Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

CN113113334A - 湿制程清洗设备及湿制程清洗方法 - Google Patents

湿制程清洗设备及湿制程清洗方法 Download PDF

Info

Publication number
CN113113334A
CN113113334A CN202110375539.5A CN202110375539A CN113113334A CN 113113334 A CN113113334 A CN 113113334A CN 202110375539 A CN202110375539 A CN 202110375539A CN 113113334 A CN113113334 A CN 113113334A
Authority
CN
China
Prior art keywords
wet process
spray head
process cleaning
unit
driving unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202110375539.5A
Other languages
English (en)
Inventor
杨智仁
施国彰
张范青
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Individual
Original Assignee
Individual
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Individual filed Critical Individual
Priority to CN202110375539.5A priority Critical patent/CN113113334A/zh
Publication of CN113113334A publication Critical patent/CN113113334A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041Cleaning
    • H01L21/02057Cleaning during device manufacture

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)

Abstract

一种湿制程清洗设备及湿制程清洗方法,所述湿制程清洗设备包含移载装置、至少一传动装置、至少一第一喷头单元及控制单元。所述移载装置包括第一驱动单元及悬臂,所述悬臂可被所述第一驱动单元带动而沿第一方向移动。所述传动装置设置于所述悬臂且包括滑移座、第二驱动单元及升降座组。所述第二驱动单元驱动所述滑移座沿第二方向移动。所述升降座组具有升降座及驱动所述升降座移动的第三驱动单元。所述第一喷头单元设置于所述升降座且包括数个喷头。所述控制单元用来控制所述第一、所述第二及所述第三驱动单元,且选择地性开关所述喷头。

Description

湿制程清洗设备及湿制程清洗方法
技术领域
本发明涉及一种半导体设备,特别是涉及一种湿制程清洗设备及湿制程清洗方法。
背景技术
在半导体制程中最常重复使用的为清洗制程,为了去除半导体制程中所产生的残留物或微粒,大都会采用湿式清洁法来清洗晶圆表面,以提升制程良率。
如图1所示,一种现有的晶圆清洗设备,将欲清洗的晶圆10放置在一旋转台11,所述旋转台11以自身轴线为中心持续地转动,并通过位于所述晶圆10上方且逐步移动的一喷头12将清洗液喷洒于所述晶圆10的表面,再配合所述旋转台11带动所述晶圆10转动时的离心力,使清洗液由所述晶圆10中心朝外旋出,以清洗所述晶圆10上的残留物或微粒,而达到清洁的作用。
但上述的晶圆清洗设备在清洗所述晶圆10时,为了克服在所述晶圆10中心附近的清洗液停留时间过短而来不及清洗完全的问题,便以增加清洗液的用量来克服,但这会导致清洗液的耗材成本过高。
发明内容
本发明的目的在于提供一种可节省耗材成本并提高清洁效果的湿制程清洗设备。
本发明所述的湿制程清洗设备,包含承载面、移载装置、至少一传动装置、至少一第一喷头单元,及控制单元。
所述移载装置包括一对沿第一方向延伸的第一导轨、设置于其中一所述第一导轨的第一驱动单元,及沿第二方向跨设于所述第一导轨的悬臂,所述第二方向实质上垂直于所述第一方向,所述第一导轨在所述第二方向上相间隔并将所述承载面包围于内侧,所述悬臂可被所述第一驱动单元带动而相对于所述承载面沿所述第一方向移动,所述悬臂包括沿所述第二方向延伸的第二轨道。所述传动装置设置于所述悬臂,所述传动装置包括滑移座、第二驱动单元及升降座组。所述滑移座可移动地设置于所述第二轨道。所述第二驱动单元用来驱动所述滑移座沿所述第二方向移动。所述升降座组设置于所述滑移座且随着所述滑移座移动,所述升降座组具有设置于所述滑移座并形成有一第三轨道的本体、可移动地设置于所述第三轨道的升降座,及用来驱动所述升降座沿第三方向移动的第三驱动单元,所述第三方向、所述第一方向与所述第二方向实质上互相垂直。
所述第一喷头单元的数量对应于所述传动装置,所述第一喷头单元可卸离地设置于所述升降座且包括数个沿所述第一方向间隔设置的喷头,所述喷头被所述升降座带动而能沿所述第三方向移动。所述控制单元用来控制所述第一驱动单元、所述第二驱动单元及所述第三驱动单元,所述控制单元还可选择地开关所述喷头。所述控制单元驱动所述第二驱动单元并使所述滑移座在所述第二方向每移动一个行程位移量后,所述控制单元会驱动所述第一驱动单元并使所述悬臂沿所述第一方向依一个短距位移量来回移动预定次数。
本发明所述的湿制程清洗设备,所述喷头等距地设置,所述短距位移量不大于相邻的两所述喷头间距的四倍,且不小于相邻的两所述喷头间距的0.25倍。
本发明所述的湿制程清洗设备,所述湿制程清洗设备包含两个在所述第二方向相间隔的所述传动装置,及两个分别设置于所述传动装置的所述第一喷头单元,所述传动装置分别用来带动所述第一喷头单元,每一所述传动装置可独立地移动。
本发明所述的湿制程清洗设备,所述第一喷头单元的所述喷头朝向彼此倾斜或朝向同一侧倾斜。
本发明所述的湿制程清洗设备,所述湿制程清洗设备还包含至少一第二喷头单元,所述第二喷头单元可在所述第一喷头单元自所述升降座卸离后安装于所述升降座,所述第二喷头单元与所述第一喷头单元的其中一者用来喷洒液体,所述第二喷头单元与所述第一喷头单元的另一者用来吹出气体。
本发明所述的湿制程清洗设备,每一所述喷头用来供流体通过并形成扇形喷洒区域,每一所述扇形喷洒区域形成有底边长,所述升降座带动所述喷头沿所述第三方向朝所述承载面的方向靠近,且每两相邻的所述扇形喷洒区域的底边长部分重叠,重叠比例大于0%但不大于50%。
本发明所述的湿制程清洗设备,所述升降座具有交换盘,所述第一喷头单元还包括供所述喷头设置的安装座,所述安装座具有可卸离地接合于所述交换盘的结合部。
本发明所述的湿制程清洗设备,每一所述喷头的喷洒角度介于30°至50°。
本发明的另一目的,在提供一种可节省耗材成本并提高清洁效果的湿制程清洗方法。
本发明所述的湿制程清洗方法,适用于将流体喷洒于一基材并清洁所述基材,所述湿制程清洗方法包含以下步骤:
步骤A,提供湿制程清洗设备,所述湿制程清洗设备具有数个间隔设置的喷头,及用来开关所述喷头的控制单元。
步骤B,依所述基材的至少一物理参数决定开启所述喷头的数量。
步骤C,所述喷头沿第二方向移动一个行程位移量后,所述喷头再沿第一方向以一个短距位移量来回移动预定次数,所述行程位移量、所述短距位移量及所述预定次数根据所述基材的至少一物理参数决定。
步骤D,重复所述步骤C。
本发明所述的湿制程清洗方法,所述步骤A中的所述喷头用来喷洒液体,所述湿制程清洗方法还包含在步骤D之后的步骤E,更换所述喷头为另一组用来吹出气体的喷头,并重复步骤C直到吹干所述基材。
本发明所述的湿制程清洗方法,所述喷头等距地设置,所述短距位移量不大于相邻的两所述喷头间距的四倍且不小于相邻的两所述喷头间距的0.25倍。
本发明所述的湿制程清洗方法,所述湿制程清洗设备还包含两个可独立地移动的传动装置及两个分别设置于所述传动装置的第一喷头单元,所述第一喷头单元分别供所述喷头设置。
本发明所述的湿制程清洗方法,所述第一喷头单元进行所述步骤C时为同时移动。
本发明所述的湿制程清洗方法,每一所述喷头的喷洒角度介于30°至50°。
本发明的有益效果在于:本发明湿制程清洗设备的所述第二驱动单元带动所述滑移座在所述第二方向每移动所述行程位移量后,所述第一驱动单元便会带动所述悬臂沿所述第一方向依所述短距位移量来回移动所述预定次数,使本发明湿制程清洗方法能通过将所述喷头先沿所述第二方向移动一小段距离后,便会沿所述第一方向短距离地左右来回数次的清洗方式,可增加流体与所述基材接触的时间,并减少清洗液的用量且提高清洁效果。
附图说明
本发明的其他的特征及功效,将于参照附图的实施方式中清楚地呈现,其中:
图1是一种现有的晶圆清洗设备的示意图;
图2是本发明湿制程清洗设备的第一实施例用来清洗一基材的示意图;
图3是所述第一实施例的立体示意图;
图4是所述第一实施例的电路方块图;
图5是所述第一实施例的不完整的后视图;
图6是不完整的侧视图,说明所述第一实施例的两个传动装置以一行程位移量间歇移动;
图7是俯视示意图,说明所述第一实施例的一移载装置的一悬臂以一短距位移量来回移动;
图8是立体示意图,说明所述第一实施例的两个第一喷头单元与两个第二喷头单元可交换使用;
图9是所述第一实施例的另一电路方块图;
图10是本发明湿制程清洗方法的流程图;
图11是立体示意图,说明利用本发明湿制程清洗设备的第一实施例对所述基材进行湿制程清洗;
图12是侧视示意图,说明所述第一喷头单元的数个喷嘴喷洒清洗液,且每一所述喷嘴会形成一扇形喷洒区域;
图13至图15是本发明湿制程清洗方法的动作示意图;
图16是本发明湿制程清洗设备的第二实施例的立体示意图;
图17是本发明湿制程清洗设备的第三实施例的立体示意图;
图18是所述第三实施例的侧视示意图;及
图19是立体示意图,说明本发明湿制程清洗方法的另一种作业方式。
具体实施方式
在本发明被详细描述前,应当注意在以下的说明内容中,类似的组件是以相同的编号来表示。
参阅图2至图4,本发明湿制程清洗设备的一第一实施例,适用于将流体喷洒于一基材91并清洁所述基材91,所述基材91形成有依序排列的数个芯片911(见图11),所述基材91可以是晶圆、基底上晶圆上芯片、晶圆级封装总成、承载于置料盘的芯片等等半导体材料。所述湿制程清洗设备包含一机座2、一承载台21、一移载装置3、两个传动装置4、两个第一喷头单元5、一控制单元6,及一光学检测装置7。
所述承载台21设置于所述机座2且具有一承载面211。
所述移载装置3设置于所述机座2,所述移载装置3包括一对沿一第一方向X延伸的第一导轨31、一设置于其中一所述第一导轨31的第一驱动单元32,及一沿一第二方向Y跨设于所述第一导轨31的悬臂33,所述第二方向Y实质上垂直于所述第一方向X。所述第一导轨31在所述第二方向Y上相间隔并将所述承载台21包围于内侧。所述悬臂33包括两个沿一第三方向Z延伸且分别滑接于所述第一导轨31的立柱331,及一沿所述第二方向Y延伸且连接于所述立柱331的横梁332,所述第三方向Z、所述第二方向Y与所述第一方向X实质上互相垂直。如图3所示,所述第一方向X为左右方向,所述第二方向Y为前后方向,所述第三方向Z为顶底方向。所述横梁332具有一沿所述第二方向Y延伸的第二轨道333。所述悬臂33可被所述第一驱动单元32带动而沿所述第一导轨31移动并相对于所述承载面211移动。本第一实施例的所述第一驱动单元32是以一马达321带动一螺杆转动而驱使所述悬臂33沿所述第一方向X左右移动,但所述第一驱动单元32也能采用马达加皮带、马达加链条、线性马达、电动缸等其他传动机构,同样能带动所述悬臂33沿所述第一方向X左右移动,传动方式并非本发明的限制。
所述传动装置4沿所述第二方向Y间隔设置于所述悬臂33并随着所述悬臂33移动,所述传动装置4的结构相同,且每一所述传动装置4可独立地移动。以下就一所述传动装置4详细描述。
参阅图2、图3及图5,所述传动装置4包括一可移动地设置于所述第二轨道333的滑移座41、一用来驱动所述滑移座41沿所述第二轨道333移动的第二驱动单元42,及一设置于所述滑移座41且随着所述滑移座41移动的升降座组43。本第一实施例的所述第二驱动单元42是以一马达421带动一皮带(图未示)转动而驱使所述滑移座41沿所述第二方向Y前后移动,但也能采用如前所述的其他传动方式,此并非本发明的一限制。所述升降座组43具有一设置于所述滑移座41并形成有一第三轨道431的本体432、一可移动地设置于所述第三轨道431的升降座433,及一用来驱动所述升降座433沿所述第三方向Z移动的第三驱动单元434。借此,使所述升降座433可沿所述第三方向Z升降且可沿所述第二方向Y前后移动。所述升降座433具有一可滑移地设置于所述第三轨道431的座体435,及一固定连接于所述座体435且朝下延伸的板体436,所述板体436概呈L型且具有一形成于底侧的交换盘437。
所述第一喷头单元5分别安装于所述传动装置4的升降座433且被所述传动装置4带动,所述第一喷头单元5的数量对应于所述传动装置4的数量。每一所述第一喷头单元5可卸离地设置于各自的升降座433的交换盘437,每一所述第一喷头单元5包括一可卸离地接合于所对应的交换盘437的安装座51,及数个沿所述第一方向X间隔设置于所述安装座51的喷头52,所述安装座51具有一可卸离地接合于所述交换盘437的结合部511。所述喷头52是高压喷头且等距地设置,并被所述升降座433带动而能沿所述第三方向Z升降并沿所述第二方向Y前后移动,所述喷头52也会被所述移载装置3带动而沿所述第一方向X左右移动。本第一实施例的所述第一喷头单元5的所述喷头52朝向同一侧倾斜并用来喷洒清洗液、化学药剂、有机溶剂、界面活性剂、水等任一组合的液体,且所述喷头52可独立地开关,并可同时使用组成相同或不同的清洗液。
定义每一所述喷头52的喷洒角度α为每一所述喷头的法线与所述基材91的顶面的夹角,要特别说明的是,不同的所述喷洒角度α会影响清洗效果,在液体压力1000psi的相同条件下,将不同的所述喷洒角度α与清洗效果的测试结果,汇整于下列表1中。
表1
喷洒角度α 清洗效果(%)
70° 50
60° 90
50° 100
40° 100
30° 100
20° 95
10° 70
由表1可看出,所述喷洒角度α在20°至60°间的清洗效果都不错,尤其是30°至50°间的清洗效果为最佳。
参阅图3与图4,所述控制单元6用来控制所述第一驱动单元32、所述第二驱动单元42及所述第三驱动单元434,借此,使所述第一喷头单元5可在所述第一方向X、所述第二方向Y与所述第三方向Z这三个轴向上移动。
参阅图4、图6与图7,所述控制单元6驱动所述第二驱动单元42并使所述滑移座41在所述第二方向Y每移动一行程位移量P后,所述控制单元6就会驱动所述第一驱动单元32并使所述悬臂33沿所述第一方向X依一短距位移量D来回移动一预定次数,借此,使所述喷头52沿所述第二方向Y间歇移动的期间,还会沿所述第一方向X短距离地左右来回数次,借此,增加流体与所述基材91接触的时间,可减少清洗液的用量并提高清洁效果。要特别说明的是,所述行程位移量P是指每一所述滑移座41向前或向后移动一距离后停下来的位移量,所述短距位移量D是指所述悬臂33在左右两端来回移动的距离。较佳地,所述短距位移量D不大于两相邻的所述喷头52间距的四倍,且不小于两相邻的所述喷头52间距的0.25倍。所述控制单元6还可选择地性用来开关所述喷头52,而使所述喷头52依实际需求部分打开或全部打开。
所述光学检测装置7与所述控制单元6讯号连接,并用来对所述基材91进行光学检测以取得所述基材91的至少一物理参数,物理参数例如但不限于基材长度、基材宽度、基材厚度、基材内的芯片尺寸、芯片厚度、芯片间距。所述光学检测装置7例如但不限于CCD、摄影机。所述光学检测装置7将检测出的各种物理参数传送至所述控制单元6,所述控制单元6便可依此决定开启所述喷头52的数量、所述喷头52的工作高度、清洗液的压力、清洗液的用量等清洗作业条件。
能理解的是本第一实施例也能省略所述光学检测装置7,并从已建立所述基材91的各种物理参数的一数据库(图未示)取得所需要的数值,还是能决定清洗的作业条件。
参阅图8及图9,较佳地,所述湿制程清洗设备还可包含两个分别暂放于两个料架92的第二喷头单元5',每一所述第二喷头单元5'同样包括所述安装座51及所述喷头52,只是所述第二喷头单元5'的所述喷头52用来吹出气体例如氮气,借此,可吹气干燥所述基材91(见图7)。所述第二喷头单元5'可在所述第一喷头单元5自所述升降座433卸离后再安装于所述升降座433。同样地,所述控制单元6也可选择地性用来开关所述第二喷头单元5'的所述喷头52,使所述喷头52可依实际需求而部分打开或全部打开,借此,决定开启所述喷头52的数量、气体压力、进气量等干燥的作业条件。
参阅图10,以下描述利用本第一实施例将流体喷洒于所述基材并进行湿制程清洗的方法及干燥作业的流程:
步骤81,提供所述湿制程清洗设备,所述湿制程清洗设备安装有用来喷洒液体的所述第一喷头单元5,及所述控制单元6。每一所述第一喷头单元5具有间隔设置的所述喷头52,所述控制单元6用来开关所述喷头52。
步骤82,将所述基材91放置于所述承载21台的承载面211。
步骤83,利用所述光学检测装置7检测出所述基材91的至少一物理参数并传送至所述控制单元6。
步骤84,所述控制单元6接收所述至少一物理参数并依所述至少一物理参数决定开启所述喷头52的数量、所述喷头52的工作高度、清洗液的压力、清洗液的用量等清洗作业条件。
步骤85,配合图11与图12,所述控制单元6控制每一所述喷头52喷洒出清洗液并形成一扇形喷洒区域F,每一扇形喷洒区域F具有一接触所述基材91的上表面的底边长L。所述第三驱动单元434驱动所述升降座433下降,使每一所述喷头52朝所述承载面211的方向靠近至每两相邻的所述扇形喷洒区域F的底边长L部分重叠。较佳地,每两相邻的所述扇形喷洒区域F的底边长L重叠比例大于0%但不大于50%,更佳地,每两相邻的所述扇形喷洒区域F的底边长L的重叠比例实质上为25%,而能同时具有节省清洗液的耗材成本及提高清洁的效果。
步骤86,配合图4、图6与图7,所述控制单元6控制所述第二驱动单元42并使所述喷头52同时沿所述第二方向Y朝前移动所述行程位移量P后,所述喷头52再沿所述第一方向X以所述短距位移量D左右来回移动所述预定次数,所述行程位移量P、所述短距位移量D及所述预定次数根据所述基材91的至少一物理参数决定。要特别说明的是,在所述喷头52以所述短距位移量D左右来回移动的过程中,所述控制单元6可选择性地关闭已脱离所述基材91范围的某些所述喷头52,借此,可更节省清洗液的用量。
步骤87,配合图13至图15,重复所述步骤86,直到所述第一喷头单元5的所述喷头52完成所述基材91内所述芯片911的同一侧的清洁。
步骤88,将所述基材91转向180度,并重复所述步骤86,直到所述第一喷头单元5的所述喷头52完成所述基材91内所述芯片911的另一侧的清洁。要特别说明的是,若所述基材91只需要单侧清洁,则可省略步骤88。若有需要也能将所述基材91依序增量转向90度而完成360度的清洁。
步骤89,配合图8,将所述第一喷头单元5拆下,并将所述第二喷头单元5'安装于所述升降座433,通过所述第二喷头单元5'的所述喷头52吹出氮气,并重复步骤86且由所述承载台21的后侧移动至前侧,再将所述基材91转向180度并重复步骤86直到吹干所述基材91。
本发明湿制程清洗方法利用所述喷头52先沿所述第二方向Y移动一小段距离后,便会沿所述第一方向X短距来回数次,借此,增加流体与所述基材91接触的时间,可减少清洗液的用量并提高清洁效果。同时,本第一实施例通过每两相邻的所述扇形喷洒区域F的底边长L互相重叠,更能节省清洗液的用量及提高清洁的效果。另外,本第一实施例还利用两组所述传动装置4与所述第一喷头单元5的设计,可节省一半的清洁时间。
参阅图16,本发明湿制程清洗设备的一第二实施例,适用于将流体喷洒于置料盘型态的所述基材91,所述第二实施例是类似于所述第一实施例,其主要差异的处在于:
所述湿制程清洗设备的所述传动装置4与所述第一喷头单元5的数量为一。通过所述移载装置3及所述传动装置4,同样可以带动所述升降座433在所述第一方向X、所述第二方向Y及所述第三方向Z这三个轴向移动。本第二实施例的所述喷头52先沿所述第二方向Y移动一小段距离后,便会沿所述第一方向X短距来回数次,同样能增加流体与所述基材91接触的时间,因此,也具有可节省清洗液的用量及提高清洁的相同效果。
参阅图17及图18,本发明湿制程清洗设备的一第三实施例,适用于将流体喷洒于置料盘型态的所述基材91,所述第三实施例是类似于所述第一实施例,其主要差异处在于:
所述第一喷头单元5的所述喷头52朝向彼此倾斜,也就是说,所述第一喷头单元5用来清洗所述基材91内的所述芯片911的两相对侧,通过上述清洗方式,同样能清洁所述芯片911的双侧。
要说明的是,所述第一喷头单元5可以分别由所述承载台21的前后两侧朝向中央移动,或者,两者也可以同时由所述承载台21的后侧朝前侧移动而各负责所述基材91的后半部与前半部的清洁,同样都能完成所述基材91的清洁,并节省一半的清洁时间,所述第一喷头单元5为相向移动或同向移动并非本发明的限制。
参阅图19,当本发明湿制程清洗方法清洗到所述基材91的边缘时,由于所述芯片911数量较少,因此可以仅开启所述第一喷头单元5的第二、三、四个所述喷头52,就能使每两相邻的所述喷头52的扇形喷洒区域F的底边长L互相重叠,同样能节省清洗液的用量并提高清洁效果。
以上所述者,仅为本发明的实施例而已,当不能以此限定本发明实施的范围,即凡依本发明权利要求书及说明书内容所作的简单的等效变化与修饰,皆仍属本发明的范围。

Claims (14)

1.一种湿制程清洗设备,其特征在于:包含:
承载面;
移载装置,包括一对沿第一方向延伸的第一导轨、设置于其中一所述第一导轨的第一驱动单元,及沿第二方向跨设于所述第一导轨的悬臂,所述第二方向实质上垂直于所述第一方向,所述第一导轨在所述第二方向上相间隔并将所述承载面包围于内侧,所述悬臂可被所述第一驱动单元带动而相对于所述承载面沿所述第一方向移动,所述悬臂包括沿所述第二方向延伸的第二轨道;
至少一传动装置,设置于所述悬臂,所述传动装置包括:
滑移座,可移动地设置于所述第二轨道,
第二驱动单元,用来驱动所述滑移座沿所述第二方向移动,及
升降座组,设置于所述滑移座且随着所述滑移座移动,所述升降座组具有设置于所述滑移座并形成有第三轨道的本体、可移动地设置于所述第三轨道的升降座,及用来驱动所述升降座沿第三方向移动的第三驱动单元,所述第三方向、所述第一方向与所述第二方向实质上互相垂直;
至少一第一喷头单元,数量对应于所述传动装置,所述第一喷头单元可卸离地设置于所述升降座且包括数个沿所述第一方向间隔设置的喷头,所述喷头被所述升降座带动而能沿所述第三方向移动;及
控制单元,用来控制所述第一驱动单元、所述第二驱动单元及所述第三驱动单元,所述控制单元还可选择地开关所述喷头,所述控制单元驱动所述第二驱动单元并使所述滑移座在所述第二方向每移动一个行程位移量后,所述控制单元会驱动所述第一驱动单元并使所述悬臂沿所述第一方向依一个短距位移量来回移动预定次数。
2.根据权利要求1所述的湿制程清洗设备,其特征在于:所述喷头等距地设置,所述短距位移量不大于相邻的两所述喷头间距的四倍,且不小于相邻的两所述喷头间距的0.25倍。
3.根据权利要求1所述的湿制程清洗设备,其特征在于:所述湿制程清洗设备包含两个在所述第二方向相间隔的所述传动装置,及两个分别设置于所述传动装置的所述第一喷头单元,所述传动装置分别用来带动所述第一喷头单元,每一所述传动装置可独立地移动。
4.根据权利要求3所述的湿制程清洗设备,其特征在于:所述第一喷头单元的所述喷头朝向彼此倾斜或朝向同一侧倾斜。
5.根据权利要求1所述的湿制程清洗设备,其特征在于:所述湿制程清洗设备还包含至少一第二喷头单元,所述第二喷头单元可在所述第一喷头单元自所述升降座卸离后安装于所述升降座,所述第二喷头单元与所述第一喷头单元的其中一者用来喷洒液体,所述第二喷头单元与所述第一喷头单元的另一者用来吹出气体。
6.根据权利要求1所述的湿制程清洗设备,其特征在于:每一所述喷头用来供流体通过并形成扇形喷洒区域,每一所述扇形喷洒区域形成有底边长,所述升降座带动所述喷头沿所述第三方向朝所述承载面的方向靠近,且每两相邻的所述扇形喷洒区域的底边长部分重叠,重叠比例大于0%但不大于50%。
7.根据权利要求1所述的湿制程清洗设备,其特征在于:所述升降座具有交换盘,所述第一喷头单元还包括供所述喷头设置的安装座,所述安装座具有可卸离地接合于所述交换盘的结合部。
8.根据权利要求1所述的湿制程清洗设备,其特征在于:每一所述喷头的喷洒角度介于30°至50°。
9.一种湿制程清洗方法,适用于将流体喷洒于基材并清洁所述基材,其特征在于:所述湿制程清洗方法包含:
步骤A,提供湿制程清洗设备,所述湿制程清洗设备具有数个间隔设置且用来喷洒流体的喷头,及用来开关所述喷头的控制单元;
步骤B,依所述基材的至少一物理参数决定开启所述喷头的数量;
步骤C,所述喷头沿第二方向移动一个行程位移量后,所述喷头再沿第一方向以一个短距位移量来回移动预定次数,所述行程位移量、所述短距位移量及所述预定次数根据所述基材的至少一物理参数决定;及
步骤D,重复所述步骤C。
10.根据权利要求9所述的湿制程清洗方法,其特征在于:所述步骤A中的所述喷头用来喷洒液体,所述湿制程清洗方法还包含在步骤D后的步骤E,更换所述喷头为另一组用来吹出气体的喷头,并重复步骤C直到吹干所述基材。
11.根据权利要求9所述的湿制程清洗方法,其特征在于:所述喷头等距地设置,所述短距位移量不大于相邻的两所述喷头间距的四倍且不小于相邻的两所述喷头间距的0.25倍。
12.根据权利要求9所述的湿制程清洗方法,其特征在于:所述湿制程清洗设备还包含两个可独立地移动的传动装置及两个分别设置于所述传动装置的第一喷头单元,所述第一喷头单元分别供所述喷头设置。
13.根据权利要求12所述的湿制程清洗方法,其特征在于:所述第一喷头单元进行所述步骤C时为同时移动。
14.根据权利要求9所述的湿制程清洗方法,其特征在于:每一所述喷头的喷洒角度介于30°至50°。
CN202110375539.5A 2021-04-08 2021-04-08 湿制程清洗设备及湿制程清洗方法 Pending CN113113334A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110375539.5A CN113113334A (zh) 2021-04-08 2021-04-08 湿制程清洗设备及湿制程清洗方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110375539.5A CN113113334A (zh) 2021-04-08 2021-04-08 湿制程清洗设备及湿制程清洗方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN113113334A true CN113113334A (zh) 2021-07-13

Family

ID=76714544

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110375539.5A Pending CN113113334A (zh) 2021-04-08 2021-04-08 湿制程清洗设备及湿制程清洗方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113113334A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114812111A (zh) * 2022-04-22 2022-07-29 京东方科技集团股份有限公司 基板干燥装置、清洗系统及干燥方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6390106B1 (en) * 1999-10-29 2002-05-21 Au Optronics Corp. Multidirectional liquid sprayer used in a wet process
KR20070097715A (ko) * 2006-03-29 2007-10-05 세메스 주식회사 세정액 노즐 장치 및 이를 구비하는 반도체 세정 설비, 그리고 기판 세정 방법
CN101826459A (zh) * 2009-03-06 2010-09-08 旺宏电子股份有限公司 半导体清洗方法与装置及其控制方法
CN104014497A (zh) * 2013-02-28 2014-09-03 细美事有限公司 喷嘴组件、基板处理设备以及处理基板的方法
CN205674013U (zh) * 2016-05-31 2016-11-09 中芯国际集成电路制造(天津)有限公司 清洗装置以及化学机械研磨装置
CN110858551A (zh) * 2018-08-24 2020-03-03 禾宬科技有限公司 半导体清洗装置及方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6390106B1 (en) * 1999-10-29 2002-05-21 Au Optronics Corp. Multidirectional liquid sprayer used in a wet process
KR20070097715A (ko) * 2006-03-29 2007-10-05 세메스 주식회사 세정액 노즐 장치 및 이를 구비하는 반도체 세정 설비, 그리고 기판 세정 방법
CN101826459A (zh) * 2009-03-06 2010-09-08 旺宏电子股份有限公司 半导体清洗方法与装置及其控制方法
CN104014497A (zh) * 2013-02-28 2014-09-03 细美事有限公司 喷嘴组件、基板处理设备以及处理基板的方法
CN205674013U (zh) * 2016-05-31 2016-11-09 中芯国际集成电路制造(天津)有限公司 清洗装置以及化学机械研磨装置
CN110858551A (zh) * 2018-08-24 2020-03-03 禾宬科技有限公司 半导体清洗装置及方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114812111A (zh) * 2022-04-22 2022-07-29 京东方科技集团股份有限公司 基板干燥装置、清洗系统及干燥方法
CN114812111B (zh) * 2022-04-22 2024-04-19 京东方科技集团股份有限公司 基板干燥装置、清洗系统及干燥方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5778554A (en) Wafer spin dryer and method of drying a wafer
US5345639A (en) Device and method for scrubbing and cleaning substrate
CN103231303A (zh) 化学机械抛光设备
CN110993524A (zh) 一种基板后处理装置和方法
CN113113334A (zh) 湿制程清洗设备及湿制程清洗方法
CN110849127A (zh) 一种转动拉升晶圆干燥方法
CN115090596B (zh) 基于兆声波技术的晶圆清洗设备及清洗方法
CN110864536B (zh) 一种转动拉升式晶圆干燥机
CN2642414Y (zh) 柔性清洗机
KR100897240B1 (ko) 세정장치를 구비한 슬릿코터
CN115041774A (zh) 一种超薄热管焊接夹持设备
KR20240009002A (ko) 웨이퍼 세정 장치 및 방법
TWI783407B (zh) 濕製程清洗設備及濕製程清洗方法
CN210092034U (zh) 一种基板后处理装置
KR0186043B1 (ko) 세정용 브러시를 가지는 기판세정장치 및 기판 세정방법
JP4317502B2 (ja) 機械部品等洗浄装置
US7093777B2 (en) Jet clean nozzle with multiple spray openings
JP2014150136A (ja) 基板処理装置
KR101036606B1 (ko) 기판 코팅 유닛, 이를 갖는 기판 처리 장치 및 이를 이용한기판 처리 방법
KR20180060033A (ko) 정반 세정 장치
CN215696269U (zh) 一种清洗装置
JP4339299B2 (ja) レジスト塗布装置
CN218554902U (zh) 一种智能电气设备用安全带电清洗装置
KR20070114959A (ko) 자동 세정 장치 및 이를 이용한 로봇 암 세정 방법
CN110513988A (zh) 一种切削液自动吹干装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20210713