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CN113097408B - 一种显示面板及其制备方法 - Google Patents

一种显示面板及其制备方法 Download PDF

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CN113097408B
CN113097408B CN202110284332.7A CN202110284332A CN113097408B CN 113097408 B CN113097408 B CN 113097408B CN 202110284332 A CN202110284332 A CN 202110284332A CN 113097408 B CN113097408 B CN 113097408B
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唐敏
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Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
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Abstract

本发明提供一种显示面板及其制备方法,通过在平坦层下方形成容纳腔,并且有机发光层与平坦层之间形成有连通容纳腔的一缺口,使得阴极层通过该缺口与有机发光层未覆盖的辅助电极层连接,实现了阴极层与辅助电极层的有效电连接,从而达到改善显示面板的电流压降的效果,可以提升显示面板的亮度均一性。

Description

一种显示面板及其制备方法
技术领域
本申请涉及显示技术领域,具体涉及一种显示面板及其制备方法。
背景技术
因有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)具有超越液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)的显示特性与品质,例如轻薄化、短的反应时间、低的驱动电压、更好的显示色彩以及显示视角等优点,其受到大家广泛的关注。
近些年OLED的发展日新月异,不仅可以制作曲面显示,同时也逐渐向大尺寸面板发展。但是大尺寸的OLED面板在工作时会因为其阴极具有较大的电阻而在其不同位置产生不同的电压降,导致OLED面板的亮度不均,因此,需要额外制作与阴极连接的辅助电极,通过辅助电极传输应施加在阴极上的电压,解决阴极的电压降导致的显示不均的问题,使OLED面板的画面显示均一稳定。
目前通过制作辅助电极以及阴极隔离柱,将阴极由原来的整面成膜改为隔离开搭接到下面的辅助电极上从而达到单独控制阴极,从而减少电压降的问题。但是,隔离柱的原材料的选择性较少,会增加OLED面板的成本并使OLED面板的制作工艺变得复杂,尤其是针对喷墨打印方式制作的OLED面板,制作隔离柱的工艺实现更加困难。
发明内容
本申请提供一种显示面板及其制备方法,能够实现阴极与辅助电极的有效电连接,解决显示面板的阴极电压降过大、亮度均一性差的技术问题。
为解决上述技术问题,第一方面,本申请实施例提供了一种显示面板的制备方法,该显示面板的制备方法包括:
提供一衬底基板;
在所述衬底基板上依次制备薄膜晶体管层、辅助电极层和平坦层,在所述平坦层上形成暴露所述辅助电极层的第一接触孔,所述辅助电极层包括依次层叠的第一导电层和第二导电层;
制备阳极层,在蚀刻所述阳极层图案的同时去除所述第二导电层;所述第一导电层包括暴露于所述第一接触孔的第一区域,以及所述平坦层在所述第一导电层上的正投影所覆盖的第二区域;所述第二区域与所述平坦层形成一容纳腔;
制备像素定义层,所述像素定义层在对应所述第一接触孔处形成有与所述第一接触孔贯通的开口;
制备有机发光层,所述有机发光层覆盖所述第一导电层的所述第一区域,且所述有机发光层与所述平坦层在所述第一接触孔内形成有与所述容纳腔连通的第一缺口;
制备阴极层,所述阴极层通过所述第一缺口与所述第一导电层的所述第二区域电性连接。
根据本发明实施例所提供的显示面板的制备方法,所述第一导电层和所述第二导电层通过同一光罩制成,所述第一导电层与所述第二导电层在所述衬底基板上的正投影重合。
根据本发明实施例所提供的显示面板的制备方法,所述第一导电层与所述第二导电层的材料互不相同。
根据本发明实施例所提供的显示面板的制备方法,所述第二导电层与所述阳极层的材料相同。
根据本发明实施例所提供的显示面板的制备方法,所述第二导电层的厚度大于所述阴极层和所述有机发光层的厚度之和。
根据本发明实施例所提供的显示面板的制备方法,在所述像素定义层上以第一设定角度蒸镀所述有机发光层;在所述有机发光层上以第二设定角度蒸镀所述阴极层;所述第一设定角度与所述第二设定角度不同。
为解决上述技术问题,第二方面,本发明实施例还提供了一种显示面板,该显示面板包括:
衬底基板,以及依次形成在所述衬底基板上的薄膜晶体管层、第一导电层和平坦层;
第一接触孔,形成在所述平坦层上并暴露所述第一导电层;所述第一导电层包括暴露于所述第一接触孔的第一区域,以及所述平坦层在所述第一导电层上的正投影所覆盖的第二区域;所述第一导电层的第二区域与所述平坦层形成一容纳腔;
像素定义层,位于所述平坦层上方,所述像素定义层在对应所述第一接触孔处形成有与所述第一接触孔贯通的开口;
有机发光层,所述有机发光层形成在所述像素定义层上并覆盖所述第一导电层的所述第一区域,且所述有机发光层与所述平坦层在所述第一接触孔内形成有连通所述容纳腔的第一缺口;
阴极层,所述阴极层通过所述第一缺口与所述第一导电层的所述第二区域电性连接。
根据本发明实施例所提供的显示面板,所述显示面板还包括阳极层,所述平坦层上形成有裸露所述薄膜晶体管层中的源极的第二接触孔,所述阳极层通过所述第二接触孔与所述源极相连。
根据本发明实施例所提供的显示面板,所述容纳腔的高度大于所述阴极层和所述有机发光层的厚度之和。
根据本发明实施例所提供的显示面板,其特征在于,所述有机发光层以第一设定角度蒸镀在所述像素定义层上;所述阴极层以第二设定角度蒸镀在所述有机发光层上;所述第一设定角度与所述第二设定角度不同。
本申请的有益效果在于,本申请的显示面板及其制备方法通过在平坦层下方形成容纳腔,并且有机发光层与平坦层之间形成有连通容纳腔的第一缺口,使得阴极层通过第一缺口与有机发光层未覆盖的辅助电极层连接,实现了阴极层与辅助电极层的有效电连接,从而达到改善显示面板的电流压降的效果,可以提升显示面板的亮度均一性。同时,本申请通过设置第二导电层与阳极层的材料相同,使阳极层被蚀刻时,第二导电层同时被蚀刻去除,从而形成容纳腔,可以简化工艺,节省成本。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案,下面对实施例中所需要使用的附图作简单的介绍。下面描述中的附图仅为本申请的部分实施例,对于本领域普通技术人员而言,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获取其他的附图。
图1为本申请实施例的显示面板的制备方法的流程示意图;
图2(a)至图2(c)为本申请实施例的显示面板的制备方法的步骤S2的示意图;
图3为本申请实施例的显示面板的制备方法的步骤S2的另一示意图。
图4为本申请实施例的显示面板的制备方法的步骤S3的示意图;
图5为本申请实施例的显示面板的制备方法的步骤S4的示意图;
图6为本申请实施例的显示面板的制备方法的步骤S5的示意图;
图7为本申请实施例的显示面板的制备方法的步骤S6的示意图;
图8为本申请提供的显示面板一实施例的结构示意图;
图9为本申请提供的显示面板另一实施例的结构示意图。
具体实施方式
这里所公开的具体结构和功能细节仅仅是代表性的,并且是用于描述本申请的示例性实施例的目的。但是本申请可以通过许多替换形式来具体实现,并且不应当被解释成仅仅受限于这里所阐述的实施例。
在本申请的描述中,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中,除非另有说明,“多个”的含义是两个或两个以上。另外,术语“包括”及其任何变形,意图在于覆盖不排他的包含。
本发明所提到的方向用语,例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等,仅是参考附加图式的方向。因此,使用的方向用语是用以说明及理解本发明,而非用以限制本发明。在图中,结构相似的单元是用以相同标号表示。
在本申请的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接或可以相互通讯;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
为了方便对本发明技术方案的理解,下面结合附图及具体实施例对本发明的技术方案进行详细的说明。
本发明实施例提供了一种显示面板的制备方法,包括:提供一衬底基板;在所述衬底基板上依次制备薄膜晶体管层、辅助电极层和平坦层,在所述平坦层上形成暴露所述辅助电极层的第一接触孔,所述辅助电极层包括依次层叠的第一导电层和第二导电层;制备阳极层,在蚀刻所述阳极层图案的同时去除所述第二导电层;所述第一导电层包括暴露于所述第一接触孔的第一区域,以及所述平坦层在所述第一导电层上的正投影所覆盖的第二区域;所述第二区域与所述平坦层形成一容纳腔;制备像素定义层,所述像素定义层在对应所述第一接触孔处形成有与所述第一接触孔贯通的开口;制备有机发光层,所述有机发光层覆盖所述第一导电层的所述第一区域,且所述有机发光层与所述平坦层在所述第一接触孔内形成有与所述容纳腔连通的第一缺口;制备阴极层,所述阴极层通过所述第一缺口与所述第一导电层的所述第二区域电性连接。
如图1所示,图1示出了本申请实施例的显示面板的制备方法的流程示意图。图2(a)至图7是基于图1所示方法制备显示面板的各步骤的结构示意图。
结合图1至图7所示,该显示面板的制备方法可以包括如下步骤:
步骤S1:提供一衬底基板;
一种具体的实施方式中,本发明实施例所提供的显示面板的制备方法,所述衬底基板具有显示区和在所述显示区的周边设置的非显示区;可选的,所述衬底基板为玻璃基板,起到支撑及衬底的作用。
步骤S2:在所述衬底基板上依次制备薄膜晶体管层、辅助电极层和平坦层,在所述平坦层上形成暴露所述辅助电极层的第一接触孔,所述辅助电极层包括依次层叠的第一导电层和第二导电层;
具体地,如图2(a)所示,可以先在衬底基板100上制作同层设置的遮光金属层101和第一电极板102,于所述遮光金属层101上设置缓冲层103,在所述缓冲层103上同层设置非晶氧化物半导体层104和第二电极板105,依次设置所述非晶氧化物半导体层104上的栅极绝缘层106、第一金属导电层107、覆盖所述非晶氧化物半导体层104、所述第二电极板105、所述栅极绝缘层106、所述第一金属导电层107的绝缘隔绝层108,于所述绝缘隔绝层108上同层设置源极109和漏极110,以及设置所述绝缘隔绝层108、所述源极109和所述漏极110之上的保护层111,其中所述第一电极板102和所述第二电极板105形成电容结构。
进一步地,如图2(b)所示,在所述薄膜晶体管层10的所述保护层111上制备所述辅助电极层200,所述辅助电极层200设置在所述非显示区。具体地,所述辅助电极层200包括依次层叠的第一导电层201和第二导电层202,所述第一导电层201和所述第二导电层202可分别通过两张不同的光罩制备,并且所述第一导电层201在所述衬底基板100上的正投影覆盖所述第二导电层202在所述衬底基板100上的正投影。
进一步地,所述第一导电层与所述第二导电层的材料互不相同,避免在去除所述第二导电层的过程中,对所述第一导电层造成影响;具体地,所述第一导电层201是导电性良好的金属材料,可选的,所述第一导电层201可以是单层的金属层,可以采用低阻率的金属材料,比如Mo,Al,Cu,Ti等;也可以是多层结构,比如Mo/Al/Mo、Al/Mo、Mo/Cu、MoTi/Cu等,但并不限于以上材料。另外,所述第一导电层201的厚度介于500埃至2000埃之间。
进一步地,如图2(c)所示,在所述保护层111上制作所述平坦层210,提供所述平坦层210使得膜层表面平整,利于后续膜层的贴合,防止出现膜层脱离的现象,可选的,所述平坦层210的厚度为1.0-4.0μm。在所述平坦层210上定义出暴露所述辅助电极层200的第一接触孔,及暴露所述源极的第二接触孔,所述第一接触孔203与所述辅助电极层200相对设置,以暴露出所述辅助电极层200,为后续制作的膜层提供连接通道;所述第二接触孔204与所述源极109相对设置,使后续制作的阳极层在所述第二接触孔204内与所述源极109相连接。
一种具体的实施方式中,本发明实施例所提供的显示面板的制备方法,所述第一导电层201和所述第二导电层202可通过同一光罩制成;具体地,如图3所示,通过同一光罩得到的所述第一导电层201与所述第二导电层202在所述衬底基板100上的正投影重合,所述第一导电层201和所述第二导电层202一体成型,可以减少一道光罩和工序,简化了生产工艺。
步骤S3:具体地,如图4所示,在所述平坦层210上制备阳极层211,所述阳极层211通过所述平坦层210上的所述第二接触孔204与所述源极109相连接。
可选的,所述阳极层211可以为单层或者复合层结构,其材料包括但不局限于ITO,IZO,WOx单膜或者ITO/Ag/ITO,IZO/Ag/IZO,ITO/Al/ITO或者IZO/Al/IZO等。
一种具体的实施方式中,本发明实施例所提供的显示面板的制备方法,所述第二导电层202与所述阳极层211的材料相同,即所述第二导电层202的材料包括但不局限于ITO,IZO,WOx单膜或者ITO/Ag/ITO,IZO/Ag/IZO,ITO/Al/ITO或者IZO/Al/IZO等。
一种具体的实施方式中,本发明实施例所提供的显示面板的制备方法,可以利用湿法蚀刻工艺定义出所述阳极层211图案,所述第二导电层202与所述阳极层211的材料相同,所述阳极层211被蚀刻时,将所述第二导电层202同时蚀刻去除,具体地,如图4所示,所述第一导电层201包括暴露于所述第一接触孔203的第一区域205,以及所述平坦层210在所述第一导电层201上的正投影所覆盖的第二区域206;所述第二区域206与所述平坦层210形成一容纳腔207。
通过设置所述第二导电层202与所述阳极层211的材料相同,使所述阳极层211被蚀刻时,所述第二导电层202同时被蚀刻去除。这样,无需增加新的工艺和添加新的材料来形成所述容纳腔207,工艺简单,节省成本。
具体地,如图4所示,由于所述第一导电层201和所述第二导电层202通过同一光罩制成,所述第一导电层201和所述第二导电层202一体成型,因此所述第一导电层201与所述第二导电层202在所述衬底基板100上的正投影重合;并且,所述第一导电层201的所述第二区域206未覆盖有所述平坦层210,即增加了所述容纳腔207所暴露出的所述第一导电层201的面积,从而有利于所述第一导电层201与后续制作的膜层的连接。
步骤S4:制备像素定义层212,所述像素定义层212在对应所述第一接触孔203处形成有与所述第一接触孔203贯通的开口,具体地,如图5所示,在所述辅助电极层200和所述阳极层211上涂敷光阻,并进行曝光和显影等工序,以形成所述像素定义层212的图案。通过所述像素定义层212,定义出所述显示面板的像素发光区域和所述辅助电极层200的区域。并且在所述像素定义层212上形成有裸露所述第一导电层201的第一开口,以及裸露所述阳极层211的第二开口。
步骤S5:制备有机发光层213,所述有机发光层213覆盖所述第一导电层201的所述第一区域205,且所述有机发光层213与所述平坦层210在所述第一接触孔203内形成有与所述容纳腔207连通的第一缺口208;
步骤S6:制备阴极层214,所述阴极层214通过所述第一缺口208与所述第一导电层201的所述第二区域206电性连接。
一种具体的实施方式中,本发明实施例所提供的显示面板的制备方法,所述第二导电层202的厚度大于所述阴极层214和所述有机发光层213的厚度之和。通过控制所述第二导电层202的厚度,使得去除所述第二导电层202后形成的容纳腔207可以同时容纳所述有机发光层213和所述阴极层214,从而确保所述阴极层214可以延伸入所述第一缺口208,从而与未被所述有机发光层213覆盖的所述第一导电层201电连接。
由于所述容纳腔207形成在所述第一导电层201的所述第二区域206与所述平坦层210之间,所述平坦层210的投影覆盖所述容纳腔207,因此,如图6所示,在蒸镀所述有机发光层213时,所述有机发光层213覆盖所述第一导电层201的所述第一区域205,而不会进入所述容纳腔207,即使能够进入,进入的量也是非常少的。因此,有机发光层213在所述容纳腔207处会断开,具体体现为在所述第一接触孔203的边沿处出现断层。
一种具体的实施方式中,本发明实施例所提供的显示面板的制备方法,在所述像素定义层212上以第一设定角度蒸镀所述有机发光层213;在所述有机发光层213上以第二设定角度蒸镀所述阴极层214;所述第一设定角度与所述第二设定角度不同。具体地,在所述有机发光层213的蒸镀过程中,在所述像素定义层212上以第一设定角度蒸镀所述有机发光层213,控制所述有机发光层213的蒸镀角,使得所述有机发光层213不会完全覆盖所述第一导电层201,并且,所述有机发光层213与所述平坦层210在所述第一接触孔203内形成有与所述容纳腔207连通的第一缺口208。
进一步地,在蒸镀完所述有机发光层213后,可以在所述有机发光层213上继续蒸镀所述阴极层214,在所述容纳腔207内,所述阴极层214通过所述第一缺口208与所述第一导电层201的所述第二区域206电性连接。由于所述容纳腔207形成在所述第一导电层201的所述第二区域206与所述平坦层210之间,所述平坦层210的投影覆盖所述容纳腔207,因此,如图7所示,在蒸镀所述阴极层214时,所述阴极层214在所述容纳腔207处会断开,具体体现为在所述第一接触孔203的边沿处出现断层。
具体地,在所述阴极层214的蒸镀过程中,在所述有机发光层213上以第二设定角度蒸镀所述阴极层214,控制所述阴极层214的蒸镀角不同于所述有机发光层213的蒸镀角,使所述阴极层214在所述第一导电层201上的覆盖范围大于所述有机发光层213在所述第一导电层201上的覆盖范围,可以确保所述阴极层214延伸入所述第一缺口208,从而与未被所述有机发光层213覆盖的所述第一导电层201电连接。如图7所示,所述第二区域206与所述平坦层210之间形成所述容纳腔207,在所述容纳腔207内,所述阴极层214通过所述第一缺口208与所述第一导电层201的所述第二区域206电性连接。
一种具体的实施方式中,本发明实施例所提供的显示面板的制备方法,所述阴极层214与所述平坦层210在所述第一接触孔203内形成有与所述容纳腔207连通的第二缺口209。后续通过封装工艺,使封装材料从所述第二缺口209进入所述容纳腔207,对所述容纳腔207进行填充。
上述显示面板的制备方法,无需对所述有机发光层213进行处理,就可以实现所述阴极层214与所述辅助电极之间的连接,从而有效降低所述阴极层214的电阻,并且生产工艺实施方便,无需增加新的工艺设备。
当然,本发明实施例仅是对于所述有机发光层213和所述阴极层214定向沉积的举例说明,本发明的显示面板的制备方法,也可以采用其它方式实现所述有机发光层213和所述阴极层214的定向沉积。
另外,本申请提供一种显示面板,该显示面板包括:
衬底基板,以及依次形成在所述衬底基板上的薄膜晶体管层、第一导电层和平坦层;
第一接触孔,形成在所述平坦层上并暴露所述第一导电层;所述第一导电层包括暴露于所述第一接触孔的第一区域,以及所述平坦层在所述第一导电层上的正投影所覆盖的第二区域;所述第一导电层的第二区域与所述平坦层形成一容纳腔;
像素定义层,位于所述平坦层上方,所述像素定义层在对应所述第一接触孔处形成有与所述第一接触孔贯通的开口;
有机发光层,所述有机发光层形成在所述像素定义层上并覆盖所述第一导电层的所述第一区域,且所述有机发光层与所述平坦层在所述第一接触孔内形成有连通所述容纳腔的第一缺口;
阴极层,所述阴极层通过所述第一缺口与所述第一导电层的所述第二区域电性连接。
一种具体的实施方式中,本发明实施例所提供的显示面板,所述衬底基板具有显示区和在所述显示区的周边设置的非显示区;可选的,所述衬底基板为玻璃基板,起到支撑及衬底的作用。
具体地,如图8所示,所述薄膜晶体管层10包括:在所述衬底基板100上同层设置的遮光金属层101和第一电极板102,于所述遮光金属层101上设置的缓冲层103,在所述缓冲层103上同层设置的非晶氧化物半导体层104和第二电极板105,依次设置于所述非晶氧化物半导体层104上的栅极绝缘层106、第一金属导电层107、覆盖所述非晶氧化物半导体层104、所述第二电极板105、所述栅极绝缘层106、所述第一金属导电层107的绝缘隔绝层108,于所述绝缘隔绝层108上同层设置的源极109和漏极110,以及设置在所述绝缘隔绝层108、所述源极109和所述漏极110之上的保护层111,其中所述第一电极板102和所述第二电极板105形成电容结构。
进一步地,如图8所示,在所述薄膜晶体管层10的所述保护层111上设置有所述第一导电层201,所述第一导电层201设置在所述非显示区。具体地,所述第一导电层201是导电性良好的金属材料,可选的,所述第一导电层201可以是单层的金属层,比如Mo,Al,Cu,Ti等;也可以是多层结构,比如Mo/Al/Mo、Al/Mo、Mo/Cu、MoTi/Cu等;但并不限于以上材料。另外,所述第一导电层201的厚度介于500埃至2000埃之间;
进一步地,如图8所示,所述平坦层210形成在所述薄膜晶体管层10的保护层111上,并且所述平坦层210上定义有暴露所述第一导电层201的第一接触孔,及暴露所述源极的第二接触孔,所述平坦层210的厚度为1.0-4.0μm。具体地,在所述平坦层210上定义出所述第一接触孔和所述第二接触孔,所述第一接触孔与所述第一导电层201相对设置,为后续制作的膜层提供连接通道;所述第二接触孔与所述源极109相对设置,使后续制作的阳极层在所述第二接触孔内与所述源极109相连接。
进一步地,如图8所示,所述第一导电层201包括暴露于所述第一接触孔的第一区域205,以及所述平坦层210在所述第一导电层201上的正投影所覆盖的第二区域206;所述第一导电层201的第二区域206与所述平坦层210形成一容纳腔207。
一种具体的实施方式中,本发明实施例所提供的显示面板,还包括形成在所述平坦层210上的阳极层211,所述阳极层211通过所述平坦层210上的所述第二接触孔与薄膜晶体管层10的源极109相连接。
可选的,所述阳极层211可以为单层或者复合层结构,其材料包括但不局限于ITO,IZO,WOx单膜或者ITO/Ag/ITO,IZO/Ag/IZO,ITO/Al/ITO或者IZO/Al/IZO等。
进一步地,如图8所示,所述像素定义层212位于所述平坦层210上方,所述像素定义层212在对应所述第一接触孔处形成有与所述第一接触孔贯通的开口;并且在所述像素定义层212上形成有裸露所述第一导电层201的第一开口,以及裸露所述阳极层211的第二开口;通过所述像素定义层212,定义出所述显示面板的像素发光区域和所述第一导电层201的区域。
进一步地,如图8所示,所述有机发光层213形成在所述像素定义层212上,并且所述有机发光层213覆盖所述第一导电层201的所述第一区域205,且所述有机发光层213与所述平坦层210在所述第一接触孔内形成有连通所述容纳腔207的第一缺口;具体地,所述有机发光层213在所述容纳腔207处可以断开,所述有机发光层213不会完全覆盖所述第一导电层201,并且,所述有机发光层213与所述平坦层210在所述第一接触孔内形成有与所述容纳腔207连通的第一缺口。
进一步地,如图8所示,所述阴极层214形成在所述有机发光层213上,所述阴极层214通过所述第一缺口与所述第一导电层201的所述第二区域206电性连接。
具体地,所述阴极层214在所述容纳腔207处可以断开,所述阴极层214延伸入所述第一缺口,从而与未被所述有机发光层213覆盖的所述第一导电层201电连接。如图8所示,所述第一导电层201的所述第二区域206与所述平坦层210形成所述容纳腔207,在所述容纳腔207内,所述阴极层214通过所述第一缺口与所述第一导电层201的所述第二区域206电性连接。具体地,所述有机发光层以第一设定角度蒸镀在所述像素定义层上;所述阴极层以第二设定角度蒸镀在所述有机发光层上;所述第一设定角度与所述第二设定角度不同,使得所述阴极层214在所述第一导电层201上的覆盖范围大于所述有机发光层213在所述第一导电层201上的覆盖范围,可以确保所述阴极层214延伸入所述第一缺口,从而与未被所述有机发光层213覆盖的所述第一导电层201电连接。
一种具体的实施方式中,本发明实施例所提供的显示面板,所述阴极层214与所述平坦层210在所述第一接触孔内形成有与所述容纳腔207连通的第二缺口209。后续通过封装工艺,使封装材料从所述第二缺口209进入所述容纳腔207,对所述容纳腔207进行填充。
一种具体的实施方式中,本发明实施例所提供的显示面板,所述容纳腔207的高度大于所述阴极层214和所述有机发光层213的厚度之和。通过控制所述容纳腔207的高度,使得所述第一导电层201的所述第二区域206与所述平坦层210之间形成的所述容纳腔207可以同时容纳所述有机发光层213和所述阴极层214,从而确保所述阴极层214可以延伸入所述第一缺口,与未被所述有机发光层213覆盖的所述第一导电层201电连接。
一种具体的实施方式中,本发明实施例所提供的显示面板,如图9所示,所述第一导电层201上未覆盖有所述平坦层210,可以增加所述第一导电层201的所述第二区域206的面积,即增大容纳腔207所暴露出的所述第一导电层201的面积,从而有利于所述阴极层214与未被所述有机发光层213覆盖的所述第一导电层201电连接。
综上,本申请提供一种显示面板及其制备方法,通过在平坦层下方形成容纳腔,并且有机发光层与平坦层之间形成有连通容纳腔的第一缺口,使得阴极层通过第一缺口与有机发光层未覆盖的辅助电极层连接,实现了阴极层与辅助电极层的有效电连接,从而达到改善显示面板的电流压降的效果,可以提升显示面板的亮度均一性。同时,本申请通过设置第二导电层与阳极层的材料相同,使阳极层被蚀刻时,第二导电层同时被蚀刻去除,从而形成容纳腔,可以简化工艺,节省成本。
综上所述,虽然本发明已以优选实施例揭露如上,但上述优选实施例并非用以限制本发明,本领域的普通技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,均可作各种更动与润饰,因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (9)

1.一种显示面板的制备方法,其特征在于,包括:
提供一衬底基板;
在所述衬底基板上依次制备薄膜晶体管层、辅助电极层和平坦层,在所述平坦层上形成暴露所述辅助电极层的第一接触孔,所述辅助电极层包括依次层叠的第一导电层和第二导电层;
制备阳极层,在蚀刻所述阳极层图案的同时去除所述第二导电层;所述第一导电层包括暴露于所述第一接触孔的第一区域,以及所述平坦层在所述第一导电层上的正投影所覆盖的第二区域;所述第二区域与所述平坦层形成一容纳腔;
制备像素定义层,所述像素定义层在对应所述第一接触孔处形成有与所述第一接触孔贯通的开口;
制备有机发光层,所述有机发光层覆盖所述第一导电层的所述第一区域,且所述有机发光层与所述平坦层在所述第一接触孔内形成有与所述容纳腔连通的第一缺口;
制备阴极层,所述阴极层通过所述第一缺口与所述第一导电层的所述第二区域电性连接;
所述第一导电层和所述第二导电层通过同一光罩制成,所述第一导电层与所述第二导电层在所述衬底基板上的正投影重合。
2.如权利要求1所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述第一导电层与所述第二导电层的材料互不相同。
3.如权利要求2所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述第二导电层与所述阳极层的材料相同。
4.如权利要求3所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述第二导电层的厚度大于所述阴极层和所述有机发光层的厚度之和。
5.如权利要求1至4任一项所述的显示面板的制备方法,其特征在于,在所述像素定义层上以第一设定角度蒸镀所述有机发光层;在所述有机发光层上以第二设定角度蒸镀所述阴极层;所述第一设定角度与所述第二设定角度不同。
6.一种显示面板,其特征在于,采用如权利要求1-5中任一项所述的显示面板的制作方法获得,包括:
衬底基板,以及依次形成在所述衬底基板上的薄膜晶体管层、第一导电层和平坦层;
第一接触孔,形成在所述平坦层上并暴露所述第一导电层;所述第一导电层包括暴露于所述第一接触孔的第一区域,以及所述平坦层在所述第一导电层上的正投影所覆盖的第二区域;所述第一导电层的第二区域与所述平坦层形成一容纳腔;
像素定义层,位于所述平坦层上方,所述像素定义层在对应所述第一接触孔处形成有与所述第一接触孔贯通的开口;
有机发光层,所述有机发光层形成在所述像素定义层上并覆盖所述第一导电层的所述第一区域,且所述有机发光层与所述平坦层在所述第一接触孔内形成有连通所述容纳腔的第一缺口;
阴极层,所述阴极层通过所述第一缺口与所述第一导电层的所述第二区域电性连接。
7.如权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括阳极层,所述平坦层上形成有裸露所述薄膜晶体管层中的源极的第二接触孔,所述阳极层通过所述第二接触孔与所述源极相连。
8.如权利要求7所述的显示面板,其特征在于,所述容纳腔的高度大于所述阴极层和所述有机发光层的厚度之和。
9.如权利要求6至8任一项所述的显示面板,其特征在于,所述有机发光层以第一设定角度蒸镀在所述像素定义层上;所述阴极层以第二设定角度蒸镀在所述有机发光层上;所述第一设定角度与所述第二设定角度不同。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114141827B (zh) * 2021-11-16 2023-11-28 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法
CN114156330A (zh) * 2021-12-02 2022-03-08 惠州华星光电显示有限公司 显示面板的制作方法及显示面板
CN114583081B (zh) * 2022-02-24 2024-06-18 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法
CN114639710A (zh) * 2022-03-18 2022-06-17 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板及其制作方法
CN116782712B (zh) * 2023-08-24 2023-11-28 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108538890A (zh) * 2018-04-20 2018-09-14 深圳市华星光电技术有限公司 一种有机发光显示装置
CN109671739A (zh) * 2017-10-16 2019-04-23 乐金显示有限公司 大面积有机发光二极管显示器
CN110071225A (zh) * 2019-04-08 2019-07-30 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及制作方法
CN110311056A (zh) * 2019-07-26 2019-10-08 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
CN111969034A (zh) * 2020-09-03 2020-11-20 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法
CN112164755A (zh) * 2020-09-16 2021-01-01 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种有机发光二极管显示器的制作方法和显示器

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180066556A (ko) * 2016-12-09 2018-06-19 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US20190165305A1 (en) * 2017-11-28 2019-05-30 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Oled display panel and manufacturing method thereof
CN108962955B (zh) * 2018-07-23 2021-04-30 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled面板及其制作方法
CN110047886B (zh) * 2019-04-11 2021-07-23 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种有机发光二极管显示器及其制作方法
US11094719B2 (en) * 2019-07-23 2021-08-17 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Method of manufacturing display panel, display panel, and display device
CN110911461B (zh) * 2019-11-26 2023-06-06 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板及其制作方法
CN111276527A (zh) * 2020-02-20 2020-06-12 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制作方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109671739A (zh) * 2017-10-16 2019-04-23 乐金显示有限公司 大面积有机发光二极管显示器
CN108538890A (zh) * 2018-04-20 2018-09-14 深圳市华星光电技术有限公司 一种有机发光显示装置
CN110071225A (zh) * 2019-04-08 2019-07-30 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及制作方法
CN110311056A (zh) * 2019-07-26 2019-10-08 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
CN111969034A (zh) * 2020-09-03 2020-11-20 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法
CN112164755A (zh) * 2020-09-16 2021-01-01 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种有机发光二极管显示器的制作方法和显示器

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