DD283580A5 - METHOD FOR PRODUCING CONTACTED UNIT OR MULTIPLE PCBS AND CONTACTING ONE OR MULTIPLE PCB - Google Patents
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Abstract
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von durchkontaktierten ein- oder mehrlagigen Leiterplatten und eine durchkontaktierte ein- oder mehrlagige Leiterplatte. Es wird ein Verfahren beschrieben zur Herstellung von durchkontaktierten ein- oder mehrlagigen Leiterplatten auf Basis eines gegebenenfalls beidseitig mit mindestens einer elektrisch leitenden Schicht versehenen polymeren Trägermaterials oder Keramik durch galvanisches oder außenstromloses Auftragen einer Metallschicht auch auf den Oberflächen, die nicht mit einer leitenden Metallschicht überzogen sind, dadurch gekennzeichnet, dass a) die Oberfläche des Trägers in einer oxidierend wirkenden Lösung vorbehandelt werden, b) nach Entfernung der Lösungsreste durch Spülen der Träger in eine Lösung gebracht wird, welche mindestens ein Monomeres, insbesondere Pyrrol, Furan, Thiophen oder deren Derivate, das in polymerer oder copolymerer Form elektrisch leitend ist, enthält, c) der Träger in eine saure Lösung gebracht wird, wobei sich eine elektrisch leitende polymre Schicht, insbesondere aus polymerisiertem oder copolymerisiertem Pyrrol, Furan, Thiophen oder deren Derivate, ausbildet, woraufhin gegebenenfalls Lösungsreste durch Spülen entfernt werden und galvanisch oder außenstromlos metallisiert wird.,{Durchkontaktierte ein- oder mehrlagige Leiterplatte; polymeres Trägermaterial; Keramik; galvanisches oder außenstromloses Auftragen einer Metallschicht; Monomer; Lösungsrest; Spülen}The invention relates to a method for producing through-contacted single or multilayer printed circuit boards and a plated-through single or multi-layer printed circuit board. A method is described for producing plated-through single- or multilayer printed circuit boards based on a polymeric support material or ceramic optionally provided on both sides with at least one electrically conductive layer by galvanic or electroless plating of a metal layer even on the surfaces which are not coated with a conductive metal layer characterized in that a) the surface of the carrier is pretreated in an oxidizing solution, b) after removal of the solvent residues by rinsing the carrier is brought into a solution containing at least one monomer, in particular pyrrole, furan, thiophene or derivatives thereof, which is electrically conductive in polymeric or copolymeric form, c) the carrier is brought into an acidic solution, wherein an electrically conductive polymre layer, in particular of polymerized or copolymerized pyrrole, furan, thiophene or derivatives thereof ausbi whereupon, if appropriate, residual solvents are removed by rinsing and metallized galvanically or without external current. {through-plated single-layer or multilayer printed circuit board; polymeric carrier material; ceramics; galvanic or electroless application of a metal layer; monomer; Solution residue; Do the washing up}
Description
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Verfahren zur Herstellung von durchkontaktierten ein- oder mehrlagigen Leiterplatten und durchkontaktierte ein- oder mehrlagige LeiterplatteProcess for the production of plated-through single or multilayer printed circuit boards and plated-through single or multilayer printed circuit board
Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung von durchkontaktierten ein— oder mehrlagigen Leiterplatten auf Basis eines gegebenenfalls beidseitig mit mindestens einer elektrisch leitenden Schicht versehenen polymeren Trägermaterials oder Keramik durch galvanisches oder außenstromloses Auftragen einer Metallschicht auch auf den Oberflächen, die nicht mit einer leitenden metallschicht überzogen sind, sowie die Leiterplatten selbst.The present invention is a process for the preparation of plated-through single or multilayer printed circuit boards based on a optionally provided on both sides with at least one electrically conductive layer polymeric carrier material or ceramic by galvanic or electroless plating a metal layer on the surfaces not with a conductive metal layer are coated, and the circuit boards themselves.
Durchkontaktierte Leiterplatten werden bisher im wesentlichen durch chemische Metallabscheidung auf katalytisch aktivierten Oberflächen eines Trägermaterials hergestellt. Auch mehrlagige Leiterplatten (Multilayer) werden auf diese Weise produziert. Die außenstromlos niedergeschlagenen Metallschichten werden danach gegebenenfalls durch galvanische Metallabscheidung verstärkt. Diese Technologie erlaubt die Fertigung qualitativ hochwertiger Leiterplatten. Die katalytische Aktivierung der Oberfläche erfolgt im allgemeinen mittels edelmetallhaltiger, kolloidaler, ionogener oder nichtionogener Katalysatoren, insbesondere auf Basis von Palladium und Zinn. Es können aber auch nicht-edelmetallhaltige Systeme, zum Beispiel auf Basis von Kupfer, verwendet werden. In besonderen Fällen ist auch die Verwendung physikalisch aufgebrachter, zum Beispiel aufgedampfter, katalytisch wirkender Schichten bekannt.Through-printed circuit boards have hitherto been produced essentially by chemical metal deposition on catalytically activated surfaces of a carrier material. Also multilayer printed circuit boards (multilayer) are produced in this way. The electrolessly deposited metal layers are then optionally reinforced by electrodeposition. This technology allows the production of high quality printed circuit boards. The catalytic activation of the surface is generally carried out by means of noble metal-containing, colloidal, ionic or nonionic catalysts, in particular based on palladium and tin. However, non-noble metal-containing systems, for example based on copper, can also be used. In special cases, the use of physically applied, for example, vapor-deposited, catalytically active layers is known.
_ 2 — i^4<3 SdO _ 2 - i ^ 4 <3 SdO
Die Methoden sind in der einschlägigen Literatur, zum Beispiel Hermann, Handbuch der Leiterplattentechnik, Bugen G-. Leuze Verlag, Saulgau beschrieben. Bei der in der Praxis angewandten naßchemischen Katalyse mittels edelmetallhaltiger oder nicht-edelmetallhaltiger Systeme ist im allgemeinen folgender Ablauf gegeben:The methods are in the relevant literature, for example Hermann, Handbuch der Leiterplattentechnik, Bugen G-. Leuze Verlag, Saulgau described. In the case of wet-chemical catalysis by means of noble metal-containing or non-noble metal-containing systems, the following procedure is generally used:
1. Reinigung/Konditionierung1. Cleaning / conditioning
2. Spulen2. coils
3. Aktivieren/Anätzen3. Activate / etch
4. Spülen4. Rinse
5. Vortauchlösung5. Pre-dip solution
6. Aufbringen des Katalysators э 7. Spülen6. Applying the catalyst э 7. Rinse
8. Zugabe eines Beschleunigers/Reduktors8. Addition of an accelerator / reductor
9. Erneutes Spülen9. Rinse again
10. Außenstromlose Metallisierung10. External electroless metallization
11. Spülen11. Rinse
12. Trocknen12. Dry
Die Qualität der Bekeimung (Katalyse) und damit die Qualität des Endproduktes ist sehr stark von den Vorbehandlungsmethoden abhängig, die der Katalyse vorangehen. Dies gilt besonders für die Konditionierung, bei der einerseits die Oberflächen gereinigt werden, andererseits die Bohrlochwandungen für die folgende Katalyse vorbereitet werden. Die Vorbereitung erfolgt mittels spezieller Tenside, welche die gesamte Oberfläche bele-The quality of the germination (catalysis) and thus the quality of the end product is very much dependent on the pre-treatment methods that precede the catalysis. This is especially true for the conditioning, in which on the one hand the surfaces are cleaned, on the other hand the borehole walls are prepared for the following catalysis. The preparation is carried out by means of special surfactants which cover the entire surface.
gen und die ausgeprägte Eigenschaft haben, die Katalysatorkeime zu adsorbieren. Der Anwendung des Katalysators ist eine dem System entsprechende Behandlung nachgeschaltet, die entweder störende Nebenprodukte der Katalysebehandlung entfernt oder aber die im Katalysator aufgebrachten Keime in ihre katalytisch wirksame Form überführt. Anschließend erfolgt die außenstromlose Metallisierung. Im allgemeinen wird Kupfer zur Abscheidung gebracht. Schon geringfügige Abweichungen von den vorgeschriebenen Prozeßparametern in einem der Verfahrensschritte führen üblicherweise zu einer fehlerhaften Metallisierung, so daß das Endprodukt in vielen Fällen unbrauchbar ist.gene and have the distinct property of adsorbing the catalyst nuclei. The application of the catalyst is followed by a treatment corresponding to the system, which either removes interfering by-products of the catalytic treatment or converts the catalysts applied in the catalyst into their catalytically active form. Subsequently, the electroless metallization takes place. In general, copper is deposited. Even slight deviations from the prescribed process parameters in one of the process steps usually lead to faulty metallization, so that the end product is useless in many cases.
Ein wesentlicher Nachteil dieser Katalysatorsysteme ist demgemäß die Abhängigkeit der Bekeimungsdichte von der Vorbehandlung, der Teilchengröße und dem Nachbehandlungsschritt. Je höher die Bekeimungsdichte ist, um so besser ist die anfängliche Abscheidungsgeschwindigkeit bzw. die Dichte der beginnenden außenstromlosen Verkupferung, was gleichbedeutend mit hoher Durchkontaktierungsgualität ist. Es treten jedoch sehr leicht Fehlstellen, im Fachjargon sogenannte "voids" auf, welche die Durchkontaktierungsqualität stark mindern bzw. die Leiterplatten unbrauchbar machen. Aber selbst unter optimalen Bedingungen kann eine vollständig dicht mit Keimen belegte Oberfläche nicht erzielt werden. Darüber hinaus sind die bestehenden Katalysatorsysteme anfällig gegenüber eingeschleppten Fremdionen. Dadurch werden sowohl die Reproduzierbarkeit ihrer Arbeitsweise alsA major disadvantage of these catalyst systems is accordingly the dependence of the seeding density on the pretreatment, the particle size and the post-treatment step. The higher the seeding density, the better the initial deposition rate or the density of incipient electroless coppering, which is equivalent to high throughput quality. However, there are very easily defects, in the jargon so-called "voids", which greatly reduce the Durchkontaktierungsqualität or make the PCB unusable. But even under optimal conditions, a completely dense nucleated surface can not be achieved. In addition, the existing catalyst systems are susceptible to introduced foreign ions. This will both the reproducibility of their operation as
auch ihre Stabilität stark beeinträchtigt. Ein weiterer Nachteil edelmetallhaltiger Katalysatorsysteme ist der hohe Preis der verwendeten Metalle.also severely impaired their stability. Another disadvantage of noble metal-containing catalyst systems is the high price of the metals used.
Die Technologie gemäß dem Stand der Technik unter Verwendung einer außenstromlosen Metallisierung, die danach gegebenenfalls durch galvanische Metallabscheidung verstärkt wird, weist trotz ihrer weiten Verbreitung einige Nachteile auf, die bislang jedoch in Ermangelung von praktikablen Alternativen in Kauf genommen werden mußten. Vor allem die rein chemische Metallabscheidung aus reduktiv arbeitenden Elektrolyten ist sehr aufwendig und setzt eine genaue Analytik und Führung des Elektrolyten voraus. Diese Elektrolyte enthalten auch mit Abstand die teuersten Chemikalien. Dennoch sind derartig abgeschiedene Schichten physikalisch und mechanisch von geringerer Qualität als galvanisch abgeschiedene Metallschichten. Ein weiterer Nachteil der bisher angewendeten Technologie ist die Unsicherheit bei der Stabilisierung der Systeme und damit auch die Ungewißheit,The state-of-the-art technology using electroless plating, which is optionally enhanced by electrodeposition, has, despite its widespread use, some drawbacks that have heretofore been accepted in the absence of viable alternatives. Above all, the purely chemical deposition of metal from reductive working electrolytes is very expensive and requires accurate analysis and guidance of the electrolyte. These electrolytes also contain by far the most expensive chemicals. Nevertheless, such deposited layers are physically and mechanically of lesser quality than electrodeposited metal layers. Another disadvantage of the previously used technology is the uncertainty in the stabilization of the systems and thus the uncertainty,
ob die Abscheidungsgeschwindigkeit und Schichtdicke in den Bohrlochwandungen ausreichend reproduzierbar sind. Die Electrolyte neigen aufgrund ihrer geringen Stabilität zur Selbstzersetzung. Die genannten Elektrolyse enthalten darüber hinaus als Reduktionsmittel in der Regel Formaldehyd, das unter Arbeitsschutzaspekten zu vermeiden ist. Weiterhin enthalten die reduktiv arbeitenden Elektrolyte größere Mengen von Komplexbildnern, die biologisch schwer abbaubar sind und deshalb eine erhebliche Belastung der Abwässer darstellen.whether the deposition rate and layer thickness in the borehole walls are sufficiently reproducible. The electrolytes tend to self-decomposition due to their low stability. In addition, the said electrolysis usually contain formaldehyde as the reducing agent, which is to be avoided under occupational safety aspects. Furthermore, the reductive working electrolytes contain larger amounts of complexing agents that are difficult to biodegrade and therefore represent a significant burden of wastewater.
Schon seit langem ist versucht worden, auf die chemische Metallisierung zu verzichten und statt dessen eine direkte galvanische Metallabscheidung durchzuführen. Sin derartiges Verfahren ist beispielsweise in der US-PS 3,099,608 beschrieben worden sowie in der DE-OS 33 04 004. Die dort beschriebenen Verfahren haben jedoch keinen Eingang in die Praxis gefunden. Nur mit frisch zubereiteten galvanisch arbeitenden Elektrolyten können einigermaßen brauchbare Ergebnisse erzielt werden. Schon sehr rasch nach ihrer Inbetriebnahme sinkt die Qualität der erhaltenen Metallabscheidung so stark ab, daß nur noch unbrauchbare Ergebnisse erzielt werden. Außerdem sind recht lange Zeiten für die Metallabscheidung notwendig. Bei Anwendung des in der US-PS 3,099,608 beschriebenen Verfahrens v/erden mindestens 20 Minuten für die Metallab scheidung benötigt. Des weiteren treten auch sehr rasch in zunehmendem Maße Fehlstellen bei der Metallisierung auf. Dadurch entstehen auf der Lochwandung Metallschichten, die ungenügend haften.It has long been attempted to dispense with the chemical metallization and instead carry out a direct galvanic metal deposition. Sin such method has been described for example in US Patent 3,099,608 and in DE-OS 33 04 004. The methods described there, however, have found no input into practice. Only with freshly prepared electrolytic electrolytes reasonably usable results can be achieved. Very soon after their commissioning, the quality of the resulting metal deposition decreases so much that only unusable results are achieved. In addition, quite long times are necessary for the metal deposition. When using the method described in US Pat. No. 3,099,608, at least 20 minutes are required for the metal deposition. Furthermore, defects in the metallization occur very rapidly to an increasing extent. This results in the perforated metal layers that adhere insufficient.
Ziel der Erfindung ist es, die vorgenannten Nachteile weitgehend zu vermeiden.The aim of the invention is to largely avoid the aforementioned disadvantages.
Der Erfindung liegt zunächst die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Herstellung durchkontaktierter ein— oder mehrlagiger Leiterplatten zu entwickeln, das eine sichere, haftfeste und geschlossene Aktivierung desThe invention is first based on the object to develop a method for producing plated-through single or multilayer printed circuit boards, which ensures a secure, adherent and closed activation of the
verwendeten Basismaterials erlaubt, eine direkte Metallisierung der aktivierten Oberflächen auf galvanischem Weg ermöglicht, die Zahl der Prozeßschritte reduziert und dabei rasch und kostengünstig zu Produkten führt, die qualitativ hervorragend sind. Dabei soll das Verfahren hohe Sicherheit hinsichtlich einer reproduzierbaren Verfahrensweise gewährleisten. Die anschließende Metallisierung soll nicht nur wie üblich außenstromlos, sondern auch direkt galvanisch durchführbar sein.allows a direct metallization of the activated surfaces by electroplating, reduces the number of process steps and thereby quickly and inexpensively leads to products that are qualitatively excellent. The process should ensure high security with regard to a reproducible procedure. The subsequent metallization should not only be as usual without external power, but also directly be carried out by electroplating.
Die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe wurde überraschenderweise dadurch gelöst, daß zur Aktivierung intrinsisch elektrisch leitfähige Polymere als Leitfläche Verwendung finden, die durch bestimmte oxidative Vor- und Nachbehandlungsschritte aus Monomeren erzeugt werden.The object underlying the invention has surprisingly been achieved in that, for activation, intrinsically electrically conductive polymers are used as a guide surface which are produced from monomers by certain oxidative pre- and post-treatment steps.
Das erfindungsgemäße Verfahren ist dadurch gekennzeichnet, daßThe inventive method is characterized in that
a) die Oberflächen des Trägers in einer oxidierend wirkenden Lösung vorbehandelt werden,a) the surfaces of the support are pretreated in an oxidizing solution,
b) nach Entfernung der Lösungsreste durch Spülen derb) after removal of the solvent residues by rinsing the
Träger in eine Lösung gebracht wird, welche mindestens ein Monomeres, insbesondere Pyrrol, Furan, Thiophen oder deren Derivate, das in polymerer oderCarrier is brought into a solution containing at least one monomer, in particular pyrrole, furan, thiophene or derivatives thereof, in the polymeric or
copolymerer Form elektrisch leitend ist, enthält, 25copolymeric form is electrically conductive, contains, 25
c) der Träger danach in eine saure Lösung gebracht wird,c) the carrier is then placed in an acidic solution,
wobei sich eine elektrisch leitende polymere Schicht, insbesondere aus polymerisiertem oder copolymerisiertem Pyrrol, Furan, Thiophen oder deren Derivate, ausbildet, woraufhin gegebenenfalls Lösungsreste durch Spülen entfernt werden und galvanisch oder außenstromlos metallisiert wird.wherein an electrically conductive polymeric layer, in particular of polymerized or copolymerized pyrrole, furan, thiophene or their derivatives, is formed, whereupon, if appropriate, residual solutions are removed by rinsing and metallized galvanically or without external current.
Es ist besonders vorteilhaft, dem Schritt a) Verfahrensgänge vorzuschalten, bei denen die durchbohrte Leiter-It is particularly advantageous to precede steps a) with processes in which the pierced conductor
- 7 - QSS S$o - 7 - QSS S $ o
platte einem Anätzvorgang und einer Oberflächenvorbehandlung der nicht leitenden Bereiche der Leiterplatten unterworfen wird. Das Anätzen geschieht durch eine saure, oxidativ wirkende Lösung. Die Behandlung der Bohrlochflächen, die nicht leitend sind, erfolgt mittels organischer, vorzugsweise stickstoffhaltiger Lösungsmittel oder deren wäßriger, alkalischer Lösungen.plate is subjected to an etching process and a surface pre-treatment of the non-conductive areas of the circuit boards. The etching is done by an acid, oxidative solution. The treatment of the wellbore surfaces, which are non-conductive, by means of organic, preferably nitrogen-containing solvents or their aqueous, alkaline solutions.
Die Lösung, die für den Verfahrensschritt a) verwendet wird, enthält Salze des Permanganates, des Manganates, des Perjodates und/oder einer Cer-IV-Verbindung. Die im folgenden noch genauer zu beschreibende oxidative Vorbehandlung kann in einem pH-Bereich von < 1 bis 14 und bei Temperaturen von 20 bis 95 "C durchgeführt werden. Der Zusatz von ionischen oder nichtionischen Tensiden in einer Menge von 0,1 bis 10 g/l verbessert die Quali-The solution used for process step a) contains salts of the permanganate, the manganate, the periodate and / or a cerium-IV compound. The oxidative pretreatment to be described in more detail below can be carried out in a pH range of <1 to 14 and at temperatures of 20 to 95 ° C. The addition of ionic or nonionic surfactants in an amount of 0.1 to 10 g / l improves the quality
tat der oxidativen Vorbehandlung, ist jedoch nicht essentiell. Die oxidativ wirkenden Agentien liegen in einer Konzentration von 0,1 g/l bis zu ihrer Löslichkeitsgrenze vor. Die Vorbehandlungsdauer kann zwischenDid the oxidative pretreatment, but is not essential. The oxidative agents are present at a concentration of 0.1 g / l up to their solubility limit. The pretreatment time can be between
0,5 und 20 min liegen0.5 and 20 minutes are
20 20
Die Lösung, die für den Schritt b) verwendet wird, enthält vorzugsweise neben 1 bis 50% Pyrrol (bzw. Furan, Thiophen, Pyrrolderivate oder Gemische derselben) die komplementäre Menge an Lösungsmitteln bzw. Lösungsver-The solution used for step b) preferably contains in addition to 1 to 50% of pyrrole (or furan, thiophene, pyrrole derivatives or mixtures thereof) the complementary amount of solvents or solvents.
mittlern sowie gegebenenfalls auch alkalisierende Zusätze. Selbstverständlich können auch Mischungen von Lösungsmitteln bzw. Lösungsvermittler verwendet werden. Als Lösungsmittel bzw. Lösungsvermittler sind z.B. Wasser, Methanol, Ethanol, n-Propanol, Isopropanol, höhere Alkohole, Polyalkohole, DMF (Dimethylformamid), Ketone, insbesondere Methylethylketon, Cumolsulfonat, N-Methylpyrrolidon, Triglyme, Diglyme, Alkalisalze der Toluolsulfonate bzw. deren Ethylester sowie wäßrige alkalische Lösungen oder Gemische derselben verwendbar.middle and possibly also alkalizing additives. Of course, mixtures of solvents or solubilizers can be used. As solvents or solubilizers, e.g. Water, methanol, ethanol, n-propanol, isopropanol, higher alcohols, polyalcohols, DMF (dimethylformamide), ketones, in particular methyl ethyl ketone, cumene sulfonate, N-methylpyrrolidone, triglyme, diglyme, alkali salts of toluenesulfonates or their ethyl esters and aqueous alkaline solutions or mixtures the same usable.
Im Anschluß an den Verfahrensschritt b) werden die zu metallisierenden Gegenstände wie Leiterplatten im Verfahrensschritt c) einer Aktivierung unterzogen. Die Aktivierung kann mit oxidativ wirkenden Substanzen wie zum Beispiel Alkalipersulfaten, Alkaliperoxodisulfaten, Wasserstoffperoxid, Eisen(III)-Salzen wie Eisenchlorid, Eisensulfat, Kaliumhexacyanoferat(III), Alkaliperjodaten oder ähnlichen Verbindungen im sauren Medium durchgeführt werden. Ebenso besteht die Möglichkeit, die Aktivierung nur in einem sauren Medium erfolgen zu lassen, wobei als Säuren Salzsäure, Schwefelsäure, Phosphorsäure etc. Verwendung finden können. Die Aktivierung kann sowohl im sauren, oxidierenden Medium als auch im sauren Medium mit permanenter Lufteinblasung erfolgen.Subsequent to process step b), the objects to be metallized, such as printed circuit boards, are subjected to activation in process step c). The activation can be carried out with oxidatively active substances such as, for example, alkali persulfates, alkali peroxodisulfates, hydrogen peroxide, iron (III) salts such as iron chloride, iron sulfate, potassium hexacyanoferate (III), alkali per iodates or similar compounds in an acidic medium. It is also possible to allow the activation to take place only in an acidic medium, wherein as acids hydrochloric acid, sulfuric acid, phosphoric acid, etc. can be used. The activation can take place both in the acidic, oxidizing medium and in the acidic medium with permanent air injection.
Die im Anschluß an die Verfahrensschritte a), b) und c) folgende galvanische Weiterverarbeitung der zu metallisierenden Gegenstände wie z.B. Leiterplatten wird in den folgenden Abschnitten noch näher erläutert.The following subsequent to the process steps a), b) and c) subsequent galvanic processing of the objects to be metallized such. Circuit boards are explained in more detail in the following sections.
In einer bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgeraäßen Verfahrens werden Metalle wie Kupfer, Nickel, Gold, Palladium, Zinn, Blei, Zinn/Blei zur Herstellung der Metallschicht verwendet.In a preferred embodiment of the process according to the invention, metals such as copper, nickel, gold, palladium, tin, lead, tin / lead are used for producing the metal layer.
Durch das erfindungsgemäße Verfahren wird eine durchkontaktierte ein- oder mehrlagige Leiterplatte auf Basis eines gegebenenfalls beidseitig mit mindestens einer elektrisch leitenden Schicht versehenen polymeren Trägermaterials oder Keramik erhalten. Diese durchkontaktierte Leiterplatte ist dadurch gekennzeichnet, daß zwischen der Metallschicht auf der Innenfläche der durchkontaktierten Bohrlöcher und dem Trägermaterial oder der Keramik eine Schicht aus polymerisiertem, elektrisch leitenden Kunststoff vorhanden ist. DieBy means of the method according to the invention, a through-plated single-layer or multilayer printed circuit board is obtained on the basis of a polymeric carrier material or ceramic, optionally provided with at least one electrically conductive layer on both sides. This plated-through printed circuit board is characterized in that a layer of polymerized, electrically conductive plastic is present between the metal layer on the inner surface of the plated-through holes and the carrier material or the ceramic. The
- 9 - ZS3 5<80 - 9 - ZS3 5 <80
Schicht aus elektrisch leitendem Kunststoff besteht insbesondere aus polymerisiertera oder copolymerisiertem Pyrrol, Furan, Thiophen oder deren Derivatent Die Schicht aus polymerisiertem Kunststoff ist vorzugsweise 0,1 bis 10 μια dick. Als Zwischenprodukt entsteht dabei eine durchbohrte ein- oder mehrlagige Platte auf Basis eines gegebenenfalls beidseitig mit mindestens einer elektrisch leitenden Schicht versehenen polymeren Trägermaterials oder Keramik, wobei auf der das Bohrloch umgrenzenden Fläche eine Schicht aus polymerisiertem, elektrisch leitenden Kunststoff angeordnet ist, die vorzugsweise aus polymerisiertem oder copolymerisiertem Pyrrol, Furan, Thiophen oder deren Derivaten besteht.Layer of electrically conductive plastic consists in particular of polymerized or copolymerized pyrrole, furan, thiophene or derivatives thereof. The layer of polymerized plastic is preferably 0.1 to 10 μm thick. The intermediate product is a perforated single- or multi-layered plate based on a polymeric support material or ceramic optionally provided on both sides with at least one electrically conductive layer, wherein a layer of polymerized, electrically conductive plastic is disposed on the surface surrounding the borehole, preferably of polymerized or copolymerized pyrrole, furan, thiophene or derivatives thereof.
Elektrisch leitfähige Polymere stehen seit einigen Jah-Electrically conductive polymers have been available for some years.
ren im Mittelpunkt wissenschaftlichen Interesses, Eine industrielle Anwendung blieb ihnen bisher aber versagt. Die Entwicklung und der aktuelle technische Stand werden in verschiedenen Übersichtsartikeln dargelegt, zum Beispiel Herbert Naarmann, "Elektrisch leitfähige PpIymere" in »Chemische Industrie", 6/87, Seiten 59 bis 64; Klaus Menke und Siegmar Roth, "Metallisch leitfähige Polymere I und II" in "Chemie in unserer Zeit", 1/86, Seiten 1 bis 10 bzw. 2/86, Seiten 33 bis 43. Aus der großen Zahl der verschiedenen leitfähigen Polymere werden insbesondere die Systeme mit delokalisierten π-Elektronensystemen ausgewählt. Geeignet erscheinen die Systeme auf Basis von Furan, Thiophen, Pyrrol bzw. deren Derivaten. Aus dem Stand der Technik ist bekannt, daß sich leitfähiges Polypyrrol durch elektrochemische Polymerisation, aber auch auf rein chemischen Wege darstellen läßt (K.C. Khulke und R.S. Mann, "Journal of Polymer Science", Vol. 20 (1982), Seiten 1089 und 1095).They have been the focus of scientific interest, but have so far failed to achieve industrial application. The development and the current state of the art are presented in several reviews, for example Herbert Naarmann, "Elektrisch leitfähige PpIymere" in "Chemische Industrie", 6/87, pages 59 to 64; Klaus Menke and Siegmar Roth, "Metallisch leitfähige Polymere I and II "in" Chemistry in our Time ", 1/86, pages 1 to 10 and 2/86, pages 33 to 43. Among the large number of different conductive polymers, the systems with delocalized π-electron systems are chosen in particular The systems based on furan, thiophene, pyrrole or derivatives thereof It is known from the prior art that conductive polypyrrole can be prepared by electrochemical polymerization, but also by purely chemical means (KC Khulke and RS Mann, "Journal of Polymer Science, Vol. 20 (1982), pages 1089 and 1095).
In der EP-A-O 206 133 wird ein Verfahren zum Aufbringen von Schichten aus elektrisch leitfähigen Polymeren,EP-A-0 206 133 discloses a process for applying layers of electrically conductive polymers,
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insbesondere Polypyrrol, auf andere Materialien beschrieben. Die Beschichtung verschiedener Substrate erfolgt auf chemischem Wege. So wird die Oberfläche eines Polyesterfilms mit einer Dicke von 42 μπι mit einer 10 gew.-%igen ethanolischen Lösung von Eisenperchlorat bestrichen. Nach Abdampfen des Lösungsmittels setzt man den so behandelten Film einer Atmospäre, die 10 Vol.-% Pyrroldampf in Stickstoff enthält, bei einer Temperatur von 150"C für 30 Sekunden aus. Dabei bildet sich innerhalb weniger Sekunden an der Filmoberfläche eine schwarze Schicht. Diese unlösliche Polypyrrolschicht hat eine spezifische Leitfähigkeit von 10 S/cm. In der EP-A-O 206 133 ist ebenfalls erwähnt, daß die Polypyrrolschichten zur Erzeugung von Leiterbahnen geeignet seien. Daneben wird auch die Möglichkeit erwähnt, die Monomeren aus einer Lösung unter Anwendung eines zusätzlichen Oxidationsschrittes aufzubringen; jedoch wird die Vorteilhaftigkeit der Reaktion in der Gasphase hervorgehoben. Angaben über die Haftfestigkeit der erhaltenen Schichten sind nicht gegeben und insbesondere wird in keiner Weise eine anschließende Metallisierung der erzeugten Schichten nahegelegt.in particular polypyrrole, described on other materials. The coating of various substrates takes place chemically. Thus, the surface of a polyester film is coated with a thickness of 42 μπι with a 10 wt .-% ethanolic solution of iron perchlorate. After evaporation of the solvent, the film thus treated is exposed to an atmosphere containing 10% by volume of pyrrole vapor in nitrogen at a temperature of 150 ° C. for 30 seconds, forming a black layer on the surface of the film within a few seconds Insoluble polypyrrole layer has a specific conductivity of 10 S / cm It is also mentioned in EP-AO 206 133 that the polypyrrole layers are suitable for the production of printed conductors and the possibility of removing the monomers from a solution by using an additional oxidation step However, the advantageousness of the reaction in the gas phase is emphasized, information about the adhesive strength of the layers obtained is not given, and in particular no subsequent metallization of the layers produced is suggested in any way.
Die im Stand der Technik beschriebene Arbeitsweise ist jedoch für die Herstellung durchkontaktierter ein- oder mehrlagiger Leiterplatten völlig ungeeignet. Insbesondere konnte eine brauchbare Abscheidung des Polypyrrolfilms auf den Innenflächen der Bohrlöcher nicht erzielt werden. Nur durch das Einhalten der Parameter des erfindungsgemäßen Verfahrens können praktisch brauchbareHowever, the procedure described in the prior art is completely unsuitable for the production of plated through single- or multilayer printed circuit boards. In particular, a useful deposition of the polypyrrole film on the inner surfaces of the boreholes could not be achieved. Only by adhering to the parameters of the process of the invention can be practically useful
Ergebnisse erzielt werden. Insbesondere die Metallab-30Results are achieved. In particular, the Metallab-30
scheidung auf der zuvor abgeschiedenen Schicht der leitfähigen Polymere in verfahrenstechnisch realistischer Zeit wird ausschließlich durch das erfindungsgemäße Verfahren ermöglicht.Divorce on the previously deposited layer of conductive polymers in realistic process time is made possible only by the inventive method.
Als Trägermaterialien kommen insbesondere glasfaserverstärktes Epoxidharz, Polyimid und andere feste Polymere in Frage. Prinzipiell sind alle Materialien geeignet, die mit einer Metallschicht überziehbar sind, indem sie nach den erfindungsgemäßen Verfahrensschritten behandelt werden. Die erfindungsgemäßen durchkontaktierten Leiterplatten sind nach dem erfindungsgemäßen Verfahren prinzipiell auf verschiedenen Wegen herstellbar.As carrier materials are in particular glass fiber reinforced epoxy resin, polyimide and other solid polymers in question. In principle, all materials are suitable which can be coated with a metal layer by being treated according to the inventive process steps. The plated-through printed circuit boards according to the invention can in principle be produced in various ways by the method according to the invention.
Die Metallabscheidung kann zunächst unter Zuhilfenahme von polymerisierten, elektrisch leitenden, heterocyclischen Verbindungen wie Pyrrol, Thiophen und Furan unter Mitverwendung außenstromlos, reduktiv arbeitender Elektrolyte erfolgen.The metal deposition can be carried out initially with the aid of polymerized, electrically conductive, heterocyclic compounds such as pyrrole, thiophene and furan with the concomitant use of electroless, reductive working electrolytes.
._ Eine nach der erfindungsgemäßen Vorbehandlungsmethode, welche im folgenden noch beschrieben wird, vorbehandelte Leiterplatte aus einem Trägermaterial wie glasfaserverstärktem Epoxidharz wird in einen reduktiv arbeitenden Elektrolyten eingebracht, so daß auf chemischem Wege Metall, vorzugsweise Kupfer zur Abscheidung gebracht wird.A printed circuit board pretreated according to the pretreatment method according to the invention, which will be described below, from a carrier material such as glass-fiber-reinforced epoxy resin is introduced into a reductively operating electrolyte, so that metal, preferably copper, is deposited for deposition by chemical means.
Eine andere Art der Metallabscheidung erfolgt unter Zuhilfenahme von polymeren, elektrisch leitenden, heterocyclischen Verbindungen, insbesondere Pyrrol, Thiophen und Furan, ohne Anwendung von außenstromlos, reduktiv arbeitenden Elektrolyten. Dabei wird vorzugsweise Kupfer zur Abscheidung gebracht. Eine nach der erfindungsgemäßen Vorbehandlungsmethode, welche im folgenden noch beschrieben wird, vorbehandelte Leiterplatte aus einem Trägermaterial wie glasfaserverstärktem Epoxidharz wird in einen galvanisch arbeitenden Kupferelektrolyten eingebracht, so daß eine Kupferabscheidung sowohl auf der vorbehandelten Kupferkaschierung der Leiterplatte als auch auf den vorbehandelten Bohrlochwandungen erfolgt.Another type of metal deposition is carried out with the aid of polymeric, electrically conductive, heterocyclic compounds, in particular pyrrole, thiophene and furan, without the use of electroless, reductive working electrolytes. In this case, copper is preferably brought to the deposition. A printed circuit board pretreated according to the pretreatment method according to the invention, which will be described below, of a carrier material such as glass-fiber reinforced epoxy resin is introduced into a galvanic copper electrolyte, so that a copper deposition takes place both on the pretreated copper cladding of the printed circuit board and on the pretreated borehole walls.
SSOSSO
Eine Variation dieser Verfahrensweise besteht in einer veränderten Nachbehandlung. Dabei wird der leitfähige Polymerfilm nur auf den vorbehandelten Bohrlochwandungen und nicht auf der Kupferkaschierung gebildet.A variation of this procedure is an altered aftertreatment. In this case, the conductive polymer film is formed only on the pretreated borehole walls and not on the Kupferkaschierung.
In einer dritten Verfahrensweise erfolgt die Metallabscheidung unter Zuhilfenahme von polymerisierten, elektrisch leitenden, heterocyclischen Verbindungen wie Pyrrol, Thiophen und Furan unter Mitverwendung von außenstromlos, reduktiv arbeitenden Elektrolyten bzw. ohne Anwendung von außenstromlos, reduktiv arbeitenden Elektrolyten auf nicht mit Metall kaschierten Basismaterialien (Additivverfahren). Eine nach der erfindungsgemäßen Vorbehandlungsmethode, die im folgenden noch beschrieben wird, vorbehandelte, unkaschierte Leiterplatte eines Trägermaterials wie glasfaserverstärktem EpoxidharzIn a third procedure, the metal deposition takes place with the aid of polymerized, electrically conductive, heterocyclic compounds such as pyrrole, thiophene and furan with the concomitant use of electroless, reductive working electrolytes or without application of electroless, reductive working electrolytes on non-metal-clad base materials (additive process) , A pre-treated, pretaminated, non-laminated circuit board of a carrier material such as glass fiber reinforced epoxy resin according to the pretreatment method according to the invention, which will be described below
wird in einen reduktiv arbeitenden Kupferelektrolyten eingebracht, so daß sich Kupfer auf chemischem Wege abscheidet. Es ist ebenso möglich, die entsprechend vorbehandelte, unkaschierte Leiterplatte direkt in einen galvanisch arbeitenden Kupferelektrolyten einzubringen und eine Kupferabscheidung auf der gesamten Leiterplattenoberfläche herbeizuführen.is introduced into a reductive working copper electrolyte, so that copper is deposited by chemical means. It is also possible to introduce the correspondingly pretreated, unbacked printed circuit board directly into a galvanic copper electrolyte and to bring about a copper deposition on the entire printed circuit board surface.
Das erfindungsgemäße Verfahren ermöglicht also, durchkontaktierte Leiterplatten in Subtraktiv-, Semiadditiv- und Additivtechnik zu fertigen.The method according to the invention thus makes it possible to manufacture plated-through printed circuit boards in subtractive, semi-additive and additive technology.
Bei der Subtraktivtechnik werden kupferkaschierte Trägermaterialien, zum Beispiel glasfaserverstärktes Epoxidharz, verarbeitet. Die durchbohrte Leiterplatte wird nach dem erfindungsgemäßen Verfahren vorbehandelt und außenstromlos oder bevorzugt direkt durch galvanische Metallabscheidung durchkontaktiert. Die so hergestellten durchkontaktierten Leiterplatten können dann in bekannter Weise mit einem Sieb- oder Photodruck belegt werden, um nach dem Belichten und Entwickeln das Lei-In the subtractive technique, copper-clad substrate materials, for example glass fiber reinforced epoxy resin, are processed. The perforated printed circuit board is pretreated by the method according to the invention and contacted without external current or preferably directly by electrodeposition by electroplating. The plated-through printed circuit boards produced in this way can then be screen-printed or photo-printed in a known manner in order to obtain, after the exposure and development, the film.
terbild zu erzeugen. Dann erfolgt der Leiterbildaufbau durch galvanische Abscheidung metallischer Schichten. Die weiteren notwendigen Prozeßschritte erfolgen in an sich bekannter Weise, wie zum Beispiel in Hermann, Handbuch der Leiterplattentechnik beschrieben. Entsprechend der sogenannten Tenting-Technik können die nach dem erfindungsgemäßen Verfahren durchkontaktierten Leiterplatten auch direkt flächig mit der notwendigen Schichtdicke galvanisch metallisiert werden. Im Positiv-Druck wird ein Photoresist aufgebracht, der das Leiterbild und die Bohrungen beim später notwendigen Ätzprozeßgenerate a picture. Then the conductor pattern is formed by galvanic deposition of metallic layers. The other necessary process steps are carried out in a conventional manner, as described for example in Hermann, Manual of printed circuit board technology. According to the so-called tenting technique, the printed circuit boards through-contacted by the method according to the invention can also be galvanically metallized directly on a flat surface with the necessary layer thickness. In the positive pressure, a photoresist is applied, the conductor pattern and the holes in the later necessary etching process
schützt.protects.
In der Semiadditivtechnik kann unkaschiertes Trägermaterial verwendet werden, welches erfindungsgemäß vorbehandelt, aktiviert und dann metallisiert wird. Anschließend erfolgt in bekannter Weise der Photoprozeß und der Aufbau des Leiterbildes. Es kann aber auch kupfeskaschiertes Trägermaterial, bevorzugt mit Kupferfolien von 5 bis 12 μπι Dicke, verwendet werden, das nach dem erfindungsgemäßen Verfahren vorbehandelt, aktiviert und getrocknet wird. Anschließend wird mit Photoresist belegt und negativ nach Belichten und Entwickeln das Leiterbild erzeugt. Anschließend wird selektiv das Leiterbild verstärkt. Des weiteren verfährt man in an sich bekannter Weise.In the semi-additive technique, unbacked carrier material can be used, which is pretreated, activated and then metallized according to the invention. Subsequently, in a known manner, the photoprocess and the structure of the conductor pattern. But it can also be copper-clad substrate, preferably with copper foils of 5 to 12 μπι thickness, are used, which is pretreated by the novel process, activated and dried. Subsequently, photoresist is applied and, after exposure and development, the pattern is generated negatively. Subsequently, the pattern is selectively amplified. Furthermore, one proceeds in a conventional manner.
Die erfindungsgemäßen Verfahren eröffnen durch Variation innerhalb des Arbeitsganges vollkommen neuartige Methoden der Leiterplattenherstellung, so daß es ermöglicht wird, den Leiterbahnaufbau und die Durchmetallisierung der Bohrlöcher selektiv durchzuführen.The methods according to the invention open up completely new methods of printed circuit board production by variation within the operation, so that it is possible to selectively carry out the track construction and the through metallization of the boreholes.
Die Metallisierung der Trägermaterialien wird beispielsweise so durchgeführt, daß der Leiterbahnaufbau und die Durchmetallisierung der entsprechend vorbereiteten Materialien auf schon mit Photoresist beschichteten Trägern erfolgt.The metallization of the support materials is carried out, for example, so that the conductor track construction and the through metallization of the appropriately prepared materials on already coated with photoresist carriers.
Für eine weitere Verfahrensvariante werden die gebohrten und mit Kupfer kaschierten Trägermaterialien angeätzt, konditioniert und dann der oxidativen Vorbehandlung zugeführt (Schritt a). Nach dem Entfernen der Lösungsreste durch Spülen wird der Träger in eine Lösung gebracht, welche ein Monomeres, insbesondere Pyrrol oder Pyrrolderivate oder Mischungen von Furan, Furanderivaten, Thiophen, Thiophenderivaten mit Pyrrol enthält (Schritt b).For a further process variant, the drilled and copper-clad substrate materials are etched, conditioned and then fed to the oxidative pretreatment (step a). After removal of the solvent residues by rinsing, the support is brought into a solution which contains a monomer, in particular pyrrole or pyrrole derivatives or mixtures of furan, furan derivatives, thiophene, thiophene derivatives with pyrrole (step b).
Im Anschluß daran wird der Träger in eine saure Lösung eingebracht, so daß sich die elektrisch leitende Polymerschicht ausbildet (Schritt c).Subsequently, the carrier is introduced into an acid solution, so that the electrically conductive polymer layer is formed (step c).
Daran anschließend wird der Träger gespült, getrocknet und mit einem Photoresist beschichtet, mit dem entsprechenden Leiterbild belichtet und entwickelt, wobei die Bohrungen und das Leiterbild freigelegt werden. Der so voBbehandelte Träger kann dann zur galvanischen Verstärkung der Leiterzüge und zur Durchkontaktierung der Bohrlöcher in einen geeigneten Kupferelektrolyten gebracht werden, so daß eine galvanische Abscheidung lediglich im Resistkanal bzw. in den Bohrlöchern erfolgt.Thereafter, the carrier is rinsed, dried and coated with a photoresist, exposed to the corresponding pattern and developed, the holes and the circuit pattern are exposed. The thus treated carrier can then be brought into a suitable copper electrolyte for galvanic reinforcement of the conductor tracks and for the through-hole of the boreholes, so that a galvanic deposition takes place only in the resist channel or in the boreholes.
Bei der Additivtechnik wird von unkaschiertem Trägermaterial ausgegangen. Die zu metallisierenden Flächen, Leiterbahnen usw. werden selektiv aktiviert und anschließend chemisch und/oder galvanisch metallisiert. Hierbei wird ein direkter Aufbau des Leiterbildes erreicht.The additive technique is based on unbacked carrier material. The surfaces to be metallized, interconnects, etc. are selectively activated and then metallized chemically and / or galvanically. In this case, a direct structure of the conductor pattern is achieved.
Eine Variation der oben genannten Additivtechnik wird durch die folgenden Verfahrensschritte gekennzeichnet:A variation of the above additive technique is characterized by the following process steps:
Die gebohrte Trägerplatte wird so behandelt, daß sie eine optimale vorbereitete Oberfläche für die LaminationThe drilled backing plate is treated to provide an optimum prepared surface for lamination
eines Photoresistes aufweist. Der so vorbereitete Träger wird mit Photoresist beschichtet, mit dem entsprechenden Leiterbild belichtet und anschließend entwickelt, wobei die Bohrungen und das Leiterbild freigelegt werden. Dann wird der Träger geätzt, konditioniert und der oxidativen Vorbehandlung zugeführt (Schritt a) . Nach dem Entfernen der Lösungsreste durch Spülen wird der Träger in eine der oben genannten heterocyclenhaltigen Lösungen eingebracht (Schritt b).a photoresist. The thus prepared support is coated with photoresist, exposed to the appropriate circuit pattern and then developed, the holes and the circuit pattern are exposed. Then the support is etched, conditioned and fed to the oxidative pretreatment (step a). After removal of the solvent residues by rinsing, the carrier is introduced into one of the abovementioned heterocyclic-containing solutions (step b).
Im Anschluß daran wird der Träger in eine saure Lösung gegeben, so daß sich die elektrisch leitende Polymerschicht ausbilden kann (Schritt c).Subsequently, the carrier is placed in an acid solution, so that the electrically conductive polymer layer can form (step c).
Der so vorbehandelte Träger wird durch intensives Spülen, Bürsten, mechanische Reinigung mit geeigneten Hilfsmitteln oder Kombination der genannten Reinigungsmethoden von auf dem Photoresist anhaftenden Polymerschichten befreit. Daran anschließend wird der Träger in einer üblichen Dekapierung behandelt und dann der 0 galvanischen Metallisierung zugeführt, wobei lediglich im Resistkanal und in den Bohrlöchern metallisiert wird.The carrier pretreated in this way is freed from polymer layers adhering to the photoresist by intensive rinsing, brushing, mechanical cleaning with suitable auxiliaries or a combination of the abovementioned cleaning methods. Subsequently, the carrier is treated in a conventional pickling and then fed to the galvanic metallization, wherein only metallized in the resist channel and in the boreholes.
Im folgenden werden die Verfahrensschritte des erfindungsgemäßen Verfahrens näher erläutert.The method steps of the method according to the invention are explained in more detail below.
Das erfindungsgemäße Verfahren kann durch folgende allgemeine Arbeitsgänge charakterisiert werden:The process according to the invention can be characterized by the following general operations:
1. Oxidative Vorbehandlung (a)1. Oxidative Pretreatment (a)
0 2. Spülen0 2. Rinse
3. Katalyse (b)3. Catalysis (b)
4. Aktivierung (c)4. Activation (c)
5. Spülen5. Rinse
6. Außenstromlose Metallisierung6. External electroless metallization
7. Spülen7. Rinse
8. Dekapieren8. Picking
9. Kupfervorverstärkung (galvanisch)9. Copper preamplification (galvanic)
- іб -- іб -
Soll die durchkontaktierte leiterplatte durch direkte galvanische Verkupferung hergestellt werden, kann wie folgt vorgegangen werden:If the plated-through printed circuit board is to be produced by direct galvanic copper plating, the following procedure can be used:
1. Oxidative Vorbehandlung (a)1. Oxidative Pretreatment (a)
2. Spülen2. Rinse
3. Katalyse (b)3. Catalysis (b)
4. Aktivierung (c)4. Activation (c)
5. Spülen5. Rinse
6. Dekapieren6. Picking
7. Galvanische Verkupferung7. Galvanic copper plating
In einer bevorzugten Ausgestaltung des erfindungsgeraäßen Verfahrens kann dem Schritt a) der oxidativen Vorbehandlung ein Vorgang zum Anätzen, ein SpülVorgang, ein Reinigungsschritt und eine Reinigung und Oberflächenbehandlung der Bohrlöcher, gefolgt von einem weiteren Spülvorgang, vorgeschaltet werden.In a preferred embodiment of the process according to the invention, the step a) of the oxidative pretreatment can be preceded by an etching process, a rinsing process, a cleaning step and a cleaning and surface treatment of the drilled holes, followed by a further rinsing process.
Sofern die Trägermaterialien bereits eine elektrisch leitende Schicht aus Kupfer aufweisen, wird das Anätzen der Leiterplatte in einer handelsüblichen sauren, mit oxidativ wirkenden Substanzen versehenen Lösung vorgenommen, so daß alle zugänglichen Kupferbereiche eine gleichmäßige feinstrukturierte Oberfläche erhalten.If the support materials already have an electrically conductive layer of copper, the etching of the circuit board is carried out in a commercially available acidic, provided with oxidative substances solution so that all accessible copper areas receive a uniform finely textured surface.
Nach der Behandlung soll die Oberfläche frei von oxi-25After treatment, the surface should be free of oxi-25
dischen Bereichen, von Fingerabdrücken und sonstigen Verunreinigungen sein und eine gleichmäßige helle Farbe aufweisen.areas of fingerprints and other contaminants and have a uniform light color.
Der Prozeßschritt der Reinigung und Oberflächenvorbehandlung der nicht leitenden Bereiche der Leiterplatte (Bohrlochwandungen), welcher neben der Reinigung auch die Aktivierung und Konditionierung der nicht leitenden Bereiche einer Leiterplatte bewirkt, wird mit Hilfe eines organischen Lösungsmittels, vorzugsweise mit einem stickstoffhaltigen Lösungsmittel oder mit einerThe process step of cleaning and surface pretreatment of the non-conductive areas of the printed circuit board (borehole walls), which in addition to the cleaning also causes the activation and conditioning of the non-conductive regions of a printed circuit board, by means of an organic solvent, preferably with a nitrogen-containing solvent or with a
wäßrigen alkalischen Lösung der entsprechenden Lösungsmittel durchgeführt. Neben der Aktivierung und Konditionierung führt dieser Prozeßschritt bei Mehrlagenschaltungen dazu, daß eventuell vorhandene Verunreinigungen der Kupferinnenlagen auf den Bohrlochwandungen für eine anschließende Entfernung der Verunreinigung vorbereitet werden. Die Behandlungsdauer sollte im allgemeinen zwischen 1 und 20 Minuten liegen und bei Temperaturen von 20 bis 80'C durchgeführt werden. Die vorgeschalteten Schritte bewirken eine optimale Vorbehandlung der Leiterplatten für den nachfolgenden Prozeß.aqueous alkaline solution of the corresponding solvent. In addition to activation and conditioning of this process step leads in multi-layer circuits that any existing impurities of the copper inner layers are prepared on the borehole walls for a subsequent removal of the impurity. The treatment time should generally be between 1 and 20 minutes and be carried out at temperatures of 20 to 80 ° C. The upstream steps provide optimal pre-treatment of the printed circuit boards for the subsequent process.
Zur Vorbereitung der Leiterplatten auf die galvanisch bzw. chemische Metallisierung müssen diese einer oxidativen Vorbehandlung, a) , unterzogen werden. Die oxidative Vorbehandlung kann in einem pH-Bereich von < 1 bis 14 und bei Temperaturen von 20 bis 95*C durchgeführt werden. Der Zusatz von ionischen oder nichtionischen Tensiden in einer Menge von 0/1 bis 10 g/l verbessert die Qualität der oxidativen Vorbehandlung, ist jedoch nicht essentiell. Die oxidativ wirkenden Agentien liegen in einer Konzentration von 0,1 g/l bis zu ihrer Löslichkeitsgrenze vor. Die Vorbehandlungsdauer kann zwischen 0,5 und 20 Minuten liegen. Als Oxidationsmittel können zum Beispiel Cer(IV) Sulfat, Alkal!manganate, Alkalipermanganate und Alkaliperjodate zur Anwendung kommen. Vorzugsweise wird Kaliumpermanganat verwendet.To prepare the printed circuit boards for galvanic or chemical metallization, they must undergo oxidative pretreatment, a). The oxidative pretreatment can be carried out in a pH range of <1 to 14 and at temperatures of 20 to 95 * C. The addition of ionic or nonionic surfactants in an amount of 0/1 to 10 g / l improves the quality of the oxidative pretreatment, but is not essential. The oxidative agents are present at a concentration of 0.1 g / l up to their solubility limit. The pretreatment time can be between 0.5 and 20 minutes. As the oxidizing agent, for example, cerium (IV) sulfate, alkali metal manganates, alkali permanganates and alkali per iodates can be used. Preferably, potassium permanganate is used.
Als oxidatives Medium zur Vorbehandlung der zu metallisierenden Gegenstände im alkalischen Medium wird eine wäßrige Lösung, bestehend aus 20 g/l Kaliumpermanganat und 10 g/l Natriumhydroxid, hergestellt. Es ist vorteilhaft, etwa 0,1 g nicht-ionogenes Fluortensid der Mischung zuzugeben. Die Leiterplatten werden vorzugsweise 10 Minuten unter leichter Bewegung in der temperierten Lösung belassen. Nach der Vorbehandlung werden die Leiterplatten mit Wasser abgespült.As an oxidative medium for the pretreatment of the objects to be metallized in an alkaline medium, an aqueous solution consisting of 20 g / l potassium permanganate and 10 g / l sodium hydroxide is prepared. It is advantageous to add about 0.1 g of nonionic fluorosurfactant to the mixture. The printed circuit boards are preferably left in the tempered solution for 10 minutes with slight movement. After pretreatment, the circuit boards are rinsed with water.
Als oxidatives Medium zur Vorbehandlung der zu metallisierenden Gegenstände im neutralen Medium wird eine wäßrige Lösung, bestehend aus 12 g/l Kaliumpermanganat, 0,1 g/l nicht-ionogenem Fluortensid unter Verwendung von pH-korrigierenden Substanzen (Natriumhydroxid, Schwefelsäure etc.) so eingestellt, daß die Lösung einen pH-Wert von ca. 7 aufweist. Die zu behandelnden Leiterplatten werden vorzugsweise 5 Minuten unter leichter Bewegung in der auf etwa 65'C temperierten Lösung belassen. Nach der oxidativen Vorbehandlung werden die Leiterplatten mit Wasser abgespült.As the oxidative medium for pretreatment of the objects to be metallized in the neutral medium, an aqueous solution consisting of 12 g / l potassium permanganate, 0.1 g / l nonionic fluorosurfactant using pH correcting substances (sodium hydroxide, sulfuric acid, etc.) is so adjusted so that the solution has a pH of about 7. The printed circuit boards to be treated are preferably left for 5 minutes with slight agitation in the solution heated to about 65 ° C. After the oxidative pretreatment, the circuit boards are rinsed with water.
Als oxidierendes Medium zur Vorbehandlung der zu metallisierenden Gegenstände im sauren Medium wird eine wäßrige Lösung, bestehend aus 10 g/l Kaliumpermanganat, 0,1 g/l nicht-ionogenem Netzmittel und Schwefelsäure hergestellt, die einen pH-Wert von ca. 2 aufweist. Die zu behandelnden Leiterplatten werden vorzugsweise etwa eine Minute unter leichter Bewegung in der Lösung belassen. Die Temperatur der Lösung beträgt vorzugsweise 2 0 bis 30'C. Im Anschluß an die oxidative Vorbehandlung werden die Leiterplatten mit Wasser abgespült. Als oxidierendes Medium wird eine wäßrige Lösung von 50 g/l Cer(IV)Sulfat, nicht-ionogenem Netzmittel und Schwefelsäure so hergestellt, daß der pH-Wert < 1 ist.As an oxidizing medium for the pretreatment of the objects to be metallized in an acidic medium, an aqueous solution consisting of 10 g / l potassium permanganate, 0.1 g / l non-ionic wetting agent and sulfuric acid is prepared which has a pH of about 2. The printed circuit boards to be treated are preferably left in the solution for about one minute with slight movement. The temperature of the solution is preferably from 2 0 to 30'C. Following the oxidative pretreatment, the circuit boards are rinsed with water. As the oxidizing medium, an aqueous solution of 50 g / l of cerium (IV) sulfate, nonionic wetting agent and sulfuric acid is prepared so that the pH is <1.
Die zu behandelnden Leiterplatten werden vorzugsweise ca. 5 Minuten unter leichten Schwenkbewegungen in der vorzugsweise auf 20 bis 30'C temperierten Lösung belassen. Im Anschluß an die oxidative Vorbehandlung werden die Leiterplatten mit Wasser abgespült.The printed circuit boards to be treated are preferably left for about 5 minutes with slight pivoting movements in the preferably tempered at 20 to 30'C solution. Following the oxidative pretreatment, the circuit boards are rinsed with water.
Als ein weiteres oxidierendes Medium wird eine wäßrige Lösung von 50 g/l Natriumperjodat, einem nicht-ionogenen Netzmittel und Schwefelsäure so hergestellt, daß der pH-Wert der Lösung < 1 ist. Die zu behandelnden Leiterplatten werden 5 Minuten unter leichten Schwenkbewegungen in der temperierten Lösung belassen. Im Anschluß anAs another oxidizing medium, an aqueous solution of 50 g / l of sodium periodate, a nonionic wetting agent and sulfuric acid is prepared so that the pH of the solution is <1. The printed circuit boards to be treated are left in the tempered solution for 5 minutes with slight swiveling movements. In connection to
die oxidative Vorbehandlung werden die Leiterplatten mit Wasser abgespült.the oxidative pretreatment, the circuit boards are rinsed with water.
Für den Verfahrensschritt der Katalyse, b) , wird eine Lösung, bestehend aus einer heterocyclischen Verbindung, insbesondere Pyrrol, Thiophen oder Furan, einem mit Wasser mischbaren organischen Lösungsmittel wie Methanol, Ethanol, n-Propanol, Isopropanol, höhere Alkohole, Polyalkohole, DMF (Dimethylformamid), Ketone, Cumolsulfonat, N-Methylpyrrolidon, Triglyme, Diglyme, Alkalisalze der Toluolsulfonate bzw. deren Ethylester sowie wäßrigen alkalischen Lösungen oder Gemischen derselben als Lösungsvermittler für die heterocyclische Verbindung und Wasser eingesetzt. In diese Lösung werden die zu metallisierenden Substrate (Leiterplatten) eingebracht. Aufgrund der hohen Reaktivität der oxidativ vorbehandelten Gegenstände wie Leiterplatten kann die Konzentration der heterocyclenhaltigen Katalysierungslösung in weiten Bereichen gehalten werden, so daß Lösungen mit einem Heterocyclengehalt von 0,1 bis 50% eingesetzt werden können. Es hat sich jedoch herausgestellt, daß solche Lösungen, die einen Heterocyclenanteil von 5 bis 35% aufweisen, optimale katalysierende Eigenschaften aufweisen. Die Verweildauer der Gegenstände wie Leiterplatten in der Katalysatorlösung kann zwischen wenigen Sekunden und 20 Minuten betragen. Als optimal haben sich Verweilzeiten zwischen 1 und 5 Minuten herausgestellt. Während der Behandlung der Substrate wie Leiterplatten in der Katalysatorlösung können diese einer leichten Bewegung unterworfen werden. Die aufgeführte Tabelle zeigt eine Zusammenstellung der vorzugsweise verwendbaren Katalysatorlösungen.For the process step of catalysis, b), a solution consisting of a heterocyclic compound, in particular pyrrole, thiophene or furan, a water-miscible organic solvent such as methanol, ethanol, n-propanol, isopropanol, higher alcohols, polyalcohols, DMF ( Dimethylformamide), ketones, cumene sulfonate, N-methylpyrrolidone, triglyme, diglyme, alkali metal salts of toluenesulfonates or their ethyl esters and aqueous alkaline solutions or mixtures thereof as solubilizers for the heterocyclic compound and water. In this solution, the substrates to be metallized (printed circuit boards) are introduced. Due to the high reactivity of the oxidatively pretreated articles such as printed circuit boards, the concentration of the heterocyclic catalyst solution can be kept within wide ranges, so that solutions with a heterocyclic content of 0.1 to 50% can be used. However, it has been found that such solutions, which have a heterocyclic content of 5 to 35%, have optimal catalyzing properties. The residence time of the objects such as printed circuit boards in the catalyst solution can be between a few seconds and 20 minutes. Residence times between 1 and 5 minutes have proven to be optimal. During the treatment of substrates such as printed circuit boards in the catalyst solution, they may be subjected to a slight agitation. The listed table shows a summary of the preferably usable catalyst solutions.
Im Anschluß an die Katalyse werden die zu metallisierenden Gegenstände wie Leiterplatten einer Aktivierung, c), unterzogen als Vorbereitung auf die folgende Metall-Following catalysis, the articles to be metallized, such as printed circuit boards, are subjected to activation, c), in preparation for the subsequent metal deposition.
- 20 - ^З 520- 20 - ^ З 520
abscheidung. Die Aktivierung kann mit oxidativ wirkenden Substanzen wie zum Beispiel Alkalipersulfaten, Alkaliperoxodisulfaten, Wasserstoffperoxid, Eisen(III)-Salzen wie Eisenchlorid, Eisensulfat, Kaliumhexacyanoferat(III), Alkaliperjodaten oder ähnlichen Verbindungen im sauren Medium durchgeführt werden. Ebenso besteht die Möglichkeit, die Aktivierung nur in einem sauren Medium erfolgen zu lassen, wobei als Säuren Salzsäure, Schwefelsäure, Phosphorsäure etc. Verwendung finden können. Die Aktivierung kann aber auch im sauren Medium unter permanenter Lufteinblasung erfolgen.deposition. The activation can be carried out with oxidatively active substances such as, for example, alkali persulfates, alkali peroxodisulfates, hydrogen peroxide, iron (III) salts such as iron chloride, iron sulfate, potassium hexacyanoferate (III), alkali per iodates or similar compounds in an acidic medium. It is also possible to allow the activation to take place only in an acidic medium, wherein as acids hydrochloric acid, sulfuric acid, phosphoric acid, etc. can be used. The activation can also be done in acidic medium with permanent Lufteinblasung.
Zur Aktivierung der zu metallisierenden Gegenstände im sauren, oxidierenden Medium wird das katalysierte Substrat 5 Minuten in einer wäßrigen Lösung, bestehend aus 50 g/l Natriumperoxodisulfat und 10 ml/1 Schwefelsäure unter leichten Schwenkbewegungen belassen. Es bildet sich auf der Oberfläche der Leiterplatte und auf den Bohrlochwandungen ein dunkelbraun bis schwarz gefärbter Film. Im Anschluß an die Aktivierung wird unter fließendem Wasser gespültTo activate the objects to be metallized in an acidic, oxidizing medium, the catalyzed substrate is left for 5 minutes in an aqueous solution consisting of 50 g / l of sodium peroxodisulfate and 10 ml / l of sulfuric acid with slight pivoting movements. It forms on the surface of the circuit board and on the borehole walls a dark brown to black colored film. Following activation, rinse under running water
20 20
Ein katalysiertes Substrat wird vier Minuten lang in einer wäßrigen Lösung, bestehend aus 40 g/l Kaliumhexacyanoferat(III) und 20 ml/1 Schwefelsäure unter leichten Schwenkbewegungen belassen. Auf der gesamten Leiterplattenoberfläche bildet sich ein dunkler, voluminöser Film. Im Anschluß an die Aktivierung wird das Substrat unter fließendem Wasser abgespült.A catalyzed substrate is left for four minutes in an aqueous solution consisting of 40 g / l potassium hexacyanoferate (III) and 20 ml / l sulfuric acid with gentle rocking movements. On the entire PCB surface, a dark, voluminous film forms. Following activation, the substrate is rinsed under running water.
Die Aktivierung der zu metallisierenden Gegenstände wie Leiterplatten in einer wäßrigen Lösung von 20 g/l Alkaliperjodat und 40 ml/1 Schwefelsäure erfolgt unter leichten Schwenkbewegungen innerhalb von zwei Minuten. Auf der gesamten Oberfläche bildet sich ein schwarzer Film.The activation of the objects to be metallized, such as printed circuit boards in an aqueous solution of 20 g / l Alkaliperjodat and 40 ml / 1 sulfuric acid takes place with slight pivoting movements within two minutes. On the entire surface forms a black film.
_ 21 __ 21 _
Des weiteren kann die Aktivierung in einer wäßrigen Lösung aus 50 g/l Eisen(III)-Sulfat und 30 ml/l~Schwefelsäure durchgeführt werden. In dieser Lösung wird ein katalysiertes Substrat unter leichten Schwenkbewegungen vorzugsweise 5 Minuten belassen. Es bildet sich auf der gesamten Oberfläche ein dunkel gefärbter Überzug. Im Anschluß an die Aktivierung wird mit Wasser gespült.Furthermore, the activation can be carried out in an aqueous solution of 50 g / l ferric sulfate and 30 ml / l sulfuric acid. In this solution, a catalyzed substrate is left under gentle rocking movements, preferably for 5 minutes. It forms on the entire surface of a dark colored coating. Following activation, rinse with water.
Die Aktivierung der zu metallisierenden Gegenstände wie Leiterplatten erfolgt innerhalb von etwa 5 Minuten im sauren Medium, bestehend aus einer etwa 20%-igen Schwefelsäurelösung, unter leichten Schwenkbewegungen und permanenter Lufteinblasung. Im Anschluß an die Aktivierung wird unter fließendem Wasser gespült.The activation of the objects to be metallized, such as printed circuit boards, takes place within approximately 5 minutes in an acidic medium, consisting of an about 20% strength sulfuric acid solution, with slight pivoting movements and permanent air injection. Following activation, rinse under running water.
Wird eine 5%-ige Salzsäurelösung zur Aktivierung verwendet, wird das entsprechend vorbehandelte Substrat vorzugsweise 10 Minuten lang unter leichten Schwenkbevtegungen in der Lösung belassen. Auch nach der erfolgten Aktivierung mit 5%-iger Salzsäure wird das Substrat mit Wasser gespültWhen a 5% hydrochloric acid solution is used for activation, the appropriately pretreated substrate is preferably left in the solution for 10 minutes with slight swaying. Even after the activation with 5% hydrochloric acid, the substrate is rinsed with water
20 20
Bei Verwendung von 8%-iger Phosphorsäure wird das zu aktivierende Substrat 10 Minuten lang unter leichten Schwenkbewegungen und permanenter Lufteinblasung in der entsprechenden Lösung belassen. Im Anschluß an die Ak-When 8% phosphoric acid is used, the substrate to be activated is left in the appropriate solution for 10 minutes with gentle rocking movements and permanent air injection. Following the action
tivierung wird mit Wasser gespült.tivierung is rinsed with water.
Die Aktivierung kann ebenfalls durchgeführt werden, indem ein erfindungsgemäß vorbehandeltes Substrat etwa 10 Minuten lang in einer wäßrigen Lösung, bestehend aus 60 g/l Natriumperoxodisulfat und 40 ml/1 H3SO4 unter leichten Schwenkbewegungen und permanenter Lufteinblasung belassen wird. Auch im Anschluß an diese Art der Aktivierung wird mit Wasser gespült.The activation can also be carried out by leaving a substrate pretreated according to the invention for about 10 minutes in an aqueous solution consisting of 60 g / l of sodium peroxodisulfate and 40 ml / l of H 3 SO 4 with slight pivoting movements and permanent air injection. Also following this type of activation is rinsed with water.
M3 SSOM3 SSO
In einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung wird ein katalysiertes Substrat etwa 3 Minuten lang in einer wäßrigen Lösung, bestehend aus 100 ml/1 Schwefelsäure und 25 ml/1 Wasserstoffperoxid (3 0 %-ig) unter permanenter Lufteinblasung und leichter Schwenkbewegung belassen. Im Anschluß an die Aktivierung wird auch hier mit Wasser gewaschen.In a further preferred embodiment, a catalyzed substrate is left for about 3 minutes in an aqueous solution consisting of 100 ml / 1 sulfuric acid and 25 ml / 1 hydrogen peroxide (30% strength) with permanent air injection and slight pivoting movement. Following the activation is also washed here with water.
Die oben genannten Mengenangaben, sowohl Gramm als auch Milliliter, beziehen sich jeweils auf 1 Liter Gesamtlösung.The above quantities, both grams and milliliters, each refer to 1 liter of total solution.
Die nach dem oben beschriebenen Verfahren behandelten Gegenstände, wie Leiterplatten, können unmittelbar nach der Aktivierung einer außenstromlosen, reduktiven Metallabscheidung unterworfen werden. Es ist auch möglich, eine galvanische Metal!abscheidung unmittelbar nach erfolgter Aktivierung durchzuführen. Darüber hinaus können die aktivierten Gegenstände, wie Leiterplatten, zu einem späteren Zeitpunkt auf galvanischem Weg mit Metallen beschichtet werden.The articles treated by the method described above, such as circuit boards, may be subjected to an electroless reductive metal deposition immediately after activation. It is also possible to carry out a galvanic metal deposition immediately after activation. In addition, the activated objects, such as printed circuit boards, can later be electroplated with metals.
Zur außenstromlosen Metallisierung werden handelsübliche Elektrolyte, vorzugsweise Kupferelektrolyte, wie z.B. METALYT CU NV, unter den üblichen Bedingungen, die jedem Fachmann bekannt sind, eingesetzt.For electroless metallization, commercially available electrolytes, preferably copper electrolytes, e.g. METALYT CU NV, used under the usual conditions known to any person skilled in the art.
Die galvanische Metallabscheidung erfolgt mittels bekannter galvanischer Elektrolyte. Es können prinzipiell alle Metalle bzw. Legierungen abgeschieden werden, die auf galvanischem Wege abzuscheiden sind. Bevorzugt werden jedoch Kupferelektrolyte verwendet. Besonders bevorzugt sind schwefelsaure Kupferelektrolyte mit einem Gehalt von 50 bis 300 g/l freier Schwefelsäure und einem Metallgehalt von 5 bis 50 g/l. Aber auch fluorborsäure-, salzsäure-, thiosulfat- oder pyrophosphathaltige oder cyanidhaltige Elektrolyte sowie Elektrolyte aufThe galvanic metal deposition takes place by means of known galvanic electrolytes. In principle, all metals or alloys can be deposited, which are to be deposited by electroplating. However, copper electrolytes are preferably used. Particularly preferred are sulfuric acid copper electrolytes having a content of 50 to 300 g / l of free sulfuric acid and a metal content of 5 to 50 g / l. But also fluoroboric, hydrochloric, thiosulfate or pyrophosphate-containing or cyanide-containing electrolytes and electrolytes
Basis von Sulfaminen und organischen Sulfonsäuren haben sich als geeignet erwiesen. Diese Elektrolyte werden unter den üblichen Bedingungen, nämlich in Temperaturbereichen zwischen 20 und 70*C mit Stromdichten zwischen 0,1 und 20 A/dm verwendet, überraschenderweise kann die Zeit der galvanischen Abscheidung, wenn direkt im Anschluß an die erfindungsgemäße Aktivierung galvanisch verkupfert wird, erheblich verkürzt werden, nämlich in besonders günstigen Fällen auf 2 bis 5 Minuten. Man erhält gleichmäßige, geschlossene und darüber hinaus fest haftende Metallschichten, die auch im sogenannten Durchleuchtungstest keinerlei Fehlstellen aufweisen. Ausführungsbeispiele Basis of sulfamines and organic sulfonic acids have been found to be suitable. These electrolytes are used under the usual conditions, namely in temperature ranges between 20 and 70 ° C. with current densities between 0.1 and 20 A / dm. Surprisingly, the time of the galvanic deposition can be galvanically plated directly after the activation according to the invention. be significantly shortened, namely in particularly favorable cases to 2 to 5 minutes. This gives uniform, closed and moreover firmly adhering metal layers, which also have no defects in the so-called transillumination test. Exemplary embodiments
In den nachfolgenden Beispielen wird das erfindungsgemäße Verfahren näher erläutert:In the following examples, the inventive method is explained in more detail:
Eirt doppelseitig kupferkaschiertes Trägermaterial aus glasfaserverstärktem Epoxidharz wird in üblicher Weise gebohrt und mechanisch gereinigt. Anschließend wird das Substrat oxidativ vorbehandelt. Dies erfolgt in einer wäßrigen Lösung von 50 g/l Cer-IV-Sulfat in schwefelsaurer Lösung unter Verwendung eines nichtionogenen Fluortensids. Die Leiterplatte verbleibt für 5 Minuten unter leichter Bewegung in der 20 bis 300C warmen Lösung und wird anschließend gespült. Man taucht sie sodann in eine wäßrige Katalysatorlösung bestehend aus 20% Pyrrol und 20% Isopropanol, und beläßt die Platte für 5 Minuten bei Raumtemperatur unter leichten Bewegungen in dieser Lösung. Dann wird für weitere 5 Minuten in eine wäßrige Lösung, bestehend aus 50 g/l Natriumperoxodisulfat und 10 ml/1 Schwefelsäure unter leichter Bewegung belassen. Auf der Oberfläche und den Bohrlochwandungen bildet sich ein dunkelbraun bis schwarz gefärbter leitfähiger Polymerfilm, der anschließend unter fließendem WasserEirt double-sided copper-clad carrier material made of glass fiber reinforced epoxy resin is drilled in the usual way and mechanically cleaned. Subsequently, the substrate is pretreated by oxidation. This is carried out in an aqueous solution of 50 g / l of cerium-IV-sulphate in sulfuric acid solution using a nonionic fluorosurfactant. The circuit board remains for 5 minutes with slight movement in the 20 to 30 0 C warm solution and is then rinsed. It is then immersed in an aqueous catalyst solution consisting of 20% pyrrole and 20% isopropanol, and the plate is left for 5 minutes at room temperature with slight movements in this solution. Then it is left for a further 5 minutes in an aqueous solution consisting of 50 g / l of sodium peroxodisulfate and 10 ml / 1 sulfuric acid with gentle agitation. On the surface and the borehole walls, a dark brown to black colored conductive polymer film forms, which is subsequently under running water
- 24 - 3J3 5JSO - 24 - 3J3 5JSO
gespült wird. Nun wird mit 20 %-iger Schwefelsäure dekapiert und mit einem handelsüblichen Kupferelektrolytbad verkupfert. Als Elektrolyt wird das Handelsprodukt der Araielderin CUPROSTAR LP-I verwendet. Dieser Elektrolyt hat folgende Zusammensetzung:is rinsed. Now it is decanted with 20% sulfuric acid and copper-plated with a commercial copper electrolyte bath. The electrolyte used is the commercial product of the arabian CUPROSTAR LP-I. This electrolyte has the following composition:
Kupfer: 18 -22 g/lCopper: 18-22 g / l
Schwefelsäure: 180-250 g/lSulfuric acid: 180-250 g / l
Natriumchlorid: 60-100 mg/1 Zusatzraittel aufSodium chloride: 60-100 mg / 1 supplement
Basis eines Polyethers: 4- 8 ml/1Base of a polyether: 4-8 ml / 1
Die Temperatur beträgt 20-300C und die Stromdichte 2-4 A/dm . Bereits nach 8 Minuten sind alle Bohrungen vollständig, gleichmäßig und haftfest durchgehend metallisiert.The temperature is 20-30 0 C and the current density 2-4 A / dm. After only 8 minutes, all holes are completely metallized, evenly and firmly adhering.
Ein Substrat wie in Beispiel 1 wird einer oxidativen Behandlung in einer wäßrigen Lösung bestehend aus 20 g/l Kaliumpermanganat, 10 g/l Natriumhydroxid und 0,1 g/l nichtionogenen Fluortensid bei 90'C unter Bewegung unterzogen. Nach einem Spülvorgang wird für 10 Minuten in eine wäßrige Lösung bestehend aus 10 % Pyrrol, 15 % Isopropanol und 0,1 g/l Fluortensid bei Raumtemperatur getaucht. Das Substrat wird leicht bewegt, um einen guten Flüssigkeitsaustausch in den Bohrungen zu sichern. Anschließend wird in einer wäßrigen Lösung behandelt, die 20 g/l Wasserstoffperoxid und ca. 20 % Schwefelsäure enthält. Bei Raumtemperatur wird das Substrat ca. 8 Minuten unter Bewegung exponiert. Es bildet sich ein dunkelbrauner bis schwarzer leitfähiger Polypyrrolfilm, der anschließend unter fließendem Wasser gespült wird. Anschließend wird, wie im Beispiel 1 beschrieben, direkt galvanisch verkupfert.A substrate as in Example 1 is subjected to oxidative treatment in an aqueous solution consisting of 20 g / l potassium permanganate, 10 g / l sodium hydroxide and 0.1 g / l nonionic fluorosurfactant at 90 ° C. with agitation. After a rinsing process is immersed for 10 minutes in an aqueous solution consisting of 10% pyrrole, 15% isopropanol and 0.1 g / l fluorinated surfactant at room temperature. The substrate is moved slightly to ensure good fluid exchange in the holes. The mixture is then treated in an aqueous solution containing 20 g / l of hydrogen peroxide and about 20% sulfuric acid. At room temperature, the substrate is exposed to movement for about 8 minutes. It forms a dark brown to black conductive polypyrrole film, which is then rinsed under running water. Subsequently, as described in Example 1, directly electroplated copper.
- 25 - 53 3- 25 - 53 3
Nach etwa 5 Minuten sind alle Bohrungen vollständig, gleichmäßig und haftfest durchgehend metallisiert.After about 5 minutes, all holes are completely, uniformly and adherently metallized throughout.
Die so durchgehend metallisierten Leiterplatten werden galvanisch auf eine Kupferschichtstärke von 25 μτα. in der Bohrung verstärkt. Ein Thermoschocktest nach MIL Spec.-P-SSllO-C wird problemlos passiert.The continuously metallized printed circuit boards are galvanically applied to a copper layer thickness of 25 μτα. reinforced in the hole. A thermal shock test according to MIL Spec.-P-SSllO-C is easily passed.
Ein Substrat wie in Beispiel 1 wird einer oxidativen Behandlung in einer wäßrigen Lösung bestehend aus 20 g/l Kaliumpermanganat, 10 g/l Natriumhydroxid und 0,1 g/l nichtionogenem Fluortensid bei 90*C unter Bewegung belassen. Nach einem Spülvorgang wird für 10 Minuten in eine wäßrige Lösung bestehend aus 10% Pyrrol, 10% Furan, 15% Isopropanol und 0,1 g/l Fluortensid bei Raumtemperatur getaucht. Das Substrat wird leicht bewegt, um einen guten Flüssigkeitsaustausch in den Bohrungen zu sichern. Anschließend wird in einer wäßrigen Lösung behandelt, die 20 g/l Wasserstoffperoxid und ca. 20% Schwefelsäure enthält. Bei Raumtemperatur wird das Substrat ca. 8 Minuten unter Bewegung exponiert. Es bildet sich ein dunkelbrauner bis schwarzer leitfähiger Polymerfilm, der anschließend unter fließendem Wasser gespült wird. Anschließend wird, wie unter Beispiel 1 beschrieben,A substrate as in Example 1 is left to undergo an oxidative treatment in an aqueous solution consisting of 20 g / l potassium permanganate, 10 g / l sodium hydroxide and 0.1 g / l nonionic fluorosurfactant at 90 ° C. with agitation. After a rinsing process is immersed for 10 minutes in an aqueous solution consisting of 10% pyrrole, 10% furan, 15% isopropanol and 0.1 g / l fluorosurfactant at room temperature. The substrate is moved slightly to ensure good fluid exchange in the holes. The mixture is then treated in an aqueous solution containing 20 g / l of hydrogen peroxide and about 20% sulfuric acid. At room temperature, the substrate is exposed to movement for about 8 minutes. It forms a dark brown to black conductive polymer film, which is then rinsed under running water. Subsequently, as described under Example 1,
direkt galvanisch verkupfert.directly galvanically coppered.
Nach etwa 8 Minuten sind alle Bohrungen vollständig, gleichmäßig und haftfest durchmetallisiert. Die so durchmetallisierten Leiterplatten werden galvanisch auf eine Kupferschichtstärke von 25 μπι in der Bohrung verstärkt. Ein Thermoschocktest nach MIL Spec.-P-55110-C wird problemlos bestanden.After about 8 minutes, all holes are fully metallised, evenly and firmly adhering. The so metallized printed circuit boards are galvanically reinforced to a copper layer thickness of 25 μπι in the hole. A thermal shock test according to MIL Spec.-P-55110-C is easily passed.
Nicht kupferkaschiertes Basismaterial aus glasfaserverstärktem Epoxidharz wird nach dem Arbeitsablauf von Beispiel 2 vorbehandelt, katalysiert und aktiviert. Anschließend wird direkt galvanisch verkupfert. Nach ca. 10 Minuten sind die gesamte Oberfläche und die Bohrungen vollständig, gleichmäßig und haftfest verkupfert.Non-copper-clad base material of glass fiber reinforced epoxy resin is pretreated, catalyzed and activated according to the procedure of Example 2. Subsequently, it is directly galvanically coppered. After approx. 10 minutes, the entire surface and the holes are completely coppered, evenly and firmly adhering.
Ein doppelseitiges kupferkaschiertes Trägermaterial aus glasfaserverstärktem Epoxidharz wird in üblicher Weise gebohrt und mechanisch gereinigt. Anschließend wird das Substrat oxidativ vorbehandelt. Dies erfolgt unter leichten Schwenkbewegungen in einer wäßrigen Lösung aus 25 g/l Kaliumpermanganat und 10 g/l Kaliumhydroxid bei 70"C innerhalb von 10 Minuten. Anschließend wird gespült und für 5 Minuten in einer Lösung, bestehend aus 25% Butanol, 50% H2O, 10% Pyrrol, 2% NaOH (30%ig) und 13% Cumolsulfonat (40%ig), belassen.A double-sided copper-clad substrate made of glass fiber reinforced epoxy resin is drilled in the usual way and mechanically cleaned. Subsequently, the substrate is pretreated by oxidation. This is carried out with gentle rocking movements in an aqueous solution of 25 g / l potassium permanganate and 10 g / l potassium hydroxide at 70 ° C. within 10 minutes, followed by rinsing and 5 minutes in a solution consisting of 25% butanol, 50% H 2 %, 10% pyrrole, 2% NaOH (30%), and 13% cumene sulfonate (40%).
Daran anschließend wird für 5 Minuten in einer Lösung, bestehend aus 300 ml/1 Schwefelsäure und 20 g/l Natriumperoxodisulfat, belassen. Auf der Oberfläche und den Bohrlochwandungen bildet sich ein dunkelbrauner bis schwarzer, leitfähiger Polymerfilm, der mit fließendem Wasser gespült wird. Vor der anschließenden galvanischen Verkupferung in LP-I (siehe Beispiel 1) wird in 20%iger Schwefelsäure dekapiert. Nach 10 Minuten sind alle Bohrungen vollständig, gleichmäßig und haftfest durchgehend metallisiert.This is then left for 5 minutes in a solution consisting of 300 ml / 1 sulfuric acid and 20 g / l sodium peroxodisulfate. On the surface and the borehole walls, a dark brown to black, conductive polymer film is formed, which is rinsed with running water. Before the subsequent galvanic copper plating in LP-I (see Example 1) is dekapiert in 20% sulfuric acid. After 10 minutes, all holes are completely, uniformly and adherently metallized throughout.
Eine Leiterplatte wie in Beispiel 1 wird einer oxidativen Behandlung in einer wäßrigen Lösung, bestehendA printed circuit board as in Example 1 is subjected to an oxidative treatment in an aqueous solution
- 27 - «2*3 SW - 27 - «2 * 3 SW
aus 20 g/l Kaliummanganat und 20 g/l KOH, bei 80*C für 10 Minuten unter leichten Schwenkbewegungen unterzogen. Daran anschließend wird unter fließendem Wasser gespült. Im Anschluß wird für 10 Minuten in einer Lösung, bestehend aus 25% Glycerin, 25% Triglyme, 35% H3O und 15% Pyrrol unter leichten Schwenkbewegungen belassen. Man nimmt die Platte aus dem Bad und läßt die Flüssigkeit 2 Minuten abtropfen und überführt die Platte in eine wäßrige Lösung aus 50 g/l Natriumperoxodisulfat und 100 ml/1 Schwefelsäure. Bei permanenter Lufteinblasung unter leichten Schwenkbewegungen wird sie für 5 Minuten darin belassen. Auf der gesamten Plattenoberfläche bildet sich ein dunkelbrauner bis schwarzer Film aus, der unter fließendem Wasser gespült wird. Es wird in 2 0%iger Schwefelsäure dekapiert und in einem Kupferelektrolyt galvanisiert (siehe Beispiel 1). Nach 8 Minuten sind sämtliche Bohrlochwandungen gleichmäßig mit Kupfer belegt.from 20 g / l potassium manganate and 20 g / l KOH, at 80 * C for 10 minutes with gentle rocking movements. Then it is rinsed under running water. The mixture is then left for 10 minutes in a solution consisting of 25% glycerol, 25% triglyme, 35% H 3 O and 15% pyrrole with gentle rocking movements. The plate is removed from the bath and the liquid is drained for 2 minutes and the plate is transferred into an aqueous solution of 50 g / l sodium peroxodisulfate and 100 ml / l sulfuric acid. With permanent air injection with slight pivoting movements, it is left in it for 5 minutes. On the entire plate surface, a dark brown to black film forms, which is rinsed under running water. It is decanted in 20% sulfuric acid and galvanized in a copper electrolyte (see Example 1). After 8 minutes, all borehole walls are evenly covered with copper.
Im Anschluß an die alkalisch oxidative Vorbehandlung (siehe hierzu Beispiel 6) wird die Leiterplatte in einer Lösung, bestehend aus 10% H_0, 20% Triglyme, 30% N-Methylpyrrolidon, 20% Pyrrol und 20% DMF für 5 Minuten unter leichten Schwenkbewegungen belassen. Nach der Katalyse wird die behandelte Leiterplatte 5 Minuten in einer wäßrigen Lösung, bestehend aus 5 g/l Natriumperoxodisulfat und 50 ral/1 Schwefelsäure, bei permanenter Lufteinblasung unter leichten Schwenkbewegungen belassen. Die nachfolgende Plattenbehandlung erfolgt so, wie schon in Beispiel 6 beschrieben wurde.Following the alkaline oxidative pretreatment (see Example 6), the printed circuit board is left in a solution consisting of 10% H 2 O, 20% triglyme, 30% N-methylpyrrolidone, 20% pyrrole and 20% DMF for 5 minutes with gentle rocking movements , After catalysis, the treated circuit board is left for 5 minutes in an aqueous solution consisting of 5 g / l sodium peroxodisulfate and 50 ral / 1 sulfuric acid, with permanent air injection with slight pivoting movements. The subsequent plate treatment is carried out as already described in Example 6.
Eine Mehrlagenschaltung (8 Innenanlagen) wird in üblicher Weise gebohrt und mechanisch gereinigt. An-A multi-layer circuit (8 indoor units) is drilled in the usual way and mechanically cleaned. On-
2<S32 <S3
schließend wird sie alkalisch oxidativ vorbehandelt. Dies erfolgt in einer wäßrigen Lösung aus 30 g/l Kaliumpermanganat und 30 g/l Natriumhydroxid bei einer Temperatur von 75'C unter leichten Schwenkbewegungen für etwa 7 Minuten. Anschließend wird gespült und für 5 Minuten in der Katalysatorlösung, bestehend aus 66% Glycerin, 27% N-Methylpyrrolidon und 7% Pyrrol bei Raumtemperatur belassen. Der katalysierte Multilayer wird im Anschluß an die Katalyse für 5 Minuten in einer etwa 3 0 VoI.-ligen Schwefelsäure unter Lufteinblasung und leichter Schwenkbewegung belassen. Die weitere Behandlung erfolgt so, wie schon in Beispiel б beschrieben ist.Finally, it is pretreated alkaline oxidatively. This is done in an aqueous solution of 30 g / l potassium permanganate and 30 g / l sodium hydroxide at a temperature of 75 ° C with gentle rocking movements for about 7 minutes. It is then rinsed and left for 5 minutes in the catalyst solution consisting of 66% glycerol, 27% N-methylpyrrolidone and 7% pyrrole at room temperature. The catalyzed multilayer is left in catalysis for 5 minutes in an approximately 3 0 VoI.-ligen sulfuric acid with air injection and slight pivoting movement. The further treatment is carried out as already described in Example б.
Unter gleichen Bedingungen wie in Beispiel 2 wird eine Leiterplatte vorbehandelt und katalysiert. Als Aktivierung wird aber eine 20 % Schwefelsäurelösung verwendet, in*die Luft eingeblasen wurde. Verweilzeit des Substrats mit Bewegung 5 Minuten. Es bildet sich ein dunkelbrauner bis schwarzer leitfähiger Polypyrrolfilra, der nur in den Bohrungen haftet. Die kupferkaschierte Oberfläche ist nicht bedeckt. Nun wird gespült und getrocknet. Die Leiterplatte wird mit einem handelsüblichen Photoresist beschichtet und so belichtet und entwickelt, daß anschließend das Leiterbild freiliegt. Dann wird das Substrat selektiv im Resistkanal und in der Bohrung im galvanischen Kupferelektrolyten auf eine Schichtstärke von 25 /am verstärkt. Die so durchgehend metallisierte Leiterplatte kann dann in üblicher Weise weiter verarbeitet werden.Under the same conditions as in Example 2, a printed circuit board is pretreated and catalyzed. As activation, however, a 20% sulfuric acid solution is used, in which the air was blown. Residence time of the substrate with 5 minutes of movement. It forms a dark brown to black conductive Polypyrrolfilra, which adheres only in the holes. The copper-clad surface is not covered. Now it is rinsed and dried. The circuit board is coated with a commercially available photoresist and exposed and developed so that subsequently the circuit pattern is exposed. Then, the substrate is selectively amplified in the resist channel and in the bore in the galvanic copper electrolyte to a layer thickness of 25 / am. The continuously metallized circuit board can then be further processed in the usual way.
Eine gebohrte und mechanisch gereinigte Leiterplatte wird in einer Lösung, bestehend aus 66% Glycerin, 27%A drilled and mechanically cleaned circuit board is placed in a solution consisting of 66% glycerol, 27%
5<Sö5 <Sö
N-Methylpyrrolidon und 7% Pyrrol für etwa 3 Minuten belassen. Die behandelte Leiterplatte wird anschließend für 5 Minuten in 30%iger Schwefelsäure unter Lufteinblasung und leichter Schwenkbewegung behandelt. Nach dem Spülen und einer Dekapierung in 20%iger Schwefelsäure wird für eine Stunde in einem handelsüblichenLeave N-methylpyrrolidone and 7% pyrrole for about 3 minutes. The treated circuit board is then treated for 5 minutes in 30% sulfuric acid with air injection and gentle pivoting motion. After rinsing and pickling in 20% sulfuric acid is for one hour in a commercial
э 2 э 2
Kupferelektrolyten bei einer Stromdichte von 4 A/dmCopper electrolytes at a current density of 4 A / dm
galvanisiert. Auf den Bohrlochwandungen kann keine Kupferabscheidung festgestellt werden.galvanized. On the borehole walls no copper deposition can be detected.
Die Beispiele 1 bis einschließlich 9 sowie das Vergleichsbeispiel erfahren nach der mechanischen Reinigung die Prozeßschritte: Anätzen, Spülen, Reinigen und Oberflächenvorbehandlung der Bohrlochwandungen sowie erneutes Spülen.Examples 1 to 9 inclusive and the comparative example undergo the process steps after mechanical cleaning: etching, rinsing, cleaning and surface pretreatment of the borehole walls, and rinsing again.
Sämtliche Mengenangaben in g bzw. ml beziehen sich auf 1 Liter Lösung.All quantities in g or ml refer to 1 liter of solution.
Die folgende Tabelle gibt einige weitere Beispiele für bevorzugte Badzusammensetzungen des Schrittes b) gemäß Anspruch 1 zur Katalysierung des Substrats einschließlich der bevorzugten Verweildauer wieder.The following table gives some more examples of preferred bath compositions of step b) according to claim 1 for catalyzing the substrate including the preferred residence time.
- зо - c?23- зо - c? 23
Nr. 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 in ml No. 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 in ml
g Pyrrol 5 10 10 10 20 30 5 30 3 15 30 20g Pyrrole 5 10 10 10 20 30 5 30 3 15 30 20
Wasser 55 65 50 50 45 20 55 - 47 35 10 30Water 55 65 50 50 45 20 55 - 47 35 10 30
Glycerin 40 -----------Glycerol 40 -----------
Glycol - зо ------ so 25--Glycol - зо ------ so 25--
aq. Cumolsul-aq. cumolsul-
fonat (40%) ----зо -------fonat (40%) ---- зо -------
aq. NaOH (30%) ----5-------aq. NaOH (30%) ---- 5 -------
Triglynva -- 40 ------ 25 20-Triglynva - 40 ------ 25 20-
Diglyme ___ 40 --------Diglyme ___ 40 --------
EMF -----50----10-EMF ----- 50 ---- 10-
N-Methyl-N-methyl-
pyrrolidon - - - - - - 40 20 20 - 30pyrrolidone - - - - - - 40 20 20 - 30
Methylethylketon ----------- soMethyl ethyl ketone ----------- like this
Q VerweildauerQ residence time
min 3 10 2 2 5 10 15 3 1,5 1 1,5 1min 3 10 2 2 5 10 15 3 1,5 1 1,5 1
Claims (12)
25Contains surfactant.
25
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