CN111162062A - 一种led封装结构及其制造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title abstract description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 87
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 100
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 22
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 5
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L33/005—Processes
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
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- Computer Hardware Design (AREA)
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Abstract
本发明提供一种LED封装结构及其制造方法，该结构包括：不透光的基板、第一透光层和多个芯片；各个芯片固定于基板上，且被第一透光层覆盖；在每个芯片中，芯片设置电极的面为电极面，芯片的电极面背向基板，且芯片的电极面70％以上的面积不透光，与电极面相对的面为出光面；两个电极之间相距预置距离，且电极通过焊线连接至基板上的线路层。本发明通过将多个芯片设置于不透光的基板上，并用透光层将各个芯片覆盖起来，由于芯片的电极所在面为非透光面，且两个电极之间相互隔开，可利用较大的电极面积将电极通过焊线连接至线路层上，便于芯片的贴装，能够降低LED封装结构的成本和生产难度，提高背光源发光均匀度。
Description
技术领域
本发明涉及LED封装结构领域，尤其涉及一种LED封装结构及其制造方法。
背景技术
LED作为一种新兴固体光源，具有显著的节能和寿命优势，已广泛应用于照明和显示领域。
LED背光技术主要分为侧入式和直下式两种类型，现有的直下式背光源通常采用以倒装芯片为基础的LED封装结构，由于倒装芯片的电极在底部且尺寸较小，若电极尺寸设计的小，安装后，芯片与基板的结合面小，容易在运送过程中经过碰撞等导致芯片焊接不良等，电极面积设计的大，则电极之间的间隔就变小，芯片在基板上的焊接难度将会越来越大，对基板的加工精度、应力适配问题的要求均较高，导致整个封装结构的成本大大提高，生产难度较大；并且在现有直下式背光源的技术中，背光源的发光面方向与芯片发光面的方向一致，导致背光源芯片处对应位置的发光亮度高，两个芯片之间位置的发光亮度低，导致整个背光源发光不均匀。
发明内容
本发明实施例提供了一种LED封装结构及其制造方法，能够降低LED封装结构的成本和生产难度，提高背光源发光均匀度。
根据本发明的一个方面，提供一种LED封装结构，包括：不透光的基板、第一透光层和多个芯片；
各个所述芯片固定于所述基板上，且被所述第一透光层覆盖；
在每个所述芯片中，所述芯片设置电极的面为电极面，所述芯片的电极面背向所述基板，且所述芯片的所述电极面70％以上的面积不透光，与所述电极面相对的面为出光面；
两个所述电极之间相距预置距离，且所述电极通过焊线连接至所述基板上的线路层。
优选地，每个所述芯片对应覆盖有一个所述第一透光层；
或
所述第一透光层覆盖所有所述芯片及所述线路层的焊盘区域。
优选地，多个所述芯片呈平行的多排固定于所述基板上。
优选地，所述基板上每一排芯片中的每一个芯片的两侧均设置有一个所述线路层。
优选地，在每个所述芯片中，两个所述电极分别通过所述焊线和与所述芯片两侧的两个所述线路层对应连接。
优选地，所述基板为整体不透光基板或在透光基板靠近所述芯片的面上覆盖有高反射不透光材料形成的基板或在所述透光基板靠近所述芯片的面及所述透光基板的侧面覆盖有高反射不透光材料的基板。
优选地，每个所述芯片与所述基板之间和/或所述第一透光层的表面上设置有涂覆层，所述涂覆层为第二透光层或荧光层。
优选地，所述第一透光层内包含荧光粉。
优选地，所述涂覆层和所述第一透光层内包含扩散材料。
根据本发明的另一方面，提供一种如以上所述的LED封装结构的制作方法，包括：
确定各个芯片的电极面，将各个芯片按照芯片的所述电极面背向不透光的基板的方式安装在所述基板上，所述芯片与所述电极面相对的面为出光面；
通过焊线将各个所述芯片的所述电极连接至所述基板的线路层；
在各个所述芯片的表面涂覆透光材料，使得各个所述芯片被第一透光层覆盖。
从以上技术方案可以看出，本发明实施例具有以下优点：
本发明提供的一种LED封装结构及其制造方法，其中，该结构包括：不透光的基板、第一透光层和多个芯片；各个芯片固定于基板上，且被第一透光层覆盖；在每个芯片中，芯片设置电极的面为电极面，芯片的电极面背向基板，且芯片的电极面70％以上的面积不透光，与电极面相对的面为出光面；两个电极之间相距预置距离，且电极通过焊线连接至基板上的线路层。本发明通过将多个芯片设置于不透光的基板上，并用透光层将各个芯片覆盖起来，由于芯片的电极所在面70％以上不透光，且两个电极之间相互隔开，可以利用较大的电极面积将电极通过焊线连接至线路层上，便于芯片的贴装，且焊接难度大大降低，对基板的精度、应力适配问题的要求不高，能够降低LED封装结构的成本和生产难度，同时芯片发光面靠近所述不透光基板，芯片发光面方向与背光源发光面方向不一致，从芯片发光面及芯片侧面发出的光经过第一透光层的混合后出光，提高背光源的出光均匀性。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1为本发明提供的一种LED封装结构的一个实施例的俯视图；
图2为本发明提供的一种LED封装结构的一个实施例的正视图；
图3为本发明提供的一种LED封装结构的一个实施例的侧视图；
图4为本发明提供的一种LED封装结构的又一个实施例的正视图；
图5为本发明提供的一种LED封装结构的又一个实施例的侧视图；
图6为本发明提供的一种LED封装结构的又一个实施例的第一线路层示意图；
图7为本发明提供的一种LED封装结构的又一个实施例的第二线路层示意图；
图8为本发明提供的一种LED封装结构的制作方法的一个实施例的流程示意图。
其中，图中标记如下所示：
1.基板 2.第一透光层 3.芯片 4.焊线 5.线路层 6.焊盘区域 7.高反射不透光材料
具体实施方式
本发明实施例提供了一种LED封装结构及其制造方法，能够降低LED封装结构的成本和生产难度，提高背光源发光均匀度。
为使得本发明的发明目的、特征、优点能够更加的明显和易懂，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，下面所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而非全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1至图3，本发明提供的一种LED封装结构的一个实施例，包括：不透光的基板1、第一透光层2和多个芯片3。
各个芯片3固定于基板1上，且被第一透光层2覆盖，在每个芯片3中，芯片3设置电极的面为电极面，芯片3的电极面背向基板1，且芯片3的电极面70％以上的面积不透光，与电极面相对的面为出光面。
两个电极之间相距预置距离，且电极通过焊线4连接至基板1上的线路层5。
需要说明的是，本发明实施例采用的芯片3的电极所在面(以下简称电极面)为非透光面，芯片3通常本身具备多个出光面，即除电极面外，其余的面均可以作为出光面，可根据实际需求进行相应的调整出光面的数量，通常将芯片3与电极面相对的面设为出光面，芯片3的侧面可以为出光面也可以不为出光面，可根据实际需求进行设置，此处不做限定。
在本实施例中，通过将各个芯片3设置于基板1上，并用第一透光层2将各个芯片3覆盖起来，进而芯片3的出光面所射出的光线可以在直射或反射后透过第一透光层2的侧面和正面发射光线。
相对于每个芯片3而言，在不透光的电极面上，由于两个电极之间是相互隔开的，两个电极之间的预置距离可以根据实际需求提前设置，如缩小两个电极之间的预置距离，则可以适当增大芯片3的电极焊线面积，故本发明实施例可以利用较大的电极面积将电极通过焊线4连接至基板的线路层5上，有利于芯片3的贴装，可以满足客户对芯片间距的特殊需求，焊接难度大大降低，对基板的精度、应力适配问题的要求不高，能够降低整个LED封装结构的成本和生产难度。
以上为一种LED封装结构的一个实施例，为进行更具体的说明，下面提供一种LED封装结构的另一个实施例，请参阅图1至图3，本发明提供的一种LED封装结构的另一个实施例，包括：不透光的基板1、第一透光层2和多个芯片3。
各个芯片3固定于基板1上，且被第一透光层2覆盖，在每个芯片3中，芯片3设置电极的面为电极面，芯片3的电极面背向基板1，且芯片3的电极面70％以上的面积不透光，与电极面相对的面为出光面。
两个电极之间相距预置距离，且电极通过焊线4连接至基板1上的线路层5。
在本实施例中，第一透光层2可以为高透光胶，为了使各个芯片3能够充分出光，需要第一透光层2完整覆盖住芯片的外表面，更进一步地，为了提高产品的可靠性，具体的第一透光层2覆盖方式可以为以下两种中的其中一种：
(1)每个芯片3对应覆盖有一个第一透光层2。在该方式中，通过对每个芯片所在的区域单独用高透光胶进行包覆，则每个芯片3的外表面可以对应一个第一透光层2。
(2)第一透光层2覆盖所有芯片3及线路层5的焊盘区域。在该方式中，可以将所有芯片3以及线路层5的焊盘区域包覆在同一个第一透光层2中(为方便说明，图1至图3以该方式进行呈现说明)，可以进一步简化加工的程序，且使得整个封装结构更加简单紧凑。
在本实施例中，为了使得整个LED封装结构更加巩固且易于封装，可以将多个芯片3呈平行的多排固定于基板1上，且在基板1的两侧以及在相邻两排芯片3之间的位置处，均对应设置一个线路层5。且对于每个芯片3而言，芯片3的两个电极分别通过焊线4和与芯片3相邻的两个线路层5对应连接。可以理解的是，在以上第一透光层覆盖方式中，第一透光层2在包覆芯片3的同时，也同时可以将焊线4包覆起来。
以上为一种LED封装结构的另一个实施例，该实施例对本发明提供的LED封装结构的芯片在基板上优选布局进行了具体介绍，为了提高整个LED封装结构的出光均匀性，下面提供一种LED封装结构的又一个实施例，请参阅图4至图5，该实施例包括：不透光的基板1、第一透光层2和多个芯片3。
各个芯片3固定于基板1上，且被第一透光层2覆盖，在每个芯片3中，芯片3设置电极的面为电极面，芯片3的电极面背向基板1，且芯片3的电极面70％以上的面积不透光，与电极面相对的面为出光面。
两个电极之间相距预置距离，且电极通过焊线4连接至基板1上的线路层5。
更进一步地，每个芯片3对应覆盖有一个第一透光层2；
或
第一透光层2覆盖所有芯片3及线路层5的焊盘区域。
更进一步地，多个芯片3呈平行的多排固定于基板1上，基板1上每一排芯片中的每一个芯片的两侧均设置有一个线路层5，且在每个芯片3中，两个电极分别通过焊线4和与芯片两侧的两个线路层5对应连接。
更进一步地，线路层5需采用导电材料进行制作，线路层上的导电材料可以为以下两种方式的其中一种：
(1)如图6所示，线路层5分为两层，其底层可以为透光或不透光的导电材料，然后可以在整个底层上镀覆(即两层大小一致，重叠于一起)有适合焊接的导电材料，这两层的具体材料可以根据实际需求进行选择，为本领域技术人员的公知常识，此处不做具体介绍。
(2)如图7所示，线路层5分为两层，其底层可以为透光或不透光的导电材料，然后在底层上预先选择一定的焊盘区域6，再镀覆有适合焊接的导电材料，这两层的具体材料可以根据实际需求进行选择，为本领域技术人员的公知常识，此处不做具体介绍。
更进一步地，本实施例中的基板1是不透光的，然而其材质可以根据实际需求进行选择，具体的，基板1可以为：(1)整体不透光基板；(2)在透光基板靠近芯片3的面上覆盖有高反射不透光材料形成的基板；(3)在透光基板靠近芯片3的面及透光基板的侧面覆盖有高反射不透光材料的基板。可以理解的是，当芯片3底面发射光线至基板1时，由于基板1表面不透光而反射至第一透光层2处，可穿过第一透光层2的顶面或侧面。
更进一步地，为了提高整个产品的性能，可以通过以下两种方式进行改进：
(a)可以在每个芯片3与基板1之间和/或第一透光层2的表面上设置有涂覆层，涂覆层为第二透光层或荧光层。需要说明的是，涂覆层可以为贴装芯片胶，贴装工艺可为点胶、印刷、喷涂或者先制成膜片。当涂覆层为第二透光层时，可以改变光在基板内的折射效果，当涂覆层为荧光层时(如在贴装芯片胶中加入荧光粉)，可以改变光的颜色。需要说明的是，在每个芯片3中，如果芯片3与基板1之间设置一个涂覆层，该涂覆层的面积通常大于芯片3的出光面，以达到较优的出光效果和出光均匀性。
(b)在第一透光层的内部掺杂荧光粉。
更进一步地，为了提高出光均匀性，在以上方式(a)的基础上，可以在涂覆层和第一透光层2内添加扩散材料，优选高耐热性、高透光性材料，如酚甲醛树脂等。
更进一步地，如图4和图5所示，根据实际的出光需求，可以在第一透光层2的预置表面区域上涂覆高反射不透光材料7。可以理解的是，在图1至图3所示的LED封装结构中，其第一透光层2没有涂覆高反射不透光材料7，即该LED封装结构的出光需求是整个第一透光层2的各个侧面和顶面，而在图1至图3的基础上，可以将第一透光层2的四个侧面全部涂覆该涂覆高反射不透光材料7，仅保留顶面作为出光面(也可以在所有侧面，部分顶面涂覆该材料，也可以在部分侧面涂覆该材料，具体选择本实施例中不做限定)。因此，通过对透光基板的表面进行高反射不透光材料7的涂覆，可以满足用户不同的出光需求。
本发明通过将多个芯片3设置于不透光的基板上，并用透光层将各个芯片3覆盖起来，由于芯片3的电极所在面为非透光面，且两个电极之间相互隔开，可以利用较大的电极面积将电极通过焊线连接至线路层上，便于芯片的贴装，且焊接难度大大降低，对基板的精度、应力适配问题的要求不高，能够降低LED封装结构的成本和生产难度。
以上是对本发明提供的一种LED封装结构的具体结构和连接关系进行的说明，以下将对本发明提供的一种制作方法进行说明，请参阅图8，本发明提供一种如以上的LED封装结构的制作方法的一个实施例，包括：
801、确定各个芯片的电极面，将各个芯片按照芯片的电极面背向不透光的基板的方式安装在基板上，芯片与电极面相对的面为出光面；
802、通过焊线将各个芯片的电极连接至基板的线路层；
803、在各个芯片的表面涂覆透光材料，使得各个芯片被第一透光层覆盖。
通过本发明提供的制作方法制作的LED封装结构，其采用的是一面为隔开的正负电极，与电极面相对的面为出光面的芯片，利用芯片较大的电极面积进行焊线连接，便于芯片的贴装，且焊接难度大大降低，对基板的精度、应力适配问题的要求不高，大大降低生产成本，减小整个背光模组厚度，减小混光距离，提高出光均匀性。
以上所述，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。
Claims (10)
1.一种LED封装结构，其特征在于，包括：不透光的基板、第一透光层和多个芯片；
各个所述芯片固定于所述基板上，且被所述第一透光层覆盖；
在每个所述芯片中，所述芯片设置电极的面为电极面，所述芯片的电极面背向所述基板，且所述芯片的所述电极面70％以上的面积不透光，与所述电极面相对的面为出光面；
两个所述电极之间相距预置距离，且所述电极通过焊线连接至所述基板上的线路层。
2.根据权利要求1所述的LED封装结构，其特征在于，每个所述芯片对应覆盖有一个所述第一透光层；
或
所述第一透光层覆盖所有所述芯片及所述线路层的焊盘区域。
3.根据权利要求2所述的LED封装结构，其特征在于，多个所述芯片呈平行的多排固定于所述基板上。
4.根据权利要求3所述的LED封装结构，其特征在于，所述基板上每一排芯片中的每一个芯片的两侧均设置有一个所述线路层。
5.根据权利要求4所述的LED封装结构，其特征在于，在每个所述芯片中，两个所述电极分别通过所述焊线和与所述芯片两侧的两个所述线路层对应连接。
6.根据权利要求1至5任意一项所述的LED封装结构，其特征在于，所述基板为整体不透光基板或在透光基板靠近所述芯片的面上覆盖有高反射不透光材料形成的基板或在所述透光基板靠近所述芯片的面及所述透光基板的侧面覆盖有高反射不透光材料的基板。
7.根据权利要求1所述的LED封装结构，其特征在于，每个所述芯片与所述基板之间和/或所述第一透光层的表面上设置有涂覆层，所述涂覆层为第二透光层或荧光层。
8.根据权利要求6所述的LED封装结构，其特征在于，所述第一透光层内包含荧光粉。
9.根据权利要求7所述的LED封装结构，其特征在于，所述涂覆层和所述第一透光层内包含扩散材料。
10.一种如权利要求1至9任意一项所述的LED封装结构的制作方法，其特征在于，包括：
确定各个芯片的电极面，将各个芯片按照芯片的所述电极面背向不透光的基板的方式安装在所述基板上，所述芯片与所述电极面相对的面为出光面；
通过焊线将各个所述芯片的所述电极连接至所述基板的线路层；
在各个所述芯片的表面涂覆透光材料，使得各个所述芯片被第一透光层覆盖。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811326968.8A CN111162062A (zh) | 2018-11-08 | 2018-11-08 | 一种led封装结构及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811326968.8A CN111162062A (zh) | 2018-11-08 | 2018-11-08 | 一种led封装结构及其制造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111162062A true CN111162062A (zh) | 2020-05-15 |
Family
ID=70555118
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201811326968.8A Pending CN111162062A (zh) | 2018-11-08 | 2018-11-08 | 一种led封装结构及其制造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111162062A (zh) |
-
2018
- 2018-11-08 CN CN201811326968.8A patent/CN111162062A/zh active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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