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CN113556029B - 飞跨电容多电平端口失压保护电路 - Google Patents

飞跨电容多电平端口失压保护电路 Download PDF

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CN113556029B CN202010328585.5A CN202010328585A CN113556029B CN 113556029 B CN113556029 B CN 113556029B CN 202010328585 A CN202010328585 A CN 202010328585A CN 113556029 B CN113556029 B CN 113556029B
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Abstract

本发明揭露了一种飞跨电容多电平端口失压保护电路，其连接于直流输入端口，包括：第一电路单元，包括依次串联的第一至第四功率开关管，并连接在所述输入端口之间，所述第一和第四功率开关管各自能够承担一定的反向电流；第一飞跨电容，其一端与串联的第一和第二功率开关管的连接点相连，另一端与串联的第三和第四功率开关管的连接点相连；以及至少一个分流元件，与第一功率开关管或第四功率开关管相并联，且所述分流元件能承受的脉冲尖峰电流高于所并联的功率开关管能承受的反向电流。通过设置与功率开关管并联的二极管来分担直流短路时飞跨电容能量释放带来的冲击电流，从而实现了对功率开关管的保护。采用本发明的产品线路结构简单，PCB面积小，成本低。

Description

飞跨电容多电平端口失压保护电路
技术领域
本发明涉及多电平变换器领域，尤其是一种飞跨电容多电平端口失压保护电路。
背景技术
多电平变换器具有广阔的应用前景，例如可应用于轨道交通、电力、新能源发电、储能系统、大功率传动等领域。端口失压保护能力是多电平变换器的一个重要性能，其对产品性能提升、降低成本和运行可靠性具有重要的作用。
例如在带飞跨电容的三电平变换器中，端口失压会导致大电流冲击桥臂中的功率开关管，可能损坏功率开关管。图1为现有技术中一种飞跨电容三电平Buck/Boost电路的示意图。如下图1所示，变换器正常运行时飞跨电容C1电压是端口电容C2的一半。若发生端口失压，控制电路会检测到过流故障，快速控制功率开关管Q1～Q8关断。图2为端口失压时图1中的一个桥臂中的飞跨电容放电路径示意图。如下图2所示，端口失压时，C2先于C1放电，当C2上的电压降到和C1上电压相近时，C1开始放电，C1放电回路从C1正极经Q1功率开关管的体二极管，再经短路故障点，然后经Q4功率开关管的体二极管，最后回到C1负极。图3示出了图2中飞跨电容放电的等效电路图。由于飞跨电容C1的电压越大，发生端口失压时体二极管通过的瞬间电流就越大，而功率开关管Q1、Q4的体二极管的瞬时通流能力有限，当体二极管通过的瞬时电流超过其瞬时通流能力时，功率开关管Q1、Q4的体二极管将发生过流损坏。
针对端口失压的故障情况下，为了避免损坏Q1和Q4管，现有技术中有两种解决方法。图4中示出了现有技术中一种端口失压保护系统的示意图。图5中示出了现有技术中另一种端口失压保护系统的示意图。如图4所示，在第一种方法中，通过传感器检测母线电流，在检测到短路故障时，通过控制器控制母线上设置的功率开关管Q5断开，切断短路电流回路。如图5所示，在第二种方法中，通过传感器检测母线电流，在检测到短路故障时，通过控制器控制功率开关管Q5闭合，形成飞跨电容C1的放电电路(包括串联的功率开关管Q5和电阻R)。在C2电压降到C1电压之前，C1的能量已被放完，功率开关管Q1和Q4的体二极管上不会有短路电流流过。
然而，以上两种方法都比较复杂，需要检测电路、控制器和可控功率器件，不仅占用PCB面积，而且增加不少成本。
因此，寻找一种简单低成本的飞跨电容多电平端口失压保护电路，是非常有必要的。
发明内容
有鉴于此，本发明的一个目的在于提供一种飞跨电容多电平端口失压保护电路，其可以在不需要检测电路、控制器或可控功率器件的前提下，实现端口失压保护，从而简化了产品结构，减少了PCB占用面积，降低了成本。
为了实现上述目的，本发明提供一种飞跨电容多电平端口失压保护电路，连接于直流输入端口，包括：
第一电路单元，包括依次串联的第一至第四功率开关管，并连接在所述输入端口正负极之间，所述第一和第四功率开关管各自能承受一反向电流；
第一飞跨电容，其一端与串联的第一和第二功率开关管的连接点相连，另一端与串联的第三和第四功率开关管的连接点相连；以及
至少一个分流元件，与第一功率开关管或第四功率开关管相并联，且所述分流元件能承受的脉冲尖峰电流高于所并联的功率开关管能承受的反向电流。
本发明还提供一种双向飞跨电容多电平端口失压保护电路，包括电感元件和上述的第一飞跨电容多电平端口失压保护电路和第二飞跨电容多电平端口失压保护电路，所述第一飞跨电容多电平端口失压保护电路藉由所述电感元件耦接至所述第二飞跨电容多电平端口失压保护电路。
在本发明的一实施例中，所述电感元件的一端连接所述第一飞跨电容多电平端口失压保护电路的第二功率开关管和第三功率开关管的连接点，所述电感元件的另一端连接所述第二飞跨电容多电平端口失压保护电路的第二功率开关管和第三功率开关管的连接点。
本发明还提供一种多相飞跨电容多电平端口失压保护电路，其特征在于，包括多个电感元件和多个上述的飞跨电容多电平端口失压保护电路，所述各个飞跨电容多电平端口失压保护电路的第二功率开关管和第三功率开关管的连接点藉由对应的电感元件连接至输出端口的一端。
在本发明的一实施例中，所述的多相飞跨电容多电平端口失压保护电路还包括输出电容，所述输出电容并联于所述输出端口。
在本发明的一实施例中，所述输出端口的另一端连接至所述直流输入端口的负极。
本发明通过设置与功率开关管并联的分流元件来分担飞跨电容短路带来的冲击电流，使功率开关管的反并联二极管或体二极管不被击穿，从而实现了对功率开关管的保护。本发明的飞跨电容多电平端口失压保护电路可以在不需要检测电路、控制器或可控功率器件的前提下，实现端口失压保护，从而简化了产品结构，减少了PCB占用面积，降低了成本。
以下将以实施方式对上述的说明作详细的描述，并对本发明的技术方案提供更进一步的解释。
附图说明
为让本发明的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附附图的说明如下：
图1为现有技术中一种飞跨电容三电平Buck/Boost电路的示意图；
图2为端口失压时图1中的一个桥臂中的飞跨电容放电路径示意图；
图3示出了图2中飞跨电容放电时的等效电路图；
图4示出了现有技术中一种端口失压保护系统的示意图；
图5示出了现有技术中另一种端口失压保护系统的示意图；
图6示出了根据本发明一种优选实施方式的飞跨电容多电平端口失压保护电路的结构示意图；
图7示出了端口失压时图6中的保护电路的电流回路示意图；
图8示出了根据本发明一种优选实施方式的三电平Buck/Boost变换器的结构示意图；
图9示出了根据本发明一种优选实施方式的双向三电平Buck/Boost变换器的结构示意图；
图10示出了根据本发明一种优选实施方式的飞跨电容三电平桥臂电路的结构示意图；
图11示出了根据本发明一种优选实施方式的飞跨电容四电平桥臂电路的结构示意图；
图12示出了根据本发明一种优选实施方式的飞跨电容k+1电平桥臂电路的结构示意图。
图13示出了根据本发明一种优选实施方式的飞跨电容三相三电平Buck/Boost变换器。
具体实施方式
为了使本发明的叙述更佳详尽与完备，可参照所附的附图及以下所述各种实施例，附图中相同的号码代表相同或相似的组件。另一方面，众所周知的组件与步骤并未描述于实施例中，以避免对本发明造成不必要的限制。此外，为简化附图起见，一些已知惯用的结构与元件在附图中将以简单示意的方式绘示。
如图6所示，其示出了根据本发明一种优选实施方式的飞跨电容多电平端口失压保护电路的结构示意图。其中，该飞跨电容多电平端口失压保护电路连接于直流输入端口，例如直流输入端口BUS+和BUS-之间。该飞跨电容多电平端口失压保护电路可包括：第一电路单元，包括依次串联的第一至第四功率开关管Q1-Q4，并连接在所述输入端口BUS+、BUS-之间，第一和第四功率开关管Q1、Q4各自能够承受一定的反向电流；第一飞跨电容C1，其一端与串联的第一和第二功率开关管Q1、Q2的连接点相连，另一端与串联的第三和第四功率开关管Q3、Q4的连接点相连；以及至少一个分流元件D1或D2，与第一功率开关管Q1或第四功率开关管Q4相并联，且所述分流元件D1(或D2)能承受的脉冲尖峰电流高于所并联的功率开关管Q1(或Q4)能承受的反向电流。
根据本发明的一种优选实施方式，如图6所示，该飞跨电容多电平端口失压保护电路可包括例如两个分流元件D1、D2。分流元件D1与第一功率开关管Q1相并联。分流元件D2与第四功率开关管Q4相并联。
根据本发明的一种优选实施方式，第一功率开关管Q1或第四功率开关管Q4上通过反向电流时，所述反向电流流经功率开关管的反并联二极管。第一至第四功率开关管Q1-Q4例如可包括Si MOSFET、SiC MOSFET，此时所述功率开关管Q1-Q4的反并联二极管为MOSFET的体二极管。根据本发明的另一种实施方式，第一至第四功率开关管Q1-Q4例如可包括IGBT器件，所述功率开关管Q1-Q4的反并联二极管为IGBT器件内置的反向并联的二极管。根据本发明的另一种实施方式，第一至第四功率开关管Q1-Q4例如可包括GaN FET器件，所述功率开关管Q1-Q4不具有体二极管，但仍有一定的反向通流能力。
通过设置与功率开关管并联的分流元件，当功率开关管上因变换器端口失压而流经较大的反向冲击电流时，分流元件可以分担至少部分的冲击电流，避免功率开关管损坏。
根据本发明的一种优选实施方式，分流元件D1(或D2)例如可包括二极管。该二极管例如包括Si二极管或SiC二极管等。如图6所示，分流元件D1(或D2)的阴极与所并联的功率开关管Q1(或Q4)的源极或发射极相连接。分流元件D1(或D2)的阳极与所并联的功率开关管Q1(或Q4)漏极或集电极相连接。
根据本发明的一种优选实施方式，第一飞跨电容C1包括串联或并联的多个电容元件。但本发明并不限于此。例如第一飞跨电容C1可包括串联和并联的多个电容元件。例如，该飞跨电容C1可包括并联的多组电容元件，每一组电容元件包括串联的多个电容元件，或者包括串/并联的多个电容元件。
根据本发明的一种优选实施方式，参见图7，假定所有反向冲击电流都从并联的分流元件D1、D2通过，那么可通过下述公式确定通过并联的分流元件的冲击电流值I1。
I1＝Itotal*(C1/(C1+C2))
其中，I1为流过飞跨电容C1(分流元件D1、D2)的电流值，Itotal为流过飞跨电容C1和端口电容C2的电流值I1、I2之和。根据电流值I1，可确定分流元件D1(或D2)能承受的脉冲尖峰电流阈值。
根据本发明的一种优选实施方式，该飞跨电容多电平端口失压保护电路可应用于包含飞跨电容多电平桥臂的直流变换器中。该直流变换器例如可包括如图8示出的三电平Buck/Boost变换器。该三电平Buck/Boost变换器包括：飞跨电容多电平端口失压保护电路；端口电容C2，连接在输入端口BUS+、BUS-之间；电阻R；以及电感L，其一端与第二和第三功率开关管Q2、Q3的连接点连接，另一端经由负载R与输入端口BUS-连接。进一步，该飞跨电容多电平端口失压保护电路可包括：第一电路单元，包括依次串联的第一至第四功率开关管Q1-Q4，并连接在所述输入端口BUS+、BUS-之间，第一和第四功率开关管Q1、Q4各自具有反并联二极管；第一飞跨电容C1，其一端与串联的第一和第二功率开关管Q1、Q2的连接点相连，另一端与串联的第三和第四功率开关管Q3、Q4的连接点相连；以及至少一个分流元件D1或D2，与第一功率开关管Q1或第四功率开关管Q4相并联，且所述分流元件D1(或D2)能承受的脉冲尖峰电流高于所并联的功率开关管Q1(或Q4)能承受的反向电流。
根据本发明的一种优选实施方式，该飞跨电容多电平端口失压保护电路可应用于包含飞跨电容多电平桥臂的双向直流变换器中。该直流变换器例如可包括如图9示出的双向三电平Buck/Boost变换器。该三电平Buck/Boost变换器可包括：A端(PORTA)飞跨电容多电平端口失压保护电路；端口电容C2，连接在A端输入端口之间；B端(PORTB)飞跨电容多电平端口失压保护电路；端口电容C4，连接在B端输入端口之间；以及电感L，其一端与A端飞跨电容多电平端口失压保护电路的第二和第三功率开关管Q2、Q3的连接点连接，另一端与B端飞跨电容多电平端口失压保护电路的第二和第三功率开关管Q6、Q7的连接点连接。A端输入端口BUS-与B端输入端口BUS-连接。
进一步，该A端(或B端)飞跨电容多电平端口失压保护电路可包括：第一电路单元，包括依次串联的第一至第四功率开关管Q1-Q4(或Q5-Q8)，并连接在所述输入端口BUS+、BUS-之间，第一和第四功率开关管Q1、Q4(或Q5、Q8)各自具有反并联二极管；第一飞跨电容C1(或C3)，其一端与串联的第一和第二功率开关管Q1、Q2(或Q5、Q6)的连接点相连，另一端与串联的第三和第四功率开关管Q3、Q4(或Q7、Q8)的连接点相连；以及至少一个分流元件D1(或D2、D3、D4)，与功率开关管Q1(或Q4、Q5、Q8)相并联。所述分流元件D1(或D2、D3、D4)能承受的脉冲尖峰电流高于所并联的功率开关管Q1(或Q4、Q5、Q8)能承受的反向电流。
根据本发明的一种优选实施方式，如图10所示，该飞跨电容多电平端口失压保护电路例如可为飞跨电容三电平电路(飞跨电容三电平桥臂电路)，其结构与图6中所示的飞跨电容多电平端口失压保护电路的结构类似，在此不再详述。
根据本发明的一种优选实施方式，如图11所示，该飞跨电容多电平端口失压保护电路例如可为飞跨电容四电平电路(飞跨电容四电平桥臂电路)。该飞跨电容四电平电路在图10所示的飞跨电容三电平电路的基础上，增加了一个第二电路单元。该第二电路单元可包括第二飞跨电容C2、正端功率开关管Q5和负端功率开关管Q6。正端功率开关管Q5和负端功率开关管Q6分别具有反并联二极管。第二飞跨电容C2连接于正端功率开关管Q5的第二端与负端功率开关管Q6的第一端之间。第一电路单元并联连接于所述第二电路单元的第二飞跨电容C2。进一步，所述第二电路单元的正端功率开关管Q5的第一端与输入端口BUS+连接。负端功率开关管Q6的第二端与输入端口BUS-连接。
根据本发明的一种优选实施方式，如图12所示，飞跨电容多电平端口失压保护电路在图10所示的飞跨电容三电平电路的基础上，还可包括N个第二电路单元。每一第二电路单元可包括第二飞跨电容、正端功率开关管和负端功率开关管。第二电路单元例如包括第二飞跨电容Ck-1、正端功率开关管Q2k-1和负端功率开关管Q2k。正端功率开关管Q2k-1和负端功率开关管Q2k分别具有反并联二极管。第二飞跨电容Ck-1连接于正端功率开关管Q2k-1的第二端与负端功率开关管Q2k的第一端之间。
进一步，正端功率开关管Q2k-1的第一端与输入端口BUS+连接。负端功率开关管Q2k的第二端与输入端口BUS-连接。
根据本发明的一种优选实施方式，正端功率开关管Q2k-1和负端功率开关管Q2k例如可包括Si MOSFET或SiC MOSFET，所述第二飞跨电容Ck-1的一端连接于所述正端功率开关管Q2k-1的源极，另一端连接于所述负端功率开关管Q2k的漏极。
根据本发明的一种优选实施方式，如图12所示，第一电路单元并联连接于第1个第二电路单元的第二飞跨电容C2。第N-1个第二电路单元并联连接于第N个第二电路单元的第二飞跨电容。例如，当N取1时，没有第二电路单元并联连接于第1个第二电路单元的第二飞跨电容C2，而只有第一电路单元并联连接于第1个第二电路单元的第二飞跨电容C2，如图11所示。例如，当N取2时，第1个第二电路单元并联连接于第2个第二电路单元的第二飞跨电容C3(未示出)，以此类推。进一步，第N个第二电路单元并联连接于输入端口BUS+、BUS-，其中N为正整数。
根据本发明的一种优选实施方式，如图12所示，所述第一电路单元并联连接于第1个第二电路单元的第二飞跨电容C2，第一电路单元的功率开关管Q3、Q4和正端功率开关管Q5、Q6例如可包括Si MOSFET、SiC MOSFET、GaN FET或IGBT，第一电路单元的功率开关管Q3的漏极与所述正端功率开关管Q5的源极或发射极相连接，功率开关管Q4的源极与所述负端功率开关管Q6的漏极或集电极相连接。
根据本发明的一种优选实施方式，N大于等于2时，第N-1个第二电路单元中，正端功率开关管的第一端与第N个第二电路单元中的正端功率开关管的第二端连接，负端功率开关管的第二端与第N个第二电路单元中的负端功率开关管的第一端连接。例如，当N等于2时，如图12所示，第1个第二电路单元中，正端功率开关管Q5的第一端与第2个第二电路单元中的正端功率开关管Q7(未示出)的第二端连接，负端功率开关管Q6的第二端与第2个第二电路单元中的负端功率开关管Q8(未示出)的第一端连接，以此类推。第k-3个第二电路单元中，正端功率开关管Q2k-3的第一端与第k-2个第二电路单元中的正端功率开关管Q2k-1的第二端连接，负端功率开关管Q2k-2的第二端与第k-2个第二电路单元中的负端功率开关管Q2k的第一端连接。如图12所示，该飞跨电容多电平端口失压保护电路为飞跨电容k+1电平桥臂电路。
根据本发明的一种优选实施方式，所述第二电路单元的正端功率开关管，例如Q5，和负端功率开关管，例如Q6，可包括Si MOSFET或SiC MOSFET，此时所述正端功率开关管和负端功率开关管的反并联二极管为MOSFET的体二极管。如图12所示，N大于等于2时，第N-1个第二电路单元中，正端功率开关管的漏极或集电极与第N个第二电路单元中的正端功率开关管的源极或发射极相连接，负端功率开关管的源极或发射极与第N个第二电路单元中的负端功率开关管的漏极或集电极相连接。
根据本发明的一种优选实施方式，如图12所示，飞跨电容多电平端口失压保护电路还包括至少一个分流元件D3或D4，与所述正端功率开关管Q5或负端功率开关管Q6相并联，且所述分流元件D3(或D4)能承受的脉冲尖峰电流高于所并联的功率开关管Q5(或Q6)能承受的反向电流。
根据本发明的另一种实施方式，所述第二电路单元的正端功率开关管，例如Q5，和负端功率开关管，例如Q6，可包括IGBT器件，此时所述正端功率开关管和负端功率开关管的反并联二极管为IGBT器件内置的反向并联的二极管。
根据本发明的一种优选实施方式，所述分流元件可包括二极管，例如Si二极管或SiC二极管等。所述第二飞跨电容例如Ck-1可包括串联和/或并联的多个电容元件。
根据本发明一种优选实施方式，如图13所示，飞跨电容三电平Buck/Boost变换器还可以构成多相电路，例如图13所示的三相电路。每一相飞跨电容Buck/Boost变换器的输出端可以经由电感元件L1、L2、L3并联，并输出功率给负载，例如图中所示的PORTB端。此种实施方式有利于在大功率应用中降低功率器件等的载流要求，利于降低成本，增大变换器的输出功率，并且各相之间可以交错运行，减少输出纹波。
根据本发明另一种实施方式，如图9所示的双向三电平Buck/Boost变换器也可以并联构成多相电路。具体而言，每一相双向三电平Buck/Boost变换器的输入端口(PORTA)和输出端口(PORTB)并联。此种实施方式有利于在大功率应用中降低功率器件等的载流要求，利于降低成本，增大变换器的输出功率，并且各相之间可以交错运行，减少输出电流/电压纹波。
本发明通过设置与功率开关管并联的分流元件来分担端口失压故障带来的冲击电流，使功率开关管不发生过流损坏，从而实现了对器件的保护。本发明的飞跨电容多电平端口失压保护电路可以在不需要检测电路、控制器或可控功率器件的前提下，实现对功率开关管的保护，从而简化了产品结构，减少了PCB占用面积，降低了成本。
虽然本发明已以实施方式揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何熟悉此技艺者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (16)

1.一种飞跨电容多电平端口失压保护电路，连接于直流输入端口，其特征在于，包括：
第一电路单元，包括依次串联的第一至第四功率开关管，并连接在所述直流输入端口正负极之间，所述第一和第四功率开关管各自能承受一反向电流；
第一飞跨电容，其一端与串联的第一和第二功率开关管的连接点相连，另一端与串联的第三和第四功率开关管的连接点相连；以及
至少一个分流元件，与第一功率开关管或第四功率开关管相并联，且所述分流元件能承受的脉冲尖峰电流高于所并联的功率开关管能承受的反向电流。
2.根据权利要求1所述的飞跨电容多电平端口失压保护电路，其特征在于，所述功率开关管包括Si MOSFET、SiC MOSFET、GaN FET或IGBT中的至少一类。
3.根据权利要求1所述的飞跨电容多电平端口失压保护电路，其特征在于，所述分流元件包括二极管。
4.根据权利要求3所述的飞跨电容多电平端口失压保护电路，其特征在于，所述二极管的阴极与所并联的功率开关管的源极或发射极相连接，所述二极管的阳极与所并联的功率开关管的漏极或集电极相连接。
5.根据权利要求1所述的飞跨电容多电平端口失压保护电路，其特征在于，所述第一飞跨电容包括串联和/或并联的多个电容元件。
6.根据权利要求1所述的飞跨电容多电平端口失压保护电路，其特征在于，还包括N个第二电路单元，每一所述第二电路单元包括第二飞跨电容、正端功率开关管和负端功率开关管，所述正端功率开关管和负端功率开关管分别能承受一反向电流，所述第二飞跨电容连接于所述正端功率开关管的第二端与所述负端功率开关管的第一端之间，其中，所述第一电路单元并联连接于第1个第二电路单元的第二飞跨电容，所述第N-1个第二电路单元并联连接于第N个第二电路单元的第二飞跨电容，所述第N个第二电路单元并联连接于所述输入端口，其中N为正整数。
7.根据权利要求6所述的飞跨电容多电平端口失压保护电路，其特征在于，N大于等于2时，第N-1个第二电路单元中，正端功率开关管的第一端与第N个第二电路单元中的正端功率开关管的第二端连接，负端功率开关管的第二端与第N个第二电路单元中的负端功率开关管的第一端连接。
8.根据权利要求6所述的飞跨电容多电平端口失压保护电路，其特征在于所述飞跨电容多电平端口失压保护电路还包括至少一个分流元件，与所述正端功率开关管或负端功率开关管相并联，且所述分流元件能承受的脉冲尖峰电流高于所并联的功率开关管能承受的反向电流。
9.根据权利要求6所述的飞跨电容多电平端口失压保护电路，其特征在于，所述第二电路单元的正端功率开关管和负端功率开关管包括Si MOSFET、SiC MOSFET、GaN FET或IGBT中的至少一类。
10.根据权利要求6所述的飞跨电容多电平端口失压保护电路，其特征在于，所述分流元件包括二极管。
11.根据权利要求6所述的飞跨电容多电平端口失压保护电路，其特征在于，所述第二飞跨电容包括串联和/或并联的多个电容元件。
12.一种双向飞跨电容多电平端口失压保护电路，其特征在于，包括电感元件和如权利要求1或6所述的第一飞跨电容多电平端口失压保护电路和第二飞跨电容多电平端口失压保护电路，所述第一飞跨电容多电平端口失压保护电路藉由所述电感元件耦接至所述第二飞跨电容多电平端口失压保护电路。
13.根据权利要求12所述的双向飞跨电容多电平端口失压保护电路，其特征在于，所述电感元件的一端连接所述第一飞跨电容多电平端口失压保护电路的第二功率开关管和第三功率开关管的连接点，所述电感元件的另一端连接所述第二飞跨电容多电平端口失压保护电路的第二功率开关管和第三功率开关管的连接点。
14.一种多相飞跨电容多电平端口失压保护电路，其特征在于，包括多个电感元件和多个如权利要求1或6所述的飞跨电容多电平端口失压保护电路，所述各个飞跨电容多电平端口失压保护电路的第二功率开关管和第三功率开关管的连接点藉由对应的电感元件连接至输出端口的一端。
15.根据权利要求14所述的多相飞跨电容多电平端口失压保护电路，其特征在于，还包括输出电容，所述输出电容并联于所述输出端口。
16.根据权利要求14所述的多相飞跨电容多电平端口失压保护电路，其特征在于，所述输出端口的另一端连接至所述直流输入端口的负极。
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