CN113838995B - 显示面板及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本申请提供一种显示面板及显示装置,涉及显示技术领域,用于解决现有显示面板大视角显示性能低的问题。该显示面板包括衬底,设置在衬底上的若干全反射结构,设置在衬底上的多个第一像素单元和多个第二像素单元,所述多个第一像素单元位于各所述全反射结构内,所述多个第二像素单元位于各所述全反射结构外;每个所述全反射结构内至少设置有一个所述第一像素单元,每个所述全反射结构包括至少部分围绕该所述全反射结构内的所述第一像素单元的全反射面,所述全反射结构被配置为将所述第一像素单元发出且入射至该全反射面上的至少部分光线,沿所述显示面板的正向全反射出显示面板。在保证显示面板的正向出光量的同时保证显示面板的大视角显示性能。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,简称OLED)显示面板因具有自发光、快速响应、宽视角和可制作在柔性基板上等多种特点,被广泛用于手机、平板电脑等显示装置中。光取出效率是判断OLED显示面板性能的重要指标之一,然而,为了提高OLED显示面板的正向出光量,通常需要牺牲OLED显示面板大视角方向的光强,降低OLED显示面板的大视角显示性能。
发明内容
鉴于上述问题,本申请实施例提供一种显示面板及显示装置,该显示面板中的第一像素单元位于全反射结构内,第二像素单元位于全反射结构外,既能够保证显示面板的正向出光量,又能够提高显示面板的大视角显示性能。
为了实现上述目的,本申请实施例提供如下技术方案:
本申请实施例的第一方面提供一种显示面板,包括衬底,设置在所述衬底上的若干全反射结构,设置在所述衬底上的多个第一像素单元和多个第二像素单元,所述多个第一像素单元位于各所述全反射结构内,所述多个第二像素单元位于各所述全反射结构外;每个所述全反射结构内至少设置有一个所述第一像素单元,每个所述全反射结构包括至少部分围绕该所述全反射结构内的所述第一像素单元的全反射面,所述全反射结构被配置为将所述第一像素单元发出且入射至该全反射面上的至少部分光线,沿所述显示面板的正向全反射出显示面板。
根据本申请实施例提供的显示面板,其设置有若干全反射结构,显示面板的像素单元包括位于全反射结构内的第一像素单元和位于全反射结构外的第二反射单元。如此,第一像素单元发出的相对正向出光倾斜角度较大的光线,能够经全反射结构中的全反射面发生全反射,从而改变第一像素单元发出的相对正向出光倾斜角度较大的光线的出光角度,使其变为正向出光光线,保证显示面板的正向出光量;而第二像素单元由于位于全反射结构之外,出光角度不受全反射结构的影响,因此第二像素单元发出的光线能够向各个方向发散,从而保证显示面板的大视角显示性能。
在一种可能的实现方式中,所述显示面板包括设置于所述衬底上的平坦化层以及覆盖所述平坦化层的像素限定层,所述像素限定层的折射率大于所述平坦化层的折射率;所述平坦化层上设置有多个第一凹槽,所述像素限定层在每个所述第一凹槽内形成一个第二凹槽,所述第二凹槽的底壁上设置有第一像素开口,所述第一像素单元位于所述第一像素开口中。
在一种可能的实现方式中,所述第一凹槽的侧壁和/或所述第二凹槽的侧壁形成所述全反射结构,所述第一凹槽的侧壁和/或所述第二凹槽的侧壁之间的结合面形成所述全反射面
在一种可能的实现方式中,每个所述第二凹槽的底壁上设置一个所述第一像素开口。
在一种可能的实现方式中,每个所述第二凹槽的底壁上设置三个所述第一像素开口,三个所述第一像素开口内各自设置有一个第一像素单元,且三个所述第一像素开口内的第一像素单元的发光颜色全部不同。
在一种可能的实现方式中,所述像素限定层上位于所述第二凹槽之外的区域设置有第二像素开口,所述第二像素单元位于所述第二像素开口中。
在一种可能的实现方式中,所述显示面板还包括设置于所述衬底和所述平坦化层之间的缓冲层,所述平坦化层和所述像素限定层设置于所述缓冲层上,所述缓冲层上设置有多个第三凹槽,所述平坦化层在每个所述第三凹槽内形成一个所述第一凹槽。
在一种可能的实现方式中,所述第三凹槽的深度为0.6-1.5微米。
在一种可能的实现方式中,所述平坦化层的厚度为1-1.5微米。
在一种可能的实现方式中,所述显示面板还包括覆盖所述像素限定层的封装层,所述封装层的折射率大于所述像素限定层的折射率。
在一种可能的实现方式中,所述显示面板还包括设置于所述衬底上的平坦化层、设置于所述平坦化层上的多个凸起、以及覆盖各所述凸起和所述平坦化层的像素限定层,所述像素限定层的折射率大于所述凸起的折射率,所述像素限定层在各所述凸起处形成上凸部,所述上凸部和所述凸起形成所述全反射结构,所述上凸部与所述凸起的结合面形成所述全反射面。
本申请实施例的第二方面提供一种显示装置,包括第一驱动芯片、第二驱动芯片以及如上所述的显示面板,所述第一驱动芯片与各所述第一像素单元信号连接,所述第二驱动芯片与各所述第二像素单元信号连接。
由于显示装置包括上述第一方面的显示面板,因此,该显示装置也具有与显示面板相同的优点,具体可以参考上文描述。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为相关技术中显示面板的结构示意图;
图2为图1中A处的局部放大结构示意图;
图3为根据本申请一实施例的显示面板的结构示意图;
图4为根据本申请一实施例的显示面板中全反射面与第一像素单元的位置关系图;
图5为根据本申请另一实施例的显示面板中全反射面与第一像素单元的位置关系图;
图6为根据本申请另一实施例的显示面板的结构示意图;
图7为根据本申请再一实施例的显示面板的结构示意图。
附图标记说明:
10-阵列基板; 11-衬底;
12-驱动电路层; 121-缓冲层;
1211-第三凹槽; 122-有源层;
123-栅绝缘层; 124-第一金属层;
125-电容绝缘层; 126-第二金属层;
127-层间绝缘层; 128-第三金属层;
13-平坦化层; 131-第一凹槽;
20-像素限定层; 21-第一像素开口;
22-第二像素开口; 23-第二凹槽;
24-上凸部; 30-像素单元;
31-第一像素单元; 32-第二像素单元;
40-封装层; 50-触控层;
60-微透镜; 70-高折射率层;
80-凸起。
具体实施方式
正如背景技术所述,相关技术中,为了提高显示面板的正向出光量,通常是在显示面板中设置全反射结构,显示面板的各像素单元发出的倾斜角度较大的光线经全反射结构形成全发射后发出,以提高显示面板的正向出光量,可以理解的是,本文中所述的“正向出光”不局限于出光方向与显示面板的出光面垂直的方向,与显示面板的出光面垂直的方向之间具有较小夹角的光线也属于本文中正向出光的范畴。
以图1所示的显示面板为例,该显示面板包括阵列基板10以及设置于阵列基板10上的像素限定层20,像素限定层20上设置有像素开口,像素开口中设置有像素单元30。显示面板还包括设置于像素限定层20上的封装层40、设置于封装层40上的触控层50、设置于触控层50上的多个阵列排布的微透镜60、以及覆盖触控层50和微透镜的高折射率层70。高折射率层70的折射率高于微透镜60的折射率,高折射率层70和微透镜60即构成上述的全反射结构。
全反射是指光由光密介质(光在此介质中的折射率较大)射到光疏介质(光在此截止中折射率较小)的界面,且入射角大于临界角时,全部被反射回原介质内的现象。如图2所示,各像素单元30与微透镜60之间的区域位置对应,像素单元30发出的相对正向出光倾斜角度较大的光线在入射到微透镜60与高折射率层70的结合面时,入射角大于临界角的光线会在结合面上发生全反射,从而使得这些光线变为正向出光光线。
上述显示面板中,由于各像素单元30发出的相对正向出光倾斜角度较大的光线在全反射结构内发生全反射,变为正向出光光线,在提高显示面板正向出光量的同时,牺牲了显示面板大视角方向的光强,从而降低显示面板的大视角显示性能。
可以理解的,本申请中的“大视角”指的是与垂直于显示面板的出光面的视角夹角比较大的视角,例如与垂直于出光面的视角之间的夹角大于45°的视角。
针对上述技术问题,本申请实施例提供了一种显示面板,其像素单元包括位于全反射结构内的第一像素单元和位于全反射结构外的第二反射单元,既能够保证显示面板的正向出光量,又能够提高显示面板的大视角显示性能。
为了使本申请实施例的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本申请的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例,均属于本申请保护的范围。
如图3所示,本申请实施例提供了一种显示面板,该显示面板可以为OLED显示面板,其包括衬底11,设置在衬底11上的若干全反射结构,设置在衬底11上且位于各全反射结构内的多个第一像素单元31,以及位于各全反射结构外的多个第二像素单元32。每个全反射结构内至少设置有一个第一像素单元31。每个全反射结构包括全反射面F,全反射面F至少部分围绕其内部的第一像素单元31。全反射结构内的第一像素单元31发出的部分光线能够经全反射面F发生全反射,并沿显示面板的正向射出显示面板。
可以理解的,上述的第一像素单元31指的是能够发出单一颜色的子像素,多个发光颜色不同的第一像素单元31可组成一个像素,例如,一个发光颜色为红色的第一像素单元31、一个发光颜色为蓝色的第一像素单元31和一个发光颜色为绿色的第一像素单元31组成一个像素。
类似地,上述的第二像素单元32指的是能够发出单一颜色的子像素,多个发光颜色不同的第二像素单元32可组成一个像素,例如,一个发光颜色为红色的第二像素单元32、一个发光颜色为蓝色的第二像素单元32和一个发光颜色为绿色的第二像素单元32组成一个像素。
全反射结构即为使得进入其内的光线能够在其内部发生全反射的结构。根据光的全反射原理,全反射结构包括高折射率部分和低折射率部分,两者的结合面即为全面反射面F,第一像素单元31发出的光进入高折射率部分,并能够在高折射率部分和低折射率部分的结合面即全反射面F处发生全反射。
全反射面F可以是部分围绕第一像素单元31,在一些可能的实施例中,如图4所示,全反射面F在周向上连续,且在周向上不封闭,从而部分包围第一像素单元31。在另一些可能的实施例中,如图5所示,全反射面F在周向上不连续,并在第一像素单元31的整个外围上布置。
上述全反射面F部分围绕第一像素单元31的实施例中,第一像素单元31发出的相对正向出光倾斜角度较大的光线中,一部分光线经全面反射面F发生全反射而变为正向出光光线,另一部分不受全反射结构的影响,继续沿原来的方向发出。
全反射面F也可以是围绕第一像素单元31的整个外周设置,使得第一像素单元31发出的相对正向出光倾斜角度较大的光线均能够经全面反射面F发生全反射而变为正向出光光线。
本申请实施例提供的显示面板设置有位于全反射结构内的第一像素单元31和位于全反射结构之外的第二像素单元32,第一像素单元31发出的相对正向出光倾斜角度较大的光线,能够经全反射结构中的全反射面F发生全反射,从而改变第一像素单元31发出的相对正向出光倾斜角度较大的光线的出光角度,使其变为正向出光光线,保证显示面板的正向出光量;而第二像素单元32由于位于全反射结构之外,发光角度不受全反射结构的影响,因此第二像素单元32发出的光线能够向各个方向发散,从而保证显示面板的大视角显示性能。
上述实施例中,一个全反射结构内可以是设置一个第一像素单元31,该全反射结构用于对一个第一像素单元31发出的光进行全反射。也可以多个第一像素单元31共用一个全反射结构,例如,构成一个像素的三个发光颜色不同的第一像素单元31共用一个全反射结构。
第一像素单元31和第二像素单元32在显示面板上的排布方式不作限制,优选地,多个第一像素单元31和多个第二像素单元32穿插排布于显示面板上,以使得多个第一像素单元31和多个第二像素单元32都均在显示面板上均匀排布,保证显示面板在第一像素单元31单独发光、第二像素单元32单独发光的情况下均能够获得均匀、良好的显示效果。
在一个可选的实施例中,多个第一像素单元31构成多个第一像素,每个第一像素包括三个发光颜色不同的第一像素单元31。多个第二像素单元32构成多个第二像素,每个第二像素包括三个发光颜色不同的第二像素单元32。多个第一像素和多个第二像素呈阵列排布,在该阵列中,每一排和每一列中,第一像素和第二像素均间隔排布,以使得多个第一像素、多个第二像素都均匀分布。
继续参考图3,在一个可能的实施例中,显示面板包括衬底11以及堆叠设置于衬底11上的驱动电路层12、平坦化层(Planarization Layer,简称PLN)13和像素限定层20(pixel defining layer,简称PLN)。
驱动电路层12内设置有用于驱动各第一像素单元31的第一像素电路以及用于驱动各第二像素单元32的第二像素电路,第一像素电路和第二像素电路例如可以为薄膜晶体管(Thin Film Transistor,简称TFT)驱动电路。示例性地,如图3所示,驱动电路层12包括依次层叠设置于衬底11上的缓冲层(buffer)121、有源层122、栅绝缘层(Gate Insulator,简称GI)123、第一金属层124、电容绝缘层(Capacitor Insulator,简称CI)125、第二金属层126、层间绝缘层(Inter Layer Dielectric,简称ILD)127以及第三金属层128,平坦化层13覆盖第三金属层128。
有源层122的材质通常为半导体材料,例如硅或者碳化硅。有源层122包括源区、漏区,以及连接源区和漏区的沟道区,源区通过在有源层内掺杂n型杂质形成,漏区通过在有源层内掺杂p型杂质形成。示例性的,源区和漏区可以通过离子注入(Ion Doping)工艺形成。
第一金属层124包括第一像素电路和第二像素电路中薄膜晶体管的栅极和电容的第一极板,第二金属层126包括第一像素电路和第二像素电路中电容的第二极板,第三金属层128包括第一像素电路和第二像素电路中源漏电极,第一像素电路的源漏电极与第一像素单元31以及有源层122连接,第二像素电路的源漏电极与第二像素单元32以及有源层连接。
缓冲层121、栅绝缘层123、电容绝缘层125、层间绝缘层127可以为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等材料制成的无机材料层。第一金属层124、第二金属层126、第三金属层128可以为钼、钛等金属制成的金属膜层。
继续参考图3,平坦化层13上设置有多个第一凹槽131,像素限定层20在第一凹槽131内形成第二凹槽23,第二凹槽23的底壁上设置有第一像素开口21。第一像素单元31位于第一像素开口21中。像素限定层20的折射率大于平坦化层13的折射率。这样,第一凹槽131的侧壁和第二凹槽23的侧壁即形成上述的全反射结构,第一凹槽131的侧壁和第二凹槽23的侧壁的结合面即为全反射结构的全反射面F。如图3所示,第一像素单元31发出的相对正向出光倾斜角度较大的光线在入射到第一凹槽131的侧壁和第二凹槽23的侧壁的结合面时发生全反射,使其变为正向出光光线,以保证显示面板的正向出光量。
像素限定层20上位于第二凹槽23之外的区域设置有第二像素开口22,第二像素单元32位于第二像素开口22中。由于第二像素单元32外围不设置全反射结构,因此,如图3所述,第二像素单元32的出光角度不受全反射结构的影响,因此第二像素单元32发出的光线能够向各个方向发散,从而保证显示面板的大视角显示性能。
上述实施例中,利用平坦化层13和像素限定层20形成全反射结构,简化了显示面板的结构和加工工艺,降低了显示面板的生产成本。
其中,平坦化层13和像素限定层20的材料不作限制,例如可以为聚酰亚胺、树脂等有机材料,只要保证像素限定层20的折射率大于平坦化层13的折射率即可。示例性地,像素限定层20的材质为折射率1.58左右的苯基硅树脂,平坦化层13的材质为折射率在1.43左右的甲基硅树脂。
上述实施例中,设置于第二凹槽23的底壁上的第一像素开口21的数量不限,且各第二凹槽23的底壁上的第一像素开口21的数量可以相同,也可以不同。在一些实施例中,如图3所示,每个第二凹槽23的底壁上设置一个第一像素开口21,并在该第一像素开口21中设置第一像素单元31。这样,使得第二凹槽23的侧壁以及第一凹槽131的侧壁与第一像素单元31之间的距离较小,保证第一像素单元31发出的光线中,有更多的光线能够经平坦化层13和像素限定层20的结合面发生全反射,从而提高显示面板的正向出光量。
在另一些实施例中,每个第二凹槽23的底壁上设置三个第一像素开口21,三个第一像素开口21内分别设置三个发光颜色不同的第一像素单元31,例如分别设置一个发光颜色为红色的第一像素单元31、一个发光颜色为蓝色的第一像素单元31和一个发光颜色为绿色的第一像素单元31,这三个第一像素单元31组成一个像素。这样设计,能够提高一个像素中各第一像素单元31的混光效果,进而提高显示面板的显示效果。
继续参考图3,在一些实施例中,第一凹槽131由平坦化层13的背离衬底一侧的表面凹陷形成,例如,可以在平坦化层13制备完成后,在平坦化层13上需要设置第一凹槽131的位置采用黄光配合干刻的工艺过程形成第一凹槽131。在另一些实施例中,如图6所示,缓冲层121上设置有多个第三凹槽1211,例如可通过光刻工艺形成具有多个第三凹槽1211的缓冲层121,由于栅极绝缘层123、电容绝缘层125、层间绝缘层127、平坦化层13在缓冲层121上依次堆叠形成,配合第三凹槽1211深度和平坦化层13厚度,使得平坦化层13不足以平坦第三凹槽1211,从而使得平坦化层13的表面上与各第三凹槽1211对应的位置处形成凹陷,该凹陷即为上述的第一凹槽131。
上述实施例中,在缓冲层121上设置第三凹槽1211,并使得平坦化层13不足以平坦第三凹槽1211,示例性地,第三凹槽1211的深度为0.6-1.5微米,平坦化层13的厚度为1-1.5微米,从而在平坦化层13表面形成第一凹槽131,进一步简化显示面板的加工工艺。
进一步地,如图6所示,第一像素电路在衬底11上的正投影均位于相应的第三凹槽1211在衬底11上的正投影之内,使得第三凹槽1211尺寸足够布置位于相应第一凹槽131内的第一像素单元31的第一像素电路,以便能够在平坦化层13的表面形成足够深度的第一凹槽131。这样设计,保证第一像素单元31发出的光线中,有更多的光线能够经平坦化层13和像素限定层20的结合面发生全反射,从而提高显示面板的正向出光量。
进一步地,如图4和图6所示,显示面板包括覆盖像素限定层20的封装层40,封装层40的折射率大于像素限定层20的折射率。这样设计,使得像素限定层20的第二凹槽23的侧壁与封装层40也形成全反射结构,第二凹槽23的侧壁与封装层40的结合面即为全反射结构的全反射面F。第一像素单元31发出的相对正向出光倾斜角度较大的光线在入射到第二凹槽23的侧壁与封装层40的结合面时发生全反射,使其变为正向出光光线,从而进一步提高显示面板的正向出光量。
其中,封装层40的材料不作限制,只要保证封装层40的折射率大于像素限定层20的折射率即可。示例性地,像素限定层20的材质为折射率1.58左右的苯基硅树脂,封装层40的材质为氮氧化硅,氮氧化硅的折射率受其中的氮和氧的摩尔比影响,氮氧化硅的折射率在1.52-2.0之间变化,氮和氧的摩尔比越大,该氮氧化硅的折射率越大,这样,通过调整氮氧化硅的氮和氧的摩尔比,即可使得氮氧化硅的折射率大于1.58。
上述实施例中,通过在平坦化层13上设置第一凹槽131并利用第一凹槽131在像素限定层20上形成第二凹槽23,使得第一凹槽131的侧壁与第二凹槽23的侧壁形成全反射结构。当然,可以理解的是,全反射结构不局限于此,例如,在图7所示的实施例中,显示面板包括设置于平坦化层13上的多个凸起80,像素限定层20覆盖各凸起80和平坦化层13,像素限定层20的折射率大于凸起80的折射率,这样,像素限定层20在各凸起80处形成上凸部24,上凸部24和凸起80形成上述的全反射结构,上凸部24与凸起80的结合面即为全反射结构的全反射面。
上述实施例中,在平坦化层13上形成凸起80配合像素限定层20形成全反射结构,这样设计能够保证平坦化层13的上表面的平整性,从而提高各第一像素单元31以及各第二像素单元32的平坦性,进而提高显示面板的显示效果。
可以理解的,在一些实施例中,凸起80是部分围绕第一像素单元31,从而使得凸起80和上凸部24形成部分围绕第一像素单元31的全反射面F。在另一些实施例中,凸起80呈环形,从而使得凸起80和上凸部24形成围绕第一像素单元31整个外周的全反射面F。
其中,凸起80的材料不作限制,只要保证像素限定层20的折射率大于凸起80的折射率即可。示例性地,像素限定层20的材质为折射率1.58左右的苯基硅树脂,凸起80的材质为1.43左右的甲基硅树脂。
进一步地,本申请实施例还提供一种显示装置,该显示装置包括第一驱动芯片、第二驱动芯片以及如上所述的显示面板。其中,第一驱动芯片与各第一像素单元信号连接,第二驱动芯片与各第二像素单元信号连接。这样设计,使得第一像素单元和第二像素单元的控制相互独立,以满足不同的显示场景需求。
示例性地,响应于切换至第一显示模式的控制指令,第一驱动芯片驱动各第一像素单元发光,第二驱动芯片不工作;响应于切换至第二显示模式的控制指令,第二驱动芯片驱动各第二像素单元发光,第一驱动芯片不工作。
上述实施例中,显示装置可以为任意具有显示功能的装置,例如可以为手机、平板电脑、笔记本电脑、掌上电脑、车载电子设备、可穿戴设备、超级移动个人计算机(ultra-mobile personal computer,简称UMPC)、上网本或者个人数字助理(personal digitalassistant,简称PDA)等移动设备,还可以为个人计算机(personal computer,简称PC)、电视机(television,简称TV)、柜员机或者自助机等非移动设备等。
应当指出,在说明书中提到的“一个实施例”、“实施例”、“示例性实施例”、“一些实施例”等表示所述的实施例可以包括特定特征、结构或特性,但未必每个实施例都包括该特定特征、结构或特性。此外,这样的短语未必是指同一实施例。此外,在结合实施例描述特定特征、结构或特性时,结合明确或未明确描述的其他实施例实现这样的特征、结构或特性处于本领域技术人员的知识范围之内。
应当容易地理解,应当按照最宽的方式解释本申请中的“在……上”、“在……以上”和“在……之上”,以使得“在……上”不仅意味着“直接处于某物上”,还包括“在某物上”且其间具有中间特征或层的含义,并且“在……以上”或者“在……之上”不仅包括“在某物以上”或“之上”的含义,还可以包括“在某物以上”或“之上”且其间没有中间特征或层(即,直接处于某物上)的含义。
文中使用的术语“衬底”是指在其上添加后续材料层的材料。衬底本身可以被图案化。添加到衬底顶上的材料可以被图案化,或者可以保持不被图案化。此外,衬底可以包括宽范围内的一系列材料,例如,硅、锗、砷化镓、磷化铟等。替代地,衬底可以由非导电材料(例如,玻璃、塑料或者蓝宝石晶圆等)制成。
文中使用的术语“层”可以指包括具有一定厚度的区域的材料部分。层可以在整个的下层结构或上覆结构之上延伸,或者可以具有比下层或上覆结构的范围小的范围。此外,层可以是匀质或者非匀质的连续结构的一个区域,其厚度小于该连续结构的厚度。例如,层可以位于所述连续结构的顶表面和底表面之间或者所述顶表面和底表面处的任何成对的横向平面之间。层可以横向延伸、垂直延伸和/或沿锥形表面延伸。衬底可以是层,可以在其中包括一个或多个层,和/或可以具有位于其上、其以上和/或其以下的一个或多个层。层可以包括多个层。例如,互连层可以包括一个或多个导体和接触层(在其内形成触点、互连线和/或过孔)以及一个或多个电介质层。
最后应说明的是:以上各实施例仅用以说明本申请的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述各实施例对本申请进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的范围。
Claims (12)
1.一种显示面板,其特征在于,包括衬底,设置在所述衬底上的若干全反射结构,设置在所述衬底上的多个第一像素单元和多个第二像素单元,所述多个第一像素单元位于各所述全反射结构内,所述多个第二像素单元位于各所述全反射结构外;
每个所述全反射结构内至少设置有一个所述第一像素单元,每个所述全反射结构包括至少部分围绕该所述全反射结构内的所述第一像素单元的全反射面,所述全反射结构被配置为将所述第一像素单元发出且入射至该全反射面上的至少部分光线,沿所述显示面板的正向全反射出显示面板。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板包括设置于所述衬底上的平坦化层以及覆盖所述平坦化层的像素限定层,所述像素限定层的折射率大于所述平坦化层的折射率;
所述平坦化层上设置有多个第一凹槽,所述像素限定层在每个所述第一凹槽内形成一个第二凹槽,所述第二凹槽的底壁上设置有第一像素开口,所述第一像素单元位于所述第一像素开口中。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述第一凹槽的侧壁和/或所述第二凹槽的侧壁形成所述全反射结构,所述第一凹槽的侧壁和/或所述第二凹槽的侧壁之间的结合面形成所述全反射面。
4.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,每个所述第二凹槽的底壁上设置一个所述第一像素开口。
5.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,每个所述第二凹槽的底壁上设置三个所述第一像素开口,三个所述第一像素开口内各自设置有一个第一像素单元,且三个所述第一像素开口内的第一像素单元的发光颜色全部不同。
6.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述像素限定层上位于所述第二凹槽之外的区域设置有第二像素开口,所述第二像素单元位于所述第二像素开口中。
7.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括设置于所述衬底和所述平坦化层之间的缓冲层,所述平坦化层和所述像素限定层设置于所述缓冲层上,所述缓冲层上设置有多个第三凹槽,所述平坦化层在每个所述第三凹槽内形成一个所述第一凹槽。
8.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,所述第三凹槽的深度为0.6-1.5微米。
9.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,所述平坦化层的厚度为1-1.5微米。
10.根据权利要求2至9任一项所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括覆盖所述像素限定层的封装层,所述封装层的折射率大于所述像素限定层的折射率。
11.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括设置于所述衬底上的平坦化层、设置于所述平坦化层上的多个凸起、以及覆盖各所述凸起和所述平坦化层的像素限定层,所述像素限定层的折射率大于所述凸起的折射率,所述像素限定层在各所述凸起处形成上凸部,所述上凸部和所述凸起形成所述全反射结构,所述上凸部与所述凸起的结合面形成所述全反射面。
12.一种显示装置,其特征在于,包括第一驱动芯片、第二驱动芯片以及如权利要求1至11任一项所述的显示面板,所述第一驱动芯片与各所述第一像素单元信号连接,所述第二驱动芯片与各所述第二像素单元信号连接。
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Citations (5)
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---|---|---|---|---|
CN104037357A (zh) * | 2014-06-05 | 2014-09-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机发光显示装置及其制造方法 |
KR20180135342A (ko) * | 2017-06-12 | 2018-12-20 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 및 그 구동방법 |
CN112038357A (zh) * | 2020-08-31 | 2020-12-04 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种显示面板、显示装置及制备方法 |
CN113078193A (zh) * | 2021-03-24 | 2021-07-06 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
CN113272988A (zh) * | 2019-01-07 | 2021-08-17 | 三星显示有限公司 | 显示装置 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102523344B1 (ko) * | 2015-11-25 | 2023-04-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104037357A (zh) * | 2014-06-05 | 2014-09-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机发光显示装置及其制造方法 |
KR20180135342A (ko) * | 2017-06-12 | 2018-12-20 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 및 그 구동방법 |
CN113272988A (zh) * | 2019-01-07 | 2021-08-17 | 三星显示有限公司 | 显示装置 |
CN112038357A (zh) * | 2020-08-31 | 2020-12-04 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种显示面板、显示装置及制备方法 |
CN113078193A (zh) * | 2021-03-24 | 2021-07-06 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
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