CN219087104U - 功率放大电路和射频前端模组 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种功率放大电路，包括：初级放大电路、次级放大电路和级间匹配电路；初级放大电路的输入端耦合至所述功率放大电路的输入端，初级放大电路的输出端耦合和所述级间匹配电路的输入端；次级放大电路的输入端耦合至级间匹配电路的输出端，次级放大电路的输出端耦合至功率放大电路的输出端级间匹配电路，耦合至初级放大电路的输出端和次级放大电路的输入端之间，其中，级间匹配电路包括第一电感、第一电容、第二电容和第一巴伦。在本申请中，通过将第一电感、第一电容、第二电容和巴伦作为功率放大电路中的级间匹配电路，不但能够使得级间匹配电路匹配性能更好，还能够减少级间匹配电路的占用面积，进而可以提高功率放大电路的集成度。

Description

功率放大电路和射频前端模组

技术领域

本申请涉及射频技术领域，尤其涉及一种功率放大电路和射频前端模组。

背景技术

射频功率放大器作为通信系统中发射机前端的重要组成部分，其主要功能是将较低功率的射频信号转换为较高功率的射频信号，其典型应用是驱动发射机中的天线，将已调制的射频信号放大到所需功率值后通过天线发射，射频功率放大器的设计指标通常包括增益、饱和输出功率、功率附加效率、线性度、带宽等。

一般来说，射频功率放大器可以包括多级放大电路，在不同级放大电路之间，需要设置阻抗匹配电路，使得上一级放大电路的输出阻抗和下一级放大电路输出的阻抗进行阻抗匹配。

目前，由于射频功率放大器的尺寸越来越小，而现有的阻抗匹配电路需要占用较多的电路面积，这样就会使得射频功率放大器的设计变的困难。

发明内容

本申请的目的是：提供一种功率放大电路和射频前端模组，以解决功率放大电路中阻抗匹配电路占用电路面积过大的问题。

为了实现上述目的，本申请提供了一种功率放大电路，包括：初级放大电路、次级放大电路和级间匹配电路，其中；

所述初级放大电路的输入端耦合至所述功率放大电路的输入端，所述初级放大电路的输出端耦合和所述级间匹配电路的输入端；

所述次级放大电路的输入端耦合至所述级间匹配电路的输出端，所述次级放大电路的输出端耦合至所述功率放大电路的输出端；

所述级间匹配电路，耦合至所述初级放大电路的输出端和次级放大电路的输入端之间，所述级间匹配电路包括第一电感、第一电容和第二电容和第一巴伦，其中，所述第一巴伦包括第一绕组和第二绕组，所述第一电感的第一端耦合至供电电源端，所述第一电感的第二端耦合至第一电容的第一端；所述第一电容的第一端耦合至第一电感的第二端，所述第一电容的第二端耦合至接地端；所述第二电容的第一端耦合至所述第一电感的第二端，所述第二电容的第二端耦合至所述第一绕组的第一端；所述第一绕组的第一端耦合至第一电容的第二端，所述第一绕组的第二端耦合至接地端；所述第二绕组的第一端和第二端分别耦合至所述级间匹配电路的输出端。

进一步，作为优选地，所述巴伦采用两层厚金属或者三层厚金属工艺制成。

进一步，作为优选地，所述第一电容为可变电容或者固定电容。

进一步，作为优选地，所述初级放大电路为单端放大电路，所述次级放大电路为差分放大电路。

进一步，作为优选地，所述第一电感的取值范围在[0.5nH-1.0nH]之间。

进一步，作为优选地，所述功率放大电路的工作频率为1200MHz-2300MHz，所述第一电容和第二电容的取值范围均在[1pF-3pF]之间。

进一步，作为优选地，所述功率放大电路的工作频率为2300MHz-2700MHz，所述第一电容和第二电容的取值范围均在[1.3pF-4.5pF]之间。

进一步，作为优选地，所述初级放大电路包括第一初级放大晶体管，所述次级放大电路包括第一次级放大晶体管和第二次级放大晶体管，所述第一初级放大晶体管的输出端耦合至所述级间匹配电路的输入端，所述级间匹配电路的输出端分别耦合至所述第一次级放大晶体管的输入端和所述第二次级放大晶体管的输入端。

进一步，作为优选地，所述第一初级放大晶体管为双极结型晶体管，包括基极、集电极和发射极，所述第一初级放大晶体管的基极接收射频输入信号，所述第一初级放大晶体管的集电极耦合至所述级间匹配网络的第一端，所述第一初级放大晶体管的发射极接地；所述第一次级放大晶体管为双极结型晶体管，包括基极、集电极和发射极，所述第一次级放大晶体管的基极接收射频输入信号，所述第一次级放大晶体管的集电极耦合至所述功率放大电路的输出端，所述第一次级放大晶体管的发射极接地；所述第二次级放大晶体管为双极结型晶体管，包括基极、集电极和发射极，所述第二次级放大晶体管的基极接收射频输入信号，所述第一次级放大晶体管的集电极耦合至所述功率放大电路的输出端，所述第二次级放大晶体管的发射极接地。

本申请还提供一种射频前端模组，包括如上述任一项所述的功率放大电路。

本申请实施例提供一种功率放大电路与相关技术相比，其有益效果在于：

本申请实施例提供的一种功率放大电路，包括：初级放大电路、次级放大电路和级间匹配电路，其中；所述初级放大电路的输入端耦合至所述功率放大电路的输入端，所述初级放大电路的输出端耦合和所述级间匹配电路的输入端；所述次级放大电路的输入端耦合至所述级间匹配电路的输出端，所述次级放大电路的输出端耦合至所述功率放大电路的输出端；所述级间匹配电路，耦合至所述初级放大电路的输出端和次级放大电路的输入端之间，所述级间匹配电路包括第一电感、第一电容和第二电容，其中，所述第一电感的第一端耦合至供电电源端，所述第一电感的第二端耦合至第一电容的第一端；所述第一电容的第一端耦合至第一电感的第二端，所述第一电容的第二端耦合至接地端；所述第二电容的第一端耦合至所述第一电感的第二端，所述第二电容的第二端耦合至所述级间匹配电路的输出端。在本申请中中，通过将第一电感、第一电容、第二电容和第一巴伦作为功率放大电路中的级间匹配电路，不但能够使得级间匹配电路匹配性能更好，还能够减少级间匹配电路的占用面积，进而可以提高功率放大电路的集成度。

附图说明

图1是本申请实施例提供一种功率放大电路的整体架构示意图；

图2是本申请实施例提供的一种级间匹配电路的结构示意图；

图3是相关技术中级间匹配电路的结构示意图；

图4是本申请实施例提供的又一种功率放大电路的结构示意图。

图中：1、功率放大电路；10、初级放大电路；11、本申请的级间匹配电路；12、次级放大电路；13、相关技术中的级间匹配电路；C1、第一电容；C2、第二电容；C3、第三电容；C4、第四电容；C5、第五电容；L1、第一电感；L2、第二电感；T1、第一巴伦；T2、第二巴伦。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

应当理解的是，本申请能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本申请的范围完全地传递给本领域技术人员。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大自始至终相同附图标记表示相同的元件。

应当明白，当元件或层被称为“在…上”、“与…相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在…上”、“与…直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本申请教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。

空间关系术语例如“在…下”、“在…下面”、“下面的”、“在…之下”、“在…之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在…下面”和“在…下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。

在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本申请的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。

为了彻底理解本申请，将在下列的描述中提出详细的结构及步骤，以便阐释本申请提出的技术方案。本申请的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本申请还可以具有其他实施方式。

本申请实施例提供的一种功率放大电路1，如图1所示，包括：初级放大电路10、次级放大电路11和级间匹配电路11，其中；

所述初级放大电路的输入端耦合至所述功率放大电路的输入端，所述初级放大电路的输出端耦合和所述级间匹配电路的输入端；

具体地，可以理解的是，所述初级放大电路10可以是单端的功率放大电路10，也可以是差分的功率放大电路10。

在一具体实施例中，该单端的功率放大电路10可以是包括一个功率放大器的功率放大电路10，也可以是包括多个功率放大器，且该多个功率放大器可以为级联(串联)结构的功率放大电路10。单端的功率放大电路10可以是包括一个功率放大器的功率放大电路10。

在一具体实施例中，该差分的功率放大电路10可以是推挽功率放大电路10或者多尔蒂功率放大电路10。作为一示例，推挽功率放大电路10或多尔蒂功率放大电路10包括第一差分放大支路和第二差分放大支路。第一差分放大支路和第二差分放大支路分别可以包括一个功率放大器，也可以包括多个级联结构的功率放大器。

可选地，上述实施例中的功率放大器包括一个或者多个功率放大晶体管。可选地，该功率放大晶体管可以是BJT晶体管或场效应晶体管。

所述次级放大电路的输入端耦合至所述级间匹配电路的输出端，所述次级放大电路的输出端耦合至所述功率放大器的输出端；

具体地，可以理解的是，所述次级放大电路12可以是单端放大电路11，也可以是差分放大电路12。

在一具体实施例中，该单端放大电路12可以是包括一个功率放大器的功率放大电路11，也可以是包括多个功率放大器，且该多个功率放大器可以为级联(串联)结构的功率放大电路12。单端的功率放大电路12可以是包括一个功率放大器的功率放大电路。

在一具体实施例中，该差分的功率放大电路12可以是推挽功率放大电路11或者多尔蒂功率放大电路12。作为一示例，推挽功率放大电路12或多尔蒂功率放大电路12包括第一差分放大支路和第二差分放大支路。第一差分放大支路和第二差分放大支路分别可以包括一个功率放大器，也可以包括多个级联结构的功率放大器。

可选地，上述实施例中的功率放大器包括一个或者多个功率放大晶体管。可选地，该功率放大晶体管可以是BJT晶体管或场效应晶体管。

需要说明是的，在申请中，以初级放大电路为单端放大电路，次级电路为差分放大电路进行举例说明。

所述级间匹配电路11，耦合至所述初级放大电路10的输出端和次级放大电路11的输入端之间，所述级间匹配电路11包括第一电感L1、第一电容C1、第二电容C2和第一巴伦T1，其中，所述第一巴伦T1包括第一绕组和第二绕组,所述第一电感L1的第一端耦合至供电电源端，所述第一电感L1的第二端耦合至第一电容C1的第一端；所述第一电容C1的第一端耦合至第一电感L1的第二端，所述第一电容C1的第二端耦合至接地端；所述第二电容C2的第一端耦合至所述第一电感L1的第二端，所述第二电容C2的第二端耦合至第一绕组的第一端；所述第一绕组的第一端耦合至第一电容C1的第二端，所述第一绕组的第二端耦合至接地端；所述第二绕组的第一端和第二端分别耦合至所述级间匹配电路11的输出端。

具体地，可以理解的，在本实施例中，级间匹配电路11耦合在初级放大电路10的输出端和次级放大电路11的输入端之间，用于为所述功率放大电路100提供阻抗匹配。

在一具体实施例中，如图2所示，所述级间匹配电路11包括第一电感L1、第一电容C1、第二电容C2和第一巴伦T1，其中，所述第一电感L1的第一端耦合至供电电源端，所述第一电感L1的第二端耦合至第一电容C1的第一端；所述第一电容C1的第一端耦合至第一电感L1的第二端，所述第一电容C1的第二端耦合至接地端；所述第二电容C2的第一端耦合至所述第一电感L1的第二端，所述第二电容C2的第二端耦合至至第一绕组的第一端；所述第一绕组的第一端耦合至第一电容C1的第二端，所述第一绕组的第二端耦合至接地端；所述第二绕组的第一端和第二端分别耦合至所述级间匹配电路11的输出端。

需要说明的是，一般而言，电感是通过设置在基板上金属绕线来实现的，金属绕线的长度会随着需要的电感量增大而增大，即电感量越大，所需的金属绕线长度也就越长，因此，金属绕线在基板上的占用面积也就会，即对于相同规格绕线制作的电感而言，电感越大，在基板上占用的基板面积就会越大。

如图3所示电路为相关技术中的级间匹配电路13，在级间匹配电路13中，包括第二电感L2、第五电容C5和第二巴伦T2，级间匹配电路13的阻抗匹配功能由第二电感L2、第五电容C5和巴伦共同完成，而在本实施例中，包括第一电容C1、第二电容C2、第一电感L1和第一巴伦T1，级间匹配电路11的阻抗匹配功能由一电容C1、第二电容C2、第一电感L1和第一巴伦T1共同完成，由于本实施例提供的级间匹配电路比相关技术中的级间匹配电路13多了一个电容，因此，在实现同样阻抗匹配功能的前提下，本实施例中第一电感L1的电感量一般是小于第二电感L2的电感量，即第一电感L1的占用基板面积也必然是小于第二电感L2的占用基板的占用面积，因此，在同样阻抗匹配功能的前提下，级间匹配电路11的面积必然是小于级间匹配电路11的面积，由于功率放大器电路是由多个模块电路构成，当级间匹配电路的面积变小后，其他电路模块的使用面积就可以变的更大，更加利于其他电路模块的设计，进而在一定程度使得功率放大器的设计难度变低。

需要说明的是，虽然本申请的提供的级间匹配电路11比相关技术中的级间匹配电路13多个了一个电容，但是就整体面积而言，级间匹配电路11的面积还是要小于级间匹配电路13，这是因为电容在基板上的占用面积相对于电感而言，要小的多，因此，即便是多加一个电容，整体面积还是更加小的。

本实施例提供的一种功率放大电路，包括：初级放大电路、次级放大电路和级间匹配电路，其中；所述初级放大电路的输入端耦合至所述功率放大电路的输入端，所述初级放大电路的输出端耦合和所述级间匹配电路的输入端；所述次级放大电路的输入端耦合至所述级间匹配电路的输出端，所述次级放大电路的输出端耦合至所述功率放大电路的输出端；所述级间匹配电路，耦合至所述初级放大电路的输出端和次级放大电路的输入端之间，所述级间匹配电路包括第一电感、第一电容、第二电容和巴伦，其中，所述巴伦包括第一绕组和第二绕组，所述第一电感的第一端耦合至供电电源端，所述第一电感的第二端耦合至第一电容的第一端；所述第一电容的第一端耦合至第一电感的第二端，所述第一电容的第二端耦合至接地端；所述第二电容的第一端耦合至所述第一电感的第二端，所述第二电容的第二端耦合至所述第一绕组的第一端；所述第一绕组的第一端耦合至第一电容的第二端，所述第一绕组的第二端耦合至接地端；所述第二绕组的第一端和第二端分别耦合至所述级间匹配电路的输出端。在本实施例中，通过将第一电感、第一电容、第二电容和第一巴伦作为功率放大电路中的级间匹配电路，不但能够使得级间匹配电路匹配性能更好，还能够减少级间匹配电路的占用面积，进而可以在一定程度上降低功率放大电路的设计难度，还能进一步提供功率放大电路的集成度。

在本申请的某一实施例中，所述第一巴伦T1采用两层厚金属或者三层厚金属工艺制成。

具体地，可以理解的是，第一巴伦T1可以根据实际的需求，选择合适的制作工艺，示例性地，当需要提供第一巴伦T1的集成度时，可以选择两层厚金属制作第一巴伦T1；当需要改善第一巴伦T1性能时，可以选择第三层厚金属制作第一巴伦T1。

在本申请的某一实施例中，所述第一电容为可变电容或者固定电容。

具体地，可以理解的是，在本实施例中，第一电容C1可以为可变电容或者固定电容。

在一具体实施方式中，当功率放大电路需要在不同频段下的使用时，级间匹配电路11就需要提供不同的阻抗来进行阻抗匹配，但是由于级间匹配电路中的元器件都是固定参数的，难以进行调节，因此，在本实施方式中，将第一电容C1采用可变电容的元器件，这样就能够使得级间匹配电路11能够提供的不同的阻抗来进行阻抗匹配，进而满足功率放大电路在不同频段下是使用。

在本申请的某一实施例中，所述初级放大电路10为单端放大电路，所述次级放大电路12为差分放大电路。

在本申请的某一个实施例中，所述第一电感L1的取值范围在[0.5nH-1.0nH]之间。

具体地，可以理解的是，在本实施例中，第一电感的取值可以为0.5nH、0.7nh、0.8nH、0.9nH、1.0nH等；例如，采用本申请图2所示的技术方案，在图2中，级间匹配电路11包括:第一电感L1、第一电容C1、第二电容C2和第一巴伦T1，其中，第一电感的取值可以为0.8nH,为了达到申请级间匹配11的阻抗匹配效果，由于相关技术中的级间匹配12中只存在第五电容C5，因此，级间匹配电路11的第二电感取值至少需要达到1.0nH以上，即本申请中的级间匹配电路11中的第一电感C1比相关技术的级间匹配电路13可以少至少0.2nH以上。由于电感的取值越大，在基板上的占用面积也就越大，因此，本申请中第一电感的占用面积必然比相关技术中的第二电感的占用面积小，进而可知，本申请提供的级间匹配电路11的占用面积也必然小于相关技术中级间匹配电路13，从而可以提供功率放大电路的集成度。

在本申请的某一实施例中，所述功率放大电路的工作频率为1700MHz-2100MHz，所述第一电容和第二电容的取值范围均在[1pF-3pF]之间。

具体地，可以理解的是，1700MHz-2100MHz对应的工作频段可以为n1频段/n2频段/n3频段。当功率放大电路支持工作频段为1700MHz-2100MHz的射频信号传输时，所述第一电容C1和所述第二电容C2的电容值均在[1pF-3pF]之间。例如：所述第一电容C1和所述第二电容C2的电容值可以为1pF、1.2pF、1.5pF、1.8pF、2pF、2.5pF、3pF等。

在本申请的某一实施例中，所述功率放大电路的工作频率为2300MHz-2700MHz，所述第一电容和第二电容的取值范围均在[1.3pF-4.5pF]之间。

具体地，可以理解的是，2300MHz-2700MHz对应的工作频段可以为N41频段/n40频段/n7频段等。当所述功率放大电路支持工作频段为2300MHz-2700MHz的射频信号传输时，所述第一电容C1和所述第二电容C2的电容值均在[1.3pF-4.5pF]之间。例如：所述第一电容C1和所述第二电容C2的电容值可以为1.3pF、2pF、2.1pF、3pF、3.5pF、4.5pF等。

在本申请的某一实施例中，如图4所示，所述初级放大电路10包括第一初级放大晶体管M1，所述次级放大电路11包括第一次级放大晶体管M2和第二次级放大晶体管M3，所述第一初级放大晶体管101的输出端耦合至所述级间匹配电路11的输入端，所述级间匹配电路11的输出端分别耦合至所述第一次级放大晶体管M2的输入端和所述第二次级放大晶体管M3的输入端。

具体地，可以理解的是，第一初级放大晶体管、第一次级放大晶体管和第二次级放大晶体管可以为BJT晶体管，也可以为场效应晶体管(FET)。可选地，第一初级放大晶体管101包括至少一个BJT晶体管(例如，HBT晶体管)或至少一个场效应晶体管。示例性地，第一差分放大晶体管M1可以为多个BJT晶体管并联而成。

第一次级放大晶体管M2包括至少一个BJT晶体管(例如，HBT晶体管)或至少一个场效应晶体管。示例性地，第一次级放大晶体管111可以为多个BJT晶体管并联而成。第二次级放大晶体管M3包括至少一个BJT晶体管(例如，HBT晶体管)或至少一个场效应晶体管。示例性地，第二次级放大晶体管M3可以为多个BJT晶体管并联而成。可以理解地，第一次级放大晶体管M2和第二次级放大晶体管M3可以为差分放大电路中的第一差分放大晶体管和第二差分放大晶体管，且上述差分功率放大电路中的任一放大级，示例性地，该放大级可以为驱动级、中间级或者输出级中的任一放大级。

在一具体实施例中，第一次级放大晶体管111被配置为放大第一射频输入信号并输出第一射频放大信号(放大后的第一射频输入信号)，第二次级放大晶体管M3被配置为放大第二射频输入信号并输出第二射频放大信号(放大后的第二射频输入信号)，第一巴伦对第一射频放大信号和第二射频放大信号进行转换合成，输出射频输出信号。其中，所述第五电容C5可以阻隔第一射频放大信号中的直流信号，所述第六电容C6可以阻隔第二射频放大信号中的直流信号，从而避免直流信号的影响。其中，第一射频输入信号可以为对应的前级放大电路放大之后输出的射频信号，也可以为将不平衡的输入射频信号进行转换后得到的其中一个平衡的射频信号等。同理，第二射频输入信号也可以为对应的前级放大电路放大之后输出的射频信号，也可以为将不平衡的输入射频信号进行转换后得到的其中一个平衡的射频信号等。

在本申请的某一实施例中，所述第一初级放大晶体管为双极结型晶体管，包括基极、集电极和发射极，所述第一初级放大晶体管的基极接收射频输入信号，所述第一初级放大晶体管的集电极耦合至所述级间匹配网络的第一端，所述第一初级放大晶体管的发射极接地；所述第一次级放大晶体管为双极结型晶体管，包括基极、集电极和发射极，所述第一次级放大晶体管的基极接收射频输入信号，所述第一次级放大晶体管的集电极耦合至所述功率放大电路的输出端，所述第一次级放大晶体管的发射极接地；所述第二次级放大晶体管为双极结型晶体管，包括基极、集电极和发射极，所述第二次级放大晶体管的基极接收射频输入信号，所述第一次级放大晶体管的集电极耦合至所述功率放大器的输出端，所述第二次级放大晶体管的发射极接地。

本申请还提供一种射频前端模组，包括如上述任一项所述的功率放大电路。

以上所述实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的精神和范围，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种功率放大电路，其特征在于，包括：初级放大电路、次级放大电路和级间匹配电路，其中；

所述初级放大电路的输入端耦合至所述功率放大电路的输入端，所述初级放大电路的输出端耦合和所述级间匹配电路的输入端；

所述次级放大电路的输入端耦合至所述级间匹配电路的输出端，所述次级放大电路的输出端耦合至所述功率放大电路的输出端；

所述级间匹配电路，耦合至所述初级放大电路的输出端和次级放大电路的输入端之间，所述级间匹配电路包括第一电感、第一电容、第二电容和第一巴伦，其中，所述第一巴伦包括第一绕组和第二绕组，所述第一电感的第一端耦合至供电电源端，所述第一电感的第二端耦合至第一电容的第一端；所述第一电容的第一端耦合至第一电感的第二端，所述第一电容的第二端耦合至接地端；所述第二电容的第一端耦合至所述第一电感的第二端，所述第二电容的第二端耦合至所述第一绕组的第一端；所述第一绕组的第一端耦合至第一电容的第二端，所述第一绕组的第二端耦合至接地端；所述第二绕组的第一端和第二端分别耦合至所述级间匹配电路的输出端。

2.根据权利要求1所述的功率放大电路，其特征在于，所述巴伦采用两层厚金属或者三层厚金属工艺制成。

3.根据权利要求1所述的功率放大电路，其特征在于，所述第一电容为可变电容或者固定电容。

4.根据权利要求1所述的功率放大电路，其特征在于，所述初级放大电路为单端放大电路，所述次级放大电路为差分放大电路。

5.根据权利要求1所述的功率放大电路，其特征在于，所述第一电感的取值范围在[0.5nH-1.0nH]之间。

6.根据权利要求1所述的功率放大电路，其特征在于，所述功率放大电路的工作频率为1200MHz-2300MHz，所述第一电容和第二电容的取值范围均在[1pF-3pF]之间。

7.根据权利要求1所述的功率放大电路，其特征在于，所述功率放大电路的工作频率为2300MHz-2700MHz，所述第一电容和第二电容的取值范围均在[1.3pF-4.5pF]之间。

8.根据权利要求1所述的功率放大电路，其特征在于，所述初级放大电路包括第一初级放大晶体管，所述次级放大电路包括第一次级放大晶体管和第二次级放大晶体管，所述第一初级放大晶体管的输出端耦合至所述级间匹配电路的输入端，所述级间匹配电路的输出端分别耦合至所述第一次级放大晶体管的输入端和所述第二次级放大晶体管的输入端。

9.根据权利要求8所述的功率放大电路，其特征在于，所述第一初级放大晶体管为双极结型晶体管，包括基极、集电极和发射极，所述第一初级放大晶体管的基极接收射频输入信号，所述第一初级放大晶体管的集电极耦合至所述级间匹配网络的第一端，所述第一初级放大晶体管的发射极接地；所述第一次级放大晶体管为双极结型晶体管，包括基极、集电极和发射极，所述第一次级放大晶体管的基极接收射频输入信号，所述第一次级放大晶体管的集电极耦合至所述功率放大电路的输出端，所述第一次级放大晶体管的发射极接地；所述第二次级放大晶体管为双极结型晶体管，包括基极、集电极和发射极，所述第二次级放大晶体管的基极接收射频输入信号，所述第一次级放大晶体管的集电极耦合至所述功率放大电路的输出端，所述第二次级放大晶体管的发射极接地。

10.一种射频前端模组，其特征在于，包括如权利要求1-9任一项所述的功率放大电路。

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