CN113805395A - 阵列基板和显示面板 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种阵列基板和显示面板。阵列基板包含多个像素、多条数据线、多条栅极线、多条共享电极线、多条公共电极线和共享电极总线。每一像素包含第一子像素和第二子像素。在每一像素行中，相邻的第一子像素行和第二子像素行之间具有第一间隔。每一栅极线设置在对应的第一间隔中。每一共享电极线设置在对应的第一间隔中，且与对应的栅极线相邻。每一公共电极线设置在两相邻的第一间隔之间。共享电极总线与多条共享电极线连接。本申请的阵列基板和显示面板能提高开口率、提高制程良率和降低反射率。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板和显示面板。
背景技术
请参照图1，其显示现有技术中的阵列基板10的示意图。阵列基板10包含数据线11、栅极线12、公共电极13、共享电极14、第一晶体管15、第二晶体管16、第三晶体管17。图1显示阵列基板10中的一个像素单元，其包含第一子像素18和第二子像素19。
如图1所示，共享电极14从第一子像素18延伸至第二子像素19，并且共享电极14的一部分设置至像素单元的开口区。为了避免漏光，需要在共享电极14下方设置略宽于共享电极14的金属层，即公共电极13延伸至像素单元的开口区(显示区域)的部分。然而，采用上述较宽的公共电极13的设计将导致开口率的降低。其次，设置在像素单元的开口区内的公共电极13将导致反射率增加。再者，纵向延伸通过多个像素单元的共享电极14存在跨线断线而导致短路的风险。
另一方面，在传统的阵列基板10的制造方法中，四道光罩工艺被广泛采用。即，栅极线12和公共电极13形成在第一金属层，以及数据线11、共享电极14、晶体管15/16/17的源漏极形成在第二金属层。因此，受到制造工艺的限制，共享电极14将限制其他同层设置的元件的布线设计。
发明内容
为解决上述现有技术的问题，本申请的目的在于提供一种阵列基板和显示面板，其能避免显示面板在大视角下出现色偏，并且能进一步提高显示面板的开口率、提高制程良率和降低反射率。
为达成上述目的，本申请提供一种阵列基板，包括：显示区和围绕所述显示区的非显示区；多个像素，设置在所述显示区，其中每一所述像素包含沿着列方向排列的第一子像素和第二子像素，以及所述多个像素包含多个像素行和多个像素列，并且在每一所述像素行中，相邻的第一子像素行和第二子像素行之间具有第一间隔；多条数据线，沿着所述列方向延伸，且与所述多个像素列连接；多条栅极线，沿着行方向延伸，且与所述多个像素行连接，其中每一所述栅极线设置在对应的所述第一间隔中；多条共享电极线，沿着所述行方向延伸，并且每一所述共享电极线设置在对应的所述第一间隔中，且与对应的所述栅极线相邻；多条公共电极线，其中每一所述公共电极线设置在两相邻的所述第一间隔之间；以及共享电极总线，沿着所述列方向延伸，设置在所述非显示区，且与所述多条共享电极线连接。
在一些实施例中，所述多条栅极线、所述多条共享电极线和所述多条公共电极线设置在第一金属层。
在一些实施例中，所述共享电极总线设置在所述第一金属层。
在一些实施例中，所述多条共享电极线和所述共享电极总线设置在不同层，且所述共享电极总线和所述多条数据线设置在第二金属层。
在一些实施例中，所述阵列基板还包含多个修复电极，所述多个修复电极与所述多条公共电极线连接。
在一些实施例中，所述阵列基板还包含基底板，以及在其中之一所述像素中，所述第一子像素包含第一像素电极，所述第二子像素包含第二像素电极；以及所述第一像素电极和所述第二像素电极在所述基底板上的正投影分别与至少一所述修复电极的正投影重叠。
在一些实施例中，所述阵列基板还包含基底板，以及所述多条共享电极线在所述基底板上的正投影和所述多条公共电极线在所述基底板上的正投影彼此不重叠。
在一些实施例中，在其中之一所述像素中，所述像素包含共享薄膜晶体管，所述第一子像素包含第一薄膜晶体管和第一像素电极，以及所述第二子像素包含第二薄膜晶体管和第二像素电极；所述共享薄膜晶体管、所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的栅极连接同一所述栅极线；所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的源极连接同一所述数据线；所述第一薄膜晶体管的漏极连接至所述第一像素电极，以及所述第二薄膜晶体管的漏极连接至所述第二像素电极；所述共享薄膜晶体管的漏极连接至所述第二薄膜晶体管的所述漏极，所述共享薄膜晶体管的源极连接至其中之一所述共享电极线，与所述共享薄膜晶体管的所述栅极和所述源极分别连接的所述栅极线和所述共享电极线设置在同一所述第一间隔中。
在一些实施例中，两相邻的所述像素行之间具有第二间隔；每一所述公共电极线包含主电极和多个梳状电极；所述主电极沿着所述行方向延伸，且设置在对应的所述第二间隔之间；所述多个梳状电极沿着所述列方向延伸，且朝至少一相邻的所述第一间隔延伸；以及所述阵列基板还包含公共电极总线，沿着所述列方向延伸，设置在所述非显示区，且与每一所述主电极连接。
本申请还提供一种显示面板，包含：上述的阵列基板；彩膜基板，与所述阵列基板相对设置；以及液晶层，设置在所述阵列基板和所述彩膜基板之间。
相较于先前技术，本申请的共享电极线与公共电极线分隔设置，且共享电极线不会延伸至像素的开口区，故可有效地提高开口率。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1显示现有技术中的阵列基板的示意图。
图2显示根据本申请的第一实施例的阵列基板的第一金属层的示意图。
图3显示图2的A部分的像素的结构示意图。
图4显示图3沿着B-B割面线的剖面图。
图5显示图3的阵列基板的第一金属层和第二金属层的示意图。
图6显示根据本申请的第二实施例的阵列基板的示意图。
图7显示根据本申请的第三实施例的阵列基板的示意图。
图8显示根据本申请的实施例的显示面板。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
请参照图2和图3。图2显示根据本申请的第一实施例的阵列基板的第一金属层的示意图，以及图3显示图2的A部分的像素的结构示意图。阵列基板100包含显示区101、非显示区102、多个像素110、多条栅极线120、多条数据线130、多条共享电极线140、多条公共电极线150、共享电极总线141和栅极驱动器121。图2所示的像素区103对应于一个像素110所涵盖的区域。数据线130和共享电极总线141沿着列方向延伸，以及栅极线120和共享电极线140沿着行方向延伸。
如图2所示，非显示区102围绕显示区101。多个像素110设置在显示区101。共享电极总线141和栅极驱动器121设置在非显示区102。所有的栅极线120从显示区101延伸至非显示区102，且与栅极驱动器121连接。所有的共享电极线140从显示区101延伸至非显示区102，且与共享电极总线141连接。
如图3所示，每一像素110包含沿着列方向排列的第一子像素111和第二子像素112。又，如图2所示，多个像素110包含多个像素行104和多个像素列。每一数据线130连接其中之一像素列，以及每一栅极线120连接其中之一像素行104。在每一像素行104中，相邻的第一子像素行105和第二子像素行106之间具有第一间隔107。每一栅极线120设置在对应的第一间隔107中，以及每一共享电极线140也设置在对应的第一间隔107中且与对应的栅极线120相邻。也就是说，在对应的第一间隔107中，设置有相邻的栅极线120和共享电极线140。每一公共电极线150设置在两相邻的第一间隔107之间。此外，两相邻的像素行104之间具有第二间隔108。
如图3所示，每一像素110包含共享薄膜晶体管117。并且，在一个像素110中，第一子像素111包含第一薄膜晶体管113和第一像素电极115，以及第二子像素112包含第二薄膜晶体管114和第二像素电极116。
如图2所示，每一公共电极线150包含主电极151和多个梳状电极152。主电极151沿着行方向延伸，且设置在对应的第二间隔108之间。梳状电极152沿着列方向延伸，且朝至少一相邻的第一间隔107延伸。如图3所示，公共电极线150与像素电极115/116部分重叠以形成存储电容。应当注意的是，在本实施例中，阵列基板100的第一间隔107内没有公共电极线150。因此，除了第一像素电极115邻近共享电极线140的侧边，公共电极线150与第一像素电极115的其余侧边重叠。并且，除了第二像素电极116邻近栅极线120的侧边，公共电极线150与第二像素电极116的其余侧边重叠。
请参照图3和图4，其中图4显示图3沿着B-B割面线的剖面图。阵列基板100还包含基底板401、第一绝缘层402、有源层403、第二绝缘层404和第一连接电极118。栅极线120和共享电极线140设置在基底板401上。第一绝缘层402设置在基底板401、栅极线120和共享电极线140上。有源层403设置在第一绝缘层402上。第一薄膜晶体管113、第二薄膜晶体管114和共享薄膜晶体管117的源漏极设置在有源层403上。第二绝缘层404设置在第一薄膜晶体管113、第二薄膜晶体管114和共享薄膜晶体管117的源漏极上。并且，第二绝缘层404包含有第一通孔H1、第二通孔H2和第三通孔H3。第一通孔H1用于曝露出第一薄膜晶体管113的漏极。第二通孔H2用于曝露出第二薄膜晶体管114的漏极。第三通孔H3用于曝露出共享薄膜晶体管117的漏极和共享电极线140。
如图3和图4所示，在一个像素110中，共享薄膜晶体管117、第一薄膜晶体管113和第二薄膜晶体管114的栅极连接同一条栅极线120。又，第一薄膜晶体管113和第二薄膜晶体管114的源极连接同一条数据线130。第一像素电极115设置在第二绝缘层404上，并且通过第一通孔H1与第一薄膜晶体管113的漏极连接。第二像素电极116设置在第二绝缘层404上，并且通过第二通孔H2与第二薄膜晶体管114的漏极连接。第一连接电极118设置在第二绝缘层404上且覆盖第三通孔H3的孔壁。第一连接电极118用于连接共享薄膜晶体管117的源极和共享电极线140。共享薄膜晶体管117的漏极与第一薄膜晶体管113的漏极连接。在一个像素110中，与共享薄膜晶体管117的栅极和源极分别连接的栅极线120和共享电极线140彼此相邻设置在同一第一间隔107中。
如图3和图4所示，在一个像素110中，共享薄膜晶体管117、第一薄膜晶体管113和第二薄膜晶体管114经由同一条栅极线120控制。在栅极打开时，第一薄膜晶体管113和第二薄膜晶体管114分别给第一像素电极115和第二像素电极116充电。同时，共享薄膜晶体管117会将一部分已经充入第一像素电极115的电荷漏至共享电极线140，以拉低第一子像素111的电位。因而，保证了第一子像素111和第二子像素112的电位差值，进而改善在显示面板在广视角下的视觉色偏现象。
请参照图1和图5，图5显示图3的阵列基板的第一金属层和第二金属层的示意图。多条栅极线120、多条共享电极线140和多条公共电极线150设置在第一金属层。多条数据线130与第一薄膜晶体管113、第二薄膜晶体管114和共享薄膜晶体管117的源漏极设置在第二金属层。由于电极线140和栅极线120为同层设置，故共享电极线140在基底板401上的正投影和公共电极线150在基底板401上的正投影彼此不重叠。相较于现有技术，本申请的共享电极线140与公共电极线150分隔设置，且共享电极线140不会延伸至像素110的开口区(显示区域)，故可有效地提高开口率。其次，像素110的开口区也不需要设置避免漏光的金属层，故可降低反射率。再者，由于共享电极线140形成在阵列基板的最底层的第一金属层，因此共享电极线140不需使用采用跨线设计，进而可避免因跨线断线而导致短路的问题。另一方面，由于共享电极线140与栅极线120和公共电极线150同层设置，故不需要增加额外的金属层，也不会限制薄膜晶体管的源漏极和数据线的布线设计。
如图3和图5所示，阵列基板100还包含多个修复电极160。修复电极160与公共电极线150连接。具体来说，修复电极160与公共电极线150延伸至每一子像素中的至少一个梳状电极152连接。较佳地，公共电极线150连接至梳状电极152的末端。在一些实施例中，修复电极160与公共电极线150形成在同一层，即两者一体成型。举例来说，修复电极160形成在公共电极线150的末端。在每一像素110中，第一像素电极115和第二像素电极116在基底板上的正投影分别与至少一修复电极160的正投影重叠。
应当理解的是，修复电极160用于做像素的暗点化修复。具体来说，在点灯测试时，检测出具有因短路而造成的亮点。针对此缺陷，可通过修复电极160消除该亮点。举例来说，使用激光照射修复电极160以使公共电极线150与对应的像素电极连接。此时，在修复后的像素中，由于阵列基板100和对置的彩膜基板的公共电压的压差一样，因此该像素不会发光，进而完成暗点化修复。
如图2所示，在本实施例中，共享电极总线141设置在第一金属层。并且，共享电极总线141和栅极驱动器121分别设置在阵列基板100的相对两侧。
请参照图6，其显示根据本申请的第二实施例的阵列基板的示意图。在第二实施例中，栅极线220、共享电极线240和公共电极线250设置在第一金属层，以及数据线230设置在第二金属层。第二实施例的阵列基板200与第一实施例的阵列基板100大致相同，两者差别在于，第二实施例的阵列基板200的共享电极总线241设置在第二金属层，以及栅极驱动器221和共享电极总线241设置在阵列基板200的同一侧。共享电极总线241通过第二连接电极271与共享电极线240连接。另一方面，阵列基板200的显示区中的各元件的设计与第一实施例相同，在此不加以赘述。
请参照图7，其显示根据本申请的第三实施例的阵列基板的示意图。在第三实施例中，阵列基板300还包含公共电极总线353，其与所有公共电极线350的主电极连接。公共电极总线353沿着列方向延伸，且设置在非显示区。栅极线320、共享电极线340、共享电极总线341、公共电极线350和公共电极总线353设置在第一金属层。数据线330设置在第二金属层。栅极驱动器321、共享电极总线341和公共电极总线353设置在阵列基板300的同一侧。共享电极总线341通过第二连接电极371与共享电极线340连接。公共电极总线353通过第三连接电极372与公共电极线350连接。另一方面，阵列基板300的显示区中的各元件的设计与第一实施例相同，在此不加以赘述。
请参照图8，其显示根据本申请的实施例的显示面板。显示面板800包含阵列基板810、彩膜基板820和液晶层830。阵列基板810可为上述的任一种阵列基板。彩膜基板820与阵列基板810相对设置。液晶层830设置在彩膜基板820和阵列基板810之间。
综上所述，在本申请中通过设置共享电极线可保证了两相邻的子像素的电位差值，进而改善在显示面板在广视角下的视觉色偏现象。另一方面，相较于现有技术，本申请的共享电极线与公共电极线分隔设置，且共享电极线不会延伸至像素的开口区，故可有效地提高开口率。其次，像素的开口区也不需要设置避免漏光的金属层，故可降低反射率。再者，由于共享电极线形成在阵列基板的最底层的第一金属层，因此共享电极线不需使用采用跨线设计，进而可避免因跨线断线而导致短路的问题。另一方面，由于共享电极线与栅极线和公共电极线同层设置，故不需要增加额外的金属层，也不会限制薄膜晶体管的源漏极和数据线的布线设计。
以上对本申请实施例所提供的阵列基板和显示面板进行了详细介绍，本文中应用了具体实施例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想。本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
显示区和围绕所述显示区的非显示区；
多个像素，设置在所述显示区，其中每一所述像素包含沿着列方向排列的第一子像素和第二子像素，以及所述多个像素包含多个像素行和多个像素列，并且在每一所述像素行中，相邻的第一子像素行和第二子像素行之间具有第一间隔；
多条数据线，沿着所述列方向延伸，且与所述多个像素列连接；
多条栅极线，沿着行方向延伸，且与所述多个像素行连接，其中每一所述栅极线设置在对应的所述第一间隔中；
多条共享电极线，沿着所述行方向延伸，并且每一所述共享电极线设置在对应的所述第一间隔中，且与对应的所述栅极线相邻；
多条公共电极线，其中每一所述公共电极线设置在两相邻的所述第一间隔之间；以及
共享电极总线，沿着所述列方向延伸，设置在所述非显示区，且与所述多条共享电极线连接。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述多条栅极线、所述多条共享电极线和所述多条公共电极线设置在第一金属层。
3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述共享电极总线设置在所述第一金属层。
4.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述多条共享电极线和所述共享电极总线设置在不同层，且所述共享电极总线和所述多条数据线设置在第二金属层。
5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包含多个修复电极，所述多个修复电极与所述多条公共电极线连接。
6.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包含基底板，以及在其中之一所述像素中，所述第一子像素包含第一像素电极，所述第二子像素包含第二像素电极；以及
所述第一像素电极和所述第二像素电极在所述基底板上的正投影分别与至少一所述修复电极的正投影重叠。
7.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包含基底板，以及所述多条共享电极线在所述基底板上的正投影和所述多条公共电极线在所述基底板上的正投影彼此不重叠。
8.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，在其中之一所述像素中，所述像素包含共享薄膜晶体管，所述第一子像素包含第一薄膜晶体管和第一像素电极，以及所述第二子像素包含第二薄膜晶体管和第二像素电极；
所述共享薄膜晶体管、所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的栅极连接同一所述栅极线；
所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的源极连接同一所述数据线；
所述第一薄膜晶体管的漏极连接至所述第一像素电极，以及所述第二薄膜晶体管的漏极连接至所述第二像素电极；
所述共享薄膜晶体管的漏极连接至所述第二薄膜晶体管的所述漏极，所述共享薄膜晶体管的源极连接至其中之一所述共享电极线，与所述共享薄膜晶体管的所述栅极和所述源极分别连接的所述栅极线和所述共享电极线设置在同一所述第一间隔中。
9.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，两相邻的所述像素行之间具有第二间隔；
每一所述公共电极线包含主电极和多个梳状电极；
所述主电极沿着所述行方向延伸，且设置在对应的所述第二间隔之间；
所述多个梳状电极沿着所述列方向延伸，且朝至少一相邻的所述第一间隔延伸；以及
所述阵列基板还包含公共电极总线，沿着所述列方向延伸，设置在所述非显示区，且与每一所述主电极连接。
10.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包含：
如权利要求1-9任一项所述的阵列基板；
彩膜基板，与所述阵列基板相对设置；以及
液晶层，设置在所述阵列基板和所述彩膜基板之间。
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