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CN112713247A - 显示装置 - Google Patents

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CN112713247A
CN112713247A CN202011139677.5A CN202011139677A CN112713247A CN 112713247 A CN112713247 A CN 112713247A CN 202011139677 A CN202011139677 A CN 202011139677A CN 112713247 A CN112713247 A CN 112713247A
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CN
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layer
display device
hole
organic
inorganic
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CN202011139677.5A
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具东成
康东旭
金京汉
成翼重
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Samsung Display Co Ltd
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Samsung Display Co Ltd
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Abstract

显示装置包括：第一通孔；在第一通孔周围的显示区中的多个像素；第一层，该第一层在第一通孔和显示区之间的中间区中并且包括第一孔或凹陷；和第二层，该第二层在第一层上并且包括与第一孔或凹陷重叠的第二孔，并且第二层包括比限定第一孔或凹陷的第一层的内部表面进一步朝向第二孔的中心延伸的尖端，多个像素中的每一个包括发光二极管，该发光二极管包括像素电极、相对电极以及在像素电极和相对电极之间的中间层，并且中间层的至少一个有机材料层在尖端处断开。

Description

显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年10月24日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2019-0133261号的优先权和权益，其全部公开通过引用并入本文。
技术领域
一个或多个实施方式的方面涉及显示装置。
背景技术
显示装置已经用于各种目的。而且，因为显示装置的厚度和重量已经减少，所以显示装置的利用范围已经增加。
在显示装置中，在增加显示区的同时，添加至关联至显示装置的各种功能正在被添加。作为在增加区的同时添加各种功能的方法，已经持续进行对在显示区中具有用于提供除了图像显示之外的其他各种功能的区的显示装置的研究。
发明内容
根据一个或多个实施方式的方面，显示装置包括在显示区内侧的其中放置组件的透射区。一个或多个实施方式包括改善在具有透射区的显示装置中防止水分渗透的性能的结构。然而，上述方面提供为示例，并且本公开的范围不限于此。
另外的方面将部分地在随后的描述中阐述，并且，将部分地从描述中显而易见，或可通过实践本公开呈现的实施方式而获知。
根据一个或多个实施方式，显示装置包括：第一通孔；在第一通孔周围的显示区中的多个像素，多个像素包括彼此隔开的两个像素，第一通孔在两个像素之间；第一通孔和显示区之间的中间区中的第一层，第一层包括第一孔或凹陷；和第一层上的第二层，第二层包括与第一孔或凹陷重叠的第二孔，其中第二层包括比第一层的内部表面进一步朝向第二孔的中心延伸的尖端，内部表面限定第一孔或凹陷，多个像素中的每一个包括发光二极管，该发光二极管包括像素电极、相对电极以及在像素电极和相对电极之间的中间层，并且中间层的至少一个有机材料层在尖端处断开。
至少一个有机材料层可包括选自空穴传输层、空穴注入层、电子注入层和电子传输层中的一个或多个。
相对电极可在尖端处断开。
第一层可包括有机绝缘材料，并且第二层可包括金属。
显示装置可进一步包括其上布置多个像素的基板，以及在基板和像素电极之间的至少一个无机绝缘层。
第一层可在至少一个无机绝缘层上，并且第二层可越过第一层与至少一个无机绝缘层的上表面直接接触。
显示装置可进一步包括在至少一个无机绝缘层和像素电极之间的至少一个有机绝缘层，并且第一层可包括与至少一个有机绝缘层中包括的材料相同的材料。
基板的一部分可围绕沿着弯曲区延伸的弯曲轴弯曲，并且至少一个无机绝缘层可包括在弯曲区中的开口。
显示装置可进一步包括在至少一个无机绝缘层的开口中的有机绝缘层，并且第一层可包括与有机绝缘层中包括的材料相同的材料。
显示装置可进一步包括在第二层上的无机钝化层。
无机钝化层可连续覆盖第二层的侧表面和底表面以及第一层的内部表面。
根据一个或多个实施方式，显示装置包括：基板；基板上的显示层，显示层包括多个像素；显示层上的薄膜封装层，薄膜封装层包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层；在多个像素中的两个相邻的像素之间的第一通孔，第一通孔穿透基板、显示层和薄膜封装层；和在第一通孔周围的第一槽，第一槽限定在第一层和第一层上的第二层中，其中第一槽包括在第一层中的第一孔或凹陷和在第二层中的第二孔，第二层包括比第一层的内部表面进一步朝向第二孔的中心延伸的尖端，内部表面限定第一孔或凹陷，并且在显示层中的至少一个有机材料层在第一槽处断开。
多个像素中的每一个可包括发光二极管，该发光二极管包括像素电极、相对电极以及在像素电极和相对电极之间的发射层，并且至少一个有机材料层可在像素电极和相对电极之间。
至少一个有机材料层可包括选自空穴传输层、空穴注入层、电子注入层和电子传输层中的一个或多个。
显示层可包括在基板和像素电极之间的至少一个无机绝缘层，并且第一层可在至少一个无机绝缘层上。
第一层可包括有机绝缘材料。
第二层可越过第一层与至少一个无机绝缘层的上表面直接接触。
第二层可包括金属或无机绝缘材料。
显示装置可进一步包括在第二层上的无机钝化层。
无机钝化层可连续覆盖第二层的侧表面和底表面以及第一层的内部表面。
基板的一部分可围绕沿着弯曲区延伸的弯曲轴弯曲，并且至少一个无机绝缘层可包括在弯曲区中的开口。
显示装置可进一步包括在至少一个无机绝缘层的开口中的有机绝缘层，并且第一层可包括与有机绝缘层中包括的材料相同的材料。
显示装置可进一步包括在第一通孔周围的第二槽，以及在第一槽和第二槽之间的屏障壁。
屏障壁可包括堆叠的多个屏障壁层，并且间隙层可在多个屏障壁层中的两个相邻的屏障壁层之间，间隙层包括金属。
间隙层可包括第一层和第一层下方的第二层，第一层具有比第二层的边缘向外突出更多的边缘，并且至少一个有机材料层可在通过第一层的边缘和第二层的边缘形成的檐结构处断开。
通过所附附图、权利要求和详细描述，本公开的其他方面、特征和优势将变得更好理解。
附图说明
本公开的某些实施方式的上述和其他方面、特征和优势将从结合所附附图的下述描述中更显而易见，其中：
图1为根据实施方式的显示装置的透视图；
图2为沿着图1的线II-II’截取的根据实施方式的显示装置的截面图；
图3为包括根据实施方式的显示装置的电子装置的截面图；
图4为根据实施方式的显示面板的平面图；
图5为根据实施方式的显示面板中的基板的透视图；
图6为根据实施方式的显示面板中的像素的等效电路图；
图7为部分地示出根据实施方式的显示面板的平面图；
图8为根据实施方式的显示装置的截面图；
图9和图10为根据一些实施方式的槽结构的截面图；
图11为根据实施方式的显示面板的截面图；
图12为部分地示出根据实施方式的显示装置的截面图；
图13至图15为示出根据一些实施方式的槽结构的截面图；并且
图16为示出屏障壁的图12的区域XVI的放大的截面图。
具体实施方式
现将更详细地参考实施方式，在所附附图中阐释实施方式的一些示例，其中相同的附图标记通篇指相同的元件。就此而言，本实施方式可具有不同的形式并且不应解释为限于本文阐述的描述。因此，通过参考图，下面只是描述一些示例实施方式，以解释本描述的方面。如本文使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关的列举项目的任何和所有组合。本公开通篇中，表述“a、b和c中的至少一个”指示仅a、仅b、仅c、a和b二者、a和c二者、b和c二者、所有的a、b和c，或其变化。
下面将参考所附附图进一步详细地描述一些示例实施方式。无论图怎样，相同的或对应的那些组件被提供相同的附图标记，并且可省略冗余的解释。
尽管如“第一”、“第二”等这种术语可用于描述各种组件，但是这种组件不受上述术语的限制。上述术语用于区分一个组件与另一个组件。
以单数使用的表述涵盖复数的表述，除非其在上下文中具有明显不同的含义。
在本说明书中，应理解，术语“包含”、“具有”和“包括”旨在指示存在说明书中公开的特征、数字、步骤、动作、组件、部件或其组合，但是不旨在排除可存在或可添加一个或多个其他特征、数字、步骤、动作、组件、部件或其组合的可能性。
应理解，当层、区域或组件被称为“在”另一层、区域或组件“上形成”时，其可直接或间接在另一层、区域或组件上形成。即，例如，可存在一个或多个中间层、区域或组件。
为了方便解释，可放大附图中的组件的尺寸。换句话说，因为为了方便解释，可随意阐释附图中的组件的尺寸和厚度，所以实施方式不限于此。
当可不同地实施某一实施方式时，具体的工艺顺序可与描述的顺序不同地执行。例如，两个连续描述的工艺可基本上同时执行或以与描述的顺序相反的顺序执行。
在下面的实施方式中，当层、区或元件等称为“连接”时，应理解，它们可直接连接，或可在层、区或元件等之间存在一个或多个中间部分。例如，当层、区或元件等称为“电连接”时，它们可直接电连接，或层、区或元件等可间接电连接并且可存在一个或多个中间部分。
除非另外限定，否则本文使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明构思的示例实施方式所属领域的普通技术人员通常理解的相同含义。应进一步理解，术语，比如在常用词典中限定的那些，应解释为具有与它们在相关领域的语境下的含义一致的含义，并且将不以理想的或过于正式的意义解释，除非本文明确地如此限定。
图1为根据实施方式的显示装置1的透视图。
参考图1，显示装置1可包括显示区DA和在显示区DA周围(例如，环绕显示区DA)的外周区PA。透射区TA和在透射区TA周围(例如，环绕透射区TA)的中间区MA可在显示区DA内侧。
多个像素，例如，像素的阵列，可在显示区DA中。显示区DA可经像素的阵列显示图像。显示区DA对应于显示图像的有效区。在实施方式中，显示区DA可完全环绕透射区TA。
可向显示装置1提供各种功能中的任一种的组件可在透射区TA中。例如，当组件包括使用光的传感器、摄影机等时，从传感器发射的光或行进至传感器的光或朝向摄影机行进的光可穿过透射区TA。
中间区MA在透射区TA和显示区DA之间，并且可在透射区TA周围(例如，环绕透射区TA)。中间区MA可为其中未放置像素的一类非显示区。配置为向邻近于透射区TA的像素提供信号或电压(例如，预定的信号或电压)的线可在中间区MA中。稍后将描述的槽可在中间区MA中。
与中间区MA相同，外周区PA可为其中未放置像素的一类非显示区。各种种类的线、电路等可在外周区PA中。
在实施方式中，显示装置1中的像素中的每一个可包括发光二极管，作为发射某一颜色(例如，预定的颜色)的光的显示元件。在实施方式中，发光二极管可包括有机发光二极管，有机发光二极管包括有机材料作为发射层。在另一实施方式中，发光二极管可包括无机发光二极管。在另一实施方式中，发光二极管可包括量子点作为发射层。本文中，为了方便描述，将描述其中发光二极管包括有机发光二极管的情况。
图1示出透射区TA在显示装置1的宽度方向(例如，±x方向)上在显示区DA的中心处，但是实施方式不限于此。在另一实施方式中，透射区TA可在显示装置1的宽度方向上偏向左侧或右侧。在另一实施方式中，透射区TA可在显示装置1的纵向方向(例如，±y方向)上在各种位置中的任一个(例如，上侧、中间侧或下侧)处。
图1示出显示装置1可包括一个透射区TA，但是，在另一实施方式中，显示装置1可包括多个透射区TA。
图2为沿着图1的线II-II’截取的显示装置1的截面图；并且图3为包括根据实施方式的显示装置1的电子装置2的截面图。
参考图2，在实施方式中，显示装置1可包括显示面板10，以及在显示面板10的上表面上的输入感测部40和光学功能部50。在实施方式中，窗60可经例如光学透明粘合剂OCA粘合至其下方的元件，例如，光学功能部50。
显示面板10可包括显示区DA中的多个发光二极管。显示面板10可包括用于向多个发光二极管中的每一个提供信号或电压的线(例如，数据线、扫描线、驱动电压线、公共电压线等)和分别电连接至多个发光二极管的晶体管。
输入感测部40可根据外部输入(例如，触摸事件)获得坐标信息。输入感测部40可包括触摸电极和连接至触摸电极的迹线。输入感测部40可在显示面板10上。输入感测部40可通过互电容方法或自电容方法感测外部输入。
在实施方式中，输入感测部40可直接在显示面板10上。在另一实施方式中，输入感测部40可单独制造并且经粘合剂层(比如光学透明粘合剂OCA)联接至显示面板10。在实施方式中，如图2中示出，输入感测部40可直接在显示面板10上，并且，在该情况下，粘合剂层可不在输入感测部40和显示面板10之间。
在实施方式中，光学功能部50可包括抗反射层。抗反射层可减少经窗60从外侧入射至显示面板10的光(外部光)的反射率。在实施方式中，抗反射层可包括延迟器和偏振器。延迟器可为膜型或液晶涂层型，并且可包括λ/2延迟器和/或λ/4延迟器。偏振器可为膜型或液晶涂层型。膜型偏振器可包括拉伸的合成树脂膜，并且液晶涂层型偏振器可包括以某一定向布置的液晶。延迟器和偏振器可进一步包括保护膜。
在另一实施方式中，抗反射层可包括包含黑矩阵和滤色器的结构。可考虑从显示面板10中的像素中的每一个发射的光的颜色来布置滤色器。在另一实施方式中，抗反射层可包括相消干涉结构。相消干涉结构可包括布置在不同层上的第一反射层和第二反射层。分别被第一反射层和第二反射层反射的第一反射光和第二反射光可彼此相消干涉，并且因此可减少外部光的反射率。
在实施方式中，光学功能部50可包括透镜层。透镜层可改善从显示面板10发射的光的发光效率或可减少色差。透镜层可包括具有凹透镜或凸透镜形状的层和/或可包括具有不同折射率的多个层。光学功能部50可包括抗反射层和透镜层二者，或可包括抗反射层或透镜层。
参考图3，显示装置1可包括在各种类型的电子装置2(例如，移动电话、平板PC、膝上型电脑、智能手表等)中。电子装置2包括具有内部空间的外壳HS，并且显示面板10可在外壳HS中。窗60可联接至外壳HS。如上所述，输入感测部40和光学功能部50在显示面板10的上表面上。
组件CP在外壳HS中并且可放置在显示面板10和外壳HS的内部底表面之间。组件CP可在透射区TA中。透射区TA可被称为其中放置组件CP的组件区。
组件CP可包括电子元件。例如，组件CP可为使用光的电子元件。例如，电子元件可包括接收光的传感器，比如，红外线传感器、通过接收光捕获图像的摄影机、用于输出和感测光以测量距离或识别指纹的传感器、照射光的小型灯等。
使用光的电子元件可使用各种波长带的光，比如可见光，红外线，紫外线等。在实施方式中，当组件CP包括摄影机时，显示装置1在透射区TA中的透射率可为约70％或更大。在另一实施方式中，当组件CP包括传感器时，显示装置1在透射区TA中的透射率可小于70％，例如，约50％或更大，或60％或更大。
在实施方式中，为了防止或基本上防止由于在从组件CP发射或朝向组件CP行进的光的行进路径上的元件而导致透射率降低，显示装置1可包括开口OP(见图2)。可通过部分地去除显示装置1中包括的元件(例如，显示面板10、输入感测部40、光学功能部50和窗60)中的至少一个，而制造开口OP。在实施方式中，图2示出显示面板10、输入感测部40和光学功能部50分别包括限定开口OP的第一通孔至第三通孔10H、40H和50H。
参考图2，显示面板10包括从显示面板10的上表面通到底表面的第一通孔10H，输入感测部40包括从输入感测部40的上表面通到底表面的第二通孔40H，并且光学功能部50包括从光学功能部50的上表面通到底表面的第三通孔50H。第一通孔至第三通孔10H、40H和50H在透射区TA中并且可彼此重叠。
图4为根据实施方式的显示面板10的平面图；并且图5为根据实施方式的显示面板10中的基板100的透视图。
参考图4，显示面板10包括在基板100上的像素P。像素P在显示区DA中以提供图像。像素P中的每一个可包括可发射某一颜色的光的显示元件，例如，发光二极管。
第一通孔10H可在显示区DA中。因为第一通孔10H在显示区DA中，所以像素P可在第一通孔10H的相对侧处。例如，第一通孔10H可在两个相邻的像素P之间。
中间区MA可具有在第一通孔10H周围(例如，环绕第一通孔10H)的某一区。配置为将信号或电压施加至在第一通孔10H周围的像素P的线(例如，数据线、扫描线、驱动电压线等)可部分地在中间区MA中。中间区MA可包括如稍后描述的槽，该槽为用于防止或基本上防止水分渗入的结构。
外周区PA可在显示区DA周围(例如，环绕显示区DA)。扫描驱动器、数据驱动器等可在外周区PA中。焊盘PAD可在外周区PA中。焊盘PAD可邻近于基板100的边缘。在实施方式中，焊盘PAD未被绝缘层覆盖，而是被暴露并且电连接至柔性印刷电路板FPCB。柔性印刷电路板FPCB将控制器电连接至焊盘PAD并且可向焊盘PAD供应从控制器传送的信号或电功率。在一些实施方式中，数据驱动器可在柔性印刷电路板FPCB中。为了将柔性印刷电路板FPCB中的信号或电压传送至像素P，焊盘PAD可连接至多条线20。
在实施方式中，外周区PA可包括弯曲区BA。弯曲区BA可在焊盘PAD和显示区DA之间。弯曲区BA可在与其中线20延伸的方向相交的方向上延伸。弯曲区BA可在与基板100的边缘平行的方向上延伸。基于弯曲区BA，基板100可包括或划分成包括显示区DA的第一区1A和与第一区1A相对的第二区2A。弯曲区BA在第一区1A和第二区2A之间。第一区1A包括显示区DA和外周区PA的一些部分，并且第二区2A可仅包括外周区PA的一部分。
显示面板10可围绕弯曲区BA弯曲。就此而言，图5示出显示面板10的基板100弯曲。基板100围绕在y方向上延伸的弯曲轴BAX弯曲，并且，因此，显示面板10也可与基板100一样弯曲。基板100可包括柔性的或可弯曲的各种材料中的任一种(例如，聚合物树脂)。图5阐释了基板100弯曲，但是显示面板10中包括的基板100上的层也可与基板100一起弯曲。
如图4中示出，线20中的每一个可包括：在弯曲区BA的相对侧处的第一部分21和第二部分22，以及连接第一部分21和第二部分22的第三部分23。第一部分21在显示区DA和弯曲区BA之间，第二部分22可在弯曲区BA和焊盘PAD之间，并且第三部分23可在弯曲区BA中。
当基板100围绕弯曲轴BAX弯曲时，线20可断开，或在线20上和/或下方的层可被剥落。为了防止或基本上防止这种情况，如上所述，线20包括彼此分开的第一部分21和第二部分22，弯曲区BA在第一部分21和第二部分22之间，并且第一部分21和第二部分22可经包括具有相对高柔性的材料的第三部分23彼此连接。
图6为根据实施方式的显示面板中的像素P的等效电路图。
参考图6，发光二极管，例如，有机发光二极管OLED，可连接至像素电路PC。像素电路PC可包括第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2和存储电容器Cst。像素P中的每一个可从有机发光二极管OLED发射光，例如，红光、绿光、蓝光或白光。
第二薄膜晶体管T2为开关薄膜晶体管，并且连接至扫描线SL和数据线DL，并且可配置为基于来自扫描线SL输入的开关电压，将从数据线DL输入的数据电压传送至第一薄膜晶体管T1。存储电容器Cst连接至第二薄膜晶体管T2和驱动电压线PL并且可存储对应于从第二薄膜晶体管T2传送的电压和供应至驱动电压线PL的第一电源电压ELVDD之间的差的电压。
第一薄膜晶体管T1为连接至驱动电压线PL和存储电容器Cst的驱动薄膜晶体管，并且可对应于存储在存储电容器Cst中的电压值而控制从驱动电压线PL流入有机发光二极管OLED中的驱动电流。有机发光二极管OLED可根据驱动电流而发射具有某一亮度的光。有机发光二极管OLED的相对电极(例如，阴极)可接收第二电源电压ELVSS的供应。
图6阐释了像素电路PC包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器，但是实施方式不限于此。薄膜晶体管的数量和存储电容器的数量可取决于像素电路PC的设计而改变。例如，除了上面描述的两个薄膜晶体管之外，像素电路PC可包括四个或更多个薄膜晶体管。
图7为部分地示出根据实施方式的显示面板10的平面图。
参考图7，像素P在显示区DA中，并且第一通孔10H可限定在邻近的像素P之间。例如，在平面图中，像素P在第一通孔10H上方和下方以及在第一通孔10H的左侧和右侧处。
一个或多个槽G可在中间区MA中，以防止或基本上防止水分通过第一通孔10H渗入以及对像素P中的发光二极管的损坏。在实施方式中，多个槽G可提供为同心圆。多个槽G可彼此分开。图7示出两个槽G，但是可提供三个或更多个槽G。
图8为根据实施方式的显示装置的截面图；并且图9和图10为各自示出根据实施方式的槽结构的截面图。在图8中，示出了显示装置中的显示面板10和触摸感测部分，并且为了方便描述，省略了光学功能部。
参考图8，显示面板10(包括：基板100；包括多个像素的阵列的显示层200；和薄膜封装层300)包括对应于透射区TA的第一通孔10H，并且显示面板10上的输入感测部40包括对应于透射区TA的第二通孔40H。第一通孔10H可穿透基板100、显示层200和薄膜封装层300。第一通孔10H和第二通孔40H彼此重叠并且配置上面参考图2描述的开口OP。
参考图8中的显示区DA，基板100可包括聚合物树脂。在实施方式中，基板100可包括包含聚合物树脂的基底层和在基底层上的无机绝缘层。例如，基板100可包括两个基底层和在每个基底层上的无机绝缘层。聚合物树脂可包括聚醚砜、聚芳酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三乙酸纤维素和乙酸丙酸纤维素等中的任一种。
缓冲层201可在基板100上，以防止或基本上防止杂质渗入到薄膜晶体管TFT的半导体层Act中。缓冲层201可包括无机绝缘材料，比如氮化硅、氮氧化硅和/或氧化硅。缓冲层201可具有包括上面描述的无机绝缘材料的单层或多层结构。
像素电路PC可在缓冲层201上。像素电路PC包括薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst。薄膜晶体管TFT可包括半导体层Act、栅电极GE、源电极SE和漏电极DE。
尽管在图8中未示出，但像素电路PC的数据线DL电连接至像素电路PC中的开关薄膜晶体管。在实施方式中，示出了其中栅电极GE在半导体层Act之上的顶栅型晶体管，栅绝缘层203在栅电极GE和半导体层Act之间，但是，在另一实施方式中，薄膜晶体管TFT可为底栅型晶体管。
在实施方式中，半导体层Act可包括多晶硅。在另一实施方式中，半导体层Act可包括非晶硅、氧化物半导体和有机半导体等中的任一种。栅电极GE可包括低电阻金属材料。栅电极GE可包括导电材料，该导电材料包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和钛(Ti)等中的任一种，并且栅电极GE可具有包括上面描述的材料的单层或多层结构。
在半导体层Act和栅电极GE之间的栅绝缘层203可包括无机绝缘材料，比如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪等。栅绝缘层203可具有包括上面描述的材料的单层或多层结构。
在实施方式中，源电极SE和漏电极DE可与数据线DL在相同的层上，并且可包括与数据线DL的材料相同的材料。源电极SE、漏电极DE和数据线DL可包括高导电材料。源电极SE和漏电极DE可包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电材料，并且可具有包括上述材料的单层或多层结构。在实施方式中，源电极SE、漏电极DE和数据线DL可具有包括钛层、铝层和钛层(Ti/Al/Ti)的多层结构。
存储电容器Cst可包括彼此重叠的下电极CE1和上电极CE2，第一层间绝缘层205在它们之间。存储电容器Cst可与薄膜晶体管TFT重叠。就此而言，图8示出其中薄膜晶体管TFT的栅电极GE为存储电容器Cst的下电极CE1的结构。在另一实施方式中，存储电容器Cst可不与薄膜晶体管TFT重叠。存储电容器Cst可被第二层间绝缘层207覆盖。存储电容器Cst的上电极CE2可包括导电材料，比如钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等，并且可具有包括上面描述的材料的单层或多层结构。
第一层间绝缘层205和/或第二层间绝缘层207可各自包括无机绝缘材料，比如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪等。第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207可各自具有包括上面提到的材料的单层结构或多层结构。
包括薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst的像素电路PC可被第一有机绝缘层209覆盖。第一有机绝缘层209可具有平坦的上表面。
像素电路PC可电连接至像素电极221。例如，如图8中示出，接触金属层CM可布置在薄膜晶体管TFT和像素电极221之间。接触金属层CM可经第一有机绝缘层209中的接触孔连接至薄膜晶体管TFT，并且像素电极221可经在接触金属层CM上的第二有机绝缘层211中的接触孔连接至接触金属层CM。接触金属层CM可包括导电材料，该导电材料包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和钛(Ti)等中的任一种，并且可具有单层或多层结构。在实施方式中，接触金属层CM可具有包括Ti/Al/Ti的多层结构。
第一有机绝缘层209和/或第二有机绝缘层211可包括有机绝缘材料，比如一般的聚合物(例如，聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS))、具有酚基团的聚合物衍生物、丙烯酸基类聚合物、酰亚胺基类聚合物、芳基醚基类聚合物、酰胺基类聚合物、氟化物基类聚合物、对二甲苯基类聚合物、乙烯醇基类聚合物和其掺混物中的任一种。在实施方式中，第一有机绝缘层209和/或第二有机绝缘层211可包括聚酰亚胺。
像素电极221可在第二有机绝缘层211上。像素电极221可包括导电氧化物，比如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)。在另一实施方式中，像素电极221可包括反射层，该反射层包括银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或其化合物。在另一实施方式中，像素电极221可进一步包括在反射层上和/或下方的包含ITO、IZO、ZnO或In2O3的透明导电氧化物材料层。
像素限定层215可在像素电极221上。在实施方式中，像素限定层215包括暴露像素电极221的上表面的开口，但是覆盖像素电极221的边缘。在实施方式中，像素限定层215可包括有机绝缘材料。在另一实施方式中，像素限定层215可包括无机绝缘材料，比如氮化硅、氮氧化硅或氧化硅。在另一实施方式中，像素限定层215可包括有机绝缘材料和无机绝缘材料。
中间层222包括发射层222b。中间层222可包括在发射层222b下方的第一功能层222a和/或在发射层222b上的第二功能层222c。发射层222b可包括发射某一颜色(例如，预定的颜色)的光的聚合物有机材料或低分子量有机材料。
第一功能层222a可具有单层或多层结构。例如，当第一功能层222a包括聚合物有机材料时，第一功能层222a可包括具有单层结构的空穴传输层(HTL)，并且可包括聚-(3,4)-亚乙基-二氧噻吩(PEDOT)或聚苯胺(PANI)。当第一功能层222a包括低分子量有机材料时，第一功能层222a可包括空穴注入层(HIL)和HTL。
第二功能层222c为任选的。在实施方式中，例如，当第一功能层222a和发射层222b包括聚合物有机材料时，可形成第二功能层222c。第二功能层222c可具有单层或多层结构。在实施方式中，第二功能层222c可包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。
中间层222的发射层222b可在显示区DA的每个像素中。发射层222b可被图案化为对应于像素电极221。在实施方式中，与发射层222b不同，中间层222中的第一功能层222a和/或第二功能层222c可整体提供在基板100上，以在中间区MA以及显示区DA中。
相对电极223可包括具有低功函数的导电材料。在实施方式中，例如，相对电极223可包括包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或其合金的(半)透明层。在另一实施方式中，相对电极223可进一步包括在包含上述材料的(半)透明层上的包含ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。在实施方式中，相对电极223可整体提供在中间区MA以及显示区DA中。在实施方式中，可通过热蒸发方法制造第一功能层222a、第二功能层222c和相对电极223。
在实施方式中，封盖层230可放置在相对电极223上。例如，封盖层230可包括LiF层并且可通过热蒸发方法形成。在一些实施方式中，可省略封盖层230。
在实施方式中，间隔件217可形成在像素限定层215上，并且可包括有机绝缘材料，比如聚酰亚胺。在另一实施方式中，间隔件217可包括无机绝缘材料，或有机绝缘材料和无机绝缘材料。
间隔件217可包括与像素限定层215的材料不同或相同的材料。在实施方式中，像素限定层215和间隔件217可包括聚酰亚胺。在实施方式中，像素限定层215和间隔件217可通过使用半色调掩模的掩模工艺一起制造。
有机发光二极管OLED可被薄膜封装层300覆盖。在实施方式中，薄膜封装层300可包括至少一个有机封装层和至少一个无机封装层，并且图8示出薄膜封装层300包括第一无机封装层310和第二无机封装层330以及在第一无机封装层310和第二无机封装层330之间的有机封装层320。在另一实施方式中，有机封装层和无机封装层的堆叠顺序和数量可改变。
在实施方式中，第一无机封装层310和第二无机封装层330可包括来自氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的一种或多种无机材料。第一无机封装层310和第二无机封装层330可各自具有包括上面提到的材料的单层结构或多层结构。在实施方式中，有机封装层320可包括聚合物基类材料，并且可包括丙烯酸基类树脂(比如聚甲基丙烯酸酯和聚丙烯酸)、环氧基类树脂、聚酰亚胺、聚乙烯等。在实施方式中，有机封装层320可包括丙烯酸酯聚合物。
第一无机封装层310和第二无机封装层330中包括的材料可彼此不同。例如，第一无机封装层310可包括氮氧化硅并且第二无机封装层330可包括氮化硅。第一无机封装层310和第二无机封装层330可具有不同的厚度。在实施方式中，第一无机封装层310的厚度可大于第二无机封装层330的厚度。在另一实施方式中，第二无机封装层330的厚度可大于第一无机封装层310的厚度，或第一无机封装层310和第二无机封装层330可具有相同的厚度。
参考图8的中间区MA，一个或多个槽G可在中间区MA中。中间层222中包括的有机材料层，例如，第一功能层222a和/或第二功能层222c，可被槽G断开(或分离)。
在实施方式中，槽G可在包括彼此不同材料的第一层240和第二层250中。在实施方式中，第一层240可包括有机绝缘材料，并且第二层250可包括无机绝缘材料或金属。在实施方式中，第二层250可包括金属。
参考图9和图10，第一层240可在第二层间绝缘层207(其为无机绝缘层)上，并且第二层250可在第一层240的上表面上。第一层240的厚度T可大于第二层250的厚度t。
第一层240可包括有机绝缘材料，比如一般的聚合物、具有酚基团的聚合物衍生物、丙烯酸基类聚合物、酰亚胺基类聚合物、芳基醚基类聚合物、酰胺基类聚合物、氟化物基类聚合物、对二甲苯基类聚合物、乙烯醇基类聚合物和其掺混物中的任一种。在一些实施方式中，第一层240可在形成第一有机绝缘层209之前形成，例如在稍后将参考图11描述的形成有机材料层的工艺中形成。
第二层250可与第一层240的上表面直接接触，并且可包括金属。在实施方式中，第二层250可包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等，并且可具有包括上面描述的材料的单层或多层结构。在一些实施方式中，第二层250可包括与数据线DL或薄膜晶体管TFT的源电极SE或漏电极DE中包括的材料相同的材料。
槽G可具有底切结构或檐结构。槽G可包括在第二层250中的第二孔250h和在第一层240中的第一孔240h。在实施方式中，可通过蚀刻(例如，各向同性蚀刻)工艺制造槽G。根据蚀刻程度，如图9中示出形成包括第二层250中的第二孔250h和第一层240中的第一孔240h的槽G，或可如图10中示出形成包括第二层250中的第二孔250h和第一层240中的凹陷240r的槽G。当第一层240包括凹陷240r时，凹陷240r的深度d可小于第一层240的厚度T。在一些实施方式中，凹陷240r的深度d可为约3μm或更大。
在实施方式中，槽G的底表面可与第一层240的底表面或第二层间绝缘层207的上表面齐平，如图9中示出。在另一实施方式中，槽G的底表面可在第一层240的上表面和底表面之间，如图10中示出，或在第一层240的上表面和第二层间绝缘层207的上表面之间。
与限定第一孔240h或凹陷240r的第一层240的内部表面相比，限定第二孔250h的第二层250的端部分可进一步朝向第二孔250h的中心延伸。例如，第二层250可在截面中观察时包括一个尖端251或一对尖端251，该一个尖端251或一对尖端251限定第二孔250h并且比第一层240的内部表面进一步朝向第二孔250h的中心延伸。
尖端251中的每一个可具有第一宽度W1，并且，在实施方式中，第一宽度W1可为约2μm或更大。尖端251的第一宽度W1可对应于在水平方向上从在尖端251正下方的第一层240的上表面的边缘至尖端251的边缘的距离。
可在形成中间层222之前制造具有上述结构的槽G。在基板100上的层中，包括有机材料的层可为水分行进所通过的路径。例如，如图8中示出，当显示面板10包括第一通孔10H时，水分可在与基板100的上表面平行的方向(本文中，称为横向方向)上行进，但是根据实施方式，有机材料层，例如，第一功能层222a和/或第二功能层222c，可由于槽G的檐或底切结构而断开或分离。在实施方式中，可通过热蒸发方法制造第一功能层222a和/或第二功能层222c，并且当沉积第一功能层222a和/或第二功能层222c时，由于尖端251的结构，可不连续地形成第一功能层222a和/或第二功能层222c。
类似地，相对电极223和/或封盖层230可通过热蒸发方法形成，并且由于尖端251的结构，可具有不连续的结构。在实施方式中，图8、图9和图10示出其中第一功能层222a、第二功能层222c、相对电极223和封盖层230在尖端251处断开的结构。在实施方式中，第一功能层222a、第二功能层222c、相对电极223和封盖层230的一些部分可在槽G的底表面上。
在实施方式中，屏障壁PW可在槽G之间。在实施方式中，屏障壁PW可包括顺序堆叠的多个屏障壁层。在实施方式中，屏障壁PW可包括第一屏障壁层PW1、第二屏障壁层PW2和第三屏障壁层PW3，如图8中示出。第一屏障壁层PW1可包括与第一有机绝缘层209的材料相同的材料，第二屏障壁层PW2可包括与第二有机绝缘层211的材料相同的材料，并且第三屏障壁层PW3可包括与像素限定层215和/或间隔件217的材料相同的材料。
屏障壁PW可与第一层240分开。例如，第一屏障壁层PW1、第二屏障壁层PW2和第三屏障壁层PW3可与第一层240分开。在屏障壁PW和第一层240之间，第二层250可越过第一层240，与第一层240下方的无机绝缘层(例如，第二层间绝缘层207)直接接触。第二层250可越过第一层240的外侧表面，与第二层间绝缘层207的上表面直接接触。
在比较例中，当屏障壁PW中包括的层与第一层240接触时，可形成水分行进所通过的有机材料路径。然而，根据实施方式，屏障壁PW中包括的层和第一层240彼此分开，和/或第二层间绝缘层207(即，无机绝缘层)和包括金属的第二层250彼此直接接触，并且，因此，可阻挡水分的行进路径。
与上面参考图7描述的具有环绕第一通孔10H的环形状的槽G相同，其中限定槽G的包括第一层240和第二层250的堆叠结构在平面图中可具有环绕第一通孔10H的环形状。类似地，屏障壁PW在平面图中也可具有环绕第一通孔10H的环形状。限定一个槽G的第一层240、屏障壁PW以及限定另一个槽G的第一层240可具有环绕第一通孔10H同时彼此间隔开或彼此分隔的环形状。
薄膜封装层300也可在中间区MA中。与第一功能层222a、第二功能层222c、相对电极223和/或封盖层230相比，第一无机封装层310可具有相对卓越的阶梯覆盖。第一无机封装层310可为连续的，如图8中示出。例如，第一无机封装层310可连续并完全覆盖槽G的内表面。在实施方式中，可通过化学气相沉积方法形成第一无机封装层310。
在实施方式中，有机封装层320可与槽G中最靠近显示区DA的槽G重叠。最靠近显示区DA的槽G可至少部分地用有机封装层320中包括的材料填充。
因为第二无机封装层330与第一无机封装层310类似地具有相对卓越的阶梯覆盖，所以第二无机封装层330可连续覆盖槽G的一部分，例如，屏障壁PW和第一通孔10H之间的槽G的内部表面。
输入感测部40可在显示面板10上，显示面板10包括基板100、在基板100上的包括像素电路PC和有机发光二极管OLED的显示层200，以及薄膜封装层300。在实施方式中，输入感测部40可直接在显示面板10上。
在实施方式中，输入感测部40可包括顺序堆叠的第一绝缘层410、第二绝缘层420、第三绝缘层440和第四绝缘层460。输入感测部40可包括在第二绝缘层420和第三绝缘层440之间的第一导电层430，以及在第三绝缘层440和第四绝缘层460之间的第二导电层450。第一导电层430和/或第二导电层450可包括用于感测触摸输入的触摸电极，和连接至触摸电极的迹线。
在实施方式中，第一绝缘层410、第二绝缘层420或第三绝缘层440可包括无机绝缘材料，比如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅，并且第四绝缘层460可包括有机绝缘材料。例如，第四绝缘层460中的有机绝缘材料可包括光致抗蚀剂(负性或正性)或聚合物基类有机材料。第一导电层430和/或第二导电层450可包括金属或透明导电氧化物(TCO)。在一些实施方式中，第一导电层430和/或第二导电层450可包括导电材料，该导电材料包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和钛(Ti)等中的任一种。
在实施方式中，第一绝缘层410、第二绝缘层420、第三绝缘层440和第四绝缘层460可整体提供在显示区DA和中间区MA中。与上述层不同，平坦化层415可在中间区MA中。在平面图中，平坦化层415可具有在第一通孔10H周围(例如，环绕第一通孔10H)的环形状。
平坦化层415可包括有机绝缘层。在实施方式中，平坦化层415可包括聚合物基类材料。例如，平坦化层415可包括硅基类树脂、丙烯酸基类树脂、环氧基类树脂、聚酰亚胺、聚乙烯等。平坦化层415可包括与有机封装层320中包括的材料不同的材料。
与显示区DA相邻的平坦化层415的一部分可与有机封装层320重叠。第二无机封装层330和第一绝缘层410可在彼此重叠的有机封装层320和平坦化层415之间。
有机封装层320在屏障壁PW的一侧处，并且在中间区MA中，未被有机封装层320覆盖的区域可被平坦化层415覆盖。因为平坦化层415在中间区MA的未被有机封装层320覆盖的区域中，所以可增加在第一通孔10H周围的显示面板10的平坦性。因此，可防止或基本上防止显示面板10上输入感测部40和/或光学功能部50(见图2)的剥落。
图11为根据实施方式的显示面板10的截面图。
图11的显示区DA可具有与上面参考图8描述的显示区DA的堆叠结构相同的堆叠结构，并且可省略其进一步的描述。显示面板10可包括在其外区域中的弯曲区BA，如上面参考图4和图5描述。
参考图11中示出的包括弯曲区BA的外周区PA(见图4)，基板100上的无机绝缘结构IL可包括开口IL-OP。无机绝缘结构IL可包括至少一个无机绝缘层。在一些实施方式中，无机绝缘结构IL可包括缓冲层201、栅绝缘层203、第一层间绝缘层205和/或第二层间绝缘层207。缓冲层201的开口201a、栅绝缘层203的开口203a、第一层间绝缘层205的开口205a和/或第二层间绝缘层207的开口207a彼此重叠并且形成无机绝缘结构IL的开口IL-OP。在实施方式中，开口IL-OP的宽度OW可大于弯曲区BA的宽度。在一些实施方式中，当基板100包括两个基底层和在每个基底层上的无机绝缘层时，在基板100的最上层处的无机绝缘层也可包括对应于开口IL-OP的开口。在该情况下，可通过开口IL-OP暴露基板100的基底层，并且基底层的暴露部分可与稍后将描述的有机绝缘层260直接接触。
有机绝缘层260可在弯曲区BA中。有机绝缘层260可至少部分地填充至少一个无机绝缘层的开口。例如，有机绝缘层260可至少部分地填充无机绝缘结构IL的开口IL-OP。在实施方式中，有机绝缘层260可仅在弯曲区BA中。有机绝缘层260可包括有机绝缘材料，比如亚克力、苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷(HMDSO)等。在实施方式中，有机绝缘层260可在与上面参考图8描述的第一层240(见图8)的工艺相同的工艺中制造，并且可包括与第一层240的材料相同的材料。
无机绝缘结构IL包括在弯曲区BA中的开口IL-OP，并且可防止或减少由于弯曲应力导致的在至少一个无机绝缘层中裂纹的产生。另外，因为有机绝缘层260可吸收弯曲时产生的应力，所以可防止或减少裂纹产生的问题。
第一区1A中的线的第一部分21和第二区2A中的线的第二部分22可围绕弯曲区BA彼此分开。在实施方式中，第一部分21和第二部分22可在例如栅绝缘层203上。在另一实施方式中，第一部分21和/或第二部分22可在例如第一层间绝缘层205上。
第一部分21和第二部分22可经有机绝缘层260上的第三部分23彼此电连接。第三部分23可延伸跨过弯曲区BA。第三部分23的端部分可经穿透第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207的接触孔连接至第一部分21，同时与第一部分21重叠。第三部分23的另一端部分可经穿透第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207的接触孔连接至第二部分22，同时与第二部分22重叠。
第三部分23可包括具有比第一部分21和/或第二部分22的柔性相对更高的柔性的材料，例如，铝。在实施方式中，第三部分23可通过与上面参考图8描述的第二层250(见图8)的工艺相同的工艺形成，并且可包括与第二层250的材料相同的材料。
在实施方式中，一个或多个保护层可在外周区PA中。在实施方式中，图11示出第一保护层271和第二保护层272。在实施方式中，第一保护层271和第二保护层272可包括有机绝缘材料。第一保护层271和/或第二保护层272保护线的第三部分23，并且可在弯曲期间调整显示面板10的中性平面或使弯曲应力分散。
图12为部分地示出根据实施方式的显示装置的截面图；图13至图15为根据一些实施方式的槽结构的截面图；并且图16为示出屏障壁PW的图12的区域XVI的放大的截面图。为了方便描述，图12示出显示装置中的显示面板10和输入感测部40，省略了光学功能部。
参考图12的显示区DA，图12的显示区DA可具有与上面参考图8描述的显示区DA的堆叠结构相同的堆叠结构，并且可省略其进一步的描述。
参考图12的中间区MA，槽G可在第一层240'和第二层250'中。参考图12和图13，第一层240'可在第二层间绝缘层207(其为无机绝缘层)上，并且第二层250'可在第一层240'的上表面上。
在实施方式中，第一层240'可包括有机绝缘材料。在一些实施方式中，第一层240'可通过与图12中示出的第一有机绝缘层209的工艺相同的工艺制造，并且可包括与第一有机绝缘层209的材料相同的材料。
在实施方式中，第二层250'可与第一层240'的上表面直接接触并且可包括金属。在实施方式中，第二层250'可在与图12中示出的接触金属层CM的工艺相同的工艺中形成，并且可包括与接触金属层CM的材料相同的材料。
在实施方式中，槽G可具有底切结构或檐结构。槽G可包括第二层250'中的第二孔250h'和第一层240'中的第一孔240h'。可通过蚀刻(例如，各向同性蚀刻)工艺形成槽G，并且图12和图13示出第二层250'中的第二孔250h'和第一层240'中的第一孔240h'限定槽G。在另一实施方式中，如上面参考图10描述，凹陷，而不是第一孔240h'，可在第一层240'中。
与限定第一孔240h'或凹陷的第一层240'的内部表面相比，限定第二孔250h'的第二层250'的端部分可进一步朝向第二孔250h'的中心延伸，以在截面图中形成一个尖端251'或一对尖端251'。如上所述，中间层222中的有机材料层，例如，第一功能层222a和/或第二功能层222c，可由于尖端251'而分离或断开。类似地，相对电极223和/或封盖层230可由于底切或檐结构而分离或断开。
薄膜封装层300可包括第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330。因为第一无机封装层310具有相对卓越的阶梯覆盖，如图12和图13中示出，所以第一无机封装层310可连续覆盖槽G的内部表面。薄膜封装层300的结构和在薄膜封装层300上的输入感测部40的结构可与上面参考图8描述的那些相同。
图12和图13示出槽G的内部表面，例如，尖端251'的侧表面和底表面以及第一层240'的内部侧表面与第一无机封装层310直接接触。在一些实施方式中，无机钝化层PVX可在槽G的内部表面和第一无机封装层310之间。
参考图14，无机钝化层PVX可在第二层250'上。例如，可在形成第二层250'之后和形成中间层222(见图8)之前形成无机钝化层PVX。尽管在附图中未示出，但是无机钝化层PVX可延伸至显示区DA(见图8)，并且，在该情况下，无机钝化层PVX可在显示区DA中的接触金属层CM(见图12)和第二有机绝缘层211之间。
无机钝化层PVX可包括无机绝缘材料，比如氧化硅、氮化硅和氮氧化硅。可通过化学气相沉积方法等获得无机钝化层PVX。
在实施方式中，无机钝化层PVX可连续并完全覆盖槽G的内部表面。例如，无机钝化层PVX可覆盖第二层250'的上表面、侧表面和底表面，并且可连续覆盖第一层240'的内部表面和第一层240'下方的第二层间绝缘层207的上表面。
在形成无机钝化层PVX之后，可形成第一功能层222a、第二功能层222c、相对电极223和/或封盖层230。第一功能层222a、第二功能层222c、相对电极223和/或封盖层230可在该对尖端251'处断开或分离。
在实施方式中，在封盖层230之后形成的第一无机封装层310连续覆盖槽G的内部表面，并且在一些区域处可与无机钝化层PVX直接接触。
图14示出第一层240'具有单层结构，但是，在一些实施方式中，第一层240'可包括多个层。
参考图15，在实施方式中，第一层240”可包括第一子层241和第二子层242。在实施方式中，第一子层241可包括与上面参考图12描述的第一有机绝缘层209的材料相同的材料，并且第二子层242可包括与第二有机绝缘层211的材料相同的材料。在另一实施方式中，第一子层241可包括与上面参考图11描述的有机绝缘层260的材料相同的材料，并且第二子层242可包括与第一有机绝缘层209的材料相同的材料。
第二层250”可包括金属或无机绝缘材料。第二层250”的第二孔250h”和第一层240”的第一孔或凹陷240r”可限定槽G。第二层250”可包括在截面图中朝向第二孔250h”的中心突出的一个尖端251”或一对尖端251”。与第一层240”的内部表面相比，该对尖端251”可进一步朝向第二孔250h”的中心突出，以形成底切结构或檐结构。
如上面参考图14描述，无机钝化层PVX可在第二层250”上，并且第一功能层222a、第二功能层222c、相对电极223和/或封盖层230可在该对尖端251”处断开或分离。
在实施方式中，如上所述，无机钝化层PVX可连续覆盖槽G的内部表面，并且第一无机封装层310可部分地与无机钝化层PVX直接接触。在另一实施方式中，可省略无机钝化层PVX。
返回参考图12，屏障壁PW可在多个槽G之间。屏障壁PW可包括多个屏障壁层，例如，第一屏障壁层PW1、第二屏障壁层PW2和第三屏障壁层PW3。在实施方式中，第一屏障壁层PW1可包括与第一有机绝缘层209的材料相同的材料，第二屏障壁层PW2可包括与第二有机绝缘层211的材料相同的材料，并且第三屏障壁层PW3可包括与像素限定层215和/或间隔件217的材料相同的材料。
包括金属的间隙层280可在屏障壁层中的相邻的屏障壁层之间，例如，在第二屏障壁层PW2和第三屏障壁层PW3之间。间隙层280可具有精细底切结构，并且，在一些实施方式中，第一功能层222a和/或第二功能层222c可被断开或分离。类似地，相对电极223和/或封盖层230可被断开或分离。
参考图12和图16，间隙层280可包括金属。在实施方式中，间隙层280可包括具有彼此不同蚀刻选择性比的至少两个层。在实施方式中，间隙层280可包括第一层281、第二层282和第三层283。在实施方式中，第一层281和第三层283可具有彼此相同的材料，并且第二层282可具有与第一层281和第三层283的材料不同的材料。在实施方式中，第一层281和第三层283可包括透明导电氧化物材料，比如ITO，并且第二层282可包括金属，该金属包括银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或其化合物。在实施方式中，第二层282可具有大于第一层281的厚度和第三层283的厚度的厚度。
在实施方式中，在制造显示面板10(见图12)的工艺期间，可蚀刻间隙层280的边缘，并且第二层282可比第一层281和第三层283被进一步蚀刻。在该情况下，在横向方向上，第一层281的边缘可比第二层282的边缘突出更多，并且第一层281的边缘可执行与上面描述的槽G中的尖端的功能基本上相同的功能。即，第一层281的边缘比第二层282的边缘突出更多，并且然后间隙层280可具有底切结构或檐结构。
当第一功能层222a、第二功能层222c和相对电极223的厚度之和，或第一功能层222a、第二功能层222c、相对电极223和封盖层230的厚度之和小于间隙层280的厚度时，第一功能层222a、第二功能层222c、相对电极223和/或封盖层230可被断开或分离。就此而言，图16示出第一功能层222a、第二功能层222c、相对电极223和封盖层230在间隙层280的边缘处断开。
根据一个或多个实施方式的显示装置可防止或基本上防止由于通过通孔或开口引入的水分导致的对发光二极管的损坏，并且可通过使用显示层中包括的层而简化工艺或减少成本。
应理解，本文描述的实施方式应仅以描述性意义考虑并且不是为了限制的目的。每个实施方式中的特征或方面的描述应通常认为可用于其他实施方式中的其他类似的特征或方面。尽管已经参考图描述了一个或多个实施方式，但是本领域技术人员将理解，在不背离如通过所附权利要求阐述的精神和范围的情况下，可在其中进行形式和细节上的各种改变。

Claims (25)

1.一种显示装置，包括：
第一通孔；
在所述第一通孔周围的显示区中的多个像素，所述多个像素包括彼此隔开的两个像素，所述第一通孔在所述两个像素之间；
在所述第一通孔和所述显示区之间的中间区中的第一层，所述第一层包括第一孔或凹陷；和
在所述第一层上的第二层，所述第二层包括与所述第一孔或所述凹陷重叠的第二孔，
其中所述第二层包括比所述第一层的内部表面进一步朝向所述第二孔的中心延伸的尖端，所述内部表面限定所述第一孔或所述凹陷，
所述多个像素中的每一个包括发光二极管，所述发光二极管包括像素电极、相对电极以及在所述像素电极和所述相对电极之间的中间层，并且
所述中间层的至少一个有机材料层在所述尖端处断开。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述至少一个有机材料层包括选自空穴传输层、空穴注入层、电子注入层和电子传输层中的一个或多个。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述相对电极在所述尖端处断开。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述第一层包括有机绝缘材料，并且所述第二层包括金属。
5.根据权利要求4所述的显示装置，进一步包括：
基板，在所述基板上布置所述多个像素；以及
在所述基板和所述像素电极之间的至少一个无机绝缘层。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中所述第一层在所述至少一个无机绝缘层上，并且
所述第二层越过所述第一层与所述至少一个无机绝缘层的上表面直接接触。
7.根据权利要求5所述的显示装置，进一步包括：在所述至少一个无机绝缘层和所述像素电极之间的至少一个有机绝缘层，
其中所述第一层包括与所述至少一个有机绝缘层中包括的材料相同的材料。
8.根据权利要求5所述的显示装置，其中所述基板的一部分围绕沿着弯曲区延伸的弯曲轴弯曲，并且
所述至少一个无机绝缘层包括在所述弯曲区中的开口。
9.根据权利要求8所述的显示装置，进一步包括：在所述至少一个无机绝缘层的所述开口中的有机绝缘层，
其中所述第一层包括与所述有机绝缘层中包括的材料相同的材料。
10.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括：在所述第二层上的无机钝化层。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其中所述无机钝化层连续覆盖所述第二层的侧表面和底表面以及所述第一层的内部表面。
12.一种显示装置，包括：
基板；
在所述基板上的显示层，所述显示层包括多个像素；
在所述显示层上的薄膜封装层，所述薄膜封装层包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层；
在所述多个像素中的两个相邻的像素之间的第一通孔，所述第一通孔穿透所述基板、所述显示层和所述薄膜封装层；和
在所述第一通孔周围的第一槽，所述第一槽限定在第一层和所述第一层上的第二层中，
其中所述第一槽包括：在所述第一层中的第一孔或凹陷和在所述第二层中的第二孔，
所述第二层包括比所述第一层的内部表面进一步朝向所述第二孔的中心延伸的尖端，所述内部表面限定所述第一孔或所述凹陷，并且
所述显示层中的至少一个有机材料层在所述第一槽处断开。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其中所述多个像素中的每一个包括发光二极管，所述发光二极管包括像素电极、相对电极以及在所述像素电极和所述相对电极之间的发射层，并且
所述至少一个有机材料层在所述像素电极和所述相对电极之间。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其中所述至少一个有机材料层包括选自空穴传输层、空穴注入层、电子注入层和电子传输层中的一个或多个。
15.根据权利要求13所述的显示装置，其中所述显示层包括：在所述基板和所述像素电极之间的至少一个无机绝缘层，并且
所述第一层在所述至少一个无机绝缘层上。
16.根据权利要求15所述的显示装置，其中所述第一层包括有机绝缘材料。
17.根据权利要求16所述的显示装置，其中所述第二层越过所述第一层与所述至少一个无机绝缘层的上表面直接接触。
18.根据权利要求17所述的显示装置，其中所述第二层包括金属或无机绝缘材料。
19.根据权利要求16所述的显示装置，进一步包括在所述第二层上的无机钝化层。
20.根据权利要求19所述的显示装置，其中所述无机钝化层连续覆盖所述第二层的侧表面和底表面以及所述第一层的内部表面。
21.根据权利要求15所述的显示装置，其中所述基板的一部分围绕沿着弯曲区延伸的弯曲轴弯曲，并且
所述至少一个无机绝缘层包括在所述弯曲区中的开口。
22.根据权利要求21所述的显示装置，进一步包括：在所述至少一个无机绝缘层的所述开口中的有机绝缘层，
其中所述第一层包括与所述有机绝缘层中包括的材料相同的材料。
23.根据权利要求12所述的显示装置，进一步包括：
在所述第一通孔周围的第二槽；和
在所述第一槽和所述第二槽之间的屏障壁。
24.根据权利要求23所述的显示装置，其中所述屏障壁包括堆叠的多个屏障壁层，并且
间隙层在所述多个屏障壁层中的两个相邻的屏障壁层之间，所述间隙层包括金属。
25.根据权利要求24所述的显示装置，其中所述间隙层包括第一层和在所述第一层下方的第二层，所述第一层包括比所述第二层的边缘向外突出更多的边缘，并且
所述至少一个有机材料层在通过所述第一层的所述边缘和所述第二层的所述边缘形成的檐结构处断开。
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