CN221727117U - 一种微led显示芯片 - Google Patents
一种微led显示芯片 Download PDFInfo
- Publication number
- CN221727117U CN221727117U CN202322861002.7U CN202322861002U CN221727117U CN 221727117 U CN221727117 U CN 221727117U CN 202322861002 U CN202322861002 U CN 202322861002U CN 221727117 U CN221727117 U CN 221727117U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- conductive layer
- transparent conductive
- led unit
- common transparent
- led
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 66
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 35
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 35
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 34
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 10
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 6
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 5
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 4
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 4
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 4
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 4
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 4
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000005549 size reduction Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本实用新型涉及一种微LED显示芯片，包括：驱动基板，驱动基板包括多个第一触点和至少一个第二触点；多个LED单元，阵列排布于驱动基板上，每个LED单元与一个第一触点对应连接；第一绝缘层，设置在LED单元的侧壁上；公共透明导电层，公共透明导电层覆盖在驱动基板与多个LED单元上，公共透明导电层用于将每个LED单元的上表面与第二触点电性连接，第一绝缘层使每个LED单元的侧壁与公共透明导电层电隔离；金属导电层，金属导电层至少覆盖在公共透明导电层的第一部分上，第一部分为公共透明导电层在每个LED单元的侧壁上对应的部分。通过本实用新型可以有效提升微LED显示芯片的良率。
Description
技术领域
本实用新型涉及LED芯片技术领域，尤其涉及一种微LED显示芯片。
背景技术
随着显示技术的快速发展，对高质量和交互式显示的需求显著增加。近年来，MicroLED已成为各种应用的有前景的解决方案，包括VR、AR和可穿戴设备。MicroLED是指一种使用微型发光二极管作为光源的显示技术。与LCD和OLED等传统显示器相比，MicroLED具有高亮度、高分辨率、快速响应时间和低功耗等优势。这些优势使MicroLED成为AR应用的理想解决方案，这些应用需要高质量的交互式显示器来创造无缝和身临其境的用户体验。MicroLED作为AR显示器的光源部分，需要提供所有像素点的亮度，因此AR对于MicroLED的片内良率要求非常高。因此提升MicroLED显示芯片的良率是目前亟待解决的问题。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供一种微LED显示芯片，旨在解决如何提升MicroLED显示芯片的良率的问题。
本申请实施例提供了一种微LED显示芯片，包括：驱动基板，所述驱动基板包括多个第一触点和至少一个第二触点；多个LED单元，阵列排布于所述驱动基板上，每个所述LED单元与一个所述第一触点对应连接；第一绝缘层，设置在所述LED单元的侧壁上；公共透明导电层，所述公共透明导电层覆盖在所述驱动基板与所述多个LED单元上，所述公共透明导电层与每个所述LED单元的上表面电性连接，所述LED单元的上表面为所述LED单元远离所述驱动基板一侧的表面，所述公共透明导电层与所述第二触点电性连接，所述公共透明导电层用于将每个所述LED单元的上表面与所述第二触点电性连接，所述第一绝缘层使每个所述LED单元的侧壁与所述公共透明导电层电隔离；金属导电层，所述金属导电层至少覆盖在所述公共透明导电层的第一部分上，所述第一部分为所述公共透明导电层在每个所述LED单元的侧壁上对应的部分。
作为一种可选的实施方式，所述LED单元包括：依次堆叠的键合层、第一掺杂型半导体层、有源层以及第二掺杂型半导体层；所述键合层与所述第一触点接触并电性连接，所述第二掺杂型半导体层与所述公共透明导电层接触并电性连接。
作为一种可选的实施方式，所述LED单元之间的驱动基板上均设置有第二触点，每个所述第二触点均与所述公共透明导电层接触并电性连接。
作为一种可选的实施方式，所述金属导电层覆盖在所述公共透明导电层的第二部分上，所述第二部分为所述公共透明导电层在每个所述LED单元的上表面覆盖之外的其他部分。
作为一种可选的实施方式，所述微LED显示芯片还包括第二绝缘层；
所述第二绝缘层覆盖在所述金属导电层、所述公共透明导电层以及所述LED单元裸露的表面。
作为一种可选的实施方式，所述金属导电层采用Au、Ag、Al、Tu、Ti中的任意一种或多种的组合。
作为一种可选的实施方式，所述公共透明导电层采用氧化铟锡、ZnO、AZO、ATO、FTO、SnO2中的一种或多种组成。
作为一种可选的实施方式，所述第一绝缘层包括布拉格反射镜。
作为一种可选的实施方式，所述驱动基板是硅基CMOS驱动板或薄膜场效应管驱动板。
作为一种可选的实施方式，所述LED单元的尺寸为1～5微米。
在本申请实施例中，通过将多个LED单元设置在驱动基板上，每个LED单元对应一个单一触点，使得每个LED单元可以独立驱动；然后将公共透明导电层作为LED单元上表面与第二触点的电连接材料，以减少LED单元在上表面对光的遮挡，进而提升LED单元的出光效率，提升微LED显示芯片的亮度；并在公共透明导电层于每个LED单元的侧壁之间设置单一绝缘层，以使公共透明导电层与LED单元的侧壁之间形成电隔离，防止公共透明导电层与LED单元的侧壁之间漏电。另外公共透明导电层在LED单元的侧壁对应的部分不太稳定，可能会形成断路；对于此，本申请方案在公共透明导电层对应于LED单元的侧壁的部分(即上述第一部分)设置了金属导电层，使金属导电层覆盖在该部分上，以防止公共透明导电层的该部分断路，从而影响微LED显示芯片的良率。
附图说明
图1为本实用新型一实施例提供的一种微LED显示芯片结构示意图；
图2为本实用新型一实施例提供的另一种微LED显示芯片结构示意图；
图3为本实用新型一实施例提供的又一种微LED显示芯片结构示意图；
图4为本实用新型一实施例提供的又一种微LED显示芯片结构示意图。
附图标记说明：
10-驱动基板；11-第一触点；12-第二触点；20-LED单元；21-键合层；22-第一掺杂型半导体层；23-有源层；24-第二掺杂型半导体层；30-第一绝缘层；40-公共透明导电层；50-金属导电层；60-第二绝缘层。
具体实施方式
为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的较佳实施方式。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本申请的公开内容理解的更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体地实施方式的目的，不是旨在于限制本申请。
随着显示技术的快速发展，对高质量和交互式显示的需求显著增加。近年来，微LED显示芯片已成为各种应用的有前景的解决方案，包括VR、AR和可穿戴设备。针对VR、AR和其他一些可穿戴显示设备，需要更小尺寸的微LED显示芯片。然而尺寸减小微LED显示芯片的稳定性和亮度就得不到保证。另外对于倒装微LED显示芯片由于电极在同侧，因此会对微LED显示芯片小尺寸有限制；而对于垂直型微LED显示芯片，虽然对于尺寸限制相比于倒装微LED显示芯片要小，但是电极对于出光有遮挡，光型和出光效率均会受到限制。
因此，如何提升更小尺寸微LED显示芯片的稳定性和亮度是亟需解决的问题。
基于此，本申请希望提供一种能够解决上述技术问题的方案，其详细内容将在后续实施例中得以阐述。
请参阅图1，本申请实施例提供的一种微LED显示芯片，包括：驱动基板10，上述驱动基板10包括多个第一触点11和至少一个第二触点12；多个LED单元20，阵列排布于上述驱动基板10上，每个上述LED单元20与一个上述第一触点11对应连接；第一绝缘层30，设置在上述LED单元20的侧壁上；公共透明导电层40，上述公共透明导电层40覆盖在上述驱动基板10与上述多个LED单元20上，上述公共透明导电层40与每个上述LED单元20的上表面电性连接，上述LED单元20的上表面为上述LED单元20远离上述驱动基板10一侧的表面，上述公共透明导电层40与上述第二触点12电性连接，上述公共透明导电层40用于将每个上述LED单元20的上表面与上述第二触点12电性连接，上述第一绝缘层30使每个上述LED单元20的侧壁与上述公共透明导电层40电隔离；金属导电层50，上述金属导电层50至少覆盖在上述公共透明导电层40的第一部分上，上述第一部分为上述公共透明导电层40在每个上述LED单元20的侧壁上对应的部分。
在本申请实施例中，上述多个LED单元20可以组成多个像素单元，每个像素单元中包括至少三个LED单元20，该三个LED单元分别发射不同颜色的光，例如该三个LED单元可以分别为红光LED单元、绿光LED单元以及蓝光LED单元。
在本申请实施例中，上述金属导电层采用Au、Ag、Al、Tu、Ti中的任意一种或多种的组合。
在本申请实施例中，上述公共透明导电层采用氧化铟锡、ZnO、AZO、ATO、FTO、SnO2中的一种或多种组成。
在本申请实施例中，上述驱动基板是硅基CMOS驱动板或薄膜场效应管驱动板。
在一些实施例中，驱动基板10可以包括半导体材料，诸如硅、碳化硅、氮化家、锗、砷化镓、磷化钴。在一些实施例中，驱动基板10可以由非导电材料制成，诸如玻璃、塑料或蓝宝石晶片。在一些实施例中，驱动基板10可以具有在其中形成的驱动电路，并且驱动基板10可以是CMOS(ComplementaryMetal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体)背板、薄膜场效应管驱动板或TFT玻璃基板。驱动电路将电信号提供给LED单元20以控制亮度。在一些实施例中，驱动电路可以包括有源矩阵驱动电路，其中，每个单独的LED单元20都相应于独立的驱动器。
在本申请实施例中，上述LED单元的尺寸为1～5微米。
在本申请实施例中，通过将多个LED单元设置在驱动基板上，每个LED单元对应一个单一触点，使得每个LED单元可以独立驱动；然后将公共透明导电层作为LED单元上表面与第二触点的电连接材料，以减少LED单元在上表面对光的遮挡，进而提升LED单元的出光效率，提升微LED显示芯片的亮度；并在公共透明导电层于每个LED单元的侧壁之间设置单一绝缘层，以使公共透明导电层与LED单元的侧壁之间形成电隔离，防止公共透明导电层与LED单元的侧壁之间漏电。另外公共透明导电层在LED单元的侧壁对应的部分不太稳定，可能会形成断路；对于此，本申请方案在公共透明导电层对应于LED单元的侧壁的部分(即上述第一部分)设置了金属导电层，使金属导电层覆盖在该部分上，以防止公共透明导电层的该部分断路，从而影响微LED显示芯片的良率。
请参阅图2，本申请实施例提供的另一种微LED显示芯片，包括：驱动基板10，上述驱动基板10包括多个第一触点11和多个第二触点12；多个LED单元20，阵列排布于上述驱动基板10上，每个LED单元包括依次堆叠的键合层21、第一掺杂型半导体层22、有源层23以及第二掺杂型半导体层24；每个上述LED单元20的键合层21与一个第一触点11对应电性连接；第一绝缘层30，设置在上述LED单元20的侧壁上；公共透明导电层40，上述公共透明导电层40覆盖在上述驱动基板10与上述多个LED单元20的第二掺杂型半导体层24上，且所述公共透明导电层40与每个LED单元20的第二掺杂型半导体层24接触并电性连接，相邻两个LED单元之间的驱动基板上均设置有一个第二触点，上述公共透明导电层40与每个第二触点12接触并电性连接，上述公共透明导电层40用于将每个上述LED单元20的第二掺杂型半导体层24与上述多个第二触点12电性连接，上述第一绝缘层30使每个上述LED单元20的侧壁与上述公共透明导电层40电隔离；金属导电层50，上述金属导电层50覆盖在上述公共透明导电层40的第一部分上，上述第一部分为上述公共透明导电层40在每个上述LED单元20的侧壁上对应的部分。
在本申请实施例中，上述多个LED单元20可以组成多个像素单元，每个像素单元中包括至少三个LED单元20，该三个LED单元分别发射不同颜色的光，例如该三个LED单元可以分别为红光LED单元、绿光LED单元以及蓝光LED单元。
在本申请实施例中，上述金属导电层采用Au、Ag、Al、Tu、Ti中的任意一种或多种的组合。
在本申请实施例中，上述公共透明导电层采用氧化铟锡、ZnO、AZO、ATO、FTO、SnO2中的一种或多种组成。
在本申请实施例中，上述驱动基板是硅基CMOS驱动板或薄膜场效应管驱动板。
在一些实施例中，驱动基板10可以包括半导体材料，诸如硅、碳化硅、氮化家、锗、砷化镓、磷化钴。在一些实施例中，驱动基板10可以由非导电材料制成，诸如玻璃、塑料或蓝宝石晶片。在一些实施例中，驱动基板10可以具有在其中形成的驱动电路，并且驱动基板10可以是CMOS(ComplementaryMetal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体)背板、薄膜场效应管驱动板或TFT玻璃基板。驱动电路将电信号提供给LED单元20以控制亮度。在一些实施例中，驱动电路可以包括有源矩阵驱动电路，其中，每个单独的LED单元20都相应于独立的驱动器。
在本申请实施例中，上述LED单元的尺寸为1～5微米。
在本申请实施例中，通过将多个LED单元设置在驱动基板上，每个LED单元对应一个单一触点，使得每个LED单元可以独立驱动；然后将公共透明导电层作为LED单元上表面与第二触点的电连接材料，以减少LED单元在上表面对光的遮挡，进而提升LED单元的出光效率，提升微LED显示芯片的亮度；并在公共透明导电层于每个LED单元的侧壁之间设置单一绝缘层，以使公共透明导电层与LED单元的侧壁之间形成电隔离，防止公共透明导电层与LED单元的侧壁之间漏电。另外公共透明导电层在LED单元的侧壁对应的部分不太稳定，可能会形成断路；对于此，本申请方案在公共透明导电层对应于LED单元的侧壁的部分(即上述第一部分)设置了金属导电层，使金属导电层覆盖在该部分上，以防止公共透明导电层的该部分断路，从而影响微LED显示芯片的良率。
另外，由于上述公共透明导电层的电阻率影响，在靠近第二触点和远离第二触点的LED单元，会存在发光强度不均匀的问题；本申请实施例通过在相邻两个LED单元之间的驱动基板上均设置第二触点，减小因为公共透明导电层的电阻率影响。
请参阅图3，本申请实施例提供的又一种微LED显示芯片，包括：驱动基板10，上述驱动基板10包括多个第一触点11和至少一个第二触点12，上述第二触点12设置在上述驱动基板10的边缘位置；多个LED单元20，阵列排布于上述驱动基板10上，每个LED单元包括依次堆叠的键合层21、第一掺杂型半导体层22、有源层23以及第二掺杂型半导体层24；每个上述LED单元20的键合层21与一个第一触点11对应电性连接；第一绝缘层30，设置在上述LED单元20的侧壁上；公共透明导电层40，上述公共透明导电层40覆盖在上述驱动基板10与上述多个LED单元20的第二掺杂型半导体层24上，且所述公共透明导电层40与每个LED单元20的第二掺杂型半导体层24接触并电性连接，上述公共透明导电层40与上述第二触点12电性连接，上述公共透明导电层40用于将每个上述LED单元20的第二掺杂型半导体层24与上述第二触点12电性连接，上述第一绝缘层30使每个上述LED单元20的侧壁与上述公共透明导电层40电隔离；金属导电层50，该金属导电层50覆盖在所述公共透明导电层40的第二部分上，上述第二部分为所述公共透明导电层40在每个所述LED单元的第二掺杂型半导体层24表面对应之外的其他部分。
在本申请实施例中，上述多个LED单元20可以组成多个像素单元，每个像素单元中包括至少三个LED单元20，该三个LED单元分别发射不同颜色的光，例如该三个LED单元可以分别为红光LED单元、绿光LED单元以及蓝光LED单元。
在本申请实施例中，键合层21可以为金属或者其他导电材质，例如可以是Au、Sn、In、Cu或Ti。
在本申请实施例中，上述金属导电层采用Au、Ag、Al、Tu、Ti中的任意一种或多种的组合。
在本申请实施例中，上述公共透明导电层采用氧化铟锡、ZnO、AZO、ATO、FTO、SnO2中的一种或多种组成。
在本申请实施例中，上述驱动基板是硅基CMOS驱动板或薄膜场效应管驱动板。
在一些实施例中，驱动基板10可以包括半导体材料，诸如硅、碳化硅、氮化家、锗、砷化镓、磷化钴。在一些实施例中，驱动基板10可以由非导电材料制成，诸如玻璃、塑料或蓝宝石晶片。在一些实施例中，驱动基板10可以具有在其中形成的驱动电路，并且驱动基板10可以是CMOS(ComplementaryMetal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体)背板、薄膜场效应管驱动板或TFT玻璃基板。驱动电路将电信号提供给LED单元20以控制亮度。在一些实施例中，驱动电路可以包括有源矩阵驱动电路，其中，每个单独的LED单元20都相应于独立的驱动器。
在本申请实施例中，上述LED单元的尺寸为1～5微米。
在本申请实施例中，通过将多个LED单元设置在驱动基板上，每个LED单元对应一个单一触点，使得每个LED单元可以独立驱动；然后将公共透明导电层作为LED单元上表面与第二触点的电连接材料，以减少LED单元在上表面对光的遮挡，进而提升LED单元的出光效率，提升微LED显示芯片的亮度；并在公共透明导电层于每个LED单元的侧壁之间设置单一绝缘层，以使公共透明导电层与LED单元的侧壁之间形成电隔离，防止公共透明导电层与LED单元的侧壁之间漏电。另外公共透明导电层在LED单元的侧壁对应的部分不太稳定，可能会形成断路；对于此，本申请方案在公共透明导电层对应于LED单元的侧壁的部分(即上述第一部分)设置了金属导电层，使金属导电层覆盖在该部分上，以防止公共透明导电层的该部分断路，从而影响微LED显示芯片的良率。
另外，本申请实施例通过将金属导电层50覆盖在公共透明导电层40在每个所述LED单元的第二掺杂型半导体层24表面对应之外的其他部分上，以使得在所有LED单元上的金属导电层50连接起来形成一个导电通路。由于金属的电阻率很小，所以可以减小由于上述公共透明导电层的电阻率影响，导致的发光强度不均匀的问题。
请参阅图4，本申请实施例提供的又一种微LED显示芯片，包括：驱动基板10，上述驱动基板10包括多个第一触点11和至少一个第二触点12，上述第二触点12设置在上述驱动基板10的边缘位置；多个LED单元20，阵列排布于上述驱动基板10上，每个LED单元包括依次堆叠的键合层21、第一掺杂型半导体层22、有源层23以及第二掺杂型半导体层24；每个上述LED单元20的键合层21与一个第一触点11对应电性连接；第一绝缘层30，设置在上述LED单元20的侧壁上；公共透明导电层40，上述公共透明导电层40覆盖在上述驱动基板10与上述多个LED单元20的第二掺杂型半导体层24上，且所述公共透明导电层40与每个LED单元20的第二掺杂型半导体层24接触并电性连接，上述公共透明导电层40与上述第二触点12电性连接，上述公共透明导电层40用于将每个上述LED单元20的第二掺杂型半导体层24与上述第二触点12电性连接，上述第一绝缘层30使每个上述LED单元20的侧壁与上述公共透明导电层40电隔离；金属导电层50，该金属导电层50覆盖在所述公共透明导电层40的第二部分上，上述第二部分为所述公共透明导电层40在每个所述LED单元的第二掺杂型半导体层24表面对应之外的其他部分；第二绝缘层60，所述第二绝缘层60覆盖在所述金属导电层50、所述公共透明导电层40以及所述LED单元20裸露的表面。
在本申请实施例中，上述多个LED单元20可以组成多个像素单元，每个像素单元中包括至少三个LED单元20，该三个LED单元分别发射不同颜色的光，例如该三个LED单元可以分别为红光LED单元、绿光LED单元以及蓝光LED单元。
在本申请实施例中，上述金属导电层采用Au、Ag、Al、Tu、Ti中的任意一种或多种的组合。
在本申请实施例中，上述公共透明导电层采用氧化铟锡、ZnO、AZO、ATO、FTO、SnO2中的一种或多种组成。
在本申请实施例中，上述驱动基板是硅基CMOS驱动板或薄膜场效应管驱动板。
在一些实施例中，驱动基板10可以包括半导体材料，诸如硅、碳化硅、氮化家、锗、砷化镓、磷化钴。在一些实施例中，驱动基板10可以由非导电材料制成，诸如玻璃、塑料或蓝宝石晶片。在一些实施例中，驱动基板10可以具有在其中形成的驱动电路，并且驱动基板10可以是CMOS(ComplementaryMetal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体)背板、薄膜场效应管驱动板或TFT玻璃基板。驱动电路将电信号提供给LED单元20以控制亮度。在一些实施例中，驱动电路可以包括有源矩阵驱动电路，其中，每个单独的LED单元20都相应于独立的驱动器。
在本申请实施例中，上述LED单元的尺寸为1～5微米。
在本申请实施例中，上述LED单元20的纵向和/或横向切面为梯形形状。另外在加上LED单元20的侧壁上的金属导电层50和公共透明导电层40，可以形成ODR反射层；在这种结构下整个LED单元可以形成类似Microlens的效果。
在本申请实施例中，通过将多个LED单元设置在驱动基板上，每个LED单元对应一个单一触点，使得每个LED单元可以独立驱动；然后将公共透明导电层作为LED单元上表面与第二触点的电连接材料，以减少LED单元在上表面对光的遮挡，进而提升LED单元的出光效率，提升微LED显示芯片的亮度；并在公共透明导电层于每个LED单元的侧壁之间设置单一绝缘层，以使公共透明导电层与LED单元的侧壁之间形成电隔离，防止公共透明导电层与LED单元的侧壁之间漏电。另外公共透明导电层在LED单元的侧壁对应的部分不太稳定，可能会形成断路；对于此，本申请方案在公共透明导电层对应于LED单元的侧壁的部分(即上述第一部分)设置了金属导电层，使金属导电层覆盖在该部分上，以防止公共透明导电层的该部分断路，从而影响微LED显示芯片的良率。
应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。
Claims (8)
1.一种微LED显示芯片，其特征在于，包括：
驱动基板，所述驱动基板包括多个第一触点和至少一个第二触点；
多个LED单元，阵列排布于所述驱动基板上，每个所述LED单元与一个所述第一触点对应连接；
第一绝缘层，设置在所述LED单元的侧壁上；
公共透明导电层，所述公共透明导电层覆盖在所述驱动基板与所述多个LED单元上，所述公共透明导电层与每个所述LED单元的上表面电性连接，所述LED单元的上表面为所述LED单元远离所述驱动基板一侧的表面，所述公共透明导电层与所述第二触点电性连接，所述公共透明导电层用于将每个所述LED单元的上表面与所述第二触点电性连接，所述第一绝缘层使每个所述LED单元的侧壁与所述公共透明导电层电隔离；
金属导电层，所述金属导电层至少覆盖在所述公共透明导电层的第一部分上，所述第一部分为所述公共透明导电层在每个所述LED单元的侧壁上对应的部分。
2.如权利要求1所述的微LED显示芯片，其特征在于，所述LED单元包括：依次堆叠的键合层、第一掺杂型半导体层、有源层以及第二掺杂型半导体层；
所述键合层与所述第一触点接触并电性连接，所述第二掺杂型半导体层与所述公共透明导电层接触并电性连接。
3.如权利要求1所述的微LED显示芯片，其特征在于，所述LED单元之间的驱动基板上均设置有第二触点，每个所述第二触点均与所述公共透明导电层接触并电性连接。
4.如权利要求1所述的微LED显示芯片，其特征在于，所述金属导电层覆盖在所述公共透明导电层的第二部分上，所述第二部分为所述公共透明导电层在每个所述LED单元的上表面覆盖之外的其他部分。
5.如权利要求1所述的微LED显示芯片，其特征在于，所述微LED显示芯片还包括第二绝缘层；
所述第二绝缘层覆盖在所述金属导电层、所述公共透明导电层以及所述LED单元裸露的表面。
6.根据权利要求1所述的微LED显示芯片，其特征在于，所述第一绝缘层包括布拉格反射镜。
7.根据权利要求1所述的微LED显示芯片，其特征在于，所述驱动基板是硅基CMOS驱动板或薄膜场效应管驱动板。
8.根据权利要求1所述的微LED显示芯片，其特征在于，所述LED单元的尺寸为1～5微米。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202322861002.7U CN221727117U (zh) | 2023-10-24 | 2023-10-24 | 一种微led显示芯片 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202322861002.7U CN221727117U (zh) | 2023-10-24 | 2023-10-24 | 一种微led显示芯片 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN221727117U true CN221727117U (zh) | 2024-09-17 |
Family
ID=92683739
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202322861002.7U Active CN221727117U (zh) | 2023-10-24 | 2023-10-24 | 一种微led显示芯片 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN221727117U (zh) |
-
2023
- 2023-10-24 CN CN202322861002.7U patent/CN221727117U/zh active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11489006B2 (en) | Display panel, preparation method thereof and display device | |
| TWI689092B (zh) | 具有透光基材之微發光二極體顯示模組及其製造方法 | |
| US20180158808A1 (en) | Led display module, display device and method of manufacturing led display module | |
| US11805677B2 (en) | Display substrate, display panel, and manufacturing method of display substrate | |
| EP2888729A1 (en) | Display device using semiconductor light emitting device and method of fabricating the same | |
| US20220344311A1 (en) | High-voltage flip-chip semiconductor light-emitting device | |
| CN111863797B (zh) | 一种显示基板、其制作方法及显示装置 | |
| EP4064359A1 (en) | Display apparatus using light-emitting device | |
| CN113380929B (zh) | 显示面板制造方法、显示面板及显示设备 | |
| CN107230699A (zh) | 一种显示面板、显示装置及其驱动方法 | |
| KR20190003198A (ko) | 발광 표시 장치 | |
| CN111682043B (zh) | 一种芯片结构及其制作方法、显示装置 | |
| KR102519201B1 (ko) | 픽셀용 발광소자 및 엘이디 디스플레이 장치 | |
| CN115188909B (zh) | 发光面板和显示装置 | |
| US20180277589A1 (en) | Display device using semiconductor light emitting device | |
| US20230018566A1 (en) | Display device and method for manufacturing display device | |
| WO2021203460A1 (zh) | 显示模组及显示装置 | |
| US8669568B2 (en) | Light emitting device usable for variable driving voltages | |
| CN112740101B (zh) | 显示装置及其制备方法 | |
| CN221727117U (zh) | 一种微led显示芯片 | |
| US20230207739A1 (en) | Display device and method for manufacturing same, and multi-screen display device using same | |
| US20240429357A1 (en) | Light emitting panel, preparation method thereof, and light emitting apparatus | |
| KR102199906B1 (ko) | 발광다이오드 표시장치 및 그의 제조방법 | |
| CN221947162U (zh) | 一种显示模组及显示面板 | |
| TWI784592B (zh) | 微型發光二極體顯示裝置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |