CN111668317B - 一种光伏组件、太阳能电池及其制备方法 - Google Patents
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- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 122
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 122
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 122
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 66
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 55
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 55
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 52
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims description 18
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000000376 reactant Substances 0.000 claims description 9
- 235000013842 nitrous oxide Nutrition 0.000 claims description 8
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 23
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 101001073212 Arabidopsis thaliana Peroxidase 33 Proteins 0.000 description 6
- 101001123325 Homo sapiens Peroxisome proliferator-activated receptor gamma coactivator 1-beta Proteins 0.000 description 6
- 102100028961 Peroxisome proliferator-activated receptor gamma coactivator 1-beta Human genes 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 4
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 3
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N but-3-enoic acid;ethene Chemical compound C=C.OC(=O)CC=C DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 3
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 description 2
- XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N phosphoryl trichloride Chemical compound ClP(Cl)(Cl)=O XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005360 phosphosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 229910017107 AlOx Inorganic materials 0.000 description 1
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000005289 physical deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 229910001415 sodium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/02168—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties for the solar cells
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/054—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
- H01L31/056—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means the light-reflecting means being of the back surface reflector [BSR] type
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
- H01L31/0682—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells back-junction, i.e. rearside emitter, solar cells, e.g. interdigitated base-emitter regions back-junction cells
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
- H01L31/1868—Passivation
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Abstract
本申请提供了一种光伏组件、太阳能电池及其制备方法。该太阳能电池包括硅衬底以及配置于所述硅衬底背面的钝化层，所述钝化层包括：具有第一折射率的第一氮氧化硅膜层，配置于所述第一氮氧化硅膜层表面的具有第二折射率的第二氮氧化硅膜层以及配置于所述第二氮氧化硅膜层表面的具有第三折射率的至少一层氮化硅膜层，其中，所述第一氮氧化硅膜层和第二氮氧化硅膜层的厚度之和大于60nm，所述氮化硅膜层的厚度大于60nm且所述钝化层各层厚度之和大于120nm且小于300nm，所述第一折射率大于第二折射率且小于第三折射率。通过所述钝化膜层结构可以有效增强电池的背钝化特性，提升电池效率，以及减缓光伏组件的PID衰减。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能电池领域，特别涉及一种光伏组件、太阳能电池及其制备方法。
背景技术
目前，增强背钝化特性是提升PERC电池(Passivated Emitter and Rear Cell，钝化发射极背面接触电池)效率的有效手段。现有的PERC电池采用氧化铝/氮化硅(AlOx/SiNx)叠层作为背面钝化层，氧化铝非晶介质膜与硅界面具有高浓度的负电荷,对p型或n型电池衬底表面具有较好的钝化效果,但其高昂的设备成本及较低的产能输出不利于现代工业化大批量生产。
此外，电位诱发衰减效应(PID,Potential Induced Degradation)对太阳能电池的寿命和性能也产生严重影响。电势诱导衰减的主要原因是由于光伏组件的封装材料的玻璃内部的金属Na+离子随太阳能电池方向迁移至电池内部，破坏p-n结，导致组件功率衰减，可靠性降低。例如，对于氧化铝/氮化硅叠层钝化膜的PERC电池结构,通常使用EVA(乙烯-醋酸乙烯酯)封装为p型PERC双面双玻光伏组件，该组件正、背面的PID现象明显。通常为了解决这一问题，可以改变封装材料，比如使用POE(聚烯烃)封装后，光伏组件正面的PID现象得到缓解，但是背面仍存在PID现象，电池效率仍然受到影响。
因此需要一种能够减缓电池PID衰减且改善电池效率的制备方法以及相应的太阳能电池。
发明内容
为了解决现有技术中的上述缺陷，本发明供了一种太阳能电池。
一方面，本申请提供了一种太阳能电池，所述电池包括硅衬底以及配置于所述硅衬底背面的钝化层，其特征在于，所述钝化层包括具有第一折射率的第一氮氧化硅膜层，配置于所述第一氮氧化硅膜层表面的具有第二折射率的第二氮氧化硅膜层以及配置于所述第二氮氧化硅膜层表面的具有第三折射率的至少一层氮化硅膜层，其中，所述第一氮氧化硅膜层和第二氮氧化硅膜层的厚度之和大于60nm，所述氮化硅膜层的厚度大于60nm且所述钝化层各层厚度之和大于120nm且小于300nm，所述第一折射率大于第二折射率且小于第三折射率。
可选地，所述第一折射率与所述第二折射率的比值，所述比值范围为1.03-1.21。
可选地，所述第一折射率与所述第三折射率的比值，所述比值为0.79-0.87。
可选地，所述第二折射率与所述第三折射率的比值，所述比值为0.72-0.77。
可选地，所述第一折射率范围为1.62-1.71之间。
可选地，所述第二折射率范围为1.48-1.61之间。
可选地，所述第三折射率范围为2.08-2.11之间。
一方面，本申请提供了一种光伏组件，所述组件包括至少一个太阳能电池，所述太阳能电池包括硅衬底以及配置于所述硅衬底背面的钝化层，所述钝化层包括具有第一折射率的第一氮氧化硅膜层，配置于所述第一氮氧化硅膜层表面的具有第二折射率的第二氮氧化硅膜层以及配置于所述第二氮氧化硅膜层表面的具有第三折射率的至少一层氮化硅膜层，其中，所述第一氮氧化硅膜层和第二氮氧化硅膜层的厚度之和大于60nm，所述氮化硅膜层的厚度大于60nm且所述钝化层各层厚度之和大于120nm且小于300nm，所述第一折射率大于第二折射率且小于第三折射率。
一方面，本申请提供了一种太阳能电池的制备方法，所述方法包括：将具有第一折射率的第一氮氧化硅膜层、具有第二折射率的第二氮氧化硅膜层和具有第三折射率的至少一层氮化硅膜层依次沉积于硅衬底背面上，以共同形成钝化层，其中，所述第一氮氧化硅膜层和第二氮氧化硅膜层的厚度之和大于60nm，所述氮化硅膜层的厚度大于60nm且所述钝化层各层厚度之和大于120nm且小于300nm，所述第一折射率大于第二折射率且小于第三折射率。
可选地，沉积所述第一氮氧化硅膜层时，其反应物为硅烷、笑气和氨气，其中硅烷流量为310-380sccm，笑气流量为5000-6000sccm,氨气流量为1600-2600sccm，沉积温度为480-510℃，功率为9000-9500W。
可选地，沉积所述第二氮氧化硅膜层时，其反应物为硅烷、笑气和氨气，其中硅烷流量为280-320sccm，笑气流量为6000-7000sccm,氨气流量为300-800sccm，沉积温度为480-510℃，功率为9000-9500W。
可选地，沉积所述氮化硅膜层时，其反应物为硅烷和氨气，其中，硅烷流量为800-1420sccm，氨气流量为4000-10000sccm，沉积温度为480-510℃，功率为8500-9500W。
本发明的有益效果：相比于利用传统钝化层(含氧化铝)钝化的太阳能电池，本申请所述的晶体硅表面无氧化铝钝化膜结构，可有效增强背钝化特性。例如，钝化膜层中含有大量氢原子，能够实现良好的钝化效果，同时氧原子的存在也可以使氮氧化硅在硅表面获得较好的界面质量以及能够解决含氧化铝膜层体系产品可靠性和低成本之间不可兼容的矛盾。又例如，在衬底背面钝化层最外层采用了氮化硅膜层，由于氮化硅薄膜在高温烧结后具有很强的致密性和抗腐蚀性，能够阻挡金属Na+在膜层内的扩散侵蚀，减缓光伏组件的PID衰减。另外，通过根据所述钝化层各层的折射率和/或厚度优选关系获得较高的电池效率。
附图说明
图1为根据本申请实施例所示的一种太阳能电池的结构示意图；
图2为根据本申请实施例所示的一种太阳能电池制备方法的流程图；
图3为根据本申请实施例所示的一种太阳能电池的示例性数据；
图4为根据本申请实施例所示的一种太阳能电池的电池效率与第一氮氧化硅膜层厚度及折射率之间的等值线图；以及
图5为根据本申请实施例所示的一种太阳能电池的电池效率与第二氮氧化硅膜层厚度及折射率之间的等值线图。
具体实施方式
以下将结合说明书附图对本发明的实施方式予以说明。需要说明的是，本说明书中所涉及的实施方式不是穷尽的，不代表本发明的唯一实施方式。以下相应的实施例只是为了清楚的说明本发明专利的发明内容，并非对对其实施方式的限定。对于该领域的普通技术人员来说，在该等实施例说明的基础上还可以做出不同形式的变化和改动，凡是属于本发明的技术构思和发明内容并且显而易见的变化或变动也在本发明的保护范围之内。
本申请提供了一种太阳能电池，请参考图1，图1为本申请实施例所示的一种太阳能电池的结构示意图。该太阳能电池，包括硅衬底1以及配置于所述硅衬底背面的钝化层2，可选地，所述钝化层2包括第一氮氧化硅膜层21，第二氮氧化硅膜层22和氮化硅膜层23。所述第一氮氧化硅膜层21设置于所述衬底背面，第二氮氧化硅膜层22设置于所述第一氮氧化硅膜层21表面，所述氮化硅膜层23设置于所述第二氮氧化硅膜层22表面。在一些实施例中，所述钝化层的各层顺序可以是各种各样的，并不局限与图1所示的顺序。
在一些实施例中，所述钝化层2的各层可以通过原子层沉积、化学气相沉积、等离子体增强化学气相沉积或物理沉积等方法沉积获得。
在一些实施例中，所述钝化层2的至少一层的折射率不相同且具有相互的关系。在设计所述膜层时，应充分考虑其各层折射率关系。
可选地，所述第一氮氧化硅膜层21的折射率(又称为第一折射率)高于所述第二氮氧化硅膜层22的折射率(又称为第二折射率)。在一些实施例中，所述第一折射率和所述第二折射率满足第一关系。所述第一关系包括所述第一折射率与所述第二折射率的比值。所述比值为1.03-1.21。例如，第一折射率与第二折射率的比值可以包括1.05、1.10、1.15、1.20等。
可选地，所述第一氮氧化硅膜层21的折射率(即第一折射率)低于氮化硅膜层23的折射率(又称为第三折射率)。在一些实施例中，所述第一折射率与所述第三折射率满足所述第二关系。所述第二关系包括所述第一折射率与所述第三折射率的比值。所述比值为0.79-0.87。例如，第一折射率与第三折射率的比值可以包括0.80、0.81、0.82、0.83、0.84、0.85等。
可选地，所述第二氮氧化硅膜层22的折射率(即第二折射率)低于氮化硅膜层23的折射率(即第三折射率)。在一些实施例中，所述第二折射率与所述第三折射率满足第三关系。所述第三关系包括所述第二折射率与所述第三折射率的比值。所述比值为0.72-0.77。例如，第二折射率与第三折射率的比值可以包括0.73、0.74、0.75、0.76等。
在一些实施例中，所述第一折射率可选范围在1.62-1.71之间。
在一些实施例中，所述第二折射率可选范围在1.48-1.61之间。
在一些实施例中，所述第三折射率可选范围在2.08-2.11之间。
在一些实施例中，所述氮化硅膜层23可以由多层组成。例如，所述氮化硅膜层23可以由1-3层氮化硅子层构成。在一些实施例中，所述氮化硅子层的折射率至少部分不同，例如，第一氮化硅子层的折射率为2.08，第二氮化硅子层的折射率为2.09，第三氮化硅子层的折射率为2.10。所述多个氮化硅子层的整体折射率范围需在2.08-2.11之间。
在一些实施例中，所述钝化层2的各膜层厚度(21、22、23)可以至少部分不同。
可选地，所述第一氮氧化硅膜层21的厚度(d1)和第二氮氧化硅膜层22的厚度(d2)之和大于60nm，所述氮化硅膜层23的厚度(d3)大于60nm。
可选地，所述钝化层2各层的厚度之和在120-300nm之间。
如图1所示，所述太阳能电池还包括配置于硅衬底1正面的扩散层3。所述扩散层3可以包括磷扩散层或者硼扩散层。例如，对于P型硅衬底，所述扩散层3为磷扩散层；对于N型硅衬底，所述扩散层3为硼扩散层。所述扩散层3与所述衬底1极性相反，形成P-N结结构。在一些实施例中，所述硅衬底1的厚度在160-220μm之间。
在所述扩散层3表面进一步设置有减反射层(减反层)4。在一些实施例中，所述减反层4可以为多层膜结构，包括但不限于氧化铝膜层、氮化硅膜层、氮氧化硅膜层等。在一些实施例中，所述减反层4可以设置与所述钝化层2相似或实质相同的膜层。所述减反层4不仅可以起到减少光入射在电池表面反射率的作用，也能起到钝化电池表面作用。在某些实施例中，所述减反层4也称为钝化层。
需要说明的是，本文所述硅衬底的正面可以包括面向太阳的表面，即光接收面，背面为与所述光接收面向对的面。所述衬底1包括但不限于单晶硅衬底、多晶硅衬底。优选地，所述衬底1为单晶硅衬底。
在一些实施例中，所述衬底1的电阻率在0.5-3Ω·cm之间。可选地，所述电阻率在0.5-2.5Ω·cm。可选地，所述电阻率在2.5-3Ω·cm。
在一些实施例中，在衬底的背面形成背面电极(图1未示出)，所述背面电极可以穿透和/或部分穿透所述钝化层2与所述衬底形成欧姆接触。例如，可以采用丝网印刷技术在衬底的背面印刷导电浆料，并烘干，形成栅线状的背面电极。所述背面电极的导电浆料可以为具有穿透性的导电银浆，经烧结后能穿透钝化层2各层进而与衬底电学相连。
在一些实施例中，在衬底的正面形成正面电极(图1未示出)，所述正面电极可以穿透和/或部分穿透所述减反层4与所述衬底形成欧姆接触。可选地，所述正面电极可以为栅线结构。例如，可以采用丝网印刷技术在衬底的正面印刷导电浆料，并烘干，形成栅线状的正面电极。所述正面电极的导电浆料可以为具有穿透性的导电银浆，经烧结后能穿透减反层4各层进而与衬底电学相连。
可以理解的是，所述的钝化膜层结构可用于制备多种太阳能电池，如PERC太阳电池、交叉指式背接触(IBC)太阳电池、硅异质结(SHJ)太阳电池、交叉指式背接触异质结(HBC)太阳电池、隧穿氧化层钝化接触(TOPCon)太阳电池、多晶硅氧化物选择钝化接触(POLO)太阳电池等。
在一些实施例中，利用所述钝化膜层结构制备的太阳能电池可用于制作光伏组件。所述光伏组件包括但不限于叠瓦组件、叠焊组件、双面组件、多主栅组件等。例如，获取至少一个所述制备的电池组成的电池片，利用焊带将所述电池片串焊，并通过层压工艺将背板，乙烯-醋酸乙烯共聚物(EVA)与电池片按照一定的顺序层叠，后续通过将所述层叠后的结构安装边框形成组件。所述电池片由所述至少一个太阳能电池构成。所述太阳能电池可以转化接收的光能并将光能转化为电能。所述组件将利用电池获得的电能传递给负载。
相比于利用传统钝化层(含氧化铝)钝化的太阳能电池，所述设计的晶体硅表面无氧化铝钝化膜结构，可有效增强背钝化特性。例如，钝化膜层中含有大量氢原子，能够实现良好的钝化效果，同时氧原子的存在也可以使氮氧化硅在硅表面获得较好的界面质量以及能够解决含氧化铝膜层体系产品可靠性和低成本之间不可兼容的矛盾。
仅用作示例，图2为本申请实施例所示的一种太阳能电池制备方法的流程图，该方法包括：
步骤S201，对所述硅衬底(如，衬底1)进行制绒。本步骤中，可以选用但不限于湿法制绒工艺对硅衬底进行制绒。例如，当硅衬底为单晶硅时，采用碱性溶液进行制绒，如氢氧化钾溶液。又例如，当硅衬底为多晶硅时，采用酸性溶液进行制绒，如氢氟酸溶液。
本实施例中通过制绒使硅衬底的表面具有绒面结构，所述绒面结构可以为金字塔结构，产生陷光效果，增加太阳能电池对光线的吸收，从而提高太阳能电池的效率。
可选地，在制绒前可以对硅衬底进行清洗(如超声清洗)，可以去除表面的金属和有机污染物等杂质。
步骤S202,在所述硅衬底(如，衬底1)的正面形成扩散层。在一些实施例中，所述形成的扩散层包括但不限于磷扩散层或硼扩散层。仅用作示例，该步骤中的扩散为磷扩散，扩散后所述扩散层方阻为140～150Ω。具体地，将衬底置于管式扩散炉中，采用三氯氧磷作为扩散源，并使恒温区的温度为850℃，对衬底进行扩散，使得最终形成的磷扩散层的扩散方租为140～150Ω。
可选地，步骤S203，在所述硅衬底的正面进行激光SE(selective emitter，选择性发射电极)掺杂，形成轻掺区和重掺区。在一些实施例中，步骤203可忽略。
步骤S204，进行蚀刻过程，利用氢氟酸刻蚀硅衬底去除PSG(磷硅玻璃)。
步骤S205，进行热氧工艺，以形成热氧化层提高后续对电池的钝化的作用。
钝化处理的方法包括但不限于等离子体增强化学气相层积(Plasma EnhancedChemical Vapor Deposition,PECVD)，原子层沉积(Atomic layer deposition，ALD)、化学气相层沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)和物理气相沉积(Physical VaporDeposition，PVD)等，具体包括如下步骤：
步骤S206，在所述硅衬底的背面上形成第一氮氧化硅膜层。在一些实施例中，所述第一氮氧化硅膜层为高折射率膜，第一折射率范围在1.62-1.71之间。采用硅烷，笑气和氨气作为所述第一氮氧化硅膜层的反应物，其中硅烷流量为310-380sccm，笑气流量为5000-6000sccm，氨气流量为1600-2600sccm，沉积温度为480-510℃，功率为9000-9500W。可选地，所述第一氮氧化硅膜层的厚度范围在10-60nm。仅用作示例，优选地，所述第一氮氧化硅膜层的折射率范围为1.62-1.68。更优选地，所述第一氮氧化硅膜层折射率范围为1.64-1.67。所述第一氮氧化硅膜层的优选的厚度范围可以在30-40nm。
步骤S207，在所述第一氮氧化硅膜层的下表面形成第二氮氧化硅膜层。在一些实施例中，所述第二氮氧化硅膜层为低折射率膜，第二折射率范围为1.48-1.61。采用硅烷，笑气和氨气作为所述第一氮氧化硅膜层的反应物，其中硅烷流量为280-320sccm，笑气流量为6000-7000sccm，氨气流量为300-800sccm，沉积温度为480-510℃，功率为9000-9500W。仅用作示例，所述第二氮氧化硅膜层的厚度范围在20-60nm。优选地，所述第二氮氧化硅膜层的折射率范围为1.54-1.58。所述第二氮氧化硅膜层的优选的厚度范围在40-50nm。
步骤S208，在所述第二氮氧化硅膜层的下表面即硅衬底背面钝化层的最外层形成氮化硅膜层。在一些实施例中，所述氮化硅膜层包括多层氮化硅。例如，可以为1～3层折射率渐变膜组成叠层结构。该氮化硅膜层的整体折射率范围为2.02-2.15。采用硅烷和氨气作为所述氮化硅膜层的反应物，其中硅烷流量为800-1420sccm，氨气流量为4000-10000sccm，沉积温度为480～510℃，功率为8500～9500W。仅用作示例，所述氮化硅膜层的厚度范围在60-180nm。优选地，所述氮化硅膜层的整体折射率范围为2.08-2.11，所述氮化硅膜层的优选的厚度范围在80-100nm。
步骤S209，对S208处理后的硅片进行金属化步骤。可以通过激光开槽的形式部分的或完全的除去金属化区域的钝化膜，并采用丝网印刷技术印刷电极，形成正面和背面电极。
在一些实施例中，在所述制备方法制备的太阳能电池中，所述第一氮氧化硅膜层和第二氮氧化硅膜层的厚度之和大于60nm，所述氮化硅膜层的厚度大于60nm且所述钝化层各层厚度之和大于120nm且小于300nm。所述第一氮氧化硅膜层的第一折射率大于第二氮氧化硅膜层的第二折射率且小于氮化硅膜层的第三折射率。可选地，所述第一折射率与所述第二折射率的比值，所述比值范围为1.03-1.21。可选地，所述第一折射率与所述第三折射率的比值，所述比值为0.79-0.87。可选地，所述第二折射率与所述第三折射率的比值，所述比值为0.72-0.77。
相较于未经多层氮氧化硅和氮化硅钝化的太阳能电池，本申请的硅衬底背面经氮氧化硅和氮化硅钝化的太阳能电池(如PERC电池)，可有效增强背钝化特性，其电池少子寿命，开压，短流、填充因子、电池效率方面均有较大提升。
具体地，分别对氮化硅钝化的太阳能电池、氧化铝和氧化硅钝化的太阳能电池以及本申请所述的多层氮氧化硅和氮化硅钝化的太阳能电池在相同的条件下进行测试，所得数据如下表1所示，可以看出，经多层氮氧化硅和氮化硅钝化的太阳能电池的效率优于其他两组。
表1
下面结合具体实例对本申请太阳能电池的氮氧化硅/氮化硅膜层厚度、折射率与电池效率间的关系进行详细说明。
图3所示为本申请太阳能电池的相关的示例性数据。
通过图3示例性数据可知，在一些实施例中，所述钝化层中的氮氧化硅膜层厚度(第一和第二氮氧化硅膜层厚度之和)大于60nm；所述氮化硅膜层厚度大于60nm；所述氮氧化硅膜层和氮化硅膜层厚度之和大于120nm且小于300nm。
在一些实施例中，所述第一折射率与所述第二折射率的比值为1.03-1.21；所述第一折射率与所述第三折射率的比值为0.79-0.87；所述第一折射率与所述第三折射率的比值为0.72-0.77。
当所述钝化层各层的厚度和/或折射率满足前述范围时，所述电池效率可以获得提升。
在一些实施例中，所述电池效率与第一氮氧化硅膜厚度(d1)以及对应的第一折射率(n1)相关。在一些实施例中，电池效率正比于(11.2+0.088d1*n1-0.147*d1-6.7*n1)。仅用作示例，图4示出了本申请实施例的一种太阳能电池的电池效率与第一氮氧化硅膜层厚度d1及折射率n1之间的等值线图。在图4中，横轴为折射率n1，纵轴为膜层厚度d1。图中不同颜色区域分别表示不同的电池效率，各颜色区域分别由标记101-标记107表示。如右侧小图，自上而下的7个颜色小方块分别对应图中标记101～107的颜色区域。标记101的颜色区域表示电池效率范围小于-0.20，以此类推，标记107的颜色区域表示电池效率范围大于0.05。从该图中可知，在n1为1.62-1.68，d1为30-40nm的优选范围时，可获得较高的电池效率。
在一些实施例中，电池效率与第二氮氧化硅膜厚度以及折射率相关。在一些实施例中，电池效率正比于(2.65-0.00059*d2-1.73*n2)。仅用作示例，图5示出了本申请实施例的一种太阳能电池的电池效率与第二氮氧化硅膜层厚度d2及折射率n2之间的等值线图。图中，横轴为折射率n2，纵轴为膜层厚度d2。图中不同颜色区域分别表示不同的电池效率，各颜色区域分别由标记101-标号107表示。如右侧小图，自上而下的7个颜色小方块分别对应图中标记101-107的颜色区域。标记101的颜色区域表示电池效率范围小于-0.20，以此类推，标号107的颜色区域表示电池效率范围大于0.05。从该图中可知，在n2为1.54-1.58，d2为40-50nm的优选范围时，可获得较高的电池效率。
可以理解的是，在形成所述太阳能电池的钝化层时，可以依据本申请示例的钝化层各膜层厚度以及折射率之间的关系进行设计以便获取钝化性能较好的膜层结构，进而后续提升电池效率。另外，相较于利用传统钝化层(含氧化铝)钝化的太阳能电池，所述设计的晶体硅表面无氧化铝钝化膜结构，可有效增强背钝化特性。例如，钝化膜层中含有大量氢原子，能够实现良好的钝化效果，同时氧原子的存在也可以使氮氧化硅在硅表面获得较好的界面质量以及能够解决含氧化铝膜层体系产品可靠性和低成本之间不可兼容的矛盾。
显然，本技术领域中的普通技术人员应当认识到，以上的实施例仅是用来说明本发明，而并非用作为对本发明的限定，只要在本发明的实质精神范围内，对以上所述实施例的变化、变型都将落在本申请权利要求的保护范围内。
Claims (11)
1.一种太阳能电池，包括硅衬底以及配置于所述硅衬底背面的钝化层，其特征在于，所述钝化层包括：
具有第一折射率的第一氮氧化硅膜层，配置于所述第一氮氧化硅膜层表面的具有第二折射率的第二氮氧化硅膜层以及配置于所述第二氮氧化硅膜层表面的具有第三折射率的至少一层氮化硅膜层，其中，所述第一氮氧化硅膜层和第二氮氧化硅膜层的厚度之和大于60nm，所述氮化硅膜层整体的厚度大于60nm且所述钝化层各层厚度之和大于120nm且小于300nm，所述第一折射率大于第二折射率且小于第三折射率，
所述第一氮氧化硅膜层的厚度为30-40nm，所述第一折射率为1.64-1.67，
所述第二氮氧化硅膜层的厚度为40-60nm，所述第二折射率为1.54-1.58。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一折射率与所述第三折射率的比值，所述比值为0.79-0.87。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二折射率与所述第三折射率的比值，所述比值为0.72-0.77。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第三折射率范围为2.08-2.11之间。
5.一种光伏组件，其特征在于，所述组件至少包括权利要求1-4中任一项所述的太阳能电池，所述太阳能电池用于将接收的光能转化为电能。
6.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，将具有第一折射率的第一氮氧化硅膜层、具有第二折射率的第二氮氧化硅膜层和具有第三折射率的至少一层氮化硅膜层依次沉积于硅衬底背面上，以共同形成钝化层，其中，所述第一氮氧化硅膜层和第二氮氧化硅膜层的厚度之和大于60nm，所述氮化硅膜层整体的厚度大于60nm且所述钝化层各层厚度之和大于120nm且小于300nm，所述第一折射率大于第二折射率且小于第三折射率，
所述第一氮氧化硅膜层的厚度为30-40nm，所述第一折射率为1.64-1.67，
所述第二氮氧化硅膜层的厚度为40-60nm，所述第二折射率为1.54-1.58。
7.根据权利要求6所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，沉积所述第一氮氧化硅膜层时，其反应物为硅烷、笑气和氨气，其中硅烷流量为310-380sccm，笑气流量为5000-6000sccm,氨气流量为1600-2600sccm，沉积温度为480-510℃，功率为9000-9500W。
8.根据权利要求6所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，沉积所述第二氮氧化硅膜层时，其反应物为硅烷、笑气和氨气，其中硅烷流量为280-320sccm，笑气流量为6000-7000sccm,氨气流量为300-800sccm，沉积温度为480-510℃，功率为9000-9500W。
9.根据权利要求6所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，沉积所述氮化硅膜层时，其反应物为硅烷和氨气，其中，硅烷流量为800-1420sccm，氨气流量为4000-10000sccm，沉积温度为480-510℃，功率为8500-9500W。
10.根据权利要求6所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述第一折射率与所述第三折射率的比值，所述比值为0.79-0.87。
11.根据权利要求7所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述第二折射率与所述第三折射率的比值，所述比值为0.72-0.77。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010477777.2A CN111668317B (zh) | 2020-05-29 | 2020-05-29 | 一种光伏组件、太阳能电池及其制备方法 |
| ES20179975T ES2926597T3 (es) | 2020-05-29 | 2020-06-15 | Módulo fotovoltaico, célula solar y método para producir la célula solar |
| PL20179975.6T PL3916814T3 (pl) | 2020-05-29 | 2020-06-15 | MODUŁ FOTOWOLTAICZNY, OGNIWO SŁONECZNE i SPOSÓB PRODUKCJI OGNIWA SŁONECZNEGO |
| US16/901,242 US10991834B1 (en) | 2020-05-29 | 2020-06-15 | Photovoltaic module, solar cell, and method for producing solar cell |
| JP2020103380A JP6788144B1 (ja) | 2020-05-29 | 2020-06-15 | 太陽電池モジュール、太陽電池及びその製造方法 |
| EP20179975.6A EP3916814B1 (en) | 2020-05-29 | 2020-06-15 | Photovoltaic module, solar cell, and method for producing solar cell |
| AU2020203992A AU2020203992B1 (en) | 2020-05-29 | 2020-06-15 | Photovoltaic module, solar cell, and manufacturing method therefor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010477777.2A CN111668317B (zh) | 2020-05-29 | 2020-05-29 | 一种光伏组件、太阳能电池及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111668317A CN111668317A (zh) | 2020-09-15 |
| CN111668317B true CN111668317B (zh) | 2021-09-24 |
Family
ID=71096566
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010477777.2A Active CN111668317B (zh) | 2020-05-29 | 2020-05-29 | 一种光伏组件、太阳能电池及其制备方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10991834B1 (zh) |
| EP (1) | EP3916814B1 (zh) |
| JP (1) | JP6788144B1 (zh) |
| CN (1) | CN111668317B (zh) |
| AU (1) | AU2020203992B1 (zh) |
| ES (1) | ES2926597T3 (zh) |
| PL (1) | PL3916814T3 (zh) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20220077330A1 (en) * | 2020-06-04 | 2022-03-10 | Tsec Corporation | Solar cell structure |
| CN114420768A (zh) * | 2020-10-13 | 2022-04-29 | 意诚新能(苏州)科技有限公司 | 一种背面钝化膜、制备方法及晶硅太阳能电池 |
| CN112382696B (zh) * | 2020-10-15 | 2022-05-10 | 山西潞安太阳能科技有限责任公司 | 一种新型晶硅SiON双面电池背钝化工艺 |
| CN115425096A (zh) | 2020-12-29 | 2022-12-02 | 浙江晶科能源有限公司 | 太阳能电池及其制备方法、光伏组件 |
| CN112713216B (zh) * | 2020-12-30 | 2022-07-08 | 江苏润阳世纪光伏科技有限公司 | 一种太阳能电池的层叠减反射膜的制备方法 |
| CN112713204A (zh) * | 2021-01-19 | 2021-04-27 | 天合光能股份有限公司 | 太阳能电池叠层钝化结构 |
| CN116314356A (zh) * | 2021-02-23 | 2023-06-23 | 浙江晶科能源有限公司 | 太阳能电池及其制作方法、太阳能组件 |
| CN115036388B (zh) * | 2021-02-23 | 2023-10-27 | 浙江晶科能源有限公司 | 太阳能电池及其制作方法 |
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| CN116525689A (zh) | 2021-08-26 | 2023-08-01 | 上海晶科绿能企业管理有限公司 | 太阳能电池及其制作方法、光伏组件 |
| CN113782638B (zh) * | 2021-09-09 | 2024-10-22 | 正泰新能科技股份有限公司 | 一种电池背钝化结构及其制作方法、太阳能电池 |
| CN114122157B (zh) * | 2022-01-28 | 2022-05-20 | 浙江晶科能源有限公司 | 光伏电池及其制造方法、光伏组件 |
| CN118335844A (zh) * | 2023-04-12 | 2024-07-12 | 天合光能股份有限公司 | 薄膜制备方法、太阳能电池、光伏组件和光伏系统 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| TW200929575A (en) * | 2007-12-28 | 2009-07-01 | Ind Tech Res Inst | A passivation layer structure of the solar cell and the method of the fabricating |
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| CN109786477A (zh) * | 2019-01-24 | 2019-05-21 | 江西展宇新能源股份有限公司 | 一种抗pid双面perc电池多层钝化膜和双面perc电池的制备方法 |
| CN110473921A (zh) | 2019-06-25 | 2019-11-19 | 阜宁苏民绿色能源科技有限公司 | 一种perc电池背钝化结构及制备方法 |
| CN110491949A (zh) * | 2019-07-02 | 2019-11-22 | 商先创国际股份有限公司 | 一种太阳能电池叠层钝化结构及其制备方法和电池 |
| CN111029415A (zh) * | 2019-12-31 | 2020-04-17 | 广东爱旭科技有限公司 | 改善管式perc太阳能电池边缘绕镀色差的正面复合膜 |
-
2020
- 2020-05-29 CN CN202010477777.2A patent/CN111668317B/zh active Active
- 2020-06-15 JP JP2020103380A patent/JP6788144B1/ja active Active
- 2020-06-15 PL PL20179975.6T patent/PL3916814T3/pl unknown
- 2020-06-15 ES ES20179975T patent/ES2926597T3/es active Active
- 2020-06-15 EP EP20179975.6A patent/EP3916814B1/en active Active
- 2020-06-15 AU AU2020203992A patent/AU2020203992B1/en active Active
- 2020-06-15 US US16/901,242 patent/US10991834B1/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP3916814B1 (en) | 2022-08-24 |
| ES2926597T3 (es) | 2022-10-27 |
| AU2020203992B1 (en) | 2021-02-25 |
| US10991834B1 (en) | 2021-04-27 |
| JP2021190672A (ja) | 2021-12-13 |
| PL3916814T3 (pl) | 2022-11-07 |
| JP6788144B1 (ja) | 2020-11-18 |
| CN111668317A (zh) | 2020-09-15 |
| EP3916814A1 (en) | 2021-12-01 |
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