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CN112185998A - 显示装置 - Google Patents

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CN112185998A
CN112185998A CN202010598884.0A CN202010598884A CN112185998A CN 112185998 A CN112185998 A CN 112185998A CN 202010598884 A CN202010598884 A CN 202010598884A CN 112185998 A CN112185998 A CN 112185998A
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CN
China
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line
insulating layer
disposed
dummy
connection
Prior art date
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Pending
Application number
CN202010598884.0A
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English (en)
Inventor
全裕珍
金大石
安俊勇
李元世
张东玄
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Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
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Publication date
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Abstract

提供了显示装置。显示装置包括具有显示图像的显示区域和位于显示区域周围的非显示区域的显示面板。显示面板包括衬底、多个连接线、第一虚设线和第二虚设线，其中，多个连接线在非显示区域中位于衬底上并且包括彼此相邻的第一连接线和第二连接线，第一虚设线与第一连接线重叠并且布置在第一连接线上，并且第二虚设线与第二连接线重叠并且布置在衬底与第二连接线之间。

Description

显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年7月3日提交的第10-2019-0080159号韩国专利申请的优先权以及从其获得的所有权益，该韩国专利申请的内容通过引用以其整体地并入本文。
技术领域
本公开涉及显示装置。
背景技术
诸如发射显示装置和液晶显示器等的显示装置可包括显示面板，而显示面板包括用于显示图像的像素。像素可布置在显示面板的与显示装置的屏幕对应的显示区域中，并且用于传输待施加到显示区域的信号的信号传输线布置在与显示面板的显示区域相邻的非显示区域中。在显示区域中典型地设置有包括半导体层的晶体管。
发明内容
在显示装置中，非显示区域中的半导体层的密度可能在显示区域和非显示区域的边界附近急剧降低。另外，特定导电层的密度可能在非显示区域中显著降低。结果是与非显示区域相邻的显示区域的半导体图案或导电图案可形成有不期望的宽度(例如，宽度变得比设计得宽)。这可能导致在屏幕上显示的图像中的缺陷(例如，斑点)，诸如特定颜色或特定部的亮度增加或降低。
本发明的实施方式涉及有效地防止了依据显示装置的显示区域和非显示区域中的半导体层和导电层的密度差异引起的显示品质劣化的显示装置。
根据本发明的实施方式，显示装置包括显示面板，而显示面板包括显示图像的显示区域和位于显示区域周围的非显示区域。在这种实施方式中，显示面板包括衬底、多个连接线、第一虚设线和第二虚设线，其中，多个连接线在非显示区域中位于衬底上并且包括彼此相邻的第一连接线和第二连接线，第一虚设线与第一连接线重叠并且布置在第一连接线上，并且第二虚设线与第二连接线重叠并且布置在衬底与第二连接线之间。
在实施方式中，第一虚设线可不与第二连接线重叠，并且第二虚设线可不与第一连接线重叠。
在实施方式中，显示面板还可包括布置在第一连接线与第二虚设线之间的第一绝缘层。
在实施方式中，显示面板还可包括布置在第一连接线与第二连接线之间的第二绝缘层。
在实施方式中，显示面板还可包括布置在第二连接线与第一虚设线之间的第三绝缘层。
在实施方式中，第一虚设线可通过限定在第二绝缘层和第三绝缘层中的接触孔连接到第一连接线。
在实施方式中，第二连接线可通过限定在第一绝缘层和第二绝缘层中的接触孔连接到第二虚设线。
在实施方式中，显示面板还可包括在显示区域中布置在衬底与第一绝缘层之间的半导体层，并且第二虚设线可包括与半导体层相同的材料。
在实施方式中，显示面板还可包括布置在显示区域中的存储电容器，存储电容器可包括布置在第一绝缘层与第二绝缘层之间的第一电极以及布置在第二绝缘层与第三绝缘层之间的第二电极，第一连接线可包括与第一电极相同的材料，并且第二连接线可包括与第二电极相同的材料。
在实施方式中，显示面板还可包括初始化电压线和第四绝缘层，其中，初始化电压线在显示区域中布置在第三绝缘层上，其中，初始化电压线可传输初始化电压，第四绝缘层布置在初始化电压线和第一虚设线上，并且第一虚设线可包括与初始化电压线相同的材料。
在实施方式中，显示面板还可包括数据线，而数据线在显示区域中布置在第四绝缘层上，其中，数据线可传输数据电压，第一连接线和第二连接线中的一个可连接到数据线。
在实施方式中，显示面板还可包括扫描线，而扫描线在显示区域中布置在第一绝缘层与第二绝缘层之间，其中，扫描线可传输扫描信号，第一连接线和第二连接线中的一个可连接到初始化电压线，并且第一连接线和第二连接线中的另一个可连接到扫描线。
在实施方式中，多个连接线还可包括与第二连接线相邻的第三连接线，并且显示面板还可包括与第三连接线重叠并且布置在衬底与第三连接线之间的第三虚设线。
在实施方式中，显示面板还可包括在显示区域中布置在第一绝缘层与第二绝缘层之间的发光控制线，其中，发光控制线可传输发光控制信号，并且第三连接线可连接到发光控制线。
在实施方式中，第一虚设线和第二虚设线可在预定方向上逐一交替地布置。
根据本发明的实施方式，显示装置包括具有显示区域和非显示区域的显示面板。在这种实施方式中，显示面板包括衬底、布置在衬底上的第一绝缘层、在非显示区域中布置在第一绝缘层上的第一连接线、布置在第一连接线上的第二绝缘层、在非显示区域中布置在第二绝缘层上的第二连接线、布置在第二连接线上的第三绝缘层、布置在第三绝缘层上的第四绝缘层、与第一连接线重叠的第一虚设线以及与第二连接线重叠的第二虚设线。
在实施方式中，第一虚设线可布置在第三绝缘层与第四绝缘层之间，并且第二虚设线可布置在衬底与第一绝缘层之间。
在实施方式中，第一虚设线可连接到第一连接线，并且第二虚设线可连接到第二连接线。
在实施方式中，显示装置还可包括集成电路芯片，而集成电路芯片包括数据驱动器，并且第一连接线和第二连接线可传输从集成电路芯片输出的数据电压。
在实施方式中，显示装置还可包括布置在非显示区域中的驱动电路，并且选自第一连接线和第二连接线中的至少一个线可传输从驱动电路输出的信号。
根据实施方式，可解决因显示区域和非显示区域中的半导体层和导电层的密度差异引起的光负载效应，从而改善显示品质劣化。
附图说明
通过结合附图的以下描述中，本公开的实施方式的上述和其它特征将更加显而易见，在附图中：
图1是示意地示出根据实施方式的显示装置的俯视图；
图2是图1中的区A1的放大图；
图3是沿图2的线III-III'截取的剖面图；
图4是图1中的区A2的放大图；
图5是沿图4的线V-V'截取的剖面图；
图6是示出根据实施方式的显示装置的像素的等效电路图；
图7是根据实施方式的显示装置的像素区域的平面图；
图8是沿图7的线VIII-VIII'截取的剖面图；
图9是示出在根据实施方式的显示装置的非显示区域中形成第二虚设线和第三虚设线之前和之后的半导体层形成区的图；以及
图10是示出在根据实施方式的显示装置的非显示区域中形成第一虚设线之前和之后的特定导电层形成区的图。
具体实施方式
将参照示出了本发明概念的实施方式的附图在下文中对本发明进行更加全面的描述。本领域普通技术人员将理解，所描述的实施方式可以各种不同的方式进行修改，而全部不背离本发明的精神或范围。
附图和描述将在本质上被认为是说明性的，而不是限制性的。在整个说明书中，相似的附图标记标示相似的元件。
此外，在附图中，为了更好地理解和描述的便利，每个元件的尺寸和厚度是随意表示的，并且本发明不限于此。在附图中，为了清楚起见，层、膜、面板、区等的厚度被放大。在附图中，为了更好地理解和描述的便利，一些层和区域的厚度和/或宽度被放大。
将理解，当诸如层、膜、区或衬底的元件被称为在另一元件“上”时，该元件可直接在另一元件上，或者也可存在有中间元件。相反，当元件被称为“直接”在另一元件“上”时，则不存在中间元件。此外，在整个说明书中，“在”目标元件“上”的信息将被理解为定位在目标元件上方或下方，而不必理解为基于重力相反方向定位“在上侧处”。
将理解，尽管术语“第一”，“第二”，“第三”等在本文中可用于描述各种元件、部件、区、层和/或部分，但是这些元件、部件、区、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区、层或部分与另一元件、部件、区、层或部分区分。因此，在不脱离本文的教导的情况下，下面讨论的“第一元件”、“部件”、“区”、“层”或“部分”可以被称为第二元件、部件、区、层或部分。
本文中所使用的专门用语是出于描述特定实施方式的目的，而不旨在限制。除非内容明确说明，否则如本文中所使用的，单数形式的“一(a)”、“一个(an)”和“该(the)”也旨在包括包含“至少一个”的复数形式。“或”意味着“和/或”。如本文中所使用的，术语“和/或”包括相关所列项目中的一个或者多个的任何和所有组合。还将理解，术语“包括(comprise)”和/或“包括有(comprising)”或者“包含(include)”和/或“包含有(including)”，当在本说明书中使用时，具体说明所陈述的特征、区、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或多个其它特征、区、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其集群的存在或添加。
此外，在说明书中，短语“在平面上”意味着从顶部观察对象部分，而短语“在横截面”意味着观看从一侧垂直切割对象部分的横截面。
空间相对术语诸如“下面(beneath)”、“下方(below)”、“下(lower)”、“上方(above)”和“上(upper)”等可在本文中为了描述的便利而使用，以描述如图中所示的一个元件或特征与另一元件或特征的关系。将理解，除了附图中所刻画的取向以外，空间相对术语旨在包含在使用或操作中的装置的不同取向。例如，如果图中的装置被翻转，则被描述为在其它元件或者特征“下方(below)”或“下面(beneath)”的元件将随后被取向为在其它元件或特征上方。因此，示例性术语“下方”可包含上方和下方的取向这两者。装置可以其它方式取向(旋转90度或者在其它取向)，并且本文中所使用的空间相对描述词被相应地解释。
除非限定，否则本文中所使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本公开所属技术领域的普通技术人员中的一员通常理解的含义相同的含义。还将理解，除非本文中明确地那样定义，否则术语(诸如常用词典中限定的那些术语)应被解释为具有与它们在相关技术和本公开的上下文中的含义一致的含义，并且将不以理想化或过于正式的含义来解释。
本文中参照理想化的实施方式的示意性图示的剖面图对示例性实施方式进行描述。就其本身而言，将期望作为例如制造技术和/或公差的结果的图示的形状的变化。因此，本文中所描述的实施方式不应被解释为限于本文中所示出的区的特定形状，而将包括由例如制造而导致的形状上的偏差。例如，典型地，示出或描述为平坦的区可具有粗糙和/或非线性特征。此外，示出的尖角可为圆的。因此，图中所示的区本质上是示意性的，并且它们的形状并不旨在示出区的精确形状以及不旨在限制本权利要求的范围。
在附图中，附图标记x用于指示第一方向，附图标记y是与第一方向垂直的第二方向，并且附图标记z是与第一方向和第二方向垂直的第三方向。
在下文中，将参照附图对本发明的实施方式进行详细描述。
图1是示意地示出根据实施方式的显示装置的俯视图。
参照图1，显示装置的实施方式包括显示面板10。显示面板10包括显示区域DA和围绕显示区域DA的非显示区域NA，显示区域DA用于显示图像，用于生成和/或传输待施加到显示区域DA的各种信号的元件和/或布线布置或形成在非显示区域NA中。显示区域DA可限定为由虚线指示的虚设的边界BL的内部的区域，并且非显示区域NA可限定为边界BL的外部的区域。
例如，像素PX以矩阵形式布置在显示面板10的显示区域DA中。诸如数据线DL和扫描线(也称为栅极线)SL的信号线也布置在显示区域DA中。扫描线SL可大致在第一方向x(例如，行方向)上延伸，并且数据线DL可大致在与第一方向x相交的第二方向y(例如，列方向)上延伸。每个像素PX连接到扫描线SL和数据线DL，从而从这样的信号线接收扫描信号(称为栅极信号)和数据电压(称为数据信号)。在显示装置为有机发光二极管显示器的实施方式中，可布置有用于将驱动电压ELVDD传输到像素PX的驱动电压线，并且显示区域DA中还可布置有用于传输发光控制信号的发光控制线ECL和/或用于传输初始化电压的初始化电压线。驱动电压线可大致在第二方向y上延伸，并且发光控制线ECL和/或初始化电压线可大致在第一方向x上延伸。
显示面板10可包括用于感测用户或输入装置(例如，笔)在其上的接触或在其上的非接触触摸的触摸电极(也称为触摸传感器层)，并且触摸电极可主要布置在显示区域DA中。在实施方式中，如图1中所示，显示区域DA可具有带圆角的角的四边形形状，但是显示区域DA的形状可被不同地修改以具有诸如矩形、其它多边形、圆形和椭圆形的各种形状中的一种。
在显示面板10的非显示区域NA中，可布置有包括用于从显示面板10的外部接收信号的焊盘的焊盘部。显示装置可包括柔性印刷电路膜20，而柔性印刷电路膜20包括与显示面板10的焊盘部连接(例如，接合)的端部。柔性印刷电路膜20的另一端部连接到印刷电路板(“PCB”)，从而接收诸如图像数据的信号以及诸如驱动电压ELVDD、公共电压ELVSS等的电源电压。
用于生成和/或处理各种信号以驱动显示面板10的驱动装置(例如，电路)可布置在非显示区域NA中，并且可布置在与焊盘部连接的柔性印刷电路膜20上。驱动装置可包括用于将数据电压施加到数据线DL的数据驱动器、用于将扫描信号施加到扫描线SL的扫描驱动器、用于将发光控制信号施加到发光控制线ECL的发光驱动器以及用于控制数据驱动器、扫描驱动器和发光驱动器的信号控制器。
扫描驱动器和发光驱动器可在显示面板10的非显示区域NA中集成为多个驱动电路40a和40b。多个驱动电路40a和40b可包括布置在显示区域DA的一侧处的驱动电路40a和布置在显示区域DA的相对侧处的驱动电路40b，并且多个驱动电路40a和40b可各自在第二方向y上延伸。每个驱动电路40a或每个驱动电路40b可包括扫描驱动器和/或发光驱动器。多个驱动电路40a和40b可电连接到扫描线SL和发光控制线ECL。驱动电路40a或驱动电路40b可包括移位寄存器，而移位寄存器包括彼此独立地连接(例如，级联连接)的级，并且每个级可包括晶体管和电容器。每个级可接收驱动电路信号以生成和/或输出栅极信号和/或发光控制信号。
数据驱动器和信号控制器可用集成电路芯片30设置，或者由集成电路芯片30的部分限定。集成电路芯片30可布置在显示面板10的非显示区域NA中。集成电路芯片30可布置在柔性印刷电路膜20上。数据驱动器和信号控制器可形成为单个芯片或分离的芯片。
在非显示区域NA中，用于将从集成电路芯片30输出的数据电压传输到显示区域DA的数据线DL的数据连接线CLa可布置在集成电路芯片30与显示区域DA之间。在实施方式中，例如，依据显示装置的分辨率，数据连接线CLa的数量可为数千。在这种实施方式中，由于在有限的区或区域中可形成有大量的这种数据连接线CLa，因此数据连接线CLa可以非常窄的宽度和微米单位的间隔来形成并布置。数据连接线CLa可包括在相对于第二方向y倾斜的方向上延伸的部分，在这种部分中，相邻的数据连接线CLa之间的间隔可非常窄(例如，小于1微米)。
图2是图1中的区A1的放大图，并且图3是沿图2的线III-III'截取的剖面图。
参照图2和图3，在非显示区域DA中，示出了布置在集成电路芯片30与显示区域DA之间的数据连接线CLa。通常，由于显示区域DA的宽度大于集成电路芯片30的宽度，因此数据连接线CLa的至少一部分可包括相对于第二方向y倾斜地延伸的部分。
数据连接线CLa可包括布置在彼此不同的层中的第一数据连接线CLa1和第二数据连接线CLa2。第一数据连接线CLa1和第二数据连接线CLa2可在第一方向x和/或第二方向y上交替地放置。如果布置有布置在不同层中的第一数据连接线CLa1和第二数据连接线CLa2，则可允许在增加第一数据连接线CLa1和第二数据连接线CLa2中的每个的宽度的同时减小第一数据连接线CLa1和第二数据连接线CLa2之间的间隔。
与第一数据连接线CLa1重叠的第一虚设线DMa1可布置在第一数据连接线CLa1上。与第二数据连接线CLa2重叠的第二虚设线DMa2可布置在第二数据连接线CLa2下方。与第一数据连接线CLa1和第二数据连接线CLa2相似地，第一虚设线DMa1和第二虚设线DMa2可在第一方向x和/或第二方向y上逐一交替地排列。第一虚设线DMa1可连接到第一数据连接线CLa1，并且第一虚设线DMa1的电势可与第一数据连接线CLa1的电势相同。第二虚设线DMa2可连接到第二数据连接线CLa2，并且第二虚设线DMa2的电势可与第二数据连接线CLa2的电势相同。相应地，可减小第一数据连接线CLa1和第二数据连接线CLa2的电阻，并且可减小诸如通过第一数据连接线CLa1和第二数据连接线CLa2传输的数据电压的信号的电阻-电容(“RC”)延迟。第一虚设线DMa1和/或第二虚设线DMa2可为电浮置的。
提供第一虚设线DMa1以解决随着在显示区域DA和非显示区域NA中导电层的密度(每单位面积由导电层占据的面积)改变，当形成显示区域DA的导电图案时因光负载效应而导致的尺寸变得不一致的问题。相似地，提供第二虚设线DMa2以解决随着在显示区域DA和非显示区域NA中半导体层的密度(即，每单位面积由半导体层占据的面积)不同，当形成显示区域DA的半导体图案时因光负载效应而导致的尺寸不一致的问题。
例如，当形成构成显示区域DA的晶体管的半导体图案时，半导体材料完全沉积在衬底110上(即，在显示区域DA和非显示区域NA上方)以形成半导体层，并且半导体层可通过光刻工艺来图案化。光刻工艺包括在半导体层上涂覆诸如光致抗蚀剂的光敏材料的工艺，通过使用掩模来曝光光敏材料的工艺，且然后用显影剂部分地溶解光敏材料以形成与掩模的图案对应的光敏膜图案的工艺。在这种情况下，如果待形成在显示区域DA和与其相邻的非显示区域NA中的半导体图案的密度差异为大的，那么显示区域中的显影剂可能向非显示区域NA流动。显影剂的流动改变了显示区域DA之中特别是与非显示区域NA相邻的区中的显影速度，以使得可能发生形成在与非显示区域NA相邻的显示区域DA中的半导体图案的尺寸增大，并且可能在显示区域DA的边缘处发生诸如亮度增加的问题。
在实施方式中，第二虚设线DMa2设置或形成在与显示区域DA相邻的非显示区域NA中，以使得可平滑显示区域DA与非显示区域NA之间的半导体层的密度差异的快速变化，并且相应地，半导体图案的尺寸的不一致可通过减少形成半导体图案时的显影剂的流动来改善。由于第二虚设线DMa2未形成在第一数据连接线CLa1下方，而是仅形成在第二数据连接线CLa2下方，因此相邻的第二虚设线DMa2可以比相邻的第一数据连接线CLa1与第二数据连接线CLa2之间的间隔宽的间隔布置。因此，例如即使发生处理错误，在相邻的第二虚设线DMa2之间也可不会发生短路。在这种实施方式中，第一虚设线DMa1设置或形成在与显示区域DA相邻的非显示区域NA中，以使得显示区域DA与非显示区域NA之间的导电层的密度差异的快速变化可被缓解，并且导电图案的尺寸不一致性可通过减少显影剂流动被改善。由于第一虚设线DMa1未形成在第二数据连接线CLa2上，而是仅形成在第一数据连接线CLa1上，因此相邻的第一虚设线DMa1可以比相邻的第一数据连接线CLa1与第二数据连接线CLa2之间的间隔宽的间隔形成，并且相应地，相邻的第一虚设线DMa1之间可不会发生短路。稍后将更详细地描述布置在与第一虚设线DMa1相同的层中的显示区域DA的导电层(导电图案)。
在下文中，将参照图3对布置有数据连接线CLa和虚设线DMa的区的堆叠结构(剖面结构)进行详细描述。在堆叠结构中，衬底110可由诸如聚酰亚胺的塑料或者诸如玻璃的绝缘材料形成。
缓冲层120可布置在衬底110上。缓冲层120起到在形成半导体层的工艺中阻挡可能从衬底110扩散到位于其上的半导体层的杂质以及减小施加到衬底110的应力的层的作用。缓冲层120可增加半导体层的粘合力。缓冲层120为绝缘层，与此同时，考虑到其功能方面，而被称为缓冲层。缓冲层120可包括诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)等的无机绝缘材料。
第二虚设线DMa2可布置在缓冲层120上。第二虚设线DMa2可包括多晶硅、非晶硅或氧化物半导体。
第一绝缘层141可布置在第二虚设线DMa2上。第一绝缘层141可包括诸如氧化硅和氮化硅的无机绝缘材料。第一绝缘层141可被称为第一栅极绝缘层。
第一数据连接线CLa1可布置在第一绝缘层141上。例如，第一数据连接线CLa1可包括诸如钼(Mo)、铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、铬(Cr)、钽(Ta)或钛(Ti)的金属。
可包括诸如氧化硅或氮化硅的无机绝缘材料的第二绝缘层142可布置在第一数据连接线CLa1上。第二绝缘层142可被称为第二栅极绝缘层。
第二数据连接线CLa2可布置在第二绝缘层142上。第二数据连接线CLa2和第一数据连接线CLa1通过介于其间的第二绝缘层142彼此绝缘。因此，即使相邻的第一数据连接线CLa1与第二数据连接线CLa2之间的间隔非常窄，第一数据连接线CLa1和第二数据连接线CLa2也可不被短路，所以可允许增加第一数据连接线CLa1和第二数据连接线CLa2的宽度以减小电阻。
第二数据连接线CLa2可与第二虚设线DMa2重叠。第二数据连接线CLa2可通过限定或形成在第一绝缘层141和第二绝缘层142中的至少一个接触孔连接到第二虚设线DMa2。例如，第二数据连接线CLa2可包括诸如钼(Mo)、铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、铬(Cr)、钽(Ta)或钛(Ti)的金属。
可包括诸如氧化硅和氮化硅的无机绝缘材料的第三绝缘层161可布置在第二数据连接线CLa2上。第三绝缘层161可被称为第一层间绝缘层。
第一虚设线DMa1可布置在第三绝缘层161上。第一虚设线DMa1可与第一数据连接线CLa1重叠。第一虚设线DMa1可经由形成在第二绝缘层142和第三绝缘层161中的至少一个接触孔连接到第一数据连接线CLa1。例如，第一虚设线DMa1可包括诸如钼(Mo)、铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、铬(Cr)、钽(Ta)或钛(Ti)的金属。
可包括诸如氧化硅和氮化硅的无机绝缘材料的第四绝缘层162可布置在第一虚设线DMa1上。第四绝缘层162可被称为第二层间绝缘层。
第五绝缘层180可布置在第四绝缘层162上。第五绝缘层180可包括有有机绝缘材料，诸如聚酰亚胺、丙烯酸基聚合物或硅氧烷基聚合物。第五绝缘层180可被称为钝化层或偏振层等。
图4是图1中的区A2的放大图，并且图5是沿图4的线V-V'截取的剖面图。
在图4中示出了布置有驱动电路40a的非显示区域NA中的部分。布置有驱动连接线CLb的连接线区域CLA布置在驱动电路区域DCA与显示区域DA之间，驱动连接线CLb将驱动电路40a和/或电压传输线连接到显示区域DA的信号线，驱动电路40a布置在驱动电路区域DCA中。
驱动连接线CLb可包括第一驱动连接线CLb1、第二驱动连接线CLb2和第三驱动连接线CLb3。第一驱动连接线CLb1可将驱动电路40a和显示区域DA的扫描线SL彼此连接，并且可将从驱动电路40a输出的扫描信号传输到扫描线SL。第二驱动连接线CLb2可将初始化电压传输线IVT和显示区域DA的初始化电压线彼此连接，并且可将初始化电压Vint传输到初始化电压线。第三驱动连接线CLb3可连接驱动电路40a和显示区域DA的发光控制线ECL，并且可将发光控制信号传输到发光控制线ECL。这样的三个驱动连接线CLb1、CLb2和CLb3可对应于一个像素行，并且可在第二方向y上重复。
参照图4和图5，第一驱动连接线CLb1可布置在第一绝缘层141与第二绝缘层142之间，并且第二驱动连接线CLb2和第三驱动连接线CLb3可布置在第二绝缘层142与第三绝缘层161之间。与第一驱动连接线CLb1重叠的第一虚设线DMb1可布置在第一驱动连接线CLb1上。与第二驱动连接线CLb2重叠的第二虚设线DMb2可布置在第二驱动连接线CLb2下方。与第三驱动连接线CLb3重叠的第三虚设线DMb3可布置在第三驱动连接线CLb3下方。第一虚设线DMb1至第三虚设线DMb3可共同地限定与驱动连接线CLb对应的虚设线DMb。
第一虚设线DMb1可通过限定或形成在第二绝缘层142和第三绝缘层161中的接触孔连接到第一驱动连接线CLb1，并且第一虚设线DMb1的电势可与第一驱动连接线CLb1的电势相同。第二驱动连接线CLb2可通过限定或形成在第一绝缘层141和第二绝缘层142中的接触孔连接到第二虚设线DMb2，并且第二虚设线DMb2的电势可与第二驱动连接线CLb2的电势相同。第三驱动连接线CLb3可通过限定或形成在第一绝缘层141和第二绝缘层142中的接触孔连接到第三虚设线DMb3，并且第三虚设线DMb3的电势可与第三驱动连接线CLb3的电势相同。相应地，可减小第一驱动连接线CLb1、第二驱动连接线CLb2和第三驱动连接线CLb3的电阻，并且可减小通过第一驱动连接线CLb1、第二驱动连接线CLb2和第三驱动连接线CLb3传输的信号的RC延迟。替代性地，第一虚设线DMb1、第二虚设线DMb2和/或第三虚设线DMb3可为电浮置线。
在实施方式中，如上所述，当形成显示区域DA的半导体图案和导电图案时，通过将第一虚设线DMb1、第二虚设线DMb2和第三虚设线DMb3分别布置成与第一驱动连接线CLb1、第二驱动连接线CLb2和第三驱动连接线CLb3直接重叠，可解决因光负载效应引起的尺寸不一致的问题，并且可减少或有效地防止显示区域DA的边缘上的诸如斑点的图像劣化。
现在将参照图6、图7和图8对显示装置的像素PX的实施方式进行描述。
图6是示出根据实施方式的显示装置的像素PX的等效电路图，图7是根据实施方式的显示装置的像素区域的平面图，并且图8是沿图7的线VIII-VIII'截取的剖面图。
参照图6，像素PX的实施方式包括与多个信号线127、151、152、153、158、171和172连接的多个晶体管T1至T7、存储电容器Cst和发光二极管LED。
多个晶体管T1至T7包括驱动晶体管T1、开关晶体管T2、补偿晶体管T3、初始化晶体管T4、操作控制晶体管T5、发光控制晶体管T6和旁路晶体管T7。
多个信号线127、151、152、153、158、171和172可包括初始化电压线127、扫描线151、前一扫描线152、发光控制线153、旁路控制线158、数据线171和驱动电压线172。
前一扫描线152将前一扫描信号Sn-1传输到初始化晶体管T4，发光控制线153将发光控制信号EM传输到操作控制晶体管T5和发光控制晶体管T6，并且旁路控制线158将旁路信号BP传输到旁路晶体管T7。
数据线171可接收数据电压Dm，并且驱动电压线172和初始化电压线127可分别接收驱动电压ELVDD和初始化电压Vint。初始化电压Vint初始化驱动晶体管T1。
多个晶体管T1至T7分别包括多个栅电极G1至G7、多个源电极S1至S7和多个漏电极D1至D7，并且存储电容器Cst包括第一电极CE1和第二电极CE2。这些晶体管T1至T7和存储电容器Cst的电极可如图6中所示地连接。可为有机发光二极管的发光二极管LED的阳极通过发光控制晶体管T6连接到驱动晶体管T1的漏电极D1，并且发光二极管LED的阴极连接到用于传输公共电压ELVSS的公共电压线741。
晶体管的数量、电容器的数量和它们之间的连接可在像素PX的电路结构中进行各种修改。
参照图7，显示装置可包括主要在第一方向x上延伸并且分别传输扫描信号Sn、前一扫描信号Sn-1、发光控制信号EM和初始化电压Vint的扫描线151、前一扫描线152、发光控制线153和初始化电压线127。旁路信号BP可通过前一扫描线152传输。显示装置可包括主要沿着第二方向y延伸并且分别传输数据电压Dm和驱动电压ELVDD的数据线171和驱动电压线172。扫描信号Sn和前一扫描信号Sn-1可连接到布置在上述的非显示区域NA中并且彼此相邻的两个第一驱动连接线CLb1。发光控制线153可连接到第三驱动连接线CLb3。初始化电压线127可连接到第二驱动连接线CLb2。数据线171可连接到第一数据连接线CLa1或第二数据连接线CLa2。
显示装置可包括驱动晶体管T1、开关晶体管T2、补偿晶体管T3、初始化晶体管T4、操作控制晶体管T5、发光控制晶体管T6、旁路晶体管T7、存储电容器Cst和发光二极管LED。发光二极管LED包括第一电极E1、发射层EL和第二电极E2。补偿晶体管T3和初始化晶体管T4可各自具有双栅极结构(即，第一补偿晶体管T3-1和第二补偿晶体管T3-2彼此连接或第一初始化晶体管T4-1和第二初始化晶体管T4-2彼此连接的结构)以防止泄漏电流。
驱动晶体管T1、开关晶体管T2、补偿晶体管T3、初始化晶体管T4、操作控制晶体管T5、发光控制晶体管T6和旁路晶体管T7的每个沟道、源电极和漏电极可布置在伸长的相同的半导体层130中。半导体层130可弯曲成各种形状。半导体层130可包括诸如多晶硅或氧化物半导体的多晶半导体。
半导体层130可包括掺杂有N型杂质或P型杂质的沟道以及布置在沟道的各自的两侧处并且具有比沟道高的掺杂浓度的源极掺杂区和漏极掺杂区。源极掺杂区和漏极掺杂区分别对应于多个晶体管T1至T7中的每个的源电极和漏电极。此外，在半导体层130中，不同的晶体管的源电极与漏电极之间的区可以一个晶体管的源电极和另一个晶体管的漏电极可彼此电连接的方式掺杂。
多个晶体管T1至T7中的每个的沟道与其栅电极重叠并且布置在其源电极与漏电极之间。多个晶体管T1至T7中的每个可具有大致相同的层叠结构。因此，为了描述的便利，在下文中将主要对驱动晶体管T1的结构进行描述，并且将省略或简化其余的晶体管T2至T7的结构的任何重复的详细描述。
驱动晶体管T1包括沟道131、栅电极155、源电极136和漏电极137。沟道131与位于源电极136与漏电极137之间的栅电极155重叠。栅电极155与沟道131重叠。源电极136和漏电极137分别与沟道131的两侧相邻。连接构件71经由接触孔61连接到栅电极155。为了连接构件71与栅电极155之间的这种连接，开口56可通过存储电容器Cst的第二电极CE2来限定，连接构件71可布置为通过开口56。
开关晶体管T2的栅电极可由扫描线151的一部分限定。与数据线171连接的连接电极73通过接触孔62连接到开关晶体管T2的源电极。
补偿晶体管T3包括彼此相邻的第一补偿晶体管T3-1和第二补偿晶体管T3-2。第一补偿晶体管T3-1的栅电极可由扫描线151的一部分限定。第一补偿晶体管T3-1的源电极连接到发光控制晶体管T6的源电极和驱动晶体管T1的漏电极。
第二补偿晶体管T3-2的源电极连接到第一补偿晶体管T3-1的漏电极。第二补偿晶体管T3-2的栅电极可由扫描线151的突起限定。连接构件71通过接触孔63连接到第二补偿晶体管T3-2的漏电极。
初始化晶体管T4包括第一初始化晶体管T4-1和第二初始化晶体管T4-2。第一初始化晶体管T4-1的栅电极和第二初始化晶体管T4-2的栅电极可由前一扫描线152的一部分限定。初始化电压线127通过接触孔64连接到第一初始化晶体管T4-1的源电极。连接构件71通过接触孔63连接到第二初始化晶体管T4-2的漏电极。第一初始化晶体管T4-1的漏电极连接到第二初始化晶体管T4-2的源电极。
操作控制晶体管T5的栅电极可由发光控制线153的一部分限定。与驱动电压线172连接的连接构件74通过接触孔65连接到操作控制晶体管T5的源电极。
发光控制晶体管T6的栅电极可由发光控制线153的一部分限定。连接构件72通过接触孔67连接到发光控制晶体管T6的漏电极。
旁路晶体管T7的栅电极可由前一扫描线152的一部分限定。旁路晶体管T7的源电极连接到发光控制晶体管T6的漏电极。旁路晶体管T7的漏电极连接到第一初始化晶体管T4-1的源电极。
存储电容器Cst包括在第二绝缘层142介于其间的情况下彼此重叠的第一电极CE1和第二电极CE2。第一电极CE1对应于驱动晶体管T1的栅电极155，并且第二电极CE2可由存储线126的延伸部分限定。
连接构件71的端部通过接触孔61和开口56连接到栅电极155的第一电极CE1。连接构件71的另一端部通过接触孔63连接到第二补偿晶体管T3-2的漏电极和第二初始化晶体管T4-2的漏电极。相应地，连接构件71可将驱动晶体管T1的栅电极155连接到第二补偿晶体管T3-2的漏电极和第二初始化晶体管T4-2的漏电极。
与驱动电压线172连接的连接构件75通过接触孔66连接到第二电极CE2。存储电容器Cst可存储与通过驱动电压线172传输到第二电极CE2的驱动电压ELVDD和栅电极155的栅极电压之间的差异对应的电荷。
连接构件76通过接触孔68连接到连接构件72，并且第一电极E1(也称为像素电极)通过接触孔81连接到连接构件76。
在下文中，将参照图8，就堆叠的顺序而言，对显示装置的实施方式的剖面结构进行描述。
缓冲层120布置在衬底110上，并且包括多个晶体管T1至T7的沟道、源电极和漏电极的半导体层130布置在缓冲层120上。上述的第二虚设线DMa2和第二虚设线DMb2以及第三虚设线DMb3可通过与半导体层130相同的工艺由相同的材料形成。第二虚设线DMa2和第二虚设线DMb2以及第三虚设线DMb3可通过掺杂有比掺杂到半导体层130的沟道中的杂质高的杂质浓度而导电。
第一绝缘层141布置在半导体层130上，并且包括多个晶体管T1至T7的栅电极、扫描线151、前一扫描线152、发光控制线153和第一电极CE1的第一导体布置在第一绝缘层141上。
上述的第一数据连接线CLa1和第一驱动连接线CLb1可由相同的材料并且通过与第一导体相同的工艺形成。在这种实施方式中，第一导体还可包括第一数据连接线CLa1和第一驱动连接线CLb1。
第二绝缘层142布置在第一导体上，并且包括存储线126和第二电极CE2的第二导体布置在第二绝缘层142上。
上述的第二数据连接线CLa2、第二驱动连接线CLb2和第三驱动连接线CLb3可由相同的材料并且与第二导体相同的工艺形成。在这种实施方式中，第二导体还可包括第二数据连接线CLa2、第二驱动连接线CLb2和第三驱动连接线CLb3。
第三绝缘层161布置在第二导体上，并且多个接触孔61至67限定为穿过第三绝缘层161。
包括初始化电压线127和多个连接构件71至75的第三导体布置在第三绝缘层161上。
初始化电压线127通过限定在第一绝缘层141、第二绝缘层142和第三绝缘层161中的接触孔64连接到第一初始化晶体管T4-1的源电极。连接构件71的端部通过形成在第二绝缘层142和第三绝缘层161中的接触孔61连接到第一电极CE1，并且连接构件71的另一端部通过限定在第一绝缘层141、第二绝缘层142和第三绝缘层161中的接触孔63连接到第二补偿晶体管T3-2的漏电极和第二初始化晶体管T4-2的漏电极。连接构件72通过限定在第一绝缘层141、第二绝缘层142和第三绝缘层161中的接触孔67连接到发光控制晶体管T6的漏电极。连接构件73通过限定在第一绝缘层141、第二绝缘层142和第三绝缘层161中的接触孔62连接到开关晶体管T2的源电极。连接构件74通过限定在第一绝缘层141、第二绝缘层142和第三绝缘层161中的接触孔65连接到操作控制晶体管T5的源电极。连接构件75通过限定在第一绝缘层141、第二绝缘层142和第三绝缘层161中的接触孔66连接到第二电极CE2。
上述的第一虚设线DMa1和第一虚设线DMb1可通过与第三导体相同的工艺由相同的材料形成。在这种实施方式中，第三导体还可包括第一虚设线DMa1和第一虚设线DMb1。
第四绝缘层162布置在第三导体上，并且包括数据线171、驱动电压线172和连接构件76的第四导体布置在第四绝缘层162上。
数据线171通过限定在第四绝缘层162中的接触孔连接到连接构件73，从而连接到开关晶体管T2的源电极。驱动电压线172通过限定在第四绝缘层162中的接触孔连接到连接构件74和连接构件75。相应地，驱动电压线172可连接到操作控制晶体管T5的源电极，从而连接到第二电极CE2。
连接构件76通过限定在第四绝缘层162中的接触孔连接到连接构件72，从而连接到发光控制晶体管T6的漏电极。
第五绝缘层180布置在第四导体上，并且像素电极的第一电极E1布置在第五绝缘层180上。第一电极E1通过限定在第五绝缘层180中的接触孔81连接到连接构件76。
限定有与第一电极E1重叠的开口的第六绝缘层350(也称为像素限定层)布置在第五绝缘层180上。第六绝缘层350可包括有机绝缘材料或无机绝缘材料。
发射层EL布置在第一电极E1上。第二电极E2(也称为公共电极)布置在发射层EL上。第二电极E2可布置在多个像素PX上方。
第一电极E1、有机发射层EL和第二电极E2共同限定发光二极管LED。第一电极E1可为空穴注入电极的阳极，第二电极E2可为电子注入电极的阴极，或者反之亦然。空穴和电子从第一电极E1和第二电极E2注入到发射层EL中，并且当激子从激发态跃迁至基态时发射光，该激子当注入的空穴和电子结合时形成。
用于保护发光二极管LED的封装层可布置在第二电极E2上。封装层可与第二电极E2接触或者可与第二电极E2分离。封装层可包括无机层和有机层。覆盖层和/或功能层可布置在第二电极E2与封装层之间。
上述元件的位置和布置可进行各种修改。
图9是示出在根据实施方式的显示装置的非显示区域NA中形成第二虚设线DMa2和第二虚设线DMb2以及第三虚设线DMb3之前和之后的半导体层形成区的图，并且图10是示出在根据实施方式的显示装置的非显示区域NA中形成第一虚设线DMa1和第一虚设线DMb1之前和之后的特定导电层形成区的图。
在图9中示出了在制造显示面板并将其切割成适合于产品的大小之前的状态。显示面板中的左上角部分和右上角部分可被切割。基于边界BL布置在内部的内显示区域DA形成有像眼镜片一样的圆角。这种显示面板可应用于头戴式显示装置。
在图9中，左图和右图示出了在非显示区域NA中布置上述的第二虚设线DMa2和第二虚设线DMb2以及第三虚设线DMb3之前和之后的半导体层的形成区。在图中，由黑色表示的区为不存在半导体层的区。通过布置第二虚设线DMa2和第二虚设线DMb2以及第三虚设线DMb3，即使在非显示区域NA(特别是与显示区域DA相邻的非显示区域NA)中，半导体层也可形成有与显示区域DA的密度相似的密度。相应地，当在显示区域DA中形成半导体图案(上述的半导体层130)时，可在显示区域DA(特别是与非显示区域NA相邻的显示区域DA)中解决光负载效应。
在图10中，左图和右图表示在非显示区域NA中布置上述的第一虚设线DMa1和第一虚设线DMb1之前和之后的特定导电层(即，包括第三导体的导电层)的形成区。在附图中，由黑色表示的区表示不存在第三导体的区。通过布置第一虚设线DMa1和第一虚设线DMb1，即使在非显示区域NA(特别是与显示区域DA相邻的非显示区域NA)中，第三导体也可形成有与显示区域DA的密度相似的密度。相应地，当在显示区域DA中形成第三导体时，可在显示区域DA(特别是与非显示区域NA相邻的显示区域DA)中解决光负载效应。
虽然已结合当前被认为是实际的实施方式描述了本发明，但是应理解，本发明不限于所公开的实施方式。相反，本发明概念旨在覆盖包括在所附权利要求书的精神和范围内的各种修改和等同布置。

Claims (10)

1.一种显示装置，包括：
显示面板，所述显示面板包括显示图像的显示区域和位于所述显示区域周围的非显示区域，其中，所述显示面板包括：
衬底；
多个连接线，所述多个连接线在所述非显示区域中位于所述衬底上，并且包括彼此相邻的第一连接线和第二连接线；
第一虚设线，所述第一虚设线与所述第一连接线重叠并且布置在所述第一连接线上；以及
第二虚设线，所述第二虚设线与所述第二连接线重叠并且布置在所述衬底与所述第二连接线之间。
2.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一虚设线不与所述第二连接线重叠，并且第二虚设线不与所述第一连接线重叠。
3.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述显示面板还包括：
第一绝缘层，所述第一绝缘层布置在所述第一连接线与所述第二虚设线之间；
第二绝缘层，所述第二绝缘层布置在所述第一连接线与所述第二连接线之间；以及
第三绝缘层，所述第三绝缘层布置在所述第二连接线与所述第一虚设线之间。
4.如权利要求3所述的显示装置，其中，所述第一虚设线通过限定在所述第二绝缘层和所述第三绝缘层中的接触孔连接到所述第一连接线，以及
所述第二连接线通过限定在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中的接触孔连接到所述第二虚设线。
5.如权利要求3所述的显示装置，其中，所述显示面板还包括：
半导体层，所述半导体层在所述显示区域中布置在所述衬底与所述第一绝缘层之间，以及
所述第二虚设线包括与所述半导体层相同的材料。
6.如权利要求3所述的显示装置，其中，所述显示面板还包括布置在所述显示区域中的存储电容器，
所述存储电容器包括：
第一电极，所述第一电极布置在所述第一绝缘层与所述第二绝缘层之间；以及
第二电极，所述第二电极布置在所述第二绝缘层与所述第三绝缘层之间，
所述第一连接线包括与所述第一电极相同的材料，并且
所述第二连接线包括与所述第二电极相同的材料。
7.如权利要求3所述的显示装置，其中，所述显示面板还包括：
初始化电压线，所述初始化电压线在所述显示区域中布置在所述第三绝缘层上，其中，所述初始化电压线传输初始化电压；以及
第四绝缘层，所述第四绝缘层布置在所述初始化电压线和所述第一虚设线上，并且
所述第一虚设线包括与所述初始化电压线相同的材料。
8.如权利要求7所述的显示装置，其中，所述显示面板还包括：
数据线，所述数据线在所述显示区域中布置在所述第四绝缘层上，其中，所述数据线传输数据电压，并且
所述第一连接线和所述第二连接线中的一个连接到所述数据线。
9.如权利要求8所述的显示装置，其中，所述显示面板还包括：
扫描线，所述扫描线在所述显示区域中布置在所述第一绝缘层与所述第二绝缘层之间，其中，所述扫描线传输扫描信号，并且
所述第一连接线和所述第二连接线中的一个连接到所述初始化电压线，并且所述第一连接线和所述第二连接线中的另一个连接到所述扫描线。
10.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述多个连接线还包括：
第三连接线，所述第三连接线与所述第二连接线相邻，以及
所述显示面板还包括：
第三虚设线，所述第三虚设线与所述第三连接线重叠并且布置在所述衬底与所述第三连接线之间。
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