CN218158982U - 触控结构、触控显示面板以及显示装置 - Google Patents

Abstract

提供一种触控结构、触控显示面板以及显示装置。该触控结构包括：第一绝缘层；第一触控层，位于第一绝缘层上；第二绝缘层，位于第一触控层的背离第一绝缘层的一侧；第二触控层，位于第二绝缘层的背离第一触控层的一侧；第一触控层包括多个第一触控电极和多条第一触控线，第二触控层包括多个第二触控电极和多条第二触控线，多个第一触控电极和多个第二触控电极彼此交叉设置并彼此绝缘，第一触控电极为网格结构，第二触控电极为网格结构，两个相邻的第一触控电极的网格线断开，两个相邻的第二触控电极的网格线断开，并且在第二绝缘层的对应多个第一触控电极和多个第二触控电极的区域不设置过孔。从而降低工艺风险。

Description

触控结构、触控显示面板以及显示装置

技术领域

本实用新型至少一实施例涉及一种触控结构、触控显示面板以及显示装置。

背景技术

目前，在显示领域，越来越多的人在提升显示装置的光效率，降低功耗方面有更多的要求，以增加使用时间，避免忧虑耗电量，同时，人们也希望显示装置可以具有生动鲜艳的色彩。

实用新型内容

本实用新型的至少一实施例涉及一种触控结构、触控显示面板以及显示装置。

本实用新型的至少一实施例提供一种一种触控结构，包括：第一绝缘层；第一触控层，位于所述第一绝缘层上；第二绝缘层，位于所述第一触控层的背离所述第一绝缘层的一侧；第二触控层，位于所述第二绝缘层的背离所述第一触控层的一侧；所述第一触控层包括多个第一触控电极和多条第一触控线，所述第二触控层包括多个第二触控电极和多条第二触控线，所述多个第一触控电极和所述多个第二触控电极彼此交叉设置并彼此绝缘，所述第一触控电极为网格结构，所述第二触控电极为网格结构，两个相邻的第一触控电极的网格线断开，两个相邻的第二触控电极的网格线断开，并且在所述第二绝缘层的对应所述多个第一触控电极和所述多个第二触控电极的区域不设置过孔。

例如，所述第二触控层还包括第三触控线，所述第一触控层还包括第四触控线，所述第三触控线与所述第一触控线通过贯穿所述第二绝缘层的第一过孔相连以形成第一引线，所述第四触控线与所述第二触控线通过贯穿所述第二绝缘层的第二过孔相连以形成第二引线。

例如，所述第一过孔和所述第二过孔位于设置所述多个第一触控电极和所述多个第二触控电极的有效区的外围，所述触控结构还包括接地线，其中，所述接地线接地，在靠近绑定区的位置处，所述接地线位于所述第一引线和所述第二引线之间。

例如，所述第一触控层还包括多个第一虚设电极，所述第一虚设电极与所述第一触控电极彼此绝缘，所述第二触控层还包括多个第二虚设电极，所述第二虚设电极与所述第二触控电极彼此绝缘，所述第一虚设电极包括多个第一虚设子电极，所述第二虚设电极包括多个第二虚设子电极，所述多个第一虚设子电极间隔设置，所述多个第二虚设子电极间隔设置，所述第一虚设电极为网格结构，所述第一触控电极的网格线与所述第一虚设电极的网格线断开，所述第二虚设电极为网格结构，所述第二触控电极的网格线与所述第二虚设电极的网格线断开。

例如，所述第一触控电极包括多个第一触控部，所述多个第一触控部彼此相连，所述第二触控电极包括多个第二触控部，所述多个第二触控部彼此相连。

例如，所述第一触控层还包括多个第三虚设电极，所述第二触控层还包括多个第四虚设电极，所述第三虚设电极位于所述第一触控电极的两个相邻第一触控部中，所述第四虚设电极位于所述第二触控电极的两个相邻第二触控部中，所述第三虚设电极包括多个第三虚设子电极，所述第四虚设电极包括多个第四虚设子电极，所述多个第三虚设子电极间隔设置，所述多个第四虚设子电极间隔设置。

例如，触控结构还包括第三绝缘层，所述第三绝缘层位于所述第二触控层的远离所述第二绝缘层的一侧，所述第一绝缘层、所述第二绝缘层、所述第三绝缘层中至少两个包括有机层。

例如，所述第一触控电极和所述第二触控电极之一沿第一方向延伸，所述第一触控电极和所述第二触控电极之另一沿第二方向延伸，所述第一方向与所述第二方向相交，所述第一触控电极和所述多条第一触控线中的至少一条相连，所述第一触控电极和与其相连的第一触控线为一体结构，所述第二触控电极和所述多条第二触控线中的至少一条相连，所述第二触控电极和与其相连的第二触控线为一体结构。

本实用新型的至少一实施例还提供一种触控显示面板，包括：显示结构和触控结构，所述显示结构包括多个子像素，所述多个子像素包括多个发光元件，所述触控结构包括：第一绝缘层；第一触控层，位于所述第一绝缘层上；第二绝缘层，位于所述第一触控层的背离所述第一绝缘层的一侧；第二触控层，位于所述第二绝缘层的背离所述第一触控层的一侧；所述第一触控层包括多个第一触控电极和多条第一触控线，所述第二触控层包括多个第二触控电极和多条第二触控线，所述多个第一触控电极和所述多个第二触控电极彼此交叉设置并彼此绝缘，所述第一触控电极为网格结构，所述第二触控电极为网格结构，两个相邻的第一触控电极的网格线断开，两个相邻的第二触控电极的网格线断开，并且在所述第二绝缘层的对应所述多个第一触控电极和所述多个第二触控电极的区域不设置过孔。

例如，触控显示面板还包括：衬底基板；以及封装层；所述封装层位于所述多个发光元件的背离所述衬底基板的一侧，所述封装层被配置为对所述多个发光元件进行封装，所述触控结构位于所述封装层的背离所述多个发光元件的一侧。

例如，触控显示面板还包括防反射层，所述防反射层位于所述触控结构的背离所述衬底基板的一侧。

例如，所述防反射层包括黑矩阵，所述多个第一触控电极和所述多个第二触控电极在所述衬底基板上的正投影与所述黑矩阵在衬底基板上的正投影交叠。

例如，所述防反射层包括彩色滤光层，其中，所述彩色滤光层包括多个滤色单元，所述多个滤色单元在所述衬底基板上的正投影与所述多个第一触控电极和所述多个第二触控电极在所述衬底基板上的正投影不交叠。

例如，触控显示面板还包括像素限定层，所述像素限定层包括多个开口和位于两个相邻开口之间的像素限定部，所述多个第一触控电极和所述多个第二触控电极在所述衬底基板上的正投影与所述像素限定部在衬底基板上的正投影交叠。

例如，所述多个第一触控电极和所述多个第二触控电极中的网格线的至少一部分在所述衬底基板上的正投影与所述像素限定部的两个相对的边缘在所述衬底基板上的正投影的距离相等或实质上相等。

例如，所述多个第一触控电极和所述多个第二触控电极中的网格线的至少一部分在所述衬底基板上的正投影与所述黑矩阵的两个相对的边缘在所述衬底基板上的正投影的距离相等或实质上相等。

例如，所述多个子像素包括第一子像素、两个第二子像素、以及第三子像素，且所述两个第二子像素沿第一方向排列，所述第一子像素和所述第三子像素沿第二方向排列，所述第一方向与所述第二方向相交，所述网格线包括位于所述第一子像素、所述两个第二子像素、以及所述第三子像素之间且沿所述第一方向延伸的部分。

例如，所述网格线的沿所述第一方向延伸的部分的长度小于所述第一子像素的发光区域沿所述第一方向的最大长度，并且小于所述第三子像素的发光区域沿所述第一方向的最大长度。

例如，所述子像素具有虚拟像素中心，以所述子像素的宽度的延伸方向和长度的延伸方向分别作为一限定四边形的宽度延伸方向和长度延伸方向，且所述子像素的宽度和长度作为所述限定四边形的宽度和长度，所述限定四边形的对角线的交点作为所述虚拟像素中心；所述多个子像素包括第一子像素、第二子像素和第三子像素；所述第一子像素和第三子像素沿第一方向交替排布形成第一像素组；所述第二子像素沿第一方向并排设置形成第二像素组；所述第一子像素和第三子像素沿第二方向交替排布形成第三像素组；所述第二子像素沿第二方向并排设置形成第四像素组；所述第一像素组和第二像素组沿第二方向交替排布；所述第三像素组和第四像素组沿第一方向交替排布；位于相邻两个所述第一像素组和相邻两个所述第三像素组的两个所述第一子像素和两个所述第三子像素的虚拟中心的依次连线构成第二虚拟四边形；呈阵列排布的四个所述第二虚拟四边形以共邻边的方式构成一第一虚拟多边形，且所述第一子像素和所述第三子像素位于第一虚拟多边形的顶角或边上，且沿顺时针方向交替分布于该第一虚拟多边形的顶角或边位置上；所述第一虚拟多边形内具有第一虚拟点，所述第一虚拟点与所述第一虚拟多边形上的四个所述第三子像素的虚拟中心的连线，将所述第一虚拟多边形分割为四个虚拟等腰梯形。

本实用新型的实施例还提供一种显示装置，包括上述任一触控显示面板。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本实用新型的一些实施例，而非对本实用新型的限制。

图1是本实用新型一实施例提供的触控结构的平面图。

图2是本实用新型另一实施例提供的触控结构的平面图。

图3是本实用新型另一实施例提供的触控结构的平面图。

图4是图3的沿线A1-A2的剖视图。

图5A是图3的沿线B1-B2的剖视图。

图5B是图3的沿线B3-B4的剖视图。

图6是图3中的第一触控层的平面图。

图7是图3中的第二触控层的平面图。

图8是本实用新型另一实施例提供的触控结构的平面图。

图9A是本实用新型另一实施例提供的触控结构中的第一触控层的平面图。

图9B是本实用新型另一实施例提供的触控结构中的第二触控层的平面图。

图10A是本实用新型另一实施例提供的触控结构中的第一触控层的局部平面图。

图10B是本实用新型另一实施例提供的触控结构中的第二触控层的局部平面图。

图11是本实用新型另一实施例提供的触控结构的平面图。

图12是本实用新型一实施例提供的触控结构的平面图。

图13A是图12中的第一触控层的平面图。

图13B是图12中的第二触控层的平面图。

图14是图12的沿线A3-A4的剖视图。

图15A是图12的沿线B5-B6的剖视图。

图15B是图12的沿线B7-B8的剖视图。

图15C是本实用新型一实施例提供的触控结构中的第一触控层和第二绝缘层的平面图。

图16A是本实用新型另一实施例提供的触控结构中的第一触控层的局部平面图。

图16B是本实用新型另一实施例提供的触控结构中的第二触控层的局部平面图。

图17A是本实用新型一实施例提供的触控显示面板的平面图。

图17B为图17A沿线A5-A6的剖视图。

图18A为是本实用新型一实施例提供的触控显示面板的剖视图。

图18B为是本实用新型一实施例提供的触控显示面板的剖视图。

图19为本实用新型一实施例提供的触控显示面板中的发光区域和触控电极的网格线的平面图。

图20为本实用新型一些实施例提供的显示面板中的子像素的像素电路和发光元件的示意图。

图21A为一种示例性的像素阵列的膜层结构示意图。

图21B为另一种示例性的像素阵列的膜层结构示意图。

图22示意出一种示例性的像素阵列的示意图。

图23为本实用新型实施例的一种像素阵列的示意图。

图24为本实用新型实施例的一种第一虚拟多边形中各个子像素的排布示意图。

图25为图24的第一虚拟多边形中一个第二虚拟四边形中各个子像素的排布示意图。

图26为图24的第一虚拟多边形中一个第三虚拟四边形中各个子像素的排布示意图。

图27为图24的第一虚拟多边形中一个虚拟等腰梯形中各个子像素的排布示意图。

图28为本实用新型实施例的另一种第一虚拟多边形中各个子像素的排布示意图。

图29为本实用新型实施例的另一种第一虚拟多边形中各个子像素的排布示意图。

图30为本实用新型实施例的另一种第一虚拟多边形中各个子像素的排布示意图。

图31为本实用新型实施例的另一种第一虚拟多边形中各个子像素的排布示意图。

图32为本实用新型实施例的另一种第一虚拟多边形中各个子像素的排布示意图。

图33为本实用新型实施例的另一种第一虚拟多边形中各个子像素的排布示意图。

图34为本实用新型实施例的另一种第一虚拟多边形中各个子像素的排布示意图。

图35为图34的第一虚拟多边形中的各个子像素的发光区的示意图。

图36为图34的第一虚拟多边形中的第四虚拟四边形的各子像素的发光区的分布示意图。

图37为本实用新型实施例的另一种第一虚拟多边形中各个子像素的排布示意图。

图38为图37的第一虚拟多边形中的各个子像素的发光区的示意图。

图39为本实用新型实施例的另一种第一虚拟多边形中各个子像素的排布示意图。

图40为图39的第一虚拟多边形中的各个子像素的发光区的示意图。

图41为本实用新型实施例的另一种第一虚拟多边形中各个子像素的排布示意图。

图42为图41的第一虚拟多边形中的各个子像素的一种发光区的示意图。

图43为图41的第一虚拟多边形中的各个子像素的另一种发光区的示意图。

图44为本实用新型实施例的另一种第一虚拟多边形中各个子像素的排布示意图。

图45为图44的第一虚拟多边形中的各个子像素的发光区的示意图。

具体实施方式

为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例的附图，对本实用新型实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本实用新型的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

除非另外定义，本实用新型使用的技术术语或者科学术语应当为本实用新型所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本实用新型中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

图1是本实用新型一实施例提供的触控结构的平面图。图2是本实用新型另一实施例提供的触控结构的平面图。图3是本实用新型另一实施例提供的触控结构的平面图。图4是图3的沿线A1-A2的剖视图。图5A是图3的沿线B1-B2的剖视图。图5B是图3的沿线B3-B4的剖视图。图6是图3中的第一触控层的平面图。图7是图3中的第二触控层的平面图。

如图1至图3、图6至图7所示，本实用新型的实施例提供的触控结构包括：第一绝缘层11、第一触控层M1、第二绝缘层12、以及第二触控层 M2。

如图4所示，第一触控层M1位于第一绝缘层11上，第二绝缘层12位于第一触控层M1的背离第一绝缘层11的一侧，第二触控层M2位于第二绝缘层12的背离第一触控层M1的一侧。

如图2至图3、图6至图7所示，第一触控层M1包括多个第一触控电极101和多条第一触控线L1，第二触控层M2包括多个第二触控电极102 和多条第二触控线L2，多个第一触控电极101和多个第二触控电极102彼此交叉设置并彼此绝缘。参考图1至图3，多条第一触控线L1和多条第二触控线L2均位于周边区302。如图2所示，多条第一触控线L1和多条第二触控线L2汇集至绑定区320。例如，多条第一触控线L1和多条第二触控线 L2在绑定区320与柔性电路板相连，进而与集成电路相连。

例如，第一触控电极101和第二触控电极102之一为发送电极(Tx)，第一触控电极101和第二触控电极102之另一为接收电极(Rx)。图3所示的实施例以第一触控电极101为发送电极(Tx)，第二触控电极102为接收电极(Rx)为例进行说明。

本实用新型的实施例提供的触控结构，通过两个触控层，即，第一触控层M1和第二触控层M2，实现触控功能，接收电极(Rx)和发送电极(Tx) 分别位于不同的层，第一触控电极101整体形成，第二触控电极102整体形成，第一触控电极101和第二触控电极102均不需要通过过孔连接，降低工艺风险。

例如，第一触控电极101和第二触控电极102形成互电容的电极，发送电极(Tx)可被输入驱动信号，接收电极(Rx)可输出感应信号，当手指触摸触控结构时，触摸位置的电容量发生变化，接收电极(Rx)输出感应信号，以获得触摸位置。

例如，如图3至图6所示，多条第一触控线L1位于第一触控层M1，多条第二触控线L2位于第二触控层M2。即，第一触控电极101和与该第一触控电极101相连的第一触控线L1位于同一层，均位于第一触控层M1，第二触控电极102和与该第二触控电极102相连的第二触控线L2位于同一层，均位于第二触控层M2。通过设置该两个触控层，即可实现触控功能。触控功能包括触摸位置的检测。

因相邻的第一触控线L1之间的距离很小，相邻的第二触控线L2之间的距离很小，图2以多条第一触控线L1所在的区域示出该多条第一触控线L1，并以多条第二触控线L2所在的区域示出该多条第二触控线L2。

图2和图3示出了区域R1、区域R2、区域R3、区域R4、区域R5、以及区域R6共六个触控线设置区。参考图2和图3，图中左侧的第二触控电极102的两端分别与位于区域R1中的第二触控线L2和位于区域R3中的第二触控线L2相连，图中右侧的第二触控电极102的两端分别与位于区域R4 中的第二触控线L2和位于区域R6中的第二触控线L2相连。参考图2和图 3，第一触控电极101的两端分别与位于区域R2中的第一触控线L1和位于区域R5中的第一触控线L1相连。

如图1至图3所示，衬底基板BS包括有效区301和位于有效区301的至少一侧的周边区302，图中以周边区302围绕有效区301为例进行说明。图1和图2还示出了弯折区310。如图2所示，位于弯折区310以下的部分将被弯折到位于弯折区310以上的部分的背侧。当然，也可以不设置弯折区，即，衬底基板也可以不被弯折。图1还示出了绑定区320。弯折区310和绑定区320均位于周边区302。

例如，如图3所示，第一触控电极101和第二触控电极102之一沿第一方向X延伸，第一触控电极101和第二触控电极102之另一沿第二方向Y 延伸，第一方向X与第二方向Y相交。本实用新型的实施例以第一触控电极101沿第一方向X延伸，第二触控电极102沿第二方向Y延伸为例进行说明。

例如，如图3和图6所示，第一触控电极101与多条第一触控线L1中的至少一条相连。图3和图6以第一触控电极101与两条第一触控线L1相连为例进行说明。第一触控电极101与多条第一触控线L1相连利于信号的传输。

例如，如图3和图6所示，第一触控电极101和与其相连的第一触控线 L1为一体结构。即，第一触控电极101和与其相连的第一触控线L1直接相连。

例如，如图3和图7所示，第二触控电极102与多条第二触控线L2中的至少一条相连。图3和图7以第二触控电极102与两条第二触控线L2相连为例进行说明。第二触控电极102与多条第二触控线L2相连利于信号的传输。

例如，如图3和图7所示，第二触控电极102和与其相连的第二触控线 L2为一体结构。即，第二触控电极102和与其相连的第二触控线L2直接相连。

例如，如图4所示，第一绝缘层11和第二绝缘层12中至少之一包括透明光学胶(Optical Clear Adhesive，OCA)。

例如，如图4所示，触控结构还包括第三绝缘层13，第三绝缘层13位于第二触控层M2的远离第二绝缘层12的一侧。例如，第三绝缘层13包括透明光学胶。

例如，本实用新型的实施例中的透明光学胶可采用通常的透明光学胶。例如，透明光学胶可包括橡胶型透明光学胶、丙烯酸型透明光学胶、以及有机硅型透明光学胶。透明光学胶具有高透光率、雾度低、耐紫外线、高粘着力、耐高温等特点。例如，透明光学胶包括将光学亚克力胶做成无基材，然后在上下底层再贴合一层离型薄膜，是一种无基体材料的双面贴合胶带。

在本实用新型的实施例中，第一绝缘层11、第二绝缘层12和第三绝缘层13至少之一为有机层。进一步例如。第一绝缘层11、第二绝缘层12和第三绝缘层13中至少两个为有机层。本实用新型的实施例以第一绝缘层11、第二绝缘层12和第三绝缘层13均为有机层为例进行说明。

图5A是图3的沿线A1-A2的另一种剖视图。如图5A所示，触控结构还包括第三触控线L3，第三触控线L3位于第一触控层M1。

如图5A所示，为了降低电阻，减少功耗，第一触控线L1和第三触控线L3通过贯穿第二绝缘层12的过孔V1相连。如图5A所示，引线111包括彼此相连的第一触控线L1和第三触控线L3。例如，每个第一触控电极101 与至少一条引线111相连。第三触控线L3与第二触控电极102彼此绝缘。

如图5B所示，触控结构还包括第四触控线L4，第四触控线L4位于第二触控层M2。

如图5A所示，为了降低电阻，减少功耗，第四触控线L4和第二触控线L2通过贯穿第二绝缘层12的过孔V2相连。如图5A所示，引线112包括彼此相连的第四触控线L4和第二触控线L2。例如，每个第二触控电极102 与至少一条引线112相连。第四触控线L4与第一触控电极101彼此绝缘。

例如，如图3、图5A和图5B所示，过孔1和过孔V2位于设置多个第一触控电极101和1多个第二触控电极102的有效区301的外围。

例如，如图6所示，第一触控电极101为网格结构，如图7所示，第二触控电极102为网格结构。图2中的有效区301内放大显示了该区域内的部分结构。如图2所示，有效区301包括多个发光区EMR。网格结构的网格线MS围绕发光区EMR设置。

例如，如图3和图6所示，为了提高刻蚀均一性、光学均一性和消隐性，第一触控层M1还包括多个第一虚设电极DMY1，第一虚设电极DMY1与第一触控电极101彼此绝缘。例如，每个第一虚设电极DMY1浮置。

例如，如图3和图6所示，第一虚设电极DMY1位于两个相邻的第一触控电极101之间。例如，多个第一虚设电极DMY1均匀分布在多个第一触控电极101之间。

例如，如图3和图6所示，第一虚设电极DMY1为网格结构，第一触控电极101的网格线与第一虚设电极DMY1的网格线断开。

例如，为了提高刻蚀均一性、光学均一性和消隐性，第二触控层M2还包括多个第二虚设电极DMY2，第二虚设电极DMY2与第二触控电极102 彼此绝缘。例如，每个第二虚设电极DMY2浮置。

例如，如图3和图6所示，第二虚设电极DMY2位于两个相邻第二触控电极102之间。例如，多个第二虚设电极DMY2均匀分布在多个第二触控电极102之间。

例如，第二虚设电极DMY2为网格结构，第二触控电极102的网格线与第二虚设电极DMY2的网格线断开。

图8是本实用新型另一实施例提供的触控结构的平面图。例如，如图8 所示，为了增大互电容的相对面积，第一触控电极101包括多个第一触控部 1010，多个第一触控部1010彼此相连。例如，如图8所示，为了增大互电容的相对面积，第二触控电极102包括多个第二触控部1020，多个第二触控部1020彼此相连。

如图3、图6以及图8所示，多个第一触控电极101沿第二方向Y排列，每个第一触控电极101沿第一方向X延伸。

如图3、图7以及图8所示，多个第二触控电极102沿第一方向X排列，每个第二触控电极102沿第二方向Y延伸。

图9A是本实用新型另一实施例提供的触控结构中的第一触控层的平面图。图9B是本实用新型另一实施例提供的触控结构中的第二触控层的平面图。

如图9A所示，第一虚设电极DMY1可包括多个第一虚设子电极DY1，两个相邻的第一虚设子电极DY1间隔设置。每个第一虚设子电极DY1浮置。如图9A所示，多个第一虚设子电极DY1间隔设置。

如图9B所示，第二虚设电极DMY2可包括多个第二虚设子电极DY2，两个相邻的第二虚设子电极DY2间隔设置。每个第二虚设子电极DY2浮置。如图9B所示，多个第二虚设子电极DY2间隔设置。

参考图9A和图9B，同一个第一虚设电极DMY1中的多个第一虚设子电极DY1沿第一方向X排列，同一个第二虚设电极DMY2中的多个第二虚设子电极DY2沿第二方向Y排列。

参考图9A和图9B，第一虚设子电极DY1沿第一方向X的尺寸可与第二触控电极102沿第一方向X的尺寸相当。例如，第二触控电极102在衬底基板BS上的正投影与多个第一虚设子电极DY1在衬底基板BS上的正投影交叠。

参考图9A和图9B，第二虚设子电极DY2沿第二方向Y的尺寸可与第一触控电极101沿第二方向Y的尺寸相当。例如，第一触控电极101在衬底基板BS上的正投影与多个第二虚设子电极DY2在衬底基板BS上的正投影交叠。

图10A是本实用新型另一实施例提供的触控结构中的第一触控层的局部平面图。图10B是本实用新型另一实施例提供的触控结构中的第二触控层的局部平面图。

图10A是本实用新型另一实施例提供的触控结构中的第一触控层的局部平面图。图10B是本实用新型另一实施例提供的触控结构中的第二触控层的局部平面图。

如图10A所示，触控结构还包括第三虚设电极DMY3，第三虚设电极 DMY3位于第一触控电极101的两个相邻第一触控部1010中。第三虚设电极DMY3为网格结构，第一触控部1010的网格线与第三虚设电极DMY3的网格线断开。

如图10A所示，第三虚设电极DMY3包括多个第三虚设子电极DY3。一个第三虚设子电极DY3的网格线和与其相邻的第三虚设子电极DY3的网格线断开，且该第三虚设子电极DY3的网格线和与其相邻的第一触控部 1010的网格线断开。例如，如图10A所示，两个相邻第三虚设子电极DY3 分隔开。例如，如图10A所示，多个第三虚设子电极DY3间隔设置。

如图10B所示，触控结构还包括第四虚设电极DMY4，第四虚设电极 DMY4位于第二触控电极102的两个相邻第二触控部1020中。第四虚设电极DMY4为网格结构，第二触控部1020的网格线与第三虚设电极DMY3的网格线断开。

如图10B所示，第四虚设电极DMY4包括多个第四虚设子电极DY4。一个第四虚设子电极DY4的网格线和与其相邻的第四虚设子电极DY4的网格线断开，且该第四虚设子电极DY4的网格线和与其相邻的第二触控部 1020的网格线断开。例如，如图10B所示，两个相邻第四虚设子电极DY4 分隔开。如图10B所示，多个第四虚设子电极DY4间隔设置。

参考图10A和图10B，第一虚设子电极DY1沿第一方向X的尺寸可与第二触控电极102沿第一方向X的尺寸相当。例如，第二触控电极102在衬底基板BS上的正投影与多个第一虚设子电极DY1在衬底基板BS上的正投影交叠。

参考图10A和图10B，第二虚设子电极DY2沿第二方向Y的尺寸可与第一触控电极101沿第二方向Y的尺寸相当。例如，第一触控电极101在衬底基板BS上的正投影与多个第二虚设子电极DY2在衬底基板BS上的正投影交叠。

图10A还示出了第一虚设电极DMY1包括彼此分隔的多个第一虚设子电极DY1。第一虚设电极DMY1的形状和尺寸可分别与第三虚设电极DMY3 的形状和尺寸相同，但不限于此。第一虚设子电极DY1的形状和尺寸可分别与第三虚设子电极DY3的形状和尺寸相同，但不限于此。

图10B还示出了第二虚设电极DMY2包括彼此分隔的多个第二虚设子电极DY2。第二虚设电极DMY2的形状和尺寸可分别与第四虚设电极DMY4 的形状和尺寸相同，但不限于此。第二虚设子电极DY2的形状和尺寸可分别与第四虚设子电极DY4的形状和尺寸相同，但不限于此。

图10A和图10B中的黑色网格表示网格结构的触控电极的网格线，在黑色网格中的白色线条表示网格线的断开位置。图10A中的双向箭头表示第一触控线101的延伸方向，第一触控线101沿第二方向Y延伸。图10B中的双向箭头表示第二触控线102的延伸方向，第二触控线102沿第一方向X 延伸。

图10A和图10B中以第一虚设子电极DY1、第二虚设子电极DY2、第三虚设子电极DY3、以及第四虚设子电极DY4均为Z字型为例进行说明，然而，并不限于此，也可以采用其他的适合的形状。第一虚设子电极DY1、第二虚设子电极DY2、第三虚设子电极DY3、以及第四虚设子电极DY4均浮置。在本实用新型的实施例中，第一虚设电极DMY1、第二虚设电极 DMY2、第三虚设电极DMY3、以及第四虚设电极DMY4均浮置。

在本实用新型的实施例中，部件浮置是指该部件不接入任何信号。

在本实用新型的实施例中，部件的延伸方向表示该部件的总体走势的延伸方向。

图11是本实用新型另一实施例提供的触控结构的平面图。图12是本实用新型一实施例提供的触控结构的平面图。图13A是图12中的第一触控层的平面图。图13B是图12中的第二触控层的平面图。图14是图12的沿线 A3-A4的剖视图。图15A是图12的沿线B5-B6的剖视图。图15B是图12 的沿线B7-B8的剖视图。图15C是本实用新型一实施例提供的触控结构中的第一触控层和第二绝缘层的平面图。

图11和图12示出了区域R1、区域R2、区域R3、区域R4、区域R5、以及区域R6共六个触控线设置区。参考图11和图12，图中左侧的第一触控电极101的两端分别与位于区域R1中的第一触控线L1和位于区域R3中的第一触控线L1相连，图中右侧的第一触控电极101的两端分别与位于区域R4中的第一触控线L1和位于区域R6中的第一触控线L1相连。参考图 11和图12，第二触控电极102的两端分别与位于区域R2中的第二触控线 L2和位于区域R5中的第二触控线L2相连。

如图15C所示，过孔V1、过孔V2位于有效区的外围。图15C还示出了接地线GND，接地线GND接地，接地线GND位于第一触控线L1的远离有效区301的一侧，在靠近绑定区320(如图2所示)的位置处，接地线 GND位于第一触控线L1和第四触控线L4之间，即，接地线GND位于引线111和引线112之间，接地线GND的作用在于避免连接第一触控电极的引线111和连接第二触控电极的引线112之间的信号干扰。

图15C还示出了第一触控电极101的网格线MS1、有效区301、以及周边区302。

图12所示的触控结构与图3所示的触控结构相比，将第一触控层M1 和第二触控层M2的结构进行了位置对调。即，图3中的第二触控层的结构作为了图12中的第一触控层，图3中的第一触控层的结构作为了图12中的第二触控层。

图16A是本实用新型另一实施例提供的触控结构中的第一触控层的局部平面图。图16B是本实用新型另一实施例提供的触控结构中的第二触控层的局部平面图。

图16A示出了第一触控电极10、第一触控部1010、第一虚设电极DMY1、第三虚设电极DMY3、第一虚设子电极DY1、第三虚设子电极DY3、引线 111、以及第一触控线L1。

图16B示出了第二触控电极20、第二触控部1020、第二虚设电极DMY2、第四虚设电极DMY4、第二虚设子电极DY2、第四虚设子电极DY4、引线 112、以及第二触控线L2。

图11至图16B以沿第二方向Y延伸的第二触控电极20为接收电极 (Rx)、以沿第一方向X延伸的第一触控电极10为发送电极(Tx)为例进行说明。

例如，第一触控电极10包括的第一触控部1010的个数与第二触控电极20包括的第二触控部1020的个数相等。在本实用新型的实施例中，以第一触控电极10包括三个第一触控部1010，并且第二触控电极20包括三个第二触控部1020为例进行说明。

在本实用新型的实施例中，第一虚设电极DMY1、第二虚设电极DMY2、第三虚设电极DMY3、以及第四虚设电极DMY4可以具有相同的形状和相同的尺寸，但不限于此，也可以根据需要采用不同的形状和不同的尺寸。

在本实用新型的实施例中，第一虚设子电极DY1、第二虚设子电极DY2、第三虚设子电极DY3、以及第四虚设子电极DY4可以具有相同的形状和相同的尺寸，但不限于此，也可以根据需要采用不同的形状和不同的尺寸。

需要说明的是，第一触控电极10所在的膜层、第二触控电极20所在的膜层、第一触控电极10的延伸方向、第二触控电极20的延伸方向可以根据需要设置，不限于图中所示。

例如，部件C位于部件B的靠近部件A的一侧和部件C位于部件B的背离部件A的一侧分别为部件C位于部件B的相对的两侧中的下侧和上侧。

本实用新型的实施例的一些截面图示出了第三方向Z，第三方向Z垂直于第一方向X，并且垂直于第二方向Y。例如，第一方向X与第二方向Y 相交。进一步例如，第一方向X与第二方向Y垂直。例如，第一方向X与第二方向Y为平行于衬底基板的主表面的方向，第三方向Z为垂直于衬底基板的主表面的方向。衬底基板的主表面为用于制作各个部件的表面。截面图中的衬底基板的上表面为衬底基板的主表面。

例如，对于触控结构，有效区301可看成触控区，对于触控显示面板或触控显示装置，有效区301可看成触控显示区。

本实用新型至少一实施例还提供一种触控显示面板，包括上述任一触控结构。因该触控显示面板包括上述触控结构，则该触控显示面板具有与触控结构相同的技术效果，在此不再赘述。

图17A是本实用新型一实施例提供的触控显示面板的平面图。图17B 为图17A沿线A5-A6的剖视图。参考图17A和图17B，触控显示面板还包括：衬底基板BS；位于衬底基板BS上的多个发光元件EM；以及位于多个发光元件EM上的封装层201，封装层201被配置为对多个发光元件EM进行封装，触控结构位于封装层201的背离多个发光元件EM的一侧。

例如，发光元件EM包括有机发光二极管(OLED)。图17B示出了第一电极E1、第二电极E2、以及位于第一电极E1和第二电极E2之间的发光功能层FL。第一电极E1和第二电极E2均采用导电材料制作。例如，第一电极E1和第二电极E2之一的材料包括金属，例如，银，但不限于此。第一电极E1和第二电极E2之另一的材料包括导电的金属氧化物，例如，氧化铟锡(ITO)，但不限于此。

例如，如图17B所示，封装层201包括第一封装薄膜2011、第二封装薄膜2012、以及第三封装薄膜2013。例如，第一封装薄膜2011和第三封装薄膜2013均为无机薄膜，第二封装薄膜2012采用有机薄膜。封装层201可采用通常的材料和通常的方法制作。

例如，如图17B所示，触控显示面板还包括像素限定层203，像素限定层203包括多个开口OPN和位于两个相邻开口OPN之间的像素限定部 2031，多个第一触控电极101和多个第二触控电极102在衬底基板BS上的正投影与像素限定部2031在衬底基板BS上的正投影交叠。

例如，如图17B所示，为了提高出光效率，多个第一触控电极101和多个第二触控电极102中的网格线的至少一部分在衬底基板BS上的正投影在像素限定部2031在衬底基板BS上的正投影的中心位置。

例如，如图17B所示，触控显示面板还包括黑矩阵204，多个第一触控电极101和多个第二触控电极102在衬底基板BS上的正投影与黑矩阵204 在衬底基板BS上的正投影交叠。

例如，如图17B所示，为了避免触控结构TS反射光影响显示效果，黑矩阵204位于触控结构TS的背离衬底基板BS的一侧。黑矩阵204在衬底基板BS上的正投影与第一触控电极101在衬底基板BS上的正投影交叠，并且，黑矩阵204在衬底基板BS上的正投影与第二触控电极102在衬底基板BS上的正投影交叠。即，将第一触控电极101设置在设有黑矩阵204的区域内，将第二触控电极102设置在设有黑矩阵204的区域内。

例如，如图17B所示，第一触控电极101在衬底基板BS上的正投影与第二触控电极102在衬底基板BS上的正投影交叠。

例如，如图17B所示，触控显示面板还包括彩色滤光层202，为了提高出光效率，彩色滤光层202包括多个滤色单元2020，多个滤色单元2020在衬底基板BS上的正投影与多个第一触控电极101和多个第二触控电极102 在衬底基板BS上的正投影不交叠。

例如，如图17B所示，彩色滤光层202位于触控结构TS的背离衬底基板BS的一侧。

如图17B所示，黑矩阵204和彩色滤光层202构成防反射层2024，防反射层2024位于触控结构TS的背离衬底基板BS的一侧。图17B以防反射层2024包括黑矩阵204和彩色滤光层202为例进行说明。在其他的实施例中，防反射层2024可以采用偏光板。

在本实用新型的实施例提供的触控显示面板中，通过在封装层上设置黑矩阵和彩色滤光层，可以不必设置偏光板，以提升面板的光效率，降低功耗，提升色彩显色度，优化画质。在普通显示屏的基础上提升了33％的透射率，用更少的电量保障更亮的屏幕，将有机发光二极管(OLED)的耗电量降低 25％，可使得包含该触控显示面板的装置例如智能手机使用时间明显增加，不用忧虑耗电量。同时，也可以通过屏幕观赏生动鲜艳的色彩，添加彩色滤光层呈现更真实的色彩，可提高越15％的RGB鲜明度，提升色彩表现力。

例如，如图17B所示，为了提高出光效率，多个第一触控电极101和多个第二触控电极102中的网格线的至少一部分在衬底基板BS上的正投影与黑矩阵204在衬底基板BS上的正投影的中心位置。

例如，一个部件的中心位置是指该部件的中心线所在的位置，但不限于此。

图17B示出了第一触控电极101的网格线MS1、第二触控电极102的网格线MS2、以及第四虚设电极DMY4。

图17B还示出了控制电路层501。控制电路层501可包括多个像素电路，每个发光元件可与一个像素电路相连。像素电路为与其相连的发光元件EM 提供驱动电流以驱动该发光元件发光。例如，像素电路可以包括晶体管和存储电容等结构。

图17B还示出了覆盖层14，以保护衬底基板上的各个结构。

参考图10A至图17B，两个相邻的第一触控电极101的网格线MS断开，两个相邻的第二触控电极102的网格线MS断开，并且在第二绝缘层12的对应多个第一触控电极101和多个第二触控电极102的区域不设置过孔，以降低工艺风险。

如图17A所示，多个子像素包括红色子像素R、两个绿色子像素G、以及蓝色子像素B，且两个绿色子像素G沿第一方向X排列，红色子像素R 和蓝色子像素B沿第二方向Y排列，第一方向X与第二方向Y相交，网格线MS包括位于红色子像素R、两个绿色子像素G、以及蓝色子像素B之间且沿第一方向X延伸的部分SM。该设置可利于网格线的设置和利于提高显示效果。

如图17A所示，网格线MS的沿第一方向X延伸的部分SM的长度小于红色子像素R的发光区域沿第一方向X的最大长度，并且小于蓝色子像素B的发光区域沿第一方向X的最大长度。该设置可利于网格线的设置和利于提高显示效果。

如图17A所示，一个红色子像素R、两个绿色子像素G、以及一个蓝色子像素B构成一个重复单元RP。

本实用新型的实施例提供的显示面板的结构不限于图17B所示，例如，在图17B的基础可以做一些调整。

图18A为是本实用新型一实施例提供的触控显示面板的剖视图。图18B 为是本实用新型一实施例提供的触控显示面板的剖视图。

例如，在另一些实施例中，如图18A所示，触控结构TS还可以位于封装层的有机封装薄膜中，例如，位于第二封装薄膜2012中。例如，在该情况下，第二封装薄膜2012可以包括三个依次层叠设置的子层：第一子层SL1、第二子层SL2、以及第三子层SL3，第一子层SL1比第三子层SL3更靠近衬底基板BS，在第一子层SL1上形成第一触控层M1，在第一触控层M1上形成第二子层SL2，在第二子层SL2上形成第二触控层M2，在第二触控层 M2上形成第三子层SL3。该情况下，第一子层SL1、第二子层SL2、以及第三子层SL3可以分别相当于第一绝缘层11、第二绝缘层12、以及第三绝缘层13。

例如，在另一些实施例中，如图18B所示，将图17B中的触控结构TS 调整位置至防反射层2024附近，防反射层2024的黑矩阵BM可以作为触控结构TS的第一绝缘层11、第二绝缘层12中的一个。图18B以黑矩阵BM 作为触控结构TS的第二绝缘层12为例进行说明。

图19为本实用新型一实施例提供的触控显示面板中的发光区域和触控电极的网格线的平面图。

如图17A至图19所示，多个发光元件EM的发光区域包括绿色子像素 G的发光区域、红色子像素R的发光区域、以及蓝色子像素B的发光区域。

图19示出了间距a至间距s以及网格线MS的线宽t。下表给出了一个实施例中的各个数值。当然，下表中的各个数值只是列举，间距a至间距s 以及网格线MS的线宽t也可以采用其他适合的数值。例如，网格线MS的线宽t是指网格线MS的在垂直于其延伸方向的方向上的尺寸。

表一、间距a至间距s以及网格线MS的线宽t

例如，间距a至间距s以及网格线MS的线宽t中的每一个均小于20微米。进一步例如，间距a至间距s以及网格线MS的线宽t中的每一个均小于15微米。

例如，如图19和上表所示，网格线的位于不同的重复单元中的绿色子像素G和红色子像素R之间的部分与其中的绿色子像素G或红色子像素R 的发光区域之间的间距(间距a或间距e)大于网格线的位于同一重复单元中的绿色子像素G和红色子像素R之间的部分与其中的绿色子像素G或红色子像素R的发光区域之间的间距(间距f、间距d、间距b或间距p)。

参考图17A至图19，多个第一触控电极101和多个第二触控电极102 中的网格线MS的至少一部分在衬底基板BS上的正投影与黑矩阵BM的两个相对的边缘在衬底基板BS上的正投影的距离相等或实质上相等。

图17B示出了网格线MS的至少一部分在衬底基板BS上的正投影与黑矩阵BM的两个相对的边缘在衬底基板BS上的正投影的距离D1和距离D2。例如，距离D1等于距离D2或距离D1和距离D2相差不大。

参考图17A至图19，多个第一触控电极101和多个第二触控电极102 中的网格线MS的至少一部分在衬底基板BS上的正投影与像素限定部2031 的两个相对的边缘在衬底基板BS上的正投影的距离相等或实质上相等。

图17B示出了网格线MS的至少一部分在衬底基板BS上的正投影与像素限定部2031的两个相对的边缘在衬底基板BS上的正投影的距离D3和距离D4。例如，距离D3等于距离D4或距离D3和距离D4相差不大。

例如，距离实质上相等是指两个距离的差值与该两个距离之一的比值小于或等于20％。

图20为本实用新型一些实施例提供的显示面板中的子像素的像素电路和发光元件的示意图。例如，如图20所示，子像素P包括像素电路1120和发光元件1110，像素电路1120被配置为驱动发光元件1110。

图20示出了本实用新型的一些实施例提供的显示基板的像素电路的电路图。下面结合图20简单描述本实用新型一些实施例提供的像素电路的具体结构。

例如，多个子像素P包括的多个像素电路设置在衬底基板BS上，如图 1所示，设置在衬底基板BS的显示区R1。例如，栅极驱动电路可被配置为输出多个输出信号至多个像素电路以控制多个像素电路产生多个驱动电流以分别驱动多个子像素P中的发光元件发出对应的光，从而实现图像显示。

例如，如图20所示，每个子像素P包括像素电路1120和发光元件1110。

例如，如图20所示，像素电路1120被配置为生成驱动电流以控制发光元件1110发光。

例如，发光元件1110包括第一电极E1、第二电极E2和设置在第一电极E1和第二电极E2之间的发光功能层，如图20所示，发光元件1110的第一电极E1电连接至像素电路1120，发光元件1110的第二电极E2电连接至电压端VSS。当像素电路1120生成的驱动电流流过发光元件1110时，发光元件1110的发光功能层发出与驱动电流的大小相对应的亮度的光。

例如，发光元件1110可以为发光二极管等。发光二极管可以为微型发光二极管(Micro Light Emitting Diode，Micro LED)、有机发光二极管(Organic Light EmittingDiode，OLED)或量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes，QLED)等。发光元件1110被配置为在工作时接收发光信号(例如，可以为驱动电流)，并发出与该发光信号相对应强度的光。发光元件1110的第一电极可以为阳极，发光二极管的第二电极可以为阴极。需要说明的是，在本实用新型的实施例中，发光元件1110的发光功能层可以包括电致发光层本身以及位于电致发光层两侧的公共层，例如，公共层可以包括空穴注入层、空穴传输层、电子注入层以及电子传输层等等。在实际应用中，可以根据实际应用环境来设计确定发光元件1110的具体结构，在此不作限定。例如，发光元件1110具有发光阈值电压，在发光元件1110的第一电极和第二电极之间的电压大于或等于发光阈值电压时发光元件1110发光。

例如，如图20所示，像素电路1120包括驱动子电路1121、数据写入子电路1122、存储子电路1123、补偿子电路1124、发光控制子电路1125、第一复位子电路1126、和第二复位子电路1127。

例如，驱动子电路1121包括第一端、第二端和控制端，且被配置为生成驱动发光元件1110发光的驱动电流。例如，如图20所示，驱动子电路1121 的控制端电连接到节点Nd1，驱动子电路1121的第一端电连接到节点Nd2，驱动子电路1121的第二端电连接到节点Nd3。

例如，如图20所示，数据写入子电路1122与驱动子电路1121的第一端(即节点Nd2)和数据信号线分别电连接，且被配置为响应于扫描信号 Ga1，将数据信号线提供的数据信号Vdata写入驱动子电路1121的第一端。

例如，如图20所示，存储子电路1123分别电连接至电压端VDD和驱动子电路1121的控制端(即节点Nd1)，且被配置为存储基于数据信号Vdata 得到的补偿信号。

例如，如图20所示，补偿子电路1124分别电连接至驱动子电路1121 的第二端(即节点Nd3)和节点Nd1，且被配置为响应于补偿控制信号Ga2，对驱动子电路1121进行阈值补偿。存储子电路1123存储的补偿信号表示已经进行阈值补偿得到的信号。

例如，如图20所示，发光控制子电路1125分别电连接至驱动子电路1121 的第一端和第二端，且被配置为响应于发光控制信号EM，控制驱动子电路 1121产生的驱动电流传输至发光元件1110。例如，发光控制子电路1125包括第一发光控制子电路1125A和第二发光控制子电路1125B。第一发光控制子电路1125A电连接至驱动子电路1121的第一端(即节点Nd2)和电压端 VDD，且被配置为响应于发光控制信号EM，实现驱动子电路1121和电压端VDD之间的连接导通或断开。第二发光控制子电路1125B分别电连接至驱动子电路1121的第二端(即节点Nd3)和发光元件1110的第一电极E1，且被配置为响应于发光控制信号EM，实现驱动子电路1121和发光元件1110 (例如，发光元件1110的第一电极E1)之间的连接导通或断开。

例如，如图20所示，第一复位子电路1126分别电连接至节点Nd1(驱动子电路1121的控制端)和第一初始化电压端Vinit1，且被配置为响应于第一复位控制信号Re，对驱动子电路1121的控制端(即节点Nd1)进行复位，例如，第一复位子电路1126可以将第一初始化电压端Vinit1提供的第一初始化电压写入驱动子电路1121的控制端(即节点Nd1)，以对驱动子电路1121 的控制端进行复位。

例如，如图20所示，第二复位子电路1127与发光元件1110的第一电极和第二初始化电压端Vinit2分别电连接，且被配置为响应于第二复位控制信号Rst，对发光元件1110的第一电极E1进行复位，例如，第二复位子电路1127可以将第二初始化电压端Vinit2提供的第二初始化电压写入发光元件1110的第一电极E1，以对发光元件1110的第一电极E1进行复位。

例如，如图20所示，驱动子电路1121包括驱动晶体管T3，驱动子电路1121的控制端包括驱动晶体管T3的栅极，驱动子电路1121的第一端包括驱动晶体管T3的第一极，驱动子电路1121的第二端包括驱动晶体管T3 的第二极。

例如，如图20所示，数据写入子电路1122包括数据写入晶体管T4，数据写入晶体管T4的栅极被配置为接收扫描信号Ga1，数据写入晶体管T4 的第一极与数据信号线电连接，数据写入晶体管T4的第二极与驱动晶体管 T3的第一极电连接，也即数据写入晶体管T4的第二极电连接至节点Nd2。

例如，如图20所示，存储子电路1123包括存储电容Cst，存储电容Cst 的第一端与驱动晶体管T3的栅极电连接，也即存储电容Cst的第一端(第一极板)电连接至节点Nd1，存储电容Cst的第二端(第二极板)与电压端 VDD电连接。

例如，如图20所示，补偿子电路1124包括补偿晶体管T2，补偿晶体管T2的栅极被配置为接收补偿控制信号Ga2，补偿晶体管T2的第二极与驱动晶体管T3的第二极电连接，也即补偿晶体管T2的第二极电连接至节点 Nd3，补偿晶体管T2的第一极电连接至节点Nd1。

例如，如图20所示，第一发光控制子电路1125A包括第一发光控制晶体管T5，第二发光控制子电路1125B包括第二发光控制晶体管T6。例如，第一发光控制晶体管T5的栅极被配置为接收发光控制信号EM，第一发光控制晶体管T5的第一极与电压端VDD连接，第一发光控制晶体管T5的第二极与驱动子电路1221的第一端电连接，也即第一发光控制晶体管T5的第二极电连接至节点Nd2；第二发光控制晶体管T6的栅极被配置为接收发光控制信号EM，第二发光控制晶体管T6的第一极与驱动子电路1221的第二端电连接，也即第二发光控制晶体管T6的第一极电连接至节点Nd3，第二发光控制晶体管T6的第二极与发光元件1110的第一电极E1电连接。

需要说明的是，用于控制第一发光控制晶体管T5的信号和用于控制第二发光控制晶体管T6的信号也可以不相同。

例如，如图20所示，第一复位子电路1126包括第一复位晶体管T1，第二复位子电路1127包括第二复位晶体管T7，第一复位晶体管T1的第一极电连接至第一初始化电压端Vinit1，第一复位晶体管T1的第二极电连接至节点Nd1，第一复位晶体管T1的栅极被配置为接收第一复位控制信号Re，第二复位晶体管T7的第一极电连接至第二初始化电压端Vinit2，第二复位晶体管T7的第二极电连接至发光元件1110的第一电极E1，第二复位晶体管T7的栅极被配置为接收第二复位控制信号Rst。

例如，第二初始化电压端Vinit2的第二初始化电压的电压值大于第一初始化电压端Vinit1的第一初始化电压的电压值，通过提高第二初始化电压端 Vinit2的第二初始化电压，将发光元件1110内部的载流子进行重置，减少载流子的缺陷，增加器件稳定性，进一步改善屏幕闪烁的问题。然而，本实用新型的实施例不限于此，第二初始化电压端Vinit2的第二初始化电压的电压值也可以等于第一初始化电压端Vinit1的第一初始化电压的电压值。

例如，第一复位晶体管T1、补偿晶体管T2、驱动晶体管T3、数据写入晶体管T4、第一发光控制晶体管T5、第二发光控制晶体管T6、第二复位晶体管T7均为多晶硅薄膜晶体管，例如，低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管，本实用新型的实施例不限于此，第一复位晶体管T1、补偿晶体管T2、驱动晶体管T3、数据写入晶体管T4、第一发光控制晶体管T5、第二发光控制晶体管T6、第二复位晶体管T7中的至少部分也可以为氧化物晶体管。

例如，第一复位晶体管T1、补偿晶体管T2、驱动晶体管T3、数据写入晶体管T4、第一发光控制晶体管T5、第二发光控制晶体管T6、第二复位晶体管T7均为P型晶体管。然而，本实用新型的实施例不限于此，第一复位晶体管T1、补偿晶体管T2、驱动晶体管T3、数据写入晶体管T4、第一发光控制晶体管T5、第二发光控制晶体管T6、第二复位晶体管T7中的至少部分也可以为N型晶体管。

例如，电压端VDD输出的电压和电压端VSS输出的电压之一为高电压，另一个为低电压。例如，如图20所示的实施例中，电压端VDD输出的电压为恒定的正电压；而电压端VSS输出的电压为恒定的负电压。例如，在一些示例中，电压端VSS可以接地。

例如，在具体实施时，在本实用新型实施例中，第二初始化电压端Vinit2 输出的第二初始化电压Vi2与电压端VSS输出的电压Vss可以满足如下公式：Vi2-Vss<VEL，从而可以避免发光元件1110在非发光阶段发光。VEL 代表发光元件1110的发光阈值电压。

需要说明的是，除了7T1C(7个晶体管和1个电容)的像素电路，像素电路还可以是具有其余合适结构的电路，例如7T2C、8T2C、9T2C、6T1C、 6T2C等电路结构，在此不再赘述。

在对本实用新型实施例的像素阵列、显示装置描述之前，对下述描述中所提及的子像素、第一子像素、第二子像素、第三子像素等概念进行说明。在本实用新型实施例中，像素阵列是指显示基板中不同颜色的发光器件的排布结构，而并不限定用于驱动各发光器件的像素电路的排布结构。相应的，应当理解的是，本实用新型实施例中的子像素指代的是发光器件结构，第一子像素、第二子像素、第三子像素则代表三种不同颜色的子像素。其中，在本实用新型实施例中以第一子像素为红色子像素，第二子像素为绿色子像素，第三子像素为蓝色子像素为例进行说明。但第一子像素为红色子像素，第二子像素为绿色子像素、第三子像素为蓝色子像素并不构成对本实用新型实施例保护范围的限制。本实用新型实施例中所涉及的第一方向和第二方向二者中相交，例如，第一方向和第二方向中的一者为行方向，另一者为列方向，当然第一方向和第二方向也可以具有一定夹角的任何方向，在本实用新型实施例中以第一方向为行方向，第二方向为列方向为例进行说明。

通常决定各个子像素形状是像素限定层中的像素开口，发光层至少部分形成在像素开口中，也即在本实用新型实施例中所指的子像素的形状。而发光层的是通过FMM蒸镀形成的，也即FMM开口的形状则决定了发光层的形状，也就说在本实用新型实施例中发光层的形状、大小与FMM开口的形状、大小一致。因此，在本实用新型下述实施例的描述中，像素开口的则代表子像素的形状，发光区的形状则代表FMM开口的形状。当像素开口为四边形时，该子像素则为四边形。

对于任一子像素而言均具有显示中心(以下简称中心)，该中心是指该子像素的像素开口的平面几何中心。在本实用新型实施例中，各子像素还均具有虚拟中心，当子像素的形状为规整图形时，例如：子像素的形状为正多边形、圆形、椭圆形，该子像素的虚拟中心为该子像素的几何中心，也即该子像素的中心与虚拟中心重合。当子像素的形状并非为规整图形时，例如：子像素的形状相较于矩形而言至少一个顶角与其它顶角的形状不同等，此时该子像素的中心与其虚拟中心不再重合。对于这一类子像素的虚拟中心的确定可以采用如下方式，以该子像素的宽度的延伸方向和长度的延伸方向分别作为一限定四边形的宽度延伸方向和长度延伸方向，且该子像素的宽度和长度作为限定四边形的宽度和长度，该限定四边形的对角线的交点则可以作为该子像素的虚拟像素中心。其中，子像素的长度方向，例如多边形，长度方向可以为过其几何中心，与其中一边平行或垂直的最长尺寸，例如类似矩形为长边长度，类似六边形为过中心垂直一组平行边的连线长度；对于类似五边形，为垂直一边连接其对角的连线长度等；对于圆形或椭圆形，其长度方向分别为直径或长轴的方向，其他以此类推；子像素的宽度方向为垂直长度方向的方向。

另外，在本实用新型实施例中，以红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素中至少一者的形状包括多边形，在本实用新型实施例中以红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素均为多边形，且该多边形为四边形为例进行说明。多边形根据其形状可以三个以上的角部；其中，一对顶角是指，例如为多边形包括N个顶角，从同一个顶角作为起点，依次为各个顶角进行排序，第1 个和N/2+1个顶角为对角，第2个和第N/2+1个顶角为对角，…，第N/2-1 个顶角和第N个顶角为对角；例如四边形或者类似四边形的包括四个顶角。每个多边形包括四个顶角，分别为第一角部、第二角部、第三角部、第四角部；其中，第一角部和第三角部相对设置，第二角部和第四角部相对设置为例。当然，应当理解的是，若子像素为多边形时，其顶角的数量也可以为更多个，在本实用新型实施例中对此并不进行限制。但是在需要说明的是，在本公实施例中所谓的顶角并非一定为两条线之间的夹角，实际上还可以是某一顶角的两条边向其顶点延伸交汇的部分形成为一弧线段或直线段以使得该顶角成为圆倒角或者平倒角。为了清楚本实用新型实施例中像素阵列中的各个子像素的结构，以下结合像素阵列的制备方法，对本实用新型实施例的像素阵列的膜层结构进行说明。图21A为一种示例性的像素阵列的膜层结构示意图；如图1所示，该方法具体可以包括如下步骤：

(1)、在玻璃载板上制备衬底基板。

在一些示例性实施方式中，衬底基板10可以为柔性衬底基板，例如包括在玻璃载板上叠设的第一柔性材料层、第一无机材料层、半导体层、第二柔性材料层和第二无机材料层。第一柔性材料层、第二柔性材料层的材料采用聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)或经表面处理的聚合物软膜等材料。第一无机材料层、第二无机材料层的材料采用氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)等，用于提高衬底基板的抗水氧能力，第一无机材料层、第二无机材料层也称之为阻挡(Barrier)层。半导体层的材料采用非晶硅(a-si)。在一些示例性实施方式中，以叠层结构PI1/Barrier1/a-si/PI2/Barrier2为例，其制备过程包括：先在玻璃载板1上涂布一层聚酰亚胺，固化成膜后形成第一柔性(PI1)层；随后在第一柔性层上沉积一层阻挡薄膜，形成覆盖第一柔性层的第一阻挡(Barrier1)层；然后在第一阻挡层上沉积一层非晶硅薄膜，形成覆盖第一阻挡层的非晶硅(a-si)层；然后在非晶硅层上再涂布一层聚酰亚胺，固化成膜后形成第二柔性(PI2)层；然后在第二柔性层上沉积一层阻挡薄膜，形成覆盖第二柔性层的第二阻挡(Barrier2)层，完成衬底基板10的制备，如图26所示。

(2)、在衬底基板上制备驱动结构层。驱动结构层包括多个驱动电路，每个驱动电路包括多个晶体管和至少一个存储电容，例如2T1C、3T1C或 7T1C设计。以三个子像素为例进行示意，且每个子像素的驱动电路仅以一个晶体管和一个存储电容为例进行示意。

在一些实施例中，驱动结构层的制备过程可以参照以下说明。以红色子像素的驱动电路的制备过程为例进行说明。

在衬底基板10上依次沉积第一绝缘薄膜和有源层薄膜，通过构图工艺对有源层薄膜进行构图，形成覆盖整个衬底基板010的第一绝缘层011，以及设置在第一绝缘层011上的有源层图案，有源层图案至少包括第一有源层。

随后，依次沉积第二绝缘薄膜和第一金属薄膜，通过构图工艺对第一金属薄膜进行构图，形成覆盖有源层图案的第二绝缘层012，以及设置在第二绝缘层012上的第一栅金属层图案，第一栅金属层图案至少包括第一栅电极和第一电容电极。

随后，依次沉积第三绝缘薄膜和第二金属薄膜，通过构图工艺对第二金属薄膜进行构图，形成覆盖第一栅金属层的第三绝缘层013，以及设置在第三绝缘层013上的第二栅金属层图案，第二栅金属层图案至少包括第二电容电极，第二电容电极的位置与第一电容电极的位置相对应。

随后，沉积第四绝缘薄膜，通过构图工艺对第四绝缘薄膜进行构图，形成覆盖第二栅金属层的第四绝缘层014图案，第四绝缘层014上开设有至少两个第一过孔，两个第一过孔内的第四绝缘层014、第三绝缘层013和第二绝缘层012被刻蚀掉，暴露出第一有源层的表面。

随后，沉积第三金属薄膜，通过构图工艺对第三金属薄膜进行构图，在第四绝缘层014上形成源漏金属层图案，源漏金属层至少包括位于显示区域的第一源电极和第一漏电极。第一源电极和第一漏电极可以分别通过第一过孔与第一有源层连接。

显示区域的红色子像素的驱动电路中，第一有源层、第一栅电极、第一源电极和第一漏电极可以组成第一晶体管210，第一电容电极和第二电容电极可以组成第一存储电容212。在上述制备过程中，可以同时形成绿色子像素的驱动电路以及蓝色子像素的驱动电路。

在一些示例性实施方式中，第一绝缘层011、第二绝缘层012、第三绝缘层013和第四绝缘层014采用硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的任意一种或更多种，可以是单层、多层或复合层。第一绝缘层011称之为缓冲(Buffer)层，用于提高衬底基板的抗水氧能力；第二绝缘层012和第三绝缘层013称之为栅绝缘(GI，Gate Insulator)层；第四绝缘层014称之为层间绝缘(ILD，Interlayer Dielectric)层。第一金属薄膜、第二金属薄膜和第三金属薄膜采用金属材料，如银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、钛(Ti)和钼(Mo)中的任意一种或更多种，或上述金属的合金材料，如铝钕合金(AlNd)或钼铌合金(MoNb)，可以是单层结构，或者多层复合结构，如Ti/Al/Ti等。有源层薄膜采用非晶态氧化铟镓锌材料 (a-IGZO)、氮氧化锌(ZnON)、氧化铟锌锡(IZTO)、非晶硅(a-Si)、多晶硅(p-Si)、六噻吩、聚噻吩等一种或多种材料，即本实用新型适用于基于氧化物(Oxide)技术、硅技术以及有机物技术制造的晶体管。

(3)、在形成前述图案的衬底基板上形成平坦层。

在一些示例性实施方式中，在形成前述图案的衬底基板010上涂覆有机材料的平坦薄膜，形成覆盖整个衬底基板010的平坦(PLN，Planarization) 层015，并通过掩膜、曝光、显影工艺，在显示区域的平坦层015上形成多个第二过孔。多个第二过孔内的平坦层015被显影掉，分别暴露出红色子像素的驱动电路的第一晶体管210的第一漏电极的表面、绿色子像素的驱动电路的第一晶体管的第一漏电极的表面以及蓝色颜色子像素03的驱动电路的第一晶体管的第一漏电极的表面。

(4)、在形成前述图案的衬底基板上，形成第一电极图案。在一些示例中，第一电极为反射阳极。

在一些示例性实施方式中，在形成前述图案的衬底基板010上沉积导电薄膜，通过构图工艺对导电薄膜进行构图，形成第一电极图案。红色子像素的第一阳极213通过第二过孔与第一晶体管210的第一漏电极连接，绿色子像素2的第二阳极223通过第二过孔与绿色子像素的第一晶体管的第一漏电极连接，蓝色子像素23的第三阳极233通过第二过孔与蓝色子像素的第一晶体管的第一漏电极连接。

在一些示例中，第一电极可以采用金属材料，如镁(Mg)、银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、钛(Ti)和钼(Mo)中的任意一种或更多种，或上述金属的合金材料，如铝钕合金(AlNd)或钼铌合金(MoNb)，可以是单层结构，或者多层复合结构，如Ti/Al/Ti等，或者，是金属和透明导电材料形成的堆栈结构，如ITO/Ag/ITO、Mo/AlNd/ITO等反射型材料。

(5)、在形成前述图案的衬底基板上，形成像素限定(PDL，Pixel DefinitionLayer)层图案。

在一些示例性实施例方式中，在形成前述图案的衬底基板010上涂覆像素限定薄膜，通过掩膜、曝光、显影工艺，形成像素限定层图案。如图32 所示，显示区域的像素限定层30包括多个像素限定部3302，相邻像素限定部3302之间形成有多个像素开口3301，多个像素开口3301内的像素限定层 30被显影掉，分别暴露出红色子像素的第一阳极213的至少部分表面、绿色子像素的第二阳极223的至少部分表面以及蓝色子像素的第三阳极233的至少部分表面。

在一些示例中，像素限定层30可以采用聚酰亚胺、亚克力或聚对苯二甲酸乙二醇酯等。

(6)、在形成前述图案的衬底基板上，形成隔垫柱(PS，Post Spacer) 图案。

在一些示例性实施方式中，在形成前述图案的衬底基板010上涂覆有机材料薄膜，通过掩膜、曝光、显影工艺，形成隔垫柱34图案。隔垫柱34可以作为支撑层，配置为在蒸镀过程中支撑FMM(高精度掩膜版)。在一些示例中，沿着子像素的行排布方向上，相邻两个隔垫柱34之间间隔一个重复单元，例如，隔垫柱34可以位于相邻的红色子像素和蓝色色子像素03之间。

(7)、在形成前述图案的衬底基板上，依次形成有机功能层以及第二电极。在一些示例中，第二电极为透明阴极。发光元件可以通过透明阴极从远离衬底基板010一侧出光，实现顶发射。在一些示例中，发光元件的有机功能层包括：空穴注入层、空穴传输层、发光层以及电子传输层。

在一些示例性实施方式中，在形成前述图案的衬底基板010上采用开放式掩膜版(Open Mask)依次蒸镀形成空穴注入层241和空穴传输层242，然后采用FMM依次蒸镀形成蓝色发光层236、绿色发光层216和红色发光层226，然后采用开放式掩膜版依次蒸镀形成电子传输层243、阴极244以及光耦合层245。空穴注入层241、空穴传输层242、电子传输层243以及阴极244均为多个子像素的共通层。在一些示例中，有机功能层还可以包括：位于空穴传输层和发光层之间的微腔调节层。例如，可以在形成空穴传输层之后，采用FMM依次蒸镀形成蓝色微腔调节层、蓝色发光层、绿色微腔调节层、绿色发光层、红色微腔调节层、红色发光层。

在一些示例性实施例中，如图21A所示，由于FMM开口的限制蒸镀所形成的相邻设置的蓝色发光层236、绿色发光层216和红色发光层226之间可以存在交叠。图21B为另一种示例性的像素阵列的膜层结构示意图，由图 21B可以看出的是，相邻设置的蓝色发光层236、绿色发光层216和红色发光层226之间也可以无交叠，也就是说，通过选用不同的开口尺寸的FMM，所形成的发光层的尺寸也不同。在一些示例性实施方式中，有机功能层形成在子像素区域内，实现有机功能层与阳极连接。阴极形成在像素限定层上，并与有机功能层连接。

在一些示例性实施方式中，阴极可以采用镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al) 中的任意一种或更多种，或采用上述金属中任意一种或多种制成的合金，或者采用透明导电材料，例如，氧化铟锡(ITO)，或者，金属与透明导电材料的多层复合结构。

在一些示例性实施方式中，可以在阴极244远离衬底基板10的一侧形成光耦合层，光耦合层可以为多个子像素的共通层。光耦合层可以与透明阴极配合，起到增加光输出的作用。例如，光耦合层的材料可以采用半导体材料。然而，本实施例对此并不限定。

(8)、在形成前述图案的衬底基板上，形成封装层。

在一些示例性实施方式中，在形成前述图案的衬底基板010上形成封装层，封装层可以包括叠设的第一封装层41、第二封装层42和第三封装层43。第一封装层41采用无机材料，在显示区域覆盖阴极244。第二封装层42采用有机材料。第三封装层43采用无机材料，覆盖第一封装层41和第二封装层42。然而，本实施例对此并不限定。在一些示例中，封装层可以采用无机 /有机/无机/有机/无机的五层结构。第一封装层41、第二封装层42和第三封装层43可分别称作第一封装薄膜、第二封装薄膜和第三封装薄膜。

图22示意出一种示例性的像素阵列的示意图，如图22所示，该像素阵列包括多行第一像素组1和多行第二像素组2，且第一像素组1和第二像素组2交替设置。第一像素组1由交替设置的红色子像素R和蓝色子像素B 交替设置形成，且多行第一像素组1中位于同一列的红色子像素R和蓝色子像素B同样交替设置。第二像素组2由多个绿色子像素G并排设置形成，且绿色子像素G与相邻行中的红色子像素R和蓝色子像素B的交错设置。对于该种像素排布而言，可将该像素阵列划分为呈阵列排布的重复单元，每个重复单元包括两行四列子像素，也即每个重复单元中包括1个红色子像素 R、1个蓝色子像素B和2个绿色子像素G，红色子像素R和蓝色子像素B 为共用子像素，通过虚拟算法，可以使得4个子像素实现2个虚拟像素单元的显示。例如：第一行第二个重复单元中的红色子像素R与第一行第一个重复单元中的蓝色子像素B以及与之最靠近的绿色子像素G形成一个虚拟像素单元，同时第一行第二个重复单元中的红色子像素R与还与该重复单元中的蓝色子像素B以及与之最靠近的绿色子像素G形成一个虚拟像素单元；另外，第一行第二个重复单元中的蓝色子像素B还该重复单元中的另一个绿色子像素G以及第一行第三个重复单元中之最靠近的红色子像素R形成一个虚拟像素单元，从而可以有效的提高应用该像素阵列的显示面板的分辨率。

一方面，图23为本实用新型实施例的一种像素阵列的示意图；图24为本实用新型实施例的一种第一虚拟多边形中各个子像素的排布示意图；图25 为图24的第一虚拟多边形中一个第二虚拟四边形中各个子像素的排布示意图；图26为图24的第一虚拟多边形中一个第三虚拟四边形中各个子像素的排布示意图；图27为图24的第一虚拟多边形中一个虚拟等腰梯形300中各个子像素的排布示意图，如图23至图27所示，本实用新型实施例提供一种像素阵列，其包括多个子像素，多个子像素包括红色子像素R、绿色子像素 G和蓝色子像素B。

继续参照图23，该像素阵列中的红色子像素R和蓝色子像素B在行方向上交替设置形成第一像素组1；绿色子像素G在行方向间隔设置形成第二像素组2；红色子像素R和蓝色子像素B在列方向交替设置形成第三像素组 3；绿色子像素G在列方向间隔设置形成第四像素组4。第一像素组1和第二像素组2在列方向上交替排布；第三像素组3和第四像素组4在行方向上交替排布。在本实用新型实施例中，位于相邻两个第一像素组1和相邻两个第三像素组2的中的两个红色子像素R和蓝色子像素B虚拟中心的依次连线，构成一第二虚拟四边形100，且任意两相邻设置的第二虚拟四边形100 共邻边。其中，邻边可以为例如一个第一像素组1中相邻的红色子像素R和蓝色子像素B的虚拟中心连线，或者一个第三像素组3中相邻的红色子像素 R和蓝色子像素B的虚拟中心连线。每个第二虚拟四边形100内设置一个绿色子像素G。呈阵列排布的四个第二虚拟四边形100以共邻边的方式构成一第一虚拟多边形10。例如：参照图25，本实用新型实施例中一个第一虚拟多边形10包括13个子像素，其中8个子像素位于第一虚拟多边形10的边上，分别为4个红色子像素R和4个蓝色子像素B；5个子像素位于第一虚拟多边形内，分别为1个红色子像素R和4个绿色子像素G。另外，由图 25可以看出的是，第一虚拟多边形10可以是六边形，且为凹六边形，具有三组平行边，其中最长的一组平行边平行行方向或列方向。其中四个虚拟等腰梯形300相对该六边形最长边的一条直线对称，例如上下对称。

在本实用新型实施例中，在第一虚拟多边形10内存在一第一虚拟点P，且该第一虚拟点P与四个蓝色子像素B中的连线，将第一虚拟多边形10分割成四个虚拟等腰梯形300。

在此需要说明的是，本实用新型实施例中的虚拟等腰梯形300并非严格意义上的等腰梯形，只要是等腰梯形的两个底角相差10°以内的任何梯形均认为是本实用新型实施例中所谓的等腰梯形。

在本实用新型实施例中，通过设计红色子像素R、绿色子像素G和蓝色子像素B的排布方式，可以有效的应该本实用新型实施例的显示装置的显示效果，提高显示细腻度，降低边缘锯齿感和显示颗粒感。

在一些实施例中，红色子像素R和蓝色子像素B的面积均比绿色子像素G面积大，以此可以改善显示器件的寿命。

在一些实施例中，一个第一虚拟多边形10中的四个蓝色子像素B的虚拟中心所连接形成的第三虚拟四边形200包括但不限于正方形，例如还可以是菱形、平行四边形等。在本实用新型实施例中以第三虚拟四边形200为正方形为例进行说明。该第三虚拟四边形200的第一边201和第二边202相对设置，第三边203和第四边204相对设置，该第三虚拟四边形200的两条对角线分别为S1和S2。

在此需要说明的是，本实用新型实施例中，第三虚拟四边形200的四个边按照逆时针第一边201、第三边203、第二边202、第四边204、的顺序首尾连接为四边形或顺时针第一边201、第四边204、第二边202、第三边203 的顺序首尾连接。

在一些示例中，像素阵列中的绿色子像素G具有两种尺寸；其中，位于奇数列(奇数个第四像素组4)中的绿色子像素G尺寸大小相同，位于偶数列(偶数个第四像素组4)中的绿色子像素G尺寸大小相同；或者，位于同一列(第四像素组)的中的各奇数行的绿色子像素G尺寸大小相同，位于偶数行的绿色子像素G尺寸大小相同。

在一些示例中，像素阵阵列中的两种尺寸的绿色子像素G尺寸大小为 0.5-2，进一步的两种尺寸的绿色子像素G尺寸大小为0.7-1.5。

在一些示例中，同一所述第一虚拟多边形10内的四个绿色子像素G的尺寸大小均相等；当然在本实用新型实施例中，也可以是像素阵列中所有的绿色子像素G的尺寸大小均相等，该种情况便于绿色子像素G的制备。

在一些实施例中，如图24所示，第一虚拟多边形10内的红色子像素R 的虚拟中心可以位于第三虚拟四边形200的中心，也即位于S1和S2的交点位置。在一些实施例中，第一虚拟多边形10内的红色子像素R的虚拟中心也可以不位于第三虚拟四边型的中心，例如位于除了S1和S2的中心点位置外，S1和S2上的任何位置。

在一些实施例中，当第一像素组1中的红色子像素R和蓝色子像素B 的虚拟中心的连线大致在同一条直线上时，第一虚拟多边形10内的红色子像素R的虚拟中心和第一虚拟点P均位于S1上。当然，当第三像素组3中的红色子像素R和蓝色子像素B的虚拟中心连线大致在同一条直线上时，第一虚拟多边形10内的红色子像素R的虚拟中心和第一虚拟点P均位于S2 上。

在一些实施例中，红色子像素R、绿色子像素G、蓝色子像素B中至少一者的第一角部的顶点到虚拟中心的距离与第一角部的对角到虚拟中心的距离不等，例如：红色子像素R、绿色子像素G、蓝色子像素B中至少一者的第一角部的顶点到虚拟中心的距离小于第一角部的对角到虚拟中心的距离。红色子像素R、绿色子像素G、蓝色子像素B的第一角部均可以为圆倒角或者平倒角。

在一些实施例中，位于第一像素组1中的红色子像素R和与之相邻的两个蓝色子像素B之间的距离不等，以此提高像素开口率。

在一些示例中，为了保证各个子像素更加紧凑，可以有效的提高开口率。将每个子像素的发光区和其像素开口之间的距离设置在5-20μm左右，进一步的在8-18μm左右；在一些是示例中，发光颜色相同的两个所述子像素的像素开口之间的距离在5-20μm左右，进一步的在8-18μm左右左右，例如位于同一行的两个红色子像素R之间的间距在10-20μm左右。相应的，在一些示例中，发光颜色相同的两个子像素的发光区的之间的距离为5-20μm 左右，进一步的在8-18μm左右，进一步的在1-5μm左右。而对于各个子像素发光区之间的距离，像素开口之间的距离，以及发光区与像素开口之间的距离可以根据面板尺寸、分辨率、开口率的要求进行进一步的设定。在一些实施例中，如图27所示，虚拟等腰梯形300的顶边和底边分别为L1和 L2，虚拟等腰梯形300的递交为θ，45°＜θ＜135°；L1＝Pitch+Pitch*cot θ；L2＝Pitch-Pitch*cotθ，也即L1/L2＝Pitch+Pitch*cotθ/Pitch-Pitch*cotθ；其中，Pitch为像素节距；像素节距为位于同一第一像素组1(或者第三像素组3)中相邻的红色子像素R的虚拟中心之间距离的一半，或者，位于同一所述第一像素组1(或者第三像素组3)中相邻的蓝色子像素B的虚拟中心之间距离的一半，或者位于同一第二像素组2(第四像素组4)中相邻的绿色子像素G的虚拟中心之间的距离。其中，像素节距例如为沿行方向相邻两个红色子像素R中的像素开口的虚拟中心之间的距离的一半。在一些示例中，像素节距例如大概为2个子像素的像素驱动电路在行方向的尺寸。在一些示例中，节距大概为1个子像素的像素驱动电路在列方向的尺寸。在一些示例中，像素节距大致等于显示区行方向尺寸除以行方向像素数量，或者显示区列方向尺寸除以列方向像素数量。例如，对于QHD(Quarter HighDefinition)产品，分辨率为960x540，像素节距大致等于显示区行方向尺寸除以960，或者显示区列方向尺寸除以540；对于HD(High Definition)产品，像素节距大致等于显示区行方向尺寸除以1280，或者显示区列方向尺寸除以720；对于FHD(Full High Definition)产品，像素节距大致等于显示区行方向尺寸除以1920，或者显示区列方向尺寸除以1080；对于QHD(Quad High Definition)产品，像素节距大致等于显示区行方向尺寸除以2560，或者显示区列方向尺寸除以1440；对于UHD(Ultra High Definition)产品，像素节距大致等于显示区行方向尺寸除以3840，或者显示区列方向尺寸除以 2160。

以下结合具体示例对第一虚拟多边形10中的各个子像素进行说明。

在一个示例中，如图24所示，红色子像素R、绿色子像素G、蓝色子像素B均为四边形(例如：正方形、矩形等)，此时，红色子像素R、绿色子像素G、蓝色子像素B的虚拟中心则为各自中心(对角线的交点)。呈阵列排布的两个红色子像素R和蓝色子像素B中心的依次连线，构成一第二虚拟四边形100，且任意两相邻设置的第二虚拟四边形100共边。每个第二虚拟四边形100内设置一个绿色子像素G。呈阵列排布的四个第二虚拟四边形100构成一第一虚拟多边形10。如图24所示，该第一虚拟多边形10上的、位于同一行的红色子像素R和蓝色子像素B的中心大致在同一条直线上，此时该第一虚拟多边形10为六边形。在第一虚拟多边形10内存在一第一虚拟点P，且该第一虚拟点P位于S1上，并与四个蓝色子像素B中心的连线，将第一虚拟多边形10分割成四个虚拟等腰梯形300。

继续参照图26，第一虚拟多边形10上的四个蓝色子像素B的中心的依次连线构成一第三虚拟四边形200，该第三虚拟四边形200包括但不限于正方形。在本实用新型实施例中以第三虚拟四边形200为正方形为例进行描述。其中，第三虚拟四边形200的两条对角线分别为S1和S2，第一虚拟点P位于S1上。第一虚拟多边形10内的红色子像素R位于第三虚拟四边形200 的中心，也即位于S1和S2的交点位置。继续参照图26，一个虚拟等腰梯形300内设置有一个绿色子像素G，且位于同一列(第二像素组2)的绿色子像素G的尺寸大小相同，而位于同一行(第四像素组4)的绿色子像素G 的尺寸大小不同。但这个四个绿色子像素G与第一虚拟多边形10内的红色子像素R之间距离相等，也即d1＝d2＝d3＝d4。当然，这个四个绿色子像素G 与第一虚拟多边形10内的红色子像素R之间距离也可以不等。每个虚拟等腰梯形300内的蓝色子像素B的中心位于该虚拟等腰梯形300上的两个蓝色子像素B的中心的连线的中垂线上。也就是说，位于左上角位置处的虚拟等腰梯形300内的绿色子像素G的中心位于第一边201的中垂线上；位于右下角位置处的虚拟等腰梯形300内的绿色子像素G的中心位于第二边202的中垂线上；位于右上角位置处的虚拟等腰梯形300内的绿色子像素G的中心位于第三边203的中垂线上；位于左下角位置处的虚拟等腰梯形300内的绿色子像素G的中心位于第四边204的中垂线上。进一步的，该第一虚拟多边形 10内的四个绿色子像素G以S1为对称轴呈镜像对称设置。

在一些实施例中，对于任一虚拟等腰梯形300内的绿色子像素G的中心与两个蓝色子像素B的中心的连线之间的距离大致相等。当然，根据像素阵列的尺寸不同，绿色子像素G的中心与两个蓝色子像素B的中心的连线之间的距离也可以不等。在需要说明的是，在本实用新型实施例中大致相等表示相等，或者二者之间的差值在预设范围内。

在另一个示例中，图28为本实用新型实施例的另一种第一虚拟多边形 10的示意图；如图28所示，该第一虚拟多边形10与图28所示的第一虚拟多边形10上像素分布大致相同，区别仅在于绿色子像素G的分布方式不同。在图28中，四个绿色子像素G同样包括两种尺寸的绿色子像素G，其中，位于同一行(同一第二像素组2)中的绿色子像素G的尺寸大小不同，位于同一列(同一第四像素)中的绿色子像素G的尺寸大小也不同。对于第一虚拟多边形10中的红色子像素R和蓝色子像素B的形状、尺寸、排布方式均与图24中的排布方式相同，故在此不再重复赘述。

在另一个示例中，图29为本实用新型实施例的另一种第一虚拟多边形 10的示意图；如图29所示，该第一虚拟多边形10与图29所示的第一虚拟多边形10上像素分布大致相同，区别仅在于绿色子像素G的尺寸不同。在图29所述的第一虚拟多边形10中，四个绿色子像素G的尺寸大小相同。对于第一虚拟多边形10中的红色子像素R和蓝色子像素B的形状、尺寸、排布方式均与图24中的排布方式相同，故在此不再重复赘述。

在另一个示例中，图30为本实用新型实施例的另一种第一虚拟多边形 10的示意图；如图30所示，该第一虚拟多边形10与图29所示的第一虚拟多边形10上像素分布大致相同，区别仅在于绿色子像素G的形状不同，该种第一虚拟多边形10中的绿色子像素G的一个角部为圆倒角。当然，第一虚拟多边形10中的绿色子像素G的一个角部也可以为平倒角，当然，绿色子像素G的一条边也可以为弧形，也即绿色子像素G为扇形。进一步的，四个绿色子像素G以S2为对称轴呈镜像对称设置。例如：位于同一列的两个绿色子像素G的圆倒角的朝向不同，其中一行中的两个绿色子像素G的圆倒角相对设置，另一行中的两个绿色子像素G的圆倒角相背设置。可以理解的是，对于第一虚拟多边形10四个绿色子像素G也不局限于上述的排布方式，在本实用新型实施例中只要是位于同一第二像素组2中的相邻的绿色子像素G的第一角部朝向不同；位于同一第四像素组4中的相邻的绿色子像素G的第一角部朝向不同；且相邻的第四像素组4中的第二子像素G以列方向为对称轴相互为轴对称图形。例如：位于第二像素组2中的相邻的绿色子像素G中一者的第一角部朝左，另一者的第一角部朝右，与此同时，位于第四像素组4中的相邻的绿色子像素G中一者的第一角部朝左，另一者的第一角部朝右。进一步的，位于同一第二像素组2中的相邻的绿色子像素G的第一角部朝向大致相反；位于同一第四像素组4中的相邻的绿色子像素的第一角部朝向大致相反。需要说明的是，此处的大致相反是指该绿色子像素G 的对应的限定四边形的相对的对角，其中的一个绿色子像素G为其中一个对角，另一个绿色子像素G对应的就是另一个对角；或者，该两个绿色子像素 G的虚拟中心到第一角部的方向，大致为相反的方向，例如其中一个的从虚拟中心到第一角部的连线反向延长线，与另一个的虚拟中心到第一角部的连线大致平行，或夹角小于30°。

对于图30中的第一虚拟多边形10中的红色子像素R和蓝色子像素B 的形状、尺寸、排布方式均与图29中的排布方式相同，故在此不再重复赘述。

在另一个示例中，图31为本实用新型实施例的另一种第一虚拟多边形 10的示意图；如图31所示，该第一虚拟多边形10与图24所示的第一虚拟多边形10上像素分布大致相同，区别仅在于红色子像素R中心的位置不同，位于该第一虚拟多边形10内的红色中心并不位于第三虚拟四边形200的中心，该红色子像素R的中心位于S1上。若四个绿色子像素G到该红色子像素R的距离相等，此时相较于图24中的绿色子像素G的位置也会相应的调整，但对于红色子像素R、绿色子像素G、蓝色子像素B的尺寸、形状均与图24所示的第一虚拟多边形10相同，在此不再重复赘述。

在另一个示例中，图32为本实用新型实施例的另一种第一虚拟多边形 10的示意图；如图32所示，该第一虚拟多边形10与图28所示的第一虚拟多边形10上像素分布大致相同，区别仅在于红色子像素R中心的位置不同，位于该第一虚拟多边形10内的红色中心并不位于第三虚拟四边形200的中心，该红色子像素R的中心位于S1上。若四个绿色子像素G到该红色子像素R的距离相等，此时相较于图28中的绿色子像素G的位置也会相应的调整，但对于红色子像素R、绿色子像素G、蓝色子像素B的尺寸、形状均与图28所示的第一虚拟多边形10中相同，在此不再重复赘述。

在另一个示例中，图33为本实用新型实施例的另一种第一虚拟多边形 10的示意图；如图33所示，该第一虚拟多边形10与图29所示的第一虚拟多边形10上像素分布大致相同，区别仅在于红色子像素R中心的位置不同，位于该第一虚拟多边形10内的红色中心并不位于第三虚拟四边形200的中心，该红色子像素R的中心位于S1上。若四个绿色子像素G到该红色子像素R的距离相等，此时相较于图29中的绿色子像素G的位置也会相应的调整，但对于红色子像素R、绿色子像素G、蓝色子像素B的尺寸、形状均与图29所示的第一虚拟多边形10中相同，在此不再重复赘述。

在另一个示例中，图34为本实用新型实施例中的另一种第一虚拟多边形10的示意图，如图34所示，组成该第一虚拟多边形10的四个第二虚拟四边形100为虚拟等腰梯形300，也即第一虚拟点P位于第一虚拟多边形10 内的红色子像素R的虚拟中心。具体的该第一虚拟多边形10中的红色子像素R、绿色子像素G、蓝色子像素B均具有第一角部；其中，红色子像素R 的第一角部和蓝色子像素B的第一角部均为平倒角，而绿色子像素G为扇形。当然，红色子像素R和蓝色子像素B的第一角部也可以是圆倒角，绿色子像素G也可以具有第一角部的多边形，图34中仅以红色子像素R的第一角部和蓝色子像素B的第一角部均为平倒角，而绿色子像素G为扇形为例进行说明。本实用新型实施例中的像素阵列可以划分为多个第四虚拟四边形400，且任一虚拟四边形内包括位于同一列(第四像素组4)的两个相邻设置的绿色子像素G和位于同一行(第一像素组1)的两个相邻设置的红色子像素R和蓝色子像素B。第四虚拟四边形400内的两个绿色子像素G的弧的顶点的连线的延伸方向与列方向平行，且两个绿色子像素G以行方向为对称轴镜像对称设置，例如：一个绿色子像素G的第一角部朝上，另一个绿色子像素G的弧朝下突出。第四虚拟四边形400内的红色子像素R和蓝色子像素B第一角部相对设置。每个第四虚拟四边形400内的红色子像素R 的第一角部和蓝色子像素B的第一角部相对设置，例如：红色子像素R的第一角部朝右，蓝色子像素B的第一角部朝左。在本实用新型实施例中将第四虚拟四边形400内的红色子像素R、绿色子像素G和蓝色子像素B按照方式排布方式设置，可以使得第四虚拟四边形400内的绿色子像素G尽量靠近红色子像素R和蓝色子像素B，可以提高像素的总开口率，同时绿色子像素G的分布也会更加均匀，该种排布方式可以有效的改善显示效果，提高显示细腻度，降低边缘锯齿感和显示颗粒感。

继续参照图34，位于同一行(第一像素组1)中的红色子像素R和蓝色子像素B的虚拟中心的连线大致在同一条直线上，且红色子像素R与其相邻的两个蓝色子像素B之间的间距不同，例如：一个红色子像素R的第一角部和一个蓝色子像素B的第一角部相对，则该红色子像素R的第一角部的对角则可以另一个蓝色子像素B的第一角部的对角相对，此时，第一角部相对的红色子像素R和蓝色子像素B之间的间距小于第一角部的对角相对的红色子像素R和蓝色子像素B之间的间距。当然，在像素阵列中，也可以是位于同一行的蓝色子像素B与其相邻的两个红色子像素R之间的间距不同。如图34所示，位于同一列的(第三像素组3)中的红色子像素R和蓝色子像素B的虚拟中心的连线不在同一条直线上，但是，位于同一列的红色子像素R的虚拟中心的连线可以大致在同一条直线上，位于同一列的蓝色子像素B的虚拟中心的连线可以大致在同一条直线上。应当理解的是，第一像素组1中的红色子像素R和蓝色子像素B的排布方式与第三像素组3中的红色子像素R和蓝色子像素B的排布方式可以互换，也即，位于同一列 (第三像素组3)中的红色子像素R和蓝色子像素B的虚拟中心的连线大致在同一条直线上，且红色子像素R与其相邻的两个蓝色子像素B之间的间距不同；位于同一行的(第以像素组)中的红色子像素R和蓝色子像素B 的虚拟中心的连线不在同一条直线上，但是，位于同一列的红色子像素R的虚拟中心的连线可以大致在同一条直线上，位于同一列的蓝色子像素B的虚拟中心的连线可以大致在同一条直线上。

在一些实施例中，相邻的绿色子像素G的像素开口之间的最近距离大于相邻的红色子像素R和蓝色子像素B的像素开口之间的最近距离。之所以如此设置是为了绿色子像素G与红色子像素R和蓝色子像素B更紧凑，以提高像素的整体开口率。

在一些实施例中，图35为图34的第一虚拟多边形10中的各个子像素的发光层的示意图；如图35所示，每个子像素均具有各自的发光层，且每个子像素的发光层的形状与每个子像素(或者说子像素的像素开口)的形状大致相同，或者完全相同。也即，红色子像素R的发光层01的形状与红色子像素R的形状相同；绿色子像素G的发光层01的形状与绿色子像素G的形状相同；蓝色子像素B的发光层03的形状与蓝色子像素B的形状相同。每个虚拟等腰梯形300内的绿色子像素G的发光层位于该第一虚拟等腰梯形的顶角位置处的两个红色子像素R的发光层和两个蓝色子像素B的发光层所限定的范围内。图36为图34的第一虚拟多边形10中的第四虚拟四边形 400的各子像素的发光层的分布示意图；如图36所示，位于第四虚拟四边形400内的各个子像素的发光层的边界至少部分接触。进一步的，每个绿色子像素G的发光层02的边界和与之位于同一虚拟等腰梯形300，且位于同一第四虚拟四边形400内的红色子像素R的发光层01和蓝色子像素B的发光层03边界接触。这样一来，可以使得绿色子像素G尽量靠近红色子像素R 和蓝色子像素B，从而可以提高像素总开口率，同时使得绿色子像素G的分布更加均匀。

在另一个示例中，图37为本实用新型实施例中的另一种第一虚拟多边形10的示意图，如图37所示，该第一虚拟多边形10中的红色子像素R和蓝色子像素B的形状为矩形(或者正方形)，绿色子像素G为具有第一角部的多边形，该绿色子像的第一角部可以为平倒角或者圆倒角，在图37中以绿色子像素G的第一角部为圆倒角为例。图37中的各子像素排布方式与图 35一致，故在此不再重复赘述。

在一些实施例中，图38为图37的第一虚拟多边形10中的各个子像素的发光层的示意图；如图38所示，每个子像素均具有各自的发光层，且每个子像素的发光层的形状均相同，也即，红色子像素R的发光层01、绿色子像素G的发光层02和蓝色子像素的发光层03形状相同；例如每个发光层的形状均为矩形(或者正方形)。每个虚拟等腰梯形内的绿色子像素G的发光层02位于该第一虚拟等腰梯形的顶角位置处的两个红色子像素R的发光层01和两个蓝色子像素B的发光层03所限定的范围内。位于第四虚拟四边形400内的各个子像素的发光层的边界至少部分接触。进一步的，每个绿色子像素G的发光层02的边界和与之位于同一虚拟等腰梯形，且位于同一第四虚拟四边形400内的红色子像素R的发光层01和蓝色子像素B的发光层 03的边界接触。这样一来，可以使得绿色子像素G尽量靠近红色子像素R 和蓝色子像素B，从而可以提高像素总开口率，同时使得绿色子像素G的分布更加均匀。

在另一个示例中，图39为本实用新型实施例中的另一种第一虚拟多边形10的示意图，如图39所示，该第一虚拟多边形10中的各个子像素的排布方式与图37中的各子像素的排布方式相同，区别仅在于该第一虚拟多边形10中的红色子像素R和蓝色子像素B的形状为矩形(或者正方形)。图 39中的各子像素排布方式与图37一致，故在此不再重复赘述。

在一些实施例中，图40为图39的第一虚拟多边形10中的一种各个子像素的发光层的示意图；如图40所示，各子像素的发光层的形状与各子像素(各个像素的像素开口)的形状大致相同或者完全相同；也即，红色子像素R的发光层01的形状与红色子像素R的形状相同；绿色子像素G的发光层01的形状与绿色子像素G的形状相同；蓝色子像素B的发光层03的形状与蓝色子像素B的形状相同。。各个子像素的发光层的排布方式与图38中的发光层排布方式相同，故在此不再重复赘述。

在另一个示例中，图41为本实用新型实施例中的另一种第一虚拟多边形10的示意图，如图41所示，该第一虚拟多边形10中的各个子像素的排布方式与图39中的各子像素的排布方式相同，区别仅在于该第一虚拟多边形10中的绿色子像素G的形状为扇形。图41中的各子像素排布方式与图 39一致，故在此不再重复赘述。

在一些实施例中，图42为图41的第一虚拟多边形10中的一种各个子像素的发光层的示意图；如图42所示，各子像素的发光层的形状与各子像素(各个像素的像素开口)的形状大致相同或者完全相同；也即，红色子像素R的发光层01的形状与红色子像素R的形状相同；绿色子像素G的发光层01的形状与绿色子像素G的形状相同；蓝色子像素B的发光层03的形状与蓝色子像素B的形状相同。在该种情况下，每个虚拟等腰梯形内的绿色子像素G的发光层01位于该第一虚拟等腰梯形的顶角位置处的两个红色子像素R的发光层01和两个蓝色子像素B的发光层03所限定的范围内，且该第四虚拟四边型内各个子像素的边界相接触。

在一些实施例中，图43为图41的第一虚拟多边形10中的另一种各个子像素的发光层的示意图；如图43所示，各子像素的发光层的形状与各子像素(各个像素的像素开口)的形状大致相同或者完全相同，也即，红色子像素R的发光层01的形状与红色子像素R的形状相同；绿色子像素G的发光层01的形状与绿色子像素G的形状相同；蓝色子像素B的发光层03的形状与蓝色子像素B的形状相同。在该种情况下，每个虚拟等腰梯形内的绿色子像素G的发光层位于该第一虚拟等腰梯形的顶角位置处的两个红色子像素R的发光层01和两个蓝色子像素B的发光层03所限定的范围内，且该绿色子像素G的发光层02边界与两个蓝色子像素B的发光层03的边界相接触。

在另一个示例中，图44为本实用新型实施例中的另一种第一虚拟多边形10的示意图，如图44所示，该第一虚拟多边形10中的各个子像素的排布方式与图41中的各子像素的排布方式相同，区别仅在于该第一虚拟多边形10中的绿色子像素G为椭圆形，图44中的各子像素排布方式与图41一致，故在此不再重复赘述。

在一些实施例中，图45为图44的第一虚拟多边形10中的一种各个子像素的发光层的示意图；如图45所示，各个子像素的发光层的形状和与之对应的子像素的形状并不相同。例如：各个子像素的发光层的形状与图45 中的发光层的中形状相同，同时各个子像素的发光层的排布方式与图35中的发光层的中排布方式也相同，故在此不再重复赘述。

在本实用新型实施例，通过调节红色子像素R、绿色子像素G、蓝色子像素B的三者之间的位置关系、以及调整红色子像素R、绿色子像素G、蓝色子像素B的形状、大小、以及发光层的形状、大小，从而使得应用本实用新型实施例的像素阵列的显示面板的显示效果更好、提高显示细腻度，并降低边缘锯齿感和显示颗粒感。

另一方面，本实用新型实施例还提供了一种显示装置，包括本实用新型实施例提供的上述任像素阵列。该显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

本实用新型至少一实施例还提供一种显示装置，包括上述任一触控显示面板。

例如，在本实用新型的实施例中，第一触控层M1可采用金属材料制作，第二触控层M2可采用金属材料制作，例如，金属包括钛和铝至少之一。在一些实施例中，第一触控层M1中的部件采用Ti-Al-Ti三个子层的结构，第二触控层M2中的部件采用第一触控子层-第二触控子层-第三触控子层 (Ti-Al-Ti)三个子层的结构，第一触控子层比第三触控子层更靠近衬底基板。例如，第一触控子层的厚度小于第二触控子层的厚度，并且第三触控子层的厚度小于第二触控子层的厚度。在一些实施例中，第一触控子层的厚度约为300埃，第二触控子层的厚度约为4000埃，第三触控子层的厚度约为 300埃，但不限于此。

例如，衬底基板可采用绝缘材料制作，衬底基板可为柔性基板，但不限于此。例如，衬底基板的材料包括聚酰亚胺。

例如，第一绝缘层11、第二绝缘层12、以及第三绝缘层13、覆盖层14 中至少之一的厚度范围在15000埃至20000埃，但不限于此。

例如，第三绝缘层13的厚度大于第二绝缘层12的厚度，并且大于第一绝缘层11的厚度。例如，第一绝缘层11和第二绝缘层12的厚度可大致相等。

例如，显示装置包括OLED或包括OLED的产品。例如，显示装置包括含有上述触控显示面板的电视、数码相机、手机、手表、平板电脑、笔记本电脑、导航仪等任何具有显示功能的产品或者部件。

需要说明的是，为了清晰起见，在用于描述本实用新型的实施例的附图中，层或区域的厚度被放大。可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。

并且，在不冲突的情况下，本实用新型的同一实施例及不同实施例中的特征可以相互组合。

以上所述，仅为本实用新型的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (20)

1.一种触控结构，其特征在于，包括：

第一绝缘层；

第一触控层，位于所述第一绝缘层上；

第二绝缘层，位于所述第一触控层的背离所述第一绝缘层的一侧；

第二触控层，位于所述第二绝缘层的背离所述第一触控层的一侧，

其中，所述第一触控层包括多个第一触控电极和多条第一触控线，

所述第二触控层包括多个第二触控电极和多条第二触控线，

所述多个第一触控电极和所述多个第二触控电极彼此交叉设置并彼此绝缘，

所述第一触控电极为网格结构，所述第二触控电极为网格结构，

两个相邻的第一触控电极的网格线断开，两个相邻的第二触控电极的网格线断开，并且在所述第二绝缘层的对应所述多个第一触控电极和所述多个第二触控电极的区域不设置过孔。

2.根据权利要求1所述的触控结构，其特征在于，所述第二触控层还包括第三触控线，所述第一触控层还包括第四触控线，所述第三触控线与所述第一触控线通过贯穿所述第二绝缘层的第一过孔相连以形成第一引线，所述第四触控线与所述第二触控线通过贯穿所述第二绝缘层的第二过孔相连以形成第二引线。

3.根据权利要求2所述的触控结构，其特征在于，所述第一过孔和所述第二过孔位于设置所述多个第一触控电极和所述多个第二触控电极的有效区的外围，

所述触控结构还包括接地线，其中，所述接地线接地，在靠近绑定区的位置处，所述接地线位于所述第一引线和所述第二引线之间。

4.根据权利要求1-3任一项所述的触控结构，其特征在于，所述第一触控层还包括多个第一虚设电极，所述第一虚设电极与所述第一触控电极彼此绝缘，所述第二触控层还包括多个第二虚设电极，所述第二虚设电极与所述第二触控电极彼此绝缘，

所述第一虚设电极包括多个第一虚设子电极，所述第二虚设电极包括多个第二虚设子电极，所述多个第一虚设子电极间隔设置，所述多个第二虚设子电极间隔设置，

所述第一虚设电极为网格结构，所述第一触控电极的网格线与所述第一虚设电极的网格线断开，所述第二虚设电极为网格结构，所述第二触控电极的网格线与所述第二虚设电极的网格线断开。

5.根据权利要求1-3任一项所述的触控结构，其特征在于，所述第一触控电极包括多个第一触控部，所述多个第一触控部彼此相连，所述第二触控电极包括多个第二触控部，所述多个第二触控部彼此相连。

6.根据权利要求5所述的触控结构，其特征在于，所述第一触控层还包括多个第三虚设电极，所述第二触控层还包括多个第四虚设电极，所述第三虚设电极位于所述第一触控电极的两个相邻第一触控部中，所述第四虚设电极位于所述第二触控电极的两个相邻第二触控部中，

所述第三虚设电极包括多个第三虚设子电极，所述第四虚设电极包括多个第四虚设子电极，所述多个第三虚设子电极间隔设置，所述多个第四虚设子电极间隔设置。

7.根据权利要求1-3任一项所述的触控结构，其特征在于，还包括第三绝缘层，其中，所述第三绝缘层位于所述第二触控层的远离所述第二绝缘层的一侧，

所述第一绝缘层、所述第二绝缘层、所述第三绝缘层中至少两个包括有机层。

8.根据权利要求1-3任一项所述的触控结构，其特征在于，所述第一触控电极和所述第二触控电极之一沿第一方向延伸，所述第一触控电极和所述第二触控电极之另一沿第二方向延伸，所述第一方向与所述第二方向相交，

所述第一触控电极和所述多条第一触控线中的至少一条相连，所述第一触控电极和与其相连的第一触控线为一体结构，所述第二触控电极和所述多条第二触控线中的至少一条相连，所述第二触控电极和与其相连的第二触控线为一体结构。

9.一种触控显示面板，其特征在于，包括：显示结构和触控结构，其中，

所述显示结构包括多个子像素，所述多个子像素包括多个发光元件，

所述触控结构包括：

第一绝缘层；

第一触控层，位于所述第一绝缘层上；

第二绝缘层，位于所述第一触控层的背离所述第一绝缘层的一侧；

第二触控层，位于所述第二绝缘层的背离所述第一触控层的一侧，

其中，所述第一触控层包括多个第一触控电极和多条第一触控线，

所述第二触控层包括多个第二触控电极和多条第二触控线，

所述多个第一触控电极和所述多个第二触控电极彼此交叉设置并彼此绝缘，

所述第一触控电极为网格结构，所述第二触控电极为网格结构，

两个相邻的第一触控电极的网格线断开，两个相邻的第二触控电极的网格线断开，并且在所述第二绝缘层的对应所述多个第一触控电极和所述多个第二触控电极的区域不设置过孔。

10.根据权利要求9所述的触控显示面板，其特征在于，还包括：

衬底基板；以及

封装层，

其中，所述封装层位于所述多个发光元件的背离所述衬底基板的一侧，所述封装层被配置为对所述多个发光元件进行封装，所述触控结构位于所述封装层的背离所述多个发光元件的一侧。

11.根据权利要求10所述的触控显示面板，其特征在于，还包括防反射层，其中，所述防反射层位于所述触控结构的背离所述衬底基板的一侧。

12.根据权利要求11所述的触控显示面板，其特征在于，所述防反射层包括黑矩阵，所述多个第一触控电极和所述多个第二触控电极在所述衬底基板上的正投影与所述黑矩阵在衬底基板上的正投影交叠。

13.根据权利要求12所述的触控显示面板，其特征在于，所述防反射层包括彩色滤光层，其中，所述彩色滤光层包括多个滤色单元，所述多个滤色单元在所述衬底基板上的正投影与所述多个第一触控电极和所述多个第二触控电极在所述衬底基板上的正投影不交叠。

14.根据权利要求10所述的触控显示面板，其特征在于，还包括像素限定层，其中，所述像素限定层包括多个开口和位于两个相邻开口之间的像素限定部，所述多个第一触控电极和所述多个第二触控电极在所述衬底基板上的正投影与所述像素限定部在衬底基板上的正投影交叠。

15.根据权利要求14所述的触控显示面板，其特征在于，所述多个第一触控电极和所述多个第二触控电极中的网格线的至少一部分在所述衬底基板上的正投影与所述像素限定部的两个相对的边缘在所述衬底基板上的正投影的距离相等或实质上相等。

16.根据权利要求15所述的触控显示面板，其特征在于，还包括防反射层，其中，所述防反射层位于所述触控结构的背离所述衬底基板的一侧，所述防反射层包括黑矩阵，所述多个第一触控电极和所述多个第二触控电极在所述衬底基板上的正投影与所述黑矩阵在衬底基板上的正投影交叠，所述多个第一触控电极和所述多个第二触控电极中的网格线的至少一部分在所述衬底基板上的正投影与所述黑矩阵的两个相对的边缘在所述衬底基板上的正投影的距离相等或实质上相等。

17.根据权利要求9-16任一项所述的触控显示面板，其特征在于，所述多个子像素包括第一子像素、两个第二子像素、以及第三子像素，且所述两个第二子像素沿第一方向排列，所述第一子像素和所述第三子像素沿第二方向排列，所述第一方向与所述第二方向相交，所述网格线包括位于所述第一子像素、所述两个第二子像素、以及所述第三子像素之间且沿所述第一方向延伸的部分。

18.根据权利要求17所述的触控显示面板，其特征在于，所述网格线的沿所述第一方向延伸的部分的长度小于所述第一子像素的发光区域沿所述第一方向的最大长度，并且小于所述第三子像素的发光区域沿所述第一方向的最大长度。

19.根据权利要求9-16任一项所述的触控显示面板，其特征在于，所述子像素具有虚拟像素中心，以所述子像素的宽度的延伸方向和长度的延伸方向分别作为一限定四边形的宽度延伸方向和长度延伸方向，且所述子像素的宽度和长度作为所述限定四边形的宽度和长度，所述限定四边形的对角线的交点作为所述虚拟像素中心；所述多个子像素包括第一子像素、第二子像素和第三子像素；所述第一子像素和第三子像素沿第一方向交替排布形成第一像素组；所述第二子像素沿第一方向并排设置形成第二像素组；所述第一子像素和第三子像素沿第二方向交替排布形成第三像素组；所述第二子像素沿第二方向并排设置形成第四像素组；所述第一像素组和第二像素组沿第二方向交替排布；所述第三像素组和第四像素组沿第一方向交替排布；其中，

位于相邻两个所述第一像素组和相邻两个所述第三像素组的两个所述第一子像素和两个所述第三子像素的虚拟中心的依次连线构成第二虚拟四边形；呈阵列排布的四个所述第二虚拟四边形以共邻边的方式构成一第一虚拟多边形，且所述第一子像素和所述第三子像素位于第一虚拟多边形的顶角或边上，且沿顺时针方向交替分布于该第一虚拟多边形的顶角或边位置上；

所述第一虚拟多边形内具有第一虚拟点，所述第一虚拟点与所述第一虚拟多边形上的四个所述第三子像素的虚拟中心的连线，将所述第一虚拟多边形分割为四个虚拟等腰梯形。

20.一种显示装置，其特征在于，包括根据权利要求9-19任一项所述的触控显示面板。

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