CN111106466A - 用于测试设备的信号传输结构 - Google Patents
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Abstract
公开用于测试设备的信号传输结构。所述信号传输结构包括:沿第一方向延伸并且具有输入端子和接触端子的锥形输入线,输入线的宽度在第一方向上从输入端子到接触端子增加,并且信号输入到输入端子;岔线,与输入线的接触端子接触,并且沿不同于第一方向的第二方向延伸;输出线,连接到岔线,并且从输出线输出信号;互连器,互连器包括垂直过孔和过孔线,垂直过孔在岔线和输出线之间,过孔线连接到垂直过孔并且与输出线具有相同的特性阻抗。
Description
2018年10月26日在韩国知识产权局提交的名称为“用于测试设备的信号传输结构和使用该信号传输结构测试半导体器件的自动测试装置”的第10-2018-0128829号韩国专利申请通过引用被全部包含于此。
技术领域
实施例涉及用于测试设备的信号传输结构和使用该信号传输结构测试半导体器件的自动测试装置。
背景技术
一些自动测试设备(ATE)可以从单个资源信道同时将单个测试信号传输到多个被测设备(DUT)。测试信号可被施加到输入线,然后可以从单条输入线分叉到多条分支线。然后,可以分别经由分支线将多个分支信号传输到每个DUT。分支线可以用作ATE中的输出线。
发明内容
可以通过提供信号传输结构来实现实施例,所述信号传输结构包括:锥形输入线,沿第一方向延伸并且具有输入端子和接触端子,所述输入线的宽度在所述第一方向上从所述输入端子到所述接触端子增加,并且信号输入到所述输入端子;岔线,与所述输入线的所述接触端子接触并且沿不同于所述第一方向的第二方向延伸;输出线,连接到所述岔线并且从所述输出线输出所述信号;以及互连器,所述互连器包括垂直过孔和过孔线,所述垂直过孔在所述岔线和所述输出线之间,所述过孔线连接到所述垂直过孔并且与所述输出线具有相同的特性阻抗。
可以通过提供信号传输结构来实现实施例,所述信号传输结构包括:锥形输入线,沿第一方向延伸并且具有沿所述第一方向增加的宽度,使得所述输入线被分为在不同水平处的具有被输入信号的输入端子的第一分离线和具有接触端子的第二分离线;岔线,与所述输入线的所述接触端子接触并且沿不同于所述第一方向的第二方向延伸;输出线,直接连接到所述岔线并且从所述岔线输出信号;以及互连器,互连所述第一分离线和所述第二分离线,并且具有第一过孔、第二过孔和过孔线,使得:所述第一过孔沿第三方向从所述第一分离线向上延伸,从而与所述过孔线接触,所述第三方向基本垂直于所述第一方向和所述第二方向;所述第二过孔沿所述第三方向从所述第二分离线向下延伸,从而与所述过孔线接触;以及所述过孔线具有与所述第一分离线和所述第二分离线的特性阻抗基本相同的特性阻抗。
附图说明
通过参照附图详细描述示例性实施例,特征对于本领域技术人员将是显而易见的,其中:
图1示出了根据示例实施例的用于传输信号的信号传输结构的立体图;
图2示出了根据示例实施例的图1中所示的信号传输结构的输入线和岔线的接触结构的平面图;
图3示出了根据另一示例实施例的图1中所示的信号传输结构的输入线和岔线的接触结构的平面图;
图4示出了沿图2中的线A-A’的剖视图;
图5示出了根据示例实施例的图1中所示的信号传输结构的互连器的立体图;
图6示出了沿图5中的线B-B’的剖视图;
图7示出了图1中所示的信号传输结构的第一修改的立体图;
图8示出了图1中所示的信号传输结构的第二修改的立体图;
图9示出了图1中所示的信号传输结构的第三修改的立体图;以及
图10示出了根据示例实施例的用于测试具有信号传输结构的半导体器件的测试装置的框图。
具体实施方式
图1示出了根据示例实施例的用于传输信号的信号传输结构的立体图。
图2示出了根据示例实施例的图1中所示的信号传输结构的输入线和岔线的接触结构的平面图。图3示出了根据另一示例实施例的图1中所示的信号传输结构的输入线和岔线的接触结构的平面图。
参照图1至图3,根据示例实施例的信号传输结构500可以包括沿第一方向I(例如,纵向地)延伸并且具有输入端子101和接触端子102的锥形输入线100。在一个实施例中,输入线100的宽度W可以从输入端子101到接触端子102(例如,沿第一方向I)增加。信号S可以施加到输入端子101。信号传输结构500可以包括与输入线100的接触端子102接触并且沿不同于第一方向I的第二方向II延伸的岔线200。信号传输结构500可以包括连接到岔线200的输出线300,并且可以从输出线300输出信号S。信号传输结构500可以包括在岔线200和输出线300之间的互连器400(具有垂直过孔)。互连器400可以包括连接到垂直过孔并且与输出线300具有相同的特性阻抗的过孔线(430,见图5)。
例如,输入线100可以被设置为沿第一方向I延伸并且被成形为锥形的带状线,带状线的宽度W(例如,沿第二方向II测量)沿第一方向增加。岔线200可以包括沿第二方向II延伸并且与接触端子102接触的带状线。
输入线100的第一端可以被设置为输入端子101,并且第二端(与输入线100的第一端相对)可以被设置为接触端子102。岔线200可以接触(输入线100的)接触端子102,并且输出线300可以通过互连器400连接到岔线200。信号(例如,用于测试被测半导体器件(DUT)的测试信号)可以施加到输入端子101,并且可以传输到接触端子102。然后,信号可以通过接触端子102处的岔线200分叉(例如,分开),并且可以传输到最终通过互连器400与每条岔线200连接的每条输出线300。最后,信号可以从输出线300输出,并且可以施加到每个DUT。可以通过使用该信号对每个DUT进行测试过程。
例如,输入线100可以包括多个线段,多个线段的宽度W可以逐步增加(例如,沿第一方向I以步进方式)。例如,输入线100可以包括具有第一长度L1(在第一方向I上)和第一宽度W1(在第二方向II上)的第一段111,具有第二长度L2和第二宽度W2的第二段112,具有第三长度L3和第三宽度W3的第三段113以及具有第四长度L4和第四宽度W4的第四段114。段的数量以及每个段的长度和宽度可以以使得输入线的总阻抗可以与岔线200的总阻抗充分匹配这样的方式来选择。例如,当在输入线100和岔线200之间完成阻抗匹配时,可以在输入线100和岔线200的装配中去除阻抗不连续。
在本示例实施例中,全部段111至114的长度可以相同,并且全部段111至114的宽度可以以逐步的方式增加以用于阻抗匹配。例如,第一长度L1至第四长度L4可以彼此相同,并且第一宽度W1至第四宽度W4可以以命名的顺序逐步地顺序增加。
在一个实施中,当保持恒定长度L1至L4时,在输入线100和岔线200之间的阻抗匹配可以通过改变输入线100的每个线段的宽度W1至W4来实现。在一个实施中,当保持恒定宽度W1至W4时,在输入线100和岔线200之间的阻抗匹配可以通过改变输入线100的每个线段的长度L1至L4来实现。
在一个实施中,输入线100的四个线段可以被包括以用于阻抗匹配。在一个实施中,线段的数量也可以根据输入线100和岔线200的接触结构变化。
在一个实施中,如图3中所示,可以在输入端子101和接触端子102之间连续地实现阻抗匹配,并且线段的数量沿输入线100的整个长度可以是无限的。例如,输入线100可以被成形为在其中宽度从第一宽度W1至第四宽度W4连续增加(例如,沿第一方向I)的连续锥形。
例如,每个无限段的阻抗可以与输入端子101和接触端子102之间的相邻无限段的阻抗匹配,并且输入线100的每个点处的匹配阻抗可以由阻抗函数确定,该阻抗函数可以沿输入线100的整个长度L连续。接触端子102的特性阻抗可以以使得阻抗可以在接触端子102和岔线200之间匹配这样的方式来确定,并且接触端子102的特性阻抗可以以使得阻抗可以沿输入线100的整个长度L匹配这样的方式,通过阻抗函数朝向输入端子101连续变化。因此,输入端子101的阻抗可以由阻抗函数确定。
岔线200可以与输入线100的接触端子102接触,并且可以分叉(例如,分开或划分)为多条分支线210和220。例如,信号S可以沿着每条分支线210和220在各个方向上分叉。分支线210和220中的每条可以通过互连器400单独连接到多条输出线300之一。DUT可以单独连接到每条输出线300。例如,可以通过可以施加到输入端子101的单个测试信号来测试多个DUT。
可以改变岔线200的配置和结构以用于与输入线100的阻抗匹配。只要可以充分地实现与输入线100的阻抗匹配,岔线200可以具有各种合适的配置和结构。在一个实施中,岔线200可以在基本垂直于第一方向I的第二方向II上延伸,因此第一分支线210可以延伸到输入线100的右侧,第二分支线220可以延伸到输入线100的左侧。例如,单个信号S可以分叉到两个相反的方向(例如,可以沿两个相反的方向分别地延伸)。
在一个实施中,输入线100和分支线200可以包括用于传输高频信号的相同信号线缆。在一个实施中,输入线100和分支线200可以具有不同的结构。
图4示出了沿图2的线A-A’的剖视图。
参照图4,输入线100可以包括第一导线140,第一导线140可以被基底1上的下介电层150和上介电层150a以及下接地层160和上接地层160a包围(例如,在上侧和下侧覆盖)。岔线200可以包括第二导线240,第二导线240可以被基底1上的下介电层150和上介电层150a以及下接地层160和上接地层160a包围。输入线100和分支线200可以在同一基底1上整体地形成为一体。
例如,基底1可以包括印刷电路板(PCB)或柔性板,在其中多个电路可以印刷成多层结构。
下接地层160和下介电层150可以顺序地形成在基底1上并且第一导电层140和第二导电层240可以同时形成在下介电层150上。例如,第一导电层140和第二导电层240可以在下介电层150上整体地形成为一体(例如,具有单片结构(monolithic structure))。然后,可以在第一导电层140和第二导电层240上顺序地形成上介电层150a和上接地层160a。因此,第一导电层140和第二导电层240可以被下介电层150和上介电层150a包围,并且下介电层150和上介电层150a可以被下接地层160和上接地层160a包围。因此,输入线100和岔线200可以以使得第一导电层140和第二导电层240可以被介电层150和150a包围并且被接地层160和160a包围这样的配置同时形成在基底1上。
第一导线140和第二导线240可以包括合适的导电材料,例如低电阻的金属和金属的氮化物。信号S可以是各种数字信号,例如,可以包括具有宽的频率范围的各种数字信号。例如,由下介电层150和上介电层150a包围的第一导线140和第二导线240可以构成用于传输高频信号的传输线。多条传输线可以以使得相邻的传输线可以通过地隔离这样的配置,堆叠在基底1上。因此,输出线300也可以(与输入线和分支线200一起)堆叠在同一基底1上。例如,输入线100、岔线200和输出线300可以在同一基底1上具有相同的结构和配置。在这种情况下,基底1上的传输线可以根据它们自己的功能分成输入线100、岔线200和输出线300。
信号S可以包括基带数字信号。基带信号可以以与基本频率的整数倍对应的频率施加到输入端子101,信号的反射可以在阻抗不连续点处被最小化。基本频率表示在其处信号反射可以为零或被最小化的最小频率的一半。因此,基带数字信号可以用于以3.2Gbps的速度测试半导体器件的测试信号,并且基带信号需要以波长为1.6×n GHz(n为整数)(诸如,1.6GHz、3.2GHZ、4.8GHz等)施加到输入端101。
在这种情况下,可以以考虑基带信号的波长使得可以在输入线100和岔线200之间实现阻抗匹配这样的方式,控制线段的形状因子(诸如,长度和宽度)。
输出线300可以与岔线200分隔开,并且可以通过互连器400连接到岔线200。
图5示出了根据示例实施例的图1中所示的信号传输结构的互连器的立体图。图6示出了沿图5中的线B-B’剖切的剖视图。
参照图5和图6,输出线300可以在第三方向III上与岔线200分隔开并且可以在第一方向I上延伸。
在本示例实施例中,输出线300可以与输入线100和岔线200具有基本相同的结构。例如,输出线300可以包括用于传输高频信号的传输线。例如,输出线300可以包括由输出接地层330和输出介电层320包围的第三导线310。输出线300的第三导线310可以与输入线100和岔线200的第一导线140和第二导线240具有基本相同的结构。
在一个实施中,可以接收信号S的信号接收器可以被布置在输出线300的末端。例如,信号传输结构500可以用在用于测试半导体器件的测试装置中,并且信号接收器可以包括DUT保持器。因此,信号S可以用作半导体器件的测试信号。
例如,互连器400可以包括从岔线200向上(例如,在第三方向III上)延伸的第一过孔410,在第三方向III上从输出线300向下延伸的第二过孔420以及连接第一过孔410和第二过孔420的过孔线430。例如,第一过孔410和第二过孔420可以均在第三方向III上纵向延伸。例如,第一过孔410可以在岔线200和过孔线430之间延伸,并且第二过孔420可以在过孔线430和输出线300之间延伸。
第一过孔410可以从岔线200向上延伸并且可以穿透上介电层150a和上接地层160a,并且第二过孔420可以从输出线300向下延伸并且可以穿透输出接地层330。在这种情况下,第一过孔410和第二过孔420可以通过过孔间隙距离D(例如,在第一方向I上)彼此分隔开。
缓冲区B可以位于岔线200和输出线300之间,并且缓冲区B可以填充有缓冲介质层440。第一过孔410可以向上穿透上接地层160a并且可以进入缓冲介电层440,并且第二过孔420可以向下穿透输出接地层330并且可以进入缓冲介电层440。例如,第一过孔410可以被上介电层150a和缓冲介电层440包围,并且第二过孔420可以被输出介电层320和缓冲介电层440包围。
过孔线430可以包括缓冲区B中的导线,并且可以以使得第一过孔410和第二过孔420可以通过过孔线430彼此连接这样的配置在第一方向I上延伸。例如,岔线200可以通过第一过孔410、过孔线430和第二过孔420连接到输出线300。因此,输入线100、岔线200和输出线300可以构造为通过过孔结构的单传输线。正如第一导线140、第二导线240和第三导线310那样,过孔线可以包括低电阻导电材料。
在本示例实施例中,第一过孔410可以包括第一接触垫(pad)411和第一插塞412,第一接触垫411与过孔线430接触并且与过孔线430具有相同的表面积,第一插塞412从岔线200向上延伸并且与第一接触垫411接触。此外,第二过孔420可以包括第二接触垫421和第二插塞422,第二接触垫421与过孔线410接触并且与过孔线430具有相同的表面积,第二插塞422从输出线300向下延伸并且与第二接触垫421接触(例如,或从第二接触垫421向上延伸)。
在一个实施中,第一接触垫411的上表面可以与过孔线430的上表面共面,并且第二接触垫421的下表面可以与过孔线430的下表面共面。
过孔线430可以与岔线200具有基本相同的特性阻抗。输入线100的分支线200和接触端子102可以具有相同的特性阻抗,并且接触端子102、分支线200和过孔线430可以具有相同的特性阻抗。此外,可以控制输出线300以与过孔线430具有相同的特性阻抗。
信号S可以包括低频信号,第一过孔410和第二过孔420可以仅用作输入线100、岔线200、过孔线430和输出线300之间的连接器,因此,输入线100、岔线200、过孔线430和输出线300可以构成不具有阻抗不连续的单传输线。
信号S可以包括高频信号,第一过孔410和第二过孔420可以用作岔线200和输出线300之间的附加传输线,因此,由于信号S的高频,输入线100、岔线200、过孔线430和输出线300可以构成具有各种阻抗不连续的多传输线。
在这种情况下,仅通过将第一过孔410和第二过孔420之间的过孔间隙距离D控制在低于或小于高频信号S的四分之一波长,可以最小化或防止由于阻抗不连续的高频信号S的反射损耗。
高频信号S可以施加到输入线100的输入端子101,第一过孔410和第二过孔420可以用作单独的阻抗不连续点,并且第一反射信号可以从第一过孔410被反射,第二反射信号可以从第二过孔420被反射。过孔间隙距离D可以小于高频信号S的四分之一波长,并且第一反射信号可以在信号传输结构500中与第二反射信号相消干涉。
例如,尽管第一过孔410和第二过孔420可以单独地用作高频信号的信号传输中的阻抗不连续,但是第一反射信号和第二反射信号通过第一反射信号和第二反射信号之间的相消干涉可以消失或者可以衰减,从而在通过输入线100、岔线200和互连器400传输时防止或使高频信号的反射损耗最小化。
因此,尽管第一过孔410和第二过孔420在传输高频信号时可以用作单独的阻抗不连续点,但是通过将过孔间隙距离D控制为低于高频信号的四分之一波长,可以使高频信号的反射损耗最小化。因此,信号传输结构500可以高效地传输低频信号和高频信号两者。
只要过孔间隙距离D可以低于高频信号的四分之一波长,第一过孔410和第二过孔420的构造和位置就可以根据信号传输结构500的要求和特性而变化。
图7示出了图1中所示的信号传输结构的第一修改的立体图。在图7中,除了修改输入线190之外,第一修改信号传输结构501可以与图1中所示的信号传输结构500具有基本相同的配置。在图7中,相同的附图标记表示图1中的相同元件并且在下文中可以省略对相同元件的进一步详细描述。
参照图7,第一修改信号传输结构501可以包括修改输入线190。修改输入线190可以包括第一分离线(separation line)130(设置有输入端子101)和第二分离线160(设置有接触端子102)。
第一分离线130和第二分离线160可以通过第三过孔450彼此连接。第三过孔450可以在第三方向III上从第一分离线130向上延伸并且可以接触第二分离线160的下表面(例如,第三过孔450可以在第一分离线和第二分离线160之间延伸)。在一个实施中,第三过孔450可以作为单个过孔设置。
例如,可以以这样的方式控制岔线200:使得岔线200的特性阻抗可以与接触端子102的特性阻抗不同,并且可以与过孔线430和输出线300的特性阻抗相同。然后,第三过孔450可以与接触端子102分隔开第一间隙距离D1,并且第一间隙距离D1可以被控制为低于高频信号S的四分之一波长。因此,可以在第三过孔450的点处充分地使高频信号S的反射损耗最小化。
高频信号S可以施加到第一分离线130的输入端子101,第三过孔450可以用作阻抗不连续,并且可以在第三过孔450的点处产生第一反射信号。相反,因为接触端子102的特性阻抗可以与岔线200不同,所以接触端子102还可以用作另一阻抗不连续。因此,可以在接触端子102的点处产生第二反射信号。
第三过孔450和接触端子102可以彼此分隔开低于高频信号的四分之一波长,第一反射信号可以与第二反射信号相消干涉,因此,第一反射信号和第二反射信号在第一修改信号传输结构501中可以消失或可以被最小化。因此,高频信号S可以在没有任何信号损耗的情况下传输到输出线300。
此外,可以通过与参照图1至图6中详细描述的结构相同结构在岔线200和输出线300之间使高频信号的信号损耗最小化。
例如,只要输入线100的阻抗不连续处的反射损耗可以通过相消干涉被消除或被充分最小化,输入线100就可以进行各种修改。
图8示出了图1中所示的信号传输结构的第二修改的立体图。在图8中,除了第一过孔410可以从互连器400移除并且过孔线430可以与分支线200直接接触之外,第二修改信号传输结构502可以与图1中所示的第一修改信号传输结构501具有基本相同的配置。在图8中,相同的附图标记表示图7中的相同元件,并且在下文中,可以省略对相同元件的进一步详细描述。
参照图8,以使得过孔线430可以与岔线200直接接触(其间没有第一过孔410)这样的配置,第二修改信号传输结构502可以包括具有第二过孔420和过孔线430的修改互连器401,而没有第一过孔410。因此,岔线200可以直接连接到过孔线430,并且过孔线430可以通过第二过孔420的方式连接到输出线300。
因此,接触端子102、岔线200和过孔线430可以具有不同的特性阻抗,并且输出线300可以与过孔线430和岔线200的接触点具有相同的特性阻抗,并且由于形状变化,过孔线430可以用作附加的阻抗不连续。
在这种情况下,可以将接触端子102和接触点C之间的第二间隙距离D2控制为低于高频信号的四分之一波长,并且第二过孔420和接触点C之间的第三间隙距离D3也可以被控制为低于高频信号的四分之一波长。例如,尽管可以在接触点C处产生第三反射信号并且可以在第二过孔420处产生第四反射信号,但是第三反射信号和第四反射信号可以彼此相消干涉并且可以在岔线200和过孔线430中被去除或被最小化,从而使在岔线200和过孔线430中的高频信号的反射损耗最小化。
例如,可以通过与从接触端子102反射的反射信号的相消干涉来去除从第三过孔450反射的反射信号,从而使第一分离线130中的反射损耗最小化,并且可以通过与从第二过孔420反射的反射信号的相消干涉来去除从接触点C反射的反射信号。
因此,第一反射信号至第四反射信号在第二修改信号传输结构502中可以消失或可以被最小化,并且高频信号S可以没有任何信号损耗地被传输到输出线300。
图9示出了图1中所示的信号传递结构的第三修改的立体图。
参照图9,第三修改信号传输结构503可以包括具有可以提供输入端子101的第一分离线130和可以提供接触端子102的第二分离线160的修改输入线190。在第三修改信号传输结构503中,输出线300可以与岔线200直接连接。
第一分离线130和第二分离线160可以通过具有第一过孔410、第二过孔420和过孔线430的互连器400彼此连接。用于连接第一分离线130和第二分离线160的互连器400的配置可以与如参照图5和图6详细描述的用于连接岔线200和输出线300的互连器400的配置基本相同。因此,在下文中可以省略关于用于连接第一分离线130和第二分离线160的互连器400的配置的进一步详细描述。
与图1中所示的信号传输结构500相比,岔线200可以直接连接到输出线300并且互连器400可以设置在第一离线130和第二分离线160之间。
在这种情况下,可以以使得输出线300可以与岔线200具有相同的特性阻抗这样的方式来修改输出线300。因此,可以根据特性阻抗对输出线300进行各种修改,为了便于理解,图9中所示的输出线300可以被示例性地公开。
岔线200可以与第二分离线160的接触端子102具有基本相同的特性阻抗,并且输出线300可以与岔线200具有基本相同的特性阻抗。因此,沿第二分离线160、岔线200和输出线300不会产生阻抗不连续。
因此,当高频信号由第三修改信号传输结构503传输时,可以仅在第一过孔410和第二过孔420的点处产生阻抗不连续。在与图1中的互连器400相同的配置中,第一过孔410和第二过孔420之间的过孔间隙距离D可以被控制为低于高频信号的四分之一波长,以使互连器400中的反射损耗最小化。
例如,过孔线430也可以被成形为锥形,锥形的宽度可以从第一过孔410到第二过孔420逐步增加,从而消除了过孔线430中的阻抗不连续。
图10示出了根据示例实施例的用于测试具有信号传输结构的半导体器件的测试装置的框图。
参照图10,根据示例实施例的测试装置1000可以包括测试部分700、控制器800和信号传输结构600,在测试部分700中可以通过测试过程测试多个被测半导体器件(DUT),控制器800产生信号并且控制测试过程,信号传输结构600可以被施加信号并且将信号分叉为多个测试信号。信号传输结构600可以将分离的测试信号分别传输到每个DUT。
可以在每个测试部分700上布置测试台,并且可以将待测半导体器件装载到每个测试台上。例如,DUT可以包括其上可以布置集成芯片(IC)的硅晶片、通过切割工艺将硅晶片分割为的裸片和可以完成封装工艺的半导体封装。多个DUT可以堆叠在卡匣(cassette)中,并且卡匣可以移动到其上放置有多个测试台的测试装置1000的测试板TB上。然后,每个DUT可以通过机器人臂单独地从卡匣中拣出,并且可以单独地装载到测试装置1000的每个测试板上。
控制器800可以包括用于产生用于测试DUT的信号以及用于控制对每个DUT的每个测试过程的各种控制处理器。此外,每个DUT上的测试结果可以被传输到控制器800,并且控制器800可以分析和存储测试结果。
例如,控制器800可以产生各种测试信号,诸如,用于驱动读取和/或写入操作的控制信号CTRL、用于指定DUT的地址号的地址信号ADDR、以及用于测试DUT的测试数据DQ。控制信号CTRL可以包括用于写入操作和读取操作的各种指令。地址信号ADDR可以在写入操作模式中在由地址编号指定的位置处写入测试数据DQ。此外,地址信号ADDR可以在读取操作模式中在由地址编号指定的位置处读取测试数据DQ。
在本示例实施例中,所产生的信号可以从控制器800产生,并且可以被传输到测试板TB。该信号可以包括具有大约4GHz至大约15FHz的频率的高频信号。在对DUT的测试过程的初始时间,可以将信号施加到测试板TB上的信号传输结构600。
在本示例实施例中,信号传输结构600可以包括锥形输入线100、岔线、可以从其输出信号的至少一个输出线和互连器,锥形输入线100沿第一方向延伸并且具有可以被施加信号的输入端子和接触端子使得输入线100的宽度可以在第一方向上从输入端子到接触端子增加,岔线与输入线100的接触端子接触并且沿第二方向延伸,互连器与岔线和输出线连接并且具有第一过孔、第二过孔和用于连接第一过孔和第二过孔的过孔线。
信号传输结构600可以具有与参照图1和图9详细描述的信号传输结构基本相同的结构。因此,在下文中省略对信号传递结构600区域的任何详细描述。
例如,输入线100的宽度可以沿信号传输方向逐步增加,使得输入线100的特性阻抗可以与岔线200的特性阻抗匹配。此外,可以控制第一过孔和第二过孔彼此分隔开低于高频信号的四分之一波长的过孔间隙距离。因此,尽管高频信号可以施加到输入线100并且互连器400可以用作阻抗不连续,但是由于从第一过孔和第二过孔反射的反射信号之间的相消干涉,从第一过孔和第二过孔反射的反射信号可以被去除或被最小化,从而使高频信号的反射损耗最小化。因此,由于最小化的反射损耗,可以充分提高测试装置的可靠性。
通过总结和回顾,由于近来半导体器件的高性能和高集成度的趋势,ATE的电路板可以从单层板变成多层板。因此,测试信号的信号完整性可以通过用于连接电路板的多层的互连器处的阻抗不连续、以及输入线和分支线之间的分叉点处的阻抗不连续而改变。在多层板中,在下层中水平延伸的下部信号传输线可以通过垂直过孔结构连接到在上层中水平延伸的上部信号传输线。因此,信号线的阻抗会在过孔结构所处的点处改变。
在信号线的阻抗沿着从输入线到输出线的信号线连续或不变的条件下,可以使信号传输的效率最大化。例如,可以沿传输线使阻抗不连续最小化,以提高信号传输的效率。
测试信号可以从阻抗的不连续点反射,然后反射信号可以干扰输入线中的另一个测试信号。例如,由于反射信号和测试信号之间的信号相消干涉,测试信号会逐渐衰减。输入线中的测试信号的衰减会导致时间延迟的上升和/或下降,这使得难以为ATE中的眼图设置足够大的眼裕量。
例如,当高频信号被传输作为测试信号时,高频的波长可以如此短,以至于只是作为用于连接彼此分开的传输线的互连器的过孔结构实际上用作附加的传输线。例如,可以在信号分析中处理通路结构,就好像通路结构是与原始传输线不同的信号线。
在这种情况下,传输线的阻抗可以在过孔结构处变得额外不连续,结果,由于过孔结构点处的额外阻抗不连续,测试信号的回波损耗可趋于沿整个传输线增加。
根据一个实施例,单个信号可以被施加到信号传输结构并且可以被分叉为多个测试信号,并且可以将分叉出的测试信号分别传输到多个被测设备(DUT),即使当可以施加高频信号时,也可以充分减少信号的反射损耗。可以被施加信号的输入线可以被成形为锥形,锥形的宽度可以沿信号传输方向逐步增加,从而输入线的特性阻抗与通过其信号被分叉为测试信号的岔线的特性阻抗充分匹配。例如,可以控制一对相邻的阻抗不连续点彼此分隔开低于高频信号的四分之一波长的间隙距离,从而从每个阻抗不连续点反射的反射信号可以通过反射信号之间的相消干涉来消除或最小化。因此,无论高频信号和低频信号,信号都可以在信号传输结构中以足够的完整性传输,并且测试装置可以通过使用信号传输结构来提高测试可靠性。
已经在此公开了示例实施例,并且尽管采用了特定术语,但是它们仅以一般性和描述性意义来使用和解释,而不是出于限制的目的。在某些情况下,除非另有具体指示,如在提交本申请时本领域普通技术人员将清楚的那样,结合特定实施例描述的特点、特性和/或元件可以单独使用,或者与结合其他实施例描述的特点、特性和/或元件组合。因此,本领域技术人员将理解,在不脱离权利要求中阐述的本发明的精神和范围的情况下,可以在形式和细节上进行各种改变。
Claims (20)
1.一种信号传输结构,所述信号传输结构包括:
锥形输入线,沿第一方向延伸并且具有输入端子和接触端子,所述输入线的宽度在所述第一方向上从所述输入端子到所述接触端子增加,并且信号输入到所述输入端子;
岔线,与所述输入线的所述接触端子接触并且沿不同于所述第一方向的第二方向延伸;
输出线,连接到所述岔线并且从所述输出线输出所述信号;以及
互连器,所述互连器包括垂直过孔和过孔线,所述垂直过孔在所述岔线和所述输出线之间,所述过孔线连接到所述垂直过孔并且与所述输出线具有相同的特性阻抗。
2.根据权利要求1所述的信号传输结构,其中,所述垂直过孔包括:
第一过孔,在垂直于所述第一方向和所述第二方向的第三方向上从所述岔线向上延伸,以及
第二过孔,在所述第三方向上从所述输出线向下延伸,使得所述第一过孔和所述第二过孔通过所述过孔线彼此电连接。
3.根据权利要求2所述的信号传输结构,其中,所述过孔线与所述岔线具有相同的特性阻抗并且在所述第一方向上延伸,使得所述第一过孔和所述第二过孔在所述第一方向上分隔开并且位于所述第三方向的不同水平处,所述第一过孔的上表面与所述过孔线的下表面接触并且所述第二过孔的下表面与所述过孔线的上表面接触。
4.根据权利要求3所述的信号传输结构,其中:
所述信号包括基带数字信号,以及
所述第一过孔和所述第二过孔分隔开低于所述基带数字信号的四分之一波长的过孔间隙距离。
5.根据权利要求3所述的信号传输结构,其中,所述岔线与所述接触端子具有相同的特性阻抗,使得所述接触端子、所述岔线、所述过孔线和所述输出线具有相同的特性阻抗。
6.根据权利要求3所述的信号传输结构,其中,所述输入线被分为具有所述输入端子的第一分离线和具有所述接触端子的第二分离线,所述第一分离线和所述第二分离线位于不同水平处。
7.根据权利要求6所述的信号传输结构,所述信号传输结构还包括将所述第一分离线与所述第二分离线连接的第三过孔。
8.根据权利要求7所述的信号传输结构,其中:
所述岔线与所述接触端子具有不同的特性阻抗,以及
所述第三过孔与所述接触端子分隔开低于所述信号四分之一波长的间隙距离。
9.根据权利要求1所述的信号传输结构,其中:
所述输入线被分为具有所述输入端子的第一分离线和具有所述接触端子的第二分离线,使得所述第一分离线和所述第二分离线位于不同水平处;以及
所述垂直过孔包括与所述第一分离线和所述第二分离线连接的第一过孔和从所述过孔线向上延伸的第二过孔,使得所述垂直过孔与所述输出线接触并且所述过孔线与所述岔线接触。
10.根据权利要求9所述的信号传输结构,其中,所述接触端子、所述岔线和所述过孔线具有不同的特性阻抗。
11.根据权利要求10所述的信号传输结构,其中,所述第一过孔与所述接触端子之间的第一间隙距离,所述接触端子周围的所述岔线与所述岔线和所述过孔线的接触点之间的第二间隙距离,以及所述岔线周围的所述过孔线与所述第二过孔之间的第三间隙距离低于所述信号的四分之一波长。
12.根据权利要求1所述的信号传输结构,其中,所述输入线的宽度以步进方式增加。
13.根据权利要求1所述的信号传输结构,其中,所述输入线的所述宽度以连续的方式增加。
14.根据权利要求1所述的信号传输结构,其中,所述垂直过孔包括:
第一过孔,连接所述岔线和所述过孔线,以及
第二过孔,与所述第一过孔分隔开并且连接所述输出线和所述过孔线,使得所述第一过孔通过所述过孔线连接到所述第二过孔。
15.一种信号传输结构,所述信号传输结构包括:
锥形输入线,沿第一方向延伸并且具有沿所述第一方向增加的宽度,使得所述输入线被分为在不同水平处的具有被输入信号的输入端子的第一分离线和具有接触端子的第二分离线;
岔线,与所述输入线的所述接触端子接触并且沿不同于所述第一方向的第二方向延伸;
输出线,直接连接到所述岔线并且从所述岔线输出所述信号;以及
互连器,互连所述第一分离线和所述第二分离线,并且具有第一过孔、第二过孔和过孔线,使得:
所述第一过孔沿第三方向从所述第一分离线向上延伸,从而与所述过孔线接触,所述第三方向垂直于所述第一方向和所述第二方向;
所述第二过孔沿所述第三方向从所述第二分离线向下延伸,从而与所述过孔线接触;以及
所述过孔线具有与所述第一分离线和所述第二分离线的特性阻抗相同的特性阻抗。
16.根据权利要求15所述的信号传输结构,其中:
所述信号包括基带数字信号,以及
所述第一过孔和所述第二过孔分隔开低于所述基带数字信号的四分之一波长的过孔间隙距离。
17.根据权利要求15所述的信号传输结构,其中,所述过孔线具有锥形形状,所述锥形形状的宽度从所述第一过孔到所述第二过孔增加。
18.根据权利要求17所述的信号传输结构,其中,所述过孔线的所述宽度以步进方式增加。
19.根据权利要求15所述的信号传输结构,其中,所述第二分离线、所述岔线和所述输出线具有相同的特性阻抗,使得沿所述第二分离线、所述岔线和所述输出线不产生阻抗不连续。
20.根据权利要求15所述的信号传输结构,其中,所述输入线的所述宽度以步进方式增加。
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---|---|---|---|---|
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Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000269710A (ja) * | 1999-03-18 | 2000-09-29 | Nec Corp | 電力合成装置 |
CN101662882A (zh) * | 2005-01-25 | 2010-03-03 | 财团法人工业技术研究院 | 高频宽带阻抗匹配的传输孔 |
US20140083756A1 (en) * | 2010-08-26 | 2014-03-27 | Conti Temic Microelectronic Gmbh | Multi-Level Circuit Board for High-Frequency Applications |
CN204885524U (zh) * | 2015-08-14 | 2015-12-16 | 泰科电子(上海)有限公司 | 连接端子、连接器、线束组件及汽车can总线用连接器 |
CN106680685A (zh) * | 2015-11-11 | 2017-05-17 | 三星电子株式会社 | 用于减小反射损失的阻抗匹配器件及具有其的测试系统 |
CN106714449A (zh) * | 2015-07-16 | 2017-05-24 | 台达电子企业管理(上海)有限公司 | 过孔结构及具有该过孔结构的电路板 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3309056B2 (ja) | 1996-12-27 | 2002-07-29 | 京セラ株式会社 | 高周波素子収納用パッケージ |
JPH1174396A (ja) * | 1997-08-28 | 1999-03-16 | Kyocera Corp | 高周波用入出力端子ならびに高周波用半導体素子収納用パッケージ |
JP3710652B2 (ja) | 1999-08-03 | 2005-10-26 | 三菱電機株式会社 | ストリップライン給電装置 |
TW525417B (en) | 2000-08-11 | 2003-03-21 | Ind Tech Res Inst | Composite through hole structure |
JP4462758B2 (ja) | 2000-12-27 | 2010-05-12 | 京セラ株式会社 | 高周波用配線基板 |
JP2004259960A (ja) | 2003-02-26 | 2004-09-16 | Kyocera Corp | 配線基板 |
JP4004048B2 (ja) * | 2003-04-11 | 2007-11-07 | Tdk株式会社 | 高周波伝送線路 |
JP2005347924A (ja) * | 2004-06-01 | 2005-12-15 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | 高周波信号伝送線路基板 |
US7294904B1 (en) | 2005-02-10 | 2007-11-13 | Xilinx, Inc. | Integrated circuit package with improved return loss |
US7404250B2 (en) | 2005-12-02 | 2008-07-29 | Cisco Technology, Inc. | Method for fabricating a printed circuit board having a coaxial via |
JP5417622B2 (ja) | 2009-08-19 | 2014-02-19 | 独立行政法人 宇宙航空研究開発機構 | アナログ・デジタル積層型可変移相器 |
US8354601B2 (en) | 2010-02-25 | 2013-01-15 | Russell James V | Method and structure for coaxial via routing in printed circuit boards for improved signal integrity |
WO2012024007A2 (en) * | 2010-05-21 | 2012-02-23 | University Of Virginia Patent Foundation | Micromachined on-wafer probes and related method |
US9041208B2 (en) | 2011-11-02 | 2015-05-26 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Laminate interconnect having a coaxial via structure |
US9472873B1 (en) * | 2015-08-12 | 2016-10-18 | Lattice Semiconductor Corporation | Reversible receptacle connector |
FR3040112B3 (fr) * | 2015-08-14 | 2017-09-29 | Tyco Electronics Shanghai Co Ltd | Connecteur, ensemble faisceau de cables, connecteur de bus can de vehicule et borne de connexion |
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000269710A (ja) * | 1999-03-18 | 2000-09-29 | Nec Corp | 電力合成装置 |
CN101662882A (zh) * | 2005-01-25 | 2010-03-03 | 财团法人工业技术研究院 | 高频宽带阻抗匹配的传输孔 |
US20140083756A1 (en) * | 2010-08-26 | 2014-03-27 | Conti Temic Microelectronic Gmbh | Multi-Level Circuit Board for High-Frequency Applications |
CN106714449A (zh) * | 2015-07-16 | 2017-05-24 | 台达电子企业管理(上海)有限公司 | 过孔结构及具有该过孔结构的电路板 |
CN204885524U (zh) * | 2015-08-14 | 2015-12-16 | 泰科电子(上海)有限公司 | 连接端子、连接器、线束组件及汽车can总线用连接器 |
CN106680685A (zh) * | 2015-11-11 | 2017-05-17 | 三星电子株式会社 | 用于减小反射损失的阻抗匹配器件及具有其的测试系统 |
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