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CN112349205B - 一种阵列基板及其维修方法和显示面板 - Google Patents

一种阵列基板及其维修方法和显示面板 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种阵列基板及其维修方法和显示面板。该阵列基板包括基底和设置在基底上的至少一个故障子像素；故障子像素包括第一开关管、像素电极、公共电极和公共电极线，像素电极和公共电极叠置于基底上并相互绝缘，第一开关管包括栅极、第一极和第二极；第二极包括第一子部和第二子部，第一子部与第二子部相互断开；第一子部与第一极电连接，第二子部与像素电极电连接；公共电极与公共电极线电连接；故障子像素还包括第二电极线，第二电极线设置于像素电极和公共电极中更加远离基底的一个上，第二电极线、第二极和公共电极线不同层，且第二电极线与第二子部和公共电极线分别电连接。该阵列基板能提升其中故障子像素的维修成功率。

Description

一种阵列基板及其维修方法和显示面板
技术领域
本发明属于显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及其维修方法和显示面板。
背景技术
在阵列基板的制作过程中，受制作工艺条件的限制，灰尘等异物颗粒不可避免地会粘附在第一金属层的表面，这些异物颗粒有可能刺穿设置于第一金属层上的绝缘层，造成绝缘层破损。在绝缘层上制作第二金属层时，刻蚀液会从绝缘层的破损处流入并腐蚀第一金属层，从而导致第一金属层的不同导电电极之间的短路，影响产品性能，如阵列基板上开关管TFT的源极和漏极之间发生短路，造成子像素亮点不良。
目前针对子像素亮点的修复办法是：如图1和图2所示，在出现不良的子像素的开关管源极3处切断，孤立子像素的像素电极22；再将分别位于不同层上的像素电极22和公共电极23线短接到一起，将亮点不良修复为暗点。但存在的问题是：子像素设计时公共电极23和像素电极22均为薄金属层(如厚度通常小于
Figure BDA0002743339710000011
)，熔融将像素电极22和公共电极23短接的成功率较低。如将位于相对上层的较薄的像素电极22通过熔融的方式与位于相对下层的较厚的公共电极线24电连接，由于像素电极22的厚度较薄，所以其熔融与公共电极线24连接时容易出现连接失败，导致像素电极22与公共电极线24未接通，从而导致子像素亮点无法成功修复为暗点，影响产品显示。
发明内容
本发明针对阵列基板子像素亮点修复成功率低的问题，提供一种阵列基板及其维修方法和显示面板。该阵列基板能够将像素电极和公共电极中更加远离基底的一个局部加厚，从而在将像素电极和公共电极通过熔融进行短接时，能够实现将两个较薄金属层之间的熔融变更为两个较厚金属之间的熔融，从而提升了故障子像素的维修成功率。
本发明提供一种阵列基板，包括基底和设置在所述基底上的至少一个故障子像素；
所述故障子像素包括第一开关管、像素电极、公共电极和公共电极线，所述像素电极和所述公共电极叠置于所述基底上并相互绝缘，且所述像素电极和所述公共电极在所述基底上的正投影至少部分重叠；
所述第一开关管包括栅极、第一极和第二极；所述第二极包括第一子部和第二子部，所述第一子部与所述第二子部相互断开；所述第一子部与所述第一极电连接，所述第二子部与所述像素电极电连接；
所述公共电极与所述公共电极线电连接；
所述故障子像素还包括第二电极线，所述第二电极线设置于所述像素电极和所述公共电极中更加远离所述基底的一个上，所述第二电极线、所述第二极和所述公共电极线不同层，且所述第二电极线与所述第二子部和所述公共电极线分别电连接。
可选地，所述第二电极线的厚度范围为
Figure BDA0002743339710000021
可选地，所述第二电极线的材料包括钨。
可选地，所述第二极的厚度范围为
Figure BDA0002743339710000022
所述公共电极线的厚度范围为
Figure BDA0002743339710000023
可选地，还包括设置于所述基底上的正常子像素；所述正常子像素与所述故障子像素共同排布呈阵列；
所述公共电极线沿所述阵列的行方向延伸或者沿所述阵列的列方向延伸。
可选地，所述阵列基板包括透光区和不透光区；
所述第一开关管和所述公共电极线位于所述不透光区；所述像素电极和所述公共电极位于所述透光区，且部分延伸至所述不透光区；
所述公共电极线与所述栅极采用相同材料。
可选地，所述像素电极位于所述公共电极远离所述基底的一侧；或者，所述像素电极位于所述公共电极靠近所述基底的一侧。
可选地，所述像素电极和所述公共电极中更远离所述基底的一个为狭缝电极，另一个为板状电极。
本发明还提供一种显示面板，包括上述阵列基板，还包括彩膜基板，所述阵列基板与所述彩膜基板对盒，对盒间隙中填充有液晶。
本发明还提供一种上述阵列基板的维修方法，基底上形成故障子像素；所述故障子像素的第一开关管的第一极和第二极电连接，所述维修方法包括：
将所述第二极切断形成第一子部和第二子部；其中，所述第一子部与所述第一极电连接，所述第二子部与像素电极电连接；
采用化学气相沉积法在所述像素电极和公共电极中更加远离所述基底的一个上形成第二电极线；
通过激光熔融的方法使所述第二电极线与所述第二子部和公共电极线分别电连接。
本发明的有益效果：本发明所提供的阵列基板，通过在故障子像素的像素电极和公共电极中更加远离基底的一个上设置第二电极线，能够将像素电极和公共电极中更加远离基底的一个局部加厚，从而在将像素电极和公共电极通过熔融进行短接时，能够实现将两个较薄金属层之间的熔融变更为两个较厚金属之间的熔融，从而提升了故障子像素的维修成功率。
本发明所提供的显示面板，通过采用上述阵列基板，能够提升该显示面板中故障子像素的维修成功率。
附图说明
图1为公开技术中对阵列基板上发生亮点不良的子像素进行修复的结构剖视示意图；
图2为公开技术中对阵列基板上发生亮点不良的子像素进行修复的结构俯视示意图；
图3为本发明实施例中阵列基板上故障子像素的结构剖视示意图；
图4为本发明实施例中阵列基板上故障子像素的结构俯视示意图；
图5为本发明实施例中对阵列基板上故障子像素进行维修的步骤示意图；
图6为本发明另一实施例中阵列基板上故障子像素的结构俯视示意图。
其中附图标记为：
1、基底；2、故障子像素；21、第一开关管；211、栅极；212、第一极；213、第二极；2131、第一子部；2132、第二子部；214、有源层；22、像素电极；23、公共电极；24、公共电极线；25、第二电极线；26、绝缘层；3、源极。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明一种阵列基板及其维修方法和显示面板作进一步详细描述。
本发明实施例提供一种阵列基板，如图3和图4所示，包括基底1和设置在基底1上的至少一个故障子像素2；故障子像素2包括第一开关管21、像素电极22、公共电极23和公共电极线24，像素电极22和公共电极23叠置于基底1上并相互绝缘，且像素电极22和公共电极23在基底1上的正投影至少部分重叠；像素电极22和公共电极23之间能形成使液晶偏转的电场；第一开关管21包括栅极211、第一极212和第二极213；第二极213包括第一子部2131和第二子部2132，第一子部2131与第二子部2132相互断开；第一子部2131与第一极212电连接，第二子部2132与像素电极22电连接；公共电极23与公共电极线24电连接；故障子像素2还包括第二电极线25，第二电极线25设置于像素电极22和公共电极23中更加远离基底1的一个上，第二电极线25、第二极213和公共电极线24不同层，且第二电极线25与第二子部2132和公共电极线24分别电连接。
本实施例中，第一开关管21为底栅型。第一开关管21还包括有源层214，像素电极22与公共电极23之间还设置有绝缘层26，绝缘层26包括设置于栅极211与有源层214之间的栅绝缘层以及设置于第一极212和第二极213与像素电极22之间的钝化层。可选地，第一极212和第二极213采用相同材料且同层设置。第一极212为第一开关管21的漏极，第二极213为第一开关管21的源极；或者，第一极212为第一开关管21的源极，第二极213为第一开关管21的漏极。可选地，公共电极23、公共电极线24以及栅极211采用相同材料且同层设置。可选地，像素电极22位于公共电极23的远离基底1的一侧，且像素电极22为狭缝电极，公共电极23为板状电极；即本实施例中的阵列基板为ADS(Advanced Super Dimension Switch，高级超维场转换)型。通过使第二电极线25设置于像素电极22和公共电极23中更加远离基底1的一个即像素电极22上，且使第二电极线25与第二子部2132和公共电极线24分别电连接，能够将第一极212和第二极213短接造成的亮点不良的故障子像素2修复为暗点。
为了确保子像素的透光性能，像素电极22和公共电极23的厚度都比较薄，二者的膜层厚度通常都小于
Figure BDA0002743339710000051
而第二极213和公共电极线24均为金属走线，为了确保金属走线的电阻较低，不会在信号传输过程中导致信号大幅衰减，金属走线的厚度通常都比较厚，第二极213的厚度范围为
Figure BDA0002743339710000052
公共电极线24的厚度范围为
Figure BDA0002743339710000053
该阵列基板，通过在故障子像素2的像素电极22和公共电极23中更加远离基底1的一个上设置第二电极线25，能够将像素电极22和公共电极23中更加远离基底1的一个局部加厚，从而在将像素电极22和公共电极23通过熔融进行短接时，能够实现将两个较薄金属层之间的熔融变更为两个较厚金属之间的熔融，从而提升了故障子像素2的维修成功率。
可选地，第二电极线25的厚度范围为
Figure BDA0002743339710000054
第二电极线25的厚度可以在其制备工艺中进行调整，使其厚度较厚，以便能实现将故障子像素2通过熔融处理成功地由亮点修复为暗点。
可选地，第二电极线25的材料包括钨。第二电极线25的材料决定了其可以采用的制备工艺，钨能通过化学气相沉积的方法形成较厚的膜层，从而有利于实现将故障子像素2通过熔融处理成功地由亮点修复为暗点。
可选地，阵列基板还包括设置于基底1上的正常子像素；正常子像素与故障子像素2共同排布呈阵列；公共电极线24沿阵列的行方向延伸。其中，公共电极线24与设置于相邻两行子像素之间的栅线相平行。其中，正常子像素即能够在显示时正常点亮的子像素，正常子像素与故障子像素2的结构基本相同，与故障子像素2不同的是，正常子像素的开关管的第一极和第二极未发生短接，所以正常子像素无需将像素电极和公共电极短接，也无需将开关管的第二极切断成为两部分，因此，正常子像素也无需设置第二电极线25。
可选地，阵列基板包括透光区和不透光区；第一开关管21和公共电极线24位于不透光区；像素电极22和公共电极23位于透光区，且部分延伸至不透光区；公共电极线24与栅极211采用相同材料。
基于阵列基板的上述结构，本实施例还提供一种该阵列基板的维修方法，基底上形成故障子像素；故障子像素的第一开关管的第一极和第二极电连接，该维修方法包括：如图5所示，步骤S1：将第二极213切断形成第一子部2131和第二子部2132；其中，第一子部2131与第一极212电连接，第二子部2132与像素电极22电连接。
该步骤中，采用激光切割的方式将第二极213切断。
步骤S2：采用化学气相沉积法在像素电极22和公共电极23中更加远离基底1的一个上形成第二电极线25。
该步骤中，将完成步骤S1的阵列基板放入化学气相沉积工艺腔室中，在工艺腔室中通入W(CO)6，W(CO)6在60℃时为气态，然后用激光照射故障子像素2上相应要形成第二电极线的位置，即可沉积形成钨材料的第二电极线。调整通入工艺腔室中的W(CO)6气体浓度，能控制形成钨线的厚度。
步骤S3：通过激光熔融的方法使第二电极线25与第二子部2132和公共电极线24分别电连接。
该步骤中，通过激光照射第二电极线25与第二子部2132的相对应的区域以及第二电极线25与公共电极线24相对应的区域，调整激光能量，能将第二电极线25熔融，并将设置在第二电极线25与第二子部2132之间和设置在第二电极线25与公共电极线24之间的绝缘层熔融打穿，从而使熔融的第二电极线25与第二子部2132接触并电连接，并使熔融的第二电极线25与公共电极线24接触并电连接。由于第二电极线25具有一定的厚度，所以熔融之后能够分别与第二子部2132和公共电极线24实现稳定接触和电连接。
本发明实施例还提供一种阵列基板，与上述实施例中不同的是，如图6所示，公共电极线24沿阵列的列方向延伸。
其中，为了改善阵列基板上公共电极23公共电压的均一性，阵列基板上部分子像素处设置有沿阵列的列方向延伸的公共电极线24。如果故障子像素2处设置有沿阵列列方向延伸的公共电极线24，则与沿阵列行方向延伸的公共电极线24相比，沿阵列列方向的公共电极线24更靠近该故障子像素2，所以可以将第二极213的第二子部2132就近与沿阵列列方向的公共电极线24电连接。
本实施例中阵列基板的其他结构以及阵列基板的维修方法与上述实施例中相同，此处不再赘述。
本发明实施例还提供一种阵列基板，与上述实施例不同的是，像素电极位于公共电极靠近基底的一侧。此时，公共电极为狭缝电极，像素电极为板状电极；第一开关管为顶栅型。
本实施例中阵列基板的其他结构以及阵列基板的维修方法与上述任一实施例中相同，此处不再赘述。
本发明所提供的阵列基板，通过在故障子像素的像素电极和公共电极中更加远离基底的一个上设置第二电极线，能够将像素电极和公共电极中更加远离基底的一个局部加厚，从而在将像素电极和公共电极通过熔融进行短接时，能够实现将两个较薄金属层之间的熔融变更为两个较厚金属之间的熔融，从而提升了故障子像素的维修成功率。
本发明实施例还提供一种显示面板，包括上述任一实施例中的阵列基板，还包括彩膜基板，阵列基板与彩膜基板对盒，对盒间隙中填充有液晶。
通过采用上述任一实施例中的阵列基板，能够提升该显示面板中故障子像素的维修成功率。
本发明实施例中所提供的显示面板可以为LCD面板、LCD电视、显示器、手机、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种阵列基板，包括基底和设置在所述基底上的至少一个故障子像素；
所述故障子像素包括第一开关管、像素电极、公共电极和公共电极线，所述像素电极和所述公共电极叠置于所述基底上并相互绝缘，且所述像素电极和所述公共电极在所述基底上的正投影至少部分重叠；
所述第一开关管包括栅极、第一极和第二极；所述第二极包括第一子部和第二子部，所述第一子部与所述第二子部相互断开；所述第一子部与所述第一极电连接，所述第二子部与所述像素电极电连接；
所述公共电极与所述公共电极线电连接；
其特征在于，所述故障子像素还包括第二电极线，所述第二电极线设置于所述像素电极和所述公共电极中更加远离所述基底的一个上，所述第二电极线、所述第二极和所述公共电极线不同层，所述第二电极线延伸经过所述像素电极和所述公共电极在所述基底上的正投影重叠区域，且所述第二电极线在所述基底上的正投影与所述第二子部和所述公共电极线至少局部交叠；所述第二电极线与所述第二子部和所述公共电极线分别通过其正投影交叠区域内的过孔电连接。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二电极线的厚度范围为
Figure FDA0003672255500000011
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第二电极线的材料包括钨。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第二极的厚度范围为
Figure FDA0003672255500000012
所述公共电极线的厚度范围为
Figure FDA0003672255500000013
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，还包括设置于所述基底上的正常子像素；所述正常子像素与所述故障子像素共同排布呈阵列；
所述公共电极线沿所述阵列的行方向延伸或者沿所述阵列的列方向延伸。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括透光区和不透光区；
所述第一开关管和所述公共电极线位于所述不透光区；所述像素电极和所述公共电极位于所述透光区，且部分延伸至所述不透光区；
所述公共电极线与所述栅极采用相同材料。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极位于所述公共电极远离所述基底的一侧；或者，所述像素电极位于所述公共电极靠近所述基底的一侧。
8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极和所述公共电极中更远离所述基底的一个为狭缝电极，另一个为板状电极。
9.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1-8任意一项所述的阵列基板，还包括彩膜基板，所述阵列基板与所述彩膜基板对盒，对盒间隙中填充有液晶。
10.一种如权利要求1-8任意一项所述的阵列基板的维修方法，基底上形成故障子像素；所述故障子像素的第一开关管的第一极和第二极电连接，所述维修方法包括：
将所述第二极切断形成第一子部和第二子部；其中，所述第一子部与所述第一极电连接，所述第二子部与像素电极电连接；
其特征在于，采用化学气相沉积法在所述像素电极和公共电极中更加远离所述基底的一个上形成第二电极线；
通过激光熔融的方法使所述第二电极线与所述第二子部和公共电极线分别电连接。
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