CN110416257A - 显示面板背板结构、其制备方法及顶发射型显示面板 - Google Patents
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Abstract
本申请涉及一种顶发射型显示面板，包括基板、缓冲层、栅极、绝缘层、有源层、保护层、源极、漏极、辅助电极、平坦层、像素电极和像素定义层。上述顶发射型显示面板，栅极嵌设于缓冲层内并与缓冲层构成平坦表面，有源层嵌设于绝缘层内并与绝缘层构成平坦表面，源极、漏极、辅助电极分别嵌设于保护层内并与保护层构成平坦表面，使得TFT驱动电路制程完成后整个衬底表面形成平坦表面，避免顶发射型显示面板由于驱动电路造成像素电极的表面不平整的问题，有效提高顶发射型显示面板的发光均匀性，从而提高显示效果。
Description
技术领域
本发明涉及有机发光电子器件技术领域，特别是涉及一种显示面板背板结构、其制备方法及顶发射型显示面板。
背景技术
有机电致发光二极管(OLED)由于其具有自发光、反应快、视角广、亮度高、轻薄等优点，成为目前显示器研究的主要方向之一。OLED显示器主要采用溶液加工制作，具有低成本、高产能、易于实现大尺寸等优点，成为未来显示技术发展的重要方向。其中，印刷技术被认为是实现OLED低成本和大面积全彩显示的最有效途径。
由于OLED显示面板需要采用较为复杂的驱动电路进行补偿，因此其TFT背板上很大部分都被驱动电路所覆盖，导致采用底发射型器件结构的显示面板开口率较小，从而导致功耗增大，器件寿命缩短等问题。而采用顶发射器件结构却可以大幅提高显示面板的开口率，避免因开口率过小而引起的功耗增大及器件寿命缩短等问题。
然而采用印刷工艺制备顶发射器件时，对像素电极的平坦性要求远高于蒸镀型器件。顶发射型显示面板的像素电极由于覆盖了驱动电路，而驱动电路在前期制作过程中很难进行平坦化，因此其像素电极表面的平坦性较差，导致顶发射OLED的发光不均匀。
发明内容
基于此，有必要提供一种像素电极表面平整的顶发射型显示面板。
此外，本申请还提供一种显示面板背板结构及其制备方法。
一种显示面板背板结构，包括：基板；
设于所述基板上的缓冲层，所述缓冲层内嵌设有栅极，所述栅极远离所述基板的表面与所述缓冲层远离所述基板的表面基本齐平；
设于所述缓冲层上的绝缘层，所述绝缘层内嵌设有有源层，所述有源层远离所述缓冲层的表面与所述绝缘层远离所述缓冲层的表面基本齐平；
设于所述绝缘层上的保护层，所述保护层内嵌设有源极和漏极，所述源极和漏极远离所述绝缘层的表面分别与所述保护层远离所述绝缘层的表面基本齐平，且所述源极和漏极均至少部分与所述有源层接触；
设于所述保护层上的平坦层，所述平坦层设有贯穿所述平坦层的平坦层开口，以至少露出部分所述漏极。
在其中一个实施例中，所述保护层内还嵌设有至少一个辅助电极，每个所述辅助电极远离所述绝缘层的表面与所述保护层远离所述绝缘层的表面基本齐平。
一种显示面板背板结构的制备方法，包括以下步骤：
提供基板；
在所述基板上形成缓冲层；
在所述缓冲层形成缓冲层开口，在所述缓冲层开口内沉积栅极材料形成栅极，以使所述栅极远离所述基板的表面与所述缓冲层远离所述基板的表面基本齐平；
在所述栅极和所述缓冲层远离所述基板的表面形成绝缘层；
在所述绝缘层形成绝缘层开口，在所述绝缘层开口内沉积有源材料形成有源层，以使所述有源层远离所述缓冲层的表面与所述绝缘层远离所述缓冲层的表面基本齐平；
在所述有源层和所述绝缘层远离所述缓冲层的表面形成保护层；
在所述保护层分别形成贯穿所述保护村层的源极保护层开口和漏极保护层开口，所述源极保护层开口和所述漏极保护层开口均至少露出部分所述有源层，在所述源极保护层开口内和所述漏极保护层开口内沉积金属材料，形成源极和漏极，以使所述源极和漏极远离所述绝缘层的表面与所述保护层远离所述绝缘层的表面基本齐平，且所述源极和漏极至少部分与所述有源层接触；
在所述源极、漏极和所述保护层远离所述绝缘层的表面形成平坦层，在所述平坦层形成贯穿所述平坦层的平坦层开口，所述平坦层开口至少露出部分所述漏极。
在其中一个实施例中，在所述缓冲层形成缓冲层开口，在所述缓冲层开口内沉积栅极材料形成栅极的方法为：
在所述缓冲层远离所述基板的表面形成图案化的第一光阻层，将所述缓冲层对应所述第一光阻层的图案化区域的位置进行蚀刻，以形成所述缓冲层开口；
在所述第一光阻层远离所述缓冲层的表面和所述缓冲层开口内沉积栅极材料至所述栅极材料沉积的厚度与所述缓冲层开口的深度相同，将所述第一光阻层和沉积在所述第一光阻层表面的栅极材料剥离，沉积于所述缓冲层开口内的栅极材料形成栅极。
在其中一个实施例中，在所述绝缘层形成绝缘层开口，在所述绝缘层开口内沉积有源材料形成有源层的方法为：
在所述绝缘层远离所述缓冲层的表面形成图案化的第二光阻层，将所述绝缘层对应所述第二光组层的图案化区域的位置进行蚀刻，以形成所述绝缘层开口；
在所述第二光阻层远离所述绝缘层的表面和所述绝缘层开口内沉积有源材料至所述有源材料沉积的厚度与所述绝缘层开口的深度相同，将所述第二光阻层和沉积在所述第二光阻层表面的有源材料剥离，沉积于所述绝缘层开口内的有源材料形成有源层。
在其中一个实施例中，在所述保护层分别形成贯穿所述保护层的源极保护层开口和漏极保护层开口，在所述源极保护层开口内和所述漏极保护层开口内沉积金属材料，形成源极和漏极的方法为：
在所述保护层远离所述绝缘层的表面形成图案化的第三光阻层，将所述保护层对应所述第三光阻层图案化区域的位置进行蚀刻，以分别形成所述源极保护层开口和所述漏极保护层开口；
在所述第三光阻层远离所述保护层的表面、所述源极保护层开口内和所述漏极保护层开口内沉积金属材料至所述金属材料沉积的厚度与所述保护层的厚度相同，将所述第三光阻层和沉积在所述第三光阻层表面的金属材料剥离，沉积于所述源极保护层开口内的金属材料形成源极，沉积于所述漏极保护层开口内的金属材料形成漏极。
在其中一个实施例中，上述显示面板背板结构的制备方法，所述在所述有源层和所述绝缘层远离所述缓冲层的表面形成保护层之后，还包括以下步骤：
在所述保护层形成贯穿所述保护层的至少一个辅助电极保护层开口，在每个所述辅助电极保护层开口内沉积金属材料形成辅助电极，以使每个所述辅助电极远离所述绝缘层的表面与所述保护层远离所述绝缘层的表面基本齐平。
在其中一个实施例中，在所述保护层形成贯穿所述保护层的至少一个辅助电极保护层开口，在每个所述辅助电极保护层开口内沉积金属材料形成辅助电极的方法为：
将所述保护层对应所述第三光阻层的图案化区域的位置进行蚀刻，还形成至少一个辅助电极保护层开口；
在每个所述辅助电极保护层开口内沉积金属材料，所述金属材料沉积的厚度与所述保护层的厚度相同，沉积于所述辅助电极保护层开口内的金属材料形成辅助电极。
一种顶发射型显示面板，包括显示面板背板结构和设于所述显示面板背板结构上的像素电极和像素定义层；所述显示面板背板结构，包括基板；
设于所述基板上的缓冲层，所述缓冲层内嵌设有栅极，所述栅极远离所述基板的表面与所述缓冲层远离所述基板的表面基本齐平；
设于所述缓冲层上的绝缘层，所述绝缘层内嵌设有有源层，所述有源层远离所述缓冲层的表面与所述绝缘层远离所述缓冲层的表面基本齐平；
设于所述绝缘层上的保护层，所述保护层内嵌设有源极和漏极，所述源极和漏极远离所述绝缘层的表面分别与所述保护层远离所述绝缘层的表面基本齐平，且所述源极和所述漏极均至少部分与所述有源层接触；
设于所述保护层上的平坦层，所述平坦层设有贯穿所述平坦层的平坦层开口，以至少露出部分所述漏极；
所述像素电极设于所述平坦层开口内及所述平坦层上，所述像素电极与所述漏极接触；
所述像素定义层设于所述平坦层上，所述像素定义层设有子像素开口，以至少露出部分所述像素电极。
在其中一个实施例中，上述顶发射型显示面板，还包括子像素，所述子像素设于所述像素定义层的子像素开口内。
上述顶发射型显示面板，栅极与缓冲层构成平坦表面，有源层与绝缘层构成平坦表面，源漏极与保护层构成平坦表面，使得TFT驱动电路制程完成后整个衬底表面形成平坦表面，避免顶发射型显示面板中由于驱动电路造成像素电极的表面不平整的问题，有效提高顶发射型显示面板的发光均匀性，从而提高显示效果。
附图说明
图1为一实施方式的顶发射型显示面板的结构示意图；
图2为步骤S110对应的结构示意图；
图3为步骤S112对应的结构示意图；
图4和图5为步骤S113对应的结构示意图；
图6为步骤S115对应的结构示意图；
图7和图8为步骤S116对应的结构示意图；
图9为步骤S118对应的结构示意图；
图10为步骤S119对应的结构示意图；
图11为步骤S120对应的结构示意图；
图12为步骤S121对应的结构示意图。
具体实施方式
为了便于理解本发明，下面将对本发明进行更全面的描述，并给出了本发明的较佳实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的阻合。
请参阅图1，一实施方式的顶发射型显示面板1000，包括显示面板背板结构100和设于显示面板背板结构上100的像素电极200和像素定义层300。其中，显示面板背板结构100包括基板10、缓冲层20、栅极22、绝缘层30、有源层32、保护层40、源极42、漏极44、辅助电极46和平坦层50。
进一步的，基板10上具有TFT驱动阵列，用于驱动发光元器件，实现图像显示。
进一步的，缓冲层20层叠于基板10上，缓冲层20内嵌设有栅极22，栅极22远离基板10的表面与缓冲层20远离基板10的表面基本齐平，构成平坦表面。
需要说明的是，栅极22远离基板10的表面与缓冲层20远离基板10的表面基本齐平指的是：栅极22的上表面与缓冲层20的上表面高度差不超过缓冲层20厚度的1％。
进一步的，栅极22的上表面与缓冲层20的上表面齐平。
其中，缓冲层20的材料选自硅氧化物(SiOx)及氮硅化物(SiNx)中的至少一种。
可以理解，在其他实施方式中，上述缓冲层20的材料还可以是现有的任意可作为缓冲层20的材料。
进一步的，栅极22的材料为导电金属。在本实施方式中，栅极22的材料选自铜钼合金、铝及铝钼合金中的至少一种。
可以理解，上述栅极22的材料还可以是现有的任意可作为栅极22的材料。
在本实施方式中，栅极22靠近基板10的表面位于缓冲层20内，如图1所示。
可以理解，在其他实施方式中，栅极22靠近基板10的表面还可以与缓冲层20靠近基板10的表面基本齐平，构成平坦面。
进一步的，绝缘层30层叠于缓冲层20上。绝缘层30内嵌设有有源层32。有源层32远离缓冲层20的表面与绝缘层30远离缓冲层20的表面基本齐平，构成平坦表面。
需要说明的是，有源层32远离缓冲层20的表面与绝缘层30远离缓冲层20的表面基本齐平指的是：有源层32的上表面与绝缘层30的上表面的高度差不超过绝缘层30厚度的1％。
进一步的，有源层32的上表面与绝缘层30的上表面齐平。
在本实施方式中，有源层32靠近缓冲层20的表面位于绝缘层30内，如图1所示。
其中，绝缘层30的材料选自硅氧化物(SiOx)及氮硅化物(SiNx)中的至少一种。
可以理解，在其他实施方式中，上述绝缘层30的材料还可以是其他栅极绝缘材料。
进一步的，有源层32的材料为半导体材料，如金属氧化物半导体等。
进一步的，保护层40层叠于绝缘层30上。保护层40内嵌设有源极42、漏极44和至少一个辅助电极46。
可以理解，辅助电极46可省略。
进一步的，保护层40的材料选自硅氧化物(SiOx)及氮硅化物(SiNx)中的至少一种。
可以理解，在其他实施方式中，上述保护层40的材料还可以是现有的任意可作为保护层40的材料。
进一步的，源极42、漏极44和辅助电极46的材料为导电金属。在本实施方式中，源极42、漏极44和辅助电极46的材料选自铜钼合金、铝及铝钼合金中的至少一种。
进一步的，源极42、漏极44和辅助电极46远离绝缘层30的表面均与保护层40远离绝缘层30的表面基本齐平，构成平坦表面。
需要说明的是：源极42、漏极44和辅助电极46远离绝缘层30的表面均与保护层40远离绝缘层30的表面基本齐平指的是：源极42的上表面、漏极44的上表面、辅助电极46的上表面与保护层40的上表面的高度差不超过保护层40厚度的1％。
进一步的，源极42的上表面、漏极44的上表面、辅助电极46的上表面均与保护层40的上表面齐平。
进一步的，源极42和漏极44均至少部分与有源层32接触。辅助电极46则外接电源电路。
进一步的，平坦层50层叠于保护层40上。平坦层50设有贯穿该平坦层50的平坦层开口52，以至少露出部分漏极44，如图12所示。
进一步的，平坦层50为有机光阻层，厚度为1μm，起平坦作用。
进一步的，像素电极200设于平坦层开口52内及平坦层50上。像素电极200与漏极44接触。
进一步的，像素电极200为导电膜层，该导电膜层为反射型导电膜层，如铝、银、铝银合金等高导电金属薄膜；或包括ITO、Ag和ITO等多层结构的反射导电薄膜。
进一步的，像素定义层300设于平坦层50上，像素定义层300设有子像素开口(图为标)，以露出部分像素电极200。
在本实施方式中，子像素开口露出全部像素电极200。
进一步的，像素定义层300的厚度为800nm～1500nm，用于定义各像素的发光面积大小，表面呈疏液性，在印刷制程中防止墨水溢出造成混色。
上述顶发射型显示面板，栅极22与缓冲层20构成平坦表面，有源层32与绝缘层30构成平坦表面，源极42、漏极44、辅助电极46与保护层40构成平坦表面，使得TFT驱动电路制程完成后整个衬底表面形成平坦表面，避免顶发射型显示面板由于驱动电路造成像素电极的表面不平整的问题，有效提高顶发射型显示面板的发光均匀性，从而提高显示效果。
请参阅图1～12，一实施方式的顶发射型显示面板的制备方法，包括以下步骤：
S110、提供基板10，在上述基板10上形成缓冲层20，如图2所示。
具体的，在基板10上沉积硅氧化物、氮硅化物等材料以形成缓冲层20。
S112、在缓冲层20形成缓冲层开口23。
具体的，在缓冲层20远离基板10的表面形成图案化的第一光阻层21，将缓冲层20对应第一光阻层21的图案化区域进行蚀刻，以形成缓冲层开口23，如图3所示。
具体的，在缓冲层20远离基板10的表面涂布光阻材料并进行光刻以形成图案化的第一光阻层21。
S113、在缓冲层开口23内沉积栅极材料25形成栅极22，以使栅极22远离基板10的表面与缓冲层20远离基板10的表面基本齐平。
具体的，在第一光阻层21远离缓冲层20的表面和缓冲层开口23内沉积栅极材料25至该栅极材料25的沉积厚度与缓冲层开口23的深度相同，如图4所示。
将第一光阻层21和沉积在第一光阻层21表面的栅极材料25剥离，沉积于缓冲层开口23内的栅极材料形成栅极22，如图5所示。
可以理解，栅极22即为沉积在缓冲层开口23内的栅极材料25。
S114、在栅极22和缓冲层20远离基板10的表面形成绝缘层30。
具体的，在栅极22和缓冲层20远离基板10的表面沉积栅极绝缘材料以形成绝缘层30。
S115、在绝缘层30形成绝缘层开口33。
具体的，在绝缘层30远离缓冲层20的表面形成图案化的第二光阻层31，将绝缘层30对应第二光阻层31的图案化区域的位置进行蚀刻，以形成绝缘层开口33，如图6所示。
具体的，在绝缘层30远离缓冲层20的表面涂布光阻并进行光刻，以形成图案化的第二光阻层31。
S116、在绝缘层开口33内沉积有源材料35形成有源层32，以使有源层32远离缓冲层20的表面与绝缘层30远离缓冲层20的表面基本齐平。
具体的，在第二光阻层31远离绝缘层30的表面和绝缘层开口内33沉积有源材料35，该有源材料35的沉积厚度与绝缘层开口33的深度相同，如图7所示。
将第二光阻层31和沉积在第二光阻层31表面的有源材料35剥离，沉积于绝缘层开口33内的有源材料形成有源层32，如图8所示。
可以理解，有源层32即为沉积在绝缘层开口33的有源材料33。
需要说明的是，该有源材料33为形成有源层32的材料，如金属氧化物半导体等半导体材料。
S117、在有源层32和绝缘层30远离缓冲层20的表面形成保护层40。
S118、在保护层40分别形成贯穿保护层40的源极保护层开口43、漏极保护层开口45和辅助电极保护层开口47，其中源极保护层开口43和漏极保护层开口45均至少露出部分有源层32。
具体的，在保护层40远离绝缘层30的表面形成图案化的第三光阻层41，将保护层40对应第三光阻层41的图案化区域的位置进行蚀刻，以形成源极保护层开口43、漏极保护层开口45和辅助电极保护层开口47，其中源极保护层开口43和漏极保护层开口45均至少露出部分有源层32，如图9所示。
可以理解，若不需要辅助电极，则上述辅助电极保护层开口47可不进行蚀刻。
具体的，在保护层40远离绝缘层30的表面涂布光阻并进行光刻以形成图案化的第三光阻层41。
S119、在源极保护层开口43、漏极保护层开口45和辅助电极保护层开口47内沉积金属材料49，形成源极42、漏极44和辅助电极46，以使源极42、漏极44和辅助电极46远离绝缘层30的表面与保护层40远离绝缘层30的表面基本齐平，且源极42和漏极44均至少部分与有源层32接触。
具体的，在第三光阻层41远离保护层40的表面、源极保护层开口43内、漏极保护层开口45内和辅助电极保护层开口47内沉积金属材料49，该金属材料49的沉积厚度与保护层40的厚度相同，如图10所示。
需要说明的是，该金属材料49为铜钼合金、铝及铝钼合金等导电金属材料。
将第三光阻层41和沉积在第三光阻层41表面的金属材料49剥离，沉积于源极保护层开口43内的金属材料形成源极42，沉积于漏极保护层开口45内的金属材料形成漏极44，沉积于辅助电极保护层开口47内的金属材料49形成辅助电极46，如图11所示。
S120、在源极42、漏极44、辅助电极46和保护层40远离绝缘层30的表面形成平坦层50。
S121、在平坦层50形成贯穿平坦层50的平坦层开口52，该平坦层开口52至少露出部分漏极44。
具体的，对平坦层50进行光刻，形成平坦层开口52，该平坦层开口52至少露出部分漏极44，如图12所示。
S122、在平坦层开口52内和平坦层50远离保护层40的表面形成像素电极200，该像素电极200与漏极44接触，在平坦层50远离保护层40的表面形成覆设像素电极200的像素定义层300，像素定义层300上设置子像素开口(图未标)，以至少露出部分像素电极200，如图1所示。
具体的，在平坦层开口52内和平坦层50远离保护层40的表面沉积如铝、银、铝银合金等高导电金属材料；或依次交替沉积ITO、Ag等材料，然后进行光刻，以形成图案化的像素电极200。
具体的，在平坦层50对应像素电极200的图案化区域的位置及像素电极200远离平坦层50的表面沉积像素定义层材料，然后进行光刻，以形成具有子像素开口的像素定义层300。
在本实施方式中，上述子像素开口露出全部像素电极200。
上述顶发射型显示面板的制备方法简单可行，可制备像素电极表面平整的背板结构，避免顶发射型显示面板由于驱动电路造成像素电极的表面不平整的问题，有效提高顶发射型显示面板的发光均匀性，从而提高显示效果。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的阻合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的阻合都进行描述，然而，只要这些技术特征的阻合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种显示面板背板结构，其特征在于，包括：基板；
设于所述基板上的缓冲层，所述缓冲层内嵌设有栅极，所述栅极远离所述基板的表面与所述缓冲层远离所述基板的表面基本齐平；
设于所述缓冲层上的绝缘层，所述绝缘层内嵌设有有源层，所述有源层远离所述缓冲层的表面与所述绝缘层远离所述缓冲层的表面基本齐平；
设于所述绝缘层上的保护层，所述保护层内嵌设有源极和漏极，所述源极和漏极远离所述绝缘层的表面分别与所述保护层远离所述绝缘层的表面基本齐平，且所述源极和所述漏极均至少部分与所述有源层接触；
设于所述保护层上的平坦层，所述平坦层设有贯穿所述平坦层的平坦层开口，以至少露出部分所述漏极。
2.根据权利要求1所述的显示面板背板结构，其特征在于，所述保护层内还嵌设有至少一个辅助电极，每个所述辅助电极远离所述绝缘层的表面与所述保护层远离所述绝缘层的表面基本齐平。
3.一种显示面板背板结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供基板；
在所述基板上形成缓冲层；
在所述缓冲层形成缓冲层开口，在所述缓冲层开口内沉积栅极材料形成栅极，以使所述栅极远离所述基板的表面与所述缓冲层远离所述基板的表面基本齐平；
在所述栅极和所述缓冲层远离所述基板的表面形成绝缘层；
在所述绝缘层形成绝缘层开口，在所述绝缘层开口内沉积有源材料形成有源层，以使所述有源层远离所述缓冲层的表面与所述绝缘层远离所述缓冲层的表面基本齐平；
在所述有源层和所述绝缘层远离所述缓冲层的表面形成保护层；
在所述保护层分别形成贯穿所述保护层的源极保护层开口和漏极保护层开口，所述源极保护层开口和所述漏极保护层开口均至少露出部分所述有源层，在所述源极保护层开口内和所述漏极保护层开口内沉积金属材料，形成源极和漏极，以使所述源极和漏极远离所述绝缘层的表面分别与所述保护层远离所述绝缘层的表面基本齐平，且所述源极和漏极均至少部分与所述有源层接触；
在所述源极、漏极和所述保护层远离所述绝缘层的表面形成平坦层，在所述平坦层形成贯穿所述平坦层的平坦层开口，所述平坦层开口至少露出部分所述漏极。
4.根据权利要求3所述的显示面板背板结构的制备方法，其特征在于，在所述缓冲层形成缓冲层开口，在所述缓冲层开口内沉积栅极材料形成栅极的方法为：
在所述缓冲层远离所述基板的表面形成图案化的第一光阻层，将所述缓冲层对应所述第一光阻层的图案化区域的位置进行蚀刻，以形成所述缓冲层开口；
在所述第一光阻层远离所述缓冲层的表面和所述缓冲层开口内沉积栅极材料至所述栅极材料沉积的厚度与所述缓冲层开口的深度相同，将所述第一光阻层和沉积在所述第一光阻层表面的栅极材料剥离，沉积于所述缓冲层开口内的栅极材料形成栅极。
5.根据权利要求3所述的显示面板背板结构的制备方法，其特征在于，在所述绝缘层形成绝缘层开口，在所述绝缘层开口内沉积有源材料形成有源层的方法为：
在所述绝缘层远离所述缓冲层的表面形成图案化的第二光阻层，将所述绝缘层对应所述第二光阻层的图案化区域的位置进行蚀刻，以形成所述绝缘层开口；
在所述第二光阻层远离所述绝缘层的表面和所述绝缘层开口内沉积有源材料至所述有源材料沉积的厚度与所述绝缘层开口的深度相同，将所述第二光阻层和沉积在所述第二光阻层表面的有源材料剥离，沉积于所述绝缘层开口内的有源材料形成有源层。
6.根据权利要求3所述的显示面板背板结构的制备方法，其特征在于，在所述保护层分别形成贯穿所述保护层的源极保护层开口和漏极保护层开口，在所述源极保护层开口内和所述漏极保护层开口内沉积金属材料，形成源极和漏极的方法为：
在所述保护层远离所述绝缘层的表面形成图案化的第三光阻层，将所述保护层对应所述第三光阻层的图案化区域的位置进行蚀刻，以分别形成所述源极保护层开口和所述漏极保护层开口；
在所述第三光阻层远离所述保护层的表面、所述源极保护层开口内和所述漏极保护层开口内沉积金属材料至所述金属材料沉积的厚度与所述保护层的厚度相同，将所述第三光阻层和沉积在所述第三光阻层表面的金属材料剥离，沉积于所述源极保护层开口内的金属材料形成源极，沉积于所述漏极保护层开口内的金属材料形成漏极。
7.根据权利要求6所述的显示面板背板结构的制备方法，其特征在于，所述在所述有源层和所述绝缘层远离所述缓冲层的表面形成保护层之后，还包括以下步骤：
在所述保护层形成贯穿所述保护层的至少一个辅助电极保护层开口，在每个所述辅助电极保护层开口内沉积金属材料形成辅助电极，以使每个所述辅助电极远离所述绝缘层的表面与所述保护层远离所述绝缘层的表面基本齐平。
8.根据权利要求7所述的显示面板背板结构的制备方法，其特征在于，在所述保护层形成贯穿所述保护层的至少一个辅助电极保护层开口，在每个所述辅助电极保护层开口内沉积金属材料形成辅助电极的方法为：
将所述保护层对应所述第三光阻层的图案化区域的位置进行蚀刻，还形成至少一个辅助电极保护层开口；
在每个所述辅助电极保护层开口内沉积金属材料，所述金属材料沉积的厚度与所述保护层的厚度相同，沉积于所述辅助电极保护层开口内的金属材料形成辅助电极。
9.一种顶发射型显示面板，其特征在于，包括显示面板背板结构和设于所述显示面板背板结构上的像素电极和像素定义层；所述显示面板背板结构，包括基板；
设于所述基板上的缓冲层，所述缓冲层内嵌设有栅极，所述栅极远离所述基板的表面与所述缓冲层远离所述基板的表面基本齐平；
设于所述缓冲层上的绝缘层，所述绝缘层内嵌设有有源层，所述有源层远离所述缓冲层的表面与所述绝缘层远离所述缓冲层的表面基本齐平；
设于所述绝缘层上的保护层，所述保护层内嵌设有源极和漏极，所述源极和漏极远离所述绝缘层的表面分别与所述保护层远离所述绝缘层的表面基本齐平，且所述源极和所述漏极均至少部分与所述有源层接触；
设于所述保护层上的平坦层，所述平坦层设有贯穿所述平坦层的平坦层开口，以至少露出部分所述漏极；
所述像素电极设于所述平坦层开口内及所述平坦层上，且所述像素电极与所述漏极接触；
所述像素定义层设于所述平坦层上，所述像素定义层设有子像素开口，以至少露出部分所述像素电极。
10.根据权利要求9所述的顶发射型显示面板，其特征在于，所述顶发射型显示面板还包括子像素，所述子像素设于所述像素定义层的子像素开口内。
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|---|---|
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Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111129106A (zh) * | 2020-01-20 | 2020-05-08 | 合肥京东方卓印科技有限公司 | 一种oled基板及其制备方法、显示面板、显示装置 |
| CN111129032A (zh) * | 2019-12-19 | 2020-05-08 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种阵列基板及其制作方法 |
| CN111540757A (zh) * | 2020-05-07 | 2020-08-14 | 武汉华星光电技术有限公司 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
| WO2021184305A1 (zh) * | 2020-03-19 | 2021-09-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板以及显示装置 |
| CN113437127A (zh) * | 2021-06-25 | 2021-09-24 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
| WO2023004684A1 (zh) * | 2021-07-29 | 2023-02-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制作方法、显示装置 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101364572A (zh) * | 2007-08-10 | 2009-02-11 | 群康科技(深圳)有限公司 | 薄膜晶体管基板制造方法 |
| US20150001492A1 (en) * | 2013-06-26 | 2015-01-01 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin-film transistor substrate, related light-emitting apparatus, and related manufacturing method |
| CN105448936A (zh) * | 2016-01-04 | 2016-03-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制作方法、显示装置 |
| CN105514116A (zh) * | 2015-12-03 | 2016-04-20 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Tft背板结构及其制作方法 |
| CN105552082A (zh) * | 2014-10-30 | 2016-05-04 | 元太科技工业股份有限公司 | 主动元件电路基板 |
| CN106057827A (zh) * | 2016-08-12 | 2016-10-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法、显示装置 |
| CN106531746A (zh) * | 2016-11-30 | 2017-03-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板、阵列基板的制作方法、显示面板及显示装置 |
-
2018
- 2018-07-13 CN CN201810776556.8A patent/CN110416257A/zh active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101364572A (zh) * | 2007-08-10 | 2009-02-11 | 群康科技(深圳)有限公司 | 薄膜晶体管基板制造方法 |
| US20150001492A1 (en) * | 2013-06-26 | 2015-01-01 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin-film transistor substrate, related light-emitting apparatus, and related manufacturing method |
| CN105552082A (zh) * | 2014-10-30 | 2016-05-04 | 元太科技工业股份有限公司 | 主动元件电路基板 |
| CN105514116A (zh) * | 2015-12-03 | 2016-04-20 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Tft背板结构及其制作方法 |
| CN105448936A (zh) * | 2016-01-04 | 2016-03-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制作方法、显示装置 |
| CN106057827A (zh) * | 2016-08-12 | 2016-10-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法、显示装置 |
| CN106531746A (zh) * | 2016-11-30 | 2017-03-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板、阵列基板的制作方法、显示面板及显示装置 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111129032A (zh) * | 2019-12-19 | 2020-05-08 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种阵列基板及其制作方法 |
| CN111129106A (zh) * | 2020-01-20 | 2020-05-08 | 合肥京东方卓印科技有限公司 | 一种oled基板及其制备方法、显示面板、显示装置 |
| WO2021184305A1 (zh) * | 2020-03-19 | 2021-09-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板以及显示装置 |
| CN111540757A (zh) * | 2020-05-07 | 2020-08-14 | 武汉华星光电技术有限公司 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
| CN111540757B (zh) * | 2020-05-07 | 2024-03-05 | 武汉华星光电技术有限公司 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
| CN113437127A (zh) * | 2021-06-25 | 2021-09-24 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
| WO2023004684A1 (zh) * | 2021-07-29 | 2023-02-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制作方法、显示装置 |
| CN116210368A (zh) * | 2021-07-29 | 2023-06-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制作方法、显示装置 |
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