CN110799487A

CN110799487A - 新型化合物及利用其的有机发光器件

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Publication number: CN110799487A
Application number: CN201880043029.4A
Authority: CN
Inventors: 河宰承; 李成宰
Original assignee: LG Chem Ltd
Current assignee: LG Chem Ltd
Priority date: 2017-10-24
Filing date: 2018-07-06
Publication date: 2020-02-14
Anticipated expiration: 2038-07-06
Also published as: CN110799487B; KR20190045812A; KR102142676B1

Abstract

本发明提供新型化合物及利用其的有机发光元件。

Description

新型化合物及利用其的有机发光器件

技术领域

与相关申请的相互引用

本申请主张基于2017年10月24日的韩国专利申请第10-2017-0138673号以及2018年5月30日的韩国专利申请第10-2018-0062160号的优先权，包含该韩国专利申请的文献中公开的全部内容作为本说明书的一部分。

本发明涉及新型化合物及包含其的有机发光元件。

背景技术

通常情况下，有机发光现象是指利用有机物质将电能转换为光能的现象。利用有机发光现象的有机发光元件具有宽视角、优异的对比度、快速响应时间，亮度、驱动电压和响应速度特性优异，因此正在进行大量的研究。

有机发光元件通常具有包含阳极和阴极以及位于上述阳极与阴极之间的有机物层的结构。为了提高有机发光元件的效率和稳定性，上述有机物层大多情况下由分别利用不同的物质构成的多层结构形成，例如，可以由空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层等形成。对于这样的有机发光元件的结构而言，如果在两电极之间施加电压，则空穴从阳极注入至有机物层，电子从阴极注入至有机物层，当所注入的空穴和电子相遇时会形成激子(exciton)，并且当该激子重新跃迁至基态时就会发出光。

对用于如上所述的有机发光元件的有机物，持续要求开发新的材料。

现有技术文献

专利文献

(专利文献0001)韩国专利公开号第10-2000-0051826号

发明内容

所要解决的课题

本发明涉及新型化合物及包含其的有机发光元件。

课题的解决方法

本发明提供由下述化学式1表示的化合物：

[化学式1]

上述化学式1中，

L₁和L₂各自独立地为单键；取代或未取代的C_6-60亚芳基；或者取代或未取代的包含选自N、O和S中的任意一者或更多者的杂原子的C_2-60亚杂芳基，

R₁至R₅各自独立地为氢、氘、卤素基团、氰基、取代或未取代的C_1-60烷基、取代或未取代的C_1-60烷氧基、取代或未取代的C_1-60硫代烷基、取代或未取代的C_3-60环烷基、取代或未取代的C_6-60芳基、或三(C_1-60烷基)甲硅烷基，

a至e各自独立地为0至3的整数，

Ar为取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的四联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的三亚苯基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基、或者由下述化学式2或3表示的取代基，

[化学式2]

所述化学式2中，

R₆和R₇各自独立地为C_1-60烷基，或者R₅和R₆彼此结合而形成C_3-60环烷烃环，

[化学式3]

所述化学式3中，

R₈和R₉各自独立地为C_6-60芳基，

其中，-L₂-Ar的结构为苯基或联苯基时，L₁不是单键。

另外，本发明提供一种有机发光元件，其中，包含：第一电极、与上述第一电极对置而具备的第二电极、以及具备在上述第一电极与上述第二电极之间的一层以上的有机物层，上述有机物层中的一层以上包含由上述化学式1表示的化合物。

发明效果

上述的由化学式1表示的化合物可用作有机发光元件的有机物层的材料，在有机发光元件中能够实现效率的提高、较低的驱动电压和/或寿命特性的提高。特别是，由上述的化学式1表示的化合物可用作空穴注入、空穴传输、空穴注入和传输、发光、电子传输或电子注入的材料。

附图说明

图1图示了由基板1、阳极2、发光层3、阴极4构成的有机发光元件的例子。

图2图示了由基板1、阳极2、空穴注入层5、空穴传输层6、发光层7、电子传输层8、以及阴极4构成的有机发光元件的例子。

具体实施方式

下面，为了帮助理解本发明而更详细地进行说明。

本发明提供由下述化学式1表示的化合物。

本说明书中，是指与其它取代基连接的键。

本说明书中，“取代或未取代的”这一用语的意思是被选自氘；卤素基团；腈基；硝基；羟基；羰基；酯基；酰亚胺基；氨基；氧化膦基；烷氧基；芳氧基；烷基硫基(

Alkyl thioxy)；芳基硫基(Aryl thioxy)；烷基磺酰基(Alkyl sulfoxy)；芳基磺酰基(

Aryl sulfoxy)；甲硅烷基；硼基；烷基；环烷基；烯基；芳基；芳烷基；芳烯基；烷基芳基；烷基胺基；芳烷基胺基；杂芳基胺基；芳基胺基；芳基膦基；或包含N、O和S原子中的一个以上的杂环基中的一个以上的取代基取代或未取代，或者被上述例示的取代基中的2个以上的取代基连接而成的取代或未取代。例如，“2个以上的取代基连接而成的取代基”可以为联苯基。即，联苯基可以为芳基，也可以被解释为2个苯基连接而成的取代基。

本说明书中，羰基的碳原子数没有特别限定，但优选碳原子数为1至40。具体而言，可以为如下结构的化合物，但并不限定于此。

本说明书中，酯基中，酯基的氧可以被碳原子数1至25的直链、支链或环状的烷基或碳原子数6至25的芳基取代。具体而言，可以为如下结构式的化合物，但并不限定于此。

本说明书中，酰亚胺基的碳原子数没有特别限定，但优选碳原子数为1至25。具体而言，可以为如下结构的化合物，但并不限定于此。

本说明书中，甲硅烷基具体有三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、叔丁基二甲基甲硅烷基、乙烯基二甲基甲硅烷基、丙基二甲基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、二苯基甲硅烷基、苯基甲硅烷基等，但并不限定于此。

本说明书中，硼基具体有三甲基硼基、三乙基硼基、叔丁基二甲基硼基、三苯基硼基、苯基硼基等，但并不限定于此。

本说明书中，作为卤素基团的示例，有氟、氯、溴或碘。

本说明书中，上述烷基可以为直链或支链，碳原子数没有特别限定，但优选为1至40。根据一实施方式，上述烷基的碳原子数为1至20。根据另一实施方式，上述烷基的碳原子数为1至10。根据另一实施方式，上述烷基的碳原子数为1至6。作为烷基的具体示例，有甲基、乙基、丙基、正丙基、异丙基、丁基、正丁基、异丁基、叔丁基、仲丁基、1-甲基-丁基、1-乙基-丁基、戊基、正戊基、异戊基、新戊基、叔戊基、己基、正己基、1-甲基戊基、2-甲基戊基、4-甲基-2-戊基、3,3-二甲基丁基、2-乙基丁基、庚基、正庚基、1-甲基己基、环戊基甲基、环己基甲基、辛基、正辛基、叔辛基、1-甲基庚基、2-乙基己基、2-丙基戊基、正壬基、2,2-二甲基庚基、1-乙基-丙基、1,1-二甲基-丙基、异己基、2-甲基戊基、4-甲基己基、5-甲基己基等，但并不限定于此。

本说明书中，上述烯基可以为直链或支链，碳原子数没有特别限定，但优选为2至40。根据一实施方式，上述烯基的碳原子数为2至20。根据另一实施方式，上述烯基的碳原子数为2至10。根据另一实施方式，上述烯基的碳原子数为2至6。作为具体例，有乙烯基、1-丙烯基、异丙烯基、1-丁烯基、2-丁烯基、3-丁烯基、1-戊烯基、2-戊烯基、3-戊烯基、3-甲基-1-丁烯基、1,3-丁二烯基、烯丙基、1-苯基乙烯-1-基、2-苯基乙烯-1-基、2,2-二苯基乙烯-1-基、2-苯基-2-(萘-1-基)乙烯-1-基、2,2-双(二苯-1-基)乙烯-1-基、茋基、苯乙烯基等，但并不限定于此。

本说明书中，环烷基没有特别限定，但优选为碳原子数3至60的环烷基，根据一实施方式，上述环烷基的碳原子数为3至30。根据另一实施方式，上述环烷基的碳原子数为3至20。根据另一实施方式，上述环烷基的碳原子数为3至6。具体而言，有环丙基、环丁基、环戊基、3-甲基环戊基、2,3-二甲基环戊基、环己基、3-甲基环己基、4-甲基环己基、2,3-二甲基环己基、3,4,5-三甲基环己基、4-叔丁基环己基、环庚基、环辛基等，但并不限定于此。

本说明书中，芳基没有特别限定，但优选为碳原子数6至60的芳基，可以为单环芳基或多环芳基。根据一实施方式，上述芳基的碳原子数为6至30。根据一实施方式，上述芳基的碳原子数为6至20。关于上述芳基，作为单环芳基，可以为苯基、联苯基、三联苯基等，但并不限定于此。作为上述多环芳基，可以为萘基、蒽基、菲基、芘基、苝基、基、芴基等，但并不限定于此。

本说明书中，芴基可以被取代，2个取代基可以彼此结合而形成螺结构。在上述芴基被取代的情况下，可以成为

等，但并不限定于此。

本说明书中，杂环基是包含O、N、Si和S中的一个以上作为杂原子的杂环基，碳原子数没有特别限定，但优选碳原子数为2至60。作为杂环基的示例，有噻吩基、呋喃基、吡咯基、咪唑基、噻唑基、

唑基、

二唑基、三唑基、吡啶基、联吡啶基、嘧啶基、三嗪基、吖啶基、哒嗪基、吡嗪基、喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、酞嗪基、吡啶并嘧啶基、吡啶并吡嗪基、吡嗪并吡嗪基、异喹啉基、吲哚基、咔唑基、苯并唑基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、苯并咔唑基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、苯并呋喃基、菲咯啉基(phenanthroline)、异

唑基、噻二唑基、吩噻嗪基和二苯并呋喃基等，但不仅限于此。

本说明书中，芳烷基、芳烯基、烷基芳基、芳基胺基中的芳基与上述芳基的示例相同。本说明书中，芳烷基、烷基芳基、烷基胺基中的烷基与上述烷基的示例相同。本说明书中，杂芳基胺中的杂芳基可以适用上述关于杂环基的说明。本说明书中，芳烯基中的烯基与上述烯基的示例相同。本说明书中，亚芳基为2价基团，除此以外，可以适用上述的关于芳基的说明。本说明书中，亚杂芳基为2价基团，除此以外，可以适用上述关于杂环基的说明。本说明书中，烃环不是1价基团，而是2个取代基结合而成，除此以外，可以适用上述关于芳基或环烷基的说明。本说明书中，杂环不是1价基团，而是2个取代基结合而成，除此以外，可以适用上述关于杂环基的说明。

上述化学式1中，-L₂-Ar的结构为苯基或联苯基时，L₁不是单键。这时，-L₂-Ar的结构为苯基或联苯基是指，L₂为单键，Ar为苯基的情况；L₂为单键，Ar为联苯基的情况；或者L₂为亚苯基，Ar为苯基的情况。更优选地，-L₂-Ar的结构为苯基或联苯基时，L₁为亚苯基。

上述化学式1中，优选地，L₁和L₂各自独立地为单键或亚苯基。

优选地，R₁至R₅为氢。

上述化学式2中，优选地，R₆和R₇为甲基，或者R₆和R₇彼此结合而形成环戊烷或环己烷环。

上述化学式3中，优选地，R₈和R₉为苯基。

优选地，Ar为选自苯基、联苯基、三联苯基、四联苯基、萘基、菲基、三亚苯基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、或者下述结构中的任一个：

由上述化学式1表示的化合物的代表例如下所示：

由上述化学式1表示的化合物可以通过如下述反应式1的制造方法进行制造。

[反应式1]

上述反应式1中，L₁、L₂、R₁至R₅、a至e、以及Ar与上述定义相同，X表示卤素基团。优选地，X为氯或溴。

上述反应式1作为胺取代反应，是使由上述化学式1-a表示的化合物和由上述化学式1-b表示的化合物在有钯催化剂和碱的条件下进行反应，从而制造由上述化学式1表示的化合物的反应。上述制造方法可以在即将后述的制造例中进一步具体化。

另外，本发明提供包含由上述化学式1表示的化合物的有机发光元件。作为一个例子，本发明提供一种有机发光元件，其中，包含：第一电极、与上述第一电极对置而具备的第二电极、以及具备在上述第一电极与上述第二电极之间的一层以上的有机物层，上述有机物层中的一层以上包含由上述化学式1表示的化合物。

本发明的有机发光元件的有机物层可以由单层结构形成，也可以由层叠有两层以上的有机物层的多层结构形成。例如，本发明的有机发光元件可以具有包含空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层等作为有机物层的结构。但是，有机发光元件的结构并不限定于此，可以包含更少数量的有机层。

另外，上述有机物层可以包含空穴注入层、空穴传输层、或同时进行空穴注入和传输的层，上述空穴注入层、空穴传输层、或同时进行空穴注入和传输的层包含由上述化学式1表示的化合物。

另外，上述有机物层可以包含发光层，上述发光层包含由上述化学式1表示的化合物。特别是，根据本发明的化合物可以用作发光层的掺杂剂。

另外，上述有机物层可以包含电子传输层或电子注入层，上述电子传输层或电子注入层包含由上述化学式1表示的化合物。

另外，上述电子传输层、电子注入层、或同时进行电子注入和电子传输的层包含由上述化学式1表示的化合物。

另外，上述有机物层包含发光层和电子传输层，上述电子传输层可以包含由上述化学式1表示的化合物。

另外，根据本发明的有机发光元件可以为在基板上依次层叠有阳极、一层以上的有机物层和阴极的结构(标准型(normal type))的有机发光元件。此外，根据本发明的有机发光元件可以为在基板上依次层叠有阴极、一层以上的有机物层和阳极的逆向结构(倒置型(inverted type))的有机发光元件。例如，根据本发明的一实施例的有机发光元件的结构例示于图1和2。

图1图示了由基板1、阳极2、发光层3、阴极4构成的有机发光元件的例子。在如上所述的结构中，由上述化学式1表示的化合物可以包含在上述发光层中。

图2图示了由基板1、阳极2、空穴注入层5、空穴传输层6、发光层7、电子传输层8以及阴极4构成的有机发光元件的例子。在如上所述的结构中，由上述化学式1表示的化合物可以包含在上述空穴注入层、空穴传输层、发光层以及电子传输层中的一层以上。

就根据本发明的有机发光元件而言，上述有机物层中的一层以上包含由上述化学式1表示的化合物，除此以外，可以利用该技术领域公知的材料和方法进行制造。此外，当上述有机发光元件包含多个有机物层时，上述有机物层可以由相同的物质或不同的物质形成。

例如，根据本发明的有机发光元件可以通过在基板上依次层叠第一电极、有机物层和第二电极而制造。这时可以如下制造：利用溅射法(sputtering)或电子束蒸发法(e-beam evaporation)之类的PVD(physical Vapor Deposition：物理气相沉积)方法，在基板上蒸镀金属或具有导电性的金属氧化物或它们的合金而形成阳极，然后在该阳极上形成包含空穴注入层、空穴传输层、发光层和电子传输层的有机物层，之后在该有机物层上蒸镀可用作阴极的物质而制造。除了这种方法以外，也可以在基板上依次蒸镀阴极物质、有机物层、阳极物质而制造有机发光元件。

另外，由上述化学式1表示的化合物在制造有机发光元件时不仅可以利用真空蒸镀法，还可以利用溶液涂布法来形成有机物层。在这里，所谓溶液涂布法是指旋涂法、浸涂法、刮涂法、喷墨印刷法、丝网印刷法、喷雾法、辊涂法等，但不仅限于此。

除了这些方法以外，还可以在基板上依次蒸镀阴极物质、有机物层、阳极物质而制造有机发光元件(WO2003/012890)。但是，制造方法并不限定于此。

作为一个例子，上述第一电极为阳极，上述第二电极为阴极，或者上述第一电极为阴极，上述第二电极为阳极。

作为上述阳极物质，通常为了使空穴能够顺利地向有机物层注入，优选为功函数大的物质。作为上述阳极物质的具体例，有钒、铬、铜、锌、金等金属或它们的合金；氧化锌、氧化铟、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等金属氧化物；如ZnO:Al或SNO₂:Sb等金属与氧化物的组合；聚(3-甲基噻吩)、聚[3,4-(亚乙基-1,2-二氧)噻吩](PEDOT)、聚吡咯和聚苯胺等导电性高分子等，但不仅限于此。

作为上述阴极物质，通常为了使电子容易地向有机物层注入，优选为功函数小的物质。作为上述阴极物质的具体例，有镁、钙、钠、钾、钛、铟、钇、锂、钆、铝、银、锡和铅等金属或它们的合金；如LiF/Al或LiO₂/Al等多层结构物质等，但不仅限于此。

上述空穴注入层是注入来自电极的空穴的层，作为空穴注入物质，优选为如下化合物：具有传输空穴的能力，具有来自阳极的空穴注入效果、对于发光层或发光材料的优异的空穴注入效果，防止发光层中所产生的激子向电子注入层或电子注入材料迁移，而且薄膜形成能力优异。优选空穴注入物质的HOMO(最高占有分子轨道，highest occupiedmolecular orbital)介于阳极物质的功函数与周围有机物层的HOMO之间。作为空穴注入物质的具体例，有金属卟啉(porphyrin)、低聚噻吩、芳基胺系有机物、六腈六氮杂苯并菲系有机物、喹吖啶酮(quinacridone)系有机物、苝(perylene)系有机物、蒽醌及聚苯胺和聚噻吩系导电性高分子等，但不仅限于此。

上述空穴传输层是接收来自空穴注入层的空穴并将空穴传输至发光层的层，作为空穴传输物质，是能够接收来自阳极或空穴注入层的空穴并将其转移至发光层的物质，对空穴的迁移率大的物质是合适的。作为具体例，有芳基胺系有机物、导电性高分子、以及同时存在共轭部分和非共轭部分的嵌段共聚物等，但不仅限于此。

作为上述发光物质，是能够从空穴传输层和电子传输层分别接收空穴和电子并使它们结合而发出可见光区域的光的物质，优选对于荧光或磷光的量子效率高的物质。作为具体例，有8-羟基喹啉铝配合物(Alq₃)；咔唑系化合物；二聚苯乙烯基(dimerized styryl)化合物；BAlq；10-羟基苯并喹啉金属化合物；苯并唑、苯并噻唑及苯并咪唑系化合物；聚(对亚苯基亚乙烯基)(PPV)系高分子；螺环(spiro)化合物；聚芴、红荧烯等，但不仅限于此。

上述发光层可以包含主体材料和掺杂剂材料。主体材料有芳香族稠环衍生物或含杂环化合物等。具体而言，作为芳香族稠环衍生物，有蒽衍生物、芘衍生物、萘衍生物、并五苯衍生物、菲化合物、荧蒽化合物等，作为含杂环化合物，有咔唑衍生物、二苯并呋喃衍生物、梯型呋喃化合物

嘧啶衍生物等，但并不限定于此。

作为掺杂剂材料，有芳香族胺衍生物、苯乙烯基胺化合物、硼配合物、荧蒽化合物、金属配合物等。具体而言，作为芳香族胺衍生物，是具有取代或未取代的芳基氨基的芳香族稠环衍生物，有具有芳基氨基的芘、蒽、

二茚并芘(Periflanthene)等，作为苯乙烯基胺化合物，是在取代或未取代的芳基胺上取代有至少一个芳基乙烯基的化合物，被选自芳基、甲硅烷基、烷基、环烷基以及芳基氨基中的一个或两个以上的取代基取代或未取代。具体而言，有苯乙烯基胺、苯乙烯基二胺、苯乙烯基三胺、苯乙烯基四胺等，但并不限定于此。此外，作为金属配合物，有铱配合物、铂配合物等，但并不限定于此。

上述电子传输层是从电子注入层接收电子并将电子传输至发光层的层，作为电子传输物质，是能够从阴极良好地接收电子并将其转移至发光层的物质，对电子的迁移率大的物质是合适的。作为具体例，有8-羟基喹啉的Al配合物、包含Alq₃的配合物、有机自由基化合物、羟基黄酮-金属配合物等，但不仅限于此。电子传输层可以如现有技术中所使用的那样与任意期望的阴极物质一同使用。特别是，合适的阴极物质的例子是具有低功函数且伴有铝层或银层的通常的物质。具体为铯、钡、钙、镱和钐，在各个情况下均伴有铝层或银层。

上述电子注入层是注入来自电极的电子的层，优选为如下化合物：具有传输电子的能力，具有来自阴极的电子注入效果、对于发光层或发光材料的优异的电子注入效果，防止发光层中所产生的激子向空穴注入层迁移，而且薄膜形成能力优异。具体而言，有芴酮、蒽醌二甲烷、联苯醌、噻喃二氧化物、

唑、

二唑、三唑、咪唑、苝四羧酸、亚芴基甲烷、蒽酮等和它们的衍生物、金属配位化合物以及含氮五元环衍生物等，但并不限定于此。

作为上述金属配位化合物，有8-羟基喹啉锂、双(8-羟基喹啉)锌、双(8-羟基喹啉)铜、双(8-羟基喹啉)锰、三(8-羟基喹啉)铝、三(2-甲基-8-羟基喹啉)铝、三(8-羟基喹啉)镓、双(10-羟基苯并[h]喹啉)铍、双(10-羟基苯并[h]喹啉)锌、双(2-甲基-8-喹啉)氯化镓、双(2-甲基-8-喹啉)(邻甲酚)镓、双(2-甲基-8-喹啉)(1-萘酚)铝、双(2-甲基-8-喹啉)(2-萘酚)镓等，但并不限定于此。

根据所使用的材料，根据本发明的有机发光元件可以为顶部发光型、底部发光型或双向发光型。

另外，由上述化学式1表示的化合物除了有机发光元件以外，还可以包含在有机太阳能电池或有机晶体管中。

在以下实施例中对由上述化学式1表示的化合物及包含其的有机发光元件的制造具体地进行说明。但是，下述实施例是用于例示本发明，本发明的范围并不限定于此。

[制造例]

制造例1：化合物A1和A2的制造

(化合物A1的制造)

将2-溴三亚苯(50g,162.7mmol)和4-氯苯基硼酸(26.72g,170.9mmol)添加到四氢呋喃(300mL)后，添加2M的碳酸钾水溶液(150mL)，加入四三苯基膦钯(3.76g,2mol％)后，加热并搅拌10小时。将温度降至常温，结束反应后，去除碳酸钾水溶液，进行层分离。去除溶剂后，将白色的固体用乙酸乙酯重结晶，从而制造了上述化合物A1(49.06g,收率89％)。

MS:[M+H]⁺＝889.83

(化合物A2的制造)

在上述化合物A1的制造中，使用(4’-氯-[1,1’-联苯]-4-基)硼酸代替4-氯苯基硼酸，除此以外，通过相同的方法制造了化合物A2。

MS:[M+H]⁺＝415.93

制造例2：化合物A3的制造

在上述化合物A1的制造中，使用三亚苯基-2-基硼酸代替2-溴三亚苯，使用2,6-溴萘代替4-氯苯基硼酸，除此以外，通过相同的方法制造了化合物A3。

MS:[M+H]⁺＝434.35

制造例3：化合物A4和A5的制造

(化合物A4的制造)

在上述化合物A1的制造中，使用3-氯苯基硼酸代替4-氯苯基硼酸，除此以外，通过相同的方法制造了化合物A4。

MS:[M+H]⁺＝339.83

(化合物A5的制造)

在上述化合物A1的制造中，使用2-氯苯基硼酸代替4-氯苯基硼酸，除此以外，通过相同的方法制造了化合物A5。

MS:[M+H]⁺＝339.83

制造例4：化合物B1、B2和B3的制造

(化合物B1的制造)

将9,9-二苯基-9H-芴基-2-胺(30g,89.97mmol)和2-溴三亚苯(27.64g,89.97mmol)、叔丁醇钠(12.1g,125.9mol)加入到甲苯中，加热并搅拌后进行回流，加入[1,1’-双(二苯基膦基)二茂铁]二氯化钯(658mg,1mol％)。将温度降至常温，结束反应后，利用四氢呋喃和乙酸乙酯重结晶，从而制造了化合物B1(42.8g,收率85％)。

MS:[M+H]⁺＝560.71

(化合物B2的制造)

在上述化合物B1的制造中，使用化合物A2代替2-溴三亚苯，除此以外，通过相同的方法制造了化合物B2。

MS:[M+H]⁺＝636.81

(化合物B3的制造)

在上述化合物B1的制造中，使用苯胺代替2-溴三亚苯，除此以外，通过相同的方法制造了化合物B3。

MS:[M+H]⁺＝410.53

[实施例]

实施例1：化合物1的制造

在上述化合物B1的制造中，以2倍的量使用2-溴三亚苯，除此以外，通过相同的方法制造了化合物1。

MS:[M+H]⁺＝786.99

实施例2至6：化合物2至6的制造

(化合物2的制造)

在上述化合物B1的制造中，使用化合物B1代替9,9-二苯基-9H-芴基-2-胺、使用2-溴-9,9-二甲基-9H-芴代替2-溴三亚苯，除此以外，通过相同的方法制造了化合物2。

MS:[M+H]⁺＝752.97

(化合物3的制造)

在上述化合物2的制造中，使用2-溴-9,9-二苯基-9H-芴代替2-溴-9,9-二甲基-9H-芴，除此以外，通过相同的方法制造了化合物3。

MS:[M+H]⁺＝877.12

(化合物4的制造)

在上述化合物2的制造中，使用4-(4-氯苯基)二苯并[b,d]呋喃代替2-溴-9,9-二甲基-9H-芴，除此以外，通过相同的方法制造了化合物4。

MS:[M+H]⁺＝802.99

(化合物5的制造)

在上述化合物2的制造中，使用1-(4-氯苯基)萘代替2-溴-9,9-二甲基-9H-芴，除此以外，通过相同的方法制造了化合物5。

MS:[M+H]⁺＝762.97

(化合物6的制造)

在上述化合物2的制造中，使用1-(4-氯苯基)菲代替2-溴-9,9-二甲基-9H-芴，除此以外，通过相同的方法制造了化合物6。

MS:[M+H]⁺＝813.03

实施例7至10：化合物7至10的制造

(化合物7的制造)

在上述化合物2的制造中，使用化合物B2代替化合物B1，使用4-溴联苯代替2-溴-9,9-二甲基-9H-芴，除此以外，通过相同的方法制造了化合物7。

MS:[M+H]⁺＝789.01

(化合物8的制造)

在上述化合物2的制造中，使用化合物B2代替化合物B1，除此以外，通过相同的方法制造了化合物8。

MS:[M+H]⁺＝829.07

(化合物9的制造)

在上述化合物7的制造中，使用9-溴菲代替4-溴联苯，除此以外，通过相同的方法制造了化合物9。

MS:[M+H]⁺＝813.03

(化合物10的制造)

在上述化合物7的制造中，使用4-(4-氯苯基)二苯并[b,d]噻吩代替4-溴联苯，除此以外，通过相同的方法制造了化合物10。

MS:[M+H]⁺＝895.15

实施例11至14：化合物11至14的制造

(化合物11的制造)

在上述化合物2的制造中，使用化合物B3代替化合物B1，使用化合物A2代替2-溴-9,9-二甲基-9H-芴，除此以外，通过相同的方法制造了化合物11。

MS:[M+H]⁺＝789.01

(化合物12的制造)

在上述化合物11的制造中，使用化合物A3代替化合物A2，除此以外，通过相同的方法制造了化合物12。

MS:[M+H]⁺＝762.97

(化合物13的制造)

在上述化合物11的制造中，使用化合物B4代替化合物B3，使用化合物A4代替化合物A2，除此以外，通过相同的方法制造了化合物12。

MS:[M+H]⁺＝819.05

(化合物14的制造)

在上述化合物11的制造中，使用化合物B5代替化合物B3，使用化合物A5代替化合物A2，除此以外，通过相同的方法制造了化合物14。

MS:[M+H]⁺＝789.01

[实验例]

实验例1

将ITO(氧化铟锡)以

的厚度被涂布成薄膜的玻璃基板(康宁7059玻璃)放入溶解有分散剂的蒸馏水中，利用超声波进行洗涤。洗涤剂使用菲希尔公司(Fischer Co.)制品，蒸馏水使用了利用密理博公司(Millipore Co.)制造的过滤器(Filter)过滤两次的蒸馏水。将ITO洗涤30分钟后，用蒸馏水重复两次而进行10分钟超声波洗涤。在蒸馏水洗涤结束后，按异丙醇、丙酮、甲醇的溶剂顺序进行超声波洗涤并干燥。

在这样准备的ITO透明电极上，将下述HI1化合物以

的厚度热真空蒸镀而形成空穴注入层。在上述空穴注入层上，真空蒸镀作为传输空穴的物质的下述HT1化合物

而形成空穴传输层后，接着，在上述空穴传输层上，将前面制造的化合物2以膜厚度

真空蒸镀而形成空穴调节层。在上述空穴调节层上，将作为主体的下述化合物BH1和作为掺杂剂的下述化合物BD1化合物(重量比为25:1)以

的厚度进行真空蒸镀而形成发光层。接着，依次使下述ET1化合物形成为电子调节层，使下述ET2化合物和下述LiQ化合物(重量比为1:1，

)进行共蒸镀而形成电子传输层。在上述电子传输层上，依次蒸镀

厚度的氟化锂(LiF)和Mg与Ag(重量比为10:1，

)，蒸镀厚度的铝而形成阴极，从而制造了有机发光元件。

在上述过程中，有机物的蒸镀速度维持氟化锂维持

的蒸镀速度，铝维持

的蒸镀速度，在蒸镀时，真空度维持1×10^-7～5×10^-8托。

实施例2至22

在上述实施例1中，作为空穴传输层和空穴调节层，使用下述表1中记载的化合物，除此以外，通过相同的方法制造了有机发光元件。

比较例1至7

下述表1中，HT2、HT3、HT4、HT5、HT6、HT7和HT8的化合物分别如下所示。

对上述实验例和比较实验例中制造的有机发光元件施加电流，测定电压和效率，将其结果示于下述表1。

【表1】

如上述表1所示，可以确认，与比较例的化合物相比，本发明的化合物的情况下，在电压和效率方面显示出优点。

符号说明

1：基板 2：阳极

3：发光层 4：阴极

5：空穴注入层 6：空穴传输层

7：发光层 8：电子传输层。