CN111200049A

CN111200049A - 发光元件封装件

Info

Publication number: CN111200049A
Application number: CN202010022623.4A
Authority: CN
Inventors: 比连科.尤里; 朴起延
Original assignee: Seoul Viosys Co Ltd
Current assignee: Seoul Viosys Co Ltd
Priority date: 2018-05-02
Filing date: 2019-05-02
Publication date: 2020-05-26

Abstract

一种发光元件封装件，其包括：基板，提供有布线部；反射膜，提供在所述基板上；发光元件，安装于所述基板上，并与所述布线部连接；以及覆盖部，与所述发光元件的顶面接触，并覆盖所述发光元件，所述覆盖部包含在紫外线至可见光波长带具有85％以上透光率的有机高分子，所述覆盖部与所述发光元件的顶面接触而覆盖所述发光元件的顶面。

Description

发光元件封装件

本申请是申请日为2019年05月02日、申请号为201980003121.2、发明名称为“发光元件封装件”的分案申请。

技术区域

本发明涉及发光元件封装件，详细地涉及具备发光二极管的发光元件封装件。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode：LED)是将电流转换为光的半导体发光元件。

发光二极管可以分离为独立芯片(chip)，为了与印刷电路板、电力供应源或控制构件电连接，以封装件(package)的形式提供。

发明内容

本发明的目的在于提供一种光输出效率高的发光元件封装件。

本发明提供一种发光元件封装件，其包括：基板，提供有布线部；反射膜，提供在所述基板上；发光元件，安装于所述基板上，并与所述布线部连接；以及覆盖部，与所述发光元件的顶面接触，并覆盖所述发光元件，所述覆盖部包含在紫外线至可见光波长带具有85％以上透光率的有机高分子，所述覆盖部与所述发光元件的顶面接触而覆盖所述发光元件的顶面。

本发明的一实施例的发光元件封装件包括：基板，提供有布线部；反射膜，提供在所述基板上；发光元件，安装于所述基板上，并与所述布线部连接；以及覆盖部，与所述发光元件的顶面接触，并覆盖所述发光元件，所述覆盖部和所述反射膜包含特氟龙系有机高分子，所述反射膜的有机高分子延伸膨胀。

在本发明的一实施例中，可以是，所述覆盖部在250nm至400nm波长带具有约85％以上的透光率。

在本发明的一实施例中，可以是，所所述发光元件封装件具有侧壁部，所述侧壁部提供在所述基板上，并具有布置所述发光元件的腔室。

在本发明的一实施例中，可以是，所述发光元件封装件具有侧壁部，所述侧壁部提供在所述基板上，并具有布置所述发光元件的腔室。

在本发明的一实施例中，可以是，所述覆盖部覆盖所述侧壁部的顶面和所述发光元件的顶面。

在本发明的一实施例中，可以是，所述覆盖部与所述发光元件的顶面及侧面接触，从而覆盖所述发光元件。

在本发明的一实施例中，可以是，在所述侧壁部中，构成所述腔室的内侧面倾斜。

在本发明的一实施例中，可以是，所述反射膜至少一部分提供在所述内侧面上。

在本发明的一实施例中，可以是，所述覆盖部接触并覆盖所述发光元件的顶面及侧面、以及所述基板的一部分。

在本发明的一实施例中，可以是，所述覆盖部是将透光材料涂布在所述基板及所述发光元件上后经硬化制成。

在本发明的一实施例中，可以是，所述覆盖部是在所述基板上滴下透光材料后经硬化制成。

在本发明的一实施例中，可以是，所述覆盖部以半球状提供在所述基板上。

在本发明的一实施例中，可以是，所述反射膜在250nm至400nm波长带具有约85％以上的光反射率。

在本发明的一实施例中，可以是，所述反射膜具有通过构成微孔的空气隙的纤丝彼此接通的聚合物节点。

在本发明的一实施例中，可以是，所述反射膜的有机高分子是延伸膨胀的聚四氟乙烯。

在本发明的一实施例中，可以是，所述基板、所述反射膜及所述覆盖部中至少一个具有可挠性。

在本发明的一实施例中，可以是，所述布线部包括：上布线，提供于所述基板的顶面，并与所述发光元件连接；贯通布线，贯通所述基板，并与所述上布线连接；以及下布线，提供于所述基板的底面，并与所述贯通布线连接。

在本发明的一实施例中，可以是，所述发光元件是倒装芯片型。

在本发明的一实施例中，可以是，所述反射膜和所述覆盖部具有彼此不同的厚度。

本发明的实施例提供一种出光效率高的发光元件。

附图说明

图1是示出本发明的一实施例的发光元件封装件的剖面图。

图2是示出图1示出的本发明的一实施例的发光元件的剖面图。

图3是示出本发明的一实施例的发光元件封装件的剖面图。

图4是示出本发明的一实施例的发光元件封装件的剖面图。

图5是示出本发明的一实施例的发光元件封装件的剖面图。

图6是示出本发明的一实施例的发光元件封装件的剖面图。

具体实施方式

本发明可以施加各种变更，可以具有各种形式，将特定实施例例示于附图并在本文中详细说明。但是，其并不用于将本发明限定于特定的公开形式，应理解为包括包含在本发明的构思及技术范围内的所有变更、等同物及替代物。

以下，参照所附的附图，将更详细说明本发明的优选实施例。

图1是示出本发明的一实施例的发光元件封装件的剖面图。在图1中，为了便于说明，以省略了部分构成要件的状态示出。

参照图1，本发明的一实施例的发光元件封装件包括：基板1100，提供有布线部1500、1600；发光元件100，安装在基板1100上并与布线部1500、1600连接；覆盖部1400，与发光元件100的顶面接触，覆盖发光元件100；以及侧壁部1200，提供在基板1100上，在布置有发光元件100的区域具有腔室(cavity)。

在基板1100形成有布线部1500、1600，在其顶面可以安装发光元件100，可以采用各种形式。在本发明的一实施例中，基板1100可以由无机材料、有机材料、金属等各种材料构成。例如，基板1100可以由绝缘性有机材料构成。或者，基板1100也可以由SiC、Si、Al₂O₃、AlN、特氟龙(Teflon)之类的绝缘性有/无机材料构成，也可以由金属构成。当基板1100由金属构成时，在与布线部1500、1600之间可以还提供绝缘层。当基板1100由有机高分子之类材料构成时，基板1100可以具备可挠性。在本发明的一实施例中，基板1100可以是印刷有布线部1500、1600的印刷电路板。

布线部1500、1600是将来与发光元件100电连接，提供于基板1100。布线部1500、1600可以包括：上布线1510、1610，在基板1100的顶面提供且与后述的发光元件100连接；贯通布线1520、1620，贯通基板1100而提供且与上布线1510、1610连接；以及下布线1530、1630，在基板1100的底面提供且与贯通布线1520、1620连接。下布线1530、1630将来可以与外部的其它构成要件电连接。

发光元件100可以提供于基板1100上，是倒装芯片型发光二极管。但是，发光元件100可以以各种形式提供，也可以是横向型发光二极管。发光元件100包括：发光构造体101；分别与发光构造体连接的第一电极150及第二电极160。以下，以发光元件100是倒装芯片型发光二极管为例进行说明。

图2是示出图1中示出的本发明一实施例的发光元件100的剖面图。在图2中，为了便于说明，发光元件100以翻转的形式示出，图1中的发光元件100的顶面是图2示出的发光元件100的底面。但是，在本发明的实施例中，顶面、底面、侧面、上方方向、下方方向及侧面方向等表示方向的术语是为了便于说明而设定的，是相对的。

参照图1及图2，本发明一实施例的发光元件100可以包括在基底基板10上形成的发光构造体101。

基底基板10可以是例如蓝宝石基板，尤其图案化的蓝宝石基板。虽然基底基板10首选绝缘基板，但并不限于绝缘基板。

发光构造体101可以包括依次提供的第一半导体层110、活性层120及第二半导体层130。

第一半导体层110是掺杂有第一导电型掺杂物的半导体层。第一导电型掺杂物可以是n型掺杂物。第一导电型掺杂物可以是Si、Ge、Se、T e或C。

在本发明的一实施例中，第一半导体层110可以包含氮化物系半导体材料。例如，第一半导体层110可以由具有In_xAl_yGa_1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料构成。在本发明的一实施例中，具有所述组成式的半导体材料可以举出GaN、AlN、AlGaN、InGa N、InN、InAlGaN、AlInN等。第一半导体层110可以利用所述半导体材料以使得包含Si、Ge、Sn、Se、Te等n型掺杂物而生长的方式来形成。

第一半导体层110可以包括杂质的浓度相对高的第一子半导体层和杂质的浓度相对低的第二子半导体层。第一子半导体层可以对应于连接后述的第一电极150的接触层。第一子半导体层和第二子半导体层可以通过依次蒸镀来形成，能够通过控制蒸镀条件来形成。例如，第二子半导体层可以在比第一子半导体层相对低的温度下执行蒸镀来形成。

在本发明的一实施例中，第一半导体层110可以还具有带隙彼此不同的两种层交替堆叠而形成的结构。带隙彼此不同的两种层交替堆叠而形成的结构可以是超晶格结构。

带隙彼此不同的两种层可以交替形成并包括彼此不同的薄膜结晶层。在此情况下，在带隙彼此不同的两层交替堆叠时，周期结构可以构成为比基板单位格子长的结晶格子。具有彼此不同带隙的两层是具有宽带隙(wide band gap)的层和具有窄带隙(narrowband gap)的层。在本发明的一实施例中，具有宽带隙的层可以是Al_xGa_yIn_(1-x-y)N(0≤x＜1，0＜y≤1)，例如，可以是GaN层。具有窄带隙的层可以是Al_xGa_yIn_(1-x-y)N(0≤x＜1，0＜y≤1)，例如，可以是Ga_yIn_(1-y)N(0＜y≤1)。在本发明的一实施例中，所述宽带隙层和窄带隙层中的至少一个可以包括n型杂质。

活性层120设置于第一半导体层110上并对应于发光层。

活性层120是通过第一半导体层110注入的电子(或空穴)和通过第二半导体层130注入的空穴(或电子)彼此相遇而基于根据活性层120的形成物质的带隙能(Energy Band)的带隙(Band Gap)差异来发射光的层。活性层120可以发出紫外线、蓝色、绿色及红色中至少一种峰值波长。

活性层120可以由化合物半导体来实现。活性层120例如可以由3族-5族及2族-6族的化合物半导体中的至少一个来实现。在活性层120中可以采用量子阱结构，可以具有量子阱结构和障壁层交替堆叠的多量子阱(Multi-Quantum Well)结构。但是，活性层120的结构不限于此，也可以是量子线(Quantum Wire)结构、量子点(Quantum Dot)结构等。

在本发明的一实施例中，量子阱层可以由具有In_xAl_yGa_1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成式的材料布置。障壁层可以由具有In _xAl_yGa_1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料形成，可以以与阱层不同的组成比提供。在此，障壁层可以具有比阱层的带隙宽的带隙。

阱层和障壁层例如可以由AlGaAs/GaAs、InGaAs/GaAs、InGaN/GaN、GaN/AlGaN、AlGaN/AlGaN、InGaN/AlGaN、InGaN/InGaN、InGaP/GaP、AlInGaP/InGaP、InP/GaAs的对中至少一个构成。在本发明的一实施例中，活性层120的阱层可以由InCaN来实现，障壁层可以由AlGaN系半导体来实现。在本发明的一实施例中，阱层的铟成分可以具有比障壁层的铟成分高的组成，障壁层可以没有铟成分。而且，可以是在阱层中不包含铝且在障壁层包含铝。但是，阱层和障壁层的组成不限于此。

但是，若阱层的厚度过薄，则载体的约束效率变低，若过厚，则可能过度约束载体。当障壁层的厚度过薄时，电子的阻截效率变低，若过厚，则可能过度阻截电子。

由此，通过适当调节障壁层和阱层的厚度，根据光的波长和量子阱结构，能够将各载体有效地约束在阱层。

在本发明的一实施例中，各阱层的厚度不受特别限制，各自的厚度可以相同也可以不同。当各阱层的厚度相同时，由于量子准位相同，在各阱层中的发光波长可以变得相同。在此情况下，能够获得半高宽窄的发光光谱。当各阱层的厚度不同时，在各阱层中的发光波长会变得不同，由此能够拓宽发光光谱的宽度。

在本发明的一实施例中，多个障壁层中至少一个可以包含掺杂物，例如，可以包含n型掺杂物和p型掺杂物中的至少一个。障壁层在添加n型掺杂物的情况下，可以成为n型的半导体层。当障壁层为n型半导体层时，能够增加向活性层120注入的电子的注入效率。

在本发明的一实施例中，障壁层可以具有各种厚度，最上方的障壁层可以具有与其它障壁层相同的厚度或更大的厚度。

当活性层120具有多量子阱结构时，量子阱层和障壁层的组成可以匹配于发光元件100二极管所要求的发光波长而设定。在本发明的一实施例中，多个阱层的组成可以全部相同也可以不同。例如，也可以是在下方侧的阱层中包含杂质且在上方侧的阱层中不包含杂质。

第二半导体层130设置于活性层120上。

第二半导体层130是具有第二导电型掺杂物的半导体层，所述第二导电型掺杂物具有与第一导电型掺杂物相反的极性。第二导电型掺杂物可以是p型掺杂物，第二导电型掺杂物例如可以包括Mg、Zn、Ca、Sr、Ba等。

在本发明的一实施例中，第二半导体层130可以包含氮化物系半导体材料。第二半导体层130可以由具有In_xAl_yGa_1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料构成。在本发明的一实施例中，具有所述组成式的半导体材料可以举出GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN等。第二半导体层130可以利用所述半导体材料以使得包含Mg、Zn、Ca、Sr、Ba等p型掺杂物而生长的方式来形成。

在本发明的一实施例中，在第一半导体层110和第二半导体层130上分别提供绝缘膜170。

在绝缘膜170上提供各自与第一半导体层110及第二半导体层130连接的第一电极150和第二电极160。具体而言，第一半导体层110、活性层120及第二半导体层130的一部分可以被去除，其结果暴露第一半导体层110的顶面的一部分。在此，暴露的第一半导体层110的顶面可以是第一子半导体层的顶面。第一电极150可以在第一半导体层110中暴露的第一子半导体层上提供。第二电极160可以在第二半导体层130上提供。

在本发明的一实施例中，第一电极150可以包括：第一接触电极150C，与第一半导体层110的顶面直接接触；第一焊盘电极150P，通过贯通绝缘膜170而形成的接触孔连接。第二电极160可以包括：第二接触电极160C，与第二半导体层130的顶面直接接触；第二焊盘电极160P，通过贯通绝缘膜170而形成的接触孔连接。

但是，发光构造体101、第一电极150和第二电极160的结构并不限于此，可以以各种形式提供。例如，发光构造体101可以具有一个以上台面结构，第一电极150和第二电极160的布置也可以根据台面结构而以不同位置或不同形状提供。

在本发明的一实施例中，第一电极150及第二电极160可以由例如Al、Ti、Cr、Ni、Au、Ag、Ti、Sn、Ni、Cr、W、Cu等各种金属或它们的合金构成。第一电极150及第二电极160可以以单一层或多重层形成。

再参照图1，第一电极150和第二电极160分别与布线部1500、1600连接。布线部1500、1600可以包括：第一布线1500，与第一电极150连接；第二布线1600，与第二电极160连接。第一布线1500可以包括第一上布线1510、第一贯通布线1520及第一下布线1530，第二布线1600可以包括第二上布线1610、第二贯通布线1620及第二下布线1630。可以是，第一电极150通过导电型粘合部件1700与第一上布线1510电连接，第二电极160通过导电型粘合部件1700与第二上布线1610连接。

在本发明的一实施例中，导电型粘合部件1700可以以焊锡膏、银膏等导电型膏或导电型树脂提供，或以各向异性导电膜提供。

侧壁部1200在基板1100的顶面提供，贯通预定大小的腔室而形成。形成腔室的部分是提供发光元件100的部分，在腔室内暴露的基板1100上安装发光元件100。在此，在基板1100上，第一布线1500及第二布线1600的一部分还提供于形成腔室的区域，由此，第一布线1500及第二布线1600的一部分暴露，在暴露的第一布线1500及第二布线1600上安装并连接发光元件100。

侧壁部1200可以由有机材料、无机材料及/或金属构成。可以由与基板1100相同的材料或彼此不同的材料构成。例如，也可以是，基板1100由有机材料构成，侧壁部1200由反射率高的材料例如反射率高的有机材料、无机材料或金属构成。但是，侧壁部1200的材料并不限于此。当侧壁部1200由有机高分子之类材料构成时，侧壁部1200可以具有可挠性。

在本发明的一实施例中，形成腔室的内侧面可以以倾斜的形式提供。由于内侧面以倾斜的方式提供，所以从发光元件100射出的光可以不受干扰地向上方方向以预定的照射角射出。另外，当侧壁部1200由反射性材料构成时，从发光元件100射出的光向上方方向的射出效率能够提高。

覆盖部1400在发光元件100和侧壁部1200上提供，保护发光元件100。覆盖部1400可以覆盖侧壁部1200顶面的全部或一部分。

虽然没有图示，但在覆盖部1400和侧壁部1200之间可以提供粘合剂，覆盖部1400通过粘合剂稳定地粘合在侧壁部1200和发光元件100上。粘合剂可以采用热硬化型及/或光硬化型粘合剂等。

覆盖部1400与发光元件100的顶面直接接触，由此覆盖部1400与发光元件100之间不发生空的空间。换句话说，覆盖部1400与发光元件100之间不存在实质性空气隙。由此，最小化从发光元件100射出的光经由空气层后再入射覆盖部1400的过程中因散射或反射损失的光。

在本发明的一实施例中，从基板1100面到发光元件100顶面的距离与从基板1100面到侧壁部1200顶面的距离实质上相同。当覆盖部1400以将发光元件100的顶面和侧壁部1200的顶面全部覆盖的方式提供时，由于发光元件100的顶面和侧壁部1200顶面之间实际上没有高度差，覆盖部1400能够无弯曲地扁平覆盖发光元件100和侧壁部1200。若发光元件100的顶面和侧壁部1200顶面之间存在高度差，则发光元件100的顶面和覆盖部1400彼此不接触，或可能出现侧壁部1200的顶面和覆盖部1400彼此不接触的部分。前一种情况下，由于发光元件100的顶面和覆盖部1400之间形成空气隙，会消减光提取效率，而在后一种情况下，覆盖部1400可能无法稳定地粘贴在侧壁部1200。

在本发明的一实施例中，覆盖部1400可以由透光性有机高分子材料构成。覆盖部1400可以选择使来自发光元件100的光能够最大限度透过的材料，例如，覆盖部1400可以在紫外线至可见光区域，具有约80％的透光率。在本发明的一实施例中，覆盖部1400可以在约250nm至约400nm波长带具有约85％以上的透光率。

覆盖部1400可以还具有可挠性。尤其，覆盖部1400由有机高分子之类材料构成，从而能够容易地获得可挠性。在本发明的一实施例中，覆盖部1400可以由与反射膜1300相同系列的有机高分子、例如特氟龙系有机高分子构成。此时，覆盖部1400可以由聚四氟乙烯构成。

在本实施例的发光元件封装件中，覆盖部1400可以制造成具有预定厚度的膜状，中间隔着粘合剂粘贴在发光元件100及侧壁部1200上。

具有所述结构的发光元件封装件由于在覆盖部1400和发光元件100之间不提供空间，具有从发光元件100的光提取效率提高的效果。

另外，根据本发明一实施例，基板1100、侧臂部1200及覆盖部1400中至少一部分可以提供为具有可挠性，由此，也能够整体性发光元件封装件具有可挠性。发光元件封装件具有可挠性，从而本发明一实施例的发光元件封装件可以采用于各种可挠性装置例如可挠性显示器等。

除此之外，根据本发明一实施例，可以用板上芯片方式同时制造大量的发光元件封装件。例如，在以板上芯片方式提供多个发光元件封装件的情况下，也可以以膜形式准备面积能够同时覆盖多个发光元件封装件的覆盖部，之后一次性粘贴到多个发光元件封装件上。

用于实施发明的方式

根据本发明一实施例的发光元件封装件除上述构成之外，可以还包括能够提高光射出效率的额外的构成要件。

图3是示出本发明一实施例的发光元件封装件的剖面图。

在以下的实施例中，为了便于说明，以与所述实施例不同的点为主进行说明，未说明的部分遵循之前说明的实施例。

参照图3，本发明一实施例的发光元件封装件可以还包括在基板1100及在侧壁部1200上提供的反射膜1300。

反射膜1300提供于被侧壁部1200的腔室暴露的基板1100、暴露的第一上布线1510及第二上布线1610、侧壁部1200的内侧面中的至少一部分上。当从发光元件100射出的光不是向上侧方向而是向侧方方向或下方方向行进时，反射膜1300将其光向上方方向反射，从而提高出光效率。

在本发明的一实施例中，因光不向发光元件100的正下方行进，所以可以不提供反射膜1300，但并不限于此。例如，可以在包括发光元件100的下方在内的、暴露于腔室的基板1100的整个顶面、第一上布线1510及第二上布线1610的顶面及侧壁部1200的整个倾斜面上提供，以便最大化发光效率。但是，在此情况下，反射膜1300在发光元件100的第一及第二电极150、160和第一及第二上布线1510、1610彼此连接的部分不提供。

在本发明的一实施例中，反射膜1300可以由反射性有机高分子材料构成。反射膜1300可以选择使来自发光元件100的光能够最大限度反射的材料。例如，反射膜1300可以在紫外线至可见光区域具有约80％的光反射率。在本发明的一实施例中，反射膜1300可以在约250nm至约400nm波长带具有约85％以上的光反射率。在本发明的一实施例中，反射膜1300尤其可以在UVC区域即约100nm至280nm波长带具有约90％以上的光反射率。

为了使所述有机高分子材料具有反射性，有机高分子可以由单一膜或多重膜构成，在由单一膜或多重膜构成的膜中至少一个膜可以延伸膨胀。另外，所述有机高分子可以具有聚合物节点(polymer node)，所述聚合物节点通过构成微孔的空气隙的纤丝(fibril)彼此接通。具有这种结构反射性的有机高分子材料可以有多种多样，例如可以使用特氟龙系，例如，用于反射膜1300的有机高分子材料可以由延伸膨胀的聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene)构成。

在本发明的一实施例中，在覆盖部1400或反射膜1300可以使用相同系列的有机高分子、例如同时使用特氟龙系有机高分子。但是，覆盖部1400则要求高透光率，反射膜1300则要求高反射率，通过相应的附加措施可以控制透光率或反射率。例如，反射膜1300可以通过利用延伸膨胀的聚合物节点形成工艺等来提高反射率。或者，即使利用相同材料及/或相同工艺形成反射膜1300或覆盖部1400，也可以通过使其厚度不同来实现彼此不同的透光率或反射率。例如，将反射膜1300的厚度形成为比覆盖部1400厚，从而既可以提高在反射膜1300上的反射率，也可以保持覆盖部1400的透光率。

在本发明的一实施例中，除有机高分子材料之外，反射膜1300可以包括包含具有高反射率的材料的涂膜。或者，反射膜1300作为有机高分子材料的填充物包含具有高反射率的材料。在此情况下，具有高反射率的材料可以是二氧化钛。

在本实施例的发光元件封装件中，反射膜1300以未硬化的流体形式的高分子材料提供，在基板1100和侧壁部1200上提供后，通过硬化而形成。此时，反射膜1300可以根据需要通过各种工艺进行图案化。或者，反射膜1300也可以通过印刷法形成。但并不限于此，反射膜1300可以以具有预定厚度的膜形式制造，粘贴在基板1100的顶面及侧壁部1200上。

在本发明的一实施例中，反射膜1300由有机高分子材料构成，从而反射膜1300可以具有可挠性。根据本发明一实施例，基板1100、侧壁部1200及覆盖部1400中至少一部分也可以具有可挠性，由此，整体性发光元件封装件也可以具有可挠性。发光元件封装件具有可挠性，从而本发明一实施例的发光元件封装件可以采用于各种可挠性装置例如可挠性显示器等。

除此之外，根据本发明一实施例，反射膜1300也可以用板上芯片方式同时制造大量发光元件封装件。例如，在以板上芯片方式提供多个发光元件封装件的情况下，也可以在多个发光元件封装件上同时形成反射膜1300。

在本发明一实施例的发光元件封装件中，覆盖部1400可以在属于本发明概念的范围内以各种形式变形。

图4是示出本发明一实施例的发光元件封装件的剖面图。

参照图4，覆盖部1400在发光元件100和侧壁部1200上提供，不仅可以覆盖发光元件100的顶面，还可以覆盖发光元件100的侧面。换句话说，覆盖部1400与发光元件100的顶面及侧面直接接触，覆盖部1400与发光元件100的顶面之间及覆盖部1400与发光元件100的侧面之间没有空的空间、即空气隙。

在本发明的一实施例中，以覆盖部1400覆盖侧壁部1200的整个顶面的方式示出，但并不限于此，也可以覆盖侧壁部1200顶面的一部分。

在本实施例中，覆盖部1400覆盖侧壁部1200的顶面、对应侧壁部1200的内侧面的反射面、发光元件100的侧面及顶面，从而最小化覆盖部1400与其它构成要件之间的空气隙。通过最小化空气隙，不仅能够提高从发光元件100的顶面射出的射出效率，还能够提高从发光元件100的侧面射出的射出效率。

另外，在本实施例中，最小化被覆盖部1400封装部分的空气，从而也可以最小化发光元件100的发热引起的空气的膨胀。由此，覆盖部1400能够在提高光提取效率的同时稳定地保护发光元件100。

在本实施例的发光元件封装件中，由于覆盖部1400由有机高分子材料构成，覆盖部1400能够以各种形式形成。例如，覆盖部1400可以用未硬化的流体形式的高分子材料，在发光元件100及侧壁部1200上，以涂布或印刷等方法提供，之后再硬化的方式形成。

此时，涂布未硬化的流体形式的高分子材料后，为了最小化空气隙及水分，在约120度至约180度、例如约150度下，执行第一次烘烤。之后，为了让高分子材料具有预定的形状，在比第一次烘烤温度更高的温度下执行第二次烘烤。在第二次烘烤的情况下，可以在约250度至350度、例如约300度下执行。在本发明的一实施例中，为了防止加热过程中高分子材料的急剧凝聚引起的厚度减少及因其被施加的压力，第一次烘烤及第二次烘烤时的温度上升速度可以控制在预定速度、例如40度/分钟至60度/分钟或50度/分钟。

在本实施例中，能够在无额外粘合剂的情况下形成覆盖部1400。

如此，可以通过在形成覆盖部1400时控制覆盖部1400的厚度或形状等来控制光的强度、行进方向例如射出角度等。

在本发明的一实施例中，并非一直要提供侧壁部1200，可以根据需要省略侧壁部1200。

图5是示出本发明一实施例的发光元件封装件的剖面图。

参照图5，在基板1100上提供反射膜1300。反射膜1300可以在除发光元件100与布线部1500、1600的连接部分之外的基板1100的整面提供，如图所示，可以在基板1100的一部分上提供。发光元件100在不提供反射膜1300的部分与在基板1100上形成的布线部1500、1600连接。

在本实施例中，覆盖部1400在发光元件100及反射膜1300上提供，可以以不仅覆盖发光元件100的顶面还覆盖发光元件100的侧面的方式提供。换句话说，覆盖部1400与发光元件100的顶面及侧面直接接触。由此，覆盖部1400与发光元件100的顶面之间及覆盖部1400与发光元件100的侧面之间没有空的空间、即空气隙。

在本实施例中，图中示出覆盖部1400覆盖反射膜1300的顶面，且没有覆盖暴露的基板1100的顶面，但其只不过是一个例子。在本发明的其它实施例中，覆盖部1400可以延长至暴露的基板1100，由此能够将暴露的基板1100的顶面、反射膜1300顶面及发光元件100的侧面及顶面全部覆盖。

在本实施例中，覆盖部1400覆盖侧壁部1200的顶面、反射面、发光元件100的侧面及顶面，从而最小化覆盖部1400与其它构成要件之间的空气隙。通过最小化空气隙，不仅能够提高从发光元件100的顶面射出的射出效率，还能够提高从发光元件100的侧面射出的射出效率。

另外，在本实施例的情况下，最小化被覆盖部1400封装的部分的空气，从而也可以最小化发光元件100的发热引起的空气的膨胀。由此，覆盖部1400能够在提高光提取效率的同时稳定地保护发光元件100。

除此之外，当采用指向角大的发光元件100时，比起上方方向，向侧方方向的光行进可能更重要。此时，通过使用去除侧壁部1200的结构，避免光行进方向因侧壁部1200而受限。

在本实施例的发光元件封装件中，覆盖部1400可以用未硬化的流体形式的高分子材料，在形成发光元件100及反射膜的基板1100上，以涂布或印刷等方式提供，之后再硬化的方式形成。在本实施例中，能够在无额外粘合剂的情况下形成覆盖部1400。

在本实施例中，也可以通过在形成覆盖部1400时控制覆盖部1400的厚度或形状等来控制光的强度、行进方向等。

在本发明的一实施例中，可以以覆盖部1400与发光元件100之间不提供空气隙的形式提供覆盖部1400。

图6是示出本发明一实施例的发光元件封装件的剖面图。

参照图6，在基板1100上提供没有侧壁部的反射膜1300。覆盖部1400在发光元件100及反射膜1300上提供，且以将基板1100与发光元件100之间的空间也全部填充的形式提供。换句话说，在上述实施例中，覆盖部1400以与发光元件100的顶面和侧面直接接触的形式提供，且没在发光元件100的下方提供，但在本实施例中，其差异在于不仅在发光元件100的顶面及侧方还在发光元件100的下方也提供覆盖部1400。

为此，通过滴下未硬化的流体形式的高分子材料，不仅包裹发光元件100的上方及侧方，还填充发光元件100与基板1100的下方，之后再硬化，以此方式形成覆盖部1400。在本实施例中，能够在无额外粘合剂的情况下形成覆盖部1400。在此情况下，由于是以液滴滴下未硬化的流体形式的高分子材料的方式形成，覆盖部1400可以以大致半球状提供。

在本实施例中，覆盖部1400覆盖整个发光元件100，发光元件100与基板1100之间或发光元件100与覆盖部1400之间不提供空气隙。由此，不仅是向发光元件100的顶面而且向侧面射出的光的射出效率也提高。

另外，可以通过在形成覆盖部1400时控制覆盖部1400的厚度或形状等来控制光的强度、行进方向、例如射出角度等。尤其，覆盖部1400以半球状提供时，覆盖部1400可以具有透镜那样形状，也可以根据此形状，进行拓宽指向角、增加或减少特定方向上的光量等对光的行进方向的控制。在本实施例的情况下，由于不提供侧壁部1200，在制造覆盖部1400的形状方面自由度高，由此可以对光的行进方向进行各种变更。

以上，尽管说明了本发明的优选实施例，所属技术领域中熟练人员或所属技术领域中具有通常知识的人能够知晓在不脱离本申请的权利要求书中记载的本发明的构思及技术领域的范围内能够对本发明进行各种修改及变更。

因此，本发明的技术范围不限于记载于说明书的详细说明的内容，而应通过权利要求书来确定。

Claims

1.一种发光元件封装件，包括：

基板，提供有布线部；

反射膜，提供在所述基板上；

发光元件，安装于所述基板上，并与所述布线部连接；以及

覆盖部，与所述发光元件的顶面接触，并覆盖所述发光元件，

所述覆盖部包含在紫外线至可见光波长带具有85％以上透光率的有机高分子，所述覆盖部与所述发光元件的顶面接触而覆盖所述发光元件的顶面。

2.根据权利要求1所述的发光元件封装件，其中，

所述覆盖部使250nm至400nm波长带的光透过85％以上。

3.根据权利要求1所述的发光元件封装件，其中，

所述覆盖部覆盖所述发光元件的顶面和侧壁部的顶面，并提供为扁平。

4.根据权利要求3所述的发光元件封装件，其中，

所述覆盖部提供为具有预定厚度的膜。

5.根据权利要求1所述的发光元件封装件，其中，

所述覆盖部的有机高分子是延伸膨胀的特氟龙系有机高分子。

6.根据权利要求1所述的发光元件封装件，其中，

所述发光元件封装件具有侧壁部，所述侧壁部提供在所述基板上，并具有布置所述发光元件的腔室。

7.根据权利要求6所述的发光元件封装件，其中，

所述侧壁部的顶面的高度与从所述基板的顶面到所述发光元件的顶面的高度相同。

8.根据权利要求6所述的发光元件封装件，其中，

所述基板、所述侧壁部及所述覆盖部中至少一部分具有可挠性。

9.根据权利要求6所述的发光元件封装件，其中，

在所述侧壁部中，构成所述腔室的内侧面倾斜。

10.根据权利要求1所述的发光元件封装件，其中，

所述布线部包括：

上布线，提供于所述基板的顶面，并与所述发光元件连接；

贯通布线，贯通所述基板，并与所述上布线连接；以及

下布线，提供于所述基板的底面，并与所述贯通布线连接。