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CN112885739A - 基片处理装置和基片处理方法 - Google Patents

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CN112885739A CN202011299955.3A CN202011299955A CN112885739A CN 112885739 A CN112885739 A CN 112885739A CN 202011299955 A CN202011299955 A CN 202011299955A CN 112885739 A CN112885739 A CN 112885739A
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Abstract

本发明提供能够抑制颗粒对晶片的附着的基片处理装置和基片处理方法。基片处理装置包括：将基片保持为水平的保持部；使上述基片与上述保持部一起绕铅垂轴旋转的基片旋转部；对由上述保持部保持的上述基片的上表面供给流体的喷嘴；对上述喷嘴供给上述流体的供给部；和使上述喷嘴在上述基片的径向上移动的移动部。上述喷嘴包括：释放上述流体的第一喷嘴部；和在与上述第一喷嘴部不同的方向释放上述流体的第二喷嘴部。上述第一喷嘴部的出射线和上述第二喷嘴部的出射线在交叉点交叉。上述供给部包括：调节述第一喷嘴部的释放量的第一流量控制器；和以独立于上述第一喷嘴部的释放量的方式调节上述第二喷嘴部的释放量的第二流量控制器。

Description

基片处理装置和基片处理方法
技术领域
本发明涉及基片处理装置和基片处理方法。
背景技术
专利文献1记载的基片处理装置，在旋转的基片的上表面形成IPA(异丙醇)的液膜，接着使IPA的供给位置从基片的中心向周缘移动。其结果是，在液膜的中心形成开口，接着，其开口边缘从基片W的中心向周缘扩展，基片W被干燥。另外，基片处理装置对IPA的液膜的开口吹去N2气体，用N2气体推压开口边缘。随着开口边缘从基片的中心向周缘扩展，使N2气体的供给位置从基片的中心向周缘移动。
专利文献2记载的基片处理装置包括：向基片的上表面释放处理液的喷嘴；使喷嘴沿基片的上表面扫描的喷嘴扫描机构；和改变喷嘴的释放角度的释放角度改变机构。释放角度改变机构改变支承喷嘴的多关节臂的关节角度，来改变喷嘴的释放角度。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2019-16654号公报
专利文献2：日本特开2012-204720号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明的一方式提供能够抑制颗粒对晶片的附着的技术。
用于解决技术问题的技术方案
本发明的一个实施方式的基片处理装置包括：将基片保持为水平的保持部；使上述基片与上述保持部一起绕铅垂轴旋转的基片旋转部；对由上述保持部保持的上述基片的上表面供给流体的喷嘴；对上述喷嘴供给上述流体的供给部；和使上述喷嘴在上述基片的径向上移动的移动部。上述喷嘴包括：释放上述流体的第一喷嘴部；和在与上述第一喷嘴部不同的方向释放上述流体的第二喷嘴部。上述第一喷嘴部的出射线和上述第二喷嘴部的出射线在交叉点交叉。上述供给部包括：调节述第一喷嘴部的释放量的第一流量控制器；和以独立于上述第一喷嘴部的释放量的方式调节上述第二喷嘴部的释放量的第二流量控制器。
发明效果
依照本发明的一个实施方式，能够抑制颗粒对基片的附着。
附图说明
图1是表示一实施方式的基片处理装置的截面图，是表示图4的S4的状态的截面图。
图2是表示一实施方式的基片处理装置的截面图，是表示图4的S5的状态的截面图。
图3是表示使喷嘴移动的移动部的一个例子的俯视图。
图4是表示一实施方式的基片处理方法的流程图。
图5是表示图1的干燥液喷嘴的一个例子的水平截面图。
图6是沿图5的VI-VI线的干燥液喷嘴的铅垂截面图。
图7是表示交叉点、正下点、碰撞点和中心点的位置关系的一个例子的立体图。
图8是表示交叉点、正下点、碰撞点和中心点的位置关系的一个例子的俯视图。
图9是表示从图8的箭头IX方向观察到的液膜的一个例子的图。
图10是表示图9所示的第一碰撞角θ1为90°时的液膜的一个例子的图。
图11是表示从图8的箭头XI方向观察到的液膜的一个例子的图。
图12是表示图11所示的第三碰撞角θ3为90°时的液膜的一个例子的图。
附图标记说明
1 基片处理装置
2 保持部
3 基片旋转部
5 喷嘴
51 第一喷嘴部
52 第二喷嘴部
6 供给部
62 第一流量控制器
64 第二流量控制器。
具体实施方式
下面，参照附图，对本发明的实施方式进行说明。此外，在各附图中对相同或者相应的结构标注相同的附图标记，有时省略说明。在本说明书中，X轴方向、Y轴方向、Z轴方向为彼此垂直的方向。X轴方向和Y轴方向为水平方向，Z轴方向为铅垂方向。
如图1和图2所示，基片处理装置1包括保持部2、基片旋转部3、喷嘴5、供给部6(参照图5)、移动部7、杯状体8和控制部9。保持部2将基片W保持为水平。保持部2是机械卡盘、真空吸附卡盘、或静电吸盘等。基片旋转部3使基片W与保持部2一起绕铅垂的旋转轴旋转。喷嘴5对由保持部2保持的基片W的上表面供给流体。流体可以为液体和气体的任一者，也可以为两者的混合流体。供给部6对喷嘴5供给流体。移动部7在由保持部2保持的基片W的上方，使喷嘴5在基片W的径向上移动。杯状体8在内部收纳保持部2，回收被供给到基片W的流体。
喷嘴5对由保持部2保持的基片W的上表面供给流体。喷嘴5的数量可以为一个以上。作为喷嘴5，例如能够使用药液喷嘴5A、冲洗液喷嘴5B、干燥液喷嘴5C和干燥气体喷嘴5D。
药液喷嘴5A对基片W的上表面供给药液。药液例如被供给到旋转的基片W的中心，因离心力而从基片W的中心向基片W的周缘润湿地延展，形成液膜。作为药液，没有特别限定，例如能够使用DHF(稀氢氟酸)。
此外，药液只要为用于半导体基片的清洗的常用药液即可，并不限定于DHF。例如，药液可以为SC-1(含有氢氧化铵和过氧化氢的水溶液)或SC-2(含有氯化氢和过氧化氢的水溶液)。也可以使用多种药液。
冲洗液喷嘴5B对基片W的上表面供给冲洗液。冲洗液例如被供给到旋转的基片W的中心，因离心力而从基片W的中心向基片W的周缘润湿地延展，将液膜所含的药液置换为冲洗液。其结果是，形成冲洗液的液膜。作为药液，没有特别限定，例如能够使用DIW(去离子水)等的纯水。
干燥液喷嘴5C对基片W的上表面供给干燥液L。干燥液L例如被供给到旋转的基片W的中心，因离心力而从基片W的中心向基片W的周缘润湿地延展，将液膜所含的冲洗液置换为干燥液。其结果是，形成干燥液L的液膜F。作为干燥液L，没有特别限定，例如能够使用IPA(异丙醇)等的有机溶剂。
干燥液L在覆盖了基片W的整个上表面后，从基片W的中心向周缘使基片W逐渐露出。具体而言，在干燥液L的液膜F形成后，使干燥液L的碰撞点从基片W的中心向周缘移动。其结果是，在液膜F的中心形成开口O，接着，其开口边缘从基片W的中心向周缘扩展，基片W被干燥。
此外，干燥液L并不限定于IPA。干燥液L只要是能够抑制形成于基片W的上表面的未图示的凹凸图案的崩坏，且具有比冲洗液低的表面张力的液体即可。干燥液L例如可以为HFE(氢氟醚)、甲醇、乙醇、丙酮或反式-1,2-二氯乙烯等。但是，在不需要从冲洗液至干燥液的置换的情况下，冲洗液被用作干燥液。
干燥气体喷嘴5D对基片W的上表面供给干燥气体G。干燥气体G例如被供给到液膜F的开口O，从内侧推压其开口边缘。干燥气体G的碰撞点随着开口边缘的扩大，从基片W的中心向周缘移动。作为干燥气体G，能够使用N2气体等的非活性气体。
移动部7在由保持部2保持的基片W的上方使喷嘴5在基片W的径向上移动。能够使基片W的上表面的流体的碰撞点在基片W的径向上移动。移动部7还可以使喷嘴5在铅垂方向上移动。能够调节喷嘴5的从基片W起的高度。移动部7可以使多个喷嘴5一起移动，也可以使多个喷嘴5独立地移动。
如图3所示，移动部7例如具有保持喷嘴5的旋转臂71和使旋转臂71旋转的旋转机构72。旋转机构72也可以兼作使旋转臂71升降的机构。旋转臂71水平地配置，在其前端部保持喷嘴5。旋转机构72以从旋转臂71的根端部向下方延伸的旋转轴为中心使旋转臂71旋转。旋转臂71在图3中由实线表示的位置与图3中由双点划线表示的位置之间旋转。
此外，关于移动部7，也可以代替旋转臂71和旋转机构72而具有导轨和直线移动机构。导轨水平地配置，直线移动机构沿导轨使喷嘴5移动。
控制部9例如是计算机，如图1所示，包括CPU(Central Processing Unit：中央处理器)91和存储器等的存储介质92。在存储介质92保存控制在基片处理装置1中执行的各种处理的程序。控制部9使CPU91执行存储于存储介质92的程序，由此控制基片处理装置1的工作。
下面，参照图4，对基片处理方法进行说明。基片处理方法具有图4的S1～S6。图4的S1～S6在控制部9的控制下实施。
首先，在图4的S1中，未图示的输送装置将基片W送入基片处理装置1。输送装置在将基片W交接到保持部2后，从基片处理装置1退出。保持部2将基片W保持为水平。基片W包括硅晶片等的半导体基片和形成于半导体基片的膜。膜可以具有凹凸图案。保持部2以使凹凸图案朝上的方式将基片W保持为水平。此外，也可以代替半导体基片，而使用玻璃基片。
接着，在图4的S2中，药液喷嘴5A对基片W的上表面供给药液，形成药液的液膜。药液例如被供给到旋转的基片W的中心，因离心力而从基片W的中心向基片W的周缘润湿地延展。设定基片W的转速和药液的供给流量，使得基片W的凹凸图案全部被液膜覆盖。
接着，在图4的S3中，冲洗液喷嘴5B对基片W的上表面供给冲洗液，形成冲洗液的液膜。冲洗液例如被供给到旋转的基片W的中心，因离心力而从基片W的中心向基片W的周缘润湿地延展，将液膜所含的药液置换为冲洗液。设定基片W的转速和冲洗液的供给流量，使得基片W的凹凸图案全部被液膜覆盖。
接着，在图4的S4中，如图1所示，干燥液喷嘴5C对基片W的上表面供给干燥液L，形成干燥液L的液膜F。干燥液L例如被供给到旋转的基片W的中心，因离心力而从基片W的中心向基片W的周缘润湿地延展，将液膜F所含的冲洗液置换为干燥液。设定基片W的转速和干燥液L的供给流量，使得基片W的凹凸图案全部被液膜覆盖。
接着，在图4的S5中，如图2所示，移动部7使干燥液喷嘴5C从基片W的径向内侧向径向外侧移动，在液膜F的中心形成开口O，接着，使其开口边缘从基片W的中心向周缘扩展，使基片W干燥。此外，移动部7伴随液膜F的开口边缘的扩大而使干燥气体G的碰撞点从基片W的中心向周缘移动。干燥气体G的碰撞点被设定在液膜F的开口O，跟随其开口边缘以从内侧推压开口边缘。
最后，在图4的S6中，在保持部2解除了基片W的保持后，未图示的输送装置从保持部2接收基片W，将接收到的基片W从基片处理装置1送出。
接着，参照图5和图6，对干燥液喷嘴5C进行说明。此外，干燥气体喷嘴5D也与干燥液喷嘴5C同样地构成。而且，药液喷嘴5A和冲洗液喷嘴5B也与干燥液喷嘴5C同样地构成。下面，代表性地说明干燥液喷嘴5C的结构。
如图6所示，干燥液喷嘴5C包括：释放干燥液L的第一喷嘴部51；和在与第一喷嘴部51不同的方向上释放干燥液L的第二喷嘴部52。第一喷嘴部51的出射线A1和第二喷嘴部52的出射线A2在交叉点B交叉。出射线A1、A2是干燥液L的流路的延长线。从第一喷嘴部51释放的干燥液L的液流和从第二喷嘴部52释放的干燥液L的液流在交叉点B合流，生成新的一个液流。
如图5所示，供给部6在对第一喷嘴部51供给干燥液L的第一管线的中途具有第一开闭阀61和第一流量控制器62。当第一开闭阀61开放干燥液L的流路时，第一喷嘴部51释放干燥液L。其释放量由第一流量控制器62控制。另一方面，当第一开闭阀61关闭干燥液L的流路时，第一喷嘴部51停止释放干燥液L。此外，第一流量控制器62也能够兼具第一开闭阀61的功能。
另外，供给部6在对第二喷嘴部52供给干燥液L的第二管线的中途具有第二开闭阀63和第二流量控制器64。当第二开闭阀63开放干燥液L的流路时，第二喷嘴部52释放干燥液L。其释放量由第二流量控制器64控制。另一方面，当第二开闭阀63关闭干燥液L的流路时，第二喷嘴部52停止释放干燥液L。此外，第二流量控制器64也能够兼具第二开闭阀63的功能。
第二流量控制器64以独立于第一喷嘴部51的释放量的方式控制第二喷嘴部52的释放量。由于能够独立地控制第一喷嘴部51的释放量和第二喷嘴部52的释放量，因此如图6所示，能够适当地改变基片W的上表面的干燥液L的碰撞角θ。设定碰撞角θ，使得抑制干燥液L的溅液。能够抑制由溅液导致的颗粒的产生。
依照本实施方式，如上所述，独立地控制第一喷嘴部51的释放量和第二喷嘴部52的释放量，控制基片W的上表面的干燥液L的碰撞角θ。因此，与专利文献2那样改变多关节臂的关节角度的情况相比，能够抑制因摩擦导致的颗粒的产生。
第二喷嘴部52的数量在本实施方式中为多个，不过也可以为一个。在设置多个第二喷嘴部52的情况下，第二管线也设置多个，在多个第二管线的各自中途设置第二流量控制器64。能够独立地控制多个第二喷嘴部52的释放量。
如图6所示，多个第二喷嘴部52的出射线A2在相同的交叉点B与第一喷嘴部51的出射线A1交叉。与按第二喷嘴部52的每一者存在交叉点B的情况不同，能够与第二喷嘴部52的释放量无关地，总是使第二喷嘴部52的液流与第一喷嘴部51的液流合流。
第二喷嘴部52在第一喷嘴部51的出射线A1的周围等间隔地配置4个以上(图5中为4个)。4个第二喷嘴部52按90°间隔配置。当第二喷嘴部52的数量为4个以上时，能够使干燥液L的碰撞点在与第一喷嘴部51的出射线A1正交的4个方向上移动。此外，第二喷嘴部52的数量并不限定于4个，例如可以为8个。
干燥液喷嘴5C还可以包含以第一喷嘴部51的出射线A1为中心使第二喷嘴部52旋转的旋转部55。能够使第二喷嘴部52的出射线A2的水平成分以交叉点B为中心旋转，能够调整其水平成分的方向。
旋转部55能够使多个第二喷嘴部52在相同方向上以相同速度旋转。能够将多个第二喷嘴部52维持为等间隔。此外，旋转部55也可以使多个第二喷嘴部52单独地旋转。
由旋转部55进行的第二喷嘴部52的旋转，例如在由图3所示的旋转臂71使干燥液喷嘴5C旋转的情况下实施。当干燥液喷嘴5C的旋转半径小时，干燥液喷嘴5C的轨迹成为圆弧，因此旋转部55使第二喷嘴部52旋转，使得在基片W的径向或周向上维持出射线A2的水平成分。
此外，当干燥液喷嘴5C的旋转半径大，干燥液喷嘴5C的轨迹能够被视为直线的情况下，旋转部55可以不使第二喷嘴部52旋转。这是因为，在该情况下，即使旋转部55不使第二喷嘴部52旋转，也能够在基片W的径向或者周向上维持出射线A2的水平成分。
如图5所示，第一喷嘴部51为圆筒状，在其周向上等间隔地设置4个第二喷嘴部52。4个第二喷嘴部52分别为圆筒状。当第一喷嘴部51和第二喷嘴部52这两者为圆筒状时，容易以第一喷嘴部51的出射线A1为中心使第二喷嘴部52旋转。
此外，第一喷嘴部51和第二喷嘴部52这两者的形状并不限定于圆筒状。例如，第一喷嘴部51可以为四方筒状，在其4个侧面分别固定第二喷嘴部52。4个第二喷嘴部52也可以分别为四方筒状。
另外，第一喷嘴部51和第二喷嘴部52在本实施方式中是单独制作而组装的，不过也可以一体地制作。例如，可以在一个圆柱实施多个孔加工，一体地制作第一喷嘴部51和第二喷嘴部52。
如图6所示，第一喷嘴部51包括向正下方的交叉点B释放干燥液L的释放口53。另一方面，第二喷嘴部52包括向斜下方的交叉点B释放干燥液L的释放口54。一直以来，将干燥液L向正下方释放的情况较多，所以能够灵活利用已经获得的大量数据，来决定第一喷嘴部51的释放量。
第一喷嘴部51的释放量根据基片W的材质、凹凸图案、液膜F的开口边缘的位置等来设定。干燥液L基本上向正下方被释放，为了抑制干燥液L的溅液，适当地向斜下方向修正。第二喷嘴部52的释放量也根据基片W的材质、凹凸图案、液膜F的开口边缘的位置等设定。
第一喷嘴部51的释放口53的面积可以为第二喷嘴部52的释放口54的面积以上。第一喷嘴部51的释放量基本上比第二喷嘴部52的释放量多。2个液流中流量大的液流其粗细较粗，因此能够使2个液流在交叉点B顺畅地合流，能够抑制在交叉点B处的溅液。此外，释放口53、54的形状在本实施方式中为圆形，但是也可以为四边形、三角形或者星形等。
基片W的上表面的干燥液L的碰撞角θ主要由第一喷嘴部51的干燥液L的释放量和释放方向以及第二喷嘴部52的干燥液L的释放量和释放方向决定。碰撞角θ由图7所示的交叉点B、正下点C、碰撞点D和中心点E的位置关系表示。交叉点B如上所述是第一喷嘴部51的出射线A1与第二喷嘴部52的出射线A2的交叉点。正下点C是基片W的上表面的交叉点B的正下方的点，是俯视时与交叉点B一致的点。碰撞点D是干燥液L的液流碰撞到基片W的上表面的点。中心点E是基片W的上表面的中心点，是基片W的旋转中心点。碰撞角θ例如包含第一碰撞角θ1、第二碰撞角θ2和第三碰撞角θ3。
第一碰撞角θ1是从连结碰撞点D和中心点E的直线方向(例如，图8所示的箭头IX方向)观察，如图9所示连结交叉点B和碰撞点D的直线L1与基片W的上表面所成的角。碰撞点D与正下点C相比越向基片W的旋转方向前方(箭头R方向)偏移，第一碰撞角θ1变得越小。此外，碰撞点D与正下点C相比越向基片W的旋转方向后方(与箭头R方向相反方向)偏移，第一碰撞角θ1变得越大。在碰撞点D位于正下点C的情况下，第一碰撞角θ1为90°。第一碰撞角θ1比0°大比180°小。
第二碰撞角θ2是如图8所示连结正下点C和碰撞点D的直线L2与以中心点E为中心的圆的碰撞点D处的切线L3所成的角。碰撞点D与正下点C相比越向基片W的径向外侧方向偏移，第二碰撞角θ2变得越大。此外，碰撞点D与正下点C相比越向基片W的径向内侧方向偏移，第二碰撞角θ2变得越小。在切线L3穿过正下点C的情况下，第二碰撞角θ2为0°。第二碰撞角θ2比﹣90°大比90°小。
第三碰撞角θ3是从将切线L3的方向(例如，图8所示的箭头XI方向)观察，如图11所示连结交叉点B和碰撞点D的直线L4与基片W的上表面所成的角。碰撞点D与正下点C相比越向基片W的径向外侧方向(箭头r方向)偏移，第三碰撞角θ3变得越小。此外，碰撞点D与正下点C相比越向基片W的径向内侧方向(箭头r方向的相反方向)偏移，第三碰撞角θ3变得越大。在碰撞点D位于正下点C的情况下，第三碰撞角θ3为90°。第三碰撞角θ3比0°大比180°小。
碰撞角θ如上所述由第一喷嘴部51的干燥液L的释放量和释放方向以及第二喷嘴部52的干燥液L的释放量和释放方向决定。但是，当形成于基片W的上方的气流混乱时，碰撞角θ可能发生变动。
于是，如图1所示，基片处理装置1还可以具有检测部11。检测部11检测基片W的上表面的干燥液L的碰撞角θ。检测部11例如为红外线传感器或者摄像机，接收红外线或可见光等，检测干燥液L的碰撞角θ。作为检测对象的碰撞角θ是第一碰撞角θ1、第二碰撞角θ2和第三碰撞角θ3的至少一者。检测部11将表示检测到的碰撞角θ的信号发送给控制部9。
控制部9控制第一流量控制器62和第二流量控制器64，使得检测部11的检测值和设定值的偏差变小。能够抑制由气流的混乱等干扰导致的碰撞角θ的变动。
此外，也可以为，控制部9根据预先设定的设定值，来控制第一喷嘴部51的干燥液L的释放量和第二喷嘴部52的干燥液L的释放量。这是因为，在没有干扰时，干燥液L的碰撞角θ由第一喷嘴部51的干燥液L的释放量和释放方向以及第二喷嘴部52的干燥液L的释放量和释放方向决定。
在图4的S5中，如上所述，如图2所示，移动部7使干燥液喷嘴5C从基片W的径向内侧向径向外侧移动，在液膜F的中心形成开口O，接着，使其开口边缘从基片W的中心向周缘扩展，使基片W干燥。
在干燥液喷嘴5C开始移动时，干燥液喷嘴5C位于中心点E的正上方。此时，碰撞点D与中心点E一致，第一碰撞角θ1和第三碰撞角θ3为90°，第二碰撞角θ2为0°。干燥液L从中心点E的正上方被供给到中心点E，因离心力从中心点E以辐射状均等地流动。其结果是，能够形成厚度均匀的液膜F。
在干燥液喷嘴5C开始移动后，碰撞点D从中心点E离开，在干燥液L的液膜F的中心形成开口O。在其开口边缘的外侧形成碰撞点D。
在基片W的转速一定的情况下，碰撞点D越从中心点E离开，基片W的碰撞点D处的切线速度变得越快。干燥液L被基片W牵引，与基片W一起旋转，因此干燥液L的碰撞点D处的切线速度也变快。
假设即使碰撞点D从中心点E离开，第一碰撞角θ1仍为90°的状态时，如图10所示，在比碰撞点D靠旋转方向后方(箭头R方向的相反方向)处，形成厚度过剩的液膜F，产生溅液。若第一碰撞角θ1仍为90°的状态，则干燥液L会从碰撞点D向旋转方向的前后两个方向均等地延展。但是，在比碰撞点D靠旋转方向后方处，干燥液L被旋转的基片W牵引，被推压到碰撞点D。其结果是，在比碰撞点D靠旋转方向后方处，液膜F的厚度变厚，变得容易产生溅液。碰撞点D越离开中心点E而该倾向越明显。这是因为碰撞点D越离开中心点E，碰撞点D处的切线速度变得越快。
于是，控制部9进行控制，使得在使干燥液喷嘴5C从基片W的径向内侧移动到径向外侧的过程中，如图9所示，使第一碰撞角θ1连续或者阶梯地减小。能够减少从碰撞点D去往旋转方向后方的液量，能够抑制在比碰撞点D靠旋转方向后方处形成厚度过剩的液膜F。因此，能够抑制溅液，能够抑制颗粒。
另外，在基片W的转速一定的情况下，碰撞点D越离开中心点E，在碰撞点D作用于干燥液L的离心力变得越大。由于离心力变大，因此向径向外侧方向(在图12中箭头r方向)较强地推压干燥液L。
假设即使碰撞点D从中心点E离开，第三碰撞角θ3仍为90°的状态时，如图12所示，在比碰撞点D靠径向内侧方向(箭头r方向的相反方向)处，形成厚度过剩的液膜F，产生溅液。在第三碰撞角θ3仍为90°的状态时，干燥液L从碰撞点D向径向的内外两个方向均等地延展。但是，在比碰撞点D靠径向内侧方向处，因离心力而干燥液L被推压到碰撞点D。其结果是，在比碰撞点D靠径向内侧方向处，液膜F的厚度变厚，变得容易产生溅液。碰撞点D越离开中心点E而该倾向越明显。这是因为，碰撞点D越离开中心点E，碰撞点D处的离心力变得越大。
于是，控制部9进行控制，使得在使干燥液喷嘴5C从基片W的径向内侧移动到径向外侧的过程中，如图11所示，使第三碰撞角θ3连续或者阶梯地减小。能够减少从碰撞点D去往径向内侧方向的液量，能够抑制在比碰撞点D靠径向内侧方向处形成厚度过剩的液膜F。因此，能够抑制溅液，能够抑制颗粒。此外，能够抑制液膜F的开口边缘在内侧崩坏。
另外，控制部9进行控制，使得在使干燥液喷嘴5C从基片W的径向内侧移动到径向外侧的过程中，如图8所示，使第二碰撞角θ2连续或者阶梯地变大。能够减少从碰撞点D去往径向内侧方向的液量，能够抑制在比碰撞点D靠径向内侧方向处形成厚度过剩的液膜F。因此，能够抑制溅液，能够抑制颗粒。此外，能够抑制液膜F的开口边缘在内侧崩坏。
另外，在图4的S5中，如上所述，如图2所示，随着液膜F的开口边缘的扩大，移动部7使干燥气体G的碰撞点从基片W的中心向周缘移动。干燥气体G的释放在液膜F形成了开口O后开始。干燥气体G的碰撞点被设定在液膜F的开口O，跟随开口边缘以从内侧推压其开口边缘。
也可以为，控制部9在使干燥液喷嘴5C从基片W的径向内侧移动到径向外侧的过程中，以与干燥液L的碰撞角θ同样的方式控制干燥气体G的碰撞角θ。即，也可以为，控制部9进行控制，使得干燥气体G的第一碰撞角θ1连续或者阶梯地变小。此外，也可以为，控制部9进行控制，使得干燥气体G的第二碰撞角θ2连续或者阶梯地变大。另外，也可以为，控制部9进行控制，使得干燥气体G的第三碰撞角θ3连续或者阶梯地变小。而且，与进行控制使得干燥液L的第三碰撞角θ3从90°逐渐变小相对地，也可以进行控制使得干燥气体G的第三碰撞角θ3从比90°小的角度逐渐变小。这是因为，从最初开始从内侧有效地推压液膜F的开口边缘。
此外，控制部9进行控制，使得在使干燥液喷嘴5C从基片W的径向内侧移动到径向外侧的过程中，使干燥液L的第三碰撞角θ3连续或者阶梯地变小，但本发明的技术并不限定于此。例如，在液膜F的开口O残留有干燥液L的情况下，也可以为，控制部9进行控制使得干燥液L的第三碰撞角θ3暂时较大的，使液膜F的开口边缘暂时较小。由于液膜F的开口边缘暂时较小，因此控制部9也可以进行控制，使得干燥气体G的第三碰撞角θ3暂时较大。之后，控制部9进行控制，使得一边使干燥气体喷嘴5D从径向内侧向径向外侧移动，一边使干燥液的第三碰撞角θ3和干燥气体G的第三碰撞角θ3连续或者阶梯地变小。
此外，本实施方式的控制部9在使喷嘴5从基片W的径向内侧移动到径向外侧的过程中，改变流体的碰撞角θ，但是本发明的技术并不限定于此。也可以为，控制部9在使喷嘴5从基片W的径向外侧移动到径向内侧移动的过程中，改变流体的碰撞角θ。此外，作为碰撞角θ的控制对象的流体，并不限定于干燥液L和干燥气体G，也可以为药液或者冲洗液。
以上，对本发明的基片处理装置和基片处理方法的实施方式进行了说明，但是本发明并不限定于上述实施方式等。在权利要求的范围所记载的范畴内，能够进行各种改变、修正、替换、附加、删除和组合。这当然也属于本发明的技术范围。
例如，第一喷嘴部51的释放方向并不限定于正下方，也可以为斜下方。例如，可以将图6所示的2个第二喷嘴部52中的1个用作第一喷嘴部51。在该情况下，当第一喷嘴部51和第二喷嘴部52以相同的释放量释放干燥液L时，能够形成从交叉点B去往正下方的液流。

Claims (13)

1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：
将基片保持为水平的保持部；
使所述基片与所述保持部一起绕铅垂的旋转轴旋转的基片旋转部；
对由所述保持部保持的所述基片的上表面供给流体的喷嘴；
对所述喷嘴供给所述流体的供给部；和
使所述喷嘴在所述基片的径向上移动的移动部，
所述喷嘴包括：释放所述流体的第一喷嘴部；和在与所述第一喷嘴部不同的方向上释放所述流体的第二喷嘴部，
所述第一喷嘴部的出射线和所述第二喷嘴部的出射线在交叉点交叉，
所述供给部包括：控制所述第一喷嘴部的释放量的第一流量控制器；和以独立于所述第一喷嘴部的释放量的方式控制所述第二喷嘴部的释放量的第二流量控制器。
2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
所述第二喷嘴部在所述第一喷嘴部的出射线的周围等间隔地配置4个以上。
3.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：
所述第一喷嘴部包括向正下方的所述交叉点释放所述流体的释放口，
所述第二喷嘴部包括向斜下方的所述交叉点释放所述流体的释放口。
4.如权利要求3所述的基片处理装置，其特征在于：
所述第一喷嘴部的释放口的面积为所述第二喷嘴部的释放口的面积以上。
5.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：
所述流体是在覆盖了所述基片的整个上表面后从所述基片的中心向周缘使所述基片逐渐露出的干燥液、或者推压所述干燥液的开口边缘的干燥气体。
6.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于，包括：
检测所述基片的上表面的所述流体的碰撞角的检测部；和
控制部，其控制所述第一流量控制器和所述第二流量控制器，使得所述检测部的检测值与设定值的偏差变小。
7.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：
所述喷嘴还包括以所述第一喷嘴部的出射线为中心使所述第二喷嘴部旋转的旋转部。
8.一种基片处理方法，其特征在于：
包括在将基片保持为水平并且使所述基片绕铅垂的旋转轴旋转的状态下，使对所述基片的上表面供给流体的喷嘴在所述基片的径向上移动的步骤，
所述喷嘴包括：释放所述流体的第一喷嘴部；和在与所述第一喷嘴部不同的方向上释放所述流体的第二喷嘴部，
所述第一喷嘴部的出射线和所述第二喷嘴部的出射线在交叉点交叉，
所述基片处理方法包括在使所述喷嘴在所述基片的径向上移动的中途，改变所述第一喷嘴部的释放量和所述第二喷嘴部的释放量的至少一者的步骤。
9.如权利要求8所述的基片处理方法，其特征在于：
所述第一喷嘴部向正下方的所述交叉点释放所述流体，
所述第二喷嘴部向斜下方的所述交叉点释放所述流体。
10.如权利要求8或9所述的基片处理方法，其特征在于：
包括在使所述喷嘴从所述基片的径向内侧移动到径向外侧的过程中，使第一碰撞角连续或者阶梯地减小的步骤，
其中，所述第一碰撞角是从连结所述基片的上表面的所述流体的碰撞点和所述基片的上表面的中心点的直线方向观察，连结所述交叉点和所述碰撞点的直线与所述基片的上表面所成的角，
所述碰撞点与所述基片的上表面的所述交叉点的正下方的正下点相比越向所述基片的旋转方向前方偏移，所述第一碰撞角变得越小。
11.如权利要求8或9所述的基片处理方法，其特征在于：
包括在使所述喷嘴从所述基片的径向内侧移动到径向外侧的过程中，使第二碰撞角连续或者阶梯地变大的步骤，
其中，所述第二碰撞角是连结所述基片的上表面的所述交叉点的正下方的正下点和所述基片的上表面的所述流体的碰撞点的直线，与以所述基片的上表面的中心点为中心的圆的所述碰撞点处的切线所成的角，
所述碰撞点与所述正下点相比越向所述基片的径向外侧方向偏移，所述第二碰撞角变得越大。
12.如权利要求8或9所述的基片处理方法，其特征在于：
包括在使所述喷嘴从所述基片的径向内侧移动到径向外侧的过程中，使第三碰撞角连续或者阶梯地减小的步骤，
其中，所述第三碰撞角是从以所述基片的上表面的中心点为中心的圆的、所述基片的上表面的所述流体的碰撞点处的切线方向观察，连结所述交叉点和所述碰撞点的直线与所述基片的上表面所成的角，
所述碰撞点与所述基片的上表面的所述交叉点的正下方的正下点相比越向所述基片的径向外侧方向偏移，所述第三碰撞角变得越小。
13.如权利要求8或9所述的基片处理方法，其特征在于：
所述流体是在覆盖了所述基片的整个上表面后从所述基片的中心向周缘使所述基片逐渐露出的干燥液、或者推压所述干燥液的开口边缘的干燥气体。
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