CN213583795U - 显示面板与显示装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型实施例提供了一种显示面板与显示装置，显示面板包括基板；第一电极层，设于基板上，并对应配置于显示面板的开口区；发光功能层，设于第一电极层上；辅助金属走线层，设于基板上，并对应配置于显示面板的非开口区；第二电极层，设于发光功能层与辅助金属走线层上；其中，辅助金属走线层和第二电极层之间还设有非线性电阻层，非线性电阻层的电阻值随电压增大而减小。通过增设非线性电阻层，利用其电阻随电压增大而减小的特性，使得压降越大的区域，非线性电阻层的电阻越小，由非线性电阻层导致的压降越小，压降越小的区域，非线性电阻层的电阻越大，由非线性电阻层导致的压降越大，以实现面内电源低电压信号均衡分布，改善亮度均一性。

Description

显示面板与显示装置

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板与显示装置。

背景技术

有机发光二极管(OLED，Organic Light-Emitting Diode)显示面板具备自发光、高亮度、宽视角、高对比度、可挠曲、低能耗等特性，因此受到广泛的关注，并作为新一代的显示方式，已开始逐渐取代传统液晶显示器(LCD，Liquid Crystal Display)，被广泛应用在手机屏幕、电脑显示器、全彩电视等。

OLED面板由自发光的OLED元件组成，且OLED为电流驱动的元件，面板的亮度由经过OLED元件的电流决定。在高分辨率高刷新率的显示面板中，面板的亮度均一性受充电率，电阻压降（IR Drop）影响较大，通常亮度分布呈现四周亮、中间暗的趋势。目前业内改善大尺寸面板IR Drop问题，一般采用辅助阴极走线，并通过辅助阴极接触孔，使面阴极与辅助阴极搭接，实现面阴极与辅助阴极走线并联，以达到降低OLED器件阴极电阻，从而改善IRDrop。但该方法仍存在辅助阴极走线导致的压降，无法完全避免IR Drop，因此，在超大尺寸面板显示中，IR Drop仍可能成为面板亮度均一性差的重大原因。

实用新型内容

本实用新型提供一种显示面板与显示装置，所述显示面板可有效避免因IR Drop导致的显示均一性不佳的问题。

为解决上述问题，第一方面，本实用新型提供了一种显示面板，所述显示面板包括：

基板；

第一电极层，设置于所述基板上，并对应配置于所述显示面板的开口区；

发光功能层，设置于所述第一电极层上；

辅助金属走线层，设置于所述基板上，并对应配置于所述显示面板的非开口区；

第二电极层，设置于所述发光功能层与所述非线性电阻层上；

其中，所述辅助金属走线层和所述第二电极层之间还设有非线性电阻层，所述非线性电阻层的电阻值随电压增大而减小。

在本实用新型实施例提供的一显示面板中，所述显示面板还包括设置于所述辅助金属走线层上的有机层，所述有机层包括配置于所述开口区的第一通孔以及配置于所述非开口区的第二通孔，使得所述第一电极层与所述发光功能层设置于所述第一通孔中，所述非线性电阻层设置于所述第二通孔中。

在本实用新型实施例提供的一显示面板中，所述非线性电阻层为半导体层。

在本实用新型实施例提供的一显示面板中，所述半导体层的材料选自氧化铟镓锡、非晶硅以及低温多晶硅中的一种。

在本实用新型实施例提供的一显示面板中，所述发光功能层包括依次堆叠设置的空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层以及电子注入层，所述非线性电阻层与所述空穴注入层或所述电子传输层同层设置。

在本实用新型实施例提供的一显示面板中，所述辅助金属走线层与所述非线性电阻层之间还设置有电性改善层，所述电性改善层的材料包括氧化铟锡。

在本实用新型实施例提供的一显示面板中，所述第一电极层包括层叠设置的第一氧化铟锡层、银层以及第二氧化铟锡层，所述电性改善层与所述第一电极层同层设置。

在本实用新型实施例提供的一显示面板中，所述基板与所述第一电极层之间设置有源漏电极层，所述第一电极层电性连接所述源漏电极层，且所述辅助金属走线层与所述源漏电极层同层设置。

在本实用新型实施例提供的一显示面板中，所述第二电极层上还设置有封装层。

第二方面，本实用新型还提供了一种显示装置，包括上述的显示面板。

有益效果：本实用新型实施例提供了一种显示面板与显示装置，所述显示面板包括基板；第一电极层，设于基板上，并对应配置于显示面板的开口区；发光功能层，设于第一电极层上；辅助金属走线层，设于基板上，并对应配置于显示面板的非开口区；第二电极层，设于发光功能层与辅助金属走线层上；其中，辅助金属走线层和第二电极层之间还设有非线性电阻层，非线性电阻层的电阻值随电压增大而减小。其中，通过在辅助金属走线层与第二电极层中增设一非线性电阻层，利用非线性电阻层的电阻随电压增大而减小的特性，使得压降越大的区域，非线性电阻层的电阻越小，由非线性电阻层导致的压降越小，压降越小的区域，非线性电阻层的电阻越大，由非线性电阻层导致的压降越大，以实现显示面板面内电源低电压信号均衡分布，从而改善面板显示亮度的均一性。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本实用新型实施例提供的一种显示面板的截面结构示意图；

图2是本实用新型实施例提供的一种显示面板的驱动电路原理示意图；

图3是本实用新型实施例提供的另一种显示面板的截面结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本实用新型的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本申请中，“示例性”一词用来表示“用作例子、例证或说明”。本申请中被描述为“示例性”的任何实施例不一定被解释为比其它实施例更优选或更具优势。为了使本领域任何技术人员能够实现和使用本实用新型，给出了以下描述。在以下描述中，为了解释的目的而列出了细节。应当明白的是，本领域普通技术人员可以认识到，在不使用这些特定细节的情况下也可以实现本实用新型。在其它实例中，不会对公知的结构和过程进行详细阐述，以避免不必要的细节使本实用新型的描述变得晦涩。因此，本实用新型并非旨在限于所示的实施例，而是与符合本申请所公开的原理和特征的最广范围相一致。

本实用新型实施例提供了一种显示面板，以下结合图1示出的该显示面板的截面结构示意图进行详细说明：

具体地，该显示面板包括：

基板101，根据实际的现实需求，所述基板101可以为刚性基板，例如为玻璃基板，也可为柔性基板实现多样化的显示形态，例如为聚酰亚胺基板；

第一电极层109，设置于所述基板101上，并对应配置于所述显示面板的开口区，通常情况下，所述第一电极层109为阳极层，所述开口区为各个子像素中实际实现发光的区域，即第一电极层109包括对应所述开口的阵列排布的多个第一电极（图1中仅示例性地示出一个）；

发光功能层112，设置于所述第一电极层109上，与所述第一电极层109中阵列排布的多个第一电极相对应的，所述发光功能层112包括多个发光功能单元，与所述多个第一电极一一电性连接；

辅助金属走线层107，设置于所述基板101上，并对应配置于所述显示面板的非开口区，用于输入电源低电压信号，所述非开口区即为各个子像素中用于放置信号传输走线以及薄膜晶体管的区域，设于所述开口区的外围；

第二电极层113，设置于所述发光功能层112与所述辅助金属走线层107上，通常情况下，与所述第一电极层109为阳极层相对应地，所述第二电极层113为阴极层，所述第二电极层113整面分布，与所述发光功能层112以及第一电极层109形成显示器件。

其中，所述辅助金属走线层107与所述第二电极层113之间还设置有非线性电阻层111，所述非线性电阻层111的电阻值不为定值，而是随电压增大而减小，随电压减小而增大，从而使得辅助金属走线层107输入的电源低电压信号经由辅助金属走线层107传输至非线性电阻层111，最后再传输至所述第二电极层113，为显示器件提供电源低电压信号。

在本实施例提供的显示面板中，由于辅助金属走线层107自身阻抗的存在，在传输电源低电压信号时，会产生压降，传输距离越远，产生的压降越大，因此，通过在辅助金属走线层107与第二电极层113中增设一非线性电阻层111，利用非线性电阻层111随电压增大而减小的特性，使得压降越大的区域，即远离电源低电压信号输入端的区域，非线性电阻层111的电阻越小，由非线性电阻层111导致的压降越小；压降越小的区域，即靠近电源低电压信号输入端的区域，非线性电阻层111的电阻越大，由非线性电阻层111导致的压降越大，以实现显示面板面内电源低电压信号均衡分布，从而改善面板显示亮度的均一性。

承上，请参阅图2示出的该显示面板的驱动电路原理示意图，对所述非线性电阻层111进行进一步说明，此处，基于最简单的2TIC（2个薄膜晶体管1个电容）驱动电路作为基础进行说明，通过增设非线性电阻层111，即相当于在显示器件与电源低电压信号VSS给入端之间增设了一个二极管Diode，显示器件为串联关系，输入的电源低电压信号VSS经所述辅助金属走线层107以及所述非线性电阻层111的损耗，显示器件阴极端实际获取电源低电压信号VSS’，由上述分析，经所述辅助金属走线层107造成的压降越大的区域，辅助金属走线层107造成的压降，即二极管Diode造成的压降越小，从而使得实现显示面板面内实际获取的电源低电压信号VSS’均衡分布，从而改善面板显示亮度的均一性。

本领域技术人员应当理解，上述的2TIC驱动电路中，电源高电压信号Vdd负责持续提供稳定的电流给显示器件；扫描信号Scan负责控制第二薄膜晶体管T2，决定着像素的开关；由于存储电容Cst的存在，数据信号Data得以被储存，在第二薄膜晶体管T2关闭的时候保持第一薄膜晶体管T1导通，控制电流以期望的方式稳定点亮显示器件。

当然，该显示面板的驱动电路除了基于上述2TIC驱动电路以外，还可增设其他薄膜晶体管与电容进行电性补偿，具体的补偿方式根据实际工艺需求而定，本实用新型对此不作特殊限定。

在本实施例中，在所述基板101与所述第一电极层109之间还设置有实现驱动显示的阵列驱动层，通常由下至上依次包括：

有源层102，根据实际工艺需求，所述有源层102的材料可选自非晶硅、低温多晶硅或金属氧化物半导体；

栅极绝缘层103，设于所述有源层102上；

栅极层104，设于所述栅极绝缘层103上，并对应配置于所述有源层102上；

层间绝缘层105，设于所述栅极层104上，并在对应所述有源层102的区域设有接触孔；

源漏电极层106，设于所述层间绝缘层105上，并通过所述层间绝缘层105中的接触孔与所述有源层102搭接；

以上仅示例性地示出了一种阵列驱动层的具体结构，根据实际工艺需求，也可为其他结构的阵列驱动层，本实用新型对此不做限定。

在一些实施例中，所述显示面板还包括设置于所述辅助金属走线层上的有机层，在实际工艺中，所述有机层包括平坦化层108以及像素定义层110，所述平坦化层108以及像素定义层110包括配置于所述开口区的第一通孔H1以及配置于所述非开口区的第二通孔H2，使得所述第一电极层109与所述发光功能层112设置于所述第一通孔H1中，并使得所述第一电极层109与下侧的源漏电极层106电性连接，所述非线性电阻层111设置于所述第二通孔H2中，即所述非线性电阻层111包括独立形成于所述第二通孔H2的多个用于平衡显示面板面内电源低电压信号均衡分布的二极管。

在一些实施例中，根据实际工艺需求，所述第一通孔H1与所述第二通孔H2的数量比为1:1~5:1，即所述显示器件与所述非线性电阻层111形成的二极管的数量为1:1~5:1。

在一些实施例中，所述非线性电阻层111为具有这种电阻值随电压增大而减小特性的半导体层，进一步地，为了便于工厂制造的简便，所述半导体层的材料可选自本领域中通常使用且具有这种电阻值随电压增大而减小特性的材料，例如可选自氧化铟镓锡、非晶硅以及低温多晶硅中的一种。

进一步地，所述发光功能层112通常包括依次堆叠设置的空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层以及电子注入层，所述发光功能层112中的空穴注入层或电子传输层通常也具有这种电阻值随电压增大而减小的特性，因此，可将所述非线性电阻层111与所述空穴注入层或所述电子传输层同层设置，即由同一成膜工艺形成，如此一来，相较现有的制备工艺，无需新增膜层结构，使得制备流程更简便。

请参阅图3提供的另一种显示面板的截面结构示意图，在一些实施例中，在所述辅助金属走线层107与所述非线性电阻层111之间还设置有电性改善层115，所述电性改善层115的材料包括氧化铟锡，因氧化铟锡自身功函数与能级的匹配，将这种包括氧化铟锡的电性改善层115设置于所述辅助金属走线层107与所述非线性电阻层111的接触界面之间，可实现显示面板面内电源低电压信号进一步地均衡分布，从而改善面板显示亮度的均一性。

进一步地，第一电极层109包括层叠设置的第一氧化铟锡层、银层以及第二氧化铟锡层，所述电性改善层115与所述第一电极层109同层设置，即由同一成膜工艺形成。

在一些实施例中，所述基板101与所述第一电极层109之间设置有源漏电极层106，所述第一电极层109电性连接所述源漏电极层106，且所述辅助金属走线层107与所述源漏电极层106由同一成膜工艺形成。当然，所述辅助金属走线层107也可与显示面板中其他金属层，例如所述栅极层104同层设置，即由同一成膜工艺形成，本实用新型对此不作限定。

在一些实施例中，所述第二电极层113上还设置有封装层114，封装层114用于防止水氧侵入发光器件而造成器件失效。在一些实施方式中，封装层114的材料是氧化硅、氮化硅、氧化铝等无机材料；在另一些实施方式中，封装层114为无机层和有机层交替形成的叠层结构，有机层的材料可以是亚克力、环氧树脂以及有机硅中的至少一种。可以采用化学气相沉积工艺制备形成封装层114，也可以采用电子印刷工艺制备封装层114，电子印刷工艺例如可以是喷墨印刷工艺或丝网印刷工艺。

需要说明的是，上述显示面板实施例中仅描述了上述结构，可以理解的是，除了上述结构之外，本实用新型实施例显示面板中，还可以根据需要包括任何其他的必要结构，具体此处不作限定。

在本实用新型的另一实施例中，还提供了一种显示装置，所述显示装置包括上述实施例所提供的显示面板，该显示装置可以安装于各种具有显示功能的电子产品中，例如，电子产品可以是智能手机、平板电脑、笔记本电脑、数码相机、数码摄像机、智能可穿戴设备、智能称重电子秤、车载显示器、电视机、电子书阅读器等。

在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见上文针对其他实施例的详细描述，此处不再赘述。

以上对本实用新型实施例所提供的一种显示面板与显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本实用新型的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本实用新型的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本实用新型的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本实用新型的限制。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：

基板；

第一电极层，设置于所述基板上，并对应配置于所述显示面板的开口区；

发光功能层，设置于所述第一电极层上；

辅助金属走线层，设置于所述基板上，并对应配置于所述显示面板的非开口区；

第二电极层，设置于所述发光功能层与所述辅助金属走线层上；

其中，所述辅助金属走线层和所述第二电极层之间还设有非线性电阻层，所述非线性电阻层的电阻值随电压增大而减小。

2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括设置于所述辅助金属走线层上的有机层，所述有机层包括配置于所述开口区的第一通孔以及配置于所述非开口区的第二通孔，使得所述第一电极层与所述发光功能层设置于所述第一通孔中，所述非线性电阻层设置于所述第二通孔中。

3.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述非线性电阻层为半导体层。

4.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述半导体层的材料选自氧化铟镓锡、非晶硅以及低温多晶硅中的一种。

5.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述发光功能层包括依次堆叠设置的空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层以及电子注入层，所述非线性电阻层与所述空穴注入层或所述电子传输层同层设置。

6.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述辅助金属走线层与所述非线性电阻层之间还设置有电性改善层，所述电性改善层的材料包括氧化铟锡。

7.如权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述第一电极层包括层叠设置的第一氧化铟锡层、银层以及第二氧化铟锡层，所述电性改善层与所述第一电极层同层设置。

8.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述基板与所述第一电极层之间设置有源漏电极层，所述第一电极层电性连接所述源漏电极层，且所述辅助金属走线层与所述源漏电极层同层设置。

9.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二电极层上还设置有封装层。

10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-9任意一项所述的显示面板。

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