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CN111277053A - 一种屏蔽膜、线圈组件和无线充电设备 - Google Patents

一种屏蔽膜、线圈组件和无线充电设备 Download PDF

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CN111277053A CN202010128231.6A CN202010128231A CN111277053A CN 111277053 A CN111277053 A CN 111277053A CN 202010128231 A CN202010128231 A CN 202010128231A CN 111277053 A CN111277053 A CN 111277053A
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film
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Abstract

本申请提供了一种屏蔽膜、线圈组件和无线充电设备,涉及电磁设备技术领域,以减少充电过程中的对外辐射。本申请实施例提供的屏蔽膜包括第一膜层,第一膜层包括第一导电部和第一绝缘部,在第一膜层的厚度方向第一绝缘部贯穿第一导电部;当受到第一电磁场的电磁作用时,第一膜层中形成第一涡电流,第一涡电流的环路位于第一导电部内,使得第一涡电流具备较大的电流强度;当受到第二电磁场的电磁作用时,第一膜层中形成第二涡电流,第二涡电流的环路经过第一绝缘部,能够降低第二涡电流的电流强度;本申请实施例提供的屏蔽膜能够对高频电磁场进行有效吸收,对低频电磁场则不会产生衰减,从而实现阻高频电磁场、通低频电磁场的效果。

Description

一种屏蔽膜、线圈组件和无线充电设备
技术领域
本申请涉及电磁设备技术领域,尤其涉及一种屏蔽膜、线圈组件和无线充电设备。
背景技术
目前,无线充电技术主要分为磁感应无线充电、磁共振无线充电和射频技术的无线充电三大类,现有市场中,以磁感应无线充电技术为主的无线充电占有率较高;随着无线充电技术的普及,市场上涌现出许多应用磁感应无线充电技术的产品;例如,在无线充电器、手机等电子设备中开始广泛采用磁感应无线充电技术进行充电,但是手机的充电时间(速率)一直是用户体验的关键问题,若想提高手机的充电速率,可以通过提升无线充电器输出功率的手段来实现,但是,随着输出功率的增加,电磁辐射会明显增强,从而降低了电子设备自身的安全性和用户的使用安全性,也会影响产品通过法规认证;另外,由于无线充电技术依靠电磁场来传递能量,且传统的电磁屏蔽技术会完全阻断电磁场能量的传递,因此,传统的电磁屏蔽技术会影响无线充电产品中电磁能量的正常传输。
发明内容
本申请提供了一种能够对高频电磁信号进行有效屏蔽、对低频电磁信号进行有效导通的屏蔽膜、线圈组件和无线充电设备。
一方面,本申请实施例提供了一种屏蔽膜,包括第一膜层,第一膜层包括第一导电部和第一绝缘部,在第一膜层的厚度方向第一绝缘部贯穿第一导电部或第一导电部贯穿第一绝缘部;其中,当受到第一电磁场的磁场作用时,第一膜层中形成有第一涡电流,第一涡电流的环路位于第一导电部内,从而使得第一涡电流具备较大的电流强度;当受到第二电磁场的磁场作用时,第一膜层中形成有第二涡电流,第二涡电流的环路经过第一绝缘部,从而能够降低第二涡电流的电流强度;当第一电磁场的频率大于第二电磁场的频率时,第一涡电流的环路面积会小于第二涡电流的环路面积,通过涡流损耗效应,本申请实施例提供的屏蔽膜能够对高频电磁场进行有效吸收和屏蔽,对低频电磁场则不会产生衰减,从而实现阻高频电磁场、通低频电磁场的效果。
当屏蔽膜受到电磁场的磁场作用时(如屏蔽膜的一侧存在产生电磁场的电磁线圈时),屏蔽膜中会产生涡电流。通常情况下电磁线圈所产生的电磁场中会包含频率较高的电磁场和频率较低的电磁场,在不同频率的电磁场中,屏蔽膜内所形成的涡流环路大小有所不同。具体来说,在频率较高的电磁场中,屏蔽膜内所形成的涡电流的环路路径较小。在频率较低的电磁场中,屏蔽膜内所形成的涡电流的环路路径较大。基于上述特性,本申请实施例提供的屏蔽膜能够对频率较高的电磁场进行有效的吸收、屏蔽作用,能够对频率较低的电磁场进行良好的导通作用。
在具体实施时,第一导电部的材质可以为多种,例如,可以包括铜、铝等金属或合金,也可以包括石墨烯、碳纤维等。第一绝缘部的材质也可以为多种,例如,可以包括空气、聚酰胺、聚碳酸酯、四氟乙烯、聚四氟乙烯等,或者多种绝缘材料的混合物。
另外,第一导电部、第二导电部的数量,第一膜层的结构形式以及导电单元所形成的方式也是多样的。
例如,第一导电部可以为一个整体,第一绝缘部可以为多个开设在第一导电部上的通孔结构。在进行制作时,可以选用碳纤维毡、金属薄膜、导电纸等作为基材,然后采用针刺、激光蚀刻等工艺在金属薄膜中开设通孔结构,从而实现第一膜层的制备,多个绝缘部所围成的最小区域可以作为导电单元;例如,多个第一绝缘部可以矩阵式均匀分布在第一导电部中,每四个第一绝缘部可以围成一个导电单元。
另外,在一些实施方式中,第一绝缘部也可以为一个整体,第一导电部可以是分布在第一绝缘部内的导电体。或者,在一些实施方式中,第一绝缘部也可以设置多个,第一导电部也可以设置多个。
另外,为了提升第一膜层的结构强度,第一绝缘部可以是结构稳定性较为良好的绝缘材料,或者,在一些实施方式中,也可以在第一膜层的表面设置绝缘层。
由于屏蔽膜在实现屏蔽功能时,第一导电部内会有电流,因此会使第一导电部的温度升高。在具体实施时,为了提升屏蔽膜的散热性,第一绝缘部中可以包括导热性良好的绝缘材料,或者,在一些实施方式中,也可以在第一膜层的表面设置绝缘导热层。
另外,在对第一膜层进行制作时,还可以采用编织工艺;具体来说,可以选用金属丝作为编织材料,将金属丝编织成网状结构或线宽结构,网状结构的镂空部位可以作为第一绝缘部,每个第一绝缘部四周的金属丝可以围成一个导电单元。在具体实施时,网状结构(或镂空部)可以是矩形结构、菱形结构等,本申请对此不作具体限定。另外,在一些实施方式中,也可以在网状结构的表面涂覆绝缘材料、绝缘导热材料等,以提升第一膜层的结构强度或散热性能。另外,在一些实施方式中,也可以选用外表包裹有绝缘层或绝缘导热层的金属丝作为编织材料,也可以选用外表包裹有导电层的绝缘丝作为编织材料,本申请对此不作具体限定。
另外,在一些实施方式中,屏蔽膜中也可以包括多层膜结构。例如,屏蔽膜中可以包括层叠设置的第一膜层和第二膜层。在具体实施时,第二膜层的具体结构或制作方式可以与上述第一膜层的结构相同或不同。
在一些实施方式中,第一膜层和第二膜层之间的相对位置关系可以是多样的。例如,第一膜层和第二膜层的结构可以相同,第一膜层中的第一导电部可以与第二膜层中的第二导电部交错设置,第一膜层中的第一绝缘部可以与第二膜层中的第二绝缘部交错设置;也可以理解为,第一膜层中的第一导电部在第二膜层上的投影与第二导电部不重合,第一膜层中的第一绝缘部在第二膜层上的投影与第二绝缘部不重合。
在一些实施方式中,第一膜层中的第一导电部还可以与第二膜层中的第二绝缘部对应设置,第一膜层中的第一绝缘部可以与第二膜层中的第二导电部对应设置,即第一膜层与第二膜层互补。例如,在第一膜层中,当第一绝缘部为开设在第一导电部上的多个通孔时,在第二膜层中,第二导电部可以为分布在第二绝缘部上的多个导电体;在具体实施时,第二膜层中第二导电部的轮廓可以小于、等于、大于第一膜层中第一绝缘部的轮廓。例如,第一绝缘部可以为圆形孔结构,第二导电部可以为圆形导电体,第一绝缘部的直径可以小于、等于、大于第二导电部的直径。
在具体实施时,为了提升屏蔽膜的屏蔽性能,第一绝缘部的轮廓可以不大于第二导电部的轮廓,或者,第二导电部在第一膜层上的投影可以覆盖第一绝缘部。
在一些实施方式中,屏蔽膜中还可以包括更多个层叠设置的第一膜层或第二膜层,多个膜层的结构可以相同也可以不同,在此不作赘述。
另一方面,本申请实施例还提供了一种线圈组件,包括电感线圈和上述任意一种的屏蔽膜,屏蔽膜可以接地并设置在电感线圈的至少一侧以对电感线圈所产生的电磁信号进行处理或过滤,或者对外界环境中的电磁信号进行处理或过滤,以防止外界环境中的电磁信号对电感线圈产生影响。
在具体应用时,线圈组件可以应用在供电设备中,也可以应用在受电设备中。
例如,当线圈组件应用在供电设备(如无线充电器)中时,线圈组件中还可以包括供电电路,供电设备中的电源通过供电电路与电感线圈电连接,用于向电感线圈提供交变电流,以使电感线圈产生交变磁场(或电磁信号),从而将电能转化为电磁能实现电能的无线传输。屏蔽膜可以设置在电感线圈的一侧,以对电感线圈所产生的高频电磁信号进行过滤,电感线圈所产生的低频信号则可以透过屏蔽膜进行传输,以使受电设备能够接受线圈组件(供电设备)所产生的电磁能。
当线圈组件应用在受电设备(如手机)中时,线圈组件中还可以包括受电电路,受电设备中的电源(如锂电池)可以通过受电电路与电感线圈电连接,电感线圈接收到电磁能时,可将电磁能转化为电能,电能便可通过受电电路流入电源中进行储存。
在一些实施方式中,屏蔽膜也可以单独应用在电子设备中。例如,在本申请提供的一种电子设备中,包括壳体和位于壳体内的电器元件,屏蔽膜可以设置在电器元件的部分外围,以对电器元件所产生的高频电磁信号进行过滤,或者对外界的高频电磁信号进行过滤,以避免对电器元件产生影响。在具体实施时,电器元件可以是处理器、存储器等,屏蔽膜可以仅设置在电器元件的部分外围,也可以包裹在电器元件的外围。另外,电子设备可以是手机、智能手表、电源适配器等,本申请对此不作具体限定。
附图说明
图1为本申请实施例提供的一种无线充电器和手机的结构示意图;
图2为本申请实施例提供的一种屏蔽膜的结构示意图;
图3为本申请实施例提供的一种屏蔽膜的剖面结构示意图;
图4为本申请实施例提供的另一种屏蔽膜的剖面结构示意图;
图5为本申请实施例提供的另一种屏蔽膜的结构示意图;
图6为本申请实施例提供的又一种屏蔽膜的结构示意图;
图7为本申请实施例提供的另一种屏蔽膜的剖面结构示意图;
图8为本申请实施例提供的另一种屏蔽膜的剖面结构示意图;
图9为本申请实施例提供的又一种屏蔽膜的剖面结构示意图;
图10为本申请实施例提供的一种线圈组件的结构示意图;
图11为本申请实施例提供的一种线圈组件的剖面结构示意图;
图12为本申请实施例提供的一种无线充电设备的剖面结构示意图。
具体实施方式
为了使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本申请作进一步地详细描述。
为了方便理解本申请实施例提供的屏蔽膜,下面首先介绍一下其应用场景。
本申请实施例提供的屏蔽膜可应用在多种需要对电磁信号进行选择性屏蔽的设备中。例如,随着无线充电技术的发展,越来越多的电子产品(如手机、智能手表等)开始使用无线充电技术实现电力传输。无线充电技术的实现主要依靠电磁感应原理来实现电能的传输,例如,如图1所示,无线充电器01可以作为发送端,手机02可以作为接收端;无线充电器01中可以设置供电线圈011,手机02中可以设置受电线圈021,在供电线圈011中接通交变电流,通过电磁感应使供电线圈011向外界发出电磁信号,受电线圈021接收到电磁信号后通过电磁感应将电磁信号转变为电流,从而达到无线充电的目的。
在实际应用中,发送端所产生的电磁信号中通常包括高频电磁信号(如频率大于100kHz的电磁信号)和低频电磁信号(如频率不大于100kHz的电磁信号),在无线充电系统中,主要依靠低频电磁信号实现电能的传输,而高频电磁信号对于电能传输所做的贡献较少,另外,由于一些频段的高频电磁信号还会对电器元件(如处理器等)或人体产生不良影响,因此,需要对高频电磁信号进行抑制。
在一些无线充电系统中,为了对高频信号进行抑制,可以在发送端设置电源滤波器以对高频交变电流进行滤除,从而对高频电磁信号进行抑制。具体来说,在发送端,供电线圈所产生的高频电磁信号是由高频交变电流所产生的,因此,为了减少供电线圈所产生的高频电磁信号,可以通过电源滤波器对高频交变电流中的高频电流进行滤除,从而对高频电磁信号进行抑制;但是这种方式由于引入了电源滤波器,因此,会增加发射端的体积,不利于发射端的小型化、轻薄化设计,同时也会增加制作成本。
另外,在一些实施方式中,为了提升充电速率,可以通过增加发送端发射高频交变电流的功率大小来实现,但是,由于电源滤波器存在电阻,会对其流过的电信号产生明显的抑制作用,能量衰减严重,极大的降低了电磁能量转换效率,从而不利于提升充电速率。
基于上述问题,本申请实施例提供了一种利于提升充电速率,能够对高频电磁信号进行有效过滤、制作成本低、便于小型化轻薄化制作的屏蔽膜,以及应用该屏蔽膜的线圈组件和无线充电设备。
为了便于理解本申请技术方案,下面将结合附图和具体实施方式对本申请所提供的屏蔽膜进行具体说明。
以下实施例中所使用的术语只是为了描述特定实施例的目的,而并非旨在作为对本申请的限制。如在本申请的说明书和所附权利要求书中所使用的那样,单数表达形式“一个”、“一种”、“上述”、“该”和“这一”旨在也包括例如“一个或多个”这种表达形式,除非其上下文中明确地有相反指示。还应当理解,在本申请以下各实施例中,“至少一个”、“一个或多个”是指一个、两个或两个以上。术语“和/或”,用于描述关联对象的关联关系,表示可以存在三种关系;例如,A和/或B,可以表示:单独存在A,同时存在A和B,单独存在B的情况,其中A、B可以是单数或者复数。字符“/”一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
在本说明书中描述的参考“一个实施例”或“一些实施例”等意味着在本申请的一个或多个实施例中包括结合该实施例描述的特定特征、结构或特点。由此,在本说明书中的不同之处出现的语句“在一个实施例中”、“在一些实施例中”、“在其他一些实施例中”、“在另外一些实施例中”等不是必然都参考相同的实施例,而是意味着“一个或多个但不是所有的实施例”,除非是以其他方式另外特别强调。术语“包括”、“包含”、“具有”及它们的变形都意味着“包括但不限于”,除非是以其他方式另外特别强调。
如图2所示,在本申请提供的一个实施例中,屏蔽膜10中包括导电部11和绝缘部12;请结合参阅图3,在屏蔽膜10的厚度方向绝缘部12贯穿导电部11;其中,当屏蔽膜10受到电磁场的磁场作用时(如屏蔽膜10的一侧存在产生电磁场的电磁线圈时),屏蔽膜10中会产生涡电流。具体来说,当把屏蔽膜10放在电磁场中后,屏蔽膜内将产生感应电流,这种感应电流在屏蔽膜内自成回路,由于回路路径类似于旋涡状,因此这种电流称作涡电流(简称涡流)。通常情况下电磁线圈所产生的电磁场中会包含频率较高的电磁场和频率较低的电磁场,在不同频率的电磁场中,屏蔽膜内所形成的涡流环路大小有所不同。具体来说,在频率较高的电磁场中,屏蔽膜10内所形成的涡电流的环路路径较小。在频率较低的电磁场中,屏蔽膜10内所形成的涡电流的环路路径较大。基于上述特性,本申请实施例提供的屏蔽膜10能够对频率较高的电磁场进行有效的吸收、屏蔽作用,能够对频率较低的电磁场进行良好的导通作用。具体来说,在频率较高的电磁场(第一电磁场)中,屏蔽膜10中形成有第一涡电流101,第一涡电流101的环路位于导电部11内,此时,环路阻抗较低,涡流损耗高,从而能够对第一电磁场进行有效的吸收和屏蔽。在频率较低的电磁场(第二电磁场)中,屏蔽膜10中形成有第二涡电流102,第二涡电流102的环路经过绝缘部12,此时,环路阻抗较高,涡流损耗较低,从而不会对频率较低的电磁场形成明显的屏蔽作用。
在具体实施时,导电部11的材质可以为多种,例如,可以包括铜、铝等金属或合金,也可以包括石墨烯、碳纤维等。绝缘部12的材质也可以为多种,例如,可以包括空气、聚酰胺、聚碳酸酯、四氟乙烯、聚四氟乙烯等,或者多种绝缘材料的混合物。
另外,在具体实施时,导电部11、绝缘部12的数量,屏蔽膜10的结构形式以及导电单元所形成的方式也是多样的。
例如,如图2和图3所示,在本申请提供的一个实施例中,导电部11可以为一个整体,绝缘部12可以为多个开设在导电部11上的通孔结构。在进行制作时,可以选用金属薄膜、导电纸或碳纤维毡等作为基材,然后采用针刺、激光蚀刻等工艺在基材中开设通孔结构,从而实现屏蔽膜10的制备,多个绝缘部12所围成的最小区域可以作为导电单元100(图2中仅标示出一个);例如,多个绝缘部12可以矩阵式均匀分布在屏蔽膜10(导电部11)中,每四个绝缘部12可以围成一个导电单元100。在具体实施时,通孔可以是圆形孔、椭圆形孔,也可以其他的多边形孔结构;另外,绝缘部12(通孔)的数量、尺寸、分布密度、间隔等参数可以根据实际情况作适应性调整;例如,当所需屏蔽的电磁场的频率较高时,可以适当增加绝缘部12的分布密度,也可以适当缩减绝缘部12的大小等,本申请对此不作具体限定。
另外,在一些实施方式中,通孔中也可以添加绝缘材料,以提升屏蔽膜10的结构稳定性和受力性能。例如,可以在通孔内填充绝缘胶或其他绝缘材料。
在另一些实施方式中,如图4所示,屏蔽膜10的表面也可以设置绝缘层13,以提升屏蔽膜10的受力性能;在具体实施时,绝缘层13可以设置在屏蔽膜10的下表面,也可以设置在屏蔽膜10的上表面,也可以在屏蔽膜10的上、下表面均设置。
或者,在一些实施方式中,由于导电单元100中有涡电流时,会使导电单元100发热,为了保证屏蔽膜10的正常工作性能,绝缘部12可以选用具备较高耐热性的材料,以防止当温度较高时,引起绝缘部12绝缘性能的下降,或者物理性能的改变(如融化)等不良情况,从而能保证屏蔽膜10的正常屏蔽性能和结构稳定性。
在一些实施方式中,为了提升屏蔽膜10的散热性能,可以在屏蔽膜10的表面设置绝缘导热层,在具体实施时,绝缘导热层的材料可以包括导热硅胶、导热矽胶等。
另外,在一些实施方式中,屏蔽膜10中的导电部11也可以为多个相互独立的结构。例如,如图5所示,在本申请提供的一个实施例中,屏蔽膜10中可以包括一个绝缘部12和多个导电部11,多个导电部11分散在绝缘部12中,每个导电部11可以作为一个导电单元。
在进行制作时,可以将多个导电部11(如金属块)放置在平台上,然后采用喷涂工艺将绝缘涂料直接喷涂在平台上,从而实现导电部11和绝缘部12的结合;然后可以采用紫外固化(Ultraviolet curing,UV)等工艺对绝缘部12进行固化成型,从而完成屏蔽膜10的制备。在具体实施时,导电部11的大小、分布密度等参数可以根据实际情况作适应性调整;例如,当所需屏蔽的电磁场的频率较高时,可以适当增加导电部11的分布密度等,本申请对此不作具体限定。
在一些实施方式中,屏蔽膜10也可以采用编织工艺进行制作。例如,如图6所示,可以将金属丝编织成网状结构,网状结构的镂空部位可以作为绝缘部12,每个绝缘部12四周的金属丝可以围成一个导电单元。在具体实施时,网状结构(或镂空部)可以是矩形结构、菱形结构等,本申请对此不作具体限定。
另外,在一些实施方式中,也可以在网状结构的表面涂覆绝缘材料、绝缘导热材料等,以提升屏蔽膜10的结构强度或散热性能。另外,在一些实施方式中,也可以选用外表包裹有绝缘层或绝缘导热层的金属丝作为编织材料,也可以选用外表包裹有导电层的绝缘丝作为编织材料,本申请对此不作具体限定。
另外,在一些实施方式中,屏蔽膜10也可以是多层屏蔽结构,或者将多个屏蔽膜10层叠设置以形成多层屏蔽结构的屏蔽膜10。
例如,如图7所示,在本申请提供的一个实施例中,屏蔽膜10中包括两层屏蔽结构;具体来说,屏蔽膜10中可以包括层叠设置的第一膜层10a和第二膜层10b。第一膜层10a可以包括第一导电部11a和第一绝缘部12a,在第一膜层10a的厚度方向第一绝缘部12a贯穿第一导电部11a;第二膜层10b可以包括第二导电部11b和第二绝缘部12b,在第二膜层10b的厚度方向第二绝缘部12b贯穿第二导电部11b。在具体实施时,第一膜层10a的具体结构或制作方式可以与上述实施例中的单层屏蔽结构的屏蔽膜10的结构相同或不同,第二膜层10b的具体结构或制作方式可以与上述实施例中的单层屏蔽结构的屏蔽膜10的结构相同或不同,在此不作赘述。
在一些实施方式中,第一膜层10a和第二膜层10b之间的相对位置关系可以是多样的。
例如,如图7所示,第一膜层10a和第二膜层10b的结构可以相同,第一膜层10a中的第一导电部11a可以与第二膜层中10b的第二导电部11b交错设置,第一膜层10a中的第一绝缘部12a可以与第二膜层10b中的第二绝缘部12b交错设置;也可以理解为,第一膜层10a中的第一导电部11a在第二膜层10b上的投影与第二导电部11b不重合,第一膜层10a中的第一绝缘部12a在第二膜层10b上的投影与第二绝缘部12b不重合。
如图8所示,在一些实施方式中,第一膜层10a中的第一导电部11a还可以与第二膜层10b中的第二绝缘部12b对应设置,第一膜层10a中的第一绝缘部12a可以与第二膜层10b中的第二导电部11b对应设置,即第一膜层10a与第二膜层10b可以互补。例如,在第一膜层10a中,当第一绝缘部12a为开设在第一导电部11a上的多个通孔时,在第二膜层10b中,第二导电部11b可以为分布在第二绝缘部12b上的多个导电体;在具体实施时,第二膜层10b中第二导电部11b的轮廓可以小于、等于或者大于第一膜层10a中第一绝缘部12a的轮廓。例如,第一绝缘部12a可以为圆形孔结构,第二导电部11b可以为圆形导电体,第一绝缘部12a的直径可以小于、等于或者大于第二导电部11b的直径。
在具体实施时,为了提升屏蔽膜10的屏蔽性能,第一绝缘部12a的轮廓可以不大于第二导电部11b的轮廓。具体来说,屏蔽膜10在实现屏蔽功能时,一部分高频电磁信号会穿过第一膜层10a中的第一导电部11a,从而形成反磁场,以对该部分高频电磁信号进行有效吸收和屏蔽;另一部分高频电磁信号会由第一膜层10a中的第一绝缘部12a穿出,该部分高频电磁信号穿过第二膜层10b中的第二导电部11b时,会形成反磁场,以对该部分高频电磁信号进行有效吸收和屏蔽,从而能够使屏蔽膜10具备良好的屏蔽功能。
另外,在具体实施时,为了防止第一膜层10a中的第一导电部11a与第二膜层10b中的第二导电部11b电连接,而影响低频电磁信号的透出,如图9所示,在一些实施方式中第一膜层10a与第二膜层10b之间可以设置绝缘层13。另外,在一些实施方式中,为了提升屏蔽膜10的散热性能,第一膜层10a和第二膜层10b之间也可以设置绝缘导热层,或者,在第一膜层10a的上表面以及第二膜层10b的下表面均设置绝缘导热层。
在实际应用时,屏蔽膜10可以方便、高效的应用在多种需要对高频电磁信号(电磁场)进行屏蔽、对低频电磁信号(电磁场)进行有效透出的环境中。
例如,如图10所示,本申请实施例还提供了一种线圈组件20,包括电感线圈21和上述实施例中任意一种的屏蔽膜10,屏蔽膜10可以设置在电感线圈21的至少一侧,以对电感线圈21所产生的电磁信号进行处理或过滤。具体来说,线圈组件20中还可以包括供电电路,供电电路与电感线圈21电连接,用于向电感线圈21提供交变电流,以使电感线圈21产生交变磁场(或电磁信号),从而将电能转化为电磁能进行无线传输。屏蔽膜10可以设置在电感线圈21的一侧,以对电感线圈21所产生的高频电磁信号进行过滤。
在具体实施时,屏蔽膜10与电感线圈21之间的位置关系可以是多样的。
例如,如图11所示,当电感线圈21的右端作为输出端时,可以将屏蔽膜10设置在电感线圈21的右侧。在一些实施方式中,也可以将屏蔽膜10包覆设置电感线圈21的左右两侧或外围。
在具体应用时,线圈组件21可以设置在供电设备中也可以设置在受电设备中。
例如,供电设备可以是无线充电器,线圈组件21可以与供电设备中的供电电路进行电连接,以将电能转化为电磁能进行无线传输。受电设备可以是手机、智能手表、平板电脑等,线圈组件21可以与受电设备中的受电电路进行电连接,以将电磁能转化为电能进行储存或使用。
另外,在一些实施方式中,屏蔽膜10也可以单独应用在电子设备中。例如,如图12所示,在本申请提供的一种无线充电设备中,包括壳体31和位于壳体31内的至少一个电器元件32(图12中仅示出一个电器元件32),屏蔽膜10可以设置在电器元件32的至少部分外围,以对电器元件32所产生的高频电磁信号进行过滤,或者对外界的高频电磁信号进行过滤,以避免外界产生的高频电磁信号对电器元件32产生影响。
在具体实施时,电器元件32可以是处理器、存储器等,屏蔽膜10可以仅设置在电器元件32的部分外围,也可以包裹在电器元件32的整个外围。另外,无线充电设备可以是手机、智能手表、电源适配器等,本申请对此不作具体限定。
以上,仅为本申请的具体实施方式,但本申请的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此,本申请的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (12)

1.一种屏蔽膜,其特征在于,包括第一膜层;
所述第一膜层包括第一导电部和第一绝缘部,在所述第一膜层的厚度方向,所述第一绝缘部贯穿所述第一导电部或所述第一导电部贯穿所述第一绝缘部;
其中,当受到第一电磁场的磁场作用时,所述第一膜层中形成有第一涡电流,所述第一涡电流的环路位于所述第一导电部内;当受到第二电磁场的磁场作用时,所述第一膜层中形成有第二涡电流,所述第二涡电流的环路经过所述第一绝缘部;
所述第一涡电流的环路面积小于所述第二涡电流的环路面积。
2.根据权利要求1所述的屏蔽膜,其特征在于,还包括第二膜层;
所述第二膜层包括第二导电部和第二绝缘部,在所述第二膜层的厚度方向所述第二绝缘部贯穿所述第二导电部;
所述第二膜层贴附在所述第一膜层的一侧面,所述第二导电部在所述第一膜层上的投影覆盖所述第一绝缘部;
其中,当受到所述第一电磁场的磁场作用时,所述第二膜层中形成有第三涡电流,所述第三涡电流的环路位于所述第二导电部内;当受到所述第二电磁场的磁场作用时,所述第二膜层中形成有第四涡电流,所述第四涡电流的环路经过所述第二绝缘部。
3.根据权利要求1或2所述的屏蔽膜,其特征在于,所述第一导电部构成所述第一膜层的主体部分,所述第一膜层中设有多个所述第一绝缘部,在所述第一膜层的厚度方向,多个所述第一绝缘部贯穿所述第一导电部。
4.根据权利要求3所述的屏蔽膜,其特征在于,所述第一膜层包括碳纤维毡、金属薄膜、导电纸、编织网中的任意一种。
5.根据权利要求1至3中任意一项所述的屏蔽膜,其特征在于,所述第一绝缘部构成所述第一膜层的主体部分,所述第一膜层中设有多个所述第一导电部,在所述第一膜层的厚度方向,多个所述第一导电部贯穿所述第一绝缘部。
6.根据权利要求2所述的屏蔽膜,其特征在于,所述第二导电部构成所述第二膜层的主体部分,所述第二膜层中设有多个所述第二绝缘部,在所述第二膜层的厚度方向,多个所述第二绝缘部贯穿所述第二导电部。
7.根据权利要求2至6中任意一项所述的屏蔽膜,其特征在于,所述第二膜层包括碳纤维毡、金属薄膜、导电纸、编织网中的任意一种。
8.根据权利要求2或6所述的屏蔽膜,其特征在于,所述第二绝缘部构成所述第二膜层的主体部分,所述第二膜层中设有多个所述第二导电部,在所述第二膜层的厚度方向,多个所述第二导电部贯穿所述第二绝缘部。
9.根据权利要求1或2所述的屏蔽膜,其特征在于,还包括绝缘导热层,所述绝缘导热层贴附在所述第一膜层的至少一侧面。
10.一种线圈组件,其特征在于,包括电感线圈和如权利要求1至9中任意一项所述的屏蔽膜;
所述屏蔽膜接地,并设置在所述电感线圈的至少一侧;
其中,所述电感线圈用于产生所述第一电磁场和所述第二电磁场。
11.一种电子设备,其特征在于,包括壳体和位于所述壳体内的电器元件,还包括如权利要求1至9中任意一项所述的屏蔽膜;
所述屏蔽膜设置在所述电器元件的至少部分外围。
12.一种无线充电设备,其特征在于,包括电源和如权利要求10所述的线圈组件;
所述电源与所述电感线圈电连接。
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