Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

CN112133708B - 一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法 - Google Patents

一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN112133708B
CN112133708B CN202010968604.0A CN202010968604A CN112133708B CN 112133708 B CN112133708 B CN 112133708B CN 202010968604 A CN202010968604 A CN 202010968604A CN 112133708 B CN112133708 B CN 112133708B
Authority
CN
China
Prior art keywords
display
area
substrate
layer
region
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202010968604.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112133708A (zh
Inventor
杨雁
郑斌义
吴玲
沈柏平
王海亮
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd
Original Assignee
Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd filed Critical Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd
Priority to CN202010968604.0A priority Critical patent/CN112133708B/zh
Publication of CN112133708A publication Critical patent/CN112133708A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112133708B publication Critical patent/CN112133708B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842—Containers
    • H10K50/8428—Vertical spacers, e.g. arranged between the sealing arrangement and the OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1218—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133512—Light shielding layers, e.g. black matrix
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
    • G02F1/13394—Gaskets; Spacers; Sealing of cells spacers regularly patterned on the cell subtrate, e.g. walls, pillars
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1262—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

本发明提供一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法，所述显示面板包括显示区和非显示区，所述显示区围绕所述非显示区，所述非显示区包括模组设置区，所述显示面板在所述模组设置区的透光率大于预设值；所述显示面板包括阵列基板，所述阵列基板包括：第一基板；缓冲层，位于所述第一基板的一侧；多个薄膜晶体管，位于所述缓冲层远离所述第一基板一侧；其中，所述多个薄膜晶体管所在膜层仅存在于所述非显示区中除所述模组设置区以外的区域以及所述显示区中；所述缓冲层存在于所述显示区以及所述非显示区中，且覆盖所述模组设置区。本发明以实现提高显示面板在模组设置区的透光率，并减少工艺制程，提高生产效率。

Description

一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法
本申请为申请号201811162738.2、申请日2018年09月30日、发明名称“一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法”的分案申请。
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法。
背景技术
随着显示技术的不断发展，在显示领域中“无边框”、“全面屏”等显示屏成为了研究热点。更大的占屏比给用户带来更优异的视觉体验，也可以显示更多的信息，因此，追求更大的屏占比已成为显示产品的主流发展趋势。
在现有技术中，显示产品为了追求高屏占比，不断压缩边框，同时设计异形屏幕，带有孔洞结构的全面屏将成为设计的最新趋势，孔洞位置可以放置摄像头，听筒等器件。在显示屏的显示区中开口放置摄像头可最大化提高屏占比，但是挖孔技术要求玻璃切割精度和工艺能力十分严苛，因此这种方式面临着产能低、良率低、成本高等的问题。另一种解决方案为保留玻璃基板以及对应于显示区同步制作的各个膜层(例如栅极绝缘层和层间绝缘层)，因此降低了显示面板在模组设置区的透光率。
发明内容
本发明提供一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法，以实现提高显示面板在模组设置区的透光率，并减少工艺制程，提高生产效率。
第一方面，本发明实施例提供一种显示面板，所述显示面板包括显示区和非显示区，所述显示区围绕所述非显示区，所述非显示区包括模组设置区，所述显示面板在所述模组设置区的透光率大于预设值；
所述显示面板包括阵列基板，所述阵列基板包括：
第一基板；
缓冲层，位于所述第一基板的一侧；
多个薄膜晶体管，位于所述缓冲层远离所述第一基板一侧；
其中，所述多个薄膜晶体管所在膜层仅存在于所述非显示区中除所述模组设置区以外的区域以及所述显示区中；所述缓冲层存在于所述显示区以及所述非显示区中，且覆盖所述模组设置区。
第二方面，本发明实施例提供一种显示装置，包括第一方面所述的显示面板，所述显示装置还包括感光模组，所述感光模组设置于模组设置区内。
第三方面，本发明实施例提供一种显示面板的制作方法，所述显示面板包括显示区和非显示区，所述显示区围绕所述非显示区，所述非显示区包括模组设置区；所述显示面板包括阵列基板；
所述制作方法包括：
在所述阵列基板的第一基板上形成覆盖所述显示区以及所述非显示区的缓冲层；
在所述显示区的所述缓冲层上形成多个薄膜晶体管，并去除所述多个薄膜晶体管中的各所在膜层延伸至所述模组设置区的部分，以暴露所述模组设置区的所述缓冲层。
本发明实施例提供一种显示面板，显示面板包括显示区和非显示区，显示区包围非显示区，并在非显示区中设置有用于通光的模组设置区，例如可以在模组设置区设置摄像头。模组设置区保留了第一基板，即，未采用挖孔的方式将第一基板切割掉，因此避免了挖孔技术导致的良率和产率低下问题。本发明实施例去除了薄膜晶体管所在膜层位于模组设置区的部分，并在模组设置区内保留了缓冲层。这样设置的优点在于：一方面，去除例如栅极绝缘层和层间绝缘层等薄膜晶体管所在膜层以提高模组设置区的透光率。另一方面，在利用原有工艺刻蚀薄膜晶体管所在膜层(例如栅极绝缘层和层间绝缘层)以形成通孔的同时，在同一工艺流程中同时去除薄膜晶体管中的各所在膜层延伸至所述模组设置区的部分，无需增加新的工艺流程。如果要去除模组设置区内的缓冲层，在显示区中没有对应的刻蚀工艺，因此需要多设置一道工艺制程。另一方面，缓冲层可以作为一保护层覆盖于第一基板上，以防止水汽和杂质粒子进入到显示面板内，提高了显示面板的可靠性。本发明实施例以实现提高显示面板在模组设置区的透光率，并减少工艺制程，提高生产效率。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种显示面板的俯视结构示意图；
图2为沿图1中AA’方向的剖面结构示意图；
图3为本发明实施例提供的另一种阵列基板的剖面结构示意图；
图4为本发明实施例提供的另一种阵列基板的剖面结构示意图；
图5为本发明实施例提供的另一种阵列基板的剖面结构示意图；
图6为本发明实施例提供的另一种阵列基板的剖面结构示意图；
图7为本发明实施例提供的另一种显示面板的剖面结构示意图；
图8为本发明实施例提供的另一种显示面板的部分结构的俯视图；
图9为沿图8中BB’方向的剖面结构示意图；
图10为本发明实施例提供的另一种显示面板的部分结构的俯视图；
图11为沿图10中CC’方向的剖面结构示意图；
图12为本发明实施例提供的一种像素的结构示意图；
图13为本发明实施例提供的另一种显示面板的剖面结构示意图；
图14为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图；
图15为本发明实施例提供的一种显示面板的制作方法流程图；
图16为本发明实施例提供的另一种显示面板的制作方法流程图；
图17为本发明实施例提供的另一种显示面板的制作方法流程图；
图18a-图18k为本发明实施例提供的显示面板中阵列基板的制作示意图；
图19为本发明实施例提供的另一种显示面板的制作方法流程图；
图20a-图20c为本发明实施例提供的显示面板中彩膜基板的制作示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
图1为本发明实施例提供的一种显示面板的俯视结构示意图，图2为沿图1中AA’方向的剖面结构示意图，参考图1和图2，显示面板100包括显示区110和非显示区120，显示区110围绕非显示区120，非显示区120包括模组设置区121，显示面板100在模组设置区121的透光率大于预设值。显示区110可以用于图像显示，显示区110中可以包括多个阵列排布的像素，每一像素可以包括多个子像素，每一子像素可以包括开口区和非开口，开口区为透光区域，非开口区为非透光区域。非显示区120为不进行图像显示区的区域。
显示面板100包括阵列基板200，阵列基板200包括第一基板11、缓冲层12和多个薄膜晶体管1。缓冲层12位于第一基板11的一侧。多个薄膜晶体管1位于缓冲层12远离第一基板11一侧。薄膜晶体管1可以包括半导体层103、栅极102、源极101和漏极104，栅极102位于半导体层103和源漏极(源极101和漏极104的简称)之间，属于顶栅结构的薄膜晶体管。在其他实施方式中薄膜晶体管1也可以为底栅结构的薄膜晶体管，底栅结构的薄膜晶体管中，半导体层103位于栅极102和源漏极之间。多个薄膜晶体管1所在膜层仅存在于非显示区120中除模组设置区121以外的区域以及显示区110中。缓冲层12存在于显示区110以及非显示区120中，且覆盖模组设置区121。也就是说，模组设置区121中设置有缓冲层12，模组设置区121中不存在薄膜晶体管1所在膜层。示例性地，参考图2，薄膜晶体管1所在膜层包括栅极绝缘层13和层间绝缘层14，栅极绝缘层13和层间绝缘层14可以为有机绝缘层，无机绝缘层，或者有机绝缘层与无机绝缘层的叠层结构，本发明实施例对此不作特殊限定，具体以实际情况而定。栅极绝缘层13位于栅极102和半导体层103之间，层间绝缘层14位于栅极102和源漏极之间。非显示区120中除模组设置区121以外的区域以及显示区110中，存在缓冲层12、栅极绝缘层13和层间绝缘层14；模组设置区121中，存在缓冲层12，不存在栅极绝缘层13和层间绝缘层14。
本发明实施例提供一种显示面板，显示面板包括显示区和非显示区，显示区包围非显示区，并在非显示区中设置有用于通光的模组设置区，例如可以在模组设置区设置摄像头。模组设置区保留了第一基板，即，未采用挖孔的方式将第一基板切割掉，因此避免了挖孔技术导致的良率和产率低下问题。本发明实施例去除了薄膜晶体管所在膜层位于模组设置区的部分，并在模组设置区内保留了缓冲层。这样设置的优点在于：一方面，去除例如栅极绝缘层和层间绝缘层等薄膜晶体管所在膜层以提高模组设置区的透光率。另一方面，在利用原有工艺刻蚀薄膜晶体管所在膜层(例如栅极绝缘层和层间绝缘层)以形成通孔的同时，在同一工艺流程中同时去除薄膜晶体管中的各所在膜层延伸至所述模组设置区的部分，无需增加新的工艺流程。如果要去除模组设置区内的缓冲层，在显示区中没有对应的刻蚀工艺，因此需要多设置一道工艺制程。另一方面，缓冲层可以作为一保护层覆盖于第一基板上，以防止水汽和杂质粒子进入到显示面板内，提高了显示面板的可靠性。本发明实施例以实现提高显示面板在模组设置区的透光率，并减少工艺制程，提高生产效率。
图3为本发明实施例提供的另一种阵列基板的剖面结构示意图，参考图3，阵列基板200还包括依次叠层设置的阵列平坦化层15和第一钝化层16，阵列平坦化层15位于多个薄膜晶体管1远离第一基板11一侧。阵列平坦化层15和第一钝化层16仅存在于非显示区120中除模组设置区121以外的区域以及显示区110中。非显示区120中除模组设置区121以外的区域以及显示区110中，存在缓冲层12、栅极绝缘层13、层间绝缘层14、阵列平坦化层15和第一钝化层16；模组设置区121中，存在缓冲层12，不存在栅极绝缘层13、层间绝缘层14、阵列平坦化层15和第一钝化层16。阵列平坦化层15例如可以采用有机材料来制作，且阵列平坦化层15可以具有较大的厚度，以平坦化位于阵列平坦化层15下方膜层图形不一致导致的表面的起伏，使平坦化后的表面平整，有利于形成阵列平坦化层15上方的其它膜层。本发明实施例中，由于模组设置区121中仅在第一基板11一侧存在缓冲层12，提高了模组设置区121的透过率。
示例性地，参考图3，阵列基板还可以包括像素电极2和公共电极3，像素电极2与薄膜晶体管1的漏极104电连接。薄膜晶体管1用于控制像素电极2的电压值/电流值，从而控制像素电极2与公共电极3之间形成的电场，进而控制显示面板的显示。在显示面板为液晶显示面板的情况下，液晶显示面板还包括液晶分子，液晶分子可以在像素电极2与公共电极3之间形成的电场的作用下发生旋转，以控制背光源发出的光是否透过，从而将影像显示出来。本发明实施例中，第一钝化层16为像素电极2和公共电极3之间的绝缘层。图3中只是以像素电极2位于公共电极3背离第一基板11为例进行解释说明，在其他实施例中，像素电极2还可位于公共电极3靠近第一基板11的一侧，本发明实施例对此不作限制。
图4为本发明实施例提供的另一种阵列基板的剖面结构示意图，参考图4，阵列基板200还包括位于第一钝化层16远离第一基板11一侧的第二钝化层17，第二钝化层17仅存在于非显示区120中除模组设置区121以外的区域以及显示区110中。非显示区120中除模组设置区121以外的区域以及显示区110中，存在缓冲层12、栅极绝缘层13、层间绝缘层14、阵列平坦化层15、第一钝化层16和第二钝化层17；模组设置区121中，存在缓冲层12，不存在栅极绝缘层13、层间绝缘层14、阵列平坦化层15、第一钝化层16和第二钝化层17。本发明实施例中，由于模组设置区121中仅在第一基板11一侧存在缓冲层12，提高了模组设置区121的透过率。
示例性地，参考图4，阵列基板还可以包括像素电极2、公共电极3和触控走线层4，像素电极2与薄膜晶体管1的漏极104电连接。触控走线层4中可以设置有触控走线，触控走线与复用为触控电极的公共电极3电连接，且可以通过触控走线为与之电连接的触控电极提供触控信号。本发明实施例中，第一钝化层16为像素电极2和触控走线层4之间的绝缘层，第二钝化层17为像素电极2和公共电极3之间的绝缘层。
图5为本发明实施例提供的另一种阵列基板的剖面结构示意图，与图3不同的是，模组设置区121中还设置有阵列平坦化层15和第一钝化层16，参考图5，阵列基板200还包括依次叠层设置的阵列平坦化层15和第一钝化层16，阵列平坦化层15位于多个薄膜晶体管1远离第一基板11一侧。阵列平坦化层15和第一钝化层16存在于显示区110以及非显示区120中，且覆盖模组设置区121。非显示区120中除模组设置区121以外的区域以及显示区110中，存在缓冲层12、栅极绝缘层13、层间绝缘层14、阵列平坦化层15和第一钝化层16；模组设置区121中，存在缓冲层12、阵列平坦化层15和第一钝化层16，不存在栅极绝缘层13和层间绝缘层14。由于薄膜晶体管1所在膜层中的栅极绝缘层13和层间绝缘层13多采用氧化硅、氮化硅等材料制作，而这些材料的透光性能不佳，因此去除模组设置区121中薄膜晶体管1所在膜层。保留阵列平坦化层15和第一钝化层16可以满足例如摄像头等模组对光线的要求。在显示面板受到外界按压时，由于阵列平坦化层15和第一钝化层16可以为第一基板11提供支撑，盒厚变化较小，避免了彩虹纹问题的出现，改善了显示面板的显示效果。
图6为本发明实施例提供的另一种阵列基板的剖面结构示意图，与图4不同的是，模组设置区121中还设置有阵列平坦化层15、第一钝化层16和第二钝化层17，参考图6，阵列基板200还包括位于第一钝化层16远离第一基板11一侧的第二钝化层17，第二钝化层17存在于显示区110以及非显示区120中，且覆盖模组设置区121。非显示区120中除模组设置区121以外的区域以及显示区110中，存在缓冲层12、栅极绝缘层13、层间绝缘层14、阵列平坦化层15、第一钝化层16和第二钝化层17；模组设置区121中，存在缓冲层12、阵列平坦化层15、第一钝化层16和第二钝化层17，不存在栅极绝缘层13和层间绝缘层14。保留阵列平坦化层15、第一钝化层16和第二钝化层17可以满足例如摄像头等模组对光线的要求。在显示面板受到外界按压时，由于阵列平坦化层15、第一钝化层16和第二钝化层17可以为第一基板11提供支撑，且相对于使用阵列平坦化层15和第一钝化层16为第一基板11提供支撑来说，支撑效果更好，盒厚变化更小，避免了彩虹纹问题的出现，且进一步地改善了显示面板的显示效果。
需要说明的是，本发明各实施例中提供的阵列基板200可以为液晶显示面板、有机发光显示面板或电泳显示面板等类型显示面板中的阵列基板，显示面板中除阵列基板200外的其他部件可以根据本发明提供的一种发明构思(即，在提高模组设置区的透光率，并减少工艺制程)，做相应的设计。
图7为本发明实施例提供的另一种显示面板的剖面结构示意图，参考图7，显示面板100还包括与阵列基板200对置的彩膜基板300。显示面板100还包括位于阵列基板200和彩膜基板300之间的液晶层400，液晶层400包括多个液晶分子。彩膜基板300包括第二基板21、黑矩阵22、色阻层23和彩膜平坦化层24。黑矩阵22位于第二基板21临近第一基板11的一侧。色阻层23位于黑矩阵22远离第二基板21一侧。彩膜平坦化层24位于色阻层23远离第二基板21一侧。光线无法通透过黑矩阵22，透过色阻层23的光线具有相应的颜色，(例如色阻层23包括红色色阻，则透过色阻层23中红色色阻的光线呈现出红色)。黑矩阵22和色阻层23仅存在于非显示区120中除模组设置区121以外的区域以及显示区110中。彩膜平坦化层24存在于显示区110以及非显示区120中，且覆盖模组设置区121。非显示区120中除模组设置区121以外的区域以及显示区110中，存在黑矩阵22、色阻层23和彩膜平坦化层24；模组设置区121中，存在彩膜平坦化层24，不存在黑矩阵22和色阻层23。由于黑矩阵22不透光，色阻层23对入射其上的光线具有较强的波长选择性，因此去除模组设置区121中黑矩阵22和色阻层23。彩膜平坦化层24的透过率较高，保留彩膜平坦化层24可以满足透光率要求。如果要去除模组设置区121内的彩膜平坦化层24，在显示区110中没有对应的刻蚀工艺，因此需要多设置一道工艺制程。本发明实施例以提高实现显示面板100在模组设置区121的透光率，并减少工艺制程，提高生产效率。
图8为本发明实施例提供的另一种显示面板的部分结构的俯视图，图9为沿图8中BB’方向的剖面结构示意图，参考图8和图9，非显示区120还包括布线区122，布线区122围绕模组设置区121。布线区122设置有围绕模组设置区121的封框胶500，封框胶500位于阵列基板200与彩膜基板300之间。封框胶500为非显示区120的阵列基板200和彩膜基板300提供支撑，保持盒厚，防止显示面板100受到外力时，阵列基板200和彩膜基板300在模组设置区121发生巨大形变，影响设置于模组设置区121的器件的光学性能。本发明实施例中，布线区122为非显示区120中除模组设置区121外的区域。
图10为本发明实施例提供的另一种显示面板的部分结构的俯视图，图11为沿图10中CC’方向的剖面结构示意图，参考图10和图11，非显示区120还包括支撑柱设置区123和布线区122，支撑柱设置区123围绕模组设置区121，布线区122围绕支撑柱设置区123。在支撑柱设置区123中，设置有位于阵列基板200和彩膜基板300之间的多个第一主支撑柱611。在布线区122中，阵列基板300包括多条信号走线。
图12为本发明实施例提供的一种像素的结构示意图，参考图10、图11和图12，一个像素单元30可以包括三个子像素，分别为第一子像素31、第二子像素32和第三子像素33，第一子像素31可以为红色子像素，第二子像素32可以为绿色子像素，第三子像素33可以为蓝色子像素。任一子像素与一条第一信号线41以及一条第二信号线42电连接。可以理解的是，在其他实施方式中，一个像素单元30还可以包括2个或者4个子像素，本发明对此不做限制。其中，第一信号线41为扫描线，第二信号线42为数据线。阵列基板300位于布线区122的多条信号走线，例如可以包括第一信号线41和/或第二信号线42。
可选地，参考图10和图11，显示区110中设置有多个第二主支撑柱612。支撑柱设置区123中第一主支撑柱611的密度大于显示区110中第二主支撑柱612的密度。其中，支撑柱的密度指的是单位面积内设置的支撑柱的数量。本发明实施例中，显示区110中单位面积内设置的第二主支撑柱612的数量小于支撑柱设置区123中单位面积内设置的第一主支撑柱611的数量。也就是说，显示区110内，第二主支撑柱612设置得较为稀疏；支撑柱设置区123内，第一主支撑柱611设置得较为稠密。如果支撑柱设置区123中第一主支撑柱611的密度小于或等于显示区110中第二主支撑柱612的密度，由于模组设置区121和布线区122未设置第一主支撑柱611，第一主支撑柱611在整个非显示区120中设置的数量太少，无法较好地起到保持盒厚的作用。本发明实施例中，支撑柱设置区123中第一主支撑柱611的密度大于显示区110中第二主支撑柱612的密度，从而可以较好地保持盒厚，防止显示面板受到外力时，阵列基板200和彩膜基板300在模组设置区121发生巨大形变，影响设置于模组设置区121的器件的光学性能。本发明实施例中，布线区122和支撑柱设置区123为非显示区120中除模组设置区121外的区域。
可选地，参考图10和图12，显示面板100包括阵列排布的多个像素30，每一像素30包括多个子像素，像素30位于显示区110中，像素30的面积为S1，模组设置区121的面积为S2。像素30的面积和模组设置区121的面积均指的是其俯视面积，即在第一基板11上的正投影面积。在支撑柱设置区123中，第一主支撑柱611的数量N满足：
Figure BDA0002683242230000121
其中，A为第一主支撑柱611的分布密度，0.03≤A≤0.06。当第一主支撑柱611的数量N满足：
Figure BDA0002683242230000122
时，支撑柱设置区123中第一主支撑柱611的密度大于显示区110中第二主支撑柱612的密度，且第一主支撑柱611的密度小于设定阈值，从而使第一主支撑柱611的密度适中。
可选地，参考图10和图11，多个第一主支撑柱611与多个第二主支撑柱612在同一工艺中采用同种材料形成，从而节省了工艺制程。
图13为本发明实施例提供的另一种显示面板的剖面结构示意图，参考图13，支撑柱设置区123中还设置有多个第一辅支撑柱621，第一辅支撑柱621的高度小于第一主支撑柱611的高度。显示区110还设置有多个第二辅支撑柱622，第二辅支撑柱622的高度小于第二主支撑柱612的高度，多个第一辅支撑柱621与多个第二辅支撑柱622在同一工艺中采用同种材料形成，从而节省了工艺制程。其中，支撑柱(例如可以包括第一主支撑柱611、第二主支撑柱612、第一辅支撑柱621和第二辅支撑柱622)的高度指的是，支撑柱靠近阵列基板200一端与支撑柱远离阵列基板200一端之间的距离。第一辅支撑柱621以及第二辅支撑柱622相对于第一主支撑柱611以及第二主支撑柱612来说，具有更小的高度，从而可以在显示面板受大较大压力时为其提供支撑，防止显示面板因发生较大的形变而显示异常现象的发生，保证了显示面板的正常工作。进一步地，第一主支撑柱611与第二主支撑柱612具有相同的高度，第一辅支撑柱621与第二辅支撑柱622具有相同的高度，从而使第一主支撑柱611为显示面板在显示区110中提供的支撑力与第二主支撑柱612为显示面板在非显示区120中提供的支撑力一致，以及使第一辅支撑柱621为显示面板在显示区110中提供的支撑力与第二辅支撑柱622为显示面板在非显示区120中提供的支撑力一致，并且工艺制程比较简单。
本发明实施例还提供了一种显示装置，图14为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图，如图14所示，本发明实施例提供的显示装置600包括本发明任意实施例所述的显示面板100，显示装置600还包括感光模组700，感光模组700设置于模组设置区121内。感光模组700例如可以为摄像头模组、红外感测模组或者指纹模组等。显示装置600可以为图14中所示的手机，也可以为电脑、电视机、智能穿戴设备等，本发明实施例对此不作特殊限定。
图15为本发明实施例提供的一种显示面板的制作方法流程图，图18a-图18k为本发明实施例提供的显示面板中阵列基板的制作示意图，参考图15以及图18a-图18k，显示面板包括显示区110和非显示区120，显示区110围绕非显示区120，非显示区120包括模组设置区121。显示面板包括阵列基板，显示面板的制作方法包括阵列基板的制作方法。显示面板的制作方法包括如下步骤：
S110、在阵列基板的第一基板11上形成覆盖显示区110以及非显示区120的缓冲层12(参考图18a)。
S120、在显示区110的缓冲层12上形成多个薄膜晶体管1，并去除多个薄膜晶体管1中的各所在膜层延伸至模组设置区121的部分，以暴露模组设置区121的缓冲层12。
本发明实施例去除了薄膜晶体管所在膜层位于模组设置区的部分，并在模组设置区内保留了缓冲层。这样设置的优点在于：一方面，去除例如栅极绝缘层和层间绝缘层等薄膜晶体管所在膜层以提高模组设置区的透光率。另一方面，在利用原有工艺刻蚀薄膜晶体管所在膜层(例如栅极绝缘层和层间绝缘层)以形成通孔的同时，在同一工艺流程中同时去除薄膜晶体管中的各所在膜层延伸至所述模组设置区的部分，无需增加新的工艺流程。如果要去除模组设置区内的缓冲层，在显示区中没有对应的刻蚀工艺，因此需要多设置一道工艺制程。另一方面，缓冲层可以作为一保护层覆盖于第一基板上，以防止水汽和杂质粒子进入到显示面板内，提高了显示面板的可靠性。本发明实施例以实现提高显示面板在模组设置区的透光率，并减少工艺制程，提高生产效率。
图16为本发明实施例提供的另一种显示面板的制作方法流程图，参考图16以及图18a-图18k，步骤S120还可以包括如下子步骤：
S121、在显示区110的缓冲层12上形成半导体层103(参考图18b)。
S122、形成覆盖显示区110和非显示区120的栅极绝缘层13(参考图18c)。
S123、在显示区110的栅极绝缘层13上形成栅极102(参考图18d)。
S124、形成覆盖显示区110和非显示区120的层间绝缘层14(参考图18e)。
S125、去除显示区110中的栅极绝缘层13和层间绝缘层14以形成露出半导体层103的通孔，以及去除模组设置区121的栅极绝缘层13和层间绝缘层14(参考图18f)。
S126、在显示区110内形成源极101和漏极104，源极101和漏极104通过通孔与半导体层103电连接(参考图18g)。
图17为本发明实施例提供的另一种显示面板的制作方法流程图，参考图17以及图18a-图18k，可选地，在步骤S120之后，显示面板的制作方法还可以包括如下步骤：
S130、在多个薄膜晶体管1远离第一基板11一侧形成覆盖显示区110以及非显示区120的阵列平坦化层15(参考图18h)。
S140、在阵列平坦化层15远离第一基板11一侧形成覆盖显示区110以及非显示区120的第一钝化层16(参考图18i)。
对于内嵌式触控显示面板(即，将触摸面板功能嵌入到盒内的显示面板)来说，阵列基板还可以包括触控走线层，公共电极可以复用为触控电极，可以通过触控电极层中设置的触控走线为与之电连接的触控电极提供触控信号。显示面板的制作方法还可以包括如下步骤：
S150、在第一钝化层16远离第一基板11一侧形成覆盖显示区110以及非显示区120的第二钝化层17(参考图18j)。
S160、去除显示区110中的阵列平坦化层15、第一钝化层16和第二钝化层17以形成露出薄膜晶体管1漏极104的通孔，以及去除模组设置区121的阵列平坦化层15、第一钝化层16和第二钝化层17(参考图18k)。
可选地，在步骤S130之后以及步骤S140之前，显示面板的制作方法还可以包括：在阵列平坦化层15远离第一基板11一侧形成触控走线层4。
可选地，在步骤S140之后以及步骤S150之前，显示面板的制作方法还可以包括：在第一钝化层16远离第一基板11一侧形成公共电极3。
可选地，同时参考图6，在步骤S160之后，显示面板的制作方法还可以包括：在第二钝化层17远离第一基板11一侧形成像素电极2，像素电极2与薄膜晶体管1的漏极104电连接。
图19为本发明实施例提供的另一种显示面板的制作方法流程图，图20a-图20c为本发明实施例提供的显示面板中彩膜基板的制作示意图，参考图19以及图20a-图20c，显示面板包括与阵列基板对置的彩膜基板，显示面板的制作方法包括彩膜基板的制作方法。显示面板的制作方法还包括如下步骤：
S210、在彩膜基板的第二基板21的一侧依次形成覆盖非显示区120中除模组设置区121以外的区域以及显示区110的黑矩阵22和色阻层23(参考图20a和20b)。
S220、在黑矩阵22、色阻层23以及暴露的第二基板21之上形成覆盖显示区110以及非显示区120的彩膜平坦化层24(参考图20c)。
需要说明的是，本发明各实施例提供的显示面板的制作方法中，覆盖显示区110以及非显示区120的膜层，也同时覆盖了非显示区120中的模组设置区121。
本发明实施例中，由于黑矩阵22不透光，色阻层23对入射其上的光线具有较强的波长选择性，因此去除模组设置区121中黑矩阵22和色阻层23。彩膜平坦化层24的透过率较高，保留彩膜平坦化层24可以满足透光率要求。如果要去除模组设置区内的彩膜平坦化层24，在显示区110中没有对应的刻蚀工艺，因此需要多设置一道工艺制程。本发明实施例以实现提高显示面板在模组设置区的透光率，并减少工艺制程，提高生产效率。
可选地，显示面板的制作方法还可以包括：在像素电极2远离第一基板一侧形成覆盖显示区110以及非显示区120的阵列配向膜，在彩膜平坦化层24远离第二基板21一侧形成显示区110以及非显示区120的彩膜配向膜，阵列配向膜和彩膜配向膜用于使液晶分子按照预设方向规则排列。在形成阵列基板和彩膜基板之后，显示面板的制作方法还可以包括：滴注液晶以及将阵列基板和彩膜基板进行对盒等步骤，在此不再赘述。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整、相互结合和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (13)

1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括显示区和非显示区，所述显示区围绕所述非显示区，所述非显示区包括模组设置区，所述显示面板在所述模组设置区的透光率大于预设值；
所述显示面板包括阵列基板，所述阵列基板包括：
第一基板；
缓冲层，位于所述第一基板的一侧；
多个薄膜晶体管，位于所述缓冲层远离所述第一基板一侧；
其中，所述多个薄膜晶体管所在膜层仅存在于所述非显示区中除所述模组设置区以外的区域以及所述显示区中；所述缓冲层存在于所述显示区以及所述非显示区中，且覆盖所述模组设置区；
所述阵列基板还包括依次叠层设置的阵列平坦化层和第一钝化层，所述阵列平坦化层位于所述多个薄膜晶体管远离所述第一基板一侧；
所述阵列平坦化层和所述第一钝化层仅存在于所述非显示区中除所述模组设置区以外的区域以及所述显示区中。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板还包括位于所述第一钝化层远离所述第一基板一侧的第二钝化层，所述第二钝化层仅存在于所述非显示区中除所述模组设置区以外的区域以及所述显示区中。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括与所述阵列基板对置的彩膜基板；所述彩膜基板包括：
第二基板；
黑矩阵，位于所述第二基板临近所述第一基板的一侧；
色阻层，位于所述黑矩阵远离所述第二基板一侧；
彩膜平坦化层，位于所述色阻层远离所述第二基板一侧；
所述黑矩阵和所述色阻层仅存在于所述非显示区中除所述模组设置区以外的区域以及所述显示区中；所述彩膜平坦化层存在于所述显示区以及所述非显示区中，且覆盖所述模组设置区。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述非显示区还包括布线区；所述布线区围绕所述模组设置区；
所述布线区设置有围绕所述模组设置区的封框胶，所述封框胶位于所述阵列基板与所述彩膜基板之间。
5.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述非显示区还包括支撑柱设置区和布线区；
所述支撑柱设置区围绕所述模组设置区；所述布线区围绕所述支撑柱设置区；在所述支撑柱设置区中，设置有位于所述阵列基板和所述彩膜基板之间的多个第一主支撑柱；在所述布线区中，所述阵列基板包括多条信号走线。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述显示区中设置有多个第二主支撑柱；
所述支撑柱设置区中所述第一主支撑柱的密度大于所述显示区中所述第二主支撑柱的密度。
7.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板包括阵列排布的多个像素，每一所述像素包括多个子像素，所述像素位于所述显示区中，所述像素的面积为S1，所述模组设置区的面积为S2；
在所述支撑柱设置区中，所述第一主支撑柱的数量N满足：
Figure FDA0002683242220000031
其中，A为所述第一主支撑柱的分布密度，0.03≤A≤0.06。
8.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述多个第一主支撑柱与所述多个第二主支撑柱在同一工艺中采用同种材料形成。
9.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述支撑柱设置区中还设置有多个第一辅支撑柱，所述第一辅支撑柱的高度小于所述第一主支撑柱的高度；所述显示区还设置有多个第二辅支撑柱，所述第二辅支撑柱的高度小于所述第二主支撑柱的高度，所述多个第一辅支撑柱与所述多个第二辅支撑柱在同一工艺中采用同种材料形成。
10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-9任一项所述的显示面板，所述显示装置还包括感光模组，所述感光模组设置于模组设置区内。
11.一种显示面板的制作方法，其特征在于，所述显示面板包括显示区和非显示区，所述显示区围绕所述非显示区，所述非显示区包括模组设置区；所述显示面板包括阵列基板；
所述制作方法包括：
在所述阵列基板的第一基板上形成覆盖所述显示区以及所述非显示区的缓冲层；
在所述显示区的所述缓冲层上形成多个薄膜晶体管，并去除所述多个薄膜晶体管中的各所在膜层延伸至所述模组设置区的部分，以暴露所述模组设置区的所述缓冲层；
在所述多个薄膜晶体管远离所述第一基板一侧形成覆盖所述显示区以及所述非显示区的阵列平坦化层；
在所述阵列平坦化层远离所述第一基板一侧形成覆盖所述显示区以及所述非显示区的第一钝化层；
去除所述显示区中的所述阵列平坦化层和所述第一钝化层以形成露出所述薄膜晶体管漏极的通孔，以及去除所述模组设置区的所述阵列平坦化层和所述第一钝化层。
12.根据权利要求11所述的制作方法，其特征在于，在所述显示区的所述缓冲层上形成多个薄膜晶体管，并去除所述多个薄膜晶体管中的各所在膜层延伸至所述模组设置区的部分，以暴露所述模组设置区的所述缓冲层包括：
在所述显示区的缓冲层上形成半导体层；
形成覆盖所述显示区和所述非显示区的栅极绝缘层；
在所述显示区的栅极绝缘层上形成栅极；
形成覆盖所述显示区和所述非显示区的层间绝缘层；
去除所述显示区中的所述栅极绝缘层和所述层间绝缘层以形成露出所述半导体层的通孔，以及去除所述模组设置区的所述栅极绝缘层和所述层间绝缘层；
在所述显示区内形成源极和漏极，所述源极和所述漏极通过所述通孔与所述半导体层电连接。
13.根据权利要求11所述的制作方法，其特征在于，所述显示面板还包括与所述阵列基板对置的彩膜基板；所述制作方法还包括：
在所述彩膜基板的第二基板的一侧依次形成覆盖所述非显示区中除所述模组设置区以外的区域以及所述显示区的黑矩阵和色阻层；
在所述黑矩阵、所述色阻层以及暴露的所述第二基板之上形成覆盖所述显示区以及所述非显示区的彩膜平坦化层。
CN202010968604.0A 2018-09-30 2018-09-30 一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法 Active CN112133708B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010968604.0A CN112133708B (zh) 2018-09-30 2018-09-30 一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010968604.0A CN112133708B (zh) 2018-09-30 2018-09-30 一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法
CN201811162738.2A CN109378316B (zh) 2018-09-30 2018-09-30 一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811162738.2A Division CN109378316B (zh) 2018-09-30 2018-09-30 一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112133708A CN112133708A (zh) 2020-12-25
CN112133708B true CN112133708B (zh) 2022-07-29

Family

ID=65403498

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010968604.0A Active CN112133708B (zh) 2018-09-30 2018-09-30 一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法
CN201811162738.2A Active CN109378316B (zh) 2018-09-30 2018-09-30 一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811162738.2A Active CN109378316B (zh) 2018-09-30 2018-09-30 一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法

Country Status (1)

Country Link
CN (2) CN112133708B (zh)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110767710B (zh) * 2019-02-28 2022-04-15 云谷（固安）科技有限公司 显示基板、显示面板及显示装置
CN110109279B (zh) * 2019-04-22 2021-04-02 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板
US20220165814A1 (en) * 2019-04-23 2022-05-26 Apple Inc. Methods and Configurations for Improving the Performance of Sensors under a Display
CN110211972B (zh) * 2019-05-23 2021-02-02 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种阵列基板及显示装置
CN110571253A (zh) 2019-08-29 2019-12-13 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及掩膜板
CN110808267B (zh) * 2019-11-07 2022-10-04 昆山国显光电有限公司 显示基板、显示面板及显示装置
CN110873985A (zh) * 2019-11-29 2020-03-10 维沃移动通信有限公司 显示模组及电子设备
CN110967857B (zh) * 2019-12-16 2022-05-31 武汉华星光电技术有限公司 液晶显示面板
CN113013177B (zh) * 2019-12-20 2024-05-07 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置
CN111123587A (zh) * 2020-01-11 2020-05-08 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 阵列基板、显示面板及显示装置
EP4095923A4 (en) 2020-01-20 2023-03-22 BOE Technology Group Co., Ltd. NETWORK SUBSTRATE AND DISPLAY DEVICE
CN111209896B (zh) * 2020-02-14 2022-11-22 厦门天马微电子有限公司 一种阵列基板、显示面板及显示装置
CN111240121B (zh) * 2020-02-21 2024-05-28 京东方科技集团股份有限公司 透明控制装置及显示屏幕
CN111583818B (zh) * 2020-05-07 2021-07-06 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板和显示装置
CN111650787B (zh) * 2020-06-11 2023-06-30 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法、显示装置
CN111933675B (zh) * 2020-08-18 2023-07-11 维沃移动通信有限公司 显示模组和电子设备以及显示模组制备方法
CN113421891A (zh) * 2021-07-15 2021-09-21 合肥维信诺科技有限公司 阵列基板及oled显示面板
CN115327809B (zh) * 2022-09-15 2024-08-02 厦门天马微电子有限公司 显示面板和显示装置
CN117192848B (zh) * 2023-07-26 2024-08-23 重庆惠科金渝光电科技有限公司 显示面板

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101071816A (zh) * 2006-05-12 2007-11-14 Lg.菲利浦Lcd株式会社 多晶硅薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
KR20080001536A (ko) * 2006-06-29 2008-01-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시패널 및 그 제조 방법
CN104377167A (zh) * 2014-11-13 2015-02-25 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置
CN104576705A (zh) * 2015-01-27 2015-04-29 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及制作方法、显示装置
KR20170064127A (ko) * 2015-11-30 2017-06-09 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
CN107589576A (zh) * 2017-09-30 2018-01-16 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板及其制作方法、触控显示面板
CN107818991A (zh) * 2017-10-23 2018-03-20 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示面板

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102007833B1 (ko) * 2013-04-30 2019-08-06 엘지디스플레이 주식회사 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판
KR102245504B1 (ko) * 2014-06-19 2021-04-27 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR102554963B1 (ko) * 2015-10-29 2023-07-11 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102465379B1 (ko) * 2015-12-02 2022-11-10 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102103962B1 (ko) * 2016-09-02 2020-06-01 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 제조 방법
CN107422556A (zh) * 2017-07-31 2017-12-01 广东欧珀移动通信有限公司 阵列基板、显示面板和电子设备
CN107885004B (zh) * 2017-12-06 2020-12-08 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、显示面板、显示装置及其制作工艺

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101071816A (zh) * 2006-05-12 2007-11-14 Lg.菲利浦Lcd株式会社 多晶硅薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
KR20080001536A (ko) * 2006-06-29 2008-01-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시패널 및 그 제조 방법
CN104377167A (zh) * 2014-11-13 2015-02-25 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置
CN104576705A (zh) * 2015-01-27 2015-04-29 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及制作方法、显示装置
KR20170064127A (ko) * 2015-11-30 2017-06-09 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
CN107589576A (zh) * 2017-09-30 2018-01-16 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板及其制作方法、触控显示面板
CN107818991A (zh) * 2017-10-23 2018-03-20 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示面板

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
High Ambient Contrast Ratio OLED Display with Microlens Array and Cruciform Black Matrices;Zong Qin 等;《IEEE》;20151112;第32-33页 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN109378316A (zh) 2019-02-22
CN112133708A (zh) 2020-12-25
CN109378316B (zh) 2020-10-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN112133708B (zh) 一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法
US11714309B2 (en) Display device
US11592699B2 (en) Backplane substrate including in-cell type touch panel, liquid crystal display device using the same, and method of manufacturing the same
CN107229152B (zh) 液晶显示面板的制作方法及液晶显示面板
US7459723B2 (en) Active matrix substrate, method of making the substrate, and display device
CN107275288B (zh) Tft基板的制作方法及tft基板
EP3312668B1 (en) Array substrate and method for manufacturing same, and display device
CN102645804B (zh) 一种阵列基板及制造方法和显示装置
US8704963B2 (en) Thin film transistor array wherein both an auxiliary electrode and a storage electrode are shaped as an octagonal ring
JP2002151699A (ja) アクティブマトリクス型液晶表示装置
US20230079331A1 (en) Display panel and electronic apparatus
WO2023273402A1 (zh) 阵列基板、显示装置
US7619711B2 (en) Array substrate for LCD device
CN108108059B (zh) 一种显示面板及其制备方法和显示装置
EP3690927B1 (en) Manufacturing method of tft array substrate and structure of tft array substrate
JP2007248903A (ja) 液晶表示装置及び液晶表示装置の製造方法
KR101878188B1 (ko) 스페이서 및 범프 패턴을 포함하는 액정 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR20170080231A (ko) 어레이 기판과 그 제조 방법 및 이를 포함하는 액정표시장치
KR20080086062A (ko) 액정표시장치의 어레이 기판 및 그의 제조방법
KR20040062620A (ko) 액티브 매트릭스 화소 디바이스 및 그 형성 방법
KR101557805B1 (ko) 액정표시장치
KR20060119120A (ko) 액정 표시 소자 및 이의 제조 방법
WO2021102921A1 (zh) 显示面板母板及其切割及制备方法、显示面板及显示装置
JP2024503153A (ja) 表示パネル及び表示装置
KR101188638B1 (ko) 액정표시소자 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant