CN113066830B - 一种显示面板及其制备方法、显示装置 - Google Patents
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- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims abstract description 254
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 75
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 157
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 27
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 claims description 27
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 24
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 17
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 claims description 11
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 352
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 8
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- -1 acryl Chemical group 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 1
- 229920006380 polyphenylene oxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/813—Anodes characterised by their shape
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/818—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/822—Cathodes characterised by their shape
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/856—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
本申请实施例公开一种显示面板及其制备方法、显示装置,该显示面板的一具体实施方式包括:衬底;形成在衬底上的用于出射红光的第一子像素单元、用于出射绿光的第二子像素单元和用于出射蓝光的第三子像素单元,第一子像素单元、第二子像素单元和第三子像素单元分别包括激发区和设置于激发区侧面的显示区,其中激发区用于出射激发光,激发光被引导进入显示区以使得所述显示区出光。通过将显示区设置在激发区的侧面,可提高显示面板的出光效率、防止出射光之间的光线串扰。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域。更具体地,涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示装置具有轻薄、亮度高、功耗低、响应快、清晰度高、柔性好、发光效率高,能满足消费者对显示技术的新需求等优点,成为未来的发展趋势。
现有的一种OLED显示面板中,采用发光源为量子点发光源,该量子点发光源具有发光光谱窄、色纯度高等显示优点。但是,该显示面板存在光线串扰、激发光利用率低、制备工艺复杂等问题。
发明内容
本申请的目的在于提供一种显示面板及其制备方法、显示装置,以解决现有技术存在的问题中的至少一个。
为达到上述目的,本申请采用下述技术方案:
本申请第一方面提供一种显示面板,该显示面板包括:
衬底;
形成在所述衬底上的用于出射红光的第一子像素单元、用于出射绿光的第二子像素单元和用于出射蓝光的第三子像素单元,
所述第一子像素单元、第二子像素单元和第三子像素单元分别包括激发区和设置于所述激发区侧面的显示区,其中所述激发区用于出射激发光,所述激发光被引导进入所述显示区以使得所述显示区出光。
本申请第一方面提供的显示面板,通过将显示区设置在激发区的侧面,一方面,可实现激发光以波导传输方式进入显示区,以使得激发光的能耗损降低,激发光利用率提高,降低显示装置的功耗;另一方面,由于不同子像素的显示区之间都存在激发区,使得各子像素的显示区之间的间隔较大,可减小出射光相互之间的串扰问题;并且,将激发区与显示区同层设置,可减小显示装置的整体厚度。
在一种可能的实现方式中,所述激发光为蓝光;
所述第一像素单元的显示区包括第一光转换层和位于第一光转换层的远离对应激发区一侧的第一遮光层,其中,所述第一光转换层接收所述激发光从而出射红光,所述第一遮光层用于阻挡所述激发光朝向远离所述对应激发区的方向传播;
所述第二像素单元的显示区包括第二光转换层和位于第二光转换层的远离对应激发区一侧的第二遮光层,其中,所述第二光转换层接收所述激发光从而出射绿光,所述第二遮光层用于阻挡所述激发光朝向远离所述对应激发区的方向传播;
所述第三像素单元的显示区包括透光层和位于所述透光层的远离对应激发区一侧的第三遮光层,其中所述第三遮光层用于阻挡所述激发光朝向远离所述对应激发区的方向传播,所述透光层用于使得所述激发光从显示区出射;
或者
所述激发光的波长小于蓝光;
所述第一像素单元的显示区包括第一光转换层和位于第一光转换层的远离对应激发区一侧的第一遮光层,其中,所述第一光转换层接收所述激发光,从而出射红光,所述第一遮光层用于阻挡所述激发光朝向远离所述对应激发区的方向传播;
所述第二像素单元的显示区包括第二光转换层和位于第二光转换层的远离对应激发区一侧的第二遮光层,其中,所述第二光转换层接收所述激发光,从而出射绿光,所述第二遮光层用于阻挡所述激发光朝向远离所述对应激发区的方向传播;
所述第三像素单元的显示区包括第三光转换层和位于第三光转换层的远离对应激发区一侧的第三遮光层,其中,所述第三光转换层接收所述激发光,从而出射蓝光,所述第三遮光层用于阻挡所述激发光朝向远离所述对应激发区的方向传播。
此实现方式,通过在相应的显示区设置光转换单元或透光层可实现将激发光转换为对应颜色的光出射,遮光层不仅能够避免激发光从显示区的远离激发区一侧出射,也避免经过光转换层后的转换光从显示区的远离激发区的一侧出射,进一步防止光线串扰问题。
在一种可能的实现方式中,所述激发区包括在所述衬底上设置的TFT驱动电路层、与所述TFT驱动电路层中对应TFT电连接的阳极、设置在所述阳极上的发光材料层以及设置在所述发光材料层上的阴极,其中,所述发光材料层生成所述激发光,所述阳极和所述阴极被设置为反射所述激发光从而引导所述激发光进入所述显示区。
此实现方式,通过对激光区的阳极和阴极进行不透光设置,使得激发光在阳极和阴极之间发生反射后进入显示区,可防止激发光从非显示区射出,影响显示效果,同时,可保证激发光全部进入显示区,以实现增加显示装置的出光效率的目的。
在一种可能的实现方式中,所述阳极和阴极的厚度被设置为足够厚以发射所述激发光;
或
所述阳极和阴极采用分布式布拉格反射镜结构以发射所述激发光。
此实现方式,通过对阳极和阴极进行加厚处理或者将阳极和阴极设置为分布式布拉格反射镜结构,均可实现激发光在阳极和阴极之间发生反射后进入显示区,并且通过增加阳极和阴极的厚度,在显示面板的制备工艺上,容易实现,节约制备成本,而阳极和阴极采用分布式布拉格反射镜结构,可降低显示装置的整体厚度。
在一种可能的实现方式中,所述第一光转换层、第二光转换层和所述透明层在朝向所述衬底一侧分别设置有第一光反射层、第二光发射层和第三光反射层,分别用于使得所述红光、绿光和蓝光朝向远离所述衬底方向从对应显示区出射;
或者
所述第一光转换层、第二光转换层和所述第三转换层在朝向所述衬底一侧分别设置有第一光反射层、第二光发射层和第三光反射层,分别用于使得所述红光、绿光和蓝光朝向远离所述衬底方向从对应显示区出射。
此实现方式,通过在各光转换层或透光层的朝向衬底方向分别设置光反射层,可实现显示面板的红光、绿光和蓝光的顶发射。
在一种可能的实现方式中,所述第一光反射层、第二光发射层和第三光发射层分别延伸到所述第一光转换层、第二光转换层和所述透明层的靠近对应遮光层的侧面;
或者
所述第一光反射层、第二光发射层和第三光发射层分别延伸到所述第一光转换层、第二光转换层和所述第三光转换层的靠近对应遮光层的侧面。
此实现方式中,通过将光反射层延伸至遮光层的侧面,可避免出射光从显示区靠近遮光层一侧进入衬底方向,影响显示效果。
在一种可能的实现方式中,所述显示区的远离所述衬底的表面被设置为降低所述红光、绿光和蓝光在对应显示区中全反射的结构。
此实现方式,降低了红光、绿光和蓝光在显示区出光侧的反射,使得光线更易于出射。
在一种可能的实现方式中,所述显示区的远离所述衬底的表面被设置为圆弧状。
此实现方式,圆弧状可视为光取出结构,降低了光在出光侧表面发生全反射,使光更易于出射。
在一种可能的实现方式中,设置在所述显示区的远离所述衬底的表面上的阴极材料层,用于防止所述红光、绿光和蓝光朝着远离所述衬底方向从对应显示去出射。
此实现方式,通过在显示区的远离衬底方向分别设置阴极材料层,可实现显示面板的红光、绿光和蓝光的底发射。
在一种可能的实现方式中,所述第一光转换层、第二光转换层和所述透明层在远离所述衬底一侧分别设置有第一光反射层、第二光发射层和第三光反射层,分别用于使得所述红光、绿光和蓝光朝向所述衬底方向从对应显示区出射;
或者
所述第一光转换层、第二光转换层和所述第三转换层在远离所述衬底一侧分别设置有第一光反射层、第二光发射层和第三光反射层,分别用于使得所述红光、绿光和蓝光朝向所述衬底方向从对应显示区出射。
此实现方式,通过在各转换层的远离衬底方向的表面分别设置光反射层,可避免红光、绿光和蓝光在光转换层与显示区的出光侧之间的空间逸散,增加显示装置的出光效率。
在一种可能的实现方式中,所述光转换层包括量子点粒子或掺杂有散射粒子的量子点粒子。
此实现方式,通过在各光转换层设置量子点粒子,以实现将激发光转换为对应颜色的光出射,通过掺杂散射粒子可以增加各子像素的出光效率。
本申请第一方面提供一种显示面板的制备方法,该制备方法包括:
在衬底上形成用于出射红光的第一子像素单元、用于出射绿光的第二子像素单元和用于出射蓝光的第三子像素单元,
其中,所述第一子像素单元、第二子像素单元和第三子像素单元分别被形成为包括激发区和设置于所述激发区侧面的显示区,其中所述激发区用于出射激发光,所述激发光被引导进入所述显示区以使得所述显示区出光。
本申请第二方面提供的显示面板的制备方法制备的显示面板,通过将显示区设置在激发区的侧面,一方面,可实现激发光以波导传输方式进入显示区,以使得激发光的能耗损降低,激发光利用率提高,降低显示装置的功耗;另一方面,由于不同子像素的显示区之间都存在激发区,使得各子像素的显示区之间的间隔较大,可减小出射光相互之间的串扰问题;并且,将激发区与显示区同层设置,可减小显示装置的整体厚度。
在一种可能的实现方式中,所述第一子像素单元、第二子像素单元和第三子像素单元分别被形成为包括激发区和设置于所述激发区一侧的显示区,包括。
所述激发区被设置为出射蓝光;
所述第一像素单元的显示区被设置为包括第一光转换层和位于第一光转换层的远离对应激发区一侧的第一遮光层,其中,所述第一光转换层接收所述激发光从而出射红光,所述第一遮光层用于阻挡所述激发光朝向远离所述对应激发区的方向传播;
所述第二像素单元的显示区被设置为包括第二光转换层和位于第二光转换层的远离对应激发区一侧的第二遮光层,其中,所述第二光转换层接收所述激发光从而出射绿光,所述第二遮光层用于阻挡所述激发光朝向远离所述对应激发区的方向传播;
所述第三像素单元的显示区被设置为包括透光层和位于所述透光层的远离对应激发区一侧的第三遮光层,其中所述第三遮光层用于阻挡所述激发光朝向远离所述对应激发区的方向传播,所述透光层用于使得所述激发光从显示区出射;
或者
所述激发区被设置为出射波长小于蓝光的光;
所述第一像素单元的显示区被设置为包括第一光转换层和位于第一光转换层的远离对应激发区一侧的第一遮光层,其中,所述第一光转换层接收所述激发光,从而出射红光,所述第一遮光层用于阻挡所述激发光朝向远离所述对应激发区的方向传播;
所述第二像素单元的显示区被设置为包括第二光转换层和位于第二光转换层的远离对应激发区一侧的第二遮光层,其中,所述第二光转换层接收所述激发光,从而出射绿光,所述第二遮光层用于阻挡所述激发光朝向远离所述对应激发区的方向传播;
所述第三像素单元的显示区被设置为包括第三光转换层和位于第三光转换层的远离对应激发区一侧的第三遮光层,其中,所述第三光转换层接收所述激发光,从而出射蓝光,所述第三遮光层用于阻挡所述激发光朝向远离所述对应激发区的方向传播。
此实现方式,通过在相应的显示区设置光转换单元或透光层可实现将激发光转换为对应颜色的光出射,遮光层不仅能够避免激发光从显示区的远离激发区一侧出射,也避免经过光转换层后的转换光从显示区的远离激发区的一侧出射,进一步防止光线串扰问题。
本申请第三方面提供一种显示装置,包括本申请第一方面提供的显示面板。
本发明的有益效果如下:
本申请提供的技术方案,通过将显示区设置在激发区的侧面,一方面,可实现激发光以波导传输方式进入显示区,以使得激发光的能耗损降低,激发光利用率提高,降低显示装置的功耗;另一方面,由于不同子像素的显示区之间都存在激发区,使得各子像素的显示区之间的间隔较大,可减小出射光相互之间的串扰问题;并且,将激发区与显示区同层设置,可减小显示装置的整体厚度。
附图说明
下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步详细的说明。
图1示出现有技术中一种QD-OLED显示面板结构图。
图2示出现有QD-OLED显示面板中发光层发射光的光路图。
图3示出现有QD-OLED显示面板中发光层发射光光路图。
图4示出出射光顶发射模式下,发光层发射光经过波导传输后的发光效率和现有QD-OLED显示面板中发光层发射光的发光效率比对图。
图5示出出射光底发射模式下,发光层发射光经过波导传输后的发光效率和现有QD-OLED显示面板中发光层发射光的发光效率比对图。
图6-图12示出本申请一个实施例提供的显示面板的结构图。
图13示出本申请另一个实施例提供的显示面板的制备流程图。
图14-图19示出本申请提供的显示面板制备工艺图。
具体实施方式
为了更清楚地说明本发明,下面结合优选实施例和附图对本发明做进一步的说明。附图中相似的部件以相同的附图标记进行表示。本领域技术人员应当理解,下面所具体描述的内容是说明性的而非限制性的,不应以此限制本发明的保护范围。
现有技术中,全色OLED发光装置通常有三种不同的制作方式:第一种是通过对像素矩阵上不同的OLED发光器件直接施加电场,从而获得独立的红绿蓝发光的“红绿蓝三原色发光方式”;第二种是利用不同色彩的滤光膜切割背景白色OLED发光器件所产生的OLED发光,从而获得红绿蓝三基色发光的“白光加滤光片方式”;第三种是通过光色转换膜吸收背景紫外、蓝色、浅蓝色或白色OLED发光器件中的有效OLED发光组分,将其中高能量的蓝色发光转化成为低能量的绿光或红光,从而获得红绿蓝三色发光的“光色转化方式”。
对于“光色转化方式”显示装置,通常采用量子点(QD)与有机电致发光显示技术(OLED)相结合得到,简称QD-OLED显示装置,其原理是将 OLED发光材料用作背光,使背光发出的光线经过量子点转化后实现全彩化,具体地,其可以将一种颜色(如蓝色)光源的光激发其他颜色(如红色或绿色)的量子点以实现全彩显示,该QD-OLED显示装置具有发光光谱窄、色纯度高等优点。
示例性的,如图1所示,图1示出一种QD-OLED显示装置结构图,包括:衬底;形成在所述衬底上的用于出射红光的R子像素单元、用于出射绿光的G子像素单元和用于出射蓝光的B子像素单元;
其中,
R子像素单元包括,靠近衬底一侧的发光层和远离衬底一侧的红光转换层;
G子像素单元包括,靠近衬底一侧的发光层和远离衬底一侧的绿光转换层;
B子像素单元包括,靠近衬底一侧的发光层和远离衬底一侧的蓝光转换层。
为了方便理解与叙述,一般称发光层发射的光为激发光,经过光转换层转后的光成为出射光。
需要说明的是,红光转换层中设置有红色量子点,能够将激发光转换为红光出射,以使得R子像素单元显示红色;绿光转换层中设置有绿色量子点,能够将激发光转换为绿光出射,以使得G子像素单元显示绿色;蓝光转换层中设置有蓝色量子点,能够将激发光转换为蓝光出射,以使得B子像素单元显示蓝色。
激发光可以为蓝光、紫光、白光等颜色光,本申请对此不做限定。当激发光为蓝光时,通常用可以使蓝光通过的透光层替换蓝光转换层。
容易理解的是,发光层由以靠近衬底方向到远离衬底方向依次层叠设置的阳极、有机发光材料层及阴极组成,对于顶发射显示装置而言,一般阳极较厚,防止光线从阳极透过,而阴极较薄,以增加阴极金属层的透光率。
如图1所示,由于QD-OLED显示装置各像素单元之间发光区间隔小,无法避免出光侧的光线串扰,并且该QD-OLED显示装置在制备过程中,需要对发光层和光转换层进行二次封装(发光层制备完成后进行第一次封装,光转换层制备完成后进行第二次封装),从而引起制备工艺复杂、制备成本较高等问题。
并且,由于发光层结构的折射率约为1.8,远高于空气折射率,如图2所示,发光层产生的激发光只有很少一部分出射角小于全反射临界角度可以从设定发光面直接射出,大部分激发光在发光层发生全反射,以波导模式在像素界定层(图1中围绕发光层的有机层)中传输。参考图3,图3中黑色箭头为波导光。波导模式传输的光线一方面在传输过程中会发生损耗,另一方面在像素界定层的边缘不受控地耗散,不能形成有效显示辐射,使得光利用率低。
为解决该QD-OLED显示装置存在问题,发明人通过仿真研究发现,如果将发光材料层发射的激光不经过发光层出射到光转换层,而是经过像素界定层以波导传输方式进入光转换层,能大大增加激发光的利用效率,具体地,如图4和图5所示,无论是顶发射还是底发射,波导模式相比于耦合模式(传统模式)出光的量子效率更高。
基于此,本申请的一个实施例提供了显示装置,该显示装置包括显示面板,如图6所示,该显示面板包括:
衬底10;
形成在衬底10上的用于出射红光的R子像素单元20、用于出射绿光的G 子像素单元30和用于出射蓝光的B子像素单元40;
其中,R子像素单元20包括第一激发区201和第一显示区202,第一激发区201用于出射激发光,激发光被引导进入第一显示区202以使得第一显示区202出射红光;
G子像素单元30包括第二激发区301和第二显示区302,第二激发区301 用于出射激发光,激发光被引导进入第二显示区302以使得第二显示区302 出射绿光;
B子像素单元40包括第三激发区401和第三显示区402,第三激发区401 用于出射激发光,激发光被引导进入第三显示区402以使得第三显示区402 出射蓝光。
在一个具体示例中,第一激发区201、第二激发区301和第三激发区401 出射的激发光相同,即第一激发区201、第二激发区301和第三激发区401 的发光材料相同。然而,本领域技术人员能够明了,这三个激发区的出射的激发光可以不同,只要能够激发显示区的光转换材料生产希望颜色的光即可。
需要说明的是,为方便理解和叙述,定义与衬底10平面平行方向为X方向,与衬底10平面垂直的方向为Y方向,以R子像素单元20为例,则第一显示区202设置在第一激发区201的沿X方向的一侧面或第一激发区201的沿-X反向的一侧面。
本实施例通过将各子像素单元的显示区设置在激发区的侧面,一方面,可实现激发光以波导传输方式进入显示区,以使得激发光的能耗损降低,激发光利用率提高,降低显示装置的功耗;另一方面,由于不同子像素的显示区之间都存在激发区,使得各子像素的显示区之间的间隔较大,可减小出射光相互之间的串扰问题;并且,将激发区与显示区同层设置,可减小显示装置的整体厚度。
继续参考图6,以R子像素单元10为例对各子像素的激发区结构进行如下说明。
其中,第一激发区201包括在衬底10上设置的TFT驱动电路层2011、与TFT驱动电路层2011中对应TFT电连接的阳极2012、设置在阳极2012 上的发光材料层2013以及设置在发光材料层2013上的阴极2014,其中,发光材料层2013生成激发光,阳极2012和阴极2014的结构被设置为反射激发光从而引导激发光进入第一显示区202。
在本申请的实施方式中,衬底10可以采用玻璃衬底、塑胶衬底或其他硬质衬底,TFT驱动电路层2011设置在衬底10上,作为驱动背板。
进一步地,第一激发区201还包括空穴传输层、电子传输层、电子注入层、空穴注入层及其他膜层。本申请不对此进行特殊限定。
可以理解的是,第一激发区201的设置与传统OLED面板设置在结构上相似,区别在于,传统的OLED面板的阳极与阴极能够使得激发光透过,而本申请的第一激发区201将阳极2012和阴极2014设置为将发光材料层2013 产生的激发光进行反射(不让激发光透过),从而使得激发光横向进入第一显示区202。
优选地,可以通过增加阳极2012和阴极2014的厚度,以使得激发光在阳极2012和阴极2014之间进行反射而不能透过阳极2012和阴极2014;或,阳极2012和阴极2014采用分布式布拉格反射镜(DBR)结构,该DBR结构具有全反射光性质,与增加阳极2012和阴极2014的厚度相比,采用DBR结构具有降低显示装置整体厚度的优点。
通过对第一激光区201的阳极2012和阴极2014进行不透光设置,防止激发光从非第一显示区202射出,影响显示效果,同时,可保证激发光全部进入第一显示区202,以实现增加显示装置的出光效率的目的。
根据前述记载可知,激发光可以为蓝光,也可以为波长小于蓝光的其他颜色光,例如紫光、白光等,而激发光不同,发光材料2013相应的不同。
具体地,当激发光为蓝光时,结合图6和图7对显示区进行说明。
R子像素单元20的第一显示区202包括第一光转换层2021和位于第一光转换层2021的远离第一激发区201一侧的第一遮光层2022,其中,第一光转换层2021接收激发光从而出射红光,第一遮光层2022用于阻挡激发光朝向远离第一激发区201的方向传播;
G子像素单元30的第二显示区302包括第二光转换层3021和位于第二光转换层3021的远离第二激发区301一侧的第二遮光层3022,其中,第二光转换层3021接收激发光从而出射绿光,第二遮光层3022用于阻挡激发光朝向远离第二激发区301的方向传播;
B子像素单元40的第三显示区402包括透光层4021和位于透光层4021 远离第三激发区401一侧的第三遮光层4022,其中第三遮光层4022用于阻挡激发光朝向远离第三激发区401的方向传播,透光层4021用于使得激发光从第三显示区402出射。
在一个具体示例中,第一光转换层2021中配置有将蓝光转换为红光的红色量子点,使得蓝光经过第一光转换层2021后转换为红光,以使R子像素单元20显示红色;第二光转换层3021中配置有将蓝光转换为绿光的绿色量子点,使得蓝光经过第二光转换层3021后转换为绿光,以使G子像素单元30 显示绿色;透光层4021能够透过蓝光,以使B子像素单元40显示蓝光。由此实现RGB全彩显示。
对于B子像素单元40而言,在激发光为蓝光的情况下,不需要再设置光转换层,而设置透光层4021。透光层4021可以为空气层,也可为透明材料层,例如可以以透明高分子树脂材料,如亚克力等作为透明材料层,为了进一步提高B子像素单元40的出光效率,可以在透明材料层中增加能够向出光面反射蓝光的反射粒子。
各遮光层可以为厚金属层,也可为反射材料、吸光材料等,例如,Ag、黑色矩阵材料等,遮光层不仅能够避免激发光从显示区的远离激发区一侧出射,也避免经过光转换层后的转换光从显示区的远离激发区的一侧出射,进一步防止光线串扰问题。
在一些实施例中,继续参考图7,第一光转换层2021、第二光转换层3021 和透明层4021在朝向衬底10一侧分别设置有第一光反射层2023、第二光发射层3023和第三光反射层4023,分别用于使得红光、绿光和蓝光朝向远离衬底10方向从对应显示区出射。
需要说明的是,第一光反射层2023、第二光反射层3023和第三光反射层 4023可以与前述的阳极同时形成,简化制备流程。
通过在第一光转换层2021、第二光转换层3021和透明层4021在朝向衬底一侧分别设置反射层,可实现红光、绿光和蓝光从远离衬底10方向出射,即实现出射光的顶发射。
优选地,如图8所示,第一光反射层2023、第二光发射层3023和第三光发射层4023分别延伸到第一光转换层2021、第二光转换层3021和透明层4021 的靠近对应遮光层的侧面,避免出射光从显示区靠近遮光层一侧进入衬底10 方向,影响显示效果。
在一些实施例中,将显示区的远离衬底的表面设置为降低红光、绿光和蓝光在对应显示区中全反射的结构,降低了红光、绿光和蓝光在显示区出光侧的反射,使得光线更易于出射。
具体地,可以将显示区的远离衬底的表面设置为圆弧状,圆弧状可视为光取出结构,降低了光在出光侧表面发生全反射,使光更易于出射。
另一方面,在实现底发射的结构中,如图9所示,也可通过在第一显示区202、第二显示区302和第三显示区402远离衬底的表面上分别设置第四光反射层2024、第五光反射层3024、第六光反射层4024,防止红光、绿光和蓝光朝着远离衬底10方向(即图中y轴正方向)从对应显示区出射,以实现红光、绿光和蓝光向着衬底方向出射,即实现出射光的底发射。
其中,第四光反射层2024、第五光反射层3024、第六光反射层4024为厚阴极材料层或DBR结构层。
需要说明的是,在实现出射光的底发射时,不需要在第一光转换层2021、第二光转换层3021和透明层4021朝向衬底一侧再设置反射层。
在一些实施例中,如图10所示,可以在第一光转换层202、第二光转换层302和透明层402远离衬底10一侧分别设置第七光反射层2025、第八光反射层3025和第九光反射层4025,避免红光、绿光和蓝光在光转换层与显示区的出光侧之间的空间逸散,增加显示装置的出光效率。
以上以蓝光作为激发光介绍了根据本发明实施例的顶发射和底发射结构的具体示例。在另一个实施例中,当激发光为波长小于蓝光的其他颜色光时,则需要将该显示面板中的透光层4021置换为第三转换层,激发光为非蓝光时,例如,紫光、白光。以紫光为例,则第一光转换层2021中配置有将紫光转换为红光的红色量子点,使得紫光经过第一光转换层2012后转换为红光,以使 R子像素单元20显示红色;第二光转换层3021中配置有将紫光转换为绿光的绿色量子点,使得紫光经过第二光转换层3021后转换为绿光,以使G子像素单元30显示绿色;第三光转换层中配置有将紫光转换为蓝光的蓝色量子点,使得紫光经过第三转换层后转换为蓝光,以使B子像素单元40显示蓝光。由此实现RGB全彩显示。
需要说明的是,对于激发光为非蓝光的显示装置而言,其在实现出射光的顶发射和出射光的底发射时,各反射层的设置与上述激发光为蓝光的显示装置相似,区别仅在于,激发光为蓝光的显示装置中采用透光层4021直接将蓝光出射;而激发光为非蓝光的显示装置中采用将非蓝激发光转换为蓝光的第三转换层。因此上述激发光为蓝光的实施例的各种示例性结构也同样适用于本实施例中。
优选地,可以在各光转换层中的量子点粒子中掺杂散射粒子,以增加各子像素的出光效率。
容易理解的是,在本实施提供的显示面板,如图11所示,以R子像素单元20为例,第一显示区202中覆盖第一光转换层2021的结构为第一像素界定层2026,激发光从第一像素界定层2026以波导传输的方式进入第一光转换层2021。
需要说明的是,各显示区也可不设置像素界定层,如图12所示,可以将各显示区中均为光转换层,此时,激发光在光转换层以波导方式传输。
本申请的另一个实施例提供了前述实施例中显示装置的制备方法,需要说明的是,本申请提供的显示装置由于可选择不同颜色的激发光,以及不同形式的出射方式(出射光顶发射和出射光底发射)等多种条件的影响,因此在制备不同需求的显示装置时,其制备方法也有所差异,本实施例以制备激发光为蓝光且出射光顶发射的显示基板为例,如图13所示,对该显示装置的制备过程进行如下详细说明:
S10、提供衬底10;
S20、在衬底10上形成对应各子像素单元的TFT驱动电路层,形成如图 14所示的结构;
S30、在对应各子像素单元的TFT驱动电路层上形成平坦化层50,形成如图15所示的结构;
平坦化层50用于平坦化各TFT驱动电路层,通常采用采用黑色材料制成,例如遮光性的氧化硅、氮化硅或有机树脂等黑色材料。
S40、在对应第一激发区201、第二激发区301和第三激发区401的平坦化层50上分别形成与TFT驱动电路层电连接的阳极金属层,如图16所示。
在一个具体示例中,同时,在对应第一显示区202、第二显示区302和第三显示区402的平坦化层50上分别形成第一光反射层2023、第二光反射层 3023和第三光反射层4023。
之后,在第一光反射层2023、第二光反射层3023和第三光反射层4023 上分别形成第一光转换层2021、第二光转换层3021和透光层4021,形成如图16所示的结构;
在一些实施例中,步骤S40包括以下子步骤:
S401、分别在第一光转换层2021、第二光转换层3021和透光层4021远离对应其激发区的一侧分别形成遮光层,形成如图所示17结构;
S50、覆盖像素界定层,形成如图18所示的结构;
像素界定层用于界定相邻的子像素单元,以使得各个子像素单元对应分割为一个个相对独立的结构。在一个具体示例中,像素界定层的材料可为有机硅、氮化硅、硫酸钡、三氧化二铝、氧化镁、聚酰亚胺、环氧树脂、聚苯醚等材质,但本申请的示例性实施例并不限于此。
S60、在对应激发区处的像素界定层进行开口分别露出阳极2012,在阳极上形成发光材料层2013后,沉积阴极材料,形成阴极2014,形成显示面板。
优选地,在各子像素的对应显示区利用刻蚀工艺形成如图19所示的圆弧形顶部,形成如图19所示的最终显示装置,圆弧形顶部可降低出射光在显示区出光侧边缘发生全反射,使出射光更容易出射。
采用本实施例提供的显示面板的制备方法,阳极与光转换层同层设置,也就是阳极与光转换层可通过同一工艺同时形成,简化了显示面板的制备工艺,采用该制备方法制备得到的显示面板后,只需进行一次封装即可并且,与非QD-OLED显示装置在制备时相比,不需要进行掩模蒸镀的操作,制备工艺简单,制备成本低。
需要说明的是,对于激发光为非蓝光且出射光顶发射的显示面板,在制备时,对上述步骤S40进行稍微改动即可,具体地,在制备激发光为非蓝光且出射光顶发射的显示面板时,相应的将上述步骤S40修改为:在对应第一激发区201、第二激发区301和第三激发区401的平坦化层上分别形成与TFT 驱动电路层电连接的阳极金属层;
同时,
在对应R子像素单元显示区、G子像素单元显示区和B子像素单元显示区的平坦化层上分别形成第一光反射层、第二光反射层和第三光反射层后,
同时,在对应第一显示区202、第二显示区302和第三显示区402的平坦化层50上分别形成第一光反射层2023、第二光反射层3023和第三光反射层。
同理,对于显示面板是激发光为蓝光且出射光底发射和显示面板是激发光为非蓝光且出射光底发射而言,具体制备方法也可参考上述制备显示面板是激发光是蓝光且出射光为顶发射的制备方法。
在一个具体示例中,在制备激发光为蓝光且出射光底发射显示面板时,在其他步骤不变的情况下,对步骤S40及步骤70进行相应修改;
具体地,将步骤S40修改为:
在对应第一激发区201、第二激发区301和第三激发区401的平坦化层上分别形成与TFT驱动电路层电连接的阳极金属层;
同时,
,在对应第一显示区202、第二显示区302和第三显示区402的平坦化层 50上分别形成第一光转换层、第二光转换层和透光层,形成如图所示的结构;
优选地,分别在第一光转换层2023、第二光转换层3023和透光层4023 远离对应其激发区的一侧分别形成遮光层;
为使出射光更好的进行底发射,在对应第一显示区202、第二显示区302 和第三显示区402的平坦化层50上分别形成第一光转换层2023、第二光转换层3023和透光层4023后,还可以在第一光转换层2023、第二光转换层3023 和透光层4023远离衬底10一侧的表面形成第五反射层、第六反射层和第七反射层。
将步骤S70修改为:在阳极上形成发光材料层后,沉积阴极材料,形成阴极,其中,阴极材料覆盖激发区的表面和显示区的表面;即,利用阴极材料作为第四反射层,由于阴极材料整面覆盖形成,可简化显示面板的制备流程。
需要说明的是,在制备出射光为底发射的显示面板时,应当选用可透光材料的平坦化层、TFT驱动电路层和衬底,以使得出射光能够从朝着衬底方向出射。
在一个具体示例中,在制备激发光为非蓝光且出射光底发射显示面板时,在其他步骤不变的情况下,对步骤S40及步骤70进行相应修改;
具体地,将步骤S40修改为:
在对应R子像素单元激发区、G子像素单元激发区和B子像素单元激发区的平坦化层上分别形成与TFT驱动电路层电连接的阳极金属层;
同时,
在对应R子像素单元显示区、G子像素单元显示区和B子像素单元显示区的平坦化层上分别形成第一光转换层、第二光转换层和第三光转换层。
将步骤S70修改为:在阳极上形成发光层后,沉积阴极材料,形成阴极,其中,阴极材料覆盖激发区的表面和显示区的表面。
显然,本发明的上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例,而并非是对本发明的实施方式的限定,对于所属领域的普通技术人员来说,在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动,这里无法对所有的实施方式予以穷举,凡是属于本发明的技术方案所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之列。
Claims (13)
1.一种显示面板,包括:
衬底;
形成在所述衬底上的用于出射红光的第一子像素单元、用于出射绿光的第二子像素单元和用于出射蓝光的第三子像素单元,
其特征在于,
所述第一子像素单元、第二子像素单元和第三子像素单元分别包括激发区和设置于所述激发区侧面的显示区,其中所述激发区用于出射激发光,所述激发光被引导进入所述显示区以使得所述显示区出光;
其中,
所述激发光为蓝光;
所述第一子像素单元的显示区包括第一光转换层和位于第一光转换层的远离对应激发区一侧的第一遮光层,其中,所述第一光转换层接收所述激发光从而出射红光,所述第一遮光层用于阻挡所述激发光朝向远离所述对应激发区的方向传播;
所述第二子像素单元的显示区包括第二光转换层和位于第二光转换层的远离对应激发区一侧的第二遮光层,其中,所述第二光转换层接收所述激发光从而出射绿光,所述第二遮光层用于阻挡所述激发光朝向远离所述对应激发区的方向传播;
所述第三子像素单元的显示区包括透光层和位于所述透光层的远离对应激发区一侧的第三遮光层,其中所述第三遮光层用于阻挡所述激发光朝向远离所述对应激发区的方向传播,所述透光层用于使得所述激发光从显示区出射;
或者
所述激发光的波长小于蓝光;
所述第一子像素单元的显示区包括第一光转换层和位于第一光转换层的远离对应激发区一侧的第一遮光层,其中,所述第一光转换层接收所述激发光,从而出射红光,所述第一遮光层用于阻挡所述激发光朝向远离所述对应激发区的方向传播;
所述第二子像素单元的显示区包括第二光转换层和位于第二光转换层的远离对应激发区一侧的第二遮光层,其中,所述第二光转换层接收所述激发光,从而出射绿光,所述第二遮光层用于阻挡所述激发光朝向远离所述对应激发区的方向传播;
所述第三子像素单元的显示区包括第三光转换层和位于第三光转换层的远离对应激发区一侧的第三遮光层,其中,所述第三光转换层接收所述激发光,从而出射蓝光,所述第三遮光层用于阻挡所述激发光朝向远离所述对应激发区的方向传播。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述激发区包括在所述衬底上设置的TFT驱动电路层、与所述TFT驱动电路层中对应TFT电连接的阳极、设置在所述阳极上的发光材料层以及设置在所述发光材料层上的阴极,其中,所述发光材料层生成所述激发光,所述阳极和所述阴极被设置为反射所述激发光从而引导所述激发光进入所述显示区。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,
所述阳极和阴极的厚度被设置为足够厚以反射所述激发光;
或
所述阳极和阴极采用分布式布拉格反射镜结构以反射所述激发光。
4.根据权利要求 1所述的显示面板,其特征在于,
所述第一光转换层、第二光转换层和所述透光层在朝向所述衬底一侧分别设置有第一光反射层、第二光反射层和第三光反射层,分别用于使得所述红光、绿光和蓝光朝向远离所述衬底方向从对应显示区出射;
或者
所述第一光转换层、第二光转换层和所述第三光转换层在朝向所述衬底一侧分别设置有第一光反射层、第二光反射层和第三光反射层,分别用于使得所述红光、绿光和蓝光朝向远离所述衬底方向从对应显示区出射。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,
所述第一光反射层、第二光反射层和第三光反射层分别延伸到所述第一光转换层、第二光转换层和所述透光层的靠近对应遮光层的侧面;
或者
所述第一光反射层、第二光反射层和第三光反射层分别延伸到所述第一光转换层、第二光转换层和所述第三光转换层的靠近对应遮光层的侧面。
6.根据权利要求4或5所述的显示面板,其特征在于,
所述显示区的远离所述衬底的表面被设置为降低所述红光、绿光和蓝光在对应显示区中全反射的结构。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,
所述显示区的远离所述衬底的表面被设置为圆弧状。
8.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括:
设置在所述显示区的远离所述衬底的表面上的阴极材料层,用于防止所述红光、绿光和蓝光朝着远离所述衬底方向从对应显示区出射。
9.根据权利要求 8所述的显示面板,其特征在于,
所述第一光转换层、第二光转换层和所述透光层在远离所述衬底一侧分别设置有第一光反射层、第二光反射层和第三光反射层,分别用于使得所述红光、绿光和蓝光朝向所述衬底方向从对应显示区出射;
或者
所述第一光转换层、第二光转换层和所述第三光转换层在远离所述衬底一侧分别设置有第一光反射层、第二光反射层和第三光反射层,分别用于使得所述红光、绿光和蓝光朝向所述衬底方向从对应显示区出射。
10.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述光转换层包括量子点粒子。
11.根据权利要求1所述的显示面板,所述光转换层包括掺杂有散射粒子的量子点粒子。
12.一种显示面板的制备方法,其特征在于,包括:
在衬底上形成用于出射红光的第一子像素单元、用于出射绿光的第二子像素单元和用于出射蓝光的第三子像素单元,
其中,所述第一子像素单元、第二子像素单元和第三子像素单元分别被形成为包括激发区和设置于所述激发区侧面的显示区,其中所述激发区用于出射激发光,所述激发光被引导进入所述显示区以使得所述显示区出光;其中,所述第一子像素单元、第二子像素单元和第三子像素单元分别被形成为包括激发区和设置于所述激发区侧面的显示区,包括,
所述激发区被设置为出射蓝光;
所述第一子像素单元的显示区被设置为包括第一光转换层和位于第一光转换层的远离对应激发区一侧的第一遮光层,其中,所述第一光转换层接收所述激发光从而出射红光,所述第一遮光层用于阻挡所述激发光朝向远离所述对应激发区的方向传播;
所述第二子像素单元的显示区被设置为包括第二光转换层和位于第二光转换层的远离对应激发区一侧的第二遮光层,其中,所述第二光转换层接收所述激发光从而出射绿光,所述第二遮光层用于阻挡所述激发光朝向远离所述对应激发区的方向传播;
所述第三子像素单元的显示区被设置为包括透光层和位于所述透光层的远离对应激发区一侧的第三遮光层,其中所述第三遮光层用于阻挡所述激发光朝向远离所述对应激发区的方向传播,所述透光层用于使得所述激发光从显示区出射;
或者
所述激发区被设置为出射波长小于蓝光的光;
所述第一子像素单元的显示区被设置为包括第一光转换层和位于第一光转换层的远离对应激发区一侧的第一遮光层,其中,所述第一光转换层接收所述激发光,从而出射红光,所述第一遮光层用于阻挡所述激发光朝向远离所述对应激发区的方向传播;
所述第二子像素单元的显示区被设置为包括第二光转换层和位于第二光转换层的远离对应激发区一侧的第二遮光层,其中,所述第二光转换层接收所述激发光,从而出射绿光,所述第二遮光层用于阻挡所述激发光朝向远离所述对应激发区的方向传播;
所述第三子像素单元的显示区被设置为包括第三光转换层和位于第三光转换层的远离对应激发区一侧的第三遮光层,其中,所述第三光转换层接收所述激发光,从而出射蓝光,所述第三遮光层用于阻挡所述激发光朝向远离所述对应激发区的方向传播。
13.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-11中任一项所述的显示面板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110278897.4A CN113066830B (zh) | 2021-03-16 | 2021-03-16 | 一种显示面板及其制备方法、显示装置 |
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---|---|---|---|
CN202110278897.4A CN113066830B (zh) | 2021-03-16 | 2021-03-16 | 一种显示面板及其制备方法、显示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN113066830A CN113066830A (zh) | 2021-07-02 |
CN113066830B true CN113066830B (zh) | 2022-07-01 |
Family
ID=76561120
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202110278897.4A Active CN113066830B (zh) | 2021-03-16 | 2021-03-16 | 一种显示面板及其制备方法、显示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN113066830B (zh) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113985512B (zh) * | 2021-11-25 | 2024-10-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 滤光片界定层的制备方法、滤光片界定层、滤光片及显示装置 |
US20240355969A1 (en) * | 2021-12-30 | 2024-10-24 | Xiamen Extremely PQ Display Technology Co., Ltd. | Display panel and manufacturing method thereof |
CN115312579B (zh) * | 2022-09-19 | 2024-11-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板、显示装置及显示面板的制作方法 |
CN116261353B (zh) * | 2022-12-27 | 2024-04-12 | 惠科股份有限公司 | 显示面板及显示装置 |
CN116018004A (zh) * | 2022-12-27 | 2023-04-25 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 盖板及盖板的制备方法、显示面板 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104979375A (zh) * | 2015-05-28 | 2015-10-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其制作方法、显示装置 |
CN109599037A (zh) * | 2018-12-29 | 2019-04-09 | 武汉华星光电技术有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
CN111341939A (zh) * | 2020-03-16 | 2020-06-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板、其制作方法、显示面板及显示装置 |
CN111509025A (zh) * | 2020-05-26 | 2020-08-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 基于量子点的显示面板及其制备方法、显示装置 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011145247A1 (ja) * | 2010-05-18 | 2011-11-24 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
-
2021
- 2021-03-16 CN CN202110278897.4A patent/CN113066830B/zh active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104979375A (zh) * | 2015-05-28 | 2015-10-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其制作方法、显示装置 |
CN109599037A (zh) * | 2018-12-29 | 2019-04-09 | 武汉华星光电技术有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
CN111341939A (zh) * | 2020-03-16 | 2020-06-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板、其制作方法、显示面板及显示装置 |
CN111509025A (zh) * | 2020-05-26 | 2020-08-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 基于量子点的显示面板及其制备方法、显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN113066830A (zh) | 2021-07-02 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |