CN110459537A - 显示装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 35
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 160
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 17
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004568 cement Substances 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 at this point Substances 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 230000003044 adaptive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 235000013399 edible fruits Nutrition 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000003760 hair shine Effects 0.000 description 1
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
- G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
- G09F9/33—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
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- Computer Hardware Design (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
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Abstract
本公开提供一种显示装置，包括LED晶片阵列，包括N1行N2列LED晶片，每行LED晶片按照第一色、第二色、第三色顺次等距循环排列，LED晶片的阴极和阳极分别位于上表面和下表面；显示屏幕，包括在第一方向上平行等距设置的N1个第一电极，每个第一电极电连接一行LED晶片的上表面；基板，包括在第二方向上平行等距设置的N2个第二电极，每个第二电极电连接一列LED晶片的下表面；控制模块，电连接N1个第一电极和N2个第二电极，用于向第一电极和第二电极输出电信号以一次控制两行LED晶片中的部分LED晶片作为多个像素单元同时点亮，每个像素单元均包括三个呈三角形排布且颜色均不相同的LED晶片。本公开实施例提供的显示装置可以降低成本、提高制造可靠性。
Description
技术领域
本公开涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种在单位面积内包括更多像素且能克服小尺寸、小间距LED制程困扰的显示装置。
背景技术
随着显示技术的发展，提高分辨率成为领域内研究的重要课题。减小LED晶片体积、缩小LED晶片间距以增加单位面积内的LED晶片数量成为提高显示装置分辨率的常规手段。
目前业界使用倒装芯片(Flip Chip)配合巨量转移来制作微小型LED，在这种技术中，晶片尺寸小于30μm时，Flip Chip底部的焊盘尺寸将小于10μm，对于工艺上使用不易，且容易发生固晶不易、晶片焊盘过近造成爬锡短路的问题。由此，在现有技术基础上难以进一步增加单位面积内的LED晶片数量，进而使显示装置的分辨率受限。
需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本公开的目的在于提供一种显示装置，用于至少在一定程度上克服由于相关技术的限制和缺陷而导致的在一定显示面积内像素数量有限、缩小LED尺寸和间距容易导致制程中连焊的问题。
根据本公开的一个方面，提供一种显示装置，包括：
LED晶片阵列，包括N1行N2列LED晶片，每行所述LED晶片按照第一色、第二色、第三色顺次等距循环排列，所述LED晶片的阴极和阳极分别位于上表面和下表面；
显示屏幕，包括在第一方向上平行等距设置的N1个第一电极，每个所述第一电极电连接一行所述LED晶片的上表面；
基板，包括在第二方向上平行等距设置的N2个第二电极，每个所述第二电极电连接一列所述LED晶片的下表面；
控制模块，电连接N1个所述第一电极和N2个所述第二电极，用于向所述第一电极和所述第二电极输出电信号以一次控制两行所述LED晶片中的部分LED晶片作为多个像素单元同时点亮，每个所述像素单元均包括三个呈三角形排布且颜色均不相同的LED晶片。
在本公开的一种示例性实施例中，每个所述像素单元包括分属两行三列的三个LED晶片，包括两个上行LED晶片和一个下行LED晶片，或者包括一个上行LED晶片和两个下行LED晶片，同一像素单元中两个同一行LED晶片之间包括一个不被点亮的LED晶片。
在本公开的一种示例性实施例中，每两个所述像素单元之间间隔有不被点亮的LED晶片，所述间隔包括延所述第一方向间隔和延所述第二方向间隔。
在本公开的一种示例性实施例中，所述控制模块设置为：根据显示控制信号确定两个所述像素单元间隔的不被点亮的LED晶片的数量。
在本公开的一种示例性实施例中，两个所述像素单元间隔的不被点亮的LED晶片为一行或一列。
在本公开的一种示例性实施例中，所述像素单元中的LED晶片分别属于第n行和第n+2行，或者，所述像素单元中的LED晶片分别属于第n行和第n+1行，其中n∈[1,N1]。
在本公开的一种示例性实施例中，所述控制模块设置为：根据显示控制信号确定每行所述LED晶片的扫描次数和扫描频率。
在本公开的一种示例性实施例中，所述第一电极和/或所述第二电极为ITO导电玻璃。
在本公开的一种示例性实施例中，所述基板为透明基板。
在本公开的一种示例性实施例中，所述第一色、所述第二色、所述第三色分别为红色、绿色、蓝色。
根据本公开的一个方面，提供一种显示装置，包括：
LED晶片阵列，包括N1行N2列LED晶片，其中所述LED晶片仅设置在奇数行奇数列交叉的位置和偶数行偶数列交叉的位置，或者所述LED晶片仅设置在奇数行偶数列交叉的位置和偶数行奇数列交叉的位置，每个所述LED晶片的颜色与相邻LED晶片的颜色均不同，所述LED晶片的阳极和阴极分别位于上表面和下表面；
显示屏幕，包括在第一方向上平行等距设置的N1个第一电极，每个所述第一电极电连接一行所述LED晶片的上表面；
基板，包括在第二方向上平行等距设置的N2个第二电极，每个所述第二电极电连接一列所述LED晶片的下表面。
在本公开的一种示例性实施例中，还包括：
控制模块，电连接N1个所述第一电极和N2个所述第二电极，用于向所述第一电极和所述第二电极输出电信号以一次控制两行所述LED晶片中的部分LED晶片作为多个像素单元同时点亮，每个所述像素单元均包括三个呈三角形排布且颜色均不相同的LED晶片。
在本公开的一种示例性实施例中，每两个所述像素单元之间均间隔有不被点亮的LED晶片，所述间隔包括在所述第一方向上间隔和在所述第二方向上间隔。
在本公开的一种示例性实施例中，所述控制模块设置为：根据显示控制信号确定每两个所述像素之间间隔的不被点亮的LED晶片的个数。
在本公开的一种示例性实施例中，两个所述像素单元间隔的不被点亮的LED晶片为一个或两个。
在本公开的一种示例性实施例中，所述控制模块设置为：根据显示控制信号确定每行所述LED晶片的扫描次数和扫描频率。
在本公开的一种示例性实施例中，所述第一电极和/或所述第二电极为ITO导电玻璃。
在本公开的一种示例性实施例中，所述基板为透明基板。
在本公开的一种示例性实施例中，所述LED晶片阵列的行间距大于等于列间距。
在本公开的一种示例性实施例中，所述LED晶片包括红色、蓝色、绿色的LED晶片。
在本公开的一种示例性实施例中，所述显示屏幕包括玻璃屏幕、塑胶屏幕、蓝宝石屏幕或柔性屏幕。
在本公开的一种示例性实施例中，基板为不透明基板，包括印刷电路基板、陶瓷基板、半导体基板、塑胶基板或柔性基板。
在本公开的一种示例性实施例中，所述LED晶片的制造材料包括氮化物、氮化镓、砷化镓、磷化镓或硅。
本公开实施例提供的显示装置，通过使用位于两行三列的三个LED晶片构成一个像素单元，可以在相同的单位面积内使用同样数量的LED晶片实现更多的像素；此外，通过在各LED晶片的上表面和下表面设置公用电极，可以避免制程中LED晶片尺寸和间距过小导致的连焊，为进一步缩小LED晶片的尺寸和间距提供技术保障。因此，本公开实施例提供的技术方案可以设置更小尺寸的晶片、更小的晶片间距，在相同的单位面积内实现更多的像素，极大地增加了分辨率，尽可能降低了成本，提高了制程可靠性。
应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1A和图1B示意性示出本公开示例性实施例中显示装置100的结构示意图。
图2是本公开实施例中显示装置100的电连接关系的平面示意图。
图3A～图3D是本公开示例性实施例中显示装置100的像素单元的构成示意图。。
图4A和图4B是图3A～图3D所示像素单元的效果示意图。
图5是本公开实施例中另一种像素单元的构成示意图。
图6是本公开一个实施例中像素单元之间间隔的示意图。
图7A和图7B是本公开提供的又一种显示装置700的结构示意图。
图8是本公开实施例中显示装置700的电连接关系的平面示意图。
图9是本公开实施例中显示装置700中三角形像素单元的效果示意图。
图10A和图10B是本公开实施例中显示装置700的像素单元排布的示意图。
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施方式使得本公开将更加全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施方式中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本公开的实施方式的充分理解。然而，本领域技术人员将意识到，可以实践本公开的技术方案而省略所述特定细节中的一个或更多，或者可以采用其它的方法、组元、装置、步骤等。在其它情况下，不详细示出或描述公知技术方案以避免喧宾夺主而使得本公开的各方面变得模糊。
此外，附图仅为本公开的示意性图解，图中相同的附图标记表示相同或类似的部分，因而将省略对它们的重复描述。附图中所示的一些方框图是功能实体，不一定必须与物理或逻辑上独立的实体相对应。可以采用软件形式来实现这些功能实体，或在一个或多个硬件模块或集成电路中实现这些功能实体，或在不同网络和/或处理器装置和/或微控制器装置中实现这些功能实体。
下面结合附图对本公开示例实施方式进行详细说明。
图1A和图1B示意性示出本公开示例性实施例中显示装置的结构示意图。
参考图1A和图1B，显示装置100可以包括：
LED晶片阵列11，包括N1行N2列LED晶片111，每行LED晶片按照第一色、第二色、第三色顺次等距循环排列，LED晶片的阴极和阳极分别位于上表面和下表面；
显示屏幕12，包括在第一方向上平行等距设置的N1个第一电极121，每个第一电极电连接一行LED晶片的上表面；
基板13，包括在第二方向上平行等距设置的N2个第二电极131，每个第二电极电连接一列LED晶片的下表面；
控制模块14，电连接N1个第一电极121和N2个第二电极131，用于向第一电极121和第二电极131输出电信号以一次控制两行LED晶片中的部分LED晶片作为多个像素单元同时点亮，每个像素单元均包括三个呈三角形排布且颜色均不相同的LED晶片。
其中，显示屏幕12例如可以为玻璃屏幕、塑胶屏幕、蓝宝石屏幕或柔性屏幕；LED晶片的制造材料包括氮化物、氮化镓、砷化镓、磷化镓或硅。
在一些实施例中，第一电极121和第二电极131均为ITO导电玻璃，此时，基板13可以为透明基板。在另一些实施例中，第一电极121可以为ITO导电玻璃，第二电极131可以为铜或其他导电材质，此时基板13可以为不透明基板，包括印刷电路基板、陶瓷基板、半导体基板、塑胶基板或柔性基板等。本公开实施例不以显示屏幕、基板、LED晶片的材质为限。
图2是本公开实施例中显示装置100电连接关系的平面示意图。
参考图2，在一个实施例中，第一色、第二色、第三色分别为红色、绿色、蓝色。第一电极121作为连接LED晶片阴极或阳极的共用电极连接到控制模块14，对应地，第二电极131作为连接LED晶片阳极或阴极的共用电极连接到控制模块14。在本公开实施例中，LED晶片的上表面既可以为阳极也可以为阴极，对应地，LED晶片下表面既可以为阴极也可以为阳极。本公开对LED晶片上下表面的极性不作限制。
由于第一电极121和第二电极131分别连接LED晶片的上下表面，可以克服由于晶片尺寸过小或间距过小带来的连锡短路问题，可以大大缩小对晶片尺寸或晶片间距的限制，极大扩展了增加分辨率的可能性。
图3A～图3D是本公开示例性实施例中像素单元的构成示意图。
参考图3A～图3D，在本公开的一种示例性实施例中，每个像素单元包括分属两行三列的三个不同颜色的LED晶片，或者包括两个上行LED晶片和一个下行LED晶片(如图3A和图3C)，或者包括一个上行LED晶片和两个下行LED晶片(如图3B和图3D)，同一像素单元中两个同一行LED晶片之间包括一个不被点亮的LED晶片。
在图3A～图3D所示实施例中，像素单元中的三个LED晶片分别位于阵列中的第n行和第n+1行，n∈[1,N1]。此时为了使像素单元获得很好的发光效果，可以设置LED晶片阵列的行间距大于列间距，从而使三角形像素单元具有更加均衡的三条边。
有图3A～图3D所示实施例可以看出，使用同样数量的九个LED晶片，在相关技术中只能构成三个像素单元，在本公开实施例中却能够构成四个具有不同中心位置的像素单元，这种效果通过数量放大后能够极大增加像素单元的数量和密度。
图4A和图4B是图3A～图3D所示像素单元的效果示意图。
参考图4A，在设置有6*4共24个LED晶片的情况下，在现有技术中仅能实现2*4共8个像素单元。
而在图4B中，横向可以实现A1～A4四个像素单元，每个单元可以有上三角形和下三角形两种实现方式；纵向可以实现A1～C1三行像素单元，一种可以实现4*3＝12个像素单元，且每个像素单元均有两种实现方式，一种可以实现12*2＝24种像素单元，为增加分辨率提供了有利的条件。由于共用电极分别连接在LED晶片的上下表面，有效避免了连锡短路问题，可以单位面积内设置较现有技术更多的LED晶片，配合如图4B所示的像素单元形成方式，可以通过更高密度的LED晶片排布实现更多像素单元，极大地增加显示装置的分辨率。
图5是本公开实施例中另一种像素单元的构成示意图。
在图5所示实施例中，像素单元12中的三个LED晶片分别位于阵列中的第n行和第n+2行，n∈[1,N1]。此时为了使像素单元获得很好的发光效果，可以设置LED晶片阵列的行间距等于列间距，从而使三角形像素单元具有更加均衡的三条边。
同理，图5所示的像素单元构成方式也能够实现更密集的像素分布，配合连接LED晶片上下表面的共用电极，极大地增加显示装置的分辨率。
在一些实施例中，为了实现更好的发光效果，可以在每两个像素单元之间间隔有不被点亮的LED晶片，间隔包括延第一方向间隔和延第二方向间隔。
图6是本公开一个实施例中像素单元之间间隔的示意图。
参考图6，在第一方向(即行方向)上，两个像素单元之间可以间隔一列LED晶片，在第二方向(即列方向上)，两个像素单元之间可以间隔一行LED晶片，以获得更好的发光效果。此外，也可以通过行间距和列间距的设置实现像素单元之间间隔的调整。
由于LED晶片的密集设置，控制模块14可以根据显示控制信号确定两个像素单元间隔的不被点亮的LED晶片的数量，调整像素单元之间的间隔，通过短间隔实现更细腻的显示效果或通过长间隔实现种类更多的显示效果。此外，在本公开的一种示例性实施例中，控制模块还可以根据显示控制信号确定每行LED晶片的扫描次数和扫描频率，来实现更多显示效果。
综上所述，本公开实施例提供的显示装置100通过设置连接LED晶片上下表面的共用电极可以避免LED晶片尺寸过小或间距过小造成的焊接时连锡短路，从而允许在单位面积内设置间距更小、尺寸更小的LED晶片，即增大LED晶片的分布密度；此外，通过设置三角形像素单元，可以在同样数量的LED晶片数量基础上实现更多像素单元的分布，提供更多像素单元的间距、位置设置，可以进一步增加显示装置的分辨率。
图7A和图7B是本公开提供的又一种显示装置700的结构示意图。
参考图7A和图7B，显示装置700可以包括：
LED晶片阵列71，包括N1行N2列LED晶片711，其中LED晶片仅设置在奇数行奇数列交叉的位置和偶数行偶数列交叉的位置，或者LED晶片仅设置在奇数行偶数列交叉的位置和偶数行奇数列交叉的位置，每个LED晶片的颜色与相邻LED晶片的颜色均不同，LED晶片的阳极和阴极分别位于上表面和下表面；
显示屏幕72，包括在第一方向上平行等距设置的N1个第一电极，每个第一电极电连接一行LED晶片的上表面；
基板73，包括在第二方向上平行等距设置的N2个第二电极，每个第二电极电连接一列LED晶片的下表面。
其中，显示屏幕72例如可以为玻璃屏幕、塑胶屏幕、蓝宝石屏幕或柔性屏幕；LED晶片711的制造材料包括氮化物、氮化镓、砷化镓、磷化镓或硅。
在一些实施例中，第一电极721和第二电极731均为ITO导电玻璃，此时，基板73可以为透明基板。在另一些实施例中，第一电极721可以为ITO导电玻璃，第二电极731可以为铜或其他导电材质，此时基板73可以为不透明基板，包括印刷电路基板、陶瓷基板、半导体基板、塑胶基板或柔性基板等。本公开实施例不以显示屏幕、基板、LE晶片的材质为限。
图8是本公开实施例中显示装置700的电连接关系的平面示意图。
参考图8，在一些实施例中，LED晶片阵列71中的LED晶片仅设置在奇数行奇数列交叉的位置和偶数行偶数列交叉的位置，例如第一行第一列、第一行第三列、第一行第五列、第二行第二列、第二行第四列、第三行第一列、第三行第三列、第三行第五列等等。
在另一些实施例中，LED晶片阵列71中的LED晶片也可以仅设置在奇数行偶数列交叉的位置和偶数行奇数列交叉的位置，例如第一行第二列、第一行第四列、第二行第一列、第二行第三列、第二行第五列、第三行第二列、第三行第四列等等。
在图8所示实施例中，显示装置还包括电连接N1个第一电极和N2个第二电极的控制模块74，用于向第一电极和第二电极输出电信号以一次控制两行LED晶片中的部分LED晶片作为多个像素单元同时点亮，每个像素单元均包括三个呈三角形排布且颜色均不相同的LED晶片。
如图8所示的LED晶片排布方式中，LED晶片颜色例如为红色、绿色、蓝色，相邻上下两行的相邻LED晶片颜色均不相同，相邻上下两行中位于两行三列的三个LED晶片构成一个三角形像素单元。
为了改善显示效果或制程考虑，在一些情况下，本领域技术人员会倾向于使用较大尺寸的LED晶片，此时于同一行设置过多晶片会导致晶片间距过小而引起工艺困难，因此，可以通过设置三角形排布的LED晶片像素单元来实现三角形像素单元。
图9是本公开实施例中显示装置700中三角形像素单元的效果示意图。
参考图9，相比于现有技术，六行共27个LED晶片在水平方向能够形成C1～C7等七个三角形像素单元，在垂直方向能够实现A1～E1五个三角形像素单元，即共可以实现35个像素单元，较之现有技术，能够实现更高密度的像素单元设置(现有技术通过27个LED晶片仅能实现9个像素单元设置)，节省了成本。
图10A和图10B是本公开实施例中显示装置700的像素单元排布的示意图。
参考图10A，在一些实施例中，为了实现更好的发光效果，像素单元之间可以在第一方向或第二方向上间隔有若干个未被点亮的LED晶片，例如一个或两个。此外，控制模块74也可以根据显示控制信号确定每两个像素之间间隔的不被点亮的LED晶片的个数，如图10B。控制模块74也可以根据显示控制信号确定每行LED晶片的扫描次数和扫描频率，从而实现更多显示效果。
综上所述，图7A～图10B所示的显示装置通过设置三角形排布的像素单元可以实现更多的像素单元，此外，通过设置连接LED晶片上表面和下表面的共用电极可以避免LED晶片尺寸和间距减小带来的工艺难题，极大地提高显示装置的分辨率。
此外，上述附图仅是根据本发明示例性实施例的方法所包括的处理的示意性说明，而不是限制目的。易于理解，上述附图所示的处理并不表明或限制这些处理的时间顺序。另外，也易于理解，这些处理可以是例如在多个模块中同步或异步执行的。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本公开的其它实施方案。本申请旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和构思由权利要求指出。
Claims (20)
1.一种显示装置，其特征在于，包括：
LED晶片阵列，包括N1行N2列LED晶片，每行所述LED晶片按照第一色、第二色、第三色顺次等距循环排列，所述LED晶片的阴极和阳极分别位于上表面和下表面；
显示屏幕，包括在第一方向上平行等距设置的N1个第一电极，每个所述第一电极电连接一行所述LED晶片的上表面；
基板，包括在第二方向上平行等距设置的N2个第二电极，每个所述第二电极电连接一列所述LED晶片的下表面；
控制模块，电连接N1个所述第一电极和N2个所述第二电极，用于向所述第一电极和所述第二电极输出电信号以一次控制两行所述LED晶片中的部分LED晶片作为多个像素单元同时点亮，每个所述像素单元均包括三个呈三角形排布且颜色均不相同的LED晶片。
2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，每个所述像素单元包括分属两行三列的三个LED晶片，包括两个上行LED晶片和一个下行LED晶片，或者包括一个上行LED晶片和两个下行LED晶片，同一像素单元中两个同一行LED晶片之间包括一个不被点亮的LED晶片。
3.如权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述像素单元中的LED晶片分别属于第n行和第n+2行，或者，所述像素单元中的LED晶片分别属于第n行和第n+1行，其中n∈[1,N1]。
4.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，每两个所述像素单元之间间隔有不被点亮的LED晶片，所述间隔包括延所述第一方向间隔和延所述第二方向间隔。
5.如权利要求4所述的显示装置，其特征在于，所述控制模块设置为：根据显示控制信号确定两个所述像素单元间隔的不被点亮的LED晶片的数量。
6.如权利要求4所述的显示装置，其特征在于，两个所述像素单元间隔的不被点亮的LED晶片为一行或一列。
7.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述控制模块设置为：根据显示控制信号确定每行所述LED晶片的扫描次数和扫描频率。
8.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第一电极和/或所述第二电极为ITO导电玻璃。
9.如权利要求8所述的显示装置，其特征在于，所述基板为透明基板。
10.如权利要求1～9任一项所述的显示装置，其特征在于，所述第一色、所述第二色、所述第三色分别为红色、绿色、蓝色。
11.一种显示装置，其特征在于，包括：
LED晶片阵列，包括N1行N2列LED晶片，其中所述LED晶片仅设置在奇数行奇数列交叉的位置和偶数行偶数列交叉的位置，或者所述LED晶片仅设置在奇数行偶数列交叉的位置和偶数行奇数列交叉的位置，每个所述LED晶片的颜色与相邻LED晶片的颜色均不同，所述LED晶片的阳极和阴极分别位于上表面和下表面；
显示屏幕，包括在第一方向上平行等距设置的N1个第一电极，每个所述第一电极电连接一行所述LED晶片的上表面；
基板，包括在第二方向上平行等距设置的N2个第二电极，每个所述第二电极电连接一列所述LED晶片的下表面。
12.如权利要求11所述的显示装置，其特征在于，还包括：
控制模块，电连接N1个所述第一电极和N2个所述第二电极，用于向所述第一电极和所述第二电极输出电信号以一次控制两行所述LED晶片中的部分LED晶片作为多个像素单元同时点亮，每个所述像素单元均包括三个呈三角形排布且颜色均不相同的LED晶片。
13.如权利要求12所述的显示装置，其特征在于，每两个所述像素单元之间均间隔有不被点亮的LED晶片，所述间隔包括在所述第一方向上间隔和在所述第二方向上间隔。
14.如权利要求13所述的显示装置，其特征在于，所述控制模块设置为：根据显示控制信号确定每两个所述像素之间间隔的不被点亮的LED晶片的个数。
15.如权利要求13所述的显示装置，其特征在于，两个所述像素单元间隔的不被点亮的LED晶片为一个或两个。
16.如权利要求12所述的显示装置，其特征在于，所述控制模块设置为：根据显示控制信号确定每行所述LED晶片的扫描次数和扫描频率。
17.如权利要求11所述的显示装置，其特征在于，所述第一电极和/或所述第二电极为ITO导电玻璃。
18.如权利要求17所述的显示装置，其特征在于，所述基板为透明基板。
19.如权利要求11所述的显示装置，其特征在于，所述LED晶片阵列的行间距大于等于列间距。
20.如权利要求11～19任一项所述的显示装置，其特征在于，所述LED晶片包括红色、蓝色、绿色的LED晶片。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201862668403P | 2018-05-08 | 2018-05-08 | |
| US62/668,403 | 2018-05-08 | ||
| US201862721391P | 2018-08-22 | 2018-08-22 | |
| US62/721,391 | 2018-08-22 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110459537A true CN110459537A (zh) | 2019-11-15 |
Family
ID=68480948
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910389008.4A Pending CN110459537A (zh) | 2018-05-08 | 2019-05-07 | 显示装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN110459537A (zh) |
| TW (1) | TW201947760A (zh) |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201947760A (zh) | 2019-12-16 |
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