CN110459547A - 一种面板显示器及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及微电子技术领域，特别涉及一种面板显示器及其制备方法，包括玻璃盖板、偏光片和显示层，所述偏光片和显示层依次设置在所述玻璃盖板上表面；所述显示层包括基板、触控线路层、触控模组层和封装玻璃层，通过将触控线路层设置在玻璃基板和封装玻璃之间，且将触控模组层内置在封装玻璃中，能够有效减少器件的厚度，且能够有效减少光学胶等多种材料的使用且能达到增加透光性的效果；通过本方案设计的面板显示器，不仅极大降低内嵌式面板的制程工艺难度，且解决了当前AMOLED结构中阴极对触控型号噪音干扰的影响；在缩减面板厚度的同时，提高了触控反应的灵敏度。
Description
技术领域
本发明涉及微电子技术领域，特别涉及一种面板显示器及其制备方法。
背景技术
触控感应器是电容式触摸屏的重要电子元件，触控感应器接收触碰信号后，将其转换为电信号并经FPC传输至触控IC进行运算分析，从而得到触碰点的坐标信号。电容式触摸屏的感应器技术架构主要分为外挂式触控技术(Out-cell)和内嵌式触控技术(In-Cell和On-Cell)三种类型。Out-cell是由触控厂商主导，该技术主要可分为玻璃方式和薄膜方式，将触控感应器位于盖板玻璃和显示模组中间，缺点是厚度较厚，不符合智能手机“轻薄短小”的发展方向。由于手机越做越薄的原因，面板厂商推出内嵌式触控技术，整合了面板和触控单元，且内嵌式触控技术又可分为On-cell和In-cell两类。而高端手机的触控方案也逐渐从外挂式转向内嵌式，比如苹果iPhone的In-cell薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilm Transistor-Liquid Crystal Display，简称为TFT-LCD)。相较于玻璃方式与薄膜方式，In-cell和On-cell方案节省了玻璃成本和贴合成本，使得模组重量轻，透光度高，更满足高端手机对品质的要求。
对于AMOLED屏幕而言，硬屏采用的是玻璃基板和玻璃盖板，而由于玻璃的脆度问题，柔屏则采用柔性聚合物基板和薄膜封装。继而两者对于触控方案的选择也有所差异。目前主流AMOLED硬屏只能依靠外挂式触控模组，增加了显示面板厚度。由于AMOLED柔屏中的发光器件采用的是薄膜封装，触控感应电极无法像玻璃封装时那般，先在玻璃上镀膜后再拿回来封装，故目前对于AMOLED柔屏而言，On-cell很有可能不是一项备选方案。
相较于LCD，将In-Cell应用于AMOLED面板中时，触控传感器嵌入到像素中的同时也必须将配套的触控集成电路嵌入其中，否则很容易导致错误的触控感测讯号或者过大的噪音，制程工艺的复杂度和难度巨大。OLED中有机层均采用蒸镀法附膜，技术要求高、难度大，所以良率也较低，在蒸镀结构中再增加一层触控IC必将进一步降低良率，故目前尚无针对AMOLED屏的In-cell触控方案。现有的Out-Cell技术的AMOLED面板，Out-cell的触控方式是把触控模组层置与封装玻璃层与基板之间，需要额外触控玻璃或者有机膜，会造成面板较厚。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是：提供一种内嵌式触控AMOLED面板显示器及其制备方法。
为了解决上述技术问题，本发明采用的第一种技术方案为：
一种面板显示器，包括玻璃盖板，在所述玻璃盖板表面依次层叠设有偏光片和显示层；
所述显示层包括基板和触控模组层，所述触控模组层内置于所述封装玻璃层中，在所述基板表面依次层叠设有触控线路层和封装玻璃层，所述触控模组层包括TFT线路层和有机发光层；
所述TFT线路层包括缓冲层，在所述缓冲层表面依次层叠设有第一金属层、栅极绝缘层、有源层、蚀刻阻挡层、第二金属层、钝化层、有机平坦层、第三金属层、画素定义层和间隙层，所述蚀刻阻挡层上设有两个第一过孔，所述第二金属层填充于所述第一过孔中且与所述有源层远离缓冲层的一侧面接触，所述钝化层上设有一第二过孔，所述有机平坦层上设有一第三过孔，所述第二过孔与所述第三过孔相对位置设置且相通，所述第三金属层分别填充于所述第二过孔和第三过孔中且与第二金属层远离缓冲层的一侧面接触，所述画素定义层上设有一第四过孔，所述有机发光层填充于所述第四过孔中且与所述第三金属层远离缓冲层的一侧面接触。
本发明采用的第二种技术方案为：
一种面板显示器的制备方法，包括以下步骤：
S1、提供一玻璃盖板，且在所述玻璃盖板上覆盖有偏光片；
S2、形成一基板，且覆盖于所述偏光片表面；
S3、形成一触控线路层，且覆盖于所述基板表面；
S4、形成一封装玻璃层，且覆盖于所述触控线路层表面，在封装玻璃层内形成TFT线路层和有机发光层，所述有机发光层覆盖于所述TFT线路层表面。
本发明的有益效果在于：
通过将触控线路层设置在玻璃基板和封装玻璃之间，且将触控模组层内置在封装玻璃中，能够有效减少器件的厚度，且能够有效减少光学胶等多种材料的使用且能达到增加透光性的效果；通过本方案设计的面板显示器，不仅极大降低内嵌式面板的制程工艺难度，且解决了当前AMOLED结构中阴极对触控型号噪音干扰的影响；在缩减面板厚度的同时，提高了触控反应的灵敏度。
附图说明
图1为根据本发明的一种面板显示器的结构示意图；
图2为根据本发明的一种面板显示器的TFT线路层的结构示意图；
图3为根据本发明的一种面板显示器的制备方法的步骤流程图；
标号说明：
1、玻璃盖板；2、偏光片；3、基板；4、触控线路层；5、封装玻璃层；6、缓冲层；7、第一金属层；8、栅极绝缘层；9、有源层；10、蚀刻阻挡层；11、第二金属层；12、钝化层；13、有机平坦层；14、第三金属层；15、画素定义层；16、间隙层；17、有机发光层；18、阴极金属层。
具体实施方式
为详细说明本发明的技术内容、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。
本发明最关键的构思在于：通过将触控线路层设置在玻璃基板和封装玻璃之间，且将触控模组层内置在封装玻璃中，能够有效减少器件的厚度。
请参照图1和图2，本发明提供的一种技术方案：
一种面板显示器，包括玻璃盖板，在所述玻璃盖板表面依次层叠设有偏光片和显示层；
所述显示层包括基板和触控模组层，所述触控模组层内置于所述封装玻璃层中，在所述基板表面依次层叠设有触控线路层和封装玻璃层，所述触控模组层包括TFT线路层和有机发光层；
所述TFT线路层包括缓冲层，在所述缓冲层表面依次层叠设有第一金属层、栅极绝缘层、有源层、蚀刻阻挡层、第二金属层、钝化层、有机平坦层、第三金属层、画素定义层和间隙层，所述蚀刻阻挡层上设有两个第一过孔，所述第二金属层填充于所述第一过孔中且与所述有源层远离缓冲层的一侧面接触，所述钝化层上设有一第二过孔，所述有机平坦层上设有一第三过孔，所述第二过孔与所述第三过孔相对位置设置且相通，所述第三金属层分别填充于所述第二过孔和第三过孔中且与第二金属层远离缓冲层的一侧面接触，所述画素定义层上设有一第四过孔，所述有机发光层填充于所述第四过孔中且与所述第三金属层远离缓冲层的一侧面接触。
从上述描述可知，本发明的有益效果在于：
通过将触控线路层设置在玻璃基板和封装玻璃之间，且将触控模组层内置在封装玻璃中，能够有效减少器件的厚度，且能够有效减少光学胶等多种材料的使用且能达到增加透光性的效果；通过本方案设计的面板显示器，不仅极大降低内嵌式面板的制程工艺难度，且解决了当前AMOLED结构中阴极对触控型号噪音干扰的影响；在缩减面板厚度的同时，提高了触控反应的灵敏度。
进一步的，所述TFT线路层为自对准TFT或双栅极TFT。
由上述描述可知，自对准TFT和双栅极TFT的器件结构稳定性高，能够有效提高器件的电性。
进一步的，所述有机发光层为底发光式AMOLED或双面发光式AMOLED。
由上述描述可知，有机发光层为底发光式AMOLED，可以使得屏幕得以减薄减轻实现轻薄化；有机发光层为双面发光式AMOLED，能够降低面板的制作难度和制作成本。
进一步的，所述触控线路层为投射式电容触控或电容式触控。
由上述描述可知，投射式电容触控是触摸屏面板能在手指触碰到时检测到位置电容的变化从而计算出手指所在，进行多点触控操作，能够增加触碰感应的正确性并改善触控感应的效果；电容式触控是一块四层复合玻璃屏，玻璃屏的内表面和夹层各涂有一层ITO，最外层是一薄层矽土玻璃保护层，夹层ITO涂层作为工作面，四个角上引出四个电极，内层ITO为屏蔽层以保证良好的工作环境，在触控线路层使用电容式触控不仅可降低成本，精简结构，还可使工艺简单化，良率提高。
请参照图3，本发明提供的另一种技术方案：
一种面板显示器的制备方法，包括以下步骤：
S1、提供一玻璃盖板，且在所述玻璃盖板上覆盖有偏光片；
S2、形成一基板，且覆盖于所述偏光片表面；S3、形成一触控线路层，且覆盖于所述基板表面；
S4、形成一封装玻璃层，且覆盖于所述触控线路层表面，在封装玻璃层内形成TFT线路层和有机发光层，所述有机发光层覆盖于所述TFT线路层表面。
进一步的，步骤S4具体为：
S41、形成一封装玻璃层，且覆盖于所述触控线路层表面；
S42、在封装玻璃层内形成一缓冲层，且在所述缓冲层上覆盖有第一金属层；
S43、形成一栅极绝缘层，覆盖于所述第一金属层表面且与缓冲层接触；
S44、形成一有源层，且覆盖于所述栅极绝缘层表面；
S45、形成一蚀刻阻挡层，且覆盖于所述有源层表面；
S46、于所述蚀刻阻挡层中形成两个第一过孔，在第一过孔中形成第二金属层，且第二金属层与有源层远离缓冲层的一侧面接触；
S47、形成一钝化层，覆盖于所述第二金属层表面且与蚀刻阻挡层远离缓冲层的一侧面接触；
S48、于所述钝化层中形成一第二过孔；
S49、形成一有机平坦层，覆盖于所述钝化层表面且与第二金属层远离缓冲层的一侧面接触；
S410、于所述有机平坦层中且相对第二过孔的位置形成一第三过孔，分别在第二过孔和第三过孔中形成第三金属层，且第三金属层与第二金属层远离缓冲层的一侧面接触；
S411、形成一画素定义层，覆盖于所述第三金属层表面且与有机平坦层远离缓冲层的一侧面接触；
S412、在所述画素定义层中形成一第四过孔；
S413、形成一间隙层，且覆盖于画素定义层表面；
S414、在第四过孔中形成有机发光层，且有机发光层与第三金属层远离缓冲层的一侧面接触。
从上述描述可知，形成一缓冲层以平坦化基板表面以及减小触控信号杂讯；在有源层上制作蚀刻阻挡层，能够保护有源层沟道，在蚀刻阻挡层之上成膜第二金属层，能够图案出源极走线与漏极，制作钝化层以保护TFT免遭外界水或氧气破坏，并蚀刻出第二过孔露出漏极表面；在钝化层上制作有机平坦层蚀刻出第三过孔以露出漏极表面。
进一步的，还包括以下步骤：
形成一阴极金属层，覆盖于间隙层表面且分别与画素定义层远离缓冲层的一侧面和有机发光层远离缓冲层的一侧面接触。
进一步的，所述阴极金属层为高反射率金属。
从上述描述可知，使用高反射率金属能够在增加反射率的同时，避免器件工作时电压升高的弊端；同时也降低了重金属的使用量，减少了重金属环境的污染。
请参照图1和图2，本发明的实施例一为：
一种面板显示器，包括玻璃盖板1，在所述玻璃盖板1表面依次层叠设有偏光片2和显示层；
所述显示层包括基板3和触控模组层，所述触控模组层内置于所述封装玻璃层5中，在所述基板3表面依次层叠设有触控线路层4和封装玻璃层5，所述触控模组层包括TFT线路层和有机发光层；
所述TFT线路层包括缓冲层6，在所述缓冲层6表面依次层叠设有第一金属层7、栅极绝缘层8、有源层9、蚀刻阻挡层10、第二金属层11、钝化层12、有机平坦层13、第三金属层14、画素定义层15和间隙层16，所述蚀刻阻挡层10上设有两个第一过孔，所述第二金属层11填充于所述第一过孔中且与所述有源层9远离缓冲层6的一侧面接触，所述钝化层12上设有一第二过孔，所述有机平坦层13上设有一第三过孔，所述第二过孔与所述第三过孔相对位置设置且相通，所述第三金属层14分别填充于所述第二过孔和第三过孔中且与第二金属层11远离缓冲层6的一侧面接触，所述画素定义层15上设有一第四过孔，所述有机发光层17填充于所述第四过孔中且与所述第三金属层14远离缓冲层6的一侧面接触。所述基板3为玻璃基板或聚酰亚胺(PI)基板等。
所述封装盖板层5为玻璃盖板或柔性盖板等。
所述TFT线路层为自对准TFT或双栅极TFT或底栅TFT或顶栅TFT等。
所述有机发光层17为底发光式AMOLED或双面发光式AMOLED。
所述触控线路层4为投射式电容触控或电容式触控。
请参照图3，本发明的实施例二为：
一种面板显示器的制备方法，包括以下步骤：
S1、提供一玻璃盖板1，且在所述玻璃盖板1上覆盖有偏光片2；
S2、形成一基板3，且覆盖于所述偏光片2表面；S3、形成一触控线路层4，且覆盖于所述基板3表面；
S4、形成一封装玻璃层5，且覆盖于所述触控线路层5表面，在封装玻璃层5内形成TFT线路层和有机发光层17，所述有机发光层17覆盖于所述TFT线路层表面；具体为：
S41、形成一封装玻璃层5，且覆盖于所述触控线路层4表面；
S42、在封装玻璃层5内形成一缓冲层6，且在所述缓冲层6上覆盖有第一金属层7；
S43、形成一栅极绝缘层8，覆盖于所述第一金属层7表面且与缓冲层6接触；
S44、形成一有源层6，且覆盖于所述栅极绝缘层8表面；
S45、形成一蚀刻阻挡层10，且覆盖于所述有源层9表面；
S46、于所述蚀刻阻挡层10中形成两个第一过孔，在第一过孔中形成第二金属层11，且第二金属层11与有源层9远离缓冲层6的一侧面接触；
S47、形成一钝化层12，覆盖于所述第二金属层11表面且与蚀刻阻挡层10远离缓冲层6的一侧面接触；
S48、于所述钝化层12中形成一第二过孔；
S49、形成一有机平坦层13，覆盖于所述钝化层12表面且与第二金属层11远离缓冲层6的一侧面接触；
S410、于所述有机平坦层13中且相对第二过孔的位置形成一第三过孔，分别在第二过孔和第三过孔中形成第三金属层14，且第三金属层14与第二金属层11远离缓冲层6的一侧面接触；
S411、形成一画素定义层15，覆盖于所述第三金属层14表面且与有机平坦层13远离缓冲层6的一侧面接触；
S412、在所述画素定义层15中形成一第四过孔；
S413、形成一间隙层16，且覆盖于画素定义层15表面；
S414、在第四过孔中形成有机发光层17，且有机发光层17与第三金属层14远离缓冲层6的一侧面接触。
还包括以下步骤：
形成一阴极金属层18，覆盖于间隙层16表面且分别与画素定义层15远离缓冲层6的一侧面和有机发光层17远离缓冲层6的一侧面接触。
所述阴极金属层18可采用银等高反射率金属。
所述有源层9的材质可为多晶硅或金属氧化物。
所述触控线路层4的电即材料可选用氧化铟锡(Indium Tin Oxides，简称为ITO)或纳米银线等透明电极材料。
综上所述，本发明提供的一种面板显示器及其制备方法，通过将触控线路层设置在玻璃基板和封装玻璃之间，且将触控模组层内置在封装玻璃中，能够有效减少器件的厚度，且能够有效减少光学胶等多种材料的使用且能达到增加透光性的效果；通过本方案设计的面板显示器，不仅极大降低内嵌式面板的制程工艺难度，且解决了当前AMOLED结构中阴极对触控型号噪音干扰的影响；在缩减面板厚度的同时，提高了触控反应的灵敏度。
以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等同变换，或直接或间接运用在相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (8)
1.一种面板显示器，其特征在于，包括玻璃盖板，在所述玻璃盖板表面依次层叠设有偏光片和显示层；
所述显示层包括基板和触控模组层，所述触控模组层内置于所述封装玻璃层中，在所述基板表面依次层叠设有触控线路层和封装玻璃层，所述触控模组层包括TFT线路层和有机发光层；
所述TFT线路层包括缓冲层，在所述缓冲层表面依次层叠设有第一金属层、栅极绝缘层、有源层、蚀刻阻挡层、第二金属层、钝化层、有机平坦层、第三金属层、画素定义层和间隙层，所述蚀刻阻挡层上设有两个第一过孔，所述第二金属层填充于所述第一过孔中且与所述有源层远离缓冲层的一侧面接触，所述钝化层上设有一第二过孔，所述有机平坦层上设有一第三过孔，所述第二过孔与所述第三过孔相对位置设置且相通，所述第三金属层分别填充于所述第二过孔和第三过孔中且与第二金属层远离缓冲层的一侧面接触，所述画素定义层上设有一第四过孔，所述有机发光层填充于所述第四过孔中且与所述第三金属层远离缓冲层的一侧面接触。
2.根据权利要求1所述的面板显示器，其特征在于，所述TFT线路层为自对准TFT或双栅极TFT。
3.根据权利要求1所述的面板显示器，其特征在于，所述有机发光层为底发光式AMOLED或双面发光式AMOLED。
4.根据权利要求1所述的面板显示器，其特征在于，所述触控线路层为投射式电容触控或电容式触控。
5.一种权利要求1所述的面板显示器的制备方法，包括以下步骤：
S1、提供一玻璃盖板，且在所述玻璃盖板上覆盖有偏光片；
S2、形成一基板，且覆盖于所述偏光片表面；
S3、形成一触控线路层，且覆盖于所述基板表面；
S4、形成一封装玻璃层，且覆盖于所述触控线路层表面，在封装玻璃层内形成TFT线路层和有机发光层，所述有机发光层覆盖于所述TFT线路层表面。
6.根据权利要求5所述的面板显示器的制备方法，步骤S4具体为：
S41、形成一封装玻璃层，且覆盖于所述触控线路层表面；
S42、在封装玻璃层内形成一缓冲层，且在所述缓冲层上覆盖有第一金属层；
S43、形成一栅极绝缘层，覆盖于所述第一金属层表面且与缓冲层接触；
S44、形成一有源层，且覆盖于所述栅极绝缘层表面；
S45、形成一蚀刻阻挡层，且覆盖于所述有源层表面；
S46、于所述蚀刻阻挡层中形成两个第一过孔，在第一过孔中形成第二金属层，且第二金属层与有源层远离缓冲层的一侧面接触；
S47、形成一钝化层，覆盖于所述第二金属层表面且与蚀刻阻挡层远离缓冲层的一侧面接触；
S48、于所述钝化层中形成一第二过孔；
S49、形成一有机平坦层，覆盖于所述钝化层表面且与第二金属层远离缓冲层的一侧面接触；
S410、于所述有机平坦层中且相对第二过孔的位置形成一第三过孔，分别在第二过孔和第三过孔中形成第三金属层，且第三金属层与第二金属层远离缓冲层的一侧面接触；
S411、形成一画素定义层，覆盖于所述第三金属层表面且与有机平坦层远离缓冲层的一侧面接触；
S412、在所述画素定义层中形成一第四过孔；
S413、形成一间隙层，且覆盖于画素定义层表面；
S414、在第四过孔中形成有机发光层，且有机发光层与第三金属层远离缓冲层的一侧面接触。
7.根据权利要求6所述的面板显示器的制备方法，其特征在于，还包括以下步骤：
形成一阴极金属层，覆盖于间隙层表面且分别与画素定义层远离缓冲层的一侧面和有机发光层远离缓冲层的一侧面接触。
8.根据权利要求7所述的面板显示器的制备方法，其特征在于，所述阴极金属层为高反射率金属。
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|---|---|---|---|
| CN201910548047.4A CN110459547A (zh) | 2019-06-24 | 2019-06-24 | 一种面板显示器及其制备方法 |
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| CN108428666A (zh) * | 2018-03-29 | 2018-08-21 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性tft背板的制作方法及柔性tft背板 |
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2019
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