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CN113130592A - 显示装置 - Google Patents

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CN113130592A
CN113130592A CN202011592504.9A CN202011592504A CN113130592A CN 113130592 A CN113130592 A CN 113130592A CN 202011592504 A CN202011592504 A CN 202011592504A CN 113130592 A CN113130592 A CN 113130592A
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CN
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inorganic
inorganic layer
display device
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CN202011592504.9A
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郑雨锡
金寿桢
河载兴
金元钟
金利受
宋昌泳
杨慧仁
朱容赞
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Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
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Abstract

显示装置包括薄膜封装层，所述薄膜封装层包括配置在电路元件层以及发光元件层上而密封所述电路元件层以及所述发光元件层的无机层，所述无机层包括子无机层对，所述子无机层对包括具有第一折射率的第一子无机层以及具有与所述第一折射率不同的第二折射率的第二子无机层，所述薄膜封装层的无机层包括至少7个所述子无机层对。

Description

显示装置
技术领域
本发明涉及显示装置，详细而言，涉及包含有机发光元件的显示装置。
背景技术
显示装置包括多个像素。多个像素各自包括有机发光二极管以及控制有机发光二极管的像素电路。有机发光二极管包括阳极、阴极以及介于阳极和所述阴极之间的有机发光层。
若向有机发光二极管施加电压，则通过阳极向有机发光层提供空穴，通过阴极向有机发光层提供电子。另外，向有机发光层提供的电子以及空穴再结合而生成激子，激子其状态从激发态变化为基态，通过由此产生的能量，从有机发光层产生光。
有机发光二极管可能对水分、氧气、灰尘之类的异物和紫外线脆弱，因此需要一种技术用以保护有机发光二极管免受外部环境的影响。
发明内容
本发明的目的在于提供可以防止显示质量的降低的显示装置。
为了达成如上所述目的，根据本发明的一特征，显示装置包括：基底层；电路元件层，位于所述基底层上；发光元件层，位于所述电路元件层上，并与所述电路元件层电连接；以及薄膜封装层，包括配置在所述电路元件层以及所述发光元件层上而密封所述电路元件层以及所述发光元件层的无机层，所述薄膜封装层的所述无机层包括子无机层对，所述子无机层对包括具有第一折射率的第一子无机层以及具有与所述第一折射率不同的第二折射率的第二子无机层，所述薄膜封装层的无机层包括至少7个所述子无机层对。
在示例性实施例中，可以是，所述第一子无机层包括SiNX，所述第二子无机层包括SiON。
在示例性实施例中，可以是，所述薄膜封装层的所述无机层还包括配置在所述子无机层对的最上部的上部子无机层。
在示例性实施例中，可以是，所述上部子无机层包括与所述第一子无机层相同的构成物质。
在示例性实施例中，可以是，所述第一子无机层的所述第一折射率大于所述第二子无机层的所述第二折射率。
在示例性实施例中，可以是，所述第一子无机层的所述第一折射率为1.8至2.1，所述第二子无机层的所述第二折射率为1.5至1.65。
在示例性实施例中，可以是，所述薄膜封装层还包括：下部无机层，配置在所述发光元件层和所述无机层之间；以及有机层，配置在所述下部无机层和所述无机层之间。
在示例性实施例中，可以是，所述第一子无机层具有第一厚度，所述第二子无机层具有第二厚度。
在示例性实施例中，可以是，所述第二子无机层的厚度依据从所述发光元件层输出的光的效率决定。
在示例性实施例中，可以是，所述电路元件层包括至少一个晶体管，所述发光元件层与所述至少一个晶体管电连接。
根据本发明的一实施例的显示装置可以包括：基底层；电路元件层，位于所述基底层上；发光元件层，位于所述电路元件层上，并与所述电路元件层电连接；以及薄膜封装层，配置在所述电路元件层以及所述发光元件层上而密封所述电路元件层以及所述发光元件层。所述薄膜封装层包括位于所述发光元件层上的第一无机层、位于所述第一无机层上的有机层以及位于所述有机层上的第二无机层，所述第二无机层包括具有第一折射率的第一子无机层以及具有与所述第一折射率不同的第二折射率的第二子无机层，所述第一子无机层以及所述第二子无机层交替配置，所述第二无机层包括至少7个所述第一子无机层以及所述第二子无机层各自。
在示例性实施例中，可以是，所述第二无机层的所述第一子无机层中的任一个层叠在所述发光元件层上。
在示例性实施例中，可以是，所述第二无机层的所述第一子无机层中的任一个配置在所述第二无机层的最上端。
在示例性实施例中，可以是，所述第二无机层的所述第一子无机层的数量大于所述第二子无机层的数量。
在示例性实施例中，可以是，所述第一子无机层包括SiNX，所述第二子无机层包括SiON。
在示例性实施例中，可以是，所述第一子无机层的所述第一折射率大于所述第二子无机层的所述第二折射率。
在示例性实施例中，可以是，所述第一子无机层的所述第一折射率为1.8至2.1，所述第二子无机层的所述第二折射率为1.5至1.65。
在示例性实施例中，可以是，所述第一子无机层各自具有第一厚度，所述第二子无机层各自具有第二厚度。
在示例性实施例中，可以是，所述第二子无机层各自的厚度依据从所述发光元件层输出的光的效率决定。
在示例性实施例中，可以是，所述电路元件层包括至少一个晶体管，所述发光元件层与所述至少一个晶体管电连接。
(发明的效果)
具有如上所述结构的显示装置包括覆盖有机发光二极管的上部面的薄膜封装层，从而可以保护有机发光二极管免受水分、氧气、灰尘之类的异物的影响。进一步地，通过将具有彼此不同折射率的第一保护膜以及第二保护膜交替层叠来形成薄膜封装层，从而可以全反射从外部入射的紫外线。因此，可以保护有机发光二极管免受紫外线的影响，由此可以防止显示装置的显示质量降低。
附图说明
图1是根据本发明的一实施例的显示装置的立体图。
图2是根据本发明的一实施例的显示装置的截面图。
图3是根据本发明的一实施例的显示面板的俯视图。
图4是根据本发明的一实施例的像素的等效电路图。
图5是根据本发明的一实施例的显示面板的有源区域的截面图。
图6是放大图5中示出的第二无机层的截面的截面图。
图7是示意性示出根据第二无机层中包括的子无机层对的数量的光的透过率的图。
图8是示意性示出根据第二无机层中包括的第二子无机层的厚度的光的透过率的图。
附图标记说明
DD：显示装置
DP：显示面板
BL：基底层
10-60：绝缘层
AA：有源区域
NAA：周边区域
TFE：薄膜封装层
DP-CL：电路元件层
DP-OLED：发光元件层
CE：阴极
AE：阳极
TR1-TR7：晶体管
IOL1：第一无机层
IOL2：第二无机层
OL1：有机层
AL1-1至AL1-8：第一子无机层
AL2-1至AL2-7：第二子无机层
具体实施方式
在本说明书中，当提以及某构成要件(或区域、层、部分等)“在”另外构成要件“之上”、“连接于”或“结合于”另外构成要件时，表示某构成要件可以直接配置/连接/结合于另外构成要件，或它们之间也可配置有第三构成要件。
相同的附图标记指相同的构成要件。另外，在附图中，构成要件的厚度、比例以及尺寸是为了有效说明技术内容而放大的。术语“及/或”包括相关的构成所能定义的一个以上的组合的全部。
第一、第二等术语可用于说明多种构成要件，但上述构成要件并不被上述术语所限制。上述术语仅用于将一个构成要件与另外构成要件区分。例如，可在不脱离本公开的权利范围的情况下，第一构成要件可命名为第二构成要件，类似地，第二构成要件也可命名为第一构成要件。除了在文脉上明确表示其它含义以外，单数表达包括复数表达。
另外，“之下”、“下侧”、“之上”、“上侧”等术语是用于说明附图中示出的各个构成的关联关系。上述术语是相对的概念，以附图中所示方向为基准进行说明。
应理解为“包括”或“具有”等术语用于指定说明书中所记载的特征、数字、步骤、动作、构成要件、零部件或它们组合的存在，应理解为并不是预先排除一个或其以上的其它特征、或者数字、步骤、动作、构成要件、零部件或它们组合的存在或附加可能性。
除非另有定义，本说明书中使用的所有术语(包括技术术语以及科学术语)具有与本公开所属技术领域的技术人员通常所理解的含义相同的含义。另外，与通常使用的词典中所定义的术语相同的术语应被解释为具有在相关技术上的脉络上含义相同的含义，除非解释为理想或过于形式化的含义，可在此明确定义。
以下，参照附图说明本公开的实施例。
图1是根据本发明的一实施例的显示装置DD的立体图。图2是根据本发明的一实施例的显示装置DD的截面图。
如图1所示，显示装置DD可以通过显示面DD-IS显示图像IM。显示面DD-IS与第一方向轴DR1以及第二方向轴DR2所定义的面平行。显示面DD-IS的法线方向、即显示装置DD的厚度方向指示第三方向轴DR3。
以下说明的各个零部件或者部件的前面(或上面)和背面(或下面)由第三方向轴DR3进行区分。然而，本实施例中示出的第一方向轴DR1至第三方向轴DR3仅属于示例。以下，第一方向至第三方向作为第一方向轴DR1至第三方向轴DR3各自指示的方向定义，参照相同的附图标记。
在本发明的一实施例中示出具备平面型显示面DD-IS的显示装置DD，然而不限于此。显示装置DD还可以包括曲面型显示面。显示装置DD也可以包括立体型显示面。立体型显示面包括彼此指示不同方向的多个显示区域，例如，也可以包括多边棱柱型显示面。
根据本实施例的显示装置DD可以为硬性显示装置。然而，不限于此，根据本发明的显示装置DD可以为柔性显示装置。柔性显示装置可以包括可以折叠的可折叠显示装置或者一部分区域弯曲的弯曲型显示装置。
在本实施例中，图1中示意性示出可以应用在手机终端的显示装置DD。虽未图示，安装在主板的电子模组、相机模组、电源模组等可以与显示装置DD一起配置在支架/壳体等上而构成手机终端。根据本发明的显示装置DD可以用于电视机、显示器等之类大型电子装置乃至平板电脑、汽车导航仪、游戏机、智能手表等之类中小型电子装置等。
如图1所示，显示面DD-IS包括显示图像IM的图像区域DD-DA以及与图像区域DD-DA邻接的边框区域DD-NDA。边框区域DD-NDA为不显示图像的区域。图1中作为图像IM的一例示出图标图像。
如图1所示，图像区域DD-DA可以为实质上四边形。“实质上四边形”不仅包括数学含义上的四边形，还包括在顶点区域(或边角区域)定义有曲线边界而不是定义有顶点的四边形。
边框区域DD-NDA可以为包围图像区域DD-DA的形状。然而，不限于此，图像区域DD-DA和边框区域DD-NDA可以设计为其它形状。边框区域DD-NDA也可以仅配置在图像区域DD-DA的一侧。当显示装置DD设置于电子装置(未图示)时，根据显示装置DD和电子装置的其它构成要件的结合形式，边框区域DD-NDA也可以不暴露在外部。
图2示出第一方向轴DR1和第三方向轴DR3所定义的显示装置DD的截面。在图2中，为了说明显示装置DD的构成要件的层叠关系，对其进行简单示出。
根据本发明的一实施例的显示装置DD可以包括显示面板DP、覆盖层C L以及窗口WP。显示面板DP、覆盖层CL以及窗口WP中的至少一部分构成要件可以通过连续工艺形成，或者至少一部分构成要件可以通过粘合部件相互结合。在本发明的一实施例中，覆盖层CL以及窗口WP可以由其它构成要件代替或者省略。
根据本发明的一实施例的显示面板DP可以为发光型显示面板，不作特别限制。例如，显示面板DP可以为有机显示面板或者量子点显示面板。所述显示面板根据发光元件的构成物质进行区分。有机显示面板的发光层可以包括有机发光物质。量子点显示面板的发光层可以包括量子点及/或量子棒等。以下，显示面板DP以有机显示面板进行说明。
显示面板DP包括基底层BL、配置在基底层BL上的电路元件层DP-CL、发光元件层DP-OLED以及薄膜封装层TFE。
基底层BL可以包括至少一个合成树脂膜。基底层BL可以包括玻璃基板、金属基板或者有机/无机复合材料基板等。
在基底层BL上配置电路元件层DP-CL。电路元件层DP-CL包括至少一个绝缘层和电路元件。绝缘层包括至少一个无机层和至少一个有机层。电路元件可以包括信号线以及像素驱动电路等。
在电路元件层DP-CL上配置发光元件层DP-OLED。发光元件层DP-OLE D作为发光元件包括有机发光二极管。发光元件层DP-OLED可以还包括像素界定层之类的有机层。
薄膜封装层TFE配置在发光元件层DP-OLED上，从而可以封装发光元件层DP-OLED。薄膜封装层TFE可以整体覆盖图像区域DD-DA。薄膜封装层TFE可以覆盖边框区域DD-NDA的一部分区域。
薄膜封装层TFE包括多个薄膜。一部分薄膜是为了提高光学效率而配置，一部分薄膜是为了保护有机发光二极管而配置。在后面说明对薄膜封装层TF E的详细说明。
覆盖层CL配置在显示面板DP的薄膜封装层TFE之上，从而覆盖所述薄膜封装层TFE。在一实施例中，覆盖层CL可以包括聚合物材料。所述覆盖层CL具有透光性，从而保护所述薄膜封装层TFE。所述覆盖层CL在上侧提供平坦面。由此，配置在薄膜封装层TFE上的构成可以稳定配置在覆盖层C L所提供的平坦面上。
窗口WP配置在覆盖层CL上。根据本发明的一实施例的窗口WP可以包括玻璃基板及/或合成树脂膜等。在一实施例中，在覆盖层CL上可以还配置粘合层(未图示)，窗口WP可以通过粘合层粘合在覆盖层CL。
窗口WP不限于单层。窗口WP可以包括由粘合部件结合的两个以上的膜。虽未另外图示，窗口WP可以还包括功能性涂层。功能性涂层可以包括防指纹层、防反射层以及硬涂层等。
图3是根据本发明的一实施例的显示面板DP的俯视图。
如图3所示，显示面板DP可以包括扫描驱动电路SDC、多个信号线(以下，信号线)SGL、多个信号焊盘(以下，信号焊盘)DP-PD以及多个像素(以下，像素)PX。
可以在显示面板DP定义与图1中示出的图像区域DD-DA以及边框区域DD-NDA对应的有源区域AA和周边区域NAA。在本说明书中，“区域/部分和区域/部分对应”是指“彼此重叠”，然而不限于具有相同的面积及/或相同的形状。可以是像素PX配置在有源区域AA，扫描驱动电路SDC以及信号焊盘DP-PD配置在周边区域NAA。另外，多个信号线SGL可以配置在周边区域NAA和有源区域AA。
扫描驱动电路SDC生成多个扫描信号(以下，扫描信号)，将扫描信号依次输出至后述的多个扫描线(以下，扫描线)SL。扫描驱动电路SDC可以还向像素PX的驱动电路输出另外的控制信号。在示例性实施例中，扫描驱动电路SDC可以还输出多个发光控制信号(以下，发光控制信号)。
扫描驱动电路SDC可以包括多个晶体管，所述多个晶体管通过与像素P X的驱动电路相同的工艺、例如LTPS(低温多晶硅；Low Temperature Pol ycrystalline Silicon)工艺或LTPO(低温多晶氧化物；Low Temperature Pol ycrystalline Oxide)工艺形成。
信号线SGL包括扫描线SL、数据线DL、发光控制线EL、电源线PL以及控制信号线CSL。扫描线SL、数据线DL以及发光控制线EL各自与像素PX中对应的像素PX连接。电源线PL与像素PX连接。控制信号线CSL可以向扫描驱动电路SDC提供控制信号。电源线PL可以传送要向像素PX提供的第一驱动电压ELVDD以及第二驱动电压ELVSS(参照图4)中的至少一个。
有源区域AA可以定义为配置有像素PX的区域。在有源区域AA配置多个电子元件。电子元件包括在各个像素PX具备的有机发光二极管和与其连接的像素驱动电路。扫描驱动电路SDC、信号线SGL、信号焊盘DP-PD以及像素驱动电路可以包括在图2中示出的电路元件层DP-CL。
多个像素PX可以包括生成彼此不同的彩色光的多个群组。例如，可以包括生成红色光的红色像素、生成绿色光的绿色像素以及生成蓝色光的蓝色像素。红色像素的发光二极管、绿色像素的发光二极管以及蓝色像素的发光二极管可以包括彼此不同物质的发光层。
图4是根据本发明的一实施例的像素PXij的等效电路图。
图3中示出的显示面板DP可以包括n个扫描线(SL1至SLn)、n个发光控制线(EL1至ELn)以及m个数据线(DL1至DLm)。图4中示出的像素PXij是示意性示出与n个扫描线(SL1至SLn)中第i个扫描线SLi连接、与n个发光控制线(EL1至ELn)中第i个发光控制线ELi连接、与m个数据线(DL1至DLm)中第j个数据线DLj连接的像素PXij。
像素PXij包括像素驱动电路LDC以及发光二极管LD。在本实施例中，像素驱动电路LDC可以包括第一晶体管T1至第七晶体管T7以及电容器Cst。在本实施例中说明第一晶体管T1至第七晶体管T7为P型晶体管的情况。然而，本发明不限于此，第一晶体管T1至第七晶体管T7可以由P型晶体管和N型晶体管中的任一个实现。另外，在本发明的一实施例中，第一晶体管T1至第七晶体管T7中的至少一个可以省略。
在本实施例中，第一晶体管T1可以为驱动晶体管，第二晶体管T2至第七晶体管T7可以为开关晶体管。电容器Cst接通在接收第一驱动电压ELVD D的第一电压线VL1和参考节点RN之间。电容器Cst包括与参考节点RN接通的第一电极Cst1以及与第一电压线VL1接通的第二电极Cst2。
第一晶体管T1接通在第一电压线VL1和发光二极管LD的阳极AE之间。第一晶体管T1的源极S1与第一电压线VL1电连接。在本说明书中，“在晶体管和信号线或晶体管和晶体管之间电连接”意指“晶体管的源极、漏极、栅极与信号线具有一体形状，或者通过连接电极连接”。在第一晶体管T1的源极S1和第一电压线VL1之间可以配置另外的晶体管或省略。
第一晶体管T1的漏极D1与发光二极管LD的阳极AE电连接。在第一晶体管T1的漏极D1和发光二极管LD的阳极AE之间可以配置另外的晶体管或省略。第一晶体管T1的栅极G1与参考节点RN电连接。
第二晶体管T2接通在第j个数据线DLj和第一晶体管T1的源极S1之间。第二晶体管T2的源极S2与第j个数据线DLj电连接，第二晶体管T2的漏极D2与第一晶体管T1的源极S1电连接。在本实施例中，第二晶体管T2的栅极G2可以与第i个扫描线SLi电连接。
第三晶体管T3接通在参考节点RN和第一晶体管T1的漏极D1之间。第三晶体管T3的漏极D3与第一晶体管T1的漏极D1电连接，第三晶体管T3的源极S3与参考节点RN电连接。第三晶体管T3可以包括多个栅极。在本实施例中，可以是第三晶体管T3包括两个栅极G3-1、G3-2，栅极G3-1、G3-2与第i个扫描线SLi电连接。第三晶体管T3的两个栅极G3-1、G3-2可以用一个栅极G3标记。在本发明的一实施例中，第三晶体管T3也可以包括单栅极。
第四晶体管T4接通在参考节点RN和第二电压线VL2之间。第四晶体管T4的漏极D4与参考节点RN电连接，第四晶体管T4的源极S4与第二电压线VL2电连接。第四晶体管T4可以包括多个栅极。在本发明的一实施例中，第四晶体管T4也可以包括单栅极。
在本实施例中，第四晶体管T4的两个栅极G4-1、G4-2可以与第i-1个扫描线SLi-1电连接。第四晶体管T4的两个栅极G4-1、G4-2可以用一个栅极G4标记。第三晶体管T3以及第四晶体管T4各自具有多个栅极，从而可以降低像素PXij的泄漏电流。
第五晶体管T5接通在第一电压线VL1和第一晶体管T1的源极S1之间。第五晶体管T5的源极S5与第一电压线VL1电连接，第五晶体管T5的漏极D5与第一晶体管T1的源极S1电连接。第五晶体管T5的栅极G5可以与第i个发光控制线ELi电连接。
第六晶体管T6接通在第一晶体管T1的漏极D1和发光二极管LD之间。第六晶体管T6的源极S6与第一晶体管T1的漏极D1电连接，第六晶体管T6的漏极D6与发光二极管LD的阳极AE电连接。第六晶体管T6的栅极G6可以与第i个发光控制线ELi电连接。在本发明的一实施例中，第六晶体管T6的栅极G6也可以与第五晶体管T5的栅极G5连接于不同的信号线。
第七晶体管T7接通在第六晶体管T6的漏极D6和第二电压线VL2之间。第七晶体管T7的源极S7与第六晶体管T6的漏极D6电连接，第七晶体管T7的漏极D7与第二电压线VL2电连接。第七晶体管T7的栅极G7可以与第一群组的第i+1个扫描线SLi+1电连接。
发光二极管LD的阴极CE可以与传送第二驱动电压ELVSS的第三电压线VL3连接。根据一实施例的像素PXij的结构不限于图4中示出的结构，对于一像素PX所包括的晶体管的数量和电容器的数量以及连接关系可以进行多种变形。
图5是根据本发明的一实施例的显示面板DP的有源区域AA的截面图。图5中示出与图4中示出的第一晶体管T1以及第六晶体管T6对应的部分的截面。
参照图5，显示面板DP可以包括基底层BL、配置在基底层BL上的电路元件层DP-CL、显示元件层DP-OLED以及薄膜封装层TFE。显示面板DP可以还包括折射率调节层等之类的功能性层。电路元件层DP-CL至少包括多个绝缘层和电路元件。以下，绝缘层可以包括有机层及/或无机层。
通过涂布、蒸镀等方式，形成绝缘层、半导体层以及导电层。之后，通过光刻方式，对绝缘层、半导体层以及导电层选择性地进行图案化。通过上述方式，形成半导体图案、导电图案、信号线等。
基底层BL可以包括合成树脂层。合成树脂层可以包括热硬化性树脂。尤其，合成树脂层可以为聚酰亚胺类树脂层，对其材料不作特别限制。合成树脂层可以包括丙烯酸类树脂、甲基丙烯酸类树脂、聚异戊二烯、乙烯类树脂、环氧类树脂、氨基甲酸乙酯类树脂、纤维素类树脂、硅氧烷类树脂、聚酰胺类树脂以及二萘嵌苯类树脂中的至少任一种。除此之外，基底层BL可以包括玻璃基板、金属基板或有机/无机复合材料基板等。
在基底层BL的上面形成至少一个无机层。无机层可以包括氧化铝、氧化钛、氧化硅、氧氮化硅、氧化锆以及二氧化铪中的至少一种。无机层可以形成为多层。多层的无机层中的至少一层可以构成缓冲层BFL。
缓冲层BFL提高基底层BL和半导体图案及/或导电图案之间的结合力。缓冲层BFL可以包括氧化硅层以及氧氮化硅层。氧化硅层和氧氮化硅层可以交替层叠。
在缓冲层BFL上配置半导体图案。半导体图案可以直接配置在缓冲层B FL上。半导体图案可以包括硅半导体。半导体图案可以包括多晶硅。然而，不限于此，半导体图案也可以包括非晶硅。
图5中仅示出半导体图案的一部分，可以还在像素PXij(参照图4)的其它区域配置半导体图案。半导体图案根据掺杂与否而电性不同。半导体图案可以包括掺杂区域和非掺杂区域。掺杂区域可以用N型掺杂剂或P型掺杂剂进行掺杂。P型晶体管包括用P型掺杂剂掺杂的掺杂区域。
掺杂区域的传导性大于非掺杂区域的传导性，实质上具有电极或信号线的作用。非掺杂区域实质上相当于晶体管的有源部(或沟道)。换句而言，半导体图案的一部分可以为晶体管的有源部，另外一部分可以为晶体管的源极或漏极，又一其它部分可以为连接电极或连接信号线。
如图5所示，第一晶体管T1的源极S1、有源部A1、漏极D1由半导体图案形成。第一晶体管T1的源极S1以及漏极D1从有源部A1向彼此相反方向延伸。另外，第六晶体管T6的源极S6、有源部A6、漏极D6由半导体图案形成。第六晶体管T6的源极S6以及漏极D6从有源部A6向彼此相反方向延伸。虽未另外图示，第六晶体管T6的源极S6可以与第一晶体管T1的漏极D1连接。
在缓冲层BFL上配置第一绝缘层10。第一绝缘层10与多个像素PX(参照图3)共同重叠，并覆盖半导体图案。第一绝缘层10可以为无机层及/或有机层，可以具有单层或多层结构。第一绝缘层10可以包括氧化铝、氧化钛、氧化硅、氧氮化硅、氧化锆以及二氧化铪中的至少一种。在本实施例中，第一绝缘层10可以为单层的氧化硅。不仅是第一绝缘层10，后述的电路元件层DP-CL的绝缘层可以为无机层及/或有机层，可以具有单层或多层结构。无机层可以包括上述物质中的至少一种。
在第一绝缘层10上配置第一晶体管T1的栅极G1。栅极G1可以为金属图案的一部分。第一晶体管T1的栅极G1与第一晶体管T1的有源部A1重叠。在掺杂半导体图案的工艺中，第一晶体管T1的栅极G1如同掩模。
在第一绝缘层10上配置覆盖栅极G1的第二绝缘层20。第二绝缘层20与多个像素PX(参照图3)共同重叠。第二绝缘层20可以为无机层及/或有机层，可以具有单层或多层结构。在本实施例中，第二绝缘层20可以为单层的氧化硅层。
在第二绝缘层20上可以配置上部电极UE。上部电极UE可以与栅极G1重叠。上部电极UE可以为金属图案的一部分或掺杂的半导体图案的一部分。栅极G1的一部分和与其重叠的上部电极UE可以定义电容器Cst(参照图4)。在本发明的一实施例中，上部电极UE也可以省略。在本发明的一实施例中，第二绝缘层20可以由绝缘图案代替。
虽未另外图示，电容器Cst(参照图4)的第一电极Cst1和第二电极Cst2可以通过与栅极G1以及上部电极UE相同的工艺形成。在第一绝缘层10上可以配置第一电极Cst1。第一电极Cst1可以与栅极G1电连接。第一电极Cst1可以具有与栅极G1一体的形状。
在第二绝缘层20上可以配置第二电极Cst2。第二电极Cst2可以与上部电极UE电连接。第二电极Cst2可以具有与上部电极UE一体的形状。
在第二绝缘层20上配置覆盖上部电极UE的第三绝缘层30。在本实施例中，第三绝缘层30可以为单层的氧化硅层。虽未另外图示，第二晶体管T2(参照图4)的源极S2(参照图4)、漏极D2(参照图4)、栅极G2(参照图4)至第七晶体管T7(参照图4)的源极S7(参照图4)、漏极D7(参照图4)、栅极G7(参照图4)可以通过与第一晶体管T1的源极S1、漏极D1、栅极G1各自相同的工艺形成。
在第三绝缘层30上可以配置第一连接电极CNE1。第一连接电极CNE1可以通过贯穿第一绝缘层10至第三绝缘层30的接触孔CNT-1与第六晶体管T6的漏极D6接通。
在第三绝缘层30上可以配置覆盖第一连接电极CNE1的第四绝缘层40。第四绝缘层40可以为单层的氧化硅层。在第四绝缘层40上配置第五绝缘层50。第五绝缘层50可以为有机层。在第五绝缘层50上可以配置第二连接电极CNE2。第二连接电极CNE2可以通过贯穿第四绝缘层40以及第五绝缘层50的接触孔CNT-2与第一连接电极CNE1接通。
在第五绝缘层50上配置覆盖第二连接电极CNE2的第六绝缘层60。第六绝缘层60可以为有机层。在第六绝缘层60上配置阳极AE。阳极AE通过贯穿第六绝缘层60的接触孔CNT-3与第二连接电极CNE2连接。在像素界定层PDL定义开口部OP。像素界定层PDL的开口部OP暴露阳极AE的至少一部分。
在阳极AE上配置发光层EML。发光层EML可以仅配置在与开口部OP对应的区域。发光层EML可以在多个像素PX(参照图3)各自分离形成。
在本实施例中示意性示出图案化的发光层EML，然而发光层EML可以共同配置在多个像素PX。此时，发光层EML可以生成白色光或蓝色光。另外，发光层EML可以具有多层结构。在发光层EML上配置阴极CE。阴极C E共同配置在多个像素PX。
虽未图示，在阳极AE和发光层EML之间可以配置空穴控制层。另外，在发光层EML和阴极CE之间可以配置电子控制层。
在阴极CE上配置薄膜封装层TFE。薄膜封装层TFE共同配置在多个像素PX。在本实施例中，薄膜封装层TFE直接覆盖阴极CE。在本发明的一实施例中，还可以配置直接覆盖阴极CE的封盖层。在本发明的一实施例中，发光二极管LD的叠层结构也可以具有在图5中示出的结构下上下翻转的结构。
薄膜封装层TFE至少包括无机层或有机层。在本发明的一实施例中，薄膜封装层TFE包括第一无机层IOL1(或下部无机层)、第二无机层IOL2以及有机层OL1。第一无机层IOL1配置在阴极CE上，并与阴极CE接触。在其它实施例中，在阴极CE和第一无机层IOL1之间可以还配置包含有机物质的封盖层。封盖层保护阴极CE免受后述的工艺、例如溅射工艺的影响，提高发光二极管LD的出光效率。封盖层可以具有比第一无机层IOL1大的折射率。另外，在封盖层和第一无机层IOL1之间可以还配置无机层，例如LiF层。LiF层可以提高发光二极管LD的出光效率。
第一无机层IOL1以及第二无机层IOL2保护显示元件层DP-OLED免受水分/氧气的影响，有机层OL1保护显示元件层DP-OLED免受灰尘之类的异物的影响。第一无机层IOL1可以为氮化硅层、氧氮化硅层、氧化硅层中的任一种。在本发明的一实施例中，第一无机层IOL1可以包括氧化钛层或氧化铝层等。有机层OL1可以包括丙烯酸类有机层，然而不限于此。在示例性实施例中，第二无机层IOL2可以反射(或阻断)紫外线，有机层OL1可以包括可以吸收紫外线的物质。因此，通过薄膜封装层TFE，可以防止紫外线向电路元件层DP-CL及/或发光元件层DP-OLED传送。
图6是放大图5中示出的第二无机层IOL2的截面的截面图。
参照图5以及图6，第二无机层IOL2包括向基底层BL的厚度方向、即第三方向DR3交替层叠的第一子无机层AL1-1至AL1-8以及第二子无机层A L2-1至AL2-7。第一子无机层AL1-1至AL1-8以及第二子无机层AL2-1至A L2-7中彼此邻接的第一子无机层以及第二子无机层可以形成子无机层对。例如，第一子无机层AL1-1以及第二子无机层AL2-1形成第一子无机层对AL P1，第一子无机层AL1-2以及第二子无机层AL2-2形成第二子无机层对AL P2，第一子无机层AL1-3以及第二子无机层AL2-3形成第三子无机层对AL P3，第一子无机层AL1-4以及第二子无机层AL2-4形成第四子无机层对AL P4，第一子无机层AL1-5以及第二子无机层AL2-5形成第五子无机层对AL P5，第一子无机层AL1-6以及第二子无机层AL2-6形成第六子无机层对AL P6，第一子无机层AL1-7以及第二子无机层AL2-7形成第一子无机层对AL P7。
在一实施例中，第二无机层IOL2包括共7个子无机层对，即第一子无机层对ALP1至第七子无机层对ALP7以及第一子无机层AL1-8，然而本发明的子无机层对的数量不限于此。第一子无机层AL1-8可以配置在第二无机层IOL2的最上部而称为上部子无机层。另外，在第二无机层IOL2的最下端、即与有机层OL1接触的部分和第二无机层IOL2的最上端分别配置第一子无机层AL1-8。
在一实施例中，若假设第一子无机层AL1-1至AL1-8各自具有第一折射率，第二子无机层AL2-1至AL2-7各自具有第二折射率，则第一折射率大于第二折射率。
例如，可以是第一子无机层AL1-1至AL1-8各自包括具有约1.8至2.1的第一折射率的SiNx，第二子无机层AL2-1至AL2-7各自包括具有约1.5至1.65的第二折射率的SiON。
然而，第一子无机层AL1-1至AL1-8以及第二子无机层AL2-1至AL2-7的材料不限于此，第一子无机层AL1-1至AL1-8以及第二子无机层AL2-1至AL2-7可以由折射率彼此不同的物质构成。另外，考虑到在SiON中氮的含量相比氧越大，则SiON的折射率变大，在SiON中氧的含量相比氮越大，则SiON的折射率变小的情况，可以调整SiON的折射率。
当第二无机层IOL2具有上述结构时，在第一子无机层AL1-1至AL1-8以及第二子无机层AL2-1至AL2-7中彼此具有不同折射率的邻接的子无机层之间的界面中，若入射角大于临界角，则光无法透过界面而全部反射，将其称为全反射。
因此，通过具有第一折射率的第一子无机层AL1-1至AL1-8以及具有第二折射率的第二子无机层AL2-1至AL2-7，从第二无机层IOL2的外部入射的紫外线UV可以无法透过第二无机层IOL2而反射。例如，从外部入射的紫外线UV可以转换为透过第一子无机层AL1-8的第一光LT1。第一光LT1可以在第一子无机层AL1-8和第二子无机层AL2-7的边界反射，从而作为第二光LT2向外部输出。如上所述，从外部入射的紫外线UV无法透过第二无机层IOL2而反射，从而可以防止发光二极管LD被紫外线UV劣化。
图7是示意性示出根据第二无机层IOL2中包括的子无机层对的数量的光的透过率的图。
参照图6以及图7，第一曲线CUV5示意性示出第二无机层IOL2仅包括第一子无机层对ALP1至第五子无机层对ALP5以及第一子无机层AL1-8时的光的透过率(％)。第二曲线CUV7示意性示出第二无机层IOL2包含第一子无机层对ALP1至第七子无机层对ALP7以及第一子无机层AL1-8时的光的透过率(％)。第三曲线CUV10示意性示出第二无机层IOL2不仅包含第一子无机层对ALP1至第七子无机层对ALP7以及第一子无机层AL1-8，还包括图6中未图示的3个子无机层对时的光的透过率(％)。
第二无机层IOL2包括越少数量的子无机层对，紫外线(例如，波长为400nm以下)的透过率变高，第二无机层IOL2包括多数量的子无机层对时，紫外线的透过率变低。即，紫外线的透过率为CUV5>CUV7>CUV10。因此，为了降低紫外线的透过率，需要第二无机层IOL2中包括的子无机层对的数量至少为7个。第二无机层IOL2中包括的子无机层对的数量相比7个而为10个时，紫外线的透过率可以更低。然而，子无机层对的数量越多，则制造费用增加，因此考虑紫外线透过率和制造费用，优选为，第二无机层IOL2中包括的子无机层对的数量选择适当的数量。
假设如图6所示，当第二无机层IOL2包括7个子无机层对、即第一子无机层对ALP1至第七子无机层对ALP7时，第一子无机层AL1-1至AL1-8的数量为8个，第二子无机层AL2-1至AL2-7的数量为7个。
假设当第二无机层IOL2包括10个子无机层对、即第一子无机层对至第十子无机层对时，第一子无机层的数量为11个，第二子无机层的数量为10个。与第二无机层IOL2的最下部、即发光二极管LD直接接触的子无机层和配置在第二无机层IOL2的最上部的子无机层分别为第一子无机层，因此第二无机层IOL2中包括的第一子无机层的数量可以相比第二子无机层的数量多1个。
图8是示意性示出根据第二无机层IOL2中包括的第二子无机层的厚度的光的透过率的图。
参照图6以及图8，第一子无机层AL1-1至AL1-8各自向第三方向DR3具有第一厚度TH1，第二子无机层AL2-1至AL2-7各自向第三方向DR3具有第二厚度TH2。第一厚度TH1可以为
Figure BDA0002869577640000171
至
Figure BDA0002869577640000172
第二厚度TH2可以为
Figure BDA0002869577640000173
至
Figure BDA0002869577640000174
通过调整第二子无机层AL2-1至AL2-7各自的第二厚度TH2，从而可以调整被反射的光的波长。
在图8中示出的例中，第一曲线T2-1至第六曲线T2-6示出根据第二子无机层AL2-1至AL2-7的第二厚度TH2的光透过率(％)。第一曲线T2-1至第六曲线T2-6中，第二子无机层AL2-1至AL2-7的第二厚度TH2具有T2-1<T2-2<T2-3<T2-4<T2-5<T2-6的关系。
从图8可以确认，第二子无机层AL2-1至AL2-7的第二厚度TH2越厚，紫外线(例如，波长为400nm以下)的透过率可能变低，然而蓝光(例如，波长为400nm至480nm)的透过率变低。当蓝光的透过率变低时，从发光二极管LD(参照图5)射出的光的效率可能变低。在图8中示出的例中，优选为，将与第二曲线T2-2对应的厚度选择为第二子无机层AL2-1至AL2-7的第二厚度TH2。
以下表1示意性示出根据第二子无机层的数量的蓝光的亮度。基准值137cd/m2是从发光二极管LD(参照图5)射出的蓝光的亮度。
【表1】
Figure BDA0002869577640000175
从表1可以确认，第二子无机层的数量越增加，从发光二极管LD射出的蓝光的亮度变低。即，第二子无机层的数量越增加，蓝光的光效率变低。因此，优选为，第二子无机层AL2-1至AL2-7的数量选择可以提高紫外线阻断效果的同时，使蓝光的光效率降低最小化的值。
以上参照本发明的优选实施例进行了说明，但对于本技术领域的熟练人员或者本技术领域中具有通常知识的人员来说，可以理解可以在不超出权利要求书中记载的本公开的构思以及技术领域的范围内，对本公开进行多种修改以及变形。因此，本公开的技术范围并不以说明书的详细说明中记载的内容进行限定，应通过权利要求书来确定。

Claims (20)

1.一种显示装置，其中，包括：
基底层；
电路元件层，位于所述基底层上；
发光元件层，位于所述电路元件层上，并与所述电路元件层电连接；以及
薄膜封装层，包括配置在所述电路元件层以及所述发光元件层上而密封所述电路元件层以及所述发光元件层的无机层，
所述薄膜封装层的所述无机层包括子无机层对，所述子无机层对包括具有第一折射率的第一子无机层以及具有与所述第一折射率不同的第二折射率的第二子无机层，
所述薄膜封装层的所述无机层包括至少7个所述子无机层对。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一子无机层包括SiNX，所述第二子无机层包括SiON。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述薄膜封装层的所述无机层还包括配置在所述子无机层对的最上部的上部子无机层。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述上部子无机层包括与所述第一子无机层相同的构成物质。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一子无机层的所述第一折射率大于所述第二子无机层的所述第二折射率。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一子无机层的所述第一折射率为1.8至2.1，所述第二子无机层的所述第二折射率为1.5至1.65。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述薄膜封装层还包括：
下部无机层，配置在所述发光元件层和所述无机层之间；以及
有机层，配置在所述下部无机层和所述无机层之间。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一子无机层具有第一厚度，所述第二子无机层具有第二厚度。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二子无机层的厚度依据从所述发光元件层输出的光的效率决定。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述电路元件层包括至少一个晶体管，所述发光元件层与所述至少一个晶体管电连接。
11.一种显示装置，其中，包括：
基底层；
电路元件层，位于所述基底层上；
发光元件层，位于所述电路元件层上，并与所述电路元件层电连接；以及
薄膜封装层，配置在所述电路元件层以及所述发光元件层上而密封所述电路元件层以及所述发光元件层，
所述薄膜封装层包括：
第一无机层，位于所述发光元件层上；
有机层，位于所述第一无机层上；以及
第二无机层，位于所述有机层上，
所述第二无机层包括具有第一折射率的第一子无机层以及具有与所述第一折射率不同的第二折射率的第二子无机层，所述第一子无机层以及所述第二子无机层交替配置，
所述第二无机层包括至少7个所述第一子无机层以及所述第二子无机层各自。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述第二无机层的所述第一子无机层中的任一个层叠在所述发光元件层上。
13.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述第二无机层的所述第一子无机层中的任一个配置在所述第二无机层的最上端。
14.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述第二无机层的所述第一子无机层的数量大于所述第二子无机层的数量。
15.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述第一子无机层包括SiNX，所述第二子无机层包括SiON。
16.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述第一子无机层的所述第一折射率大于所述第二子无机层的所述第二折射率。
17.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述第一子无机层的所述第一折射率为1.8至2.1，所述第二子无机层的所述第二折射率为1.5至1.65。
18.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述第一子无机层各自具有第一厚度，所述第二子无机层各自具有第二厚度。
19.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述第二子无机层各自的厚度依据从所述发光元件层输出的光的效率决定。
20.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述电路元件层包括至少一个晶体管，所述发光元件层与所述至少一个晶体管电连接。
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