.2 aber auch um ein Material handeln, das sich unter Einwirkung eines Temperaturfeldes in der beschriebenen Weise verformt. In diesem Fall kann beispielsweise nur die obere Felderzeugungskomponente 15.1, versorgt durch die Energieversorgungs- und Steuerungseinrichtung 15.3, vorgesehen sein, die eine entsprechende Temperaturverteilung im Bereich der ersten Schicht erzeugt. Dies kann beispielsweise mittels im Bereich der ersten Schicht entsprechend fokussiertes Laserlicht oder anderer elektromagnetischer Strahlung erfolgen.After all, it can be at the first layer 10.2 but also be a material that deforms under the action of a temperature field in the manner described. In this case, for example, only the upper field generation component 15.1 supplied by the power supply and control device 15.3 be provided, which generates a corresponding temperature distribution in the region of the first layer. This can be done, for example, by means of laser light that is correspondingly focused in the region of the first layer or by other electromagnetic radiation.

Es versteht sich hierbei, dass zur erfindungsgemäßen Fehlerkorrektur auch beliebige andere Felder eingesetzt werden können, welche eine entsprechende Verformung der aktiven ersten Schicht bewirken. Als Beispiele seinen hier nur Gravitationsfelder oder Konzentrationsfelder bestimmter Stoffe, Elemente, Teilchen (Ionen, Neutronen etc.) oder dergleichen genannt.It It should be understood that for error correction according to the invention also arbitrary other fields can be used, which is a corresponding Deformation of the active first layer effect. As examples of his here only gravitational fields or concentration fields more specific Substances, elements, particles (ions, neutrons, etc.) or the like called.

Es versteht sich hierbei weiterhin, dass die oben beschriebenen Korrekturmechanismen, also die Korrektur durch ein oder mehrere elektrische, magnetische oder thermische Felder, gegebenenfalls beliebig miteinander kombiniert werden können. Hierzu können gegebenenfalls mehrere unterschiedliche aktive Schichten vorgesehen sein, welche dann über den ihnen innewohnenden Korrekturmechanismus zur Korrektur beitragen. Ebenso kann aber auch eine einzige erste Schicht aus einem entsprechenden Material mehrere solcher Korrekturmechanismen zur Verfügung stellen. Bei besonders vorteilhaften Varianten ist daher eine Kombination mehrerer aktiver Schichten vorgesehen, die unterschiedlich auf gegebenenfalls unterschiedliche Felder reagieren. So kann beispielsweise eine sich unter Einwirkung eines elektrischen Feldes expandierende aktive Schicht mit einer sich unter Einwirkung eines magnetischen Feldes kontrahierenden aktive Schicht kombiniert werden. Hierdurch können insbesondere auch gezielte Phasenverschiebungen erzielt werden.It It should also be understood that the above-described correction mechanisms, ie the correction by one or more electrical, magnetic or thermal fields, optionally combined with each other as desired can be. For this can optionally provided several different active layers which then over contribute to correcting the inherent correction mechanism. Likewise, however, also a single first layer of a corresponding Material provide several such correction mechanisms. In particularly advantageous variants is therefore a combination provided several active layers, the different if necessary different fields react. For example, one can under the influence of an electric field expanding active layer with a contracting under the action of a magnetic field active layer can be combined. This can be targeted in particular Phase shifts are achieved.

Im vorliegenden Beispiel ist der Grundkörper als im Wesentlichen passiver Körper ausgebildet, der durch das erste Feld 13 im Wesentlichen nicht beeinflusst, insbesondere nicht verformt wird. Es versteht sich jedoch, dass bei anderen Varianten der Erfindung gegebenenfalls auch ein durch das erste Feld mehr oder weniger stark verformter Grundkörper vorgesehen sein kann. Dabei kann natürlich auch der Grundkörper als aktiver Grundkörper ausgebildet sein, dessen Verformung aktiv durch das externe erste Feld oder ein weiteres externes Feld geregelt werden kann.In the present example, the main body is formed as a substantially passive body that passes through the first field 13 essentially not influenced, in particular not deformed. It is understood, however, that in other variants of the invention may optionally be provided by the first field more or less strongly deformed base body. In this case, of course, the main body may be formed as an active body whose deformation can be actively controlled by the external first field or another external field.

Im vorliegenden Beispiel wird als erster Fehler ein Passefehler des Spiegels 10 korrigiert, der einen entsprechenden Abbildungsfehler des Spiegels 10 nach sich zieht. Das erforderliche Maß der Korrektur kann über eine entsprechende Fehlererfassungseinrichtung 15.4 der Felderzeugungseinrichtung 15 erfasst werden, die einmalig, vorzugsweise aber von Zeit zu Zeit, an die Stelle des Substrats 6 verfahren wird, um den tatsächlichen ersten Fehler zu anhand der durch das optische System erzeugten Abbildung erfassen. Dieser wird dann für die Ansteuerung der Felderzeugungskomponenten 15.1 und 15.2 verwendet. Es versteht sich hierbei, dass bei anderen Varianten der Erfindung gegebenenfalls auch eine Regelung der Fehlerkorrektur mit ständiger Erfassung des ersten Fehlers vorgesehen sein kann. Hierzu kann insbesondere eine Erfassung der Verteilung und der Intensität von Streulicht oder parasitärem Licht vorgesehen sein.In the present example, the first error is a mate error of the mirror 10 corrected, the corresponding aberration of the mirror 10 pulls. The required degree of correction can be done via a corresponding error detection device 15.4 the field generating device 15 be captured, the one-time, but preferably from time to time, in the place of the substrate 6 to capture the actual first error from the image generated by the optical system. This will then be used to control the field generation components 15.1 and 15.2 used. It goes without saying that, in other variants of the invention, a control of the error correction with constant detection of the first error may possibly also be provided. For this purpose, in particular a detection of the distribution and the intensity of scattered light or parasitic light can be provided.

Diese Korrektur im Betrieb hat den Vorteil, dass beispielsweise durch thermische Verformung bedingte Fehler, wie sie im mikroskopischen Bereich sogar bei Materialien wie Zerodur etc. auftreten, in einfacher Weise korrigiert werden können.These Correction in operation has the advantage that, for example, by Thermal deformation conditional errors, as in the microscopic Range even with materials like Zerodur etc. occur in easier Way can be corrected.

Es versteht sich weiterhin, dass über die Korrekturschicht des Spiegels 10 nicht nur eine isolierte Korrektur eines ersten geometrischen Fehlers, z. B. eines Passefehlers, und damit eines Abbildungsfehlers des Spiegels 10 erfolgen kann. Vielmehr können hierüber auch ein oder mehrere Abbildungsfehler der gesamten optischen Elementgruppe 5.2 korrigiert werden. Die Korrektur des entsprechenden Abbildungsfehlers der optischen Elementgruppe 5.2 kann dabei gegebenenfalls auch nur teilweise erfolgen. Gegebenenfalls kann eine weiter gehende, regelbare und unter Umständen im Wesentlichen vollständige Korrektur des entsprechenden Abbildungsfehlers der optischen Elementgruppe 5.2 über weitere mit einer entsprechenden erfindungsgemäßen Korrekturmöglichkeit versehene optische Elemente des optischen Systems erfolgen.It is further understood that on the Kor Rectification layer of the mirror 10 not just an isolated correction of a first geometric error, e.g. B. a Passefehlers, and thus a aberration of the mirror 10 can be done. On the contrary, one or more aberrations of the entire optical element group can also be involved 5.2 Getting corrected. The correction of the corresponding aberration of the optical element group 5.2 If appropriate, this can also be done only partially. Optionally, a more extensive, controllable and possibly substantially complete correction of the corresponding aberration of the optical element group 5.2 via further provided with a corresponding inventive correction option optical elements of the optical system.

Ein weiterer Vorteil der erfindungsgemäßen Fehlerkorrektur liegt zudem darin, dass durch sie Positionskorrekturen des gesamten optischen Elements, im vorliegenden Beispiel also des Spiegels 10, ersetzt werden können. So kann beispielsweise durch die erfindungsgemäße Fehlerkorrektur mit der ersten aktiven Schicht 10.2 eine Korrektur erzielt werden, wie sie bisher nur durch eine aktive Verkippung oder Rotation des gesamten optischen Elements, im vorliegenden Beispiel also des Spiegels 10, erzielt werden konnte. Mit der vorliegenden Erfindung ist es somit möglich, die Abstützung des betreffenden optischen Elements deutlich einfacher zu gestalten, da eine mechanische Feinpositionierung optischen Elements gegebenenfalls entfallen kann, weil deren Effekt durch die erfindungsgemäße Fehlerkorrektur erzielt wird.A further advantage of the error correction according to the invention lies in the fact that position corrections of the entire optical element, in the present example thus of the mirror, result from it 10 , can be replaced. Thus, for example, by the inventive error correction with the first active layer 10.2 A correction can be achieved, as previously only by an active tilting or rotation of the entire optical element, in the present example, the mirror 10 , could be achieved. With the present invention, it is thus possible to make the support of the relevant optical element significantly simpler, since a mechanical fine positioning of the optical element can optionally be omitted, because its effect is achieved by the error correction according to the invention.

Vorstehend wurde die vorliegende Erfindung im Zusammenhang mit den 2 und 3 am Beispiel des Spiegels 10 beschrieben. Das reflektierende Element muss dabei nicht notwendiger Weise unmittelbar an der äußeren Oberfläche des Spiegels 10 vorgesehen sein. Vielmehr kann der Spiegel 10, insbesondere bei höheren Arbeitswellenlängen, auch als katadioptrisches Element ausgebildet sein, bei dem vor dem reflektierenden Element ein oder mehrere refraktive Elemente, beispielsweise refraktive Schichten etc, angeordnet sind.In the foregoing, the present invention has been described in connection with FIGS 2 and 3 the example of the mirror 10 described. The reflective element does not necessarily have to be directly on the outer surface of the mirror 10 be provided. Rather, the mirror can 10 , in particular at higher operating wavelengths, may also be embodied as a catadioptric element, in which one or more refractive elements, for example refractive layers, etc., are arranged in front of the reflective element.

In vorliegenden Fall kann bei Lichteinfall von der dem Grundkörper 10 abgewandten Seite her eine der Schichten 10.4 und 10.5 oder aber auch die erste Schicht 10.2, ein reflektierendes Element ausbilden. Bei höheren Wellenlängen und Lichteinfall von der Seite des Grundkörpers 10.1 her, ist dies bevorzugt jedoch nur eine der Schichten 10.4 und 10.5.In the present case, in the case of incidence of light from the base body 10 facing away from one of the layers 10.4 and 10.5 or even the first layer 10.2 to train a reflective element. At higher wavelengths and light from the side of the body 10.1 However, this is preferably only one of the layers 10.4 and 10.5 ,

Bei der ersten Schicht 10.2 kann es sich, wie erwähnt, um ein Material handeln, das sich unter Einwirkung eines elektrischen und/oder eines magnetischen und/oder eines thermischen Feldes in der beschriebenen Weise verformt.At the first shift 10.2 it may, as mentioned, be a material that deforms under the action of an electrical and / or magnetic and / or thermal field in the manner described.

Im Fall eines elektrischen Feldes kann es sich beispielsweise um ein so genanntes elektrostriktives Material handeln. Beispiele hierfür sind unter anderem alle piezoelektrischen Materialien. Insbesondere kann es sich um Dielektrika, beispielsweise entsprechende Keramikwerkstoffe, insbesondere entsprechende Oxide, handeln. Beispiele für geeignete Materialien sind PbO₂, ZrO₃, SiO₂, TiO₃, SrTiO₃, BaTiO₃ etc. Ebenso kann es sich um geeignete polymere Werkstoffe, beispielsweise Polyacrylate, Polyvinyldiene Fluoride (PVDF) oder dergleichen, handeln. Weiterhin kann die erste Schicht 10.2 aus mehreren abwechselnd kationischen und anionischen Teilschichten aufgebaut sein, welche bei Anlegen des Feldes dann die beschriebene Verformung erfahren. Dabei sind die Teilschichten in Schichtdickenrichtung 14 übereinanderliegend angeordnet.In the case of an electric field, it may be, for example, a so-called electrostrictive material. Examples include all piezoelectric materials. In particular, these may be dielectrics, for example corresponding ceramic materials, in particular corresponding oxides. Examples of suitable materials are PbO ₂ , ZrO ₃ , SiO ₂ , TiO ₃ , SrTiO ₃ , BaTiO _3, etc. These may likewise be suitable polymeric materials, for example polyacrylates, polyvinyldiene fluorides (PVDF) or the like. Furthermore, the first layer 10.2 be formed of several alternately cationic and anionic sub-layers, which then experience the described deformation when the field is applied. The partial layers are in the layer thickness direction 14 arranged one above the other.

Im Fall eines magnetischen Feldes kann es sich beispielsweise um ein so genanntes magnetostriktives Material handeln. Beispiele hierfür sind unter anderem SeFe₂, TbFe₂, DyFe₂, Tb_0,3Dy_0,7Fe₂ etc handeln, die alle positive Magnetostriktion aufweisen, sich also bei Anlegen eines Magnetfeldes ausdehnen. Insbesondere kann es sich um so genannte 4f-Elemente handeln. Ebenso können aber auch Materialien mit negativer Magnetostriktion, wie beispielsweise SmFe₂, verwendet werden, welche sich also bei Anlegen eines Magnetfeldes zusammenziehen. Ebenso kann es sich um Ni und benachbarte Elemente wie Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Cu, Zn, Nb, Mo, Ru, Rh, Pd, W, Re, Os, Ir, Pt handeln.In the case of a magnetic field, it may be, for example, a so-called magnetostrictive material. Examples include SeFe ₂ , TbFe ₂ , DyFe ₂ , Tb _0.3 Dy _0.7 Fe ₂ etc act, all of which have positive magnetostriction, so expand when applying a magnetic field. In particular, they may be so-called 4f elements. Likewise, it is also possible to use materials with negative magnetostriction, such as, for example, SmFe ₂ , which therefore contract when a magnetic field is applied. It may also be Ni and adjacent elements such as Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Cu, Zn, Nb, Mo, Ru, Rh, Pd, W, Re, Os, Ir, Pt.

Im Fall eines thermischen Feldes kann es sich beispielsweise um Materialien handeln, welche bei bestimmten Temperaturen einen Phasenübergang aufweisen. Beispiele hierfür sind martensitische Legierungen, wie z. B. Ni_xAl_1-x, Ni₂MnGa etc. Ebenso kann es sich aber auch um Materialien mit geeigneter einfacher thermischer Ausdehnung handeln.In the case of a thermal field, for example, it may be materials that have a phase transition at certain temperatures. Examples of this are martensitic alloys, such. As Ni _x Al _1-x , Ni ₂ MnGa etc. However, it may also be materials with suitable simple thermal expansion.

Es versteht sich, dass für die jeweilige Feldart im Bereich des optischen Elements 10 oder der Felderzeugungskomponenten 15.1 und/oder 15.2 entsprechende Sensoren vorgesehen sein können, um die Feldverteilung des tatsächlich generierten Feldes 13 zu erfassen. Im Falle des Magnetfelds können dies beispielsweise Hall-Sensoren oder dergleichen sein, die mit der Energieversorgungs- und Steuerungseinrichtung 15.3 verbunden sind.It is understood that for the respective Feldart in the range of the optical element 10 or the field generation component 15.1 and or 15.2 corresponding sensors can be provided to the field distribution of the actually generated field 13 capture. In the case of the magnetic field, these may be, for example, Hall sensors or the like connected to the power supply and control device 15.3 are connected.

4 zeigt ein Ablaufdiagramm einer bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Abbildungsverfahrens, bei dem eine bevorzugte Ausführungsform des Verfahrens zum Korrigieren des ersten Fehlers des Objektivtubus 5 zur Anwendung kommt. 4 FIG. 3 shows a flowchart of a preferred embodiment of the imaging method according to the invention, in which a preferred embodiment of the method for correcting the first error of the lens barrel 5 is used.

Zunächst wird in einem Schritt 16.1 der Verfahrensablauf des Mikrolithographieverfahrens gestartet. In einem Schritt 16.2 wird dann die Mikrolithographieeinrichtung 1 aus 1 zur Verfügung gestellt.First, in one step 16.1 the procedure of the microlithography ge starts. In one step 16.2 then becomes the microlithography device 1 out 1 made available.

In einem Abbildungsschritt 16.3 erfolgt zunächst in einem Erfassungsschritt 16.4 eine Erfassung des ersten Fehlers. Hierzu wird, wie oben beschrieben, die Fehlererfassungseinrichtung 15.4 der Felderzeugungseinrichtung 15 an die Stelle des Substrats 6 verfahren, um den tatsächlichen ersten Fehler zu erfassen.In a picture step 16.3 initially takes place in a detection step 16.4 a detection of the first error. For this purpose, as described above, the error detection device 15.4 the field generating device 15 in the place of the substrate 6 procedure to detect the actual first error.

In Abhängigkeit von dem erfassten ersten Fehler erfolgt dann in dem Korrekturschritt 16.5 die oben im Zusammenhang mit den 1 bis 3 beschriebene Korrektur des ersten Fehlers, indem die Felderzeugungseinrichtung 15 ein erstes Feld 13 mit entsprechender lokaler Feldverteilung generiert.Depending on the detected first error then takes place in the correction step 16.5 the above related to the 1 to 3 described correction of the first error by the field generating device 15 a first field 13 generated with appropriate local field distribution.

in einem weiteren Schritt 16.6 wird dann das Substrat 6 positioniert und belichtet. Nachfolgend wird in einem Schritt 16.7 überprüft, ob noch ein weiteres Substrat 6 zu belichten ist. Ist dies nicht der Fall, wird der Verfahrensablauf in dem Schritt 16.8 beendet. Andernfalls wird zurück zu dem Schritt 16.3 gesprungen. In diesem kann dann nach erneuter Erfassung des aktuellen ersten Fehlers die lokale Feldverteilung des ersten Feldes 13 variiert werden, sofern sich Änderungen der Randbedingungen oder dergleichen ergeben haben.in a further step 16.6 then becomes the substrate 6 positioned and exposed. The following will be in one step 16.7 Check if there is another substrate 6 to expose. If this is not the case, the procedure in the step 16.8 completed. Otherwise it will go back to the step 16.3 jumped. In this case, after re-recording the current first error, the local field distribution of the first field can 13 be varied, provided that changes in the boundary conditions or the like have resulted.

Zweites AusführungsbeispielSecond embodiment

Unter Bezugnahme auf die 5 bis 7 wird eine weitere bevorzugte Ausführungsform des erfindungsgemäßen optischen Elements als Teil einer bevorzugten Ausführungsform der erfindungsgemäßen optischen Einrichtung für ein Objektiv für die Mikrolithographie beschrieben.With reference to the 5 to 7 A further preferred embodiment of the optical element according to the invention is described as part of a preferred embodiment of the optical device for a microlithography objective according to the invention.

5 zeigt eine schematische Darstellung einer bevorzugten Ausführungsform der erfindungsgemäßen Mikrolithographieeinrichtung 101. Die Mikrolithographieeinrichtung 101 umfasst ein optisches Projektionssystem 102 mit einem Beleuchtungssystem 103, einer Maske 104 und einer optischen Einrichtung in Form eines Objektivtubus 105 mit einer optischen Achse 105.1. Das Beleuchtungssystem 103 beleuchtet die Maske 104. Auf der Maske 104 befindet sich ein Muster, welches über die im Objektivtubus 105 angeordneten optischen Elemente auf ein Substrat 106, beispielsweise einen Wafer, projiziert wird. 5 shows a schematic representation of a preferred embodiment of the microlithography device according to the invention 101 , The microlithography device 101 includes an optical projection system 102 with a lighting system 103 , a mask 104 and an optical device in the form of a lens barrel 105 with an optical axis 105.1 , The lighting system 103 Illuminates the mask 104 , On the mask 104 there is a pattern, which on the in the lens barrel 105 arranged optical elements on a substrate 106 , For example, a wafer is projected.

Der Objektivtubus 105 umfasst mehrere optische Elementgruppen, unter anderem eine optische Elementgruppe 105.2, die von einer Reihe von optischen Elementen 107, 108, 109, 110 gebildet ist. Die optischen Elemente sind dabei jeweils in Modulen 105.3 gehalten, die untereinander verbunden sind. Bei den optischen Elementen, insbesondere den optischen Elementen 107, 108, 109, 110 kann es sich um Linsen, Spiegel oder dergleichen handeln.The lens barrel 105 includes a plurality of optical element groups, including an optical element group 105.2 made of a series of optical elements 107 . 108 . 109 . 110 is formed. The optical elements are each in modules 105.3 kept connected to each other. In the optical elements, in particular the optical elements 107 . 108 . 109 . 110 it can be lenses, mirrors or the like.

Die 6 und 7 zeigen schematische, nicht maßstäbliche Schnittdarstellungen eines Details des optischen Elements 110 aus 1, das als Linse ausgeführt ist. Die Linse 110 umfasst einen Grundkörper 110.1, auf den eine aktive erste Schicht 110.2 aufgebracht ist.The 6 and 7 show schematic, not to scale sectional views of a detail of the optical element 110 out 1 which is designed as a lens. The Lens 110 includes a main body 110.1 on which an active first layer 110.2 is applied.

Zwischen der ersten Schicht 110.2 und dem Grundkörper 110.1 ist eine Spannungsreduzierungsschicht 110.3 (anti stress layer) vorgesehen. Diese Spannungsreduzierungsschicht 110.3 baut Spannungen zwischen der ersten Schicht 110.2 und dem Grundkörper 110.1 ab, die in Folge von Zugkräften zwischen der ersten Schicht 110.2 und dem Grundkörper 110.1 auftreten könnten. So werden Verformungen des Grundkörpers 110.1 durch derartige Zugkräfte, wie sie beispielsweise beim Schichtaufbau auftreten können, vermieden.Between the first shift 110.2 and the body 110.1 is a stress reduction layer 110.3 (anti-stress layer) provided. This stress reduction layer 110.3 builds tension between the first layer 110.2 and the body 110.1 as a result of tensile forces between the first layer 110.2 and the body 110.1 could occur. This is how deformations of the body are made 110.1 by such tensile forces, as they may occur, for example, the layer structure, avoided.

Auf der dem Grundkörper 110.1 abgewandten Seite der ersten Schicht 110.1 sind weitere Schichten 110.4 und 110.5 angeordnet, welche die optischen Eigenschaften der Linse in hinlänglich bekannter Weise beeinflussen können und daher hier nicht näher beschieben werden sollen.On the body 110.1 opposite side of the first layer 110.1 are more layers 110.4 and 110.5 arranged, which can influence the optical properties of the lens in a well-known manner and are therefore not described here in detail.

Es versteht sich hierbei, dass bei anderen Varianten des erfindungsgemäßen optischen Elements eine andere Anzahl solcher zusätzlicher Schichten vorgesehen sein kann. Insbesondere können diese zusätzlichen Schichten auch wieder eine oder mehrere Spannungsreduzierungsschichten umfassen.It It should be understood that in other variants of the optical Elements provided a different number of such additional layers can be. In particular, you can these extra Again, layer one or more stress reduction layers include.

Weiterhin können auch eine oder mehrere solche zusätzlichen Schichten zwischen dem Grundkörper 110.1 und der ersten Schicht 110.2 angeordnet sein. Weiterhin können alle oder einzelne dieser weiteren Schichten 110.4 und 110.5 und/oder die Spannungsreduzierungsschicht 110.3 aber gegebenenfalls auch entfallen, sodass gegebenenfalls nur die erste Schicht 110.2 auf dem Grundkörper 110.1 vorgesehen ist.Furthermore, one or more such additional layers between the body 110.1 and the first layer 110.2 be arranged. Furthermore, all or some of these additional layers can 110.4 and 110.5 and / or the stress reduction layer 110.3 but possibly also omitted, so possibly only the first layer 110.2 on the body 110.1 is provided.

Schließlich versteht es sich, dass es sich bei den weiteren Schichten 110.4 und 110.5 und/oder der Spannungsreduzierungsschicht 110.3 auch um so genannte Ablöseschichten (release layer) handeln kann. Diese können dazu verwendet werden, diese und gegebenenfalls darüber liegende Schichten im Rahmen der Schichtentwicklung wieder abzulösen. Ebenso kann es sich aber auch bei der ersten Schicht 110.2 selbst um eine Ablöseschicht und/oder eine Spannungsreduzierungsschicht handeln.After all, it is understood that it is the other layers 110.4 and 110.5 and / or the stress reduction layer 110.3 can also act as so-called release layer. These can be used to replace these and possibly overlying layers as part of the layer development again. It can also be the same with the first shift 110.2 itself a stripping layer and / or a voltage reduction layer.

Der Grundkörper 110.1 weist in einem Bereich 111 nahe der optischen Achse 105.1 eine im mikroskopischen Bereich in der Größenordnung weniger Nanometer oder darunter liegende lokale Abweichung von seiner Sollgeometrie auf. Aufgrund der im Wesentlichen konstanten Schichtdicke der Schichten 110.2 bis 110.5 weist die Oberfläche 110.6 der Linse 110 daher ebenfalls eine Abweichung von ihrer – in 6 durch die gestrichelte Kontur 112 angedeuteten – Sollgeometrie auf. Die Linse 110.1 weist in dem Bereich 111 somit ebenfalls einen im mikroskopischen Bereich in der Größenordnung weniger Nanometer oder darunter liegenden lokalen geometrischen ersten Fehler in Form eines lokalen Passefehlers auf.The main body 110.1 points in a Be rich 111 near the optical axis 105.1 a local deviation from its nominal geometry lying in the microscopic range of the order of a few nanometers or less. Due to the substantially constant layer thickness of the layers 110.2 to 110.5 indicates the surface 110.6 the lens 110 therefore also a deviation from their - in 6 through the dashed outline 112 indicated - target geometry on. The Lens 110.1 points in the area 111 Thus, also in the microscopic range in the order of a few nanometers or less lying local geometric first error in the form of a local Passefehlers.

Um diesen ersten Fehler erfindungsgemäß korrigieren zu können, handelt es sich bei der ersten Schicht 110.2 um eine im Verhältnis zum Grundkörper 110.1 dünne Korrekturschicht aus einem Material, das sich unter Einwirkung eines ersten Feldes 113, wie es in 3 schematisch durch die Feldlinien 113.1 dargestellt ist, verformt. Im vorliegenden Beispiel ändert das Material der ersten Schicht 110.2 seine Ausdehnung im Wesentlichen entlang der Feldlinien 113.1, hier also in der Schichtdickenrichtung 114.In order to be able to correct this first error according to the invention, the first layer is concerned 110.2 one in relation to the main body 110.1 thin correction layer of a material, which acts under the action of a first field 113 as it is in 3 schematically through the field lines 113.1 is shown deformed. In this example, the material changes the first layer 110.2 its extent essentially along the field lines 113.1 , here in the layer thickness direction 114 ,

Die lokale Ausdehnung der ersten Schicht 110.2 ist eine Funktion der lokalen Feldstärke des ersten Feldes 113. Im vorliegenden Bespiel ist die lokale Ausdehnung proportional zur lokalen Feldstärke. Es versteht sich jedoch, dass je nach dem Material der aktiven ersten Schicht auch beliebige andere Abhängigkeiten zwischen der lokalen Ausdehnung und der lokalen Feldstärke bestehen können.The local extent of the first layer 110.2 is a function of the local field strength of the first field 113 , In the present example, the local extent is proportional to the local field strength. However, it is understood that, depending on the material of the active first layer, any other dependencies between the local extent and the local field strength may exist.

Wie 7 zu entnehmen ist, ist das erste Feld und damit die lokale Ausdehnung der ersten Schicht 110.2 so gewählt, dass der erste Fehler, also die Passedeformation der Oberfläche 110.6, bedingt durch die Verformung der ersten Schicht 110.2 lokal im Wesentlichen vollständig korrigiert ist. Durch geeignete Wahl der Feldstärkeverteilung und der Richtung der Feldlinien des ersten Feldes 113 können somit beliebige lokale Passefehler in der Oberfläche 110.6 korrigiert werden.As 7 is the first field and thus the local extent of the first layer 110.2 chosen so that the first mistake, so the pass deformation of the surface 110.6 caused by the deformation of the first layer 110.2 locally substantially completely corrected. By a suitable choice of the field strength distribution and the direction of the field lines of the first field 113 can thus have any local mating errors in the surface 110.6 Getting corrected.

Hiermit ist es möglich, sämtliche entsprechenden Fehler des betreffenden optischen Elements, hier also beispielsweise einer Linse 110, zu korrigieren. Es versteht sich jedoch, dass die Korrektur auch auf die tatsächlich genutzten Bereiche der Linse 110 lokal beschränkt bleiben kann. Weiterhin versteht es sich, dass die Korrektur mit der Nutzung des betreffenden optischen Elements variieren kann, d. h. der korrigierte Bereich also beispielsweise wandern kann oder der Grad der Korrektur je nach den tatsächlichen Randbedingungen bzw. Anforderungen variiert werden kann.This makes it possible, all the corresponding errors of the optical element in question, in this case, for example, a lens 110 , to correct. It is understood, however, that the correction also applies to the actually used areas of the lens 110 can be limited locally. Furthermore, it is understood that the correction can vary with the use of the relevant optical element, ie the corrected area can thus, for example, move or the degree of correction can be varied according to the actual boundary conditions or requirements.

Wie 5 zu entnehmen ist, wird das erste Feld 113 über in der Nähe der Linse 110 angeordnete Felderzeugungskomponenten 115.1 und 115.2 einer Felderzeugungseinrichtung 115 generiert. Hierzu sind die Felderzeugungskomponenten 115.1 und 115.2 mit einer Energieversorgungs- und Steuerungseinrichtung 115.3 verbunden. Die Energieversorgungs- und Steuerungseinrichtung 115.3 versorgt die Felderzeugungskomponenten 115.1 und 115.2 gezielt mit Energie, um die zur Korrektur der lokalen ersten Fehler der Linse 110 erforderliche Verteilung und Richtung der lokalen Feldstärke des ersten Feldes 113 zu generieren.As 5 can be seen, becomes the first field 113 over near the lens 110 arranged field generation components 115.1 and 115.2 a field generator 115 generated. These are the field generation components 115.1 and 115.2 with an energy supply and control device 115.3 connected. The power supply and control device 115.3 supplies the field generation components 115.1 and 115.2 Targeted with energy to help correct the local first error of the lens 110 required distribution and direction of the local field strength of the first field 113 to generate.

Bei der ersten Schicht 110.2 kann es sich um ein Material handeln, das sich unter Einwirkung eines elektrischen Feldes in der beschriebenen Weise verformt. Bei den Felderzeugungskomponenten 115.1 und 115.2 handelt es sich dann um entsprechende Elektrodenanordnungen, welche, versorgt durch die Energieversorgungs- und Steuerungseinrichtung 115.3, ein entsprechendes elektrisches Feld im Bereich der ersten Schicht 110.2 erzeugen.At the first shift 110.2 it may be a material that deforms under the action of an electric field in the manner described. In the field generation components 115.1 and 115.2 These are then corresponding electrode arrangements, which, supplied by the power supply and control device 115.3 , a corresponding electric field in the region of the first layer 110.2 produce.

Bei der ersten Schicht 110.2 kann es sich aber auch um ein Material handeln, das sich unter Einwirkung eines Magnetfeldes in der beschriebenen Weise verformt. Bei den Felderzeugungskomponenten 115.1 und 115.2 handelt es sich dann um entsprechende Spulenanordnungen, welche, versorgt durch die Energieversorgungs- und Steuerungseinrichtung 115.3, ein entsprechendes Magnetfeld im Bereich der ersten Schicht 110.2 erzeugen.At the first shift 110.2 but it may also be a material that deforms under the action of a magnetic field in the manner described. In the field generation components 115.1 and 115.2 These are then corresponding coil arrangements, which, supplied by the power supply and control device 115.3 , a corresponding magnetic field in the region of the first layer 110.2 produce.

Schließlich kann es sich bei der ersten Schicht 110.2 aber auch um ein Material handeln, das sich unter Einwirkung eines Temperaturfeldes in der beschriebenen Weise verformt. In diesem Fall kann beispielsweise nur die obere Felderzeugungskomponente 115.1, versorgt durch die Energieversorgungs- und Steuerungseinrichtung 115.3, vorgesehen sein, die eine entsprechende Temperaturverteilung im Bereich der ersten Schicht erzeugt. Dies kann beispielsweise mittels im Bereich der ersten Schicht entsprechend fokussiertes Laserlicht oder anderer elektromagnetischer Strahlung erfolgen.After all, it can be at the first layer 110.2 but also be a material that deforms under the action of a temperature field in the manner described. In this case, for example, only the upper field generation component 115.1 supplied by the power supply and control device 115.3 be provided, which generates a corresponding temperature distribution in the region of the first layer. This can be done, for example, by means of laser light that is correspondingly focused in the region of the first layer or by other electromagnetic radiation.

Es versteht sich auch hierbei, dass die oben beschriebenen Korrekturmechanismen, also die Korrektur durch ein oder mehrere elektrische, magnetische, thermische oder anderweitige Felder, gegebenenfalls beliebig miteinander kombiniert werden können. Hierzu können gegebenenfalls mehrere unterschiedliche aktive Schichten vorgesehen sein, welche dann über den ihnen innewohnenden Korrekturmechanismus zur Korrektur beitragen. Ebenso kann aber auch eine einzige erste Schicht aus einem entsprechenden Material mehrere solcher Korrekturmechanismen zur Verfügung stellen.It It should also be understood that the correction mechanisms described above, ie the correction by one or more electrical, magnetic, thermal or otherwise fields, optionally with each other as desired can be combined. You can do this optionally provided several different active layers which then over contribute to correcting the inherent correction mechanism. Likewise, however, also a single first layer of a corresponding Material provide several such correction mechanisms.

Im vorliegenden Beispiel ist der Grundkörper als im Wesentlichen passiver Körper ausgebildet, der durch das erste Feld 113 im Wesentlichen nicht beeinflusst, insbesondere nicht verformt wird. Es versteht sich jedoch, dass bei anderen Varianten der Erfindung gegebenenfalls auch ein durch das erste Feld mehr oder weniger stark verformter Grundkörper vorgesehen sein kann.In the present example, the main body is formed as a substantially passive body that passes through the first field 113 essentially not influenced, in particular not deformed. It is understood, however, that in other variants of the invention may optionally be provided by the first field more or less strongly deformed base body.

Im vorliegenden Beispiel wird als erster Fehler ein Passefehler der Linse 110 korrigiert, der einen entsprechenden Abbildungsfehler der ersten Linse nach sich zieht. Das erforderliche Maß der Korrektur kann über eine entsprechende Fehlererfassungseinrichtung 115.4 der Felderzeugungseinrichtung 115 erfasst werden, die einmalig, vorzugsweise aber von Zeit zu Zeit, an die Stelle des Substrats 106 verfahren wird, um den tatsächlichen ersten Fehler zu erfassen. Dieser wird dann für die Ansteuerung der Felderzeugungskomponenten 115.1 und 115.2 verwendet. Es versteht sich hierbei, dass bei anderen Varianten der Erfindung gegebenenfalls auch eine Regelung der Fehlerkorrektur mit ständiger Erfassung des ersten Fehlers vorgesehen sein kann.In the present example, the first error is a mating error of the lens 110 corrected, which entails a corresponding aberration of the first lens. The required degree of correction can be done via a corresponding error detection device 115.4 the field generating device 115 be captured, the one-time, but preferably from time to time, in the place of the substrate 106 is moved to capture the actual first error. This will then be used to control the field generation components 115.1 and 115.2 used. It goes without saying that, in other variants of the invention, a control of the error correction with constant detection of the first error may possibly also be provided.

Es versteht sich weiterhin, dass über die Korrekturschicht der Linse 110 nicht nur eine isolierte Korrektur eines ersten geometrischen Fehlers, z. B. eines Passefehlers, und damit eines Abbildungsfehlers der Linse 110 erfolgen kann. Vielmehr können hierüber auch ein oder mehrere Abbildungsfehler der gesamten optischen Elementgruppe 105.2 korrigiert werden. Die Korrektur des entsprechenden Abbildungsfehlers der optischen Elementgruppe 105.2 kann dabei gegebenenfalls auch nur teilweise erfolgen. Gegebenenfalls kann eine weiter gehende, regelbare und unter Umständen im Wesentlichen vollständige Korrektur des entsprechenden Abbildungsfehlers der optischen Elementgruppe 105.2 über weitere mit einer entsprechenden erfindungsgemäßen Korrekturmöglichkeit versehene optische Elemente des optischen Systems erfolgen.It is further understood that via the correction layer of the lens 110 not just an isolated correction of a first geometric error, e.g. B. a Passefehlers, and thus a aberration of the lens 110 can be done. On the contrary, one or more aberrations of the entire optical element group can also be involved 105.2 Getting corrected. The correction of the corresponding aberration of the optical element group 105.2 If appropriate, this can also be done only partially. Optionally, a more extensive, controllable and possibly substantially complete correction of the corresponding aberration of the optical element group 105.2 via further provided with a corresponding inventive correction option optical elements of the optical system.

Bei der ersten Schicht 110.2 kann es sich, wie erwähnt, um ein Material handeln, das sich unter Einwirkung eines elektrischen und/oder eines magnetischen und/oder eines thermischen und/oder eines anderweitigen Feldes in der beschriebenen Weise verformt.At the first shift 110.2 it may, as mentioned, be a material that deforms under the action of an electrical and / or magnetic and / or thermal and / or other field in the manner described.

Im Fall eines elektrischen Feldes kann es sich beispielsweise um ein so genanntes elektrostriktives Material handeln. Beispiele hierfür sind unter anderem alle piezoelektrischen Materialien. Insbesondere kann es sich um entsprechend lichtdurchlässige Dielektrika, beispielsweise entsprechend lichtdurchlässige Keramikwerkstoffe, insbesondere entsprechende Oxide, handeln. Beispiele für geeignete Materialien sind SrTiO₃, BaTiO₃ etc. Ebenso kann es sich um geeignete entsprechend lichtdurchlässige polymere Werkstoffe, beispielsweise Polyacrylate, Polyvinylidene Fluoride (PVDF) oder dergleichen, handeln. Im Fall eines magnetischen Feldes kann es sich beispielsweise um ein entsprechend lichtdurchlässiges magnetostriktives Material handeln.In the case of an electric field, it may be, for example, a so-called electrostrictive material. Examples include all piezoelectric materials. In particular, it may be correspondingly transparent dielectrics, for example correspondingly translucent ceramic materials, in particular corresponding oxides. Examples of suitable materials are SrTiO ₃ , BaTiO ₃ etc. Also, it may be appropriate corresponding translucent polymeric materials, such as polyacrylates, polyvinylidene fluorides (PVDF) or the like. In the case of a magnetic field, it may be, for example, a correspondingly translucent magnetostrictive material.

Es versteht sich, dass für die jeweilige Feldart im Bereich des optischen Elements 110 oder der Felderzeugungskomponenten 115.1 und/oder 115.2 entsprechende Sensoren vorgesehen sein können, um die Feldverteilung des tatsächlich generierten Feldes 113 zu erfassen. Im Falle des Magnetfelds können dies beispielsweise Hall-Sensoren oder dergleichen sein, die mit der Energieversorgungs- und Steuerungseinrichtung 115.3 verbunden sind.It is understood that for the respective Feldart in the range of the optical element 110 or the field generation component 115.1 and or 115.2 corresponding sensors can be provided to the field distribution of the actually generated field 113 capture. In the case of the magnetic field, these may be, for example, Hall sensors or the like connected to the power supply and control device 115.3 are connected.

Es sei an dieser Stelle noch angemerkt, dass mit der Mikrolithographieeinrichtung 101 aus 5 das im Zusammenhang mit 4 beschriebene Abbildungsverfahren mit dem Verfahren zum Korrigieren des ersten Fehlers des Objektivtubus 105 durchgeführt werden kann.It should be noted at this point that with the microlithography device 101 out 5 that in connection with 4 described imaging method with the method for correcting the first error of the lens barrel 105 can be carried out.

Drittes AusführungsbeispielThird embodiment

Unter Bezugnahme auf die 8 und 9 wird eine weitere bevorzugte Ausführungsform des erfindungsgemäßen optischen Elements 210 als Teil einer bevorzugten Ausführungsform der erfindungsgemäßen optischen Einrichtung für ein Objektiv für die Mikrolithographie beschrieben. Dieses optische Element 210 kann beispielsweise an Stelle des optischen Elements 10 in der Mikrolithographieeinrichtung 1 aus 1 zum Einsatz kommen.With reference to the 8th and 9 is another preferred embodiment of the optical element according to the invention 210 as part of a preferred embodiment of the optical device for a microlithography lens according to the invention. This optical element 210 For example, instead of the optical element 10 in the microlithography device 1 out 1 be used.

Die 8 und 9 zeigen schematische, nicht maßstäbliche Schnittdarstellungen eines Details des optischen Elements 210 aus 1, das als Spiegel ausgeführt ist. Der Spiegel 210 umfasst einen Grundkörper 210.1, auf den unmittelbar eine aktive erste Schicht 210.2 aufgebracht ist.The 8th and 9 show schematic, not to scale sectional views of a detail of the optical element 210 out 1 which is designed as a mirror. The mirror 210 includes a main body 210.1 on which immediately an active first layer 210.2 is applied.

Auf der dem Grundkörper 210.1 abgewandten Seite der ersten Schicht 210.1 ist eine weitere Schicht 210.4 angeordnet, welche die optischen Eigenschaften des Spiegels in hinlänglich bekannter Weise beeinflussen kann und daher hier nicht näher beschieben werden soll. Insbesondere kann es sich bei der Schicht 210.4 um eine reflektierende Schicht handeln.On the body 210.1 opposite side of the first layer 210.1 is another layer 210.4 arranged, which can influence the optical properties of the mirror in a well-known manner and therefore should not be described here in detail. In particular, it may be in the layer 210.4 to act as a reflective layer.

Es versteht sich hierbei, dass bei anderen Varianten des erfindungsgemäßen optischen Elements eine andere Anzahl solcher zusätzlicher Schichten vorgesehen sein kann. Insbesondere können diese zusätzlichen Schichten auch wieder eine oder mehrere Spannungsreduzierungsschichten und/oder Ablöseschichten umfassen, wie sie oben bereits hinlänglich beschrieben wurden. Weiterhin können auch eine oder mehrere solche zusätzlichen Schichten zwischen dem Grundkörper 210.1 und der ersten Schicht 210.2 angeordnet sein. Weiterhin kann die Schicht 210.4 gegebenenfalls auch entfallen, sodass gegebenenfalls nur die erste Schicht 210.2 auf dem Grundkörper 210.1 vorgesehen ist. Schließlich können auf der der ersten Schicht 210.2 abgewandten Seite des Grundkörpers 210.1 eine oder mehrere Schichten vorgesehen sein, die insbesondere auch eine reflektierende Schicht umfassen können.It goes without saying here that with other variants of the optical element according to the invention, a different number of such additional layers can be provided. In particular, these additional layers can also again comprise one or more stress reduction layers and / or release layers, as already described in detail above. Furthermore, one or more such additional Layers between the main body 210.1 and the first layer 210.2 be arranged. Furthermore, the layer 210.4 optionally omitted, so possibly only the first layer 210.2 on the body 210.1 is provided. Finally, on the first layer 210.2 opposite side of the body 210.1 one or more layers may be provided, which may in particular also comprise a reflective layer.

Der Grundkörper 210.1 weist in einem Bereich 211 nahe der optischen Achse 205.1 eine im mikroskopischen Bereich in der Größenordnung weniger Nanometer oder darunter liegende lokale Abweichung von seiner Sollgeometrie auf. Aufgrund der im Wesentlichen konstanten Schichtdicke der Schichten 210.2 und 210.4 weist die Oberfläche 210.6 des Spiegels 210 daher ebenfalls eine Abweichung von ihrer – in 8 durch die gestrichelte Kontur 212 angedeuteten – Sollgeometrie auf. Der Spiegel 210.1 weist in dem Bereich 211 somit ebenfalls einen im mikroskopischen Bereich in der Größenordnung weniger Nanometer oder darunter liegenden lokalen geometrischen ersten Fehler in Form eines lokalen Passefehlers auf.The main body 210.1 points in one area 211 near the optical axis 205.1 a local deviation from its nominal geometry lying in the microscopic range of the order of a few nanometers or less. Due to the substantially constant layer thickness of the layers 210.2 and 210.4 indicates the surface 210.6 of the mirror 210 therefore also a deviation from their - in 8th through the dashed outline 212 indicated - target geometry on. The mirror 210.1 points in the area 211 Thus, also in the microscopic range in the order of a few nanometers or less lying local geometric first error in the form of a local Passefehlers.

Um diesen ersten Fehler erfindungsgemäß korrigieren zu können, handelt es sich bei der ersten Schicht 210.2 um eine im Verhältnis zum Grundkörper 210.1 dünne Korrekturschicht aus einem Material, das sich unter Einwirkung eines ersten Feldes 213, wie es in 9 schematisch durch die Feldlinien 213.1 dargestellt ist, verformt. Im vorliegenden Beispiel ändert das Material der ersten Schicht 210.2 seine Ausdehnung im Wesentlichen quer zu den Feldlinien 213.1, hier also quer zur Schichtdickenrichtung 214.In order to be able to correct this first error according to the invention, the first layer is concerned 210.2 one in relation to the main body 210.1 thin correction layer of a material, which acts under the action of a first field 213 as it is in 9 schematically through the field lines 213.1 is shown deformed. In this example, the material changes the first layer 210.2 its extent substantially transverse to the field lines 213.1 , ie here transverse to the layer thickness direction 214 ,

Die lokale Ausdehnung der ersten Schicht 210.2 ist eine Funktion der lokalen Feldstärke des ersten Feldes 213. Im vorliegenden Bespiel ist die lokale Ausdehnung proportional zur lokalen Feldstärke. Es versteht sich jedoch, dass je nach dem Material der aktiven ersten Schicht auch beliebige andere Abhängigkeiten zwischen der lokalen Ausdehnung und der lokalen Feldstärke bestehen können.The local extent of the first layer 210.2 is a function of the local field strength of the first field 213 , In the present example, the local extent is proportional to the local field strength. However, it is understood that, depending on the material of the active first layer, any other dependencies between the local extent and the local field strength may exist.

Die erste Schicht 210.2 ist mit dem Grundkörper 210.1 derart fest verbunden, dass sie Scherkräfte in den Grundkörper 210.1 einleiten kann. Bei Ausdehnung der ersten Schicht 210.2 quer zur Schichtdickenrichtung 214 wird somit auch der Grundkörper 210.1 entsprechend verformt. Wie 9 zu entnehmen ist, ist das erste Feld und damit die lokale Ausdehnung der ersten Schicht 210.2 so gewählt, dass der erste Fehler, also die Passedeformation der Oberfläche 210.6, bedingt durch die Verformung der ersten Schicht 210.2 lokal im Wesentlichen vollständig korrigiert ist. Durch geeignete Wahl der Feldstärkeverteilung und der Richtung der Feldlinien des ersten Feldes 213 können somit beliebige lokale Passefehler in der Oberfläche 210.6 korrigiert werden.The first shift 210.2 is with the main body 210.1 so firmly connected that they shear forces in the body 210.1 can initiate. Upon expansion of the first layer 210.2 transverse to the layer thickness direction 214 thus becomes the basic body 210.1 deformed accordingly. As 9 is the first field and thus the local extent of the first layer 210.2 chosen so that the first mistake, so the pass deformation of the surface 210.6 caused by the deformation of the first layer 210.2 locally substantially completely corrected. By a suitable choice of the field strength distribution and the direction of the field lines of the first field 213 can thus have any local mating errors in the surface 210.6 Getting corrected.

Wie oben erwähnt, können auch eine oder mehrere zusätzliche Schichten zwischen dem Grundkörper 210.1 und der ersten Schicht 210.2 angeordnet sein. Entscheidend ist lediglich, dass die aktive erste Schicht durch ihre Verformung über die zusätzliche Schichten hinweg die gewünschte Verformung des Grundkörpers bewirkt.As mentioned above, one or more additional layers may also be interposed between the base body 210.1 and the first layer 210.2 be arranged. It is only decisive that the active first layer causes the desired deformation of the base body as a result of its deformation over the additional layers.

Hiermit ist es möglich, sämtliche entsprechenden Fehler des betreffenden optischen Elements, hier also beispielsweise des Spiegels 210, zu korrigieren. Es versteht sich jedoch, dass die Korrektur auch auf die tatsächlich genutzten Bereiche des Spiegels 210 lokal beschränkt bleiben kann. Weiterhin versteht es sich, dass die Korrektur mit der Nutzung des betreffenden optischen Elements variieren kann, d. h. der korrigierte Bereich also beispielsweise wandern kann oder der Grad der Korrektur je nach den tatsächlichen Randbedingungen bzw. Anforderungen variiert werden kann.This makes it possible, all the corresponding error of the optical element in question, here for example the mirror 210 , to correct. It is understood, however, that the correction also applies to the actual used areas of the mirror 210 can be limited locally. Furthermore, it is understood that the correction can vary with the use of the relevant optical element, ie the corrected area can thus, for example, move or the degree of correction can be varied according to the actual boundary conditions or requirements.

Wie oben bereits erwähnt, kann der Spiegel 210 an Stelle des Spiegels 10 in der Mikrolithographieeinrichtung 1 aus 1 verwendet werden. Das erste Feld 213 kann dann über die in der Nähe des Spiegels 210 angeordneten Felderzeugungskomponenten 15.1 und 15.2 der Felderzeugungseinrichtung 15 generiert werden, wie dies oben im Zusammenhang mit den 1 bis 3 beschrieben wurde.As mentioned above, the mirror 210 in place of the mirror 10 in the microlithography device 1 out 1 be used. The first field 213 can then over the near the mirror 210 arranged field generating components 15.1 and 15.2 the field generating device 15 be generated as above related to the 1 to 3 has been described.

Bei der ersten Schicht 210.2 kann es sich wiederum um ein Material handeln, das sich unter Einwirkung eines elektrischen und/oder eines magnetischen und/oder eines thermischen Feldes in der beschriebenen Weise verformt. Hierbei können wiederum die Materialien Anwendung finden, die oben im Zusammenhang mit den 1 bis 3 beschrieben wurden. Im Falle der aus mehreren Teilschichten aufgebauten aktiven ersten Schicht sind die kationischen und anionischen Teilschichten allerdings dann gegebenenfalls quer zur Schichtdickenrichtung nebeneinanderliegend angeordnet.At the first shift 210.2 it may in turn be a material which deforms under the action of an electrical and / or magnetic and / or thermal field in the manner described. Here again, the materials can be used, the above in connection with the 1 to 3 have been described. In the case of the active first layer composed of several partial layers, however, the cationic and anionic partial layers are then optionally arranged next to one another transversely to the layer thickness direction.

Die Felderzeugungseinrichtung 15 ist dann wiederum, wie oben im Zusammenhang mit den 1 bis 3 beschrieben, entsprechend ausgebildet. Mit ihr lassen sich dann auch bei dem Spiegel 210 die oben beschriebenen Korrekturmechanismen und -varianten durchführen. Insbesondere lässt sich auch hier wieder nicht nur eine isolierte Korrektur eines ersten geometrischen Fehlers, z. B. eines Passefehlers, und damit eines Abbildungsfehlers des Spiegels 210 erzielen. Vielmehr können auch hier ein oder mehrere Abbildungsfehler einer optischen Elementgruppe korrigiert werden, zu welcher der Spiegel 210 gehört.The field generating device 15 is then again, as related to the above 1 to 3 described, trained accordingly. With her can be synonymous with the mirror 210 perform the correction mechanisms and variants described above. In particular, again, not only can an isolated correction of a first geometric error, eg. B. a Passefehlers, and thus a aberration of the mirror 210 achieve. Rather, here too one or more aberrations of an optical element group can be corrected, to which the Spie gel 210 belongs.

Es versteht sich auch hier wiederum, dass die oben beschriebenen Korrekturmechanismen, also die Korrektur durch ein oder mehrere elektrische, magnetische oder thermische Felder, gegebenenfalls beliebig miteinander kombiniert werden können. Hierzu können gegebenenfalls mehrere unterschiedliche aktive Schichten vorgesehen sein, welche dann über den ihnen innewohnenden Korrekturmechanismus zur Korrektur beitragen. Ebenso kann aber auch eine einzige erste Schicht aus einem entsprechenden Material mehrere solcher Korrekturmechanismen zur Verfügung stellen.It Again, it goes without saying that the correction mechanisms described above, ie the correction by one or more electrical, magnetic or thermal fields, optionally combined with each other as desired can be. You can do this optionally provided several different active layers which then over contribute to correcting the inherent correction mechanism. Likewise, however, also a single first layer of a corresponding Material provide several such correction mechanisms.

Im vorliegenden Beispiel ist der Grundkörper als im Wesentlichen passiver Körper ausgebildet, der durch das erste Feld 213 im Wesentlichen nicht beeinflusst wird, insbesondere nicht verformt wird. Es versteht sich jedoch, dass bei anderen Varianten der Erfindung gegebenenfalls auch ein durch das erste Feld oder ein weiteres Feld mehr oder weniger stark verformter Grundkörper vorgesehen sein kann.In the present example, the main body is formed as a substantially passive body that passes through the first field 213 is essentially not affected, in particular is not deformed. It is understood, however, that in other variants of the invention, if appropriate, a base body which is more or less strongly deformed by the first field or a further field can also be provided.

Es sei an dieser Stelle noch angemerkt, dass natürlich auch bei Verwendung des Spiegels 210 an Stelle des Spiegels 10 mit der Mikrolithographieeinrichtung 1 das im Zusammenhang mit 4 beschriebene Abbildungsverfahren mit dem Verfahren zum Korrigieren des ersten Fehlers des Objektivtubus 205 durchgeführt werden kann.It should be noted at this point that, of course, even when using the mirror 210 in place of the mirror 10 with the microlithography device 1 that in connection with 4 described imaging method with the method for correcting the first error of the lens barrel 205 can be carried out.

Es sei an dieser Stelle weiterhin noch angemerkt, dass der soeben beschriebene Korrekturmechanismus durch Verformung des Grundkörpers natürlich auch bei refraktiven oder diffraktiven optischen Elementen Anwendung finden kann.It It should also be noted at this point that the just described Correction mechanism by deformation of the body course, even in refractive or diffractive optical elements can be used.

Viertes AusführungsbeispielFourth embodiment

Unter Bezugnahme auf die 10 bis 12 wird eine weitere bevorzugte Ausführungsform des erfindungsgemäßen optischen Elements als Teil einer bevorzugten Ausführungsform der erfindungsgemäßen optischen Einrichtung für ein Objektiv für die Mikrolithographie beschrieben.With reference to the 10 to 12 A further preferred embodiment of the optical element according to the invention is described as part of a preferred embodiment of the optical device for a microlithography objective according to the invention.

10 zeigt eine schematische Darstellung einer bevorzugten Ausführungsform der erfindungsgemäßen Mikrolithographieeinrichtung 301, die mit Licht im extremen UV-Bereich (EUV) arbeitet. Die Mikrolithographieeinrichtung 301 umfasst ein optisches Projektionssystem 302 mit einem Beleuchtungssystem 303, einer Maske 304 und einer optischen Einrichtung in Form eines Objektivtubus 305 mit einer optischen Achse 305.1. Das Beleuchtungssystem 303 beleuchtet über ein – nicht näher dargestelltes – Lichtleitsystem die reflektierend Maske 304. Auf der Maske 304 befindet sich ein Muster, welches über die im Objektivtubus 305 angeordneten optischen Elemente auf ein Substrat 306, beispielsweise einen Wafer, projiziert wird. 10 shows a schematic representation of a preferred embodiment of the microlithography device according to the invention 301 , which works with light in the extreme UV range (EUV). The microlithography device 301 includes an optical projection system 302 with a lighting system 303 , a mask 304 and an optical device in the form of a lens barrel 305 with an optical axis 305.1 , The lighting system 303 illuminated via a - not shown - - light guide the reflective mask 304 , On the mask 304 there is a pattern, which on the in the lens barrel 305 arranged optical elements on a substrate 306 , For example, a wafer is projected.

Der Objektivtubus 305 umfasst eine optische Elementgruppe 305.2, die von einer Reihe von optischen Elementen 307, 308, 309, 310, 316, 317 gebildet ist. Wegen der Arbeitswellenlänge im EUV-Bereich handelt es sich bei den optischen Elementen 307, 308, 309, 310, 316, 317 um reflektierende optische Elemente, also Spiegel oder dergleichen.The lens barrel 305 comprises an optical element group 305.2 made of a series of optical elements 307 . 308 . 309 . 310 . 316 . 317 is formed. Because of the operating wavelength in the EUV range, it is the optical elements 307 . 308 . 309 . 310 . 316 . 317 to reflective optical elements, ie mirrors or the like.

Die Mikrolithographieeinrichtung 301 gleicht – abgesehen von ihrer abweichenden Anordnung der optischen Elemente- in ihrem Aufbau und ihrer grundsätzlichen Funktionsweise der Mikrolithographieeinrichtung 1 aus 1, sodass hier hauptsächlich nur auf die Unterschiede eingegangen werden soll.The microlithography device 301 is similar - apart from their different arrangement of the optical elements - in their structure and their basic operation of the microlithography device 1 out 1 so that here mainly only the differences should be discussed.

Die 11 und 12 zeigen schematische, nicht maßstäbliche Schnittdarstellungen eines Details des Spiegels 310 aus 10. Der Spiegel 10 umfasst einen Grundkörper 310.1, auf den eine aktive erste Schicht 310.2 aufgebracht ist. Die aktive erste Schicht 310.2 ist dabei wie die aktive erste Schicht 10.2 aus den 2 und 3 aufgebaut. Sie ist damit als im Verhältnis zum Grundkörper 310.1 dünne Korrekturschicht ausgebildet. Analog zu der Ausführung aus den 1 bis 3 kann die aktive erste Schicht 310.2 durch Anlegen eines Feldes 313 lokal verformt werden, um einen ersten Fehler des Spiegels 310 oder der optischen Elementgruppe 305.2 zu korrigieren.The 11 and 12 show schematic, not to scale sectional views of a detail of the mirror 310 out 10 , The mirror 10 includes a main body 310.1 on which an active first layer 310.2 is applied. The active first layer 310.2 is like the active first layer 10.2 from the 2 and 3 built up. It is thus in relation to the basic body 310.1 formed thin correction layer. Analogous to the execution of the 1 to 3 can be the active first layer 310.2 by creating a field 313 locally deformed to a first error of the mirror 310 or the optical element group 305.2 to correct.

Es versteht sich jedoch, dass die aktive erste Schicht 310.2 ebenso wie die aktive erste Schicht 210.2 aus den 8 und 9 aufgebaut sein kann. Analog zu der Ausführung aus den 8 und 9 bis 3 kann die aktive erste Schicht 310.2 dann durch Anlegen eines Feldes 313 lokal verformt werden, um einen ersten Fehler des Spiegels 310 oder der optischen Elementgruppe 305.2 zu korrigieren.It is understood, however, that the active first layer 310.2 as well as the active first layer 210.2 from the 8th and 9 can be constructed. Analogous to the execution of the 8th and 9 to 3 can be the active first layer 310.2 then by creating a field 313 locally deformed to a first error of the mirror 310 or the optical element group 305.2 to correct.

Zu beiden Seiten der ersten Schicht 310.2 ist jeweils eine Felderzeugungsschicht 310.7 und 310.8 vorgesehen. Die Felderzeugungsschichten 310.7 und 310.8 gehören zu einer Felderzeugungseinrichtung 315 und sind mit einer Energieversorgungs- und Steuerungseinrichtung 315.3 der Felderzeugungseinrichtung 315 verbunden. Die Felderzeugungsschichten 310.7 und 310.8 haben somit dieselbe Funktion wie die Felderzeugungskomponenten 15.1 und 15.2 aus 1, sodass diesbezüglich auf die obigen Ausführungen verwiesen wird. Mit anderen Worten stellen sie also in dem Spiegel 310 integrierte Felderzeugungskomponenten dar. Es versteht sich jedoch, dass bei anderen Varianten der Erfindung auch nur eine einzige Felderzeugungsschicht vorgesehen sein kann.On both sides of the first layer 310.2 is each a field generation layer 310.7 and 310.8 intended. The field generation layers 310.7 and 310.8 belong to a field generator 315 and are with a power supply and control device 315.3 the field generating device 315 connected. The field generation layers 310.7 and 310.8 thus have the same function as the field generation components 15.1 and 15.2 out 1 , so that reference is made in this regard to the above statements. In other words, they are in the mirror 310 However, it is understood that in other variants of the invention, only a single field generation layer can be provided.

Im vorliegenden Beispiel wird als erster Fehler wiederum ein Passefehler des Spiegels 310 korrigiert, der einen entsprechenden Abbildungsfehler des Spiegels 310 nach sich zieht. Das erforderliche Maß der Korrektur wird hier über eine Fehlererfassungseinrichtung 315.4 der Felderzeugungseinrichtung 315 erfasst. Diese erfasst den ersten Fehler kontinuierlich über eine Erfassung der Verteilung und der Intensität von Streulicht im Bereich des Spiegels 310.In the present example, the first error again is a pseudo error of the mirror 310 corrected, the corresponding aberration of the mirror 310 pulls. The required degree of correction is here via an error detection device 315.4 the field generating device 315 detected. This detects the first error continuously by detecting the distribution and the intensity of scattered light in the area of the mirror 310 ,

Die Energieversorgungs- und Steuerungseinrichtung 315.3 versorgt die Felderzeugungsschichten 310.7 und 310.8 gezielt mit Energie, um die zur Korrektur der lokalen ersten Fehler des Spiegels 310 bzw. der optischen Elementgruppe 305.2 erforderliche Verteilung und Richtung der lokalen Feldstärke des ersten Feldes 313 zu generieren.The power supply and control device 315.3 supplies the field generation layers 310.7 and 310.8 Targeted with energy to help correct the local first error of the mirror 310 or the optical element group 305.2 required distribution and direction of the local field strength of the first field 313 to generate.

Zu beiden Seiten der Anordnung aus der ersten Schicht 310.2 und den Felderzeugungsschichten 310.7 und 310.8 ist jeweils eine Abschirmschicht 310.9 und 310.10 vorgesehen. Diese Abschirmschichten 310.9 und 310.10 dienen dazu, Störfelder im Bereich der ersten Schicht 310.2 abzuschirmen und somit ein genau definiertes Feld 313 im Bereich der ersten Schicht 310.2 sicherzustellen. Dieses genau definierte Feld 313 stellt dann wiederum eine genau definierte Korrektur des ersten Fehlers sicher.On both sides of the arrangement of the first layer 310.2 and the field generation layers 310.7 and 310.8 each is a shielding layer 310.9 and 310.10 intended. These shielding layers 310.9 and 310.10 serve, interference fields in the area of the first layer 310.2 shield and thus a well-defined field 313 in the area of the first layer 310.2 sure. This well-defined field 313 then again ensures a well-defined correction of the first error.

Es versteht sich jedoch, dass bei anderen Varianten der Erfindung gegebenenfalls auch nur eine einzige Abschirmschicht vorgesehen sein kann. Es versteht sich weiterhin, dass bei anderen Varianten der Erfindung auch außerhalb des optischen Elements angeordnete Abschirmeinrichtungen für Störfelder vorgesehen sein können.It However, it should be understood that in other variants of the invention, where appropriate also only a single shielding layer can be provided. It understands continue, that in other variants of the invention also outside of the optical element arranged shielding means for interference fields can be provided.

Auf der dem Grundkörper 310.1 abgewandten Seite der Abschirmschicht 310.10 ist eine weitere Schicht 310.4 angeordnet, welche die optischen Eigenschaften des Spiegels 310 in hinlänglich bekannter Weise beeinflussen kann und daher hier nicht näher beschieben werden sollen.On the body 310.1 opposite side of the shielding 310.10 is another layer 310.4 arranged, which the optical properties of the mirror 310 influence in a well-known manner and therefore should not be described here in detail.

Es versteht sich hierbei, dass bei anderen Varianten des erfindungsgemäßen optischen Elements eine andere Anzahl solcher zusätzlicher Schichten vorgesehen sein kann. Weiterhin können auch eine oder mehrere solche zusätzlichen Schichten zwischen dem Grundkörper 310.1 und der ersten Schicht 310.2 angeordnet sein. Weiterhin können alle oder einzelne dieser weiteren Schichten gegebenenfalls auch entfallen.It goes without saying here that with other variants of the optical element according to the invention, a different number of such additional layers can be provided. Furthermore, one or more such additional layers between the body 310.1 and the first layer 310.2 be arranged. Furthermore, all or some of these additional layers may also be omitted.

Es versteht sich wiederum, dass es sich bei sämtlichen Schichten 310.2 bis 310.10 zudem um Spannungsreduzierungsschichten (anti stress layer) und/oder Ablöseschichten (release layer) handeln kann, wie sie oben beschrieben wurden.Again, it is understood that all layers 310.2 to 310.10 may also be anti-stress layer (s) and / or release layer (s) as described above.

Wie 12 zu entnehmen ist, die eine schematische Draufsicht auf einen Teil der in der Felderzeugungsschicht 310.7 eingebetteten Felderzeugungseinrichtung zeigt. Hierbei handelt es sich um selektiv von der Energieversorgungs- und Steuerungseinrichtung 315.3 ansteuerbare, matrixartig angeordnete Leiterbahnen 315.5. Hierdurch sind einzeln ansteuerbare Zellen 315.6 gebildet, in denen ein entsprechendes elektrisches oder magnetisches Feld aufgebaut werden kann. Aus der Überlagerung der Felder der Zellen 315.6 kann dann das Feld 313 mit der zur Korrektur erforderlichen lokalen Feldverteilung generiert werden.As 12 which is a schematic plan view of a part of the in the field generation layer 310.7 embedded field generating device shows. This is selectively from the power supply and control device 315.3 controllable, arranged in a matrix-like conductor tracks 315.5 , As a result, individually controllable cells 315.6 formed, in which a corresponding electric or magnetic field can be constructed. From the superposition of the cells' fields 315.6 then can the field 313 generated with the local field distribution required for correction.

Es versteht sich hierbei, dass die oben beschriebenen Korrekturmechanismen, also die Korrektur durch ein oder mehrere elektrische, magnetische oder thermische Felder, gegebenenfalls auch hier wieder beliebig miteinander kombiniert werden können. Hierzu können gegebenenfalls mehrere unterschiedliche aktive Schichten mit mehreren, gegebenenfalls durch Abschirmschichten abgeschirmten Felderzeugungsschichten vorgesehen sein, welche dann über den ihnen innewohnenden Korrekturmechanismus zur Korrektur beitragen. Ebenso kann aber auch eine einzige erste Schicht aus einem entsprechenden Material, gegebenenfalls in Kombination mit mehreren Felderzeugungsschichten, mehrere solcher Korrekturmechanismen zur Verfügung stellen.It It should be understood that the correction mechanisms described above, ie the correction by one or more electrical, magnetic or thermal fields, optionally also here again arbitrary can be combined with each other. You can do this optionally several different active layers with several, optionally shielded by shielding layers generating layers be provided, which then over contribute to correcting the inherent correction mechanism. Likewise, however, also a single first layer of a corresponding Material, optionally in combination with multiple field generation layers, provide several such correction mechanisms.

Vorstehend wurde die vorliegende Erfindung im Zusammenhang mit den 11 und 12 am Beispiel des Spiegels 310 beschrieben. Das reflektierende Element muss dabei nicht notwendiger Weise unmittelbar an der äußeren Oberfläche des Spiegels 310 vorgesehen sein. Vielmehr kann der Spiegel 310, insbesondere bei höheren Arbeitswellenlängen, auch als katadioptrisches Element ausgebildet sein, bei dem vor dem reflektierenden Element ein oder mehrere refraktive Elemente, beispielsweise refraktive Schichten etc, angeordnet sind.In the foregoing, the present invention has been described in connection with FIGS 11 and 12 the example of the mirror 310 described. The reflective element does not necessarily have to be directly on the outer surface of the mirror 310 be provided. Rather, the mirror can 310 , in particular at higher operating wavelengths, may also be embodied as a catadioptric element, in which one or more refractive elements, for example refractive layers, etc., are arranged in front of the reflective element.

Ebenso versteht es sich, dass sich die im optischen Element integrierte Felderzeugungsschicht und gegebenenfalls die Abschirmschicht auch im Zusammenhang mit refraktiven optischen Elementen einsetzen fassen.As well It is understood that the integrated in the optical element Field generation layer and optionally the shielding layer also in connection with refractive optical elements.

Schließlich versteht es sich, dass bei anderen Varianten der Erfindung die im optischen Element integrierte Felderzeugung aus den 10 bis 12 auch mit der externen Feldgenerierung, wie sie beispielsweise im Zusammenhang den 1 bis 9 beschrieben wurde kombiniert werden kann.Finally, it is understood that in other variants of the invention, the integrated in the optical element field generation of the 10 to 12 also with the external field generation, as they are related to the 1 to 9 described could be combined.

Fünftes AusführungsbeispielFifth embodiment

Unter Bezugnahme auf die 13 und 14 wird eine weitere bevorzugte Ausführungsform des erfindungsgemäßen optischen Elements 410 als Teil einer bevorzugten Ausführungsform der erfindungsgemäßen optischen Einrichtung für ein Objektiv für die Mikrolithographie beschrieben. Dieses optische Element 410 kann beispielsweise an Stelle des opti schen Elements 110 in der Mikrolithographieeinrichtung 101 aus 5 zum Einsatz kommen.With reference to the 13 and 14 will be another preferred embodiment form of the optical element according to the invention 410 as part of a preferred embodiment of the optical device for a microlithography lens according to the invention. This optical element 410 may, for example, instead of the optical element rule 110 in the microlithography device 101 out 5 be used.

Die 13 und 14 zeigen schematische, nicht maßstäbliche Schnittdarstellungen eines Details des optischen Elements 410 aus 5, das als Linse ausgeführt ist. Die Linse 410 umfasst einen, eine aktive erste Schicht 410.2 und eine zweite Schicht 410.3. Die zweite Schicht 410.3 ist unmittelbar auf den Grundkörper 410.1 aufgebracht. Die zweite Schicht 410.3 kann die optischen Eigenschaften der Linse 410 in hinlänglich bekannter Weise beeinflussen und soll daher hier nicht näher beschrieben werden.The 13 and 14 show schematic, not to scale sectional views of a detail of the optical element 410 out 5 which is designed as a lens. The Lens 410 includes one, an active first layer 410.2 and a second layer 410.3 , The second layer 410.3 is directly on the body 410.1 applied. The second layer 410.3 can the optical properties of the lens 410 influence in a well-known manner and should therefore not be described in detail here.

Auf der dem Grundkörper 410.1 abgewandten Seite der Schicht 410.3 ist die aktive erste Schicht 410.1 angeordnet. Die aktive erste Schicht 410.3 ist derart ringförmig ausgebildet, dass sie sich am Umfang der Linse 410 außerhalb des optisch genutzten Bereichs 410.11 der Linse 410 erstreckt und diesen somit ringförmig umgibt. Da sich die aktive erste Schicht 410.1 außerhalb des optisch genutzten Bereichs 410.11 befindet, muss sie in vorteilhafter Weise weder ausreichend transmissive Eigenschaften noch eine bestimmte Oberflächengüte aufweisen.On the body 410.1 opposite side of the layer 410.3 is the active first layer 410.1 arranged. The active first layer 410.3 is formed annular so that they are on the circumference of the lens 410 outside the optically used area 410.11 the lens 410 extends and thus surrounds it annularly. Because the active first layer 410.1 outside the optically used area 410.11 It must advantageously have neither sufficient transmissive properties nor a certain surface quality.

Es versteht sich, dass bei anderen Varianten des erfindungsgemäßen optischen Elements eine beliebige Anzahl zusätzlicher Schichten vorgesehen sein kann. Insbesondere können diese zusätzlichen Schichten auch wieder eine oder mehrere Spannungsreduzierungsschichten und/oder Ablöseschichten umfassen, wie sie oben bereits hinlänglich beschrieben wurden. Weiterhin können auch eine oder mehrere solche zusätzlichen Schichten zwischen dem Grundkörper 410.1 und der Schicht 410.3 angeordnet sein. Weiterhin kann die Schicht 410.3 gegebenenfalls auch entfallen, sodass gegebenenfalls nur die erste Schicht 410.2 auf dem Grundkörper 410.1 vorgesehen ist. Schließlich können auf der der ersten Schicht 410.2 abgewandten Seite des Grundkörpers 410.1 eine oder mehrere Schichten vorgesehen sein.It is understood that in other variants of the optical element according to the invention any number of additional layers can be provided. In particular, these additional layers can also again comprise one or more stress reduction layers and / or release layers, as already described in detail above. Furthermore, one or more such additional layers between the body 410.1 and the layer 410.3 be arranged. Furthermore, the layer 410.3 optionally omitted, so possibly only the first layer 410.2 on the body 410.1 is provided. Finally, on the first layer 410.2 opposite side of the body 410.1 one or more layers may be provided.

Die Schicht 410.3 weist in dem optisch genutzten Bereichs 410.11 der Linse 410 eine im mikroskopischen Bereich in der Größenordnung weniger Nanometer oder darunter liegende lokale Schichtdickenvariation und damit Abweichungen von der Sollgeometrie auf, sodass die Oberfläche 410.6 der Linse 410 im optisch genutzten Bereich 410.11 daher ebenfalls eine Abweichung von ihrer – in 13 durch die gestrichelte Kontur 412 angedeuteten – Sollgeometrie aufweist. Die Linse 410.1 weist in dem Bereich 411 somit ebenfalls einen im mikroskopischen Bereich in der Größenordnung weniger Nanometer oder darunter liegenden lokalen geometrischen ersten Fehler in Form eines lokalen Passefehlers auf.The layer 410.3 points in the optically used area 410.11 the lens 410 a local layer thickness variation lying in the microscopic range of the order of a few nanometers or less, and thus deviations from the desired geometry, so that the surface 410.6 the lens 410 in the optically used area 410.11 therefore also a deviation from their - in 13 through the dashed outline 412 indicated - target geometry has. The Lens 410.1 points in the area 411 Thus, also in the microscopic range in the order of a few nanometers or less lying local geometric first error in the form of a local Passefehlers.

Um diesen ersten Fehler erfindungsgemäß korrigieren zu können, handelt es sich bei der ersten Schicht 410.2 um eine im Verhältnis zum Grundkörper 410.1 dünne Korrekturschicht aus einem Material, das sich unter Einwirkung eines ersten Feldes 413, wie es in 14 schematisch durch die Feldlinien 413.1 dargestellt ist, verformt. Im vorliegenden Beispiel ändert das Material der ersten Schicht 410.2 seine Ausdehnung im Wesentlichen quer zu den Feldlinien 413.1, hier also quer zur Schichtdickenrichtung 414.In order to be able to correct this first error according to the invention, the first layer is concerned 410.2 one in relation to the main body 410.1 thin correction layer of a material, which acts under the action of a first field 413 as it is in 14 schematically through the field lines 413.1 is shown deformed. In this example, the material changes the first layer 410.2 its extent substantially transverse to the field lines 413.1 , ie here transverse to the layer thickness direction 414 ,

Die lokale Ausdehnung der ersten Schicht 410.2 ist eine Funktion der lokalen Feldstärke des ersten Feldes 413. Im vorliegenden Bespiel ist die lokale Ausdehnung proportional zur lokalen Feldstärke. Es versteht sich jedoch, dass je nach dem Material der aktiven ersten Schicht auch beliebige andere Abhängigkeiten zwischen der lokalen Ausdehnung und der lokalen Feldstärke bestehen können.The local extent of the first layer 410.2 is a function of the local field strength of the first field 413 , In the present example, the local extent is proportional to the local field strength. However, it is understood that, depending on the material of the active first layer, any other dependencies between the local extent and the local field strength may exist.

Die erste Schicht 410.2 ist mit der zweiten Schicht 410.3 derart fest verbunden, dass sie Scherkräfte in die zweite Schicht 410.3 einleiten kann. Bei der unter Einwirkung des ersten Feldes 413 auftretenden Kontraktion der ersten Schicht 410.2 quer zur Schichtdickenrichtung 414 wird somit auf die zweite Schicht 410.3 umlaufend eine in Radialrichtung der Linse 410, also senkrecht zur optischen Achse 405.1, wirkende Zugkraft auf die zweite Schicht 410.3 ausgeübt.The first shift 410.2 is with the second layer 410.3 so firmly connected that it shearing forces in the second layer 410.3 can initiate. When under the action of the first field 413 occurring contraction of the first layer 410.2 transverse to the layer thickness direction 414 is thus on the second layer 410.3 circumferentially one in the radial direction of the lens 410 , ie perpendicular to the optical axis 405.1 , acting tensile force on the second layer 410.3 exercised.

Die zweite Schicht 410.3 ist als Spannungsreduzierungsschicht (so genannte anti stress layer) gestaltet, wie sie oben im Zusammenhang mit dem ersten Ausführungsbeispiel bereits beschrieben wurde. Die Eigenschaft der zweiten Schicht 410.3, in Folge von Zug- bzw. Scherkräften zwischen der ersten Schicht 410.2 und dem Grundkörper 410.1 auftretende Spannungen abzubauen, bedingt, dass durch die Kontraktion der ersten Schicht 410.2 im Wesentlichen nur die zweite Schicht 410.3 verformt wird, während der Grundkörper 410.1 im Wesentlichen unverändert bleibt. Die zweite Schicht 410.3 wird dabei durch die radiale Zugkraft derart verformt, dass sie über den optisch genutzten Bereich "glatt" gezogen wird, sodass ihre Schichtdickenvariation zumindest reduziert, bevorzugt aber im Wesentlichen vollständig aufgehoben wird.The second layer 410.3 is designed as a stress-reducing layer (so-called anti-stress layer), as has already been described above in connection with the first embodiment. The property of the second layer 410.3 , due to tensile or shear forces between the first layer 410.2 and the body 410.1 reduce stresses that occur due to the contraction of the first layer 410.2 essentially only the second layer 410.3 is deformed while the main body 410.1 remains essentially unchanged. The second layer 410.3 is deformed by the radial tensile force such that it is "smooth" pulled over the optically used area, so that their layer thickness variation is at least reduced, but preferably substantially canceled completely.

Wie 14 zu entnehmen ist, ist das erste Feld und damit die Kontraktion der ersten Schicht 410.2 so gewählt, dass der erste Fehler, also die Passedeformation der Oberfläche 410.6, bedingt durch die Verformung der ersten Schicht 410.2 und der daraus resultieren den Verformung der zweiten Schicht 410.3 im Wesentlichen vollständig korrigiert ist. Durch geeignete Wahl der Feldstärkeverteilung und der Richtung der Feldlinien des ersten Feldes 413 können somit beliebige lokale Passefehler in der Oberfläche 410.6 korrigiert werden.As 14 can be seen, is the first field and thus the contraction of the first layer 410.2 chosen so that the first error, so the pas sedeformation of the surface 410.6 caused by the deformation of the first layer 410.2 and the resulting deformation of the second layer 410.3 is essentially completely corrected. By a suitable choice of the field strength distribution and the direction of the field lines of the first field 413 can thus have any local mating errors in the surface 410.6 Getting corrected.

Wie oben erwähnt, können auch eine oder mehrere zusätzliche Schichten zwischen der ersten Schicht 410.2 und dem Grundkörper 410.1 bzw. der zweiten Schicht 410.3 angeordnet sein. Weiterhin kann die ringförmige erste Schicht auch koplanar, d.h. in einer Ebene mit der zweiten Schicht angeordnet sein, sodass sie die zweite Schicht ringförmig umgibt und so unmittelbar eine radiale Zugkraft auf diese ausübt. Insbesondere kann die aktive erste Schicht 410.2 in einer solchen koplanaren Anordnung mit einer weiteren Schicht dann auch zwischen dem Grundkörper 410.1 und der zweiten Schicht 410.3 angeordnet sein. Entscheidend ist lediglich, dass die aktive erste Schicht 410.2 durch ihre Verformung über die zweite Schicht 410.3 bzw. gegebenenfalls zusätzliche Schichten hinweg die gewünschte Verformung der Oberfläche 410.6 im optisch genutzten Bereich 410.11 bewirkt.As mentioned above, one or more additional layers may also be interposed between the first layer 410.2 and the body 410.1 or the second layer 410.3 be arranged. Furthermore, the annular first layer can also be coplanar, ie arranged in a plane with the second layer, so that it surrounds the second layer in an annular manner and thus directly exerts a radial tensile force on it. In particular, the active first layer 410.2 in such a coplanar arrangement with a further layer then also between the base body 410.1 and the second layer 410.3 be arranged. The only thing that matters is that the active first layer 410.2 by their deformation over the second layer 410.3 or optionally additional layers, the desired deformation of the surface 410.6 in the optically used area 410.11 causes.

Hiermit ist es möglich, sämtliche entsprechenden Fehler des betreffenden optischen Elements, hier also beispielsweise der Linse 410, zu korrigieren. Es versteht sich jedoch, dass die Korrektur mit der Nutzung des betreffenden optischen Elements variieren kann, d. h. die Korrektur mehr oder weniger stark ausfallen kann. Weiterhin kann die Korrektur lokal durch in Umfangsrichtung des optischen Elements, hier der Linse 410, erfolgende Variation des ersten Feldes 413 und damit in Umfangsrichtung des optischen Elements variierende Kontraktion der ersten Schicht 410.2 variiert werden. Der korrigierte Bereich kann also beispielsweise wandern oder es kann der Grad der Korrektur je nach den tatsächlichen Randbedingungen bzw. Anforderungen variiert werden.This makes it possible, all the corresponding errors of the optical element in question, in this case, for example, the lens 410 , to correct. It is understood, however, that the correction may vary with the use of the optical element concerned, ie the correction may be more or less strong. Furthermore, the correction can locally by in the circumferential direction of the optical element, here the lens 410 , successive variation of the first field 413 and contraction of the first layer varying therewith in the circumferential direction of the optical element 410.2 be varied. The corrected range can thus, for example, migrate or the degree of correction can be varied according to the actual boundary conditions or requirements.

Wie oben bereits erwähnt, kann die Linse 410 an Stelle der Linse 110 in der Mikrolithographieeinrichtung 101 aus 5 verwendet werden. Das erste Feld 413 kann dann über die in der Nähe der Linse 410 angeordneten Felderzeugungskomponenten 15.1 und 15.2 der Felderzeugungseinrichtung 115 generiert werden, wie dies oben im Zusammenhang mit den 5 bis 7 beschrieben wurde.As mentioned above, the lens can 410 in place of the lens 110 in the microlithography device 101 out 5 be used. The first field 413 can then over the near the lens 410 arranged field generating components 15.1 and 15.2 the field generating device 115 be generated as above related to the 5 to 7 has been described.

Bei der ersten Schicht 410.2 kann es sich wiederum um ein Material handeln, das sich unter Einwirkung eines elektrischen und/oder eines magnetischen und/oder eines thermischen Feldes in der beschriebenen Weise verformt. Hierbei können wiederum die Materialien Anwendung finden, die oben im Zusammenhang mit den 1 bis 3 beschrieben wurden. Im Falle der aus mehreren Teilschichten aufgebauten aktiven ersten Schicht sind die kationischen und anionischen Teilschichten allerdings dann gegebenenfalls quer zur Schichtdickenrichtung nebeneinanderliegend angeordnet.At the first shift 410.2 it may in turn be a material which deforms under the action of an electrical and / or magnetic and / or thermal field in the manner described. Here again, the materials can be used, the above in connection with the 1 to 3 have been described. In the case of the active first layer composed of several partial layers, however, the cationic and anionic partial layers are then optionally arranged next to one another transversely to the layer thickness direction.

Die Felderzeugungseinrichtung 115 ist dann wiederum, wie oben im Zusammenhang mit den 5 bis 7 beschrieben, entsprechend ausgebildet. Mit ihr lassen sich dann auch bei dem Linse 410 die oben beschriebenen Korrekturmechanismen und -varianten durchführen. Insbesondere lässt sich auch hier wieder nicht nur eine isolierte Korrektur eines ersten geometrischen Fehlers, z. B. eines Passefehlers, und damit eines Abbildungsfehlers der Linse 410 erzielen. Vielmehr können auch hier ein oder mehrere Abbildungsfehler einer optischen Elementgruppe korrigiert werden, zu welcher der Linse 410 gehört.The field generating device 115 is then again, as related to the above 5 to 7 described, trained accordingly. With her can be synonymous with the lens 410 perform the correction mechanisms and variants described above. In particular, again, not only can an isolated correction of a first geometric error, eg. B. a Passefehlers, and thus a aberration of the lens 410 achieve. Rather, here too one or more aberrations of an optical element group can be corrected, to which the lens 410 belongs.

Im vorliegenden Beispiel ist der Grundkörper als im Wesentlichen passiver Körper ausgebildet, der durch das erste Feld 413 im Wesentlichen nicht beeinflusst wird, insbesondere nicht verformt wird. Es versteht sich jedoch, dass bei anderen Varianten der Erfindung gegebenenfalls auch ein durch das erste Feld oder ein weiteres Feld mehr oder weniger stark verformter Grundkörper vorgesehen sein kann.In the present example, the main body is formed as a substantially passive body that passes through the first field 413 is essentially not affected, in particular is not deformed. It is understood, however, that in other variants of the invention, if appropriate, a base body which is more or less strongly deformed by the first field or a further field can also be provided.

Es sei an dieser Stelle noch angemerkt, dass natürlich auch bei Verwendung der Linse 410 an Stelle der Linse 110 mit der Mikrolithographieeinrichtung 101 das im Zusammenhang mit 4 beschriebene Abbildungsverfahren mit dem Verfahren zum Korrigieren des ersten Fehlers des Objektivtubus 405 durchgeführt werden kann.It should be noted at this point that, of course, even when using the lens 410 in place of the lens 110 with the microlithography device 101 that in connection with 4 described imaging method with the method for correcting the first error of the lens barrel 405 can be carried out.

Es sei an dieser Stelle weiterhin noch angemerkt, dass die soeben beschriebene Korrekturmechanismus über eine Verformung der ringförmigen aktiven ersten Schicht natürlich auch über eine dadurch bedingte Verformung des Grundkörpers 410.1 und der gegebenenfalls darauf befindlichen Schichten erzielt werden kann. So kann eine entsprechende Korrektur erzielt werden, bei der die Verformung der ringförmigen aktiven ersten Schicht ein Verformung des optischen Elements bedingt, wie sie in 14 durch die gestrichelte Kontur 412 angedeutet ist.It should also be noted at this point that the correction mechanism just described about a deformation of the annular active first layer, of course, on a consequent deformation of the body 410.1 and the layers optionally thereon can be achieved. Thus, a corresponding correction can be achieved, in which the deformation of the annular active first layer is a deformation of the optical element, as they are in 14 through the dashed outline 412 is indicated.

Es sei an dieser Stelle schließlich noch angemerkt, dass die soeben im Zusammenhang mit den 13 und 14 beschriebenen Korrekturmechanismen über eine Verformung der ringförmigen aktiven ersten Schicht natürlich auch bei reflektiven oder diffraktiven optischen Elementen Anwendung finden kann.It should be noted at this point, finally, that just in connection with the 13 and 14 described correction mechanisms on deformation of the annular active first layer, of course, can also be used in reflective or diffractive optical elements application.

Die vorliegende Erfindung wurde vorstehend ausschließlich Anhand von Beispielen aus dem Bereich der Objektive für die Mikrolithographie beschrieben. Es versteht sich jedoch, dass die vorliegende Erfindung ebenso auch für beliebige andere Objektive bzw. Abbildungsverfahren Anwendung finden kann.The The present invention has been described above by way of example only from the field of lenses for microlithography described. It is understood, however, that the present invention also for any other lenses or imaging method can apply.

Claims

Optical element comprising - a base body ( 10.1 ; 110.1 ; 210.1 ; 310.1 ) and - at least one with the main body ( 10.1 ; 110.1 ; 210.1 ; 310.1 ) by applying at least one first field ( 13 ; 113 ; 213 ; 313 ) deformable active first layer ( 10.2 ; 110.2 ; 210.2 ; 310.2 ), characterized in that - the first layer ( 10.2 ; 110.2 ; 210.2 ; 310.2 ) as a correction layer for by applying the first field ( 13 ; 113 ; 213 ; 313 ) induced, deformation-related, at least local and at least partial correction of at least a first error of the optical element ( 10 ; 110 ; 210 ; 310 ) is trained.

Optical element according to claim 1, characterized in that the first layer ( 10.2 ; 110.2 ; 210.2 ; 310.2 ) than in relation to the main body ( 10.1 ; 110.1 ; 210.1 ; 310.1 ) thin correction layer is formed.

Optical element according to claim 1 or 2, characterized in that the first layer ( 10.2 ; 110.2 ; 210.2 ; 310.2 ) by applying an electric first field ( 13 ; 113 ; 213 ; 313 ) is deformable.

Optical element according to claim 3, characterized in that the first layer ( 10.2 ; 110.2 ; 210.2 ; 310.2 ) comprises an electrostrictive material.

Optical element according to claim 3 or 4, characterized in that the first layer ( 10.2 ; 110.2 ; 210.2 ; 310.2 ) comprises a piezoelectric material.

Optical element according to one of the preceding claims, characterized in that the first layer ( 10.2 ; 110.2 ; 210.2 ; 310.2 ) by applying a first magnetic field ( 13 ; 113 ; 213 ; 313 ) is deformable.

Optical element according to claim 5, characterized in that the first layer ( 10.2 ; 110.2 ; 210.2 ; 310.2 ) comprises a magnetostrictive material.

Optical element according to one of the preceding claims, characterized in that the first layer ( 10.2 ; 110.2 ; 210.2 ; 310.2 ) is deformable by applying a first temperature field.

Optical element according to one of the preceding claims, characterized in that the first layer ( 10.2 ; 110.2 ; 210.2 ; 310.2 ) comprises a plurality of sub-layers, wherein an anionic sub-layer each adjacent to a cationic sub-layer.

Optical element according to claim 9, characterized that the sub-layers on top of each other are arranged.

Optical element according to one of the preceding claims, characterized in that - the first layer ( 10.2 ; 110.2 ; 210.2 ; 310.2 ) in a layer thickness direction ( 14 ; 114 ; 214 ) has a layer thickness and - the first layer ( 10.2 ; 110.2 ; 210.2 ; 310.2 ) for at least local deformation in the layer thickness direction ( 14 ; 114 ) by applying the first field ( 13 ; 113 ; 213 ; 313 ) is formed and / or - the first layer for at least local deformation transverse to the layer thickness direction ( 214 ) by applying the first field ( 13 ; 113 ; 213 ; 313 ) is trained.

Optical element according to one of the preceding claims, characterized in that the first layer ( 210.2 ) in such a way with the main body ( 210.1 ), that their deformation when the first field is applied ( 213 ) a deformation of the body ( 210.2 ) causes.

Optical element according to one of the preceding Claims, characterized in that the first error is a geometric one Error, especially a Passefehler, is.

Optical element according to one of the preceding Claims, characterized in that the first error is an aberration is.

Optical element according to one of the preceding claims, characterized in that on at least one side of the first layer ( 310.2 ) at least one field generation layer ( 310.7 . 310.8 ) for generating the first field ( 313 ) is provided.

An optical element according to claim 15, since characterized in that at least one shielding layer ( 310.9 . 310 10) is provided for shielding interference fields, wherein the field generation layer ( 310.7 . 310.8 ) between the shielding layer ( 310.9 . 310.10 ) and the first layer ( 310.2 ) is arranged.

Optical element according to one of the preceding claims, characterized in that the first layer is formed as a release layer and / or between the first layer and the base body, a release layer ( 10.3 ) is provided.

Optical element according to one of the preceding claims, characterized in that it is used as a reflective element ( 10 ; 210 ; 310 ) is formed with at least one reflective surface.

Optical element according to Claim 18, characterized in that the reflective surface is defined by the first layer ( 10.2 ; 210.2 ; 310.2 ) and / or the basic body ( 10.1 ; 210.1 ; 310.1 ) is trained.

Optical element according to claim 18 or 19, characterized in that the reflective surface is covered by a reflection layer ( 10.3 ; 10.4 . 10.5 ; 210.4 ; 310.4 ) is formed, which - on the base body ( 10.1 ; 210.1 ; 310.1 ) facing away from the first layer ( 10.2 ; 210.2 ; 310.2 ) and / or - between the main body ( 10.1 ; 210.1 ; 310.1 ) and the first layer ( 10.2 ; 210.2 ; 310.2 ) and / or - on the first layer ( 10.2 ; 210.2 ; 310.2 ) facing away from the body ( 10.1 ; 210.1 ; 310.1 ) is arranged.

Optical element according to one of the preceding Claims, characterized in that the first layer is outside of the optically used region of the optical element is and especially as the optically used area of the optical Elements ring-shaped surrounding layer is formed.

Optical element according to one of the preceding claims, characterized in that it can be used as a light-transmissive element ( 110 ), in particular as a lens element is formed.

Optical element according to one of the preceding claims, characterized in that the basic body ( 10.1 ; 110.1 ; 210.1 ; 310.1 ) than through the first field ( 13 ; 113 ; 213 ; 313 ) is formed substantially non-affected passive body.

Optical device with at least one first optical element ( 10 ; 110 ; 210 ; 310 ) according to one of the preceding claims, wherein the optical element is in particular part of an optical element group ( 5.2 ; 105.2 ; 305.2 ) with a plurality of optical elements ( 7 to 10 ; 107 to 110 ; 307 to 310 ).

Optical device with an optical element group ( 5.2 ; 105.2 ; 305.2 ), wherein - the optical element group ( 5.2 ; 105.2 ; 305.2 ) a plurality of optical elements ( 7 to 10 ; 110 ; 107 to 110 ; 307 to 310 ), - the plurality of optical elements ( 7 to 10 ; 107 to 110 ; 307 to 310 ) at least one first optical element ( 10 ; 110 ; 210 ; 310 ), - the first optical element ( 10 ; 110 ; 210 ; 310 ) a basic body ( 10.1 ; 110.1 ; 210.1 ; 310.1 ) and at least one with the main body ( 10.1 ; 110.1 ; 210.1 ; 310.1 ) by creating a first field ( 13 ; 113 ; 213 ; 313 ) deformable active first layer ( 10.2 ; 110.2 ; 210.2 ; 310.2 ), characterized in that - the first layer ( 10.2 ; 110.2 ; 210.2 ; 310.2 ) as a correction layer for by applying the first field ( 13 ; 113 ; 213 ; 313 ), deformation-induced, at least local and at least partial correction of at least a first error of the optical element group ( 5.2 ; 105.2 ; 305.2 ) is trained.

Optical device according to claim 25, characterized in that the first error is an aberration of the optical element group ( 5.2 ; 105.2 ; 305.2 ).

Optical device according to one of claims 24 to 26, characterized in that at least one with the first optical element ( 10 ; 110 ; 210 ; 310 ) connected field generating device ( 15 ; 115 ; 315 ) for generating the first field ( 13 ; 113 ; 213 ; 313 ) is provided.

Optical device according to one of claims 24 to 27, characterized in that at least one outside the first optical element ( 10 ; 110 ; 210 ) arranged field generating device ( 15 ; 115 ) for generating the first field ( 13 ; 113 ; 213 ) is provided.

Optical device according to claim 27 or 28, characterized in that the field generating device ( 15 ; 115 ; 315 ) for the at least local and at least partial correction of the first error for generating a first field ( 13 ; 113 ; 213 ; 313 ) whose field strength distribution over the first layer ( 10.2 ; 110.2 ; 210.2 ; 310.2 ) is at least locally variable.

Lens, in particular for a microlithography device, having an optical device ( 5 ; 105 ; 305 ) according to one of claims 24 to 29.

Microlithography device for transferring one onto a mask ( 4 ; 104 ; 304 ) formed on a substrate ( 6 ; 106 ; 306 ) with a projection optical system ( 2 ; 102 ; 302 ) comprising a lens according to claim 30.

Method for correcting a fault of an optical device, wherein in a first step ( 16.2 ) an optical device ( 5 ; 105 ; 305 ), which comprises at least a first optical element ( 10 ; 110 ; 210 ; 310 ) comprising a basic body ( 10.1 ; 110.1 ; 210.1 ; 310.1 ) and an associated first layer ( 10.2 ; 110.2 ; 210.2 ; 310.2 ) which, as a by applying at least a first field ( 13 ; 113 ; 213 ; 313 ) deformable active layer, characterized in that - in the first step ( 16.2 ) a first optical element is provided whose first layer ( 10.2 ; 110.2 ; 210.2 ; 310.2 ) as a correction layer for by applying the first field ( 13 ; 113 ; 213 ; 313 ), deformation-induced, at least local and at least partial correction of at least a first error of the optical device ( 5 ; 105 ; 305 ), and - in a second step ( 16.3 ) the first error by applying the first field ( 13 ; 113 ; 213 ; 313 ) is corrected at least locally and at least partially.

A method according to claim 32, characterized in that in the second step ( 16.3 ) as a first error a geometric error, in particular a mating error, and / or an aberration of the first optical element ( 10 ; 110 ; 210 ; 310 ) is corrected at least locally and at least partially.

Method according to claim 32 or 33, characterized in that - in the first step an optical device ( 5 ; 105 ; 305 ) with an optical element group ( 5.2 ; 105.2 ; 305.2 ) provided adjacent to the first optical element ( 10 ; 110 ; 210 ; 310 ) at least one further optical element ( 7 to 9 ; 107 to 109 ; 307 to 309 ), and - in the second step ( 16.3 ) as a first error an aberration of the optical element group ( 5.2 ; 105.2 ; 305.2 ) is corrected at least locally and at least partially.

Method according to one of claims 32 to 34, characterized in that in the first step ( 16.2 ) an optical device according to one of claims 23 to 28 is provided.

Method according to one of claims 32 to 35, characterized in that in the second step ( 16.3 ) for the at least local and at least partial correction of the first error, the first layer ( 10.2 ; 110.2 ; 210.2 ; 310.2 ) is deformed by at least one field generating device ( 15 ; 115 ; 315 ) - a first electric field and / or - a first magnetic field and / or - a first temperature field as the first field in the region of the first layer ( 10.2 ; 110.2 ; 210.2 ; 310.2 ) is created.

Method according to claim 36, characterized in that the first field ( 313 ) using at least one component ( 310.7 . 310.8 ) of the first optical element ( 310 ) as a component of the field-generating facility ( 315 ) is produced.

Method according to claim 36 or 37, characterized in that the first field ( 13 ; 113 ; 213 ) by an outside of the first optical element ( 10 ; 110 ; 210 ) arranged field generating device ( 15 ; 115 ) is produced.

Method according to one of claims 32 to 38, characterized in that in the second step ( 16.3 ) for at least local and at least partial correction of the first error, a first field ( 13 ; 113 ; 213 ; 313 ) whose field strength distribution over the first layer ( 10.2 ; 110.2 ; 210.2 ; 310.2 ) is at least locally variable.

Method according to one of claims 32 to 39, characterized in that - the first layer ( 10.2 ; 110.2 ; 210.2 ; 310.2 ) in a layer thickness direction ( 14 ; 114 ; 214 ) has a layer thickness and - in the second step ( 16.2 ) the first layer ( 10.2 ; 110.2 ; 310.2 ) through the first field ( 13 ; 113 ; 313 ) at least locally in the layer thickness direction ( 14 ; 114 ; 214 ) is deformed and / or - in the second step ( 16.2 ) the first layer ( 210.2 ) through the first field ( 213 ) at least locally transversely to the layer thickness direction ( 214 ) is deformed.

Method according to one of claims 32 to 40, characterized in that in the second step ( 16.3 ) the basic body ( 210.1 ) for the at least local and at least partial correction of the first error by the first layer deformed by the first field ( 210.2 ) is deformed at least locally.

Method according to one of claims 32 to 41, characterized in that in the second step ( 16.3 ) in the region of the first layer ( 310.2 ) a shielding of interference fields takes place.

Method according to one of claims 32 to 42, characterized in that in the second step ( 16.3 ) - in a detection step ( 16.4 ) the first error is detected and - in a correction step ( 16.5 ) the first mistake in Dependence on the result of the acquisition step ( 16.4 ) is corrected at least locally and at least partially.

Imaging method, in particular microlithography method, in which - in an imaging step ( 16.3 ) with a projection optical system ( 2 ; 102 ; 302 ) on a mask ( 3 ; 103 ; 303 ) formed pattern on a substrate ( 6 ; 106 ; 306 ), wherein - in the imaging step ( 16.3 ) a projection system is used which comprises at least one optical device ( 5 ; 105 ; 305 ) with a first optical element ( 10 ; 110 ; 201 ; 310 ) comprising a basic body ( 10.1 ; 110.1 ; 210.1 ; 310.1 ) and an associated first layer ( 10.2 ; 110.2 ; 210.2 ; 310.2 ) which, as a by applying at least a first field ( 13 ; 113 ; 213 ; 313 ) deformable active layer, characterized in that - in the imaging step ( 16.3 ) as the first optical element an element ( 10 ; 110 ; 201 ; 310 ) whose first layer ( 10.2 ; 110.2 ; 210.2 ; 310.2 ) as a correction layer for by applying the first field ( 13 ; 113 ; 213 ; 313 ), deformation-induced, at least local and at least partial correction of at least a first error of the optical device ( 5 ; 105 ; 305 ), and - in the imaging step ( 16.3 ) an at least local and at least partial correction of the first error with a method according to any one of claims 32 to 43 is carried out.