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CN112802947A - 一种量子点显示器件及其制备方法 - Google Patents

一种量子点显示器件及其制备方法 Download PDF

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CN112802947A
CN112802947A CN202011518863.XA CN202011518863A CN112802947A CN 112802947 A CN112802947 A CN 112802947A CN 202011518863 A CN202011518863 A CN 202011518863A CN 112802947 A CN112802947 A CN 112802947A
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CN
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quantum dot
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composite quantum
blue
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高丹鹏
张志宽
杨丽敏
徐冰
孙小卫
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Shenzhen Planck Innovation Technology Co ltd
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Shenzhen Planck Innovation Technology Co ltd
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Abstract

本发明提供了一种量子点显示器件及其制备方法。所述量子点显示器件包括：依次层叠的基板、驱动电路、LED阵列层和像素阵列层；LED阵列层包括多个呈像素阵列排布的LED光源；像素阵列层包括红色像素层、绿色像素层和蓝色像素层，分别位于红色像素区、绿色像素区和蓝色像素区内的LED光源表面；红色像素层、绿色像素层的材料分别为红光复合量子点、绿光复合量子点，蓝色像素层为蓝光透射层或蓝光复合量子点层。所述量子点显示器件是通过复合量子点结合电沉积工艺制备得到。本发明提供的量子点显示器件具有较高的分辨率，能够实现高色域全彩显示；可取消滤光片，提升光通过率，降低器件功耗；工艺简单，精度高，可以实现批量化生产。

Description

一种量子点显示器件及其制备方法
技术领域
本发明属于量子点显示技术领域，具体涉及一种量子点显示器件及其制备方法。
背景技术
量子点材料(Quantum Dot,QD)通过吸收部分波段的蓝光或紫外光，可激发出部分波段的红光、绿光或蓝光。量子点材料的粒径一般介于1～10nm之间，由于电子和空穴被量子限域，连续的能带结构变成分立能级结构，因此发光光谱非常窄(20-30nm)，色度纯高，显示色域广，可大幅超过NTSC的色域范围(>100％)；同时通过彩色滤光片光吸收损耗小，可实现低功耗显示。量子点由于其特殊的特性，作为新一代发光材料，在显示应用中正逐渐崭露头角。
量子点彩膜是显示器件实现超高色域全彩显示的关键部件，现有技术是将量子点分散在光刻胶中，再通过光固化和蚀刻等方式，在基材特定区域上实现量子点材料涂布。
CN 105242442A公开了一种量子点彩膜的制备方法，制备的量子点彩膜中蓝色子像素部分为透明有机光阻层，绿色子像素部分为绿色量子点固化胶层，红色子像素部分为绿色量子点固化胶层和红色量子点固化胶层的叠层。该量子点彩膜配合蓝光背光源使用，由于红色子像素部分同时含有绿色量子点和红色量子点，因此红色子像素上还需要设置红色色阻层以滤除绿光。这样会降低光通过率，导致器件整体功耗较高。
CN 105242449A公开了一种量子点彩膜基板的制备方法，先在基板上形成分别对应红色、绿色、蓝色子像素区域的红色色阻层、绿色色阻层、有机透明光阻层，然后涂布包含红色量子点和绿色量子点的固化胶，通过对蓝色子像素区域长时间照射紫外光使该区域量子点荧光猝灭。该量子点彩膜配合蓝光背光源使用，但由于红色子像素区域和绿色子像素区域都同时含有绿色量子点和红色量子点，因此需要红色色阻层和绿色色阻层分别滤除绿光和红光，导致光通过率较低。
CN 105278153A公开了一种量子点彩膜基板的制备方法，采用猝灭剂对蓝色子像素区域的红、绿量子点进行猝灭。CN 105301827A公开了一种量子点彩膜基板的制备方法，采用紫外光引发剂对蓝色子像素区域的红、绿量子点进行猝灭。但是，该方案也同样存在工艺过程复杂，难以实现像素级量子点排布，需要使用滤光片，导致光通过率低，器件整体功耗高的缺点，有待于改进。
发明内容
针对现有技术存在的不足，本发明的目的在于提供一种量子点显示器件及其制备方法。本发明提供的量子点显示器件具有较高的分辨率，能够实现高色域全彩显示；每一个像素层只发出单一颜色的光，可取消滤光片，提升光通过率和显示光效，降低器件整体功耗；且工艺简单，制造成本低，精度高，可以实现批量化生产。
为达此目的，本发明采用以下技术方案：
第一方面，本发明提供一种量子点显示器件，所述量子点显示器件包括：依次层叠的基板、驱动电路、LED阵列层和像素阵列层；
所述量子点显示器件的显示区域包括红色像素区、绿色像素区和蓝色像素区；
所述LED阵列层包括多个呈像素阵列排布的LED光源，所述驱动电路用于驱动所述LED光源，所述LED光源为蓝光LED或紫外LED；
所述像素阵列层包括红色像素层、绿色像素层和蓝色像素层；
所述红色像素层位于所述红色像素区内的LED光源表面；
所述绿色像素层位于所述绿色像素区内的LED光源表面；
所述蓝色像素层位于所述蓝色像素区内的LED光源表面；
所述红色像素层的材料为红光复合量子点；
所述绿色像素层的材料为绿光复合量子点；
所述LED光源为蓝光LED，所述蓝色像素层为蓝光透射层；所述LED光源为紫外LED时，所述蓝色像素层的材料为蓝光复合量子点；
所述红光复合量子点、绿光复合量子点、蓝光复合量子点均包括内核、包裹所述内核的包覆层，以及连接在所述包覆层外表面的配体；
所述内核为红光量子点、绿光量子点或蓝光量子点，所述配体为具有离子键的有机盐，所述红光复合量子点、绿光复合量子点、蓝光复合量子点在所述配体解离的状态下呈正电性或负电性。
需要说明的是，本发明中LED光源呈像素阵列排布，是指LED光源是按照像素点的排布方式排列的，每一个LED光源对应一个像素点区域，LED光源的尺寸与本领域常规的像素点尺寸相当。所述蓝光透射层是指能透过蓝光的层，在本发明一实施方式中，其可以是不存在实体的层，即在蓝色像素区内的LED光源表面不沉积任何材料。
本发明中，红光复合量子点、绿光复合量子点在蓝光或紫外光的激发下可分别发出红光、绿光；蓝光复合量子点在紫外光的激发下可发出蓝光。当LED光源为蓝光LED时，无需蓝光复合量子点层，利用红光、绿光复合量子点受激发发出的红光、绿光，和蓝光透射层透射的LED光源的蓝光复合，从而实现了量子点显示器件的全彩显示。当LED光源为紫外LED时，利用红光、绿光和蓝光复合量子点受激发发出的红光、绿光和蓝光复合，从而实现了量子点显示器件的全彩显示。
所述复合量子点在配体解离的状态下带有正电或负电，能够通过电沉积法形成量子点层，从而制备量子点显示器件。其中，所述包覆层一方面用于结合配体；另一方面，可以保护量子点，避免水氧对量子点的侵袭，并防止量子点团聚。
本发明中，复合量子点层直接沉积在像素级LED光源上，因此复合量子点层也是像素级排布的，得到的量子点显示器件具有较高的分辨率；而且由于每一个像素层只发出单一颜色的光，因此不需要使用滤光片，有助于提升光通过率和显示光效，降低器件整体功耗。
需要说明的是，本发明中红光复合量子点层均是指由红光复合量子点构成的层，绿光复合量子点层均是指由绿光复合量子点构成的层，蓝光复合量子点层均是指由蓝光复合量子点构成的层。
本发明中，为了简要地描述量子点显示器件及其制备方法，部分地方采用像素区、像素层、复合量子点、复合量子点层分别指代不同发光颜色的像素区、不同发光颜色的像素层、不同发光颜色的复合量子点、不同发光颜色的复合量子点层中的任意一个，或其全体。
作为本发明的优选技术方案，所述量子点显示器件的显示区域还包括白色像素区，所述像素阵列层还包括位于所述白色像素区内的LED光源表面的白色像素层；
所述LED光源为蓝光LED时，所述白色像素层为所述红光复合量子点和绿光复合量子点的混合层，或者红光复合量子点层和绿光复合量子点层的叠层；
所述LED光源为紫外LED时，所述白色像素层为所述红光复合量子点、绿光复合量子点和蓝光复合量子点的混合层，或者红光复合量子点层、绿光复合量子点层和蓝光复合量子点层的叠层。
本发明中，当LED光源为蓝光LED时，需要控制白色像素层中的红光、绿光复合量子点分别受激发发出的红光、绿光和透射的蓝光三者的强度基本相等，以保证三者能复合成白光。当LED光源为紫外LED时，需要控制白色像素层中的红光、绿光、蓝光复合量子点分别受激发发出的红光、绿光和蓝光三者的强度基本相等，以保证三者能复合成白光。
通过在红、绿、蓝三种像素层外再增加白色像素层，能够在保证量子点显示器件全彩显示的同时提高亮度。
作为本发明的优选技术方案，所述量子点显示器件还包括包覆所述驱动电路、LED阵列层和像素阵列层的封装层。
作为本发明的优选技术方案，所述红光量子点、绿光量子点和蓝光量子点为AxMyEz体系材料；
其中，A元素选自Ba、Ag、Na、Fe、In、Cd、Zn、Ga、Mg、Pb和Cs中的一种或至少两种的组合；
M元素选自S、Cl、O、As、N、P、Se、Te、Ti、Zr和Pb中的一种或至少两种的组合；
E元素选自S、As、Se、O、Cl、Br和I中的一种或至少两种的组合；
x为0.3～2.0，例如可以是0.3、0.5、0.8、1、1.2、1.3、1.5、1.6、1.8或2等；
y为0.5～3.0，例如可以是0.5、0.8、1、1.2、1.3、1.5、1.6、1.8、2、2.2、2.3、2.5、2.6、2.8或3等；
z为0～4.0，例如可以是0、0.2、0.3、0.5、0.8、1、1.2、1.3、1.5、1.6、1.8、2、2.2、2.3、2.5、2.6、2.8、3、3.2、3.3、3.5、3.6、3.8或4等。
作为本发明的优选技术方案，所述包覆层的材料为高分子材料、金属氧化物、金属硫化物、金属或金属合金。
优选地，所述高分子材料选自PMA、PVDF、长链磷酸酯中的一种或至少两种的组合。
优选地，所述长链磷酸酯为碳原子数为16-18的磷酸酯。
优选地，所述金属氧化物选自ZnO、SiO2、TiO2或MgO中的一种或至少两种的组合。
优选地，所述金属硫化物选自ZnS、CdS或TeS中的一种或至少两种的组合。
优选地，所述金属选自Ti、Zr、Zn、Cd或Te中的一种或至少两种的组合。
优选地，所述具有离子键的有机盐包括有机负离子盐或有机正离子盐。
优选地，所述有机负离子盐包括有机酸盐。
优选地，所述有机酸盐包括醋酸钠、乙吡啶酸盐或乙醇钠中一种或至少两种的组合。
优选地，所述有机正离子盐包括有机铵盐。
优选地，所述有机铵盐包括溴化四丁基铵盐、溴化铵、氯化铵或硫酸铵的一种或至少两种的组合。
作为本发明的优选技术方案，所述红光量子点的粒径为6-12nm，绿光量子点的粒径为3-6nm、蓝光量子点的粒径为1-3nm。
作为本发明的优选技术方案，所述红光复合量子点、绿光复合量子点、蓝光复合量子点的制备方法如下：
a：向红光量子点、绿光量子点或蓝光量子点中滴加包覆层材料，控制pH、反应温度和反应时间，使所述包覆层材料包覆在所述红光量子点、绿光量子点或蓝光量子点表面，形成包覆层，得到量子点/包覆层核壳材料；
b：将步骤a得到的量子点/包覆层核壳材料和配体分散于溶剂中，控制pH、反应温度和反应时间，使所述配体连接到所述包覆层表面，得到所述红光复合量子点、绿光复合量子点或蓝光复合量子点的溶液。
作为本发明的优选技术方案，步骤a中所述pH为5.5-11，例如5、6、7、8、9、10或11；步骤a中所述反应温度为240-320℃(例如240℃、250℃、270℃、280℃、300℃或320℃)，反应时间为0.5～10min(例如0.5min、0.8min、1min、3min、5min、7min、9min或10min)。
优选地，步骤b所述pH为7-10，例如7、7.4、7.8、8、8.3、8.5、8.8、9、9.4、9.7或10；步骤b所述反应温度为120-320℃(例如120℃、140℃、150℃、170℃、200℃、220℃、240℃、260℃、280℃、300℃或320℃)，反应时间为3-120min(例如3min、5min、8min、10min、15min、20min、30min、50min、70min、90min、100min或120min)。
优选地，步骤b所述溶剂为十八烯、正己烷、正辛烷、油氨、正十二硫醇、1-辛硫醇或三辛胺中一种或至少两种的组合。
第二方面，本发明提供一种如第一方面所述的量子点显示器件的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：
提供基板、驱动电路和LED阵列层的叠层结构，通过电沉积在红色像素区内的LED光源表面沉积红光复合量子点层，作为红色像素层；在绿色像素区内的LED光源表面沉积绿光复合量子点层，作为绿色像素层；在蓝色像素区内的LED光源表面沉积蓝光复合量子点层或不进行沉积，作为蓝色像素层；得到所述量子点显示器件；
所述电沉积的方法为单独沉积法，所述单独沉积法为：选择红光复合量子点层、绿光复合量子点层和蓝光复合量子点层中的一种，将所述叠层结构置于待沉积的复合量子点的溶液中，通过所述驱动电路对待沉积的LED光源施加与所述待沉积的复合量子点电性相反的电压，对所述待沉积的复合量子点的溶液施加与所述待沉积的复合量子点电性相同的电压，进行沉积。
需要说明的是，上述基板、驱动电路和LED阵列层的叠层结构中，LED光源是通过导电的焊接材料焊接在基板和驱动电路上，由于焊接材料只是起到连接固定的作用，并非发光功能性结构，因此在量子点显示器件的结构中未进行限定。
本发明采用复合量子点结合电沉积工艺，可以直接在每一个LED光源上相互独立地沉积出红光、绿光或蓝光复合量子点层，因此每一个像素层只发出单一颜色的光，不需要使用滤光片，有助于提升光通过率和显示光效，降低器件整体功耗。与现有复杂的光刻工艺相比，本发明提供的方法简单、成本低且精度高，利于量子点彩膜的批量化生产。
本发明中，所述电沉积的方法为单独沉积法。例如，当不存在蓝光复合量子点层时，采用单独沉积法分别沉积红光复合量子点层和绿光复合量子点层。当红光、绿光、蓝光复合量子点层均存在时，可以采用单独沉积法逐个沉积红光、绿光、蓝光复合量子点层。
本发明中，电沉积复合量子点层时的条件(电压、沉积时间)需要综合考虑复合量子点的带电量、复合量子点中量子点的含量、LED光源的发光强度等因素进行选择。对于红、绿、蓝三种像素层，需要保证所沉积的复合量子点层中的量子点能够完全吸收LED光源发出的光。
优选地，所述电沉积电压为1～12V(例如1V、3V、5V、8V、10V或12V)，电流密度为5～10A/dm2(例如5A/dm2、6A/dm2、7A/dm2、8A/dm2、9A/dm2后果10A/dm2)，沉积时间为0.5～30min(例如0.5min、5min、8min、10min、13min、15min、20min、25min、28min或30min)。
作为本发明的优选技术方案，所述制备方法还包括在白色像素区内的LED光源表面沉积白色像素层；
所述白色像素层的沉积方法为：将所述叠层结构置于电性相同的红光复合量子点和绿光复合量子点的混合溶液中，或置于电性相同的红光复合量子点、绿光复合量子点和蓝光复合量子点的混合溶液中，通过所述驱动电路对白色像素区内的LED光源施加与待沉积的复合量子点电性相反的电压，对所述混合溶液施加与待沉积的复合量子点电性相同的电压，进行沉积；
或者按照所述单独沉积法，在白色像素区内的LED光源表面逐层沉积出红光复合量子点层和绿光复合量子点层的叠层，或逐层沉积出红光复合量子点层、绿光复合量子点层和蓝光复合量子点层的叠层。
本发明中，电沉积白色像素层的条件需要综合考虑复合量子点的带电量、复合量子点中量子点的含量、LED光源的发光强度等因素进行选择。当LED光源为蓝光LED时，需要保证所沉积的白色像素层中的红光、绿光复合量子点分别受激发发出的红光、绿光和透射的蓝光三者的强度基本相等，以保证三者能复合成白光。当LED光源为紫外LED时，需要保证所沉积的白色像素层中的红光、绿光、蓝光复合量子点分别受激发发出的红光、绿光和蓝光三者的强度基本相等，以保证三者能复合成白光。
考虑到白色像素层为红光、绿光复合量子点的混合层时，或红光、绿光、蓝光复合量子点的混合层时，不同复合量子点的沉积量难以精确控制，因此本发明中白色像素层更优选为红光复合量子点层和绿光复合量子点层的叠层，或红光复合量子点层、绿光复合量子点层和蓝光复合量子点层的叠层。
优选地，所述制备方法还包括：在每一次电沉积之后，将沉积后的叠层结构取出，干燥，进行加热、冷冻或光照。该操作的目的是使已沉积的复合量子点稳定附着在LED光源上。
优选地，所述加热的温度为80～150℃，例如80℃、85℃、90℃、100℃、120℃、140℃或150℃。
优选地，所述冷冻为在-40℃以下冷冻。
优选地，所述光照为230-395nm的紫外光照下进行固化。
优选地，所述制备方法还包括：在像素阵列层制备完成之后，涂布包覆所述驱动电路、LED阵列层和像素阵列层的封装胶水，固化后形成封装层。
本发明对所述封装胶水的种类不做特殊限定，示例性地，可以选择环氧类胶水、有机硅类胶水、聚氨酯类胶水中的一种或多种混合，固化方法可以采用热固化和/或光固化。
与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：
(1)本发明采用复合量子点结合电沉积工艺，可以直接在每一个像素级LED光源上相互独立地沉积出复合量子点层，与现有光刻工艺相比，本发明提供的方法简单、成本低且精度高，利于量子点显示器件的批量化生产；
(2)本发明提供的量子点显示器件中，复合量子点层直接沉积在像素级LED光源上，因此复合量子点层也是像素级排布的，实现了像素级发光，得到的量子点显示器件具有较高的分辨率，能够实现高色域全彩显示；
(3)本发明提供的量子点显示器件中，每一个像素层只发出单一颜色的光，因此不需要使用滤光片，有助于提升光通过率和显示光效，降低器件整体功耗。
附图说明
图1为本发明实施例1提供的量子点显示器件的剖面结构示意图；
图2为本发明实施例1或2提供的量子点显示器件的俯视结构示意图；
图3为本发明实施例中LED光源的结构示意图；
图4为本发明实施例中基板、驱动电路和LED阵列层的叠层结构示意图；
图5为本发明实施例1中红光复合量子点层的沉积过程示意图；
图6为本发明实施例1中绿光复合量子点层的沉积过程示意图；
图7为本发明实施例1中蓝光复合量子点层的沉积过程示意图；
图8为本发明实施例2提供的量子点显示器件的剖面结构示意图；
图9为本发明实施例2中红光、绿光复合量子点层的沉积过程示意图；
图10为本发明实施例2中蓝光复合量子点层的沉积过程示意图；
图11为本发明实施例3提供的量子点显示器件的剖面结构示意图；
图12为本发明实施例3或4提供的量子点显示器件的俯视结构示意图；
图13为本发明实施例4提供的量子点显示器件的剖面结构示意图；
图14为本发明实施例5提供的量子点显示器件的剖面结构示意图；
图15为本发明实施例5提供的量子点显示器件的俯视结构示意图；
图16为本发明实施例5中位于白色像素区的量子点显示器件的剖面结构示意图；
图17为本发明实施例6提供的量子点显示器件的剖面结构示意图；
图18为本发明实施例6提供的量子点显示器件的俯视结构示意图；
图19为本发明实施例6中位于白色像素区的量子点显示器件的剖面结构示意图；
其中，10为基板，20为驱动电路，30为LED阵列层，40为像素阵列层，50为封装层，301为LED光源，3011为P电极，3012为N电极，3013为P型半导体，3014为N型半导体，3015为发光层，3016为衬底，401为红色像素层，402为绿色像素层，403为蓝色像素层，404为白色像素层，4041为红光复合量子点子层，4042为绿光复合量子点子层，4043为蓝光复合量子点子层。
具体实施方式
下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。本领域技术人员应该明了，所述具体实施方式仅仅是帮助理解本发明，不应视为对本发明的具体限制。
制备例1
提供一种带正电的红光复合量子点溶液，制备方法如下：
a：向红光量子点(TeSe，粒径11nm)中滴加包覆层材料PVDF，在pH＝7.5，温度为290℃的条件下反应5mins，使所述包覆层材料包覆在所述量子点表面，形成包覆层，得到量子点/包覆层核壳材料；
b：将步骤a得到的量子点/包覆层核壳材料分散于十八烯溶剂中，加入配体硫酸铵，在pH＝8，温度为175℃的条件下反应90mins，使所述配体连接到所述包覆层表面，得到浓度为3.5％的带正电的红光复合量子点溶液。
制备例2
提供一种带负电的红光复合量子点溶液，制备方法如下：
a：向红光量子点(CdSe，粒径9nm)中滴加包覆层材料钛酸四丁酯，在pH＝6，温度为300℃的条件下反应5min，使所述包覆层材料包覆在所述量子点表面，形成包覆层，得到量子点/包覆层核壳材料；
b：将步骤a得到的量子点/包覆层核壳材料分散于溶剂正己烷中，加入配体醋酸钠，在pH＝7.4，温度为200℃的条件下反应10min，使所述配体连接到所述包覆层表面，得到浓度为3.8％的带负电的红光复合量子点溶液。
制备例3
提供一种带正电的绿光复合量子点溶液，制备方法如下：
a：向绿光量子点(CsPbBr3，粒径5nm)中滴加包覆层材料乙烯基三甲氧基硅烷，在pH＝5.5，温度为240℃的条件下反应10min，使所述包覆层材料包覆在所述量子点表面，形成包覆层，得到量子点/包覆层核壳材料；
b：将步骤a得到的量子点/包覆层核壳材料分散于溶剂正己烷中，加入配体溴化四丁基铵，在pH＝9，温度为300℃的条件下反应10min，使所述配体连接到所述包覆层表面，得到浓度为5％的带正电的绿光复合量子点溶液。
制备例4
提供一种带负电的绿光复合量子点溶液，制备方法如下：
a：向绿光量子点(InP，粒径6nm)中滴加包覆层材料PMA，在pH＝6，温度为320℃的条件下反应2min，使所述包覆层材料包覆在所述量子点表面，形成包覆层，得到量子点/包覆层核壳材料；
b：将步骤a得到的量子点/包覆层核壳材料分散于溶剂正己烷中，加入配体乙醇钠，在pH＝8.5，温度为240℃的条件下反应60min，使所述配体连接到所述包覆层表面，得到浓度为4.5％的带负电的绿光复合量子点溶液。
制备例5
提供一种带正电的蓝光复合量子点溶液，制备方法如下：
a：向蓝光量子点(CsPbCl3，粒径3nm)中滴加包覆层材料异丙醇锆，在pH＝10，温度为280℃的条件下反应10min，使所述包覆层材料包覆在所述量子点表面，形成包覆层，得到量子点/包覆层核壳材料；
b：将步骤a得到的量子点/包覆层核壳材料分散于溶剂正辛烷中，加入配体氯化铵，在pH＝10，温度为150℃的条件下反应60min，使所述配体连接到所述包覆层表面，得到浓度为3.5％的带正电的蓝光复合量子点溶液。
制备例6
提供一种带负电的蓝光复合量子点溶液，制备方法如下：
a：向蓝光量子点(CdS0.2Se0.8，2nm)中滴加包覆层材料十八烷基磷酸，在pH＝11，温度为300℃的条件下反应5min，使所述包覆层材料包覆在所述量子点表面，形成包覆层，得到量子点/包覆层核壳材料；
b：将步骤a得到的量子点/包覆层核壳材料分散于溶剂正十二硫醇中，加入配体磺酸钠，在pH＝7，温度为320的条件下反应5min，使所述配体连接到所述包覆层表面，得到浓度为4％的带负电的蓝光复合量子点溶液。
实施例1
本实施例提供一种量子点显示器件，其结构如图1和图2所示，包括：依次层叠的基板10、驱动电路20、LED阵列层30、像素阵列层40，以及包覆所述驱动电路20、LED阵列层30和像素阵列层40的封装层50；
所述量子点显示器件的显示区域包括红色像素区、绿色像素区和蓝色像素区；
所述LED阵列层30包括多个呈像素阵列排布的LED光源301(LED光源301是通过导电的焊接材料焊接在基板10和驱动电路上20上，焊接材料在图中未示出)，所述驱动电路2用于驱动所述LED光源301，所述LED光源301为紫外LED；
所述LED光源301的结构如图3所示，包括衬底3016、N型半导体3014、发光层3015、P型半导体3013、P电极3011和N电极3012，其中，衬底3016与像素阵列层40相接，P电极3011和N电极3012与驱动电路20相接；
所述像素阵列层40包括红色像素层401、绿色像素层402和蓝色像素层403；
所述红色像素层401位于所述红色像素区内的LED光源表面；
所述绿色像素层402位于所述绿色像素区内的LED光源表面；
所述蓝色像素层403位于所述蓝色像素区内的LED光源表面；
所述红色像素层401的材料为制备例1提供的红光复合量子点；
所述绿色像素层402的材料为制备例4提供的绿光复合量子点；
所述蓝色像素层403的材料为制备例5提供的蓝光复合量子点。
本实施例提供的量子点显示器件的制备方法如下：
(1)提供基板、驱动电路和LED阵列层的叠层结构(其结构如图4所示)，通过电沉积在红色像素区内的LED光源表面沉积红光复合量子点层，作为红色像素层401；在绿色像素区内的LED光源表面沉积绿光复合量子点层，作为绿色像素层402；在蓝色像素区内的LED光源表面沉积蓝光复合量子点层，作为蓝色像素层403；
(2)涂布包覆驱动电路20、LED阵列层30和像素阵列层40的封装胶水，固化后形成封装层50，得到所述量子点显示器件；
其中，所述电沉积的方法为采用单独沉积法分别进行红光复合量子点层、绿光复合量子点层和蓝光复合量子点层的沉积，具体步骤如下：
如图5所示，将所述叠层结构置于制备例1提供的带正电的红光复合量子点溶液中，通过所述驱动电路20对红色像素区内的LED光源施加负电压，对制备例1提供的带正电的红光复合量子点溶液施加正电压，电压差为8V，电流密度为5A/dm2，持续10min，在红色像素区内的LED光源表面沉积出红光复合量子点层，作为红色像素层401，将沉积了红光复合量子点层的叠层结构取出，烘干，100℃加热，使已沉积的红光复合量子点稳定附着在红色像素区内的LED光源上；
如图6所示，将沉积了红光复合量子点层的叠层结构置于制备例4提供的带负电的绿光复合量子点溶液中，通过所述驱动电路20对绿色像素区内的LED光源施加正电压，对制备例4提供的带负电的绿光复合量子点溶液施加负电压，电压差为12V，电流密度为5A/dm2，持续10min，在绿色像素区内的LED光源表面沉积出绿光复合量子点层，作为绿色像素层402，将沉积了红光、绿光复合量子点层的叠层结构取出，烘干，在-40℃下冷冻，使已沉积的绿光复合量子点稳定附着在绿色像素区内的LED光源上；
如图7所示，将沉积了红光、绿光复合量子点层的叠层结构置于制备例5提供的带正电的蓝光复合量子点溶液中，通过所述驱动电路20对蓝色像素区内的LED光源施加负电压，对制备例5提供的带正电的蓝光复合量子点溶液施加正电压，电压差为3V，电流密度为10A/dm2，持续3min，在蓝色像素区内的LED光源表面沉积出蓝光复合量子点层，作为蓝色像素层403，将沉积了红光、绿光、蓝光复合量子点层的叠层结构取出，烘干，230-395nm的紫外光照下进行固化，使已沉积的蓝光复合量子点稳定附着在蓝色像素区内的LED光源上；
本实施例中，由于红光、绿光、蓝光复合量子点层的沉积步骤是相互独立的，因此三种复合量子点层的沉积步骤可以以任意顺序进行，沉积顺序对制备的量子点显示器件没有影响。
本实施例采用复合量子点结合电沉积工艺，可以直接在每一个像素级LED光源上相互独立地沉积出复合量子点层，实现高色域全彩显示；与现有复杂的光刻工艺相比，该方法简单、成本低且精度高，利于量子点显示器件的批量化生产；制备的量子点显示器件无滤光片，有助于提升光通过率和显示光效，降低器件整体功耗。
实施例2
本实施例提供一种量子点显示器件，其结构如图8和图2所示，包括：依次层叠的基板10、驱动电路20、LED阵列层30和像素阵列层40；
所述量子点显示器件的显示区域包括红色像素区、绿色像素区和蓝色像素区；
所述LED阵列层30包括多个呈像素阵列排布的LED光源301(LED光源301是通过导电的焊接材料焊接在基板10和驱动电路上20上，焊接材料在图中未示出)，所述驱动电路2用于驱动所述LED光源301，所述LED光源301为紫外LED；
所述LED光源301的结构如图3所示，包括衬底3016、N型半导体3014、发光层3015、P型半导体3013、P电极3011和N电极3012，其中，衬底3016与像素阵列层40相接，P电极3011和N电极3012与驱动电路20相接；
所述像素阵列层40包括红色像素层401、绿色像素层402和蓝色像素层403；
所述红色像素层401位于所述红色像素区内的LED光源表面；
所述绿色像素层402位于所述绿色像素区内的LED光源表面；
所述蓝色像素层403位于所述蓝色像素区内的LED光源表面；
所述红色像素层401的材料为制备例2提供的红光复合量子点；
所述绿色像素层402的材料为制备例3提供的绿光复合量子点；
所述蓝色像素层403的材料为制备例6提供的蓝光复合量子点。
本实施例提供的量子点显示器件的制备方法如下：
提供基板、驱动电路和LED阵列层的叠层结构(其结构如图4所示)，通过电沉积在红色像素区内的LED光源表面沉积红光复合量子点层，作为红色像素层401；在绿色像素区内的LED光源表面沉积绿光复合量子点层，作为绿色像素层402；在蓝色像素区内的LED光源表面沉积蓝光复合量子点层，作为蓝色像素层403；得到所述量子点显示器件；
其中，所述电沉积的方法为采用一步沉积法同时沉积红光复合量子点层和绿光复合量子点层，用单独沉积法沉积蓝光复合量子点层，具体步骤如下：
如图9所示，将制备例2提供的带负电的红光复合量子点溶液和制备例3提供的带正电的绿光复合量子点溶液混合，将所述叠层结构置于该混合溶液中，通过所述驱动电路20对红色像素区内的LED光源施加正电压，对绿色像素区内的LED光源施加负电压，电压差为5V，电流密度为8A/dm2，持续10min，同时在红色像素区内的LED光源上沉积出红光复合量子点层，作为红色像素层401，绿色像素区内的LED光源上沉积出绿光复合量子点层，作为绿色像素层402，将沉积了红光、绿光复合量子点层的叠层结构取出，烘干，紫外光照下进行固化，使已沉积的红光、绿光复合量子点分别稳定附着在红色、绿色像素区内的LED光源上；
如图10所示，将沉积了红光、绿光复合量子点层的叠层结构置于制备例6提供的带负电的蓝光复合量子点溶液中，通过所述驱动电路20对蓝色像素区内的LED光源施加正电压，对制备例6提供的带负电的蓝光复合量子点溶液施加负电压，电压差为5V，电流密度为8A/dm2，持续10min，在蓝色像素区内的LED光源表面沉积出蓝光复合量子点层，作为蓝色像素层403，将沉积了红光、绿光复合量子点层的叠层结构取出，烘干，紫外光照下进行固化，使已沉积的绿光复合量子点稳定附着在绿色像素区内的LED光源上；
本实施例中，也可以先用单独沉积法沉积蓝光复合量子点层，再采用一步沉积法同时沉积红光复合量子点层和绿光复合量子点层，沉积顺序对制备的量子点显示器件没有影响。
本实施例采用复合量子点结合电沉积工艺，可以直接在每一个像素级LED光源上相互独立地沉积出复合量子点层，实现高色域全彩显示；与现有复杂的光刻工艺相比，该方法简单、成本低且精度高，利于量子点显示器件的批量化生产；制备的量子点显示器件无滤光片，有助于提升光通过率和显示光效，降低器件整体功耗。
实施例3
本实施例提供一种量子点显示器件，其结构如图11和图12所示，包括：依次层叠的基板10、驱动电路20、LED阵列层30、像素阵列层40，以及包覆所述驱动电路20、LED阵列层30和像素阵列层40的封装层50；
所述量子点显示器件的显示区域包括红色像素区、绿色像素区和蓝色像素区；
所述LED阵列层30包括多个呈像素阵列排布的LED光源301(LED光源301是通过导电的焊接材料焊接在基板10和驱动电路上20上，焊接材料在图中未示出)，所述驱动电路2用于驱动所述LED光源301，所述LED光源301为蓝光LED；
所述LED光源301的结构如图3所示，包括衬底3016、N型半导体3014、发光层3015、P型半导体3013、P电极3011和N电极3012，其中，衬底3016与像素阵列层40相接，P电极3011和N电极3012与驱动电路20相接；
所述像素阵列层40包括红色像素层401、绿色像素层402和蓝色像素层；
所述红色像素层401位于所述红色像素区内的LED光源表面；
所述绿色像素层402位于所述绿色像素区内的LED光源表面；
位于所述蓝色像素区内的LED光源表面无复合量子点层，可以透射LED光源301发出的蓝光，为了方便说明量子点显示器件的结构，将该处LED光源表面无实体的区域称为蓝色像素层；
所述红色像素层401的材料为制备例1提供的红光复合量子点；
所述绿色像素层402的材料为制备例4提供的绿光复合量子点。
本实施例提供的量子点显示器件的制备方法如下：
(1)提供基板、驱动电路和LED阵列层的叠层结构(其结构如图4所示)，通过电沉积在红色像素区内的LED光源表面沉积红光复合量子点层，作为红色像素层401；在绿色像素区内的LED光源表面沉积绿光复合量子点层，作为绿色像素层402；在蓝色像素区内的LED光源表面不沉积材料，该处无实体的区域作为蓝色像素层；
(2)涂布包覆驱动电路20、LED阵列层30和像素阵列层40的封装胶水，固化后形成封装层50，得到所述量子点显示器件；
其中，所述电沉积的方法为采用一步沉积法同时沉积红光复合量子点层和绿光复合量子点层，具体步骤如下：
将制备例1提供的带正电的红光复合量子点溶液和制备例4提供的带负电的绿光复合量子点溶液混合，将所述叠层结构置于该混合溶液中，通过所述驱动电路20对红色像素区内的LED光源施加负电压，对绿色像素区内的LED光源施正负电压，电压差为2V，电流密度为5A/dm2，持续30min，同时在红色像素区内的LED光源上沉积出红光复合量子点层，作为红色像素层401，绿色像素区内的LED光源上沉积出绿光复合量子点层，作为绿色像素层402，蓝色像素区内的LED光源不进行沉积；将沉积了红光、绿光复合量子点层的叠层结构取出，烘干，进行加热，加热的温度100℃，使已沉积的红光、绿光复合量子点分别稳定附着在红色、绿色像素区内的LED光源上。
本实施例采用复合量子点结合电沉积工艺，可以直接在每一个像素级LED光源上相互独立地沉积出复合量子点层，实现高色域全彩显示；与现有复杂的光刻工艺相比，该方法简单、成本低且精度高，利于量子点显示器件的批量化生产；制备的量子点显示器件无滤光片，有助于提升光通过率和显示光效，降低器件整体功耗。
实施例4
本实施例提供一种量子点显示器件，其结构如图13和图12所示，包括：依次层叠的基板10、驱动电路20、LED阵列层30和像素阵列层40；
所述量子点显示器件的显示区域包括红色像素区、绿色像素区和蓝色像素区；
所述LED阵列层30包括多个呈像素阵列排布的LED光源301(LED光源301是通过导电的焊接材料焊接在基板10和驱动电路上20上，焊接材料在图中未示出)，所述驱动电路2用于驱动所述LED光源301，所述LED光源301为蓝光LED；
所述LED光源301的结构如图3所示，包括衬底3016、N型半导体3014、发光层3015、P型半导体3013、P电极3011和N电极3012，其中，衬底3016与像素阵列层40相接，P电极3011和N电极3012与驱动电路20相接；
所述像素阵列层40包括红色像素层401、绿色像素层402和蓝色像素层；
所述红色像素层401位于所述红色像素区内的LED光源表面；
所述绿色像素层402位于所述绿色像素区内的LED光源表面；
位于所述蓝色像素区内的LED光源表面无复合量子点层，可以透射LED光源301发出的蓝光，为了方便说明量子点显示器件的结构，将该处LED光源表面无实体的区域称为蓝色像素层；
所述红色像素层401的材料为制备例1提供的红光复合量子点；
所述绿色像素层402的材料为制备例3提供的绿光复合量子点。
本实施例提供的量子点显示器件的制备方法如下：
提供基板、驱动电路和LED阵列层的叠层结构(其结构如图4所示)，通过电沉积在红色像素区内的LED光源表面沉积红光复合量子点层，作为红色像素层401；在绿色像素区内的LED光源表面沉积绿光复合量子点层，作为绿色像素层402；在蓝色像素区内的LED光源表面不沉积材料，该处无实体的区域作为蓝色像素层；得到所述量子点显示器件；
其中，所述电沉积的方法为采用单独沉积法分别沉积红光复合量子点层和绿光复合量子点层，具体步骤如下：
将所述叠层结构置于制备例1提供的带正电的红光复合量子点溶液中，通过所述驱动电路20对红色像素区内的LED光源施加负电压，对制备例1提供的带正电的红光复合量子点溶液施加正电压，电压差为12V，电流密度为5A/dm2，持续10min，在红色像素区内的LED光源表面沉积出红光复合量子点层，作为红色像素层401，将沉积了红光复合量子点层的叠层结构取出，烘干，紫外光照下进行固化，使已沉积的红光复合量子点稳定附着在红色像素区内的LED光源上；
将沉积了红光复合量子点层的叠层结构置于制备例3提供的带正电的绿光复合量子点溶液中，通过所述驱动电路20对绿色像素区内的LED光源施加负电压，对制备例3提供的带正电的绿光复合量子点溶液施加正电压，电压差为2V，电流密度为5A/dm2，持续20min，在绿色像素区内的LED光源表面沉积出绿光复合量子点层，作为绿色像素层402，将沉积了红光、绿光复合量子点层的叠层结构取出，烘干，紫外光照下进行固化，使已沉积的绿光复合量子点稳定附着在绿色像素区内的LED光源上；
蓝色像素区内的LED光源不进行沉积。
本实施例中，也可以先沉积绿光复合量子点层，后沉积红光复合量子点层，沉积顺序对制备的量子点显示器件没有影响。
本实施例采用复合量子点结合电沉积工艺，可以直接在每一个像素级LED光源上相互独立地沉积出复合量子点层，实现高色域全彩显示；与现有复杂的光刻工艺相比，该方法简单、成本低且精度高，利于量子点显示器件的批量化生产；制备的量子点显示器件无滤光片，有助于提升光通过率和显示光效，降低器件整体功耗。
实施例5
本实施例提供一种量子点显示器件，其结构如图14和图15所示，包括：依次层叠的基板10、驱动电路20、LED阵列层30、像素阵列层40，以及包覆所述驱动电路20、LED阵列层30和像素阵列层40的封装层50；
所述量子点显示器件的显示区域包括红色像素区、绿色像素区、蓝色像素区和白色像素区；
所述LED阵列层30包括多个呈像素阵列排布的LED光源301(LED光源301是通过导电的焊接材料焊接在基板10和驱动电路上20上，焊接材料在图中未示出)，所述驱动电路2用于驱动所述LED光源301，所述LED光源301为紫外LED；
所述LED光源301的结构如图3所示，包括衬底3016、N型半导体3014、发光层3015、P型半导体3013、P电极3011和N电极3012，其中，衬底3016与像素阵列层40相接，P电极3011和N电极3012与驱动电路20相接；
所述像素阵列层40包括红色像素层401、绿色像素层402、蓝色像素层403和白色像素层404；每两个红色像素层401、两个绿色像素层402、一个蓝色像素层403和一个白色像素层404构成一个显示单元；
所述红色像素层401位于所述红色像素区内的LED光源表面；
所述绿色像素层402位于所述绿色像素区内的LED光源表面；
所述蓝色像素层403位于所述蓝色像素区内的LED光源表面；
所述白色像素层404位于所述白色像素区内的LED光源表面；
所述红色像素层401的材料为制备例1提供的红光复合量子点；
所述绿色像素层402的材料为制备例4提供的绿光复合量子点；
所述蓝色像素层403的材料为制备例5提供的蓝光复合量子点；
所述白色像素层404为红光复合量子点子层4041、绿光复合量子点子层4042和蓝光复合量子点子层4043的叠层，位于白色像素区的量子点显示器件的结构如图16所示；
红光复合量子点子层4041、绿光复合量子点子层4042、蓝光复合量子点子层4043的材料分别为制备例1提供的红光复合量子点、制备例4提供的绿光复合量子点、制备例5提供的蓝光复合量子点。
本实施例提供的量子点显示器件的制备方法如下：
(1)提供基板、驱动电路和LED阵列层的叠层结构(其结构如图4所示)，按照实施例1的方法，在红色像素区内的LED光源表面沉积红光复合量子点层，作为红色像素层401；在绿色像素区内的LED光源表面沉积绿光复合量子点层，作为绿色像素层402；在蓝色像素区内的LED光源表面沉积蓝光复合量子点层，作为蓝色像素层403；
(2)采用单独沉积法在白色像素区内的LED光源表面逐层沉积红光复合量子点子层4041、绿光复合量子点子层4042和蓝光复合量子点子层4043的叠层，作为白色像素层404；
其中，红光复合量子点子层4041的沉积条件为电压差为10V，电流密度为7A/dm2，持续10min；绿光复合量子点子层4042的沉积条件为电压差为8V，电流密度为5A/dm2，持续20min；蓝光复合量子点子层4043的沉积条件为电压差为8V，电流密度为10A/dm2，持续5min；
(3)涂布包覆驱动电路20、LED阵列层30和像素阵列层40的封装胶水，固化后形成封装层50，得到所述量子点显示器件。
本实施例采用复合量子点结合电沉积工艺，可以直接在每一个像素级LED光源上相互独立地沉积出复合量子点层，实现高色域全彩显示；与现有复杂的光刻工艺相比，该方法简单、成本低且精度高，利于量子点显示器件的批量化生产；制备的量子点显示器件无滤光片，有助于提升光通过率和显示光效，降低器件整体功耗。
实施例6
本实施例提供一种量子点显示器件，其结构如图17和图18所示，包括：依次层叠的基板10、驱动电路20、LED阵列层30、像素阵列层40，以及包覆所述驱动电路20、LED阵列层30和像素阵列层40的封装层50；
所述量子点显示器件的显示区域包括红色像素区、绿色像素区、蓝色像素区和白色像素区；
所述LED阵列层30包括多个呈像素阵列排布的LED光源301(LED光源301是通过导电的焊接材料焊接在基板10和驱动电路上20上，焊接材料在图中未示出)，所述驱动电路2用于驱动所述LED光源301，所述LED光源301为蓝光LED；
所述LED光源301的结构如图3所示，包括衬底3016、N型半导体3014、发光层3015、P型半导体3013、P电极3011和N电极3012，其中，衬底3016与像素阵列层40相接，P电极3011和N电极3012与驱动电路20相接；
所述像素阵列层40包括红色像素层401、绿色像素层402、蓝色像素层和白色像素层404；每两个红色像素层401、两个绿色像素层402、一个蓝色像素层和一个白色像素层404构成一个显示单元；
所述红色像素层401位于所述红色像素区内的LED光源表面；
所述绿色像素层402位于所述绿色像素区内的LED光源表面；
位于所述蓝色像素区内的LED光源表面无复合量子点层，可以透射LED光源301发出的蓝光，为了方便说明量子点显示器件的结构，将该处LED光源表面无实体的区域称为蓝色像素层；
所述白色像素层404位于所述白色像素区内的LED光源表面；
所述红色像素层401的材料为制备例1提供的红光复合量子点；
所述绿色像素层402的材料为制备例4提供的绿光复合量子点；
所述白色像素层404为红光复合量子点子层4041和绿光复合量子点子层4042的叠层，位于白色像素区的量子点显示器件的结构如图19所示；
红光复合量子点子层4041、绿光复合量子点子层4042的材料分别为制备例1提供的红光复合量子点、制备例4提供的绿光复合量子点。
本实施例提供的量子点显示器件的制备方法如下：
(1)提供基板、驱动电路和LED阵列层的叠层结构(其结构如图4所示)，按照实施例3的方法，在红色像素区内的LED光源表面沉积红光复合量子点层，作为红色像素层401；在绿色像素区内的LED光源表面沉积绿光复合量子点层，作为绿色像素层402；在蓝色像素区内的LED光源表面不沉积材料，该处无实体的区域作为蓝色像素层；
(2)采用单独沉积法在白色像素区内的LED光源表面逐层沉积红光复合量子点子层4041和绿光复合量子点子层4042的叠层，作为白色像素层404；
其中，红光复合量子点子层4041的沉积条件为电压差为10V，电流密度为6A/dm2，持续10min；绿光复合量子点子层4042的沉积条件为电压差为1V，电流密度为10A/dm2，持续10min；
(3)涂布包覆驱动电路20、LED阵列层30和像素阵列层40的封装胶水，固化后形成封装层50，得到所述量子点显示器件。
本实施例采用复合量子点结合电沉积工艺，可以直接在每一个像素级LED光源上相互独立地沉积出复合量子点层，实现高色域全彩显示；与现有复杂的光刻工艺相比，该方法简单、成本低且精度高，利于量子点显示器件的批量化生产；制备的量子点显示器件无滤光片，有助于提升光通过率和显示光效，降低器件整体功耗。
申请人声明，以上所述仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，所属技术领域的技术人员应该明了，任何属于本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，均落在本发明的保护范围和公开范围之内。

Claims (10)

1.一种量子点显示器件，其特征在于，所述量子点显示器件包括：依次层叠的基板、驱动电路、LED阵列层和像素阵列层；
所述量子点显示器件的显示区域包括红色像素区、绿色像素区和蓝色像素区；
所述LED阵列层包括多个呈像素阵列排布的LED光源，所述驱动电路用于驱动所述LED光源，所述LED光源为蓝光LED或紫外LED；
所述像素阵列层包括红色像素层、绿色像素层和蓝色像素层；
所述红色像素层位于所述红色像素区内的LED光源表面；
所述绿色像素层位于所述绿色像素区内的LED光源表面；
所述蓝色像素层位于所述蓝色像素区内的LED光源表面；
所述红色像素层的材料为红光复合量子点；
所述绿色像素层的材料为绿光复合量子点；
所述LED光源为蓝光LED，所述蓝色像素层为蓝光透射层；所述LED光源为紫外LED时，所述蓝色像素层的材料为蓝光复合量子点；
所述红光复合量子点、绿光复合量子点、蓝光复合量子点均包括内核、包裹所述内核的包覆层，以及连接在所述包覆层外表面的配体；
所述内核为红光量子点、绿光量子点或蓝光量子点，所述配体为具有离子键的有机盐，所述红光复合量子点、绿光复合量子点、蓝光复合量子点在所述配体解离的状态下呈正电性或负电性。
2.根据权利要求1所述的量子点显示器件，其特征在于，所述量子点显示器件的显示区域还包括白色像素区，所述像素阵列层还包括位于所述白色像素区内的LED光源表面的白色像素层；
所述LED光源为蓝光LED时，所述白色像素层为所述红光复合量子点和绿光复合量子点的混合层，或者红光复合量子点层和绿光复合量子点层的叠层；
所述LED光源为紫外LED时，所述白色像素层为所述红光复合量子点、绿光复合量子点和蓝光复合量子点的混合层，或者红光复合量子点层、绿光复合量子点层和蓝光复合量子点层的叠层。
3.根据权利要求1或2所述的量子点显示器件，其特征在于，所述量子点显示器件还包括包覆所述驱动电路、LED阵列层和像素阵列层的封装层。
4.根据权利要求1-3任一项所述的量子点显示器件，其特征在于，所述红光量子点、绿光量子点和蓝光量子点为AxMyEz体系材料；
其中，A元素选自Ba、Ag、Na、Fe、In、Cd、Zn、Ga、Mg、Pb和Cs中的一种或至少两种的组合；
M元素选自S、Cl、O、As、N、P、Se、Te、Ti、Zr和Pb中的一种或至少两种的组合；
E元素选自S、As、Se、O、Cl、Br和I中的一种或至少两种的组合；
x为0.3～2.0，y为0.5～3.0，z为0～4.0。
5.根据权利要求1-4任一项所述的量子点显示器件，其特征在于，所述包覆层的材料为高分子材料、金属氧化物、金属硫化物、金属或金属合金；
优选地，所述高分子材料选自PMA、PVDF、长链磷酸酯中的一种或至少两种的组合；
优选地，所述长链磷酸酯为碳原子数为16-18的磷酸酯；
优选地，所述金属氧化物选自ZnO、SiO2、TiO2或MgO中的一种或至少两种的组合；
优选地，所述金属硫化物选自ZnS、CdS或TeS中的一种或至少两种的组合；
优选地，所述金属选自Ti、Zr、Zn、Cd或Te中的一种或至少两种的组合；
优选地，所述具有离子键的有机盐包括有机负离子盐或有机正离子盐；
优选地，所述有机负离子盐包括有机酸盐；
优选地，所述有机酸盐包括醋酸钠、乙吡啶酸盐或乙醇钠中一种或至少两种的组合；
优选地，所述有机正离子盐包括有机铵盐；
优选地，所述有机铵盐包括溴化四丁基铵盐、溴化铵、氯化铵或硫酸铵的一种或至少两种的组合。
6.根据权利要求1-5任一项所述的量子点显示器件，其特征在于，所述红光量子点的粒径为6-12nm，绿光量子点的粒径为3-6nm、蓝光量子点的粒径为1-3nm。
7.根据权利要求1-6任一项所述的量子点显示器件，其特征在于，所述红光复合量子点、绿光复合量子点、蓝光复合量子点的制备方法如下：
a：向红光量子点、绿光量子点或蓝光量子点中滴加包覆层材料，控制pH、反应温度和反应时间，使所述包覆层材料包覆在所述红光量子点、绿光量子点或蓝光量子点表面，形成包覆层，得到量子点/包覆层核壳材料；
b：将步骤a得到的量子点/包覆层核壳材料和配体分散于溶剂中，控制pH、反应温度和反应时间，使所述配体连接到所述包覆层表面，得到所述红光复合量子点、绿光复合量子点或蓝光复合量子点的溶液。
8.根据权利要求7所述的量子点显示器件，其特征在于，步骤a中所述pH PH为5.5-11，反应温度为240-320℃，反应时间为0.5～10min；
优选地，步骤b中所述pH为7-10，反应温度为120-320℃，反应时间为3-120min；
优选地，步骤b所述溶剂为十八烯、正己烷、正辛烷、油氨、正十二硫醇、1-辛硫醇或三辛胺中一种或至少两种的组合。
9.一种如权利要求1-8任一项所述的量子点显示器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：
提供基板、驱动电路和LED阵列层的叠层结构，通过电沉积在红色像素区内的LED光源表面沉积红光复合量子点层，作为红色像素层；在绿色像素区内的LED光源表面沉积绿光复合量子点层，作为绿色像素层；在蓝色像素区内的LED光源表面沉积蓝光复合量子点层或不进行沉积，作为蓝色像素层；得到所述量子点显示器件；
所述电沉积的方法为单独沉积法，所述单独沉积法为：选择红光复合量子点层、绿光复合量子点层和蓝光复合量子点层中的一种，将所述叠层结构置于待沉积的复合量子点的溶液中，通过所述驱动电路对待沉积的LED光源施加与所述待沉积的复合量子点电性相反的电压，对所述待沉积的复合量子点的溶液施加与所述待沉积的复合量子点电性相同的电压，进行沉积；
优选地，所述电沉积电压为1～12V，电流密度为5～10A/dm2，沉积时间为0.5～30min。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括在白色像素区内的LED光源表面沉积白色像素层；
所述白色像素层的沉积方法为：将所述叠层结构置于电性相同的红光复合量子点和绿光复合量子点的混合溶液中，或置于电性相同的红光复合量子点、绿光复合量子点和蓝光复合量子点的混合溶液中，通过所述驱动电路对白色像素区内的LED光源施加与待沉积的复合量子点电性相反的电压，对所述混合溶液施加与待沉积的复合量子点电性相同的电压，进行沉积；
或者按照所述单独沉积法，在白色像素区内的LED光源表面逐层沉积出红光复合量子点层和绿光复合量子点层的叠层，或逐层沉积出红光复合量子点层、绿光复合量子点层和蓝光复合量子点层的叠层；
优选地，所述制备方法还包括：在每一次电沉积之后，将沉积后的叠层结构取出，干燥，进行加热、冷冻或光照；
优选地，所述加热的温度为80～150℃；
优选地，所述冷冻为在-40℃以下冷冻；
优选地，所述光照为230-395nm的紫外光照下进行固化；
优选地，所述制备方法还包括：在像素阵列层制备完成之后，涂布包覆所述驱动电路、LED阵列层和像素阵列层的封装胶水，固化后形成封装层。
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