CN111192912A - 一种显示基板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

Abstract

本申请实施例公开了一种显示基板及其制备方法、显示装置，该显示基板包括：基底、设置在所述基底上的驱动结构层，设置在所述驱动结构层上的发光结构层，所述发光结构层包括第一发光结构和第二发光结构，从靠近所述驱动结构层向远离所述驱动结构层的方向上，所述第一发光结构包括层叠的第一透明阳极、第一发光层、第一阴极，所述第二发光结构包括层叠的第二反射阳极、第二发光层和第二阴极。本实施例提供的显示基板，通过在基底的同侧设置不同出光方向的发光结构，实现双面显示，且厚度与单面显示厚度差别不大，小于将两个单面显示的显示面板贴合得到的双面显示面板。

Description

一种显示基板及其制备方法、显示装置

技术领域

本申请实施例涉及显示技术，尤指一种显示基板及其制备方法、显示装置。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)具有自发光、驱动电压低、发光效率高等优点，是近年来发展迅猛的显示照光技术，且由于其具有高响应、高对比度、可柔性化等优点，被视为有广泛的应用前景。双面OLED显示器除了具备普通OLED显示器的各种特性外，还可以延伸画面空间，快速切换与处理多个显示画面，不仅节约了显示器的制作成本，更可以节省装置的空间。

目前，双面显示的显示面板是将两个单面显示的显示面板贴合在一起。此种方法得到的显示面板的厚度较大，不利于显示面板的轻薄化发展。

发明内容

本申请实施例提供了一种显示基板及其制备方法、显示装置，实现双面显示，降低双面显示面板厚度。

一方面，本申请实施例提供了一种显示基板，包括：基底、设置在所述基底上的驱动结构层，设置在所述驱动结构层上的发光结构层，所述发光结构层包括第一发光结构和第二发光结构，从靠近所述驱动结构层向远离所述驱动结构层的方向上，所述第一发光结构包括层叠的第一透明阳极、第一发光层、第一阴极，所述第二发光结构包括层叠的第二反射阳极、第二发光层和第二阴极。

在一示例性实施例中，所述第二阴极的厚度小于所述第一阴极的厚度。

在一示例性实施例中，所述第二发光结构还包括设置在所述第二反射阳极靠近驱动结构层一侧的第二透明阳极，且所述第一透明阳极和所述第二透明阳极同层设置。

在一示例性实施例中，所述第一发光层和所述第二发光层同层设置，所述第一阴极和所述第二阴极同层设置。

在一示例性实施例中，所述第一阴极的厚度为80nm到150nm，所述第二阴极的厚度为10nm到20nm。

在一示例性实施例中，所述第二反射阳极包括叠设的第一反射层、第二反射层和第三反射层，所述第一反射层和所述第三反射层使用氧化铟锡制成，所述第一反射层的厚度为60nm到80nm，所述第三反射层的厚度为60nm到80nm，所述第二反射层使用银制成，所述第二反射层的厚度为80nm到120nm。

在一示例性实施例中，所述显示基板包括多个发光单元构成的阵列，每个发光单元包括所述第一发光结构和所述第二发光结构。

又一方面，本申请实施例提供一种显示装置，包括上述显示基板。

又一方面，本申请实施例提供一种显示基板的制备方法，包括：

形成基底，在所述基底上形成驱动结构层；

在所述驱动结构层上形成发光结构层，所述发光结构层包括第一发光结构和第二发光结构，从靠近所述驱动结构层向远离所述驱动结构层的方向上，所述第一发光结构包括层叠的第一透明阳极、第一发光层、第一阴极，所述第二发光结构包括层叠的第二反射阳极、第二发光层和第二阴极。

在一示例性实施例中，所述第二阴极的厚度小于所述第一阴极的厚度。

在一示例性实施例中，所述在所述驱动结构层上形成发光结构层包括：

在所述驱动结构层上通过一次构图工艺形成所述第一透明阳极和第二透明阳极；

在所述第二透明阳极上形成所述第二反射阳极；

在所述第一透明阳极和所述第二反射阳极上通过一次构图工艺形成所述第一发光层和所述第二发光层；

在所述第一发光层和所述第二发光层上通过一次构图工艺形成所述第一阴极和所述第二阴极。

在一示例性实施例中，在所述第二透明阳极上形成所述第二反射阳极包括：

在所述第一透明阳极和所述第二透明阳极上形成像素定义层；

在所述像素定义层上涂覆光刻胶，并暴露出所述第二透明阳极；

在上述形成的结构上沉积反射阳极薄膜，剥离所述光刻胶，形成所述第二反射阳极。

与相关技术相比，本申请实施例包括一种显示基板，包括：基底、设置在所述基底上的驱动结构层，设置在所述驱动结构层上的发光结构层，所述发光结构层包括第一发光结构和第二发光结构，从靠近所述驱动结构层向远离所述驱动结构层的方向上，所述第一发光结构包括层叠的第一透明阳极、第一发光层、第一阴极，所述第二发光结构包括层叠的第二反射阳极、第二发光层和第二阴极。本实施例提供的显示基板，通过在基底的同侧设置不同出光方向的发光结构，实现双面显示，且厚度与单面显示厚度差别不大，小于将两个单面显示的显示面板贴合得到的双面显示面板。

本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

附图说明

附图用来提供对本发明技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本发明的技术方案，并不构成对本发明技术方案的限制。

图1为本申请实施例提供的显示基板示意图；

图2为本申请实施例提供的形成驱动结构后的示意图；

图3为本申请实施例提供的形成透明阳极图案后的示意图；

图4为本申请实施例提供的形成像素定义层图案后的示意图；

图5为本申请实施例提供的涂覆光刻胶后的示意图；

图6为本申请实施例提供的沉积反射阳极薄膜后的示意图；

图7为本申请实施例提供反射阳极示意图；

图8为本申请实施例提供的剥离光刻胶后的示意图；

图9为本申请实施例提供的形成发光层图案后的示意图；

图10为本申请实施例提供的形成阴极图案后的示意图；

图11为本申请实施例提供的显示基板示意图(俯视图)；

图12为本申请另一实施例提供的显示基板示意图；

图13为本申请实施例提供的显示基板的制备方法流程图。

10—基底； 11—阻挡层； 12—有源层；

13—第一绝缘层； 14—第一栅电极； 15—第二栅电极；

16—第二绝缘层； 17—电容电极； 18—第三绝缘层；

19a—源电极； 20a—漏电极； 21—第四绝缘层；

19b—源电极； 20b—漏电极； 31—第一透明阳极；

32—像素定义层； 33—第一发光层； 34—第一阴极；

35—封装层； 36—第二透明阳极； 37—第二反射阳极；

38—第二发光层； 39—第二阴极； 40—光刻胶；

41—反射阳极材料； 42—第三反射阳极； 51—第一发光结构

52—第二发光结构 371—第一反射层； 372—第二反射层；

373—第三反射层； 101—第一薄膜晶体管； 102—第二薄膜晶体管；

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本发明的实施例进行详细说明。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。

在附图的流程图示出的步骤可以在诸如一组计算机可执行指令的计算机系统中执行。并且，虽然在流程图中示出了逻辑顺序，但是在某些情况下，可以以不同于此处的顺序执行所示出或描述的步骤。

除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

本申请实施例中，通过在基底同侧设置出光方向相反的第一发光结构和第二发光结构，实现双面显示，从而减小双面显示面板的厚度。本申请实施例提供一种显示基板，包括：基底、设置在所述基底上的驱动结构层，设置在所述驱动结构层上的发光结构层，所述发光结构层包括第一发光结构和第二发光结构，从靠近所述驱动结构层向远离所述驱动结构层的方向上，所述第一发光结构包括层叠的第一透明阳极、第一发光层、第一阴极，所述第二发光结构包括层叠的第二反射阳极、第二发光层和第二阴极，且所述第二阴极的厚度小于所述第一阴极的厚度。本实施例提供的显示基板，第一发光结构的出光方向为靠近基底侧，第二发光结构的出光方向为远离基底侧，通过在基底的同侧设置不同出光方向的发光结构，实现双面显示，且厚度与单面显示厚度差别不大，小于将两个单面显示的显示面板贴合得到的双面显示面板。

图1为本申请实施例的结构示意图，示意了在垂直于显示基板的平面上的显示基板的结构。如图1所示，本申请实施例提供一种显示基板，包括设置在基底上的驱动结构层和发光结构层。驱动结构层包括多个薄膜晶体管，图1中仅示意了第一薄膜晶体管101和第二薄膜晶体管102。发光结构层包括第一发光结构和第二发光结构，以及，像素定义层32，像素定义层32用于限定像素开口区域。第一发光结构包括与第一薄膜晶体管101的漏电极连接的第一透明阳极31、设置在像素开口区域的第一发光层33、设置在第一发光层33上的第一阴极34。第二发光结构包括与第二薄膜晶体管102的漏电极连接的第二透明阳极36，设置在第二透明阳极36上的第二反射阳极37、设置在像素开口区域的第二发光层38、设置在第二发光层38上的第二阴极39。所述发光结构层还包括覆盖整个基底的封装层35。本实施例中，所述第一发光结构的出光方向为从远离基底向靠近基底方向，所述第二发光结构的的出光方向为从靠近基底向远离基底方向，从而实现了双面发光。本实施例中，第一发光结构和第二发光结构位于所述基底同侧，相比将两个单面显示的显示面板贴合得到的双面显示面板，本实施例提供的显示基板，与单面显示的显示基板的厚度差别不大，可以做到与单面显示的显示基板的厚度一致，小于将两个单面显示的显示面板贴合得到的双面显示面板的厚度。

在一示例性实施例中，所述第一发光层33和所述第二发光层38同层设置，即通过一次构图工艺形成所述第一发光层33和所述第二发光层38。

在一示例性实施例中，所述第一阴极34和所述第二阴极39同层设置，即通过一次构图工艺形成所述第一阴极34和所述第二阴极39。

在一示例性实施例中，第二阴极39的厚度小于第一阴极34的厚度。本实施例提供的方案，第二发光结构为顶发射结构，第一发光结构为底发射结构，顶发射结构由于阴极较薄，电阻较大，IR-Drop(IR压降)比较大，本实施例中，部分发光结构使用底发射结构，阴极厚度大于顶发射结构的阴极厚度，即第一阴极34的厚度大于第二阴极39，从而电阻减小，有利于改善顶发射结构的IR-Drop。

在一示例性实施例中，所述显示基板包括多个发光单元构成的阵列，每个发光单元驱动结构层和发光结构层，发光结构层包括所述第一发光结构和所述第二发光结构。其中，每个发光单元发出一种颜色的光，多个发出不同颜色的光的发光单元构成一个像素单元。

下面通过本申请实施例显示基板的制备过程进一步说明本申请实施例的技术方案。其中，本申请实施例中所说的“构图工艺”包括沉积膜层、涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等处理，本申请实施例中所说的“光刻工艺”包括涂覆膜层、掩模曝光、显影等处理，本申请实施例中所说的蒸镀、沉积、涂覆、涂布等可采用本领域已知的制备工艺。

图2至图11为本申请实施例显示基板制备过程的示意图。显示基板的制备过程可包括：

(1)在基底10上制备驱动结构。驱动结构包括多条栅线和多条数据线，多条栅线和多条数据线垂直交叉限定出多个矩阵排布的子像素，每个子像素设置有薄膜晶体管，如图2所示。基底10包括刚性衬底，玻璃，粗糙度良好的金属板，亚克力板等。驱动结构的相关制备过程可包括：

先在基底10上沉积一层阻挡薄膜，形成阻挡(Barrier)层11图案。阻挡薄膜可以采用氮化硅SiNx或氧化硅SiOx等，可以是单层，或者可以是氮化硅/氧化硅的多层结构。本实施例中，阻挡层11用于提高基底10的抗水氧能力。

随后沉积一层有源层薄膜，通过构图工艺对有源层薄膜进行构图，形成设置在阻挡层11上的有源层12图案。随后依次沉积第一绝缘薄膜和第一金属薄膜，通过构图工艺对第一金属薄膜进行构图，形成覆盖有源层12的第一绝缘层13、设置在第一绝缘层13上的第一栅电极14、第二栅电极15和栅线(未示出)图案。

随后依次沉积第二绝缘薄膜和第二金属薄膜，通过构图工艺对第二金属薄膜进行构图，形成覆盖第一栅电极14、第二栅电极15和栅线的第二绝缘层16、以及设置在第二绝缘层16上的电容电极17图案，电容电极17的位置与第二栅电极15的位置相对应，电容电极17与第二栅电极15构成电容。

随后沉积第三绝缘薄膜，通过构图工艺对第三绝缘薄膜进行构图，形成开设有两个第一过孔的第三绝缘层18图案，两个第一过孔中的第三绝缘薄膜、第二绝缘薄膜和第一绝缘薄膜被刻蚀掉，暴露出有源层12。其中，第一绝缘层和第二绝缘层也称之为栅绝缘层(GI)，第三绝缘层也称之为层间绝缘层(ILD)。

随后沉积第三金属薄膜，通过构图工艺对第三金属薄膜进行构图，形成源电极19a、漏电极20a和数据线(未示出)图案，源电极19a和漏电极20a分别通过两个第一过孔与有源层12连接；至此，在基底10上制备完成驱动结构如图2所示。

上述制备过程中仅说明了第一薄膜晶体管101的制备过程，其他薄膜晶体管的制备类似，不再赘述，该过程中也完成了第二薄膜晶体管102的制备。

(3)在形成前述图案的基底上涂覆第四绝缘薄膜，通过掩膜曝光显影的光刻工艺形成覆盖第四绝缘层21图案，第四绝缘层21开设有两个第二过孔，分别暴露出第一薄膜晶体管101的漏电极20a和第二薄膜晶体管102的漏电极20b。其中，第四绝缘层也称为平坦化层(PLN)。

(4)在形成前述图案的基底上沉积透明导电薄膜，通过构图工艺对透明导电薄膜进行构图，形成第一发光结构的第一透明阳极31图案和第二发光结构的第二透明阳极36图案，第一透明阳极31通过第二过孔与第一薄膜晶体管101的漏电极20a连接，第二透明阳极36通过第二过孔与第二薄膜晶体管102的漏电极20b连接，如图3所示。在一示例性实施例中，所述透明导电薄膜可以采用高穿透率、高功函数的材料，氧化铟锡ITO或氧化铟锌IZO，铝掺杂氧化锌或者铟锌锡氧化物。

(5)在形成前述图案的基底上涂覆像素定义薄膜，通过光刻工艺形成像素定义层(Pixel Define Layer)32图案。像素定义层32在每个子像素限定出像素开口区域，暴露出第一透明阳极31和第二透明阳极36。如图4所示。其中，像素定义层可以采用聚酰亚胺、亚克力或聚对苯二甲酸乙二醇酯等。

需要说明的是，第一发光结构为底发射结构，在垂直于基底的平面上，其像素开口区域的正投影位于驱动结构层的第一薄膜晶体管101的正投影之外，防止阻挡光线，第二发光结构为顶发射结构，其像素开口区域的正投影可以位于第二薄膜晶体管102的正投影之内，当然，可以在第二薄膜晶体管102的正投影之外。

(6)在形成前述图案的基底上涂覆光刻胶40，暴露出第二透明阳极36，如图5所示。光刻胶覆盖了第一透明阳极31和像素定义层32，从而在后续剥离光刻胶时，将第一透明阳极31和像素定义层32上沉积的材料同时剥离掉。

(7)在形成前述图案的基底上沉积反射阳极薄膜41，如图6所示。

反射阳极薄膜41采用具有高反射率的材料，在一示例性实施例中，所述反射阳极薄膜包括以下至少之一：银、高功函数的氧化铟锡。但本申请实施例不限于此，也可以使用其他材料作为反射阳极薄膜。

在一示例性实施例中，沉积反射阳极薄膜41包括：沉积第一反射层薄膜，形成第一反射层371，在第一反射层薄膜上沉积第二反射层薄膜，形成第二反射层372，在第二反射层薄膜上沉积第三反射层薄膜，形成第三反射层373，如图7所示。在一示例性实施例中，所述第一反射层薄膜为高功函数的氧化铟锡，厚度为60nm到80nm，所述第二反射层薄膜为银，厚度为80nm到120nm，第三反射层薄膜为高功函数的氧化铟锡，厚度为60nm到80nm。上述结构和厚度仅为示例，可以根据需要变更。

(8)将形成的前述结构在剥离液中浸泡，剥离光刻胶及其上方的反射阳极，形成第二反射阳极37。如图8所示。本实施例提供的形成第二反射阳极37使用photo pattern(光刻胶图案)进行图案化，不需要使用金属掩膜板(FMM)，传统刻蚀工艺中金属掩膜板造价高，易产生热膨胀，易损耗等缺点，本申请实施例能降低成本，简化工艺。

(9)在形成前述图案的基底上蒸镀有机发光材料，形成第一发光层33和第二发光层38图案。第一发光层33与第一像素定义层32限定出的像素开口区域内的第一透明阳极31连接，第二发光层38与第二反射阳极37连接。如图9所示。

其中，第一发光层33和第二发光层38包括发光层(EML)。在一种实现方式中，第一发光层33和第二发光层38可以包括依次设置的空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、电子阻挡层EBL、发光层EML、空穴阻挡层HBL、电子传输层ETL和电子注入层EIL至少之一，提高电子和空穴注入发光层的效率。

(10)在形成前述图案的基底上蒸镀阴极材料，涂覆光刻胶，暴露第二发光结构对应的像素开口区域(以便减薄该区域的阴极，使得该区域的阴极可以透光)，进行刻蚀，形成第一阴极34图案和第二阴极39图案，从而使得第二阴极39的厚度小于第一阴极34。如图10所示。本实施例中，第一阴极34相比第二阴极39，第一阴极34的厚度更大，电阻更小，可以减轻第二发光结构的IR drop。本实施例中，第一阴极34为反射阴极，第二阴极39为透明阴极。

在一示例性实施例中，所述阴极材料可以采用镁Mg、银Ag、铝Al、铜Cu、锂Li等金属材料的一种，或由上述金属中的一种或多种制造的合金。

在一示例性实施例中，所述第一阴极34的厚度为80nm到150nm，所述第二阴极39的厚度为10nm～20nm。此处仅为示例，可以根据需要采用使用其他厚度。

(11)在形成前述图案的基底上涂覆封装薄膜，形成封装层35图案，从而形成本申请实施例显示基板，如图1所示。在一种实现方式中，封装薄膜可以采用无机材料/有机材料/无机材料的叠层结构。

在另一实施例中，基底10也可以使用柔性基底，此时需要在玻璃载板上制备柔性基底以及后续功能层(驱动结构层和发光结构层)，然后进行封装，封装后再剥离剥离载板，从而实现双面显示。其余制备过程与前述刚性基底类似，不再赘述。

图11为本申请实施例所制备的显示基板的示意图。如图11所示，显示基板的平面结构包括阵列分布的多个发光单元。每个发光单元包括驱动结构层和发光结构层，发光结构层包括第一发光结构51和第二发光结构52。3个出射不同颜色光(如红绿蓝)的发光单元或4个出射不同颜色光(如红绿蓝白)的发光单元组成一个像素单元。图11所示结构仅为示例，可以根据需要按其他方式布置。

通过上述制备流程可以看出，本申请实施例所提供的显示基板，通过在基底同侧设置不同出光方向的发光结构，改变不同发光区域的阳极和阴极的反射程度，在整体厚度不变的前提下，达到双面发光的效果，且减小了双面显示基板的厚度。另外，相比两个单面显示基板贴合实现双面显示，本申请实施例提供的方案简化了双面显示基板的制作工艺。另外，由于底发射结构的阴极厚度较大，可以减轻顶发射结构的IR Drop。

本申请实施例方案的反射阳极制作时，采用Photo Patttern的技术，可降低生产成本，简化生产工艺，解决传统刻蚀工艺中金属掩膜板(FMM)造价高，易产生热膨胀等缺点。由于本申请实施例的制备工艺中可以利用已有的制备设备，可以对已有工艺进行较小的改进，能够很好地与已有制备工艺兼容，因此工艺实现简单，易于实施，生产效率高，具有易于工艺实现、生产成本低和良品率高等优点，而且可以有效保证封装的有效性和可靠性，具有良好的应用前景。

本实施例所示结构及其制备过程仅仅是一种示例性说明。实际实施时，可以根据实际需要变更相应结构以及增加或减少构图工艺。例如，薄膜晶体管可以是顶栅结构，或者可以是底栅结构，可以是双栅结构，或者可以是单栅结构。再如，薄膜晶体管可以是非晶硅(a-Si)薄膜晶体管、低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管或氧化物(Oxide)薄膜晶体管。再如，驱动结构层和发光结构层中还可以设置其它电极、引线和结构膜层，本申请实施例在此不做具体的限定。

本申请实施例提供一显示基板，如图12所示，包括：设置在基底上的驱动结构层和发光结构层。驱动结构层包括多个薄膜晶体管，图12中仅示意了薄膜晶体管101和薄膜晶体管102。发光结构层包括第一发光结构和第三发光结构，以及，像素定义层32，像素定义层32用于限定像素开口区域。第一发光结构包括与第一薄膜晶体管101的漏电极连接的第一透明阳极31、设置在像素开口区域的第一发光层33、设置在第一发光层33上的第一阴极34。第三发光结构包括与第二薄膜晶体管102的漏电极连接的第三反射阳极42、设置在像素开口区域的第二发光层38、设置在第二发光层38上的第二阴极39。所述发光结构层还包括覆盖整个基底的封装层35。所述第一发光结构的出光方向为从远离基底向靠近基底方向，所述第二发光结构的的出光方向为从靠近基底向远离基底方向，从而实现了双面发光。本实施例与前述实施例相比，在顶发射结构中，未设置透明阳极。本实施例中，第一发光结构和第三发光结构位于所述基底同侧，相比将两个单面显示的显示面板贴合得到的双面显示面板，本实施例提供的显示基板，与单面显示的显示基板的厚度差别不大，可以做到与单面显示的显示基板的厚度一致，大大小于将两个单面显示的显示面板贴合得到的双面显示面板的厚度。

在前述显示基板的技术构思基础上，本申请实施例还提供了一种显示基板的制备方法。如图13所示，本申请实施例显示基板的制备方法包括：

步骤1301，在基底上形成驱动结构层；

步骤1302，在所述驱动结构层上形成发光结构层，所述发光结构层包括第一发光结构和第二发光结构，从靠近所述驱动结构层向远离所述驱动结构层的方向上，所述第一发光结构包括层叠的第一透明阳极、第一发光层、第一阴极，所述第二发光结构包括层叠的第二反射阳极、第二发光层和第二阴极。

在一示例性实施例中，所述第二阴极的厚度小于所述第一阴极的厚度。

在一示例性实施例中，所述在所述驱动结构层上形成发光结构层包括：

在所述驱动结构层上通过一次构图工艺形成所述第一透明阳极和第二透明阳极；

在所述第二透明阳极上形成所述第二反射阳极；

在所述第一透明阳极和所述第二反射阳极上通过一次构图工艺形成所述第一发光层和所述第二发光层；

在所述第一发光层和所述第二发光层上通过一次构图工艺形成所述第一阴极和所述第二阴极。

在一示例性实施例中，在所述第二透明阳极上形成所述第二反射阳极包括：

在所述第一透明阳极和所述第二透明阳极上形成像素定义层；

在所述像素定义层上涂覆光刻胶，并暴露出所述第二透明阳极；

在上述结构上沉积反射阳极薄膜，剥离所述光刻胶，形成所述第二反射阳极。

在一示例性实施例中，所述在上述结构上沉积反射阳极薄膜包括：

在上述结构上沉积60nm到80nm的氧化铟锡薄膜；

在所述氧化铟锡薄膜上沉积80nm到120nm的银薄膜；

在上述银薄膜上沉积60nm到80nm的氧化铟锡薄膜。

在一示例性实施例中，所述第一阴极的厚度为80nm到150nm，所述第二阴极的厚度为10nm到20nm。

本实施例中，各种膜层的结构、材料、相关参数及其详细制备过程已在前述实施例中详细说明，这里不再赘述。

本实施例提供的显示基板的制备方法，对单面显示的显示基板的制备过程稍作改动，即可实现得到双面显示基板，相比贴合两个单面显示基板实现双面显示，简化了工艺。另外，本实施例制作得到的双面显示基板由于发光结构设置在基底同侧，厚度也大大小于贴合得到的双面显示基板的厚度。另外，底发射结构的阴极厚度大于顶发射结构的阴极厚度，有利于减小IR Drop。

本申请实施例还提供了一种显示装置，包括前述实施例的显示基板。显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

有以下几点需要说明：

(1)本发明实施例附图只涉及到与本发明实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。

(2)为了清晰起见，在用于描述本发明的实施例的附图中，层或区域的厚度被放大或缩小，即这些附图并非按照实际的比例绘制。可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。

(3)在不冲突的情况下，本发明的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。

虽然本发明所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本发明而采用的实施方式，并非用以限定本发明。任何本发明所属领域内的技术人员，在不脱离本发明所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本发明的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (12)

1.一种显示基板，包括：基底、设置在所述基底上的驱动结构层，设置在所述驱动结构层上的发光结构层，所述发光结构层包括第一发光结构和第二发光结构，从靠近所述驱动结构层向远离所述驱动结构层的方向上，所述第一发光结构包括层叠的第一透明阳极、第一发光层、第一阴极，所述第二发光结构包括层叠的第二反射阳极、第二发光层和第二阴极。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第二阴极的厚度小于所述第一阴极的厚度。

3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第二发光结构还包括设置在所述第二反射阳极靠近所述驱动结构层一侧的第二透明阳极，且所述第一透明阳极和所述第二透明阳极同层设置。

4.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一发光层和所述第二发光层同层设置，所述第一阴极和所述第二阴极同层设置。

5.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一阴极的厚度为80nm到150nm，所述第二阴极的厚度为10nm到20nm。

6.根据权利要求1至5任一所述的显示基板，其特征在于，所述第二反射阳极包括叠设的第一反射层、第二反射层和第三反射层，所述第一反射层和所述第三反射层使用氧化铟锡制成，所述第一反射层的厚度为60nm到80nm，所述第三反射层的厚度为60nm到80nm，所述第二反射层使用银制成，所述第二反射层的厚度为80nm到120nm。

7.根据权利要求1至5任一所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板包括多个发光单元构成的阵列，每个发光单元包括所述第一发光结构和所述第二发光结构。

8.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1～7任一所述的显示基板。

9.一种显示基板的制备方法，其特征在于，包括：

在基底上形成驱动结构层；

在所述驱动结构层上形成发光结构层，所述发光结构层包括第一发光结构和第二发光结构，从靠近所述驱动结构层向远离所述驱动结构层的方向上，所述第一发光结构包括层叠的第一透明阳极、第一发光层、第一阴极，所述第二发光结构包括层叠的第二反射阳极、第二发光层和第二阴极。

10.根据权利要求9所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述第二阴极的厚度小于所述第一阴极的厚度。

11.根据权利要求9所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述在所述驱动结构层上形成发光结构层包括：

在所述驱动结构层上通过一次构图工艺形成所述第一透明阳极和第二透明阳极；

在所述第二透明阳极上形成所述第二反射阳极；

在所述第一透明阳极和所述第二反射阳极上通过一次构图工艺形成所述第一发光层和所述第二发光层；

在所述第一发光层和所述第二发光层上通过一次构图工艺形成所述第一阴极和所述第二阴极。

12.根据权利要求11所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述在所述第二透明阳极上形成所述第二反射阳极包括：

在所述第一透明阳极和所述第二透明阳极上形成像素定义层；

在所述像素定义层上涂覆光刻胶，并暴露出所述第二透明阳极；

在上述形成的结构上沉积反射阳极薄膜，剥离所述光刻胶，形成所述第二反射阳极。

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