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CN111221160A - 一种阵列基板、显示面板及显示装置 - Google Patents

一种阵列基板、显示面板及显示装置 Download PDF

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CN111221160A
CN111221160A CN202010240771.3A CN202010240771A CN111221160A CN 111221160 A CN111221160 A CN 111221160A CN 202010240771 A CN202010240771 A CN 202010240771A CN 111221160 A CN111221160 A CN 111221160A
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scanning signal
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李东华
魏晓丽
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Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd
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Abstract

本发明提供了一种阵列基板、显示面板及显示装置，本发明提供的扫描信号线连接有负载模块，负载模块能够降低扫描信号线接入信号的驱动能力后生成扫描信号，进而使得移位寄存模块输出至栅极线的扫描信号的驱动能力较低；以此，由于扫描信号的驱动能力较低，使得扫描信号在栅极线上传输过程中的衰减变化较小，保证与栅极线相连的不同像素所接入的扫描信号的偏差较小，进而改善了显示装置由于接入信号偏差较大出现的闪烁问题，提高了显示装置的显示效果。

Description

一种阵列基板、显示面板及显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，更为具体地说，涉及一种阵列基板、显示面板及显示装置。
背景技术
显示屏分为液晶显示屏和有机发光显示显示屏，随着显示屏技术的发展，其应用领域也在不断的扩大。如车载显示屏，其中，车载显示屏可以设计在仪表盘，中控和副驾驶位置处，随着显示屏的技术提升，汽车产品逐渐集成了更多的显示装置，增强了现代感和科技感，显得更加高端，而且车载器件领域上也越来越喜欢大尺寸、超宽屏占比的显示器。然而，随着显示屏的宽度尺寸制作的越来越大，显示屏的显示效果随之降低而有待改善。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种阵列基板、显示面板及显示装置，有效解决了现有技术存在的技术问题，提高了显示装置的显示效果。
为实现上述目的，本发明提供的技术方案如下：
一种阵列基板，所述阵列基板包括栅极驱动电路和多条栅极线，所述栅极驱动电路包括：
多级移位寄存模块，所述移位寄存模块的输出端与所述栅极线一一对应电连接；
与所述移位寄存模块电连接的至少一条控制信号线及扫描信号线，所述移位寄存模块用于响应所述控制信号线的控制信号，将所述扫描信号线的扫描信号输出至与其电连接的栅极线；
以及，与所述扫描信号线电连接的负载模块，所述负载模块用于降低所述扫描信号线接入信号的驱动能力后生成所述扫描信号。
相应的，本发明还提供了一种显示面板，所述显示面板包括上述的阵列基板。
相应的，本发明还提供了一种显示装置，所述显示装置包括上述的显示面板。
相较于现有技术，本发明提供的技术方案至少具有以下优点：
本发明提供了一种阵列基板、显示面板及显示装置，所述阵列基板包括栅极驱动电路和多条栅极线，所述栅极驱动电路包括：多级移位寄存模块，所述移位寄存模块的输出端与所述栅极线一一对应电连接；与所述移位寄存模块电连接的至少一条控制信号线及扫描信号线，所述移位寄存模块用于响应所述控制信号线的控制信号，将所述扫描信号线的扫描信号输出至与其电连接的栅极线；以及，与所述扫描信号线电连接的负载模块，所述负载模块用于降低所述扫描信号线接入信号的驱动能力后生成所述扫描信号。
由上述内容可知，本发明提供的扫描信号线连接有负载模块，负载模块能够降低扫描信号线接入信号的驱动能力后生成扫描信号，进而使得移位寄存模块输出至栅极线的扫描信号的驱动能力较低；以此，由于扫描信号的驱动能力较低，使得扫描信号在栅极线上传输过程中的衰减变化较小，保证与栅极线相连的不同像素所接入的扫描信号的偏差较小，进而改善了显示装置由于接入信号偏差较大出现的闪烁问题，提高了显示装置的显示效果。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；
图3为本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；
图4为本发明实施例提供的一种子电阻的结构示意图；
图5为本发明实施例提供的另一种子电阻的结构示意图；
图6为本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；
图7为本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；
图8为本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；
图9为本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；
图10为本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；
图11为本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；
图12为本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；
图13为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图；
图14为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
正如背景技术所述，显示屏分为液晶显示屏和有机发光显示显示屏，随着显示屏技术的发展，其应用领域也在不断的扩大。如车载显示屏，其中，车载显示屏可以设计在仪表盘，中控和副驾驶位置处，随着显示屏的技术提升，汽车产品逐渐集成了更多的显示装置，增强了现代感和科技感，显得更加高端，而且车载器件领域上也越来越喜欢大尺寸、超宽屏占比的显示器。然而，随着显示屏的宽度尺寸制作的越来越大，显示屏的显示效果随之降低而有待改善。
基于此，本发明提供了一种阵列基板、显示面板及显示装置，有效解决了现有技术存在的技术问题，提高了显示装置的显示效果。为实现上述目的，本发明提供的技术方案如下，具体结合图1至图14对本发明实施例提供的技术方案进行详细的描述。
参考图1所示，为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图，其中，所述阵列基板包括栅极驱动电路VSR和多条栅极线G，所述栅极驱动电路VSR包括：
多级移位寄存模块100，所述移位寄存模块100的输出端与所述栅极线G一一对应电连接。
与所述移位寄存模块100电连接的至少一条控制信号线CK及扫描信号线CL，所述移位寄存模块100用于响应所述控制信号线CK的控制信号，将所述扫描信号线CL的扫描信号输出至与其电连接的栅极线G。
以及，与所述扫描信号线G电连接的负载模块200，所述负载模块200用于降低所述扫描信号线CL接入信号的驱动能力后生成所述扫描信号。
需要说明的是，本发明实施例提供的控制信号线可以包括高电平信号线、低电平信号线、时钟信号线等，用于控制移位寄存模块工作以将扫描信号线输出的扫描信号线传输至栅极线上；其中，控制信号线的数量、类型及与移位寄存模块电连接的划分等，都需要根据实际应用中移位寄存模块的具体电路进行调整(可以理解的，如图1所示的每一移位寄存模块与所有控制信号线均电连接并非最终电连接方式，在实际应用中不同移位寄存模块还可以与不同控制信号线电连接，对此需要根据实际应用进行具体设计)，故本发明不做多余赘述。
以及，本发明实施例提供的阵列基板还包括有数据驱动电路、数据线等线路结构，对此与现有技术相同，本发明同样不做多余赘述。
进一步的，本发明实施例提供的所有控制信号线中，至少一条控制信号线上电连接有一辅助负载模块，辅助负载模块用于降低控制信号线接入信号的驱动能力后输出。可选的，所有控制信号线分别电连接各自相应的辅助负载模块，在移位寄存模块接入降低驱动能力的扫描信号的基础上，使其接入降低驱动能力的控制信号，移位寄存模块接入的信号的驱动能力变化方向一致，进而保证移位寄存模块的驱动稳定性高。本发明实施例对负载模块和辅助负载模块的具体参数不做限制，需要根据实际应用进行具体设计；以及，辅助负载模块包括负载电容和/或负载电阻时，辅助负载模块的负载电容和负载电阻的制作方式与负载模块的负载电容和负载电阻的制作方式可以相同。
在本发明一实施例中，本发明提供的阵列基板包括有显示区域和位于显示区域外围的边框区域，其中，本发明提供的负载模块和/或辅助负载模块均设置于边框区域，进而避免影响显示区的开口率。以及，本发明实施例提供的负载模块和/或辅助负载模块可以电连接于信号线的信号接入端处，进而便于线路的布线。
可以理解的，本发明提供的扫描信号线连接有负载模块，负载模块能够降低扫描信号线接入信号的驱动能力后生成扫描信号，进而使得移位寄存模块输出至栅极线的扫描信号的驱动能力较低；以此，由于扫描信号的驱动能力较低，使得扫描信号在栅极线上传输过程中的衰减变化较小，保证与栅极线相连的不同像素所接入的扫描信号的偏差较小，进而改善了显示装置由于接入信号偏差较大出现的闪烁问题，提高了显示装置的显示效果。
本发明对提供的负载模块类型不做具体限制。本发明提供的所述负载模块可以包括负载电阻和/或负载电容。其中，负载电阻和负载电容可以为外接式的电阻和电容；或者负载电阻和负载电容为阵列基板上新增膜层制备形成的电阻或电容；或者负载电阻和负载电容还可以为阵列基板原有膜层复用制备的电阻和电容。以及，本发明提供的控制信号线及扫描信号线可以为阵列基板上新增膜层制备形成的线路，或者可以为阵列基板原有膜层复用制备的线路，对此本发明不做具体限制。
可以理解的，本发明实施例提供的负载模块包括负载电阻时，负载电阻与扫描信号线呈串联电连接方式，以此通过电连接负载电阻来降低扫描信号线接入信号的驱动能力；可选的，负载电阻可以为单独的一个电阻，还可以为多个子电阻相电连接后的电阻；在负载电阻包括多个子电阻时，多个子电阻之间可以为串联电连接，还可以为并联电连接，对此本发明不做具体限制。
以及，本发明实施例提供的负载模块包括负载电容时，负载电容与扫描信号线呈并联电连接方式，以此通过负载电容来降低扫描信号线接入信号的驱动能力；可选的，负载电容可以为单独的一个电容，还可以为多个子电容相电连接后的电容；在负载电容包括多个子电容时，多个子电容之间可以为串联电连接，还可以为并联电连接，对此本发明同样不做具体限制。
下面结合附图对本发明实施例提供的负载模块包括负载电阻，且负载电阻复用阵列基板原有膜层的技术方案进行详细描述。其中本发明实施例提供的所述阵列基板包括叠加的基底和晶体管阵列层，所述晶体管阵列层包括栅极金属层、半导体层和源漏极金属层；所述负载电阻包括至少一个子电阻，且所述子电阻与所述栅极金属层、半导体层或源漏极金属层同层。
本发明实施例提供的负载电阻包括单个子电阻时，且负载电阻与扫描信号线异层设置时，负载电阻可以与扫描信号线通过过孔实现串联电连接；或者，负载电阻与扫描信号线同层设置时，负载电阻与扫描信号线直接串联电连接。以及，本发明实施例提供的负载电阻包括多个子电阻时，且多个子电阻之间包括异层的子电阻时，异层设置的子电阻之间可以通过过孔连接后，与扫描信号线通过过孔连接或直接连接实现串联电连接；或者，多个子电阻之间包括异层的子电阻时，且扫描信号线与子电阻之间同样为异层设置时，可以通过扫描信号线直接与异层设置的子电阻通过过孔电连接，而无需异层设置的子电阻之间进行过孔电连接，对此本发明不做具体限制。
具体参考图2所示，为本发明实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图，其中，阵列基板包括有：基底110和晶体管阵列层；其中，晶体管阵列层包括：位于所述基底110一侧上的半导体层120。
位于半导体层120背离基底110一侧上的栅极绝缘层130。
位于栅极绝缘层130背离基底110一侧上的栅极金属层140。
位于栅极金属层140背离基底110一侧上的层间绝缘层150。
以及，位于层间绝缘层150背离基底110一侧上的源漏金属层160。
如图2所示，本发明实施例提供的负载电阻200为单个子电阻，其中，负载电阻200与栅极金属层140同层，负载电阻200通过栅极金属层140制备而成。本发明实施例提供的负载电阻200与扫描信号线CL所在膜层异层时，扫描信号线CL可以通过通孔与负载电阻200串联电连接。
或者扫描信号线与负载电阻同层设置时，扫描信号线与负载电阻直接串联连接。具体参考图3所示，为本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图，图3中基底110和晶体管阵列层的结构与图2相同，其中，图3所示负载电阻200为单个子电阻。本发明实施例提供的负载电阻200与扫描信号线CL所在膜层同层时，扫描信号线CL可以直接与负载电阻200串联电连接。
可以理解的，本发明实施例可以通过对负载电阻进行子电阻数量和连接方式的改变，能够达到调节改变负载电阻的大小的目的，进而能够实现负载电阻对扫描信号线接入信号降低驱动能力的调节，基于此原理能够对负载电阻进行优化设计达到简化布线的目的。
以及，本发明实施例还可以对子电阻的形状进行优化设计，来达到对负载电阻的大小进行调节改变的目的。如图4所示，为本发明实施例提供的一种子电阻的结构示意图，子电阻可以为方块电阻，其可以为4(a)所示的规则的形状(如圆形、矩形、梯形等等)，还可以为4(b)所示的不规则的形状。或者如图5所示，为本发明实施例提供的另一种子电阻的结构示意图，子电阻可以为折线状的绕线电阻，对此本发明不做具体限制。
此外，本发明提供的半导体层可以为多晶硅层，其中子电阻复用半导体层时，可以通过对半导体层进行掺杂实现子电阻的大小调节；即与所述半导体层同层的子电阻还包括掺杂元素，所述子电阻的材料电阻率大于所述半导体层的材料电阻率。可选的，本发明实施例提供的掺杂元素可以为钕元素，对此本发明不做具体限制。
下面结合附图对本发明实施例提供的负载模块包括负载电容，且负载电容复用阵列基板原有膜层的技术方案进行详细描述。其中本发明实施例提供的所述阵列基板包括叠加的基底和晶体管阵列层，所述晶体管阵列层包括栅极金属层、半导体层和源漏极金属层；所述负载电容包括至少一个子电容，且所述子电容包括异层设置的第一极板和第二极板，所述第一极板与所述栅极金属层或所述源漏极金属层同层，且所述第二极板与所述栅极金属或源漏极金属层同层；或者，所述半导体层包括与所述扫描信号线的至少部分交叠设置的半导体线段，所述子电容为所述扫描信号线与所述半导体线段形成的电容，其中，半导体线段及其相应扫描信号线的部分相当于子电容的第一极板和第二极板。
本发明实施例提供的负载电容包括单个子电容时，且子电容的两个极板均与扫描信号线异层设置时，负载电容的一极板可以与扫描信号线通过过孔实现并联电连接；或者，负载电容的一极板与扫描信号线同层设置时，负载电容的该极板直接与扫描信号线电连接。以及，本发明实施例提供的负载电容包括多个子电容时，多个子电容的极板之间可以通过过孔或直接连接的方式实现串联或并联电连接组合形成负载电容，且负载电容通过过孔或直接连接的方式与扫描信号线实现并联电连接；或者，扫描信号线直接通过过孔或直接连接方式直接与每一子电容进行电连接来实现与负载电容并联电连接的目的，对此本发明不做具体限制。
具体参考图6所示，为本发明实施例提供的又一种种阵列基板的结构示意图，其中，阵列基板包括有：基底110和晶体管阵列层；其中，晶体管阵列层包括：位于所述基底110一侧上的半导体层120。
位于半导体层120背离基底110一侧上的栅极绝缘层130。
位于栅极绝缘层130背离基底110一侧上的栅极金属层140。
位于栅极金属层140背离基底110一侧上的层间绝缘层150。
以及，位于层间绝缘层150背离基底110一侧上的源漏金属层160。
如图6所示，本发明实施例提供的负载电容200为单个子电容，其包括有与栅极金属层140同层的第一极板211和与源漏金属层160同层的第二极板212。本发明实施例提供的扫描信号线CL与第二极板212同层设置时，扫描信号线CL可以与第二极板212直接电连接实现与负载电容200的并联电连接。
或者扫描负载电容的子电容可以由半导体线段和其相应扫描信号线的部分组成。具体参考图7所示，为本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图，图7中基底110和晶体管阵列层的结构与图6相同，其中，图7所示负载电容200可以为单个子电容。阵列基板包括有与半导体层120同层的半导体线段213，其中，半导体线段213与扫描信号线CL具有交叠区域而形成负载电容200。由于负载电容200的一极板即为扫描信号线CL的一部分，故而实现了扫描信号线CL与负载电容200并联电连接的目的。优选的，半导体线段的延伸方向与其对应扫描信号线的部分的延伸方向相同，两者在基底上的垂直投影相覆盖。
可以理解的，本发明实施例可以通过对负载电容进行子电容数量和连接方式的改变，能够达到调节改变负载电容的大小的目的，进而能够实现负载电容对扫描信号线接入信号降低驱动能力的调节，基于此原理能够对负载电容进行优化设计达到简化布线的目的。以及，本发明实施例还可以对子电容的两极板相对面积等参数进行优化，达到对负载电容的大小进行调节的目的。
在本发明一实施例中，本发明提供的阵列基板还包括有位于基底和晶体管阵列层之间的金属遮光层，且子电阻还可以与金属遮光层同层。即本发明提供的所述阵列基板还包括位于所述基底与所述晶体管阵列层之间的金属遮光层；所述负载电阻包括至少一个子电阻，且所述子电阻与所述栅极金属层、半导体层、源漏极金属层或金属遮光层同层。具体参考图8所示，为本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图，阵列基板包括有：基底110和晶体管阵列层；其中，晶体管阵列层包括：位于所述基底110一侧上的半导体层120。
位于半导体层120背离基底110一侧上的栅极绝缘层130。
位于栅极绝缘层130背离基底110一侧上的栅极金属层140。
位于栅极金属层140背离基底110一侧上的层间绝缘层150。
以及，位于层间绝缘层150背离基底110一侧上的源漏金属层160。其中基底110和晶体管阵列层之间还包括有金属遮光层170，且金属遮光层170与半导体层120之间包括有缓冲层180，金属遮光层170包括多个遮光部，遮光部至少覆盖晶体管的沟道在基底110上的垂直投影。本发明实施例提供的子电阻可以为与栅极金属层140同层的子电阻214b、与半导体层120同层的子电阻214c、与源漏极金属层160同层的子电阻214a或与金属遮光层170同层的子电阻214d。
在本发明一实施例中，本发明提供的阵列基板还包括有位于基底和晶体管阵列层之间的金属遮光层，且子电容的一极板还可以与金属遮光层同层。即本发明提供的所述阵列基板还包括位于所述基底与所述晶体管阵列层之间的金属遮光层；所述负载电容包括至少一个子电容，且所述子电容包括异层设置的第一极板和第二极板，所述第一极板与所述栅极金属层、源漏极金属层或金属遮光层同层，且所述第二极板与所述栅极金属、源漏极金属层或金属遮光层同层。具体参考图9所示，为本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图，阵列基板包括有：基底110和晶体管阵列层；其中，晶体管阵列层包括：位于所述基底110一侧上的半导体层120。
位于半导体层120背离基底110一侧上的栅极绝缘层130。
位于栅极绝缘层130背离基底110一侧上的栅极金属层140。
位于栅极金属层140背离基底110一侧上的层间绝缘层150。
以及，位于层间绝缘层150背离基底110一侧上的源漏金属层160。其中基底110和晶体管阵列层之间还包括有金属遮光层170，且金属遮光层170与半导体层120之间包括有缓冲层180，金属遮光层170包括多个遮光部，遮光部至少覆盖晶体管的沟道在基底110上的垂直投影。本发明实施例提供的子电容可以为与金属遮光层170同层的极板211a和与栅极金属层140同层的极板212a形成的电容；子电容可以为与金属遮光层170同层的极板211b和与源漏金属层160同层的极板212b形成的电容；子电容还可以为与栅极金属层140同层的极板211c和与源漏金属层160同层的极板212c形成的电容。
或者，本发明实施例提供的所述半导体层包括与所述扫描信号线的至少部分交叠设置的半导体线段，所述子电容为所述扫描信号线与所述半导体线段形成的电容(可以参考图7所示结构)。或者，本发明实施例提供的金属遮光层与扫描信号线异层设置，所述金属遮光层包括与所述扫描信号线的至少部分交叠设置的金属遮光线段，所述子电容为所述扫描信号线与所述金属遮光线段形成的电容。具体参考图10所示，为本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图，金属遮光层170与扫描信号线CL异层设置，金属遮光层170包括与扫描信号线CL的至少部分交叠设置的金属遮光线段215，负载电容200包括的子电容由金属遮光线段215与扫描信号线CL相应的部分形成。
可以理解的，本发明实施例提供的子电容可以由半导体线段或金属遮光线段形成，保证对阵列基板中半导体层和金属遮光层的膜层的充分利用，同时能够避免设置更多占用栅极金属层和源漏金属层的膜层结构的子电容，保证栅极金属层和源漏金属层的布线空间充足。
在本发明一实施例中，本发明实施例提供的栅极驱动电路可以为单边驱动电路，如图1所示的栅极驱动电路VSR布线图，栅极驱动电路VSR包括的所有移位寄存模块位于阵列基板的一侧边处，对所有栅极线进行扫描驱动。
本发明实施例提供的栅极驱动电路还可以为双边同时驱动电路，如图11所示，为本发明实施例提供又一种阵列基板的结构示意图，栅极驱动电路包括有分别位于阵列基板的每一移位寄存模块包括子移位寄存模块101和子移位寄存模块102，且子移位寄存模块101和子移位寄存模块102连接同一栅极线G，子移位寄存模块101和子移位寄存模块102同时对栅极线G进行扫描信号的传输。所有子移位寄存模块101位于阵列基板的一侧边组成第一子栅极驱动电路VSR1，且所有子移位寄存模块102位于阵列基板的相对另一侧边组成第二子栅极驱动电路VSR2。第一子栅极驱动电路VSR1和第二子栅极驱动电路VSR2电连接各自相应的控制信号线CK，及第一子栅极驱动电路VSR1电连接其相应的扫描信号线CL1，第二子栅极驱动电路VSR2电连接其相应的扫描信号线CL2，负载模块包括有子负载模块201和子负载模块202，子负载模块201电连接扫描信号线CL1，且子负载模块202电连接扫描信号线CL2。
本发明实施例提供的栅极驱动电路还可以为双边分时驱动电路，如图12所示，为发明实施例提供又一种阵列基板的结构示意图，移位寄存模块100划分为两组分别组成成第一子栅极驱动电路VSR1和第二子栅极驱动电路VSR2(如按照排列顺序采用奇偶划分方式，对此本发明不做具体限制)，且第一子栅极驱动电路VSR1和第二子栅极驱动电路VSR2分别位于阵列基板的相对的两侧边。第一子栅极驱动电路VSR1和第二子栅极驱动电路VSR2电连接各自相应的控制信号线CK，及第一子栅极驱动电路VSR1电连接其相应的扫描信号线CL1，第二子栅极驱动电路VSR2电连接其相应的扫描信号线CL2，负载模块包括有子负载模块201和子负载模块202，子负载模块201电连接扫描信号线CL1，且子负载模块202电连接扫描信号线CL2。
相应的，本发明还提供了一种显示面板，所述显示面板包括上述任意一实施例提供的阵列基板。本发明实施例提供的显示面板可以为液晶显示面板，对此本发明不做具体限制。参考图13所示，为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图，其中，液晶显示面板包括有：
相对设置的阵列基板300和彩膜基板400，阵列基板300为上述任意一实施例所提供的阵列基板；
及阵列基板300和彩膜基板400之间的液晶层500。
相应的，本发明还提供了一种显示装置，所述显示装置包括上述任意一实施例提供的显示面板。本发明实施例提供的显示装置可以为移动终端、车载显示装置等。尤其的，本发明实施例提供的显示装置的栅极线长度大于数据线长度时，亦即显示装置为宽屏显示装置时，优选采用上述任意一实施例提供的显示面板，保证该宽屏显示装置中长度较大的栅极线的信号传输衰减变化小，进一步提高该宽屏显示装置的显示效果；即本发明实施例提供的所述阵列基板包括显示区域，其中，所述显示区域在所述栅极线的延伸方向上的长度，大于在垂直所述栅极线的延伸方向上的长度。
参考图14所示，为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图，其中，显示装置为车载显示装置10，车载显示装置10为宽屏显示装置，其包括上述任意一实施例提供的显示面板。
本发明提供了一种阵列基板、显示面板及显示装置，所述阵列基板包括栅极驱动电路和多条栅极线，所述栅极驱动电路包括：多级移位寄存模块，所述移位寄存模块的输出端与所述栅极线一一对应电连接；与所述移位寄存模块电连接的至少一条控制信号线及扫描信号线，所述移位寄存模块用于响应所述控制信号线的控制信号，将所述扫描信号线的扫描信号输出至与其电连接的栅极线；以及，与所述扫描信号线电连接的负载模块，所述负载模块用于降低所述扫描信号线接入信号的驱动能力后生成所述扫描信号。
由上述内容可知，本发明提供的扫描信号线连接有负载模块，负载模块能够降低扫描信号线接入信号的驱动能力后生成扫描信号，进而使得移位寄存模块输出至栅极线的扫描信号的驱动能力较低；以此，由于扫描信号的驱动能力较低，使得扫描信号在栅极线上传输过程中的衰减变化较小，保证与栅极线相连的不同像素所接入的扫描信号的偏差较小，进而改善了显示装置由于接入信号偏差较大出现的闪烁问题，提高了显示装置的显示效果。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (10)

1.一种阵列基板，所述阵列基板包括栅极驱动电路和多条栅极线，其特征在于，所述栅极驱动电路包括：
多级移位寄存模块，所述移位寄存模块的输出端与所述栅极线一一对应电连接；
与所述移位寄存模块电连接的至少一条控制信号线及扫描信号线，所述移位寄存模块用于响应所述控制信号线的控制信号，将所述扫描信号线的扫描信号输出至与其电连接的栅极线；
以及，与所述扫描信号线电连接的负载模块，所述负载模块用于降低所述扫描信号线接入信号的驱动能力后生成所述扫描信号。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述负载模块包括负载电阻和/或负载电容。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括叠加的基底和晶体管阵列层，所述晶体管阵列层包括栅极金属层、半导体层和源漏极金属层；
所述负载电阻包括至少一个子电阻，且所述子电阻与所述栅极金属层、半导体层或源漏极金属层同层。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，与所述半导体层同层的子电阻还包括掺杂元素，所述子电阻的材料电阻率大于所述半导体层的材料电阻率。
5.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括叠加的基底和晶体管阵列层，所述晶体管阵列层包括栅极金属层、半导体层和源漏极金属层；
所述负载电容包括至少一个子电容，且所述子电容包括异层设置的第一极板和第二极板，所述第一极板与所述栅极金属层或所述源漏极金属层同层，且所述第二极板与所述栅极金属或源漏极金属层同层；
或者，所述半导体层包括与所述扫描信号线的至少部分交叠设置的半导体线段，所述子电容为所述扫描信号线与所述半导体线段形成的电容。
6.根据权利要求3-5任意一项所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括位于所述基底与所述晶体管阵列层之间的金属遮光层；
所述负载电阻包括至少一个子电阻，且所述子电阻与所述栅极金属层、半导体层、源漏极金属层或金属遮光层同层。
7.根据权利要求3-5任意一项所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括位于所述基底与所述晶体管阵列层之间的金属遮光层；
所述负载电容包括至少一个子电容，且所述子电容包括异层设置的第一极板和第二极板，所述第一极板与所述栅极金属层、源漏极金属层或金属遮光层同层，且所述第二极板与所述栅极金属、源漏极金属层或金属遮光层同层；
或者，所述半导体层包括与所述扫描信号线的至少部分交叠设置的半导体线段，所述子电容为所述扫描信号线与所述半导体线段形成的电容；
或者，所述金属遮光层包括与所述扫描信号线的至少部分交叠设置的金属遮光线段，所述子电容为所述扫描信号线与所述金属遮光线段形成的电容。
8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括显示区域，其中，所述显示区域在所述栅极线的延伸方向上的长度，大于在垂直所述栅极线的延伸方向上的长度。
9.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括权利要求1-8任意一项所述的阵列基板。
10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求9所述的显示面板。
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