CN203588813U - 晶片式电感器的结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种晶片式电感器的结构，包括：一铁芯、一绝缘层、一电极层、一线圈及一闭磁路结构。该铁芯上具有一框体，该框体内具有一缠绕部，该缠绕部及该框体之间具有二穿层。该绝缘层包覆于该铁芯的外表面上。该电极层设于该铁芯一侧的绝缘层表面上。该线圈缠绕设于该缠绕部，并与该电极层电性连结。该闭磁路结构，设于该线圈上，并包覆该线圈，以形成一晶片式电感器的结构。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种电感器，尤指一种晶片式电感器结构。
背景技术
电感器为被动元件的一种，具有抗拒任何电流变化的电子元件，它是由线圈缠绕着支撑的铁芯材所组成，而铁芯材可以是磁性材料或非磁性材料。电感器是藉线圈电流变化，以产生磁通量变化，根据磁场的现象做成的电路元件，其中磁场的来源是电荷在流动，它就是电流所形成。交流的电流会产生磁场，而变动的磁场会感应出电流，其线性关系的比例，我们称为电感。
传统的组合式的电感器，主要是具有一锰锌铁氧体的工字形的铁芯，将线圈缠绕于该工字形的铁芯上，再将缠绕有线圈的工字形的铁芯组装于一断面呈U字形的盖体中，以形成组合式的电感器。由于该组合式的电感器的导磁率高，饱和磁力低，在使用时易饱和，无法耐大电流，因此已不被采用。
目前的电感器都是要求可耐大电流，因此大多数的电感器如扼流圈或抗流器。此电感器的制作是利用粉末压制而成，先行缠绕一个空心线圈，将空心线圈放置于模具中，将铁粉倒入于该模具中与该线圈压制成一电感器后，此种粉末压制的作法使导磁率低，饱和磁力高，在使用时电感器不易饱和，可耐较大的电流。
另一种粉末压制，在制作时先制作一个空心线圈，将空心线圈置放于模具中，将加入有高分子材料胶体的铁粉倒入于模具中，利用每平方厘米以6~8吨力量的高压压制而成，在制作过程中易使线圈上的绝缘漆被挤破，导致线圈层与层之间的短路，造成大电流的产生。
再一种粉末压制，是采铁铬硅粉末(FeCrSi)先热压成一凸字形的座体，在将缠绕完成的线圈套置于该座体的凸柱上，再利用热压成形技术将铁铬硅(FeCrSi)压制在该座体上以包覆于该线圈及该座体的凸柱，仅使座体的底部外露，此种电感器的制作方式易产生漏电流现象。
又一种粉末压制，是先制作一空心线圈及一导线架，将空心线圈与导线架置放于模具中，在再将铁粉倒入于模具中先进行模压后，再经热压处理后，即完成电感器的制作。由于此种电感器的零组件较多，因此在制作上也相对较费工序及工时。
实用新型内容
有鉴于此，本实用新型要解决的技术问题在于提供一种晶片式电感器的结构，利使电感器具有耐电流高，耐热高。
本实用新型的另一要解决的技术问题在于，线圈可以避免产生漏电流现象。
为解决上述技术问题，本实用新型的技术方案是这样实现的：一种晶片式电感器的结构，包括：一铁芯，其上具有一框体，该框体内具有一缠绕部，该缠绕部及框体之间具有二穿槽；一绝缘层，包覆于该铁芯的外表面上；一电极层，设于该铁芯一侧的绝缘层表面上；一线圈，穿过二穿槽的缠绕于该缠绕部，并与该电极层电性连结；及一闭磁路结构，设于该线圈上，并包覆该线圈。
进一步，该铁芯为“日”字形。
进一步，该铁芯以铁硅粉末材料或软磁材料的铁镍50粉末为材料。
进一步，该绝缘层为绝缘漆。
进一步，该电极层上具有一铜层，在该铜层上设有一银层。
进一步，该电极层为一银层，在该银层上设有一锡层。
进一步，该线圈上具有二线头，该二线头电性连结于该电极层上。
进一步，该线圈上具有二线头，该二线头电性连结于该电极层上。
进一步，该线圈为扁平裸铜线。
进一步，该闭磁路结构为磁性胶。
本实用新型达到的技术效果如下：本实用新型晶片式电感器的结构，利用热固、烧结混合方式制作晶片式电感器，使电感器具有耐电流高，耐热高。
本实用新型晶片式电感器的结构，电感器制作完成后，该线圈被包覆于该闭磁路结构中，可以避免产生漏电流现象。
附图说明
图1为本实用新型的晶片式电感器的制作流程示意图。
图2为本实用新型的晶片式电感器的铁芯结构示意图。
图3为本实用新型的晶片式电感器的铁芯上制作绝缘层示意图。
图4为本实用新型的晶片式电感器的绝缘层上制作电极层示意图。
图5为本实用新型的晶片式电感器的铁芯上缠绕线圈示意图。
图6为本实用新型的图5的6-6位置的断面剖视示意图。
图7为本实用新型的晶片式电感器的封装示意图。
图8为本实用新型的图7的8-8位置的断面剖视示意图。
步骤100~114
铁芯1
框体11
缠绕部12
穿槽13
绝缘层2
电极层3
线圈4
线头41
闭磁路结构5 。
具体实施方式
兹有关本实用新型的技术内容及详细说明，现在配合图式说明如下：
请参阅图1~图7，为本实用新型的晶片式电感器的制作流程及结构示意图。如图所示：本实用新型的晶片式电感器的制作方法，首先，如步骤100，备有铁芯粉末，该铁芯粉末为铁硅粉末材料(FeSi)或软磁材料的铁镍50粉末(FeNi50)。
步骤102，热固制作，将上述的铁芯粉末利用热固制程压制成一个约为“日”字形粉芯(如图2所示)。
步骤104，烧结，将上述压制完成的“日”字形粉芯进行烧结，在低温烧结后，使该“日”字形粉芯形成“日”字形的铁芯(粉芯烧结体)1，该铁芯1上具有一框体11，该框体11内具有一缠绕部12，该缠绕部12及框体11之间具有二穿槽13 (如图2所示)。在本图式中，该铁芯1利用烧结技术，使导磁率μ=60。
步骤106，在该日字形的铁芯1烧结后，于该铁芯1表面上制作一层绝缘层2(如图3所示)。在本图式中，该绝缘层2为绝缘漆。
步骤108，在铁芯1表面的绝缘层2制作完成后，以利用印刷技术印刷一层铜层，再于铜层上电镀银层，或者是印刷银层后，再于银层上电镀锡的方式来制作电极层3(如图4)。
步骤110，备有一铜线，将该铜线缠绕于该铁芯1的缠绕部12上以形成线圈4，在该线圈4缠绕后的二端各具有一线头41(如图5所示)。在本图式中，该线圈为扁平裸铜线。
步骤112，在线圈4缠绕后，将线圈4二端的线头41电性连结在电极层3上(如图6所示)。
步骤114，封胶，以磁性胶包覆该线圈(裸线)4区域上以形成一闭磁路结构5，该闭磁路结构5在制作后，使该电极层3外露，且也形成一晶片式的电感器(如图7、图8所示)。在本图式中，该闭磁路结构5可以避免产生漏磁现象。
上述的铁芯1是采铁硅粉末或软磁材料的铁镍50粉末(FeNi50)烧结使导磁率μ=60。由于导磁率高，该线圈4所绕的圈数少，铜损为0.67W，等效直流阻抗 DCR (DC Resistance)为6.74mohm，因此电流小，具有耐电流高及耐热高等特性。
请参阅图2~图8，为本实用新型的晶片式电感器的各视角结构示意图。如图所示：本实用新型的晶片式电感器的结构，包括：一铁芯1、一绝缘层2、一电极层3、一线圈4及一闭磁路结构5。
该铁芯1，其上具有一框体11，该框体11内具有一缠绕部12，该缠绕部12及框体11之间具有二穿槽13。在本图式中，该铁芯1为日字形，且以铁硅粉末材料(FeSi)或软磁材料的铁镍50粉末(FeNi50)为材料，利用烧结技术使导磁率μ=60。
该绝缘层2，包覆于该铁芯1的外表面上。在本图式中，该绝缘层2为绝缘漆。
该电极层3，设于该铁芯1一侧表面的绝缘层2上，该电极层3上具有一铜层，在该铜层上设有一银层，或者该电极层3为一银层，在该银层上设有一锡层。
该线圈4，以穿过该二穿槽13缠绕于该缠绕部12，其上具有二线头41，该二线头41电性连结于该电极层3上。该线圈4为扁平裸铜线。
该闭磁路结构5，设于该线圈4上，以包覆该线圈4的扁平裸铜线，在该闭磁路结构5包覆该线圈4后，形成一晶片式电感器结构(如图7所示)，可以让晶片式电感器结构以表面黏着技术的黏着于该电路板(图中未示)上。在本图式中，该闭磁路结构5为磁性胶可以避免产生漏磁现象。
上述的铁芯1是采铁硅粉末或软磁材料的铁镍50粉末(FeNi50)烧结使导磁率μ=60。由于导磁率高，该线圈4所绕的圈数少，铜损约为0.67W，等效使直流阻抗 DCR (DC Resistance)约为6.74mohm，因此电流小，具有耐电流高及耐热高等特性。
上述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并非用来限定本实用新型实施的范围。即凡根据本实用新型权利要求所做的均等变化与修饰，都为本实用新型专利范围所涵盖。
Claims (10)
1.一种晶片式电感器的结构，其特征在于，包括：
一铁芯，其上具有一框体，该框体内具有一缠绕部，该缠绕部及框体之间具有二穿槽；
一绝缘层，包覆于该铁芯的外表面上；
一电极层，设于该铁芯一侧的绝缘层表面上；
一线圈，穿过二穿槽的缠绕于该缠绕部，并与该电极层电性连结；及
一闭磁路结构，设于该线圈上，并包覆该线圈。
2.如权利要求1所述晶片式电感器的结构，其特征在于，该铁芯为“日”字形。
3.如权利要求2所述晶片式电感器的结构，其特征在于，该铁芯以铁硅粉末材料或软磁材料的铁镍50粉末为材料。
4.如权利要求3所述晶片式电感器的结构，其特征在于，该绝缘层为绝缘漆。
5.如权利要求4所述晶片式电感器的结构，其特征在于，该电极层上具有一铜层，在该铜层上设有一银层。
6.如权利要求4所述晶片式电感器的结构，其特征在于，该电极层为一银层，在该银层上设有一锡层。
7.如权利要求5或6所述晶片式电感器的结构，其特征在于，该线圈上具有二线头，该二线头电性连结于该电极层上。
8.如权利要求7所述晶片式电感器的结构，其特征在于，该线圈上具有二线头，该二线头电性连结于该电极层上。
9.如权利要求8所述晶片式电感器的结构，其特征在于，该线圈为扁平裸铜线。
10.如权利要求9所述晶片式电感器的结构，其特征在于，该闭磁路结构为磁性胶。
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Cited By (1)
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| CN104183359A (zh) * | 2014-09-07 | 2014-12-03 | 资兴市弘电电子科技有限公司 | 铁硅铝粉一体压制电感及其生产工艺 |
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2013
- 2013-11-26 CN CN201320752457.9U patent/CN203588813U/zh not_active Expired - Lifetime
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