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CN1885124B - 液晶显示装置和用于该液晶显示装置的光学膜组件 - Google Patents

液晶显示装置和用于该液晶显示装置的光学膜组件 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种液晶显示装置。该液晶显示装置包括液晶显示面板和光学膜组件。所述液晶显示面板包括两个基底和置于这两个基底之间的液晶层,并且具有多个限定在单位像素中的多畴。所述光学膜组件包括双轴膜和与该双轴膜整体形成的偏振膜。此外,双轴膜被靠近液晶单元设置。

Description

液晶显示装置和用于该液晶显示装置的光学膜组件
技术领域
本发明涉及一种液晶显示装置和用于该液晶显示装置的光学膜组件。更具体地讲,本发明涉及一种厚度薄的液晶显示装置以及一种用于该液晶显示装置的降低了制造成本的光学膜组件。
背景技术
例如,LCD装置可包括:阵列基底(或TFT基底),薄膜晶体管(TFT)形成在该阵列基底上,用于开关各个像素;相对的基底(或滤色器基底),公共电极形成在该相对的基底上;液晶层,置于所述阵列基底和所述相对的基底之间。LCD装置通过向液晶层施加电压从而控制光透射率来显示图像。
因为光在未被液晶阻挡的范围内传播,所以LCD装置的视角相对窄。因此,为了增大LCD装置的视角,LCD装置可采用垂直取向(VA)模式。
例如,构造为采用VA模式的传统的LCD装置可包括两个基底和置于所述两个基底之间的液晶层。例如,所述液晶层可包括具有负型的介电常数各向异性的液晶材料。而且,所述液晶层的液晶分子可以以垂直取向模式取向。
当没有电压施加到所述基底时,在上述传统的LCD装置的操作期间,液晶分子以垂直取向,从而显示黑色。但是,当预定的电压施加到所述基底(例如,施加到阵列基底的控制电极和滤色器基底的相关的公共电极)时,所述液晶分子以水平取向,从而显示白色。此外,当小于预定电压的电压施加到所述基底时,所述液晶分子相对于所述基底的表面倾斜,从而显示灰色。
然而,对于传统的LCD装置,特别对于中小尺寸的LCD装置,会出现窄视角和梯度(gradation)反转。为了防止上面提到的窄视角和梯度反转发生,中小尺寸的LCD装置已被构造为采用图案化垂直取向(PVA)模式结构。具有PVA模式的LCD装置可包括在滤色器基底上图案化并形成的公共电极层和在阵列基底上图案化并形成的像素电极层。
当形成PVA结构时,可需要包括在阵列基底和滤色器基底上将氧化铟锡(ITO)图案化的工艺。然而,为了当制造滤色器时单独对ITO层图案化,也可需要另外的工艺,诸如光刻工艺、显影工艺、刻蚀工艺和PR剥除工艺,从而也增加了制造LCD装置的成本。
因此,需要改进的LCD装置,其与传统的LCD装置相比也可降低制造成本。
发明内容
本发明的实施例提供了一种具有减小了的厚度的光学膜组件,从而减小具有该光学膜的液晶显示装置的厚度,并且也降低了制造所述液晶显示装置的成本。本发明的实施例还提供了一种具有所述光学膜组件的液晶显示装置。
根据本发明的实施例,提供了一种液晶显示装置.该液晶显示装置包括液晶显示面板和光学膜组件.所述液晶显示面板包括两个基底和置于这两个基底之间的液晶层.此外,所述液晶显示面板具有多个限定在单位像素中的多畴.所述光学膜包括双轴膜和与双轴膜整体形成的偏振膜.所述双轴膜被靠近所述液晶显示面板设置.而且,所述光学膜组件设置在所述液晶显示面板的下方和上方.
根据本发明的实施例,提供了一种液晶显示装置,该液晶显示装置包括液晶显示面板和光学膜组件。所述液晶显示面板包括两个基底和置于这两个基底之间的液晶层。所述液晶层中的液晶分子相对于所述基底以大约90度角取向。所述光学膜组件设置在所述液晶显示面板的下方和上方。此外,所述光学膜包括双轴膜和与双轴膜整体形成的偏振膜。所述双轴膜被相对靠近所述液晶显示面板设置。
根据本发明的另一实施例,提供了一种光学膜组件。该光学膜组件包括双轴膜和偏振膜。光学膜组件改变所提供的穿过液晶单元的光的特性。所述双轴膜被靠近所述液晶单元设置。所述偏振膜被远离所述液晶单元设置。此外,所述偏振膜与所述双轴膜整体地形成。
根据本发明实施例的光学膜组件和具有该光学膜组件的液晶显示装置,表面方向的延迟Ro为λ/4且厚度方向的延迟Rth为大约160nm的双轴膜被靠近液晶显示面板设置,偏振膜附于所述双轴膜,从而光学膜可变薄,并且可降低制造光学膜或液晶显示装置的成本。
附图说明
从下面结合附图的描述中,可更详细地理解本发明的示例性实施例,附图中:
图1是示出根据本发明实施例的液晶显示装置的一部分的平面图;
图2是沿图1中的线I-I’截取的剖视图;
图3是用于解释图1中示出的液晶显示装置的操作的剖视图;
图4是示出在具有多畴的液晶显示装置中观察到的纹理(texture)的图像;
图5是示出图4中的纹理被根据本发明实施例的光学膜组件消除的图像;
图6是用来解释光学膜部分,特别是置于上基底上的上光学膜的剖视图;
图7、图8和图9是用来解释具有根据本发明实施例的光学膜的液晶显示装置的视角特性的图;
图10、图11和图12是用来解释具有根据本发明实施例的光学膜的液晶显示装置的视角特性的图;
图13是用来解释沿着根据本发明实施例的双轴膜的厚度方向与厚度方向的延迟Rth为大约160nm相对应的视角特性的图;
图14是用来解释沿着根据本发明实施例的双轴膜的厚度方向与厚度方向的延迟Rth为大约600nm相对应的视角特性的图;
图15是用来解释沿着根据本发明实施例的双轴膜的厚度方向与厚度方向的延迟Rth为大约320nm相对应的视角特性的图;
图16是根据本发明另一实施例的液晶显示装置的剖视图;
图17是简单地示出在图16中示出的液晶层的剖视图。
具体实施方式
下面,将参照附图更加全面地描述本发明,附图中示出了本发明的实施例.然而,本发明可以以多种不同的方式实施,而不应理解为限于这里提出的实施例.
图1是示出根据本发明实施例的液晶显示装置的一部分的平面图,图2是沿图1中的线I-I’截取的剖视图。具体地讲,图1和图2示出了一种包括阵列基底和滤色器基底(或相对的基底)的透射型液晶显示装置,所述阵列基底具有三个子电极,所述滤色器基底具有与所述子电极的各个中心部分相对应的孔。
参照图1和图2,液晶显示装置包括阵列基底100、液晶层200、与阵列基底100组合以容纳液晶层200的滤色器基底300、置于阵列基底100的下方的下光学膜部分410以及置于滤色器基底300的上方的上光学膜部分420。
阵列基底100包括栅极线110、栅电极112、底部图案111和栅极绝缘层113。栅极线110置于透明基底105上,且在水平方向上延伸。栅电极112从栅极线110延伸。底部图案111与栅极线110分开,并且底部图案111与单位像素区域的中心部分对应的一部分是开口的。栅极绝缘层113覆盖栅极线110和栅电极112。例如,栅极绝缘层113包括硅氮化物(SiNx)。
阵列基底100还可包括:半导体层114,包括半导体材料诸如非晶硅(a-Si);杂质注入的半导体层115,包括杂质注入半导体材料诸如形成在半导体层114上的n+a-Si;源极线120,在竖向上延伸;源电极122,从源极线120延伸;漏电极124,与源电极122分隔开。栅电极112、半导体层114、杂质注入的半导体层115、源电极122和漏电极124限定薄膜晶体管(TFT)。
栅极线110和源极线120可被形成为具有单层结构或双层结构。例如,当栅极线110和源极线120具有单层结构时,栅极线110和源极线120可包含铝(A1)或铝合金诸如(A1Nd)。此外,例如,当栅极线110和源极线120具有双层结构时,栅极线110和源极线120包括下层和上层。所述下层可包含具有优良的物理/化学特性的材料,诸如铬(Cr)、钼(Mo)以及钼的合金膜。所述上层可包含具有低电阻率的材料,诸如铝(A1)或铝合金。
阵列基底100还可包括连续沉积的钝化层130和有机绝缘层132。钝化层130和有机绝缘层132覆盖薄膜晶体管,并暴露漏电极124的一部分。钝化层130和有机绝缘层132覆盖并保护置于源电极122和漏电极124之间的半导体层114和杂质注入的半导体层115。另外,钝化层130和有机绝缘层132使薄膜晶体管与像素电极层140绝缘。可通过处理有机绝缘层132的厚度来控制液晶层200的厚度。钝化层130是可选的。
阵列基底100还可包括通过接触孔CNT与薄膜晶体管的漏电极124电连接的像素电极部分140。像素电极部分140通过与底部图案111叠置的面积来限定存储电容器Cst的电容。
像素电极部分140包括:第一连接电极141,连接到漏电极124;第一子电极142,从第一连接电极141延伸;第二连接电极143,从第一子电极142延伸;第二子电极144,从第二连接电极143延伸;第三连接电极145,从第二子电极144延伸;第三子电极146,从第三连接电极145延伸。第一子电极142、第二子电极144和第三子电极146具有基本上圆角四边形形状。第二连接电极143和第三连接电极145具有相对窄的宽度。
滤色器基底300包括形成在透明基底305(或底基底)上的颜色像素层310和形成在颜色像素层310上的公共电极层320。滤色器基底300与阵列基底100组合,以容纳液晶层200。液晶层200的液晶分子以垂直取向(VA)模式取向。
公共电极层320覆盖颜色像素层310。第一孔322、第二孔324和第三孔326形成在公共电极层320中,分别与第一子电极142、第二子电极144和第三子电极146的各个中心部分对应。施加到形成第一孔322、第二孔324和第三孔326的区域的电场与施加到没有形成第一孔322、第二孔324和第三孔326的区域的电场不同。因此,液晶层200被划分成多个畴。
下光学膜部分410置于阵列基底100的下方,并包括第一双轴膜412和与第一双轴膜412整体形成的第一偏振膜414。第一双轴膜412离阵列基底100相对近地设置。这里所使用的上述术语“双轴”指在x轴方向、y轴方向和z轴方向的折射率彼此不同,其中,x轴方向表示相延迟膜的折射率最大的方向,y轴方向表示在膜平面上基本垂直于x轴方向的方向,z轴方向表示厚度方向,厚度方向指基本垂直于延迟膜的表面的方向。换句话讲,当nx、ny和nz分别表示x轴、y轴和z轴方向上的折射率时,上述也可表示为nx≠ny≠nz。
例如,第一双轴膜412的表面(surface-wise)方向的延迟Ro为λ/4,其在从大约120纳米(nm)到大约160nm的范围内。厚度方向的延迟Rth在从大约130nm到大约160nm的范围内。当波长为560nm的光用作标准光时,第一双轴膜412的表面方向延迟Ro在大约140±14纳米(nm)的范围内。
第一双轴膜的表面方向的延迟Ro和厚度方向的延迟Rth由下面的等式1和等式2限定。
等式1
Ro=(nx-ny)×d
等式2
Rth = ( nx + ny 2 - nz ) × d
在等式中,‘nx’代表在滞后相位轴方向上的折射率,折射率最大,‘ny’代表在超前相位轴方向上的折射率,超前相位轴方向指折射率最小的方向。另外,‘nz’为在膜的厚度方向上的折射率,‘d’是以纳米(nm)表示的膜的厚度。
这样设置第一双轴膜412和第一偏振膜414,使得第一双轴膜412的慢轴和第一偏振膜414的透射轴之间的角度在大约45±20度的范围内。第一偏振膜414的透射轴在膜平面上相对于第一双轴膜412的慢轴在顺时针方向上倾斜大约45度。
上光学膜部分420包括第二双轴膜422和与第二双轴膜422整体形成的第二偏振膜424。上光学膜部分420置于滤色器基底300的上方。第二双轴膜422离滤色器基底300相对近地设置。例如,第二双轴膜422的表面方向的延迟Ro为λ/4,其在从大约120nm到大约160nm的范围内。厚度方向的延迟Rth在从大约130nm到大约160nm的范围内。
这样设置第二双轴膜422和第二偏振膜424,使得第二双轴膜422的慢轴和第二偏振膜424的透射轴之间的角度在大约45±20度的范围内。第二偏振膜424的透射轴在膜平面上相对于第二双轴膜422的慢轴在顺时针方向上倾斜大约45度。因此,第一偏振膜414的透射轴和第二偏振膜424的透射轴之间的角度为大约90度,第一双轴膜412的慢轴和第二双轴膜422的慢轴之间的角度为大约90度。
彼此电连接的第一子电极142、第二子电极144和第三子电极146形成于阵列基底100的单位像素区域中.第一孔322、第二孔324和第三孔326形成在公共电极层320中,分别与第一子电极142、第二子电极144和第三子电极146的各个中心部分对应.因此,可以省去通过摩擦(rub)形成在阵列基底或滤色器基底上的取向膜上的表面来使液晶分子在预定方向上取向的工艺.另外,可不需要取向膜.
阵列基底的单位像素区域被划分成三个子像素电极,与所划分的子像素电极的各个中心部分对应的孔形成在滤色器基底的公共电极层中,从而,如下面的图3所示,在单位像素区域中可实现多畴。
图3是用于解释图1中示出的液晶显示装置的操作的剖视图。
参照图3,当未施加电压时,液晶分子保持垂直取向。当施加电压时,液晶分子相对于边缘场以预定角度倒下,使得液晶分子被取向。例如,当将阵列基底100的子电极142看作一个单元时,已在垂直方向上取向的液晶分子响应所施加的电压而倒下,并向形成在滤色器基底300的公共电极层320中的孔322会聚,使得液晶分子被取向。
如上所述,在阵列基底100的单位像素区域中将子电极142、144和146图案化,与子电极的各个中心部分对应的孔322、324和326形成在滤色器基底300中,从而可实现多畴。
在平面图中,液晶分子的指向矢向子像素电极的中心部分会聚,从而即使当采用偏振膜时,也沿着透射轴形成纹理。这里所使用的术语“指向矢”意思是液晶分子的主轴方向。然而,当下光学膜部分410置于阵列基底100的下方并且上光学膜部分420置于滤色器基底300的上方时,所述纹理消失。
图4是示出在具有多畴的液晶显示装置中观察到的纹理的图像,图5是示出图4中的纹理由于根据本发明示例性实施例的光学膜组件而被消除的图像。
如图4所示,在形成于单位像素中的三个子像素电极的各个中心部分观察到叶片形的纹理。
然而,如图5所示,当包括双轴膜和偏振膜的光学膜部分置于液晶显示面板的上方和下方时,纹理未显示出来。
图6是用来解释光学膜部分的剖视图。具体地讲,图6示出了置于滤色器基底的上方的上光学膜部分。
参照图6,上光学膜部分420包括:第一保护膜PT1;第二双轴膜422,形成在第一保护膜PT1的上方;第一粘附层AD1,形成在第一保护膜PT1和第二双轴膜422之间;第一偏振膜424,形成在第二双轴膜422的上方;第二粘附层AD2,形成在第二双轴膜422和第一偏振膜424之间;第二保护膜PT2,形成在第一偏振膜424的上方。离图2中示出的滤色器基底300相对近地设置第一保护膜PT1,离滤色器基底300相对远地设置第二保护层PT2。
如图6中所描述的,上光学膜部分420设置在滤色器基底300的前表面上。此外,设置在阵列基底的后表面处的下光学膜部分可被描述为上光学膜部分的镜面对称结构。
如上所述,根据本发明的实施例,光学膜应用在具有多畴的液晶显示装置中,所述多畴由形成在阵列基底处的子电极和形成在滤色器基底的公共电极中的孔限定,所述光学膜包括组合在一起的偏振膜和双轴膜,从而产生可以以降低了的成本制造的薄的光学膜和/或具有该光学膜的薄液晶显示装置。这里,第一双轴膜412的表面方向的延迟Ro为λ/4,第一双轴膜412的厚度方向的延迟Rth为大约160nm。
相反,应用在显示装置中的传统的光学膜包括连续设置的λ/4相位延迟膜、偏振膜和C-板(C-plate).根据本发明的实施例,双轴膜代替C-板和λ/4相位延迟膜,从而可减小装置的厚度并降低制造成本.
C-板可分成正的C-板或负的C-板。例如,根据光轴的异常轴方向上的折射率‘ne’与光轴的正常轴方向上的折射率‘no’之间的大小关系,C-板可分成正的C-板或负的C-板。在正的C-板的情况下,在x轴方向上的折射率‘nx’与在y轴方向上的折射率‘ny’基本相同,并且在x轴方向上的折射率‘nx’基本上小于在z轴方向上的折射率‘nz’。在负的C-板的情况下,在x轴方向上的折射率‘nx’与在y轴方向上的折射率‘ny’基本相同,并且在x轴方向上的折射率‘nx’基本上大于在z轴方向上的折射率‘nz’。
图7、图8和图9是用来解释具有根据本发明实施例的光学膜的液晶显示装置的视角特性的图。具体地讲,在本发明的该实施例中的光学膜包括相对厚的偏振膜和双轴膜,其中所述双轴膜的表面方向的延迟Ro与厚度方向的延迟Rth之比Ro/Rth在从大约140到大约130的范围内。
图7是示出在‘暗’模式下的视角特性的图。当视角在大约30度之下时,在所有方向上,在‘暗’模式下的视角特性为全黑。当视角在从大约0度到大约90度的范围内时,在一点、四点、七点和十点方向上,在‘暗’模式下的视角特性为灰色。当视角在大约60度之上时,在两点、五点、八点和十一点方向上,在‘暗’模式下的视角特性为白色。
图8是示出在‘亮’模式下的视角特性的图。当视角在大约50度之下时,在所有方向上,在‘亮’模式下的视角特性为全白。当视角为大约50度到大约70度时,在所有方向上,在‘亮’模式下的视角特性为灰色。当视角在大约70度之上时,在所有方向上,在‘亮’模式下的视角特性为黑色。
图9是示出图7所示的在暗模式下视角特性对图8所示的在亮模式下视角特性的对比率的图。
参照图9,当采用根据本发明实施例的光学膜时,当视角在大约50度之下时,在所有方向上,对比率特性被改善。另外,当视角为大约60度到大约80度时,在一点、四点、七点和十点方向上,对比率特性被相对改善。
图10、图11和图12是用来解释具有根据本发明实施例的光学膜的液晶显示装置的视角特性的图。具体地讲,根据本发明的该实施例的光学膜包括相对薄的偏振膜和双轴膜,这里,所述双轴膜的表面方向的延迟Ro与厚度方向的延迟Rth之比Ro/Rth为大约140到大约175。
图10是示出在‘暗’模式下的视角特性的图。当视角在大约10度之下时,在所有方向上,所述视角特性为全黑。当视角为大约30度时,在一点、三点、七点和九点方向上,所述视角特性为全黑。当视角为大约30度至大约90度时,在一点、四点、七点和十点方向上,所述视角特性为灰色。当视角在大约60度之上时,在两点、五点、八点和十一点方向上,所述视角特性为白色。
图11是示出在‘亮’模式下的视角特性的图。当视角在大约50度之下时,在所有方向上,所述视角特性为全白,当视角为大约50度到大约70度时,在所有方向上,所述视角特性为灰色,当视角在大约70度之上时,在所有方向上,所述视角特性为黑色。
图12是示出图10所示的在暗模式下视角特性对图11所示的在亮模式下视角特性的对比率的图。
参照图12,当采用根据本发明该实施例的光学膜时,当视角在大约50度之下时,在所有方向上,对比率特性被改善。另外,当视角为大约50度到大约80度时,在一点、四点、七点和十点方向上,对比率特性被相对改善。
图13、图14和图15是用来解释根据双轴膜的厚度方向延迟Rth的改变的对比率的图。具体地讲,图13是用来解释沿着根据本发明实施例的双轴膜的厚度方向与厚度方向的延迟Rth为大约160nm相对应的对比率的图,图14是用来解释沿着根据本发明实施例的双轴膜的厚度方向与厚度方向的延迟Rth为大约600nm相对应的对比率的图,图15是用来解释沿着根据本发明实施例的双轴膜的厚度方向与厚度方向的延迟Rth为大约320nm相对应的对比率的图。
如图13所示,当视角为大约40度之下时,在所有方向上,具有根据本发明实施例的双轴膜的液晶显示装置的对比率被相对改善,所述双轴膜的厚度方向的延迟Rth为大约160纳米(nm)。
在从大约十二点到大约一点、从大约三点到大约四点、从大约六点到大约七点以及从大约九点到大约十一点的范围内的方向上可获得大约80度的视角。
如图14所示,当视角为大约30度之下时,在所有方向上,具有根据本发明实施例的双轴膜的液晶显示装置的视角特性被相对改善,所述双轴膜的厚度方向的延迟Rth为大约600纳米(nm)。
在从大约十二点到大约一点的方向上以及在四点方向上的范围内可获得大约60度的视角。在七点以及十点方向上可获得大约50度的视角。
如图15所示,当视角为大约40度之下时,在所有方向上,具有根据本发明实施例的双轴膜的液晶显示装置的视角特性被相对改善,所述双轴膜的厚度方向的延迟Rth为大约320纳米(nm)。
在从大约十二点到大约一点范围内的方向上可获得达到大约80度的视角,在从大约三点到大约四点范围内的方向上可获得大约70度的视角,在七点方向以及从九点到十点范围内的方向上可获得大约60度的视角。
图16是根据本发明另一实施例的液晶显示装置的剖视图,图17是简单地示出在图16中示出的液晶层的剖视图。该实施例中的液晶显示装置包括具有RVA(摩擦的垂直取向)结构的液晶显示面板。液晶显示面板的上基底和底部基底的取向膜被在不同方向上摩擦。
参照图16和图17,该液晶显示装置包括:阵列基底500;液晶层600;滤色器基底700,通过与阵列基底500组合来容纳液晶层600;下光学膜部分410,置于阵列基底500的下方;上光学膜部分420,置于滤色器基底700的上方。下光学膜部分410和上光学膜部分420已在图2至图6中描述。因此,相同的标号用来表示与图2至图6中描述的部分相同或相似的部分,并且将省略关于上述部件的任何进一步解释。
阵列基底500包括:栅极线,在透明基底505上沿横向延伸;栅电极512,从栅极线延伸;栅极绝缘层513,覆盖栅极线和栅电极512。例如,栅极绝缘层513包括硅氮化物(SiNx)。
阵列基底500还可包括:半导体层514,诸如非晶硅(a-Si);杂质注入的半导体层515,诸如形成在半导体层514上的n+a-Si;源极线,在竖向上延伸;源电极522,从源极线延伸;漏电极524,与源电极522分隔开预定的距离.栅电极512、半导体层514、杂质注入的半导体层515、源电极522和漏电极524限定薄膜晶体管(TFT).
阵列基底500还可包括连续沉积的钝化层530和有机绝缘层532。钝化层530和有机绝缘层532覆盖薄膜晶体管,并暴露漏电极524的一部分。钝化层530和有机绝缘层532覆盖并保护置于源电极522和漏电极524之间的半导体层514和杂质注入的半导体层515。另外,钝化层530和有机绝缘层532使薄膜晶体管与像素电极层540绝缘。可通过处理有机绝缘层532的厚度来控制液晶层600的厚度。钝化层530是可选的。
阵列基底500还可包括通过接触孔CNT与薄膜晶体管的漏电极524电连接的像素电极部分540以及形成在像素电极部分540上方的第一取向膜550。例如,第一取向膜550被在观察者观察的向右的方向D1上摩擦。
滤色器基底700包括:颜色像素层710,形成在透明基底705(或底基底)上;公共电极层720,形成在颜色像素层710上;第二取向膜730,形成在公共电极层720的下方。滤色器基底700与阵列基底500组合,以容纳液晶层600。液晶层600中的液晶分子以垂直取向(VA)模式取向。
例如,第二取向膜730被在观察者观察的向左的方向D2上摩擦。
形成在阵列基底500上的第一取向膜550被在向右的方向D1上摩擦,形成在滤色器基底700上的第二取向膜730被在向左的方向D2上摩擦,使得液晶分子在垂直方向上取向,其中,取向角为大约90度。例如,由于第一取向膜550而产生的第一初始倾角‘θ1’或由于第二取向膜730而产生的第二初始倾角‘θ2’在从大约88度到大约89.5度的范围内。
如上所述,对于根据本发明实施例的光学膜组件和具有该光学膜组件的液晶显示装置,表面方向的延迟Ro为λ/4且厚度方向的延迟Rth为大约160nm的双轴膜被靠近液晶显示面板设置,偏振膜附于所述双轴膜,从而可获得薄的光学膜,并且可降低制造光学膜或具有该光学膜的液晶显示装置的成本。
虽然已经描述了本发明的示例性实施例,但是还需指出的是,本领域技术人员应该明白,在不脱离由权利要求的边界或范围所限定的本发明的精神和范围的情况下,可对本发明作出各种修改。

Claims (8)

1.一种液晶显示装置,包括:
液晶显示面板,包括:
阵列基底,具有像素电极,所述像素电极包括多个子电极,以限定多畴;
相对基底,面向阵列基底,并且具有公共电极,所述公共电极包括多个圆形孔,以限定多畴,所述孔形成为与子电极的每个中心部分对应;
置于阵列基底和相对基底之间的液晶层;
光学膜组件,包括设置在所述液晶显示面板上方的上光学膜部分和设置在所述液晶显示面板下方的下光学膜部分,所述光学膜组件包括双轴膜和与所述双轴膜整体形成的偏振膜,所述双轴膜被靠近所述液晶显示面板设置。
2.如权利要求1所述的液晶显示装置,其中,所述双轴膜的Ro/Rth为140/130时的偏振膜比所述双轴膜的Ro/Rth为140/175时的偏振膜厚,其中,Ro是表面方向的延迟,Rth是厚度方向的延迟。
3.如权利要求2所述的液晶显示装置,其中,所述双轴膜的表面方向的延迟Ro为λ/4。
4.如权利要求3所述的液晶显示装置,其中,所述双轴膜的表面方向的延迟Ro在从120nm到160nm的范围内。
5.如权利要求4所述的液晶显示装置,其中,所述双轴膜的表面方向的延迟Ro在从126nm到154nm的范围内,其中,标准光的波长为560nm。
6.如权利要求1所述的液晶显示装置,其中,所述双轴膜在厚度方向上的延迟为130nm时的偏振膜比所述双轴膜在厚度方向上的延迟为160nm时的偏振膜薄。
7.如权利要求1所述的液晶显示装置,其中,所述双轴膜的慢轴和所述偏振膜的透射轴之间的角度为25度到65度。
8.如权利要求7所述的液晶显示装置,其中,所述偏振膜的所述透射轴相对于所述双轴膜的所述慢轴位于在顺时针方向上的45度处。
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