CN111185433A - 可开盒即用的蓝宝石晶片清洗工艺 - Google Patents
可开盒即用的蓝宝石晶片清洗工艺 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111185433A CN111185433A CN202010039173.XA CN202010039173A CN111185433A CN 111185433 A CN111185433 A CN 111185433A CN 202010039173 A CN202010039173 A CN 202010039173A CN 111185433 A CN111185433 A CN 111185433A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- cleaning
- wafer
- sapphire wafer
- agent
- time
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 117
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 100
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 title claims abstract description 100
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 49
- 230000008569 process Effects 0.000 title claims abstract description 42
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 claims abstract description 71
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 49
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 claims abstract description 28
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000003995 emulsifying agent Substances 0.000 claims abstract description 25
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims abstract description 23
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims abstract description 11
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 239000013543 active substance Substances 0.000 claims description 14
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 claims description 14
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 claims description 14
- -1 polyoxyethylene Polymers 0.000 claims description 12
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 claims description 11
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 claims description 11
- 239000004480 active ingredient Substances 0.000 claims description 9
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 9
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229920000056 polyoxyethylene ether Polymers 0.000 claims description 8
- 229940051841 polyoxyethylene ether Drugs 0.000 claims description 8
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 7
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 claims description 7
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 claims description 6
- JTXMVXSTHSMVQF-UHFFFAOYSA-N 2-acetyloxyethyl acetate Chemical compound CC(=O)OCCOC(C)=O JTXMVXSTHSMVQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 5
- 238000007664 blowing Methods 0.000 claims description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 5
- KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-N Carbamic acid Chemical compound NC(O)=O KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- MZRVEZGGRBJDDB-UHFFFAOYSA-N N-Butyllithium Chemical compound [Li]CCCC MZRVEZGGRBJDDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- CYTYCFOTNPOANT-UHFFFAOYSA-N Perchloroethylene Chemical group ClC(Cl)=C(Cl)Cl CYTYCFOTNPOANT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- WQDUMFSSJAZKTM-UHFFFAOYSA-N Sodium methoxide Chemical compound [Na+].[O-]C WQDUMFSSJAZKTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000003973 alkyl amines Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 4
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 claims description 4
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 claims description 4
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 claims description 4
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 4
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L Sodium Sulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=O PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- 229910052938 sodium sulfate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 235000011152 sodium sulphate Nutrition 0.000 claims description 3
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 claims description 2
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 claims description 2
- 229920000388 Polyphosphate Polymers 0.000 claims description 2
- BCKXLBQYZLBQEK-KVVVOXFISA-M Sodium oleate Chemical compound [Na+].CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC([O-])=O BCKXLBQYZLBQEK-KVVVOXFISA-M 0.000 claims description 2
- 150000004996 alkyl benzenes Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000005215 alkyl ethers Chemical class 0.000 claims description 2
- 125000005037 alkyl phenyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 229940077388 benzenesulfonate Drugs 0.000 claims description 2
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N carbonic acid Chemical compound OC(O)=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229960001484 edetic acid Drugs 0.000 claims description 2
- 125000006038 hexenyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 150000007530 organic bases Chemical class 0.000 claims description 2
- MPNNOLHYOHFJKL-UHFFFAOYSA-N peroxyphosphoric acid Chemical compound OOP(O)(O)=O MPNNOLHYOHFJKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 claims description 2
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 claims description 2
- 239000001205 polyphosphate Substances 0.000 claims description 2
- 235000011176 polyphosphates Nutrition 0.000 claims description 2
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 claims description 2
- 229940037312 stearamide Drugs 0.000 claims description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 6
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 abstract description 5
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 abstract description 5
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 abstract description 5
- 238000005201 scrubbing Methods 0.000 abstract description 4
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 131
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 15
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 12
- 239000000047 product Substances 0.000 description 9
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 4
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 2
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 1
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000004945 emulsification Methods 0.000 description 1
- 150000002191 fatty alcohols Chemical group 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 description 1
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000012797 qualification Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
- 230000007306 turnover Effects 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B1/00—Cleaning by methods involving the use of tools
- B08B1/10—Cleaning by methods involving the use of tools characterised by the type of cleaning tool
- B08B1/12—Brushes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
- B08B3/12—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration by sonic or ultrasonic vibrations
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
- B08B7/04—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by a combination of operations
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F26—DRYING
- F26B—DRYING SOLID MATERIALS OR OBJECTS BY REMOVING LIQUID THEREFROM
- F26B11/00—Machines or apparatus for drying solid materials or objects with movement which is non-progressive
- F26B11/02—Machines or apparatus for drying solid materials or objects with movement which is non-progressive in moving drums or other mainly-closed receptacles
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F26—DRYING
- F26B—DRYING SOLID MATERIALS OR OBJECTS BY REMOVING LIQUID THEREFROM
- F26B3/00—Drying solid materials or objects by processes involving the application of heat
- F26B3/28—Drying solid materials or objects by processes involving the application of heat by radiation, e.g. from the sun
- F26B3/30—Drying solid materials or objects by processes involving the application of heat by radiation, e.g. from the sun from infrared-emitting elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02052—Wet cleaning only
-
- H01L33/007—
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Microbiology (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
本发明公开了一种可开盒即用的蓝宝石晶片清洗工艺，包括先用清洗剂、超纯水对蓝宝石晶片多次超声震洗以去除晶片表面的脏污和细小颗粒；其次刷洗晶片以去除晶片表面的大颗粒；然后对晶片喷淋乳化剂以控制晶片表面的吸附状态；再使用有机溶剂喷淋晶片以避免污染物的二次吸附；最后用旋干机烘干晶片后静置并烤干。本发明可使蓝宝石晶片清洗完后进行PSS生产时，在直接使用晶片的情况下得到较高的成品良率。
Description
技术领域
本发明涉及蓝宝石加工制作技术领域，具体而言涉及一种可开盒即用的蓝宝石晶片清洗工艺。
背景技术
目前，市面上已普遍选用蓝宝石作为制作GaN基LED芯片的衬底材料，然而由于氮化物和蓝宝石大的晶格失配合热膨胀系数的差别，使得在衬底上生长的氮化物材料位错和缺陷密度较大，影响了器件的发光效率和寿命，图形化衬底(PSS)技术可以有效地减少外延材料的位错和缺陷，在氮化物器件制备中得到广泛的应用。
在PSS生产中，如果蓝宝石晶片表面有沾污或有金属离子，则在光刻工序中，杂质会使涂胶不均匀，沾润不良，从而导致图像不清晰，高度和尺寸改变，大大降低成品良率，因此在晶片投入PSS图形化衬底生产前，需要加一道预清洗作业，蓝宝石晶片的清洗质量就显得尤为重要。
发明人通过调查研究发现，使用传统的清洗工艺清洗出来的蓝宝石晶片，在进行PSS生产时，直接使用时成品良率最高只有70％，为了提高良率，有可能需要再次清洗。因此，急需一种清洗工艺，可以使蓝宝石晶片清洗完后进行PSS生产时，能够直接使用，并能够得到较高的成品良率。
发明内容
本发明目的在于针对现有技术的不足，提供一种可开盒即用的蓝宝石晶片清洗工艺，该工艺可使蓝宝石晶片清洗完后进行PSS生产时，在直接使用晶片的情况下得到较高的成品良率。
为实现上述目的，本发明所采用的技术方案如下：
一种可开盒即用的蓝宝石晶片清洗工艺，包括以下步骤：
步骤一：将已单面抛光的蓝宝石晶片装入制程晶周盒，将装有晶片的制程晶周于纯水槽中；
步骤二：将步骤一处理完的蓝宝石晶片放入第一碱性清洗剂中进行清洗，所述第一碱性清洗剂的活性成份包括有机碱和复合活性剂；
步骤三：将步骤二处理完的蓝宝石晶片放入第一超纯水中进行超声漂洗；
步骤四：将步骤三处理完的蓝宝石晶片放入第二清洗剂溶液中进行清洗，所述第二清洗剂的活性成份包括分散剂、渗透剂和螯合剂；
步骤五：将步骤四处理完的蓝宝石晶片放入第二超纯水中进行超声漂洗；
步骤六：将步骤五处理完的蓝宝石晶片放入第三清洗剂溶液中进行清洗，所述第三清洗剂的活性成份为活性剂、螯合剂和环保型有机溶剂；
步骤七：将步骤六处理完的蓝宝石晶片放入第三超纯水中进行超声漂洗；
步骤八：对步骤七处理完的蓝宝石晶片表面进行刷洗；
步骤九：对步骤八处理完的蓝宝石晶片表面使用乳化剂喷淋，所述乳化剂的活性成份包括阴离子表面活性剂和非离子表面活性剂；
步骤十：对步骤九处理完的蓝宝石晶片表面使用有机溶剂再次喷淋；
步骤十一：对步骤十处理完的蓝宝石晶片使用旋干机干燥，旋干完成后，将晶片在旋干仓内静置一段时间，再使用烤灯烤干烘晶片表面；
步骤十二：将步骤十一处理完的蓝宝石晶片放入成品晶周中，密封保存。
进一步地，所述步骤二中的第一碱性清洗剂的溶质浓度为10-20wt％，温度为55-75℃，晶片每上下抛动十次后旋转90°再继续抛动，每次清洗时间为15-25min，共进行四次；
所述有机碱在碱性清洗剂中所占体积分数为10-15％，所述复合活性剂在碱性清洗剂中所占体积分数为3-5％；
所述有机碱为烷基胺、甲醇钠、丁基锂中的至少一种，所述复合活性剂为聚氧乙基烷基苯基醚、聚氧乙基烷基醚、聚氧乙基脂肪酸醚酯中的至少一种。
进一步地，所述步骤三中的第一超纯水超声漂洗的漂洗时间为15-25min，超声强度为35-45KHz，纯水温度为20-30℃。
进一步地，所述步骤四中的第二清洗剂的溶质浓度为10-20wt％，温度为55-75℃，晶片每上下抛动十次后旋转90°再继续抛动，每次清洗时间为15-25min，共进行四次；
所述分散剂在第二清洗剂中所占体积分数为6-13％，所述渗透剂在第二清洗剂中所占体积分数为10-25％，所述螯合剂在第二清洗剂中所占体积分数为8-10％；
所述分散剂为甘油、聚氧丙烯和己烯基双硬脂酰胺中的至少一种，所述渗透剂为脂肪醇聚氧乙烯醚，所述螯合剂为羟基羧酸、乙二胺四乙酸和氨基羧酸中的至少一种。
进一步地，所述步骤五中的第二超纯水超声漂洗的漂洗时间为15-25min，超声强度为25-35KHz，纯水温度为20-30℃。
进一步地，所述步骤六中的第三清洗剂溶质浓度为10-20wt％，温度为55-75℃，晶片每上下抛动十次后旋转90°再继续抛动，每次清洗时间为15-25min，共进行四次；
所述活性剂在第三清洗剂中所占体积分数为3-5％，所述螯合剂在第三清洗剂中所占体积分数为8-10％，所述环保型有机溶剂在第三清洗剂中所占体积分数为10-15％；
所述活性剂为油酸钠、烷基胺和磺酸盐中的至少一种，所述螯合剂为羟基磷酸、多磷酸盐和氨基羧酸中的至少一种，所述环保型有机溶剂为苯乙烯、全氯乙烯和乙二醇二醋酸酯中的至少一种。
进一步地，所述步骤七中的第三超纯水超声漂洗的漂洗时间为15-25min，超声强度为15-25KHz，纯水温度为20-30℃。
进一步地，所述步骤八中的刷洗，刷洗时间为30-60s，使用的纯水温度为35-40℃。
进一步地，所述步骤九的喷淋时间为10-30s，溶液温度为40-45℃；
所述阴离子表面活性剂在乳化剂中所占体积分数为1-3‰，所述非离子表面活性在乳化剂中所占体积分数为1-3‰；
所述阴离子表面活性剂为脂肪酸盐、脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸钠、直链烷基苯磺酸钠和磺酸盐中的至少一种，非离子表面活性剂为聚氧乙烯醚、聚醚类和聚乙二醇型表面活性剂中的至少一种。
进一步地，所述步骤十中的喷淋时间为10-30s，溶液温度为50-60℃；
所述有机溶剂为苯乙烯、全氯乙烯和乙二醇二醋酸酯中的至少一种。
进一步地，所述步骤十一中的旋干具体步骤包括冲洗、清洁、烘干、吹净和旋干仓静置；
所述冲洗的时间为50-70s，转速为500-700r/min,温度20-30℃；
所述清洁的时间20-40s，转速1200-1600r/min，温度为20-30℃；
所述烘干的时间160-200s，转速为1200-1600r/min，温度为40-60℃；
所述吹净的时间为120-160s，转速为500-800r/min，温度为20-30℃；
所述旋干仓静置的时间为30-40s；
烤灯的功率为250-300W，烘烤区域温度为23-25℃，烤干时间为5-10min。
本发明的第一碱性清洗剂中的有机碱可以有效去除晶片表面的颗粒和脏污，复合活性剂可以降低表面的张力，提升渗透力，有效去除表面微颗粒，对有机物进行乳化分解。
第二清洗剂中的分散剂可以将污染物从晶片表面脱离，同时进行分离隔断，防止二次污染；渗透剂可以渗透表面去除顽固性污染物；螯合剂可以去除晶片表面的金属离子，将其形成溶于水的整合物。
第三清洗剂中活性剂和螯合剂的有效成分可以巩固前面的清洗效果，在晶片表面形成保护膜防止二次污染；有机溶剂可以溶解有机物和反应产物，有利于后续晶片的脱水干燥。
乳化剂中的阴离子表面活性剂和非离子表面活性剂混合后可以有效避免刷片后表面被污染物的二次吸附。
与现有技术相比，本发明的有益效果在于：
1、本发明通过在旋干前对晶片进行预处理，即使用乳化剂和有机溶剂对晶片进行喷淋，如此在旋干时，通过冲洗、清洁、烘干、吹净和旋干仓静置这四个步骤，并且通过各步骤特定的温度、时间及转速的组合协同作用下，将晶片表面的乳化剂和有机溶剂在其表面平铺成一层大分子，从而形成保护膜，一方面保证了晶片表面的疏水性，另一方面，防止之后晶片表面与空气高速摩擦而产生静电，从而使晶片表面不容易吸附颗粒，杜绝了晶片表面的二次污染。
2、本发明通过将晶片置于旋干仓内静置一段时间，再使用烤灯烤干，保证了晶片表面的绝对干燥，防止残留水汽和颗粒的二次吸附，避免因此对后段工艺造成的不良损失；同时，烤灯的使用，可瞬间获得大范围的烘烤效果，防止了扬尘的产生，避免了扬尘带来的二次污染。
3、本发明通过在旋干前对晶片进行预处理，并通过旋干在晶片表面形成保护膜，可使蓝宝石晶片开盒即用的成品良率达到90％以上，同时减少了后段工艺的预清洗动作，降低了整体成本，提高了工业化生产能力。
4、本发明的清洗工艺可总结为碱洗、刷洗、喷淋和旋干四大步骤，与传统工艺相比，减少了机台的种类，使得工艺周转更精简。
具体实施方式
为了更了解本发明的技术内容，特举具体实施例说明如下。
本公开的实施例不必定意在包括本发明的所有方面。应当理解，上面介绍的多种构思和实施例，以及下面更加详细地描述的那些构思和实施方式可以以很多方式中任意一种来实施。
本实施例中的第一碱性清洗剂优选为山之风win-27，第二清洗剂优选为山之风SZF-20，第三清洗剂优选为山之风win-188，乳化剂中阴离子表面活性剂优选为脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸钠，非离子表面活性剂优选为聚氧乙烯醚，有机溶剂优选为乙二醇二醋酸酯。
实施例1：
步骤一：将已单面抛光的蓝宝石晶片装入制程晶周盒，将装有晶片的制程晶周于纯水槽中；
步骤二：将步骤一处理完的蓝宝石晶片放入第一碱性清洗剂中进行清洗，清洗剂浓度为10wt％，槽内温度为55℃，晶片每上下抛动十次后旋转90°再继续抛动，每次清洗时间为25min，共进行四次；
步骤三：将步骤二处理完的蓝宝石晶片放入第一超纯水中进行超声漂洗，槽内温度为20℃，超声强度为40KHz，清洗时间为15min；
步骤四：将步骤三处理完的蓝宝石晶片放入第二清洗剂溶液中进行清洗，清洗剂浓度为10wt％，槽内温度为55℃，晶片每上下抛动十次后旋转90°再继续抛动，每次清洗时间为25min，共进行四次；
步骤五：将步骤四处理完的蓝宝石晶片放入第二超纯水中进行超声漂洗，槽内温度为20℃，超声强度为30KHz，清洗时间为15min；
步骤六：将步骤五处理完的蓝宝石晶片放入第三清洗剂溶液中进行清洗，清洗剂浓度为10wt％，槽内温度为55℃，晶片每上下抛动十次后旋转90°再继续抛动，每次清洗时间为25min，共进行四次；
步骤七：将步骤六处理完的蓝宝石晶片放入第三超纯水中进行超声漂洗，槽内温度为20℃，超声强度为20KHz，清洗时间为15min；
步骤八：对步骤七处理完的蓝宝石晶片表面使用PVA毛刷进行刷洗，纯水温度为35℃，刷洗时间为60s；
步骤九：对步骤八处理完的蓝宝石晶片表面使用乳化剂喷淋，乳化剂温度为40℃，喷淋时间为20s，其中，阴离子表面活性剂在乳化剂中所占体积分数为3‰，非离子表面活性在乳化剂中所占体积分数为3‰；
步骤十：对步骤九处理完的蓝宝石晶片表面使用有机溶剂再次喷淋，有机溶剂温度为60℃，喷淋时间为20s；
步骤十一：对步骤十处理完的蓝宝石晶片使用旋干机干燥，包括冲洗、清洁、烘干、吹净和旋干仓静置；冲洗的时间为60s，转速为600r/min,温度25℃；清洁的时间30s，转速1500r/min，温度为25℃；烘干的时间180s，转速为1500r/min，温度为50℃；吹净的时间为150s，转速为600r/min，温度为25℃；旋干完成后，将晶片在旋干仓静置的时间为30s；再使用烤灯烤，烤灯的功率为275W，烘烤区域温度为25℃，烤干时间为5min；
步骤十二：将步骤十一处理完的蓝宝石晶片放入成品晶周中，密封保存。
实施例2：
步骤一：将已单面抛光的蓝宝石晶片装入制程晶周盒，将装有晶片的制程晶周于纯水槽中；
步骤二：将步骤一处理完的蓝宝石晶片放入第一碱性清洗剂中进行清洗，清洗剂浓度为20wt％，槽内温度为75℃，晶片每上下抛动十次后旋转90°再继续抛动，每次清洗时间为15min，共进行四次；
步骤三：将步骤二处理完的蓝宝石晶片放入第一超纯水中进行超声漂洗，槽内温度为30℃，超声强度为40KHz，清洗时间为35min；
步骤四：将步骤三处理完的蓝宝石晶片放入第二清洗剂溶液中进行清洗，清洗剂浓度为20wt％，槽内温度为75℃，晶片每上下抛动十次后旋转90°再继续抛动，每次清洗时间为15min，共进行四次；
步骤五：将步骤四处理完的蓝宝石晶片放入第二超纯水中进行超声漂洗，槽内温度为30℃，超声强度为30KHz，清洗时间为25min；
步骤六：将步骤五处理完的蓝宝石晶片放入第三清洗剂溶液中进行清洗，清洗剂浓度为20wt％，槽内温度为55℃，晶片每上下抛动十次后旋转90°再继续抛动，每次清洗时间为15min，共进行四次；
步骤七：将步骤六处理完的蓝宝石晶片放入第三超纯水中进行超声漂洗，槽内温度为30℃，超声强度为20KHz，清洗时间为25min；
步骤八：对步骤七处理完的蓝宝石晶片表面使用PVA毛刷进行刷洗，纯水温度为35℃，刷洗时间为40s；
步骤九：对步骤八处理完的蓝宝石晶片表面使用乳化剂喷淋，乳化剂温度为50℃，喷淋时间为20s，其中，阴离子表面活性剂在乳化剂中所占体积分数为3‰，非离子表面活性在乳化剂中所占体积分数为3‰；
步骤十：对步骤九处理完的蓝宝石晶片表面使用有机溶剂再次喷淋，有机溶剂温度为70℃，喷淋时间为20s；
步骤十一：对步骤十处理完的蓝宝石晶片使用旋干机干燥，包括冲洗、清洁、烘干、吹净和旋干仓静置；冲洗的时间为60s，转速为600r/min,温度25℃；清洁的时间30s，转速1500r/min，温度为25℃；烘干的时间180s，转速为1500r/min，温度为50℃；吹净的时间为150s，转速为600r/min，温度为25℃；旋干完成后，将晶片在旋干仓静置的时间为30s；再使用烤灯烤，烤灯的功率为275W，烘烤区域温度为25℃，烤干时间为5min；
步骤十二：将步骤十一处理完的蓝宝石晶片放入成品晶周中，密封保存。
实施例3：
步骤一：将已单面抛光的蓝宝石晶片装入制程晶周盒，将装有晶片的制程晶周于纯水槽中；
步骤二：将步骤一处理完的蓝宝石晶片放入第一碱性清洗剂中进行清洗，清洗剂浓度为15wt％，槽内温度为65℃，晶片每上下抛动十次后旋转90°再继续抛动，每次清洗时间为20min，共进行四次；
步骤三：将步骤二处理完的蓝宝石晶片放入第一超纯水中进行超声漂洗，槽内温度为25℃，超声强度为40KHz，清洗时间为20min；
步骤四：将步骤三处理完的蓝宝石晶片放入第二清洗剂溶液中进行清洗，清洗剂浓度为15wt％，槽内温度为65℃，晶片每上下抛动十次后旋转90°再继续抛动，每次清洗时间为20min，共进行四次；
步骤五：将步骤四处理完的蓝宝石晶片放入第二超纯水中进行超声漂洗，槽内温度为25℃，超声强度为30KHz，清洗时间为20min；
步骤六：将步骤五处理完的蓝宝石晶片放入第三清洗剂溶液中进行清洗，清洗剂浓度为15wt％，槽内温度为65℃，晶片每上下抛动十次后旋转90°再继续抛动，每次清洗时间为20min，共进行四次；
步骤七：将步骤六处理完的蓝宝石晶片放入第三超纯水中进行超声漂洗，槽内温度为25℃，超声强度为20KHz，清洗时间为20min；
步骤八：对步骤七处理完的蓝宝石晶片表面使用PVA毛刷进行刷洗，纯水温度为35℃，刷洗时间为50s；
步骤九：对步骤八处理完的蓝宝石晶片表面使用乳化剂喷淋，乳化剂温度为45℃，喷淋时间为20s，其中，阴离子表面活性剂在乳化剂中所占体积分数为3‰，非离子表面活性在乳化剂中所占体积分数为3‰；
步骤十：对步骤九处理完的蓝宝石晶片表面使用有机溶剂再次喷淋，有机溶剂温度为65℃，喷淋时间为20s；
步骤十一：对步骤十处理完的蓝宝石晶片使用旋干机干燥，包括冲洗、清洁、烘干、吹净和旋干仓静置；冲洗的时间为60s，转速为600r/min,温度25℃；清洁的时间30s，转速1500r/min，温度为25℃；烘干的时间180s，转速为1500r/min，温度为50℃；吹净的时间为150s，转速为600r/min，温度为25℃；旋干完成后，将晶片在旋干仓静置的时间为30s；再使用烤灯烤，烤灯的功率为275W，烘烤区域温度为25℃，烤干时间为5min；
步骤十二：将步骤十一处理完的蓝宝石晶片放入成品晶周中，密封保存。
对比例1：
步骤一：将已单面抛光的蓝宝石衬底片装入制程晶周盒，置制程晶周盒于纯水槽中；
步骤二：将晶片放置到SM007酸槽进行浸泡，浓度为20％，温度为25℃，浸泡时间为1h；
步骤三：将浸泡好的晶片放置到KOH碱性清洗剂超声清洗槽中进行清洗，清洗剂浓度为10wt％，清洗时间为15min，清洗剂清洗槽内温度为60℃；
步骤四：将清洗后的蓝宝石衬底片放入第一超纯水清洗槽中进行清洗，清洗时间为15min，每分钟上下抛动30次，第一超纯水清洗槽内的温度为20℃；
步骤五：将浸泡好的晶片放置到奥首APVS3002碱性清洗剂超声清洗槽中进行清洗，清洗剂浓度为20wt％，清洗时间为15min，清洗剂清洗槽内温度为60℃；
步骤六：将清洗后的蓝宝石衬底片放入第二超纯水清洗槽中进行清洗，清洗时间为15min，每分钟上下抛动30次，第二超纯水清洗槽温度为20℃
步骤七：将衬底片放入SPM槽中清洗，槽中溶液为硫酸和双氧水混合溶液，硫酸比例为70％，双氧水比例为15％，温度为140℃，时间为20min；
步骤八：将酸洗好的晶片，使用PVA毛刷进行刷洗，纯水温度为30℃，刷片时间为25s；
步骤九：将刷洗好的晶片使用旋干机进行旋干。
对比例2：
步骤一：将已单面抛光的蓝宝石衬底片装入制程晶周盒，置制程晶周盒于纯水槽中；
步骤二：将晶片放置到SM007酸槽进行浸泡，浓度为10％，温度为25℃，浸泡时间为2h；
步骤三：将浸泡好的晶片放置到KOH碱性清洗剂超声清洗槽中进行清洗，清洗剂浓度为5wt％，清洗时间为25min，清洗剂清洗槽内温度为65℃；
步骤四：将清洗后的蓝宝石衬底片放入第一超纯水清洗槽中进行清洗，清洗时间为25min，每分钟上下抛动40次，第一超纯水清洗槽内的温度为25℃；
步骤五：将浸泡好的晶片放置到奥首APVS3002碱性清洗剂超声清洗槽中进行清洗，清洗剂浓度为10wt％，清洗时间为25min，清洗剂清洗槽内温度为70℃；
步骤六：将清洗后的蓝宝石衬底片放入第二超纯水清洗槽中进行清洗，清洗时间为25min，每分钟上下抛动40次，第二超纯水清洗槽温度为25℃
步骤七：将衬底片放入SPM槽中清洗，槽中溶液为硫酸和双氧水混合溶液，硫酸比例为80％，双氧水比例为10％，温度为120℃，时间为15min；
步骤八：将酸洗好的晶片，使用PVA毛刷进行刷洗，纯水温度为25℃，刷片时间为35s；
步骤九：将刷洗好的晶片使用旋干机进行旋干。
【清洗后的蓝宝石衬底晶片检测】
对通过实施例1-3及对比例1-2清洗出来的蓝宝石衬底晶片进行检测，使用Candela检测设备检验其表面脏污，并计算晶片的成品良率，其结果如下表所示：
| candela检测颗粒值/颗 | 开盒即用良率 | |
| 实施例1 | 32 | 91.67％ |
| 实施例2 | 26 | 93.75％ |
| 实施例3 | 29 | 92.36％ |
| 对比例1 | 78 | 65.97％ |
| 对比例2 | 65 | 70.14％ |
通过本发明的清洗工艺，清洗后的蓝宝石晶片的表面脏污数量均值在26-32之间，客户端开盒即用蓝宝石晶片的成品合格率大大提高，良率都在90％以上，减少了后续预清洗动作，提高了工业化生产能力。
虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明。本发明所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰。因此，本发明的保护范围当视权利要求书所界定者为准。
Claims (11)
1.一种可开盒即用的蓝宝石晶片清洗工艺，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一：将已单面抛光的蓝宝石晶片装入制程晶周盒，将装有晶片的制程晶周于纯水槽中；
步骤二：将步骤一处理完的蓝宝石晶片放入第一碱性清洗剂中进行清洗，所述第一碱性清洗剂的活性成份包括有机碱和复合活性剂；
步骤三：将步骤二处理完的蓝宝石晶片放入第一超纯水中进行超声漂洗；
步骤四：将步骤三处理完的蓝宝石晶片放入第二清洗剂溶液中进行清洗，所述第二清洗剂的活性成份包括分散剂、渗透剂和螯合剂；
步骤五：将步骤四处理完的蓝宝石晶片放入第二超纯水中进行超声漂洗；
步骤六：将步骤五处理完的蓝宝石晶片放入第三清洗剂溶液中进行清洗，所述第三清洗剂的活性成份为活性剂、螯合剂和环保型有机溶剂；
步骤七：将步骤六处理完的蓝宝石晶片放入第三超纯水中进行超声漂洗；
步骤八：对步骤七处理完的蓝宝石晶片表面进行刷洗；
步骤九：对步骤八处理完的蓝宝石晶片表面使用乳化剂喷淋，所述乳化剂的活性成份包括阴离子表面活性剂和非离子表面活性剂；
步骤十：对步骤九处理完的蓝宝石晶片表面使用有机溶剂再次喷淋；
步骤十一：对步骤十处理完的蓝宝石晶片使用旋干机干燥，旋干完成后，将晶片在旋干仓内静置一段时间，再使用烤灯烤干烘晶片表面；
步骤十二：将步骤十一处理完的蓝宝石晶片放入成品晶周中，密封保存。
2.根据权利要求1所述的可开盒即用的蓝宝石晶片清洗工艺，其特征在于：所述步骤二中的第一碱性清洗剂的溶质浓度为10-20wt％，温度为55-75℃，晶片每上下抛动十次后旋转90°再继续抛动，每次清洗时间为15-25min，共进行四次；
所述有机碱在碱性清洗剂中所占体积分数为10-15％，所述复合活性剂在碱性清洗剂中所占体积分数为3-5％；
所述有机碱为烷基胺、甲醇钠、丁基锂中的至少一种，所述复合活性剂为聚氧乙基烷基苯基醚、聚氧乙基烷基醚、聚氧乙基脂肪酸醚酯中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的可开盒即用的蓝宝石晶片清洗工艺，其特征在于：所述步骤三中的第一超纯水超声漂洗的漂洗时间为15-25min，超声强度为35-45KHz，纯水温度为20-30℃。
4.根据权利要求1所述的可开盒即用的蓝宝石晶片清洗工艺，其特征在于：所述步骤四中的第二清洗剂的溶质浓度为10-20wt％，温度为55-75℃，晶片每上下抛动十次后旋转90°再继续抛动，每次清洗时间为15-25min，共进行四次；
所述分散剂在第二清洗剂中所占体积分数为6-13％，所述渗透剂在第二清洗剂中所占体积分数为10-25％，所述螯合剂在第二清洗剂中所占体积分数为8-10％；
所述分散剂为甘油、聚氧丙烯和己烯基双硬脂酰胺中的至少一种，所述渗透剂为脂肪醇聚氧乙烯醚，所述螯合剂为羟基羧酸、乙二胺四乙酸和氨基羧酸中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的可开盒即用的蓝宝石晶片清洗工艺，其特征在于：所述步骤五中的第二超纯水超声漂洗的漂洗时间为15-25min，超声强度为25-35KHz，纯水温度为20-30℃。
6.根据权利要求1所述的可开盒即用的蓝宝石晶片清洗工艺，其特征在于：所述步骤六中的第三清洗剂溶质浓度为10-20wt％，温度为55-75℃，晶片每上下抛动十次后旋转90°再继续抛动，每次清洗时间为15-25min，共进行四次；
所述活性剂在第三清洗剂中所占体积分数为3-5％，所述螯合剂在第三清洗剂中所占体积分数为8-10％，所述环保型有机溶剂在第三清洗剂中所占体积分数为10-15％；
所述活性剂为油酸钠、烷基胺和磺酸盐中的至少一种，所述螯合剂为羟基磷酸、多磷酸盐和氨基羧酸中的至少一种，所述环保型有机溶剂为苯乙烯、全氯乙烯和乙二醇二醋酸酯中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的可开盒即用的蓝宝石晶片清洗工艺，其特征在于：所述步骤七中的第三超纯水超声漂洗的漂洗时间为15-25min，超声强度为15-25KHz，纯水温度为20-30℃。
8.根据权利要求1所述的可开盒即用的蓝宝石晶片清洗工艺，其特征在于：所述步骤八中的刷洗，刷洗时间为30-60s，使用的纯水温度为35-40℃。
9.根据权利要求1所述的可开盒即用的蓝宝石晶片清洗工艺，其特征在于：所述步骤九的喷淋时间为10-30s，溶液温度为40-45℃；
所述阴离子表面活性剂在乳化剂中所占体积分数为1-3‰，所述非离子表面活性在乳化剂中所占体积分数为1-3‰；
所述阴离子表面活性剂为脂肪酸盐、脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸钠、直链烷基苯磺酸钠和磺酸盐中的至少一种，非离子表面活性剂为聚氧乙烯醚、聚醚类和聚乙二醇型表面活性剂中的至少一种。
10.根据权利要求1所述的可开盒即用的蓝宝石晶片清洗工艺，其特征在于：所述步骤十中的喷淋时间为10-30s，溶液温度为50-60℃；
所述有机溶剂为苯乙烯、全氯乙烯和乙二醇二醋酸酯中的至少一种。
11.根据权利要求1所述的可开盒即用的蓝宝石晶片清洗工艺，其特征在于：所述步骤十一中的旋干具体步骤包括冲洗、清洁、烘干、吹净和旋干仓静置；
所述冲洗的时间为50-70s，转速为500-700r/min,温度20-30℃；
所述清洁的时间20-40s，转速1200-1600r/min，温度为20-30℃；
所述烘干的时间160-200s，转速为1200-1600r/min，温度为40-60℃；
所述吹净的时间为120-160s，转速为500-800r/min，温度为20-30℃；
所述旋干仓静置的时间为30-40s；
烤灯的功率为250-300W，烘烤区域温度为23-25℃，烤干时间为5-10min。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010039173.XA CN111185433B (zh) | 2020-01-14 | 2020-01-14 | 可开盒即用的蓝宝石晶片清洗工艺 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010039173.XA CN111185433B (zh) | 2020-01-14 | 2020-01-14 | 可开盒即用的蓝宝石晶片清洗工艺 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111185433A true CN111185433A (zh) | 2020-05-22 |
| CN111185433B CN111185433B (zh) | 2020-12-29 |
Family
ID=70684731
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010039173.XA Active CN111185433B (zh) | 2020-01-14 | 2020-01-14 | 可开盒即用的蓝宝石晶片清洗工艺 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111185433B (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112420490A (zh) * | 2020-11-19 | 2021-02-26 | 江苏天科合达半导体有限公司 | 一种抛光后SiC Wafer衬底的湿法清洗工艺 |
Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040024321A (ko) * | 2002-09-13 | 2004-03-20 | 엘지이노텍 주식회사 | 사파이어 웨이퍼 표면처리방법 |
| CN103537453A (zh) * | 2013-08-20 | 2014-01-29 | 曾锡强 | 一种蓝宝石衬底晶片抛光后的超声清洗方法 |
| CN104259133A (zh) * | 2014-07-31 | 2015-01-07 | 江苏吉星新材料有限公司 | 蓝宝石晶片退火前的清洗工艺 |
| CN104259132A (zh) * | 2014-07-29 | 2015-01-07 | 蓝思科技股份有限公司 | 一种蓝宝石晶片清洗工艺 |
| CN104440496A (zh) * | 2014-11-07 | 2015-03-25 | 江苏吉星新材料有限公司 | 一种新型蓝宝石晶片的清洗工艺 |
| CN104772313A (zh) * | 2015-04-22 | 2015-07-15 | 蓝思科技股份有限公司 | 一种镀膜后的蓝宝石晶片的清洗方法 |
| CN105280477A (zh) * | 2015-09-28 | 2016-01-27 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 一种蓝宝石晶片的清洗工艺 |
| CN105903694A (zh) * | 2016-04-27 | 2016-08-31 | 上海超硅半导体有限公司 | 大尺寸蓝宝石衬底退火前的清洗及背面不良返工方法 |
| CN106391548A (zh) * | 2016-09-23 | 2017-02-15 | 江苏吉星新材料有限公司 | 一种蓝宝石窗口片碱性清洗工艺 |
| CN107164109A (zh) * | 2017-03-31 | 2017-09-15 | 吴江创源新材料科技有限公司 | 一种蓝宝石晶片退火前清洗液及其制备方法和清洗工艺 |
| CN109092801A (zh) * | 2017-06-20 | 2018-12-28 | 蓝思科技（长沙）有限公司 | 一种蓝宝石晶片的清洗方法及其采用的设备 |
| CN110586568A (zh) * | 2019-08-29 | 2019-12-20 | 江苏吉星新材料有限公司 | 一种用于蓝宝石衬底片碳化硼研磨后的清洗方法 |
-
2020
- 2020-01-14 CN CN202010039173.XA patent/CN111185433B/zh active Active
Patent Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040024321A (ko) * | 2002-09-13 | 2004-03-20 | 엘지이노텍 주식회사 | 사파이어 웨이퍼 표면처리방법 |
| CN103537453A (zh) * | 2013-08-20 | 2014-01-29 | 曾锡强 | 一种蓝宝石衬底晶片抛光后的超声清洗方法 |
| CN104259132A (zh) * | 2014-07-29 | 2015-01-07 | 蓝思科技股份有限公司 | 一种蓝宝石晶片清洗工艺 |
| CN104259133A (zh) * | 2014-07-31 | 2015-01-07 | 江苏吉星新材料有限公司 | 蓝宝石晶片退火前的清洗工艺 |
| CN104440496A (zh) * | 2014-11-07 | 2015-03-25 | 江苏吉星新材料有限公司 | 一种新型蓝宝石晶片的清洗工艺 |
| CN104772313A (zh) * | 2015-04-22 | 2015-07-15 | 蓝思科技股份有限公司 | 一种镀膜后的蓝宝石晶片的清洗方法 |
| CN105280477A (zh) * | 2015-09-28 | 2016-01-27 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 一种蓝宝石晶片的清洗工艺 |
| CN105903694A (zh) * | 2016-04-27 | 2016-08-31 | 上海超硅半导体有限公司 | 大尺寸蓝宝石衬底退火前的清洗及背面不良返工方法 |
| CN106391548A (zh) * | 2016-09-23 | 2017-02-15 | 江苏吉星新材料有限公司 | 一种蓝宝石窗口片碱性清洗工艺 |
| CN107164109A (zh) * | 2017-03-31 | 2017-09-15 | 吴江创源新材料科技有限公司 | 一种蓝宝石晶片退火前清洗液及其制备方法和清洗工艺 |
| CN109092801A (zh) * | 2017-06-20 | 2018-12-28 | 蓝思科技（长沙）有限公司 | 一种蓝宝石晶片的清洗方法及其采用的设备 |
| CN110586568A (zh) * | 2019-08-29 | 2019-12-20 | 江苏吉星新材料有限公司 | 一种用于蓝宝石衬底片碳化硼研磨后的清洗方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112420490A (zh) * | 2020-11-19 | 2021-02-26 | 江苏天科合达半导体有限公司 | 一种抛光后SiC Wafer衬底的湿法清洗工艺 |
| CN112420490B (zh) * | 2020-11-19 | 2024-04-02 | 江苏天科合达半导体有限公司 | 一种抛光后SiC Wafer衬底的湿法清洗工艺 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN111185433B (zh) | 2020-12-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6088431B2 (ja) | 化合物半導体ウエハーのクリーニング方法 | |
| CN112542531B (zh) | 一种硅片预处理及异质结电池制备方法 | |
| CN111900232B (zh) | 一种shj电池生产中不良返工方法 | |
| CN108231540A (zh) | 一种应用于太阳能电池制绒的后清洗工艺 | |
| CN103589538A (zh) | 一种太阳能硅片的清洗液及其使用方法 | |
| CN111185432B (zh) | 代替蓝宝石衬底晶片酸洗的清洗工艺 | |
| CN110828299A (zh) | 一种制绒清洗方法及异质结电池 | |
| CN110752271A (zh) | 一种perc电池的加工方法 | |
| CN111403561A (zh) | 一种硅片制绒方法 | |
| CN110137302A (zh) | 硅异质结太阳电池晶硅衬底的清洗及制绒方法和硅异质结太阳电池 | |
| CN111185433B (zh) | 可开盒即用的蓝宝石晶片清洗工艺 | |
| CN114317135A (zh) | 一种太阳能硅片制绒后的清洗剂及其清洗工艺 | |
| CN101255386B (zh) | 半导体硅片化学机械抛光用清洗液 | |
| CN108649098A (zh) | 一种硅片单面刻蚀抛光的方法 | |
| CN115207154A (zh) | 一种异质结太阳能电池制绒清洗方法 | |
| CN109755106B (zh) | 一种晶圆清洗方法 | |
| CN216488101U (zh) | 一种链式碱抛系统 | |
| CN102332501A (zh) | 一种用于太阳电池生产过程中去除花篮印的清洗方法 | |
| CN105655445A (zh) | 一种rie制绒硅片表面修饰清洗方法 | |
| CN116190205A (zh) | 太阳能电池制绒清洗方法 | |
| CN115621370A (zh) | 一种hjt非晶硅镀膜后不良片的返工工艺 | |
| CN117810063B (zh) | 一种衬底晶片的清洗方法 | |
| CN113046191A (zh) | 硅片清洗剂及制备方法和硅片清洗工艺 | |
| CN114784141A (zh) | 一种提高性能的硅片制绒方法 | |
| CN110993723B (zh) | 一种高品质光伏晶硅电池片的制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20240318 Address after: 364105 Yongding Industrial Park, Gaopo Town, Yongding District, Longyan City, Fujian Province Patentee after: FUJIAN ZOOMKING TECHNOLOGY CO.,LTD. Country or region after: China Address before: 8 Feiyue Road, Shanghuang science and Technology Pioneer Park, Liyang City, Changzhou City, Jiangsu Province 213300 Patentee before: Jiangsu Jingjing Photoelectric Technology Co.,Ltd. Country or region before: China |
|
| TR01 | Transfer of patent right |