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CN110520966B - 成膜装置 - Google Patents

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Abstract

本发明一方案的成膜装置，具备：成膜室即成膜空间；成膜处理前室；向成膜空间供给原料的原料供给口；用于对晶片的温度进行测定的开口部，所述晶片载置于在所述成膜空间内配置的载置台的晶片载置面上；以及将所述成膜空间与成膜处理前室进行间隔的间隔板，所述原料供给口位于与所述间隔板同一面、或比所述间隔板靠所述成膜空间侧的位置，所述开口部位于比所述间隔板靠所述成膜处理前室侧的位置。

Description

成膜装置
技术领域
本发明涉及成膜装置。
本申请基于2017年6月23日在日本提出申请的专利申请2017-123226号主张优先权，将其内容引用于此。
背景技术
碳化硅(SiC)具有绝缘击穿电场比硅(Si)大1个数量级，并且带隙比硅大3倍，而且热传导率比硅高3倍左右等特性。由此，期待其应用于功率器件、高频器件、高温工作器件等。
因此，近年来，如上所述的半导体器件中正在使用SiC外延晶片。
SiC外延晶片中，作为形成SiC外延膜的基板，使用由采用升华法等制作出的SiC的块状单晶加工得到的SiC单晶基板(以下有时称为晶片)。通常，通过采用化学气相生长法(Chemical Vapor Deposition：CVD)在该基板上生长成为SiC半导体器件的活性区域的SiC外延膜来制造所述晶片。
外延生长技术所使用的气相生长方法中，将配置有成膜对象即晶片的成膜空间保持在常压或减压下。如果一边加热晶片一边向成膜空间内供给反应气体，则反应性气体在晶片表面反应，在晶片上形成气相生长膜。
CVD处理装置是为了形成各种薄膜而使用的。能够形成例如Si、SiC和III-IV族化合物等的薄膜。成膜装置中，气相成膜时对加热器加热，将晶片温度设为高温状态。例如，已知为了生长Si薄膜，需要600℃左右的温度，为了生长SiC薄膜，需要1200℃左右以上的温度。电子器件中使用的4H-SiC一般加热到温度特别高的1500℃左右以上。
要以高成品率制造膜厚度厚的外延晶片，需要使被均匀加热了的晶片表面不断接触新的反应气体从而提高成膜速度。例如专利文献1所记载的，在以往的成膜装置中，一边使晶片以高速旋转一边进行外延生长。
晶片的表面温度大多采用辐射温度计来测定。以温度的测定结果为基础调节加热器的输出功率，将生长空间内的温度调整为目标值。例如，专利文献2中记载了为了利用辐射温度计准确地进行温度测定，在晶片与辐射温度计之间使用覆盖辐射光的光路的管状构件。
形成SiC膜的SiC化学气相生长装置中，炉内变为高温所以原料气体容易分解，在炉内容易产生沉积物。如专利文献2记载的成膜装置那样，覆盖辐射温度计的光路的管状构件从原料供给口的顶端突出了的情况下，沉积物会附着在管状构件的顶端。当沉积物附着在覆盖辐射温度计的光路的管顶端的情况下，光路被遮蔽，成膜中的晶片的实际表面温度与辐射温度计显示的温度产生偏差(产生温度偏差)。如上所述，作为成膜工序中的基板温度存在合适的范围，距该范围的温度偏差会成为结晶缺陷、膜厚等得到的膜的性状恶化和成品率下降的原因。
在先技术文献
专利文献1：日本特开2008-108983号公报
专利文献2：日本专利第5646207号公报
发明内容
本发明人专心研究的结果发现，用于向成膜空间导入原料气体的原料供给口、和用于测定在成膜空间内载置的晶片的温度的开口部(以下有时记为温度计口)的配置会对沉积物向管顶端的附着造成影响。
本发明是鉴于上述问题而完成的。本发明一方案的成膜装置中，将温度计口和原料供给口配置在隔着间隔板的不同空间内，将温度计口配置在相比于原料供给口从成膜空间内的晶片载置面离开的位置。由此，抑制原料气体引起的沉积物向温度计口附着，防止辐射温度计的光路被遮蔽。
即，目的在于提供一种能够准确地测定和控制晶片温度的成膜装置。
本发明人进行了专心研究，结果发现通过将温度计口和原料供给口配置在隔着间隔板的不同空间内，并将温度计口配置在相比于原料供给口从成膜空间内的晶片载置面离开的位置，能够解决该问题，从而完成了发明。
即，本发明为了解决上述课题，提供以下手段。
(1)本发明的第一方案中的成膜装置，具备：成膜室即成膜空间；成膜处理前室；向成膜空间供给原料的原料供给口；用于对晶片的温度进行测定的开口部，所述晶片载置于在所述成膜空间内配置的载置台的晶片载置面上；以及间隔所述成膜空间与成膜处理前室的间隔板，所述原料供给口位于与所述间隔板同一面、或比所述间隔板靠所述成膜空间侧的位置，所述开口部位于比所述间隔板靠所述成膜处理前室侧的位置。
(2)上述(1)的成膜装置的结构可以为：所述开口部是温度计用管的所述成膜空间侧的一端。
(3)上述(1)～(2)中任一项记载的成膜装置的结构可以为：在从所述开口部向所述晶片载置面下垂的垂线方向上，所述开口部与所述间隔板和所述成膜空间侧的面之间的距离为所述开口部的直径的20％以上。
(4)上述(1)～(3)中任一项记载的成膜装置的结构可以为：所述成膜处理前室被分离为第1区域和第2区域，在所述第1区域中供给原料气体，在所述第2区域中存在所述开口部。
(5)上述(1)～(4)中任一项记载的成膜装置的结构可以为：在所述开口部与所述原料供给口之间具有弛放气供给口，从所述弛放气供给口向所述成膜空间供给的弛放气的流动方向与连结所述开口部和所述原料供给口的线交叉。
(6)上述方案(1)～(5)中任一项记载的成膜装置的结构可以为：还具备从所述开口部向所述成膜空间供给弛放气的弛放气供给单元。
(7)上述(1)～(6)中任一项记载的成膜装置的结构可以为：所述原料供给口是原料供给用管的一端，原料气体与其他空间分离直到到达所述原料供给口为止。
(8)上述(1)～(7)中任一项记载的成膜装置，优选具有对晶片的温度进行测定的辐射温度计。
(9)上述(1)～(8)中任一项记载的成膜装置，优选还具有原料供给用管，所述原料供给口设置在所述原料供给用管的末端。
(10)上述(1)～(9)中任一项记载的成膜装置，优选所述成膜处理前室具有被前室间隔板分开的第1区域和第2区域，在所述第1区域中供给原料气体，在所述第2区域的内部具备温度计口，
所述原料供给口设置在间隔所述第1区域与成膜处理前室的所述间隔板上。
(11)上述(1)～(10)中任一项记载的成膜装置，优选还具有温度计用管，用于对所述晶片的温度进行测定的开口部设置在所述温度计用管的末端。
(12)上述(1)～(11)中任一项记载的成膜装置，优选向所述晶片供给作为原料的原料气体而进行成膜。
本发明第一方案的成膜装置中，温度计口和原料供给口被配置在隔着间隔板的不同空间内。另外，温度计口设置在相比于原料供给口从成膜空间内的晶片载置面离开的位置。因此，从原料供给口流入成膜空间中的原料气体到达温度计口的情况被抑制。即，如果使用该成膜装置，则可抑制沉积物附着在温度计口，能够防止辐射温度计的光路被遮蔽。
本发明的所述成膜装置能够具备温度计口为温度计用管的成膜空间侧一端的结构。直到到达温度计口为止，光路被温度计用管覆盖，由此能够使光路简便地与其他空间分离，能够更有效地防止辐射温度计的光路被遮蔽。
本发明的所述成膜装置具备以下结构：从温度计口向晶片载置面下垂的垂线方向上的温度计口与间隔板的成膜空间侧的面之间的距离为温度计口直径的20％以上。通过温度计口与间隔板的成膜空间侧的面的距离离开该范围以上，能够更加抑制到达温度计口的原料气体。
本发明的所述成膜装置能够具备以下结构：成膜处理前室被分离为供给原料气体的第1区域和存在温度计口的第2区域。
能够隔离原料气体流动的区域和温度计口存在的区域，从而更加抑制原料气体到达温度计口。
本发明的所述成膜装置可以具备以下结构：在温度计口与原料供给口之间具有弛放气供给口，从弛放气供给口向成膜空间供给的弛放气的流动方向与连结温度计口和原料供给口的线交叉。
通过弛放气的流动方向与连结温度计口和原料供给口的线交叉，能够通过弛放气来遮蔽从原料供给口供给的原料气体到达温度计口的情况。
由此，能够更有效地防止原料气体到达温度计口。
本发明的所述成膜装置可以还具备从温度计口向成膜空间供给弛放气的弛放气供给单元。
通过从温度计口向成膜空间供给弛放气，即使原料气体到达温度计口的周围，也可通过弛放气的流动使原料气体远离温度计口。即，能够更有效地防止辐射温度计的光路被遮蔽。
本发明的所述成膜装置可以具备以下结构：原料供给口是原料供给用管的一端，原料气体与其他空间分离直到到达原料供给口为止。
通过原料气体被管输送直到到达原料供给口为止，能够使原料气体简便地与其他空间分离，能够抑制原料气体到达温度计口。
在使用原料供给用管的情况下，炉内结构大多复杂，难以设置冷却机构。因此，原料供给口的温度容易上升，原料气体容易在原料供给口附近分解。对此，如专利文献1和专利文献2那样，原料供给部为喷淋板状的情况下，炉内的构件是平面状的，容易设置水冷等冷却机构。
换句话说，使用原料供给用管时与使用喷淋板时相比，沉积物容易附着在原料供给口。因而，本发明在使用原料供给用管的情况下特别有用。本发明也可以是不使用喷淋板的装置。
附图说明
图1是本发明第1实施方式的成膜装置的概略截面示意图。
图2是将本发明第1实施方式的成膜装置的要部放大了的概略截面示意图。再者，为方便起见，炉体的下部没有图示。
图3是本发明第2实施方式的成膜装置的概略截面示意图。
图4是本发明第3实施方式的成膜装置的概略截面示意图。
图5是示意地表示实施例1的成膜装置的要部的概略截面示意图。
图6是示意地表示比较例1的成膜装置的要部的概略截面示意图。
图7是从炉体内部拍摄实施例1的成膜装置中的温度计口的照片。
图8是从炉体内部拍摄比较例1的成膜装置中的温度计口的照片。
具体实施方式
以下，对本发明的优选例进行说明。具体而言，适当参照附图，对本发明的优选实施方式的成膜装置进行详细说明。
再者，为了容易理解本发明的特征，以下说明中使用的附图有时方便起见地将成为特征的部分放大表示，各构成要素的尺寸比率等可以与实际不同。另外，以下说明中例示的材质、尺寸等为一例，本发明并不限定于此，在不变更其主旨的范围可以适当变更地实施。即，本发明不仅限定于以下例子，在不脱离本发明主旨的范围，对于位置、数目、形状、材料、构成等可以进行附加、省略、取代和变更。
(第1实施方式)
参照图1，对第1实施方式的成膜装置100的一例进行说明。
第1实施方式的成膜装置100具备炉体10、载置台20和原料供给用管50。载置台20位于炉体10内。载置台20能够在晶片载置面21A载置晶片30。通过使成膜装置100工作，来在晶片30的表面生长外延膜。通过原料供给用管50，将原料气体g导入成膜装置100的内部。
图1所示炉体10在内部具备成膜空间11和成膜处理前室15。成膜空间11和成膜处理前室15被间隔板14A间隔。
成膜空间11是被供给原料气体g，进行外延生长的空间。
即，在炉体10内，相比于原料供给口12靠晶片载置面21A侧是成膜空间11。另外，成膜处理前室15是配置将到达成膜空间11的气体导入炉体10内的配管，暂且储存气体的区域。间隔板14A对成膜空间11和成膜处理前室15进行划分，成膜空间11通过来自加热器的辐射而变为高温，成膜处理前室15配置气体配管等而一般成为复杂的结构。通过采取这样的配置，间隔板14A作为一种热遮蔽机构来保护成膜处理前室15。另外，如后述那样原料气体g经由成膜处理前室15后向成膜空间11供给的情况下，通过在成膜处理前室15内暂且储存气体，即使在由储气瓶等供给的气体发生搏动的情况下，也能够使向成膜空间11内供给的气体量恒定。当在原料气体g以外使用搬送气体，搬送气体经由成膜处理前室15向成膜空间11供给的情况下，也具有同样的效果。在图1中，供给到成膜处理前室15中的气体穿过设置在间隔板14A的间隔板开口部14a向成膜空间11供给。图1中，作为间隔板开口部14a，设置有用于穿过原料供给用管50的原料供给用开口部、以及温度测定用开口部(用于测定晶片温度的开口部)这两处。另外，图1中，配管的配置被简化，气体在图1中从上部的开口部供给，但不仅限定于该结构。
原料供给口12是用于向成膜空间11的内部供给原料气体g的开口部。在图1中，原料供给用管50的一端对应于原料供给口12。
原料供给口12位于与间隔板14A同一面或位于比间隔板14A靠成膜空间11侧的位置。即，图1中的原料供给用管50的一端存在于与间隔板14A同一面、或存在于从间隔板14A突出了的位置。在此，存在于与间隔板14A同一面是指，存在于与间隔板14A的成膜空间11侧的面相同的高度。
在炉体10设置有温度计口13。温度计口13是为了将从晶片30的表面到辐射温度计70的光路71向炉体外或装置外引导而设置的开口部。辐射温度计70对晶片30的表面温度进行测定。基于得到的测定结果调节加热机构22的输出功率，将成膜空间11内部的温度调整为目标值。在本发明中，温度计口被配置为不遮蔽从晶片30的表面到辐射温度计70的光路71。在将辐射温度计设置在炉体外的情况下，在光路的一部分例如穿过炉体的壁的部分配置以下密封构件从而将炉体密封，所述密封构件使用了使用透光材料、例如石英玻璃的构件。
温度计口13位于比间隔板14A靠成膜处理前室15侧的位置。即，位于成膜处理前室15内。再者，在图1中，温度计口13作为温度计用管60的一端被图示。但是，温度计口13也可以是简单设置在炉体10的开口部，而不是温度计用管60的一端。该情况下，作为温度计口13的炉体开口部，可以是设置在位于晶片30的表面与辐射温度计70之间的炉体和/或成膜处理前室的壁上，使温度计用管60向炉外突出的方式。另外，温度计用管60只要是覆盖光路的构件即可，形状和材质可以任意选择。例如，可以是圆筒形的管状构件、圆筒以外的管状构件、板状围栏那样的管状以外的覆盖光路的形状的构件。
如上所述，温度计口13位于比原料供给口12靠成膜处理前室15内的、从晶片载置面21A离开的位置。原料气体g从原料供给口12向载置于晶片载置面21A上的晶片30流动。通过温度计口13设在相比于原料供给口12从晶片载置面21A离开的位置，能够防止其流路与温度计口13交叉。因此，可抑制从原料供给口12流入成膜空间11中的原料气体g到达温度计口13。
另外，间隔板14A遮蔽从成膜空间11向成膜处理前室15的原料气体g。因此，能够抑制沉积物附着在存在于成膜处理前室15侧的温度计口13上，能够更有效地防止辐射温度计70的光路71被遮蔽。
即，如果使用本实施方式的成膜装置100，则能够抑制沉积物向温度计口13附着，能够防止辐射温度计70的光路71被遮蔽。
优选温度计口13处于从间隔板14A的成膜空间11侧的面起算离开温度计口13的直径的20％以上距离的位置。
图2是将本实施方式的成膜装置100的要部放大了的图。图2中为了简便而没有图示炉体的下部。图2示出温度计口13与间隔板14A的成膜空间11侧的面之间的距离ΔL和温度计口13的直径D的关系。在此，温度计口13与间隔板14A的成膜空间11侧的面之间的距离ΔL是指从温度计口13向晶片载置面21A下垂的垂线方向的距离。距离ΔL若在温度计口13的直径D的20％以上的范围，则能够使温度计口13充分离开间隔板14A。原料气体g被间隔板14A遮蔽，因此原则上仅到达间隔板14A附近。另外，即使原料气体g从间隔板开口部14a进入成膜处理前室15，也基本上不会到达温度计口13。另外，距离ΔL的上限能够任意选择，若举例，则可举出温度计口13的直径D的300％以下或500％以下等，但不限定于此。
在间隔板14A设置有间隔板开口部14a。间隔板开口部14a设置在辐射温度计70的光路71上。
间隔板开口部14a小到原料气体g不会进入成膜处理前室的程度、并且大到不会遮蔽光路的程度。因此，优选间隔板开口部14a设为与温度计口13相同程度的大小。从防止沉积物附着在间隔板开口部14a的周围的间隔板14A上这一观点出发，优选间隔板开口部14a设置在相比于原料供给口12从晶片载置面21A离开的位置。即，优选原料供给口12的一端相比于间隔板14A向成膜空间11侧突出、或与间隔板14A为同一面。从间隔板14A使所述一端突出的距离可以任意选择。例如，可举出原料供给口12的直径的0％以上或5％以上作为优选例，但不限定于此。不过，如果使原料供给口12过于突出，则沉积物附着在原料供给口本身的可能性提高。从间隔板14A使所述一端突出的距离可举例如原料供给口12的直径的100％以下或200％以下作为优选例，但不限定于此。
另外，在炉体10设置有气体排出口40。气体排出口40配置在相比于炉体10中的载置台20中的晶片30的载置面靠下方，将穿过晶片30后的未反应气体排出。另外，能够从该气体排出口40进行真空吸引，可以适当调整炉体10内部的气氛压力。
原料供给用管50是在内部具有贯穿孔的管状构件。该内部的贯穿孔是气体导入路，流通原料气体g。直到到达原料供给口12为止，通过原料供给用管50来输送原料气体g，由此能够使原料气体g简便地与其他空间分离。另外，除了原料气体g以外，也可以从原料用供给用管流通弛放气、杂质掺杂剂气体。再者，图中示出原料供给用管50为1个的例子，但本发明中，根据需要，可以设置2个以上的原料供给用管50。可以在各自的管中流通相同气体或不同种类的气体。也可以在管中流通混合气体。
原料气体g使用Si系原料气体和C系原料气体。这些原料气体可以分别各自向炉体10内供给，也可以混合供给。
作为Si系原料气体，例如作为硅烷系气体，可以使用硅烷(SiH4)，此外也可以使用SiH2Cl2、SiHCl3、SiCl4等具有蚀刻作用的包含Cl的氯系Si原料含有气体(氯化物系原料)。另外，可以使用例如对硅烷添加了HCl的气体。作为C系原料气体，可以使用例如丙烷(C3H8)等。
弛放气是不包含Si和C的气体，除了包含H2的具有蚀刻作用的气体以外，还可以使用Ar、He等惰性气体(稀有气体)。另外，当控制层叠于晶片30上的SiC外延膜的导电型的情况下，也可以同时供给杂质掺杂剂气体。例如，当将导电型设为n型的情况下可以使用N2，设为p型的情况下可以使用TMA(三甲基铝)。
载置台20具有基座21和加热机构22。在基座21具备向下方延伸的管状的支持轴，该支持轴连结于未图示的旋转机构，由此能够旋转。加热机构22由与晶片30的载置面相对的加热器等构成，设置在基座21内。在加热机构22通过基座21的支持轴内部，从外部通电。
如上所述，本实施方式的成膜装置中，温度计口13与原料供给口12相比，位于从成膜空间11内的晶片载置面21A离开更远的位置。另外，间隔板14A对从成膜空间11向成膜处理前室15的原料气体g进行遮蔽。通过采取以上结构，能够抑制沉积物附着在温度计口13，能够防止辐射温度计70的光路71被遮蔽。
(第2实施方式)
图3是第2实施方式的成膜装置的截面示意图。图3所示成膜装置101与第1实施方式的成膜装置100相比，在具备前室间隔板14B这点上不同。其他结构与第1实施方式的成膜装置100相同。对于相同结构附带同一标记。
图3所示成膜处理前室15在内部具备前室间隔板14B。成膜处理前室15通过前室间隔板14B而被分离为第1区域15A和第2区域15B。在第1区域15A供给原料气体g，在第2区域15B内或第2区域的壁具备温度计口13。
在第1区域15A的内部设置有原料供给用管50的一端。通过原料供给用管50，原料气体g向第1区域15A供给，经由原料供给口12，向成膜空间11供给。向成膜空间11供给原料气体g的开口部是原料供给口12，因此图3中的原料供给用管50的一端不相当于原料供给口。
因此，原料供给用管50的一端可以存在于与温度计口13相比从晶片载置面21A离开的位置。供给到第1区域15A中的原料气体g经由与成膜空间11连通的原料供给口12，向成膜空间11供给。通过具有第1区域15A，能够将从配管供给的原料气体暂且留在第1区域15A内。
结果，即使在原料气体g的供给速度产生波动的情况下，也能够使向成膜空间11供给的原料气体g的流动恒定。
通过导入前室间隔板14B而分离了的第1区域15A，作为原料气体g流动的区域独立发挥作用。另一方面，第2区域15B作为在内部设置温度计口13的区域独立发挥作用。即，根据本实施方式的成膜装置，原料气体g直到导入成膜空间11期间，能够与温度计口13隔离，因此能够更加抑制原料气体g到达温度计口13。因此，能够抑制沉积物附着在温度计口13，能够更有效地防止辐射温度计70的光路71被遮蔽。
(第3实施方式)
图4是第3实施方式的成膜装置的截面示意图。图4所示成膜装置102与第1实施方式的成膜装置100相比，在具有弛放气供给口16这点上不同。其他结构与第1实施方式的成膜装置100大致相同，对于同一结构附带同一标记。
弛放气供给口16是设置在炉体10的开口部。从弛放气供给口16向炉体10内部供给弛放气p。弛放气可以从设置在炉体10的一个以上的管等供给，也可以从开在成膜处理前室的壁上的开口供给。弛放气供给口16被设置为从弛放气供给口16供给的弛放气p的流动方向与连结温度计口13和原料供给口12的线交叉。再者，图4中，间隔板开口部14a兼作为用于通过原料供给用管50的原料供给用和温度测定用，与原料供给用管50、弛放气供给用管和温度计用管60对应，设置有1个大的开口。即，从上看时，观察到3个管落入开口内。但是，只要温度测定用的开口对于通过弛放气来说是足够尺寸的开口，则也可以具有用于通过原料供给用管50的原料供给用的开口和温度测定用的开口这2个间隔板开口部14a。
流动方向是气体的主矢量方向。在此所说的弛放气p的流动方向是从弛放气供给口16向成膜空间扩展的弛放气p的主矢量方向，是从弛放气供给口16向晶片载置面21A的方向。通过弛放气p的流动方向与连结温度计口13和原料供给口12的线交叉，由此弛放气p以遮蔽温度计口13和原料供给口12之间的方式流动。由此，能够更有效地防止原料气体g到达温度计口13。
如果弛放气供给口16有至少一个供给口满足上述流动方向的条件，则更优选1个或多个弛放气供给口配置为包围温度计口13的周围。通过在温度计口13的周围供给弛放气p，能够更加防止原料向温度计口13附着。
另外，弛放气p可以从温度计口13流出。该情况下，在温度计口13连接弛放气供给单元。弛放气供给单元可以使用公知的单元。通过使弛放气p从温度计口13流出，能够更加抑制附着物沉积在温度计口13。
如上所述，根据本实施方式的成膜装置102，能够通过弛放气p来防止原料气体g接近温度计口13。因此，本实施方式的成膜装置102能够更加有效地防止辐射温度计70的光路71被遮蔽。
以上，对本发明的优选实施方式进行了详细说明，但本发明不限定于特定的实施方式，在专利请求保护的范围内所记载的本发明的主旨范围内，可以进行各种变形和变更。
实施例
以下，使用实施例具体说明本发明的效果。再者，本发明不限定于这些实施例。
[实施例1]
图5是将实施例1中使用的成膜装置的要部放大了的截面示意图。如图5所示，原料供给口12设置为比温度计口13更接近于晶片载置面21A(省略图示)侧。另外，在炉体10内设置间隔板14A，将成膜空间11与成膜处理前室15分离。原料供给口12设置为处于与间隔板14A和成膜空间11接触的面为同一面上。温度计口13设置为从间隔板14A离开，且设置在成膜处理前室15的内侧，即与晶片载置面21A远离。而且，温度计口13设为温度计用管60的一端。在温度计用管60的周围供给弛放气。再者，弛放气以从弛放气供给口供给的弛放气p的流动方向与连结温度计口13和原料供给口12的线交叉的方式供给。作为原料气体，使用三氯硅烷(SiHCl3)和丙烷(C3H8)，在SiC晶片上生长外延膜。作为弛放气，使用了氢和氩。温度计口13与间隔板14A的距离相对于温度计用管60的外径为34.5％。再者，管上部被省略。
[比较例1]
图6是将比较例1中使用的成膜装置的要部放大了的截面示意图。如图6所示，比较例1将温度计口13的位置设为与间隔板14A在同一面上，仅这点与实施例1不同。即，比较例1中，温度计口13与原料供给口12位于同一面内。其他结构与实施例1相同，生长SiC外延膜。
图7是以实施例1的条件使累计9900μm的量的外延膜生长后的、温度计口的成膜空间侧的端部的照片。另外，图8是以比较例1的条件使累计9600μm的量的外延膜生长后的、温度计口的成膜空间侧的端部的照片。如图7和图8所示，在以实施例1的条件进行了成膜的温度计口的端部没有确认到沉积物，但在以比较例1的条件进行了成膜的温度计口的端部确认到了沉积物。
产业上的可利用性
本发明提供一种成膜装置，能够抑制由原料气体引起的沉积物向温度计口附着的情况，防止辐射温度计的光路被遮蔽，准确地测定和控制基板温度。
本发明的成膜装置通过将温度计口配置在与原料供给口相比从成膜空间内的晶片载置面离开的位置，由此抑制了由原料气体引起的沉积物向导入管附着的情况。另外，间隔板遮蔽从成膜空间向成膜处理前室的原料气体。由此，能够提供能够准确地测定和控制基板温度的成膜装置，例如能够使结晶缺陷、膜厚等得到的膜的性状提高，并且使成品率提高。
附图标记说明
100、101、102：成膜装置
10：炉体
11：成膜空间(成膜室)
12：原料供给口
13：温度计口
14A：间隔板
14a：间隔板开口部
14B：前室间隔板
15：成膜处理前室
15A：第1区域
15B、第2区域
16：弛放气供给口
20：载置台
21：基座
21A：晶片载置面
22：加热机构
30：晶片
40：气体排出口
50：原料供给用管
60：温度计用管
70：辐射温度计
71：光路
g：原料气体
p：弛放气

Claims (9)

1.一种成膜装置，具备：
成膜室即成膜空间；
成膜处理前室；
原料供给用管；
向成膜空间供给原料的原料供给口；
用于对晶片的温度进行测定的开口部，所述晶片载置于在所述成膜空间内配置的载置台的晶片载置面上；以及
间隔所述成膜空间与成膜处理前室的间隔板，
所述原料供给口位于与所述间隔板同一面、或比所述间隔板靠所述成膜空间侧的位置，
所述开口部位于比所述间隔板靠所述成膜处理前室侧的位置即所述成膜处理前室内，
所述开口部是温度计用管的所述成膜空间侧的一端，
所述原料供给口是原料供给用管的一端，原料气体与其他空间分离直到到达所述原料供给口为止，
所述间隔板设有温度测定用开口。
2.根据权利要求1所述的成膜装置，
在从所述开口部向所述晶片载置面下垂的垂线方向上，所述开口部与所述间隔板的所述成膜空间侧的面之间的距离为所述开口部的直径的20％以上。
3.根据权利要求1所述的成膜装置，
所述成膜处理前室被分离为第1区域和第2区域，在所述第1区域中供给原料气体，在所述第2区域中存在所述开口部。
4.根据权利要求1所述的成膜装置，
在所述开口部与所述原料供给口之间具有弛放气供给口，
从所述弛放气供给口向所述成膜空间供给的弛放气的流动方向与连结所述开口部和所述原料供给口的线交叉。
5.根据权利要求1所述的成膜装置，
还具备从所述开口部向所述成膜空间供给弛放气的弛放气供给单元。
6.根据权利要求1所述的成膜装置，
具有对晶片的温度进行测定的辐射温度计。
7.根据权利要求1所述的成膜装置，
成膜处理前室具有被前室间隔板分开的第1区域和第2区域，在所述第1区域中供给原料气体，在所述第2区域的内部具备温度计口，
所述原料供给口设置在间隔所述第1区域与成膜处理前室的所述间隔板上。
8.根据权利要求1所述的成膜装置，
还具有温度计用管，
用于对所述晶片的温度进行测定的开口部设置在所述温度计用管的末端。
9.根据权利要求1所述的成膜装置，
向所述晶片供给作为原料的原料气体而进行成膜。
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