CN118051146A

CN118051146A - 触摸显示装置

Info

Publication number: CN118051146A
Application number: CN202311537239.8A
Authority: CN
Inventors: 尹昌熙; 李健宁
Original assignee: LG Display Co Ltd
Current assignee: LG Display Co Ltd
Priority date: 2022-11-15
Filing date: 2023-11-15
Publication date: 2024-05-17
Also published as: US20240160311A1; KR20240071038A

Abstract

本公开提供一种触摸显示装置，该触摸显示装置包括设置在用于驱动显示器的信号线与触摸电极之间的屏蔽电极，被配置成使得通过使从屏蔽电极接收的反馈信号反相并放大获得的补偿电压能够被供应到屏蔽电极，并且因此，提供的优点在于，阻挡信号线与触摸电极之间的直接或间接耦合，根据显示驱动降低触摸感测信号中的噪声，并且提高触摸感测的性能。

Description

触摸显示装置

技术领域

本公开涉及一种电子装置，并且更具体地涉及一种触摸显示装置。

背景技术

诸如能够执行触摸感测的显示装置的显示装置可以检测用户的手指、笔等在显示面板上的触摸输入，并且基于检测的触摸输入来执行诸如呈现图像、处理数据等的预定义操作。

通常，这样的显示装置可以通过使用设置在显示面板上或嵌入显示面板中的多个触摸电极来提供感测来自用户的触摸输入的功能。

包括在显示装置中的这种触摸电极可以定位成与设置在显示面板中的用于显示驱动的信号线或电极相邻。

这种配置可能使得在触摸电极与用于显示驱动的电极之间形成寄生电容。在典型的能够执行触摸感测的显示装置中，由于这种寄生电容，可能发生通过触摸电极检测的触摸感测信号中的噪声，并且因此，可降低触摸感测的性能。

发明内容

为了解决这些问题，本公开的一个或更多个实施方式可以提供一种显示装置，其能够降低由显示驱动引起的触摸感测信号中的噪声，并且基于包括在显示装置中的触摸电极提高触摸感测的性能。

根据本公开的方面，可以提供一种触摸显示装置，所述触摸显示装置包括：基板，所述基板包括有效区和非有效区，多个子像素设置在所述有效区中，所述非有效区位于所述有效区的外部；多条信号线和多条电力线，所述多条信号线和所述多条电力线设置在所述基板上方；多个发光元件，所述多个发光元件位于所述多条信号线和所述多条电力线上方；封装层，所述封装层设置在所述多个发光元件上；多个触摸电极，所述多个触摸电极设置在所述封装层上；屏蔽电极，所述屏蔽电极位于设置有所述多条信号线的层与设置有所述多个发光元件的层之间，并且与所述多条电力线中的至少一条电力线电连接；至少一条反馈线，所述至少一条反馈线与所述屏蔽电极电连接；反馈电路，所述反馈电路被配置成通过所述至少一条反馈线接收反馈信号，并且基于所述反馈信号向所述多条电力线当中的与所述屏蔽电极电连接的电力线输出补偿电压。

根据本公开的方面，可以提供一种触摸显示装置，所述触摸显示装置包括：多条电力线，所述多条电力线用于向设置在显示面板中的多个子像素供应用于显示驱动的电压；屏蔽电极，所述屏蔽电极位于设置有用于向所述多个子像素供应用于显示驱动的信号的多条信号线的层与设置有包括在所述显示面板中的多个触摸电极的层之间，并与所述多条电力线中的至少一条电力线电连接；至少一条反馈线，所述至少一条反馈线与所述屏蔽电极电连接；以及反馈电路，所述反馈电路被配置成通过所述至少一条反馈线接收反馈信号，并基于通过所述至少一条反馈线接收的所述反馈信号向与所述屏蔽电极电连接的电力线输出补偿电压。

根据本公开的方面，可以提供一种触摸显示装置，所述触摸显示装置包括：多个发光元件，所述多个发光元件设置在有效区中；封装层，所述封装层位于所述多个发光元件上；多个触摸电极，所述多个触摸电极位于所述封装层上；屏蔽电极，所述屏蔽电极位于所述封装层与所述多个触摸电极之间；至少一条反馈线，所述至少一条反馈线与所述屏蔽电极电连接；以及反馈电路，所述反馈电路被配置成通过所述至少一条反馈线接收反馈信号，并基于所述反馈信号向所述屏蔽电极输出补偿电压。

根据本公开的一个或更多个实施方式，可以提供一种触摸显示装置，其能够通过减小在触摸电极和用于显示驱动的电极之间直接或间接形成的寄生电容来降低由显示驱动引起的触摸感测信号中的噪声并提高触摸感测性能。

附图说明

被包括以提供对本公开的进一步理解并且被并入并构成本公开的一部分的附图示出了本公开的各方面并且与具体实施方式一起用于解释本公开的原理。在附图中：

图1示出了根据本公开的方面的示例触摸显示装置；

图2示出了根据本公开的方面的包括在触摸显示装置中的子像素的示例等效电路；

图3示出了根据本公开的方面的包括在触摸显示装置中的示例触摸传感器结构；

图4是沿图3所示的线I-I’截取的示例截面图。

图5示出了根据本公开的方面的包括在触摸显示装置中的屏蔽电极连接至触摸显示装置中的反馈线和反馈电路的示例结构；

图6A至图6C示出了根据本公开的方面的包括在触摸显示装置中的屏蔽电极连接到触摸显示装置中的反馈线和反馈电路的各种示例结构；以及

图7至图13示出了根据本公开的方面的相应屏蔽电极设置在触摸显示装置中的示例结构。

具体实施方式

在以下对本公开的示例或实施方式的描述中，将参考附图，在附图中通过图示的方式示出了可以实现的特定示例或实施方式，并且在附图中相同的附图标记和标号可以用于指定相同或相似的部件，即使在它们在彼此不同的附图中示出时。此外，在本公开的示例或实施方式的以下描述中，当确定描述可以使本公开的一些实施方式中的主题相当不清楚时，将省略对并入本文中的公知功能和部件的详细描述。在使用术语“包括”、“具有”、“含有”、“包含”、“构成”、“组成”、“形成”等的情况下，除非使用诸如“仅”的术语，否则可以添加一个或更多个其它元件。除非上下文另有明确指示，否则以单数形式描述的元件旨在包括多个元件，反之亦然。

术语诸如“第一”、“第二”、“A”、“B”、“(A)”或“(B)”在本文中可用于描述本公开的元件。这些术语仅用于将一个元件与另一个元件区分开。例如，在不脱离本公开的范围的情况下，第一元件可以被称为第二元件，并且类似地，第二元件可以被称为第一元件。

当提及第一元件“连接或耦接到”第二元件、与第二元件“接触或交叠”等时，应当理解的是，第一元件不仅可以“直接连接或耦接到”第二元件或与第二元件“直接接触或交叠”，而且第三元件也可以“插设”在第一元件和第二元件之间，或者第一元件和第二元件可以经由第四元件彼此“连接或耦接”、“接触或交叠”等。这里，第二元件可以包括在彼此“连接或耦接”、“接触或交叠”等的两个或更多个元件中的至少一个元件中。

当诸如“在……之后”、“在……随后”、“接下来”、“在……之前”等的时间相对术语用于描述在操作、处理、制造方法中的元件或配置或流程或步骤的过程或操作时，除非术语“直接”或“紧接”一起使用，否则这些术语可以用于描述非连续或非顺序过程或操作。

此外，当提及任何尺寸、相对大小等时，应考虑元件或特征或对应信息(例如，水平、范围等)的数值包括可由各种因素(例如，过程因素、内部或外部影响、噪声等)引起的公差或误差范围，即使在没有指定相关描述时。此外，术语“可以”完全涵盖术语“能够”的所有含义。

在下文中，将参考附图详细描述本公开的各种实施方式。

图1示出了根据本公开的方面的示例触摸显示装置100。图2示出了根据本公开的方面的包括在触摸显示装置100中的子像素SP的示例等效电路。

参考图1和图2，触摸显示装置100可以包括显示面板110、被配置成驱动显示面板110的选通驱动电路120、数据驱动电路130和控制器140。

除了用于显示驱动的这些元件之外，触摸显示装置100还可以包括用于触摸感测的元件。

显示面板110可以包括设置有多个子像素SP的有效区AA和位于有效区AA的外部的非有效区NA。在显示面板110中可以设置多条选通线GL和多条数据线DL。多个子像素SP可以位于选通线GL与数据线DL相交的区域中。

选通驱动电路120可以由控制器140控制。选通驱动电路120可以通过向设置在显示面板110中的多条选通线GL依次输出扫描信号来控制多个子像素SP的驱动时序。

选通驱动电路120可以包括一个或更多个选通驱动器集成电路GDIC。选通驱动电路120可以根据设计需求仅位于显示面板110的一侧或部分(例如，左边缘、右边缘、上边缘、下边缘等)中，或者位于显示面板110的两侧或部分(例如，左边缘和右边缘、上边缘和下边缘等)中。

在一个或更多个实施方式中，每个选通驱动器集成电路GDIC可以以带式自动接合(TAB)类型或以玻上芯片(COG)类型连接到显示面板110的相应接合焊盘。在一个或更多个实施方式中，每个选通驱动器集成电路GDIC可以以面板内栅极(GIP)类型直接设置在显示面板110中。在一个或更多个实施方式中，每个选通驱动器集成电路GDIC可以设置在显示面板110中，使得其与显示面板110集成。在一个或更多个实施方式中，每个选通驱动器集成电路GDIC可以被实现为使得其以膜上芯片(COF)类型安装在连接到显示面板110的膜上。

数据驱动电路130可以从控制器140接收图像数据DATA，并将接收到的图像数据DATA转换为模拟形式的数据电压Vdata。数据驱动电路130可根据通过选通线GL的扫描信号被施加的时序，将数据电压输出至相应数据线DL，并使每个子像素SP发射与图像数据相对应的光。

数据驱动电路130可以包括一个或更多个源极驱动器集成电路SDIC。每个源极驱动器集成电路SDIC可以包括移位寄存器、锁存电路、数模转换器、输出缓冲器等。

在一个或更多个实施方式中，每个源极驱动器集成电路SDIC可以以带式自动接合(TAB)类型或以玻上芯片(COG)类型连接到显示面板110的相应接合焊盘。在一个或更多个实施方式中，每个源极驱动器集成电路SDIC可以直接设置在显示面板110中。在一个或更多个实施方式中，每个源极驱动器集成电路SDIC可以设置在显示面板110中，使得其与显示面板110集成。在一个或更多个实施方式中，每个源极驱动器集成电路SDIC可以以膜上芯片(COF)类型实现。在这些实施方式中，每个源极驱动器集成电路SDIC可以安装在连接到显示面板110的膜上，并且通过膜上的线电连接到显示面板110。

控制器140可以向选通驱动电路120和数据驱动电路130供应各种控制信号，并控制选通驱动电路120和数据驱动电路130的操作。

控制器140可以安装在印刷电路板或柔性印刷电路上。控制器140可以通过印刷电路板或柔性印刷电路电连接到选通驱动电路120和数据驱动电路130。

控制器140可以控制选通驱动电路120根据每一帧中的相应时序设定输出扫描信号。控制器140可将从外部装置或系统(例如主机系统)接收的图像数据转换为可由数据驱动电路130解译的数据信号形式，并且然后将由转换产生的图像数据DATA供应到数据驱动电路130。

除了输入图像数据之外，控制器140还可以从外部装置或系统(例如，主机系统)接收若干类型的时序信号，包括垂直同步信号VSYNC、水平同步信号HSYNC、输入数据使能信号DE、时钟信号CLK等。

控制器140可以使用从外部装置或系统(例如，主机系统)接收的若干类型的时序信号来生成若干类型的控制信号，并且将所生成的信号输出到选通驱动电路120和数据驱动电路130。

例如，为了控制选通驱动电路120，控制器140可以向选通驱动电路120供应若干类型的选通控制信号GCS，包括选通起始脉冲GSP、选通移位时钟GSC、选通输出使能信号GOE等。

选通起始脉冲GSP可以用于控制包括在选通驱动电路120中的一个或更多个选通驱动器集成电路GDIC的相应起始时序。选通移位时钟GSC(其为通常输入到一个或更多个选通驱动器集成电路GDIC的时钟信号)可用于控制扫描信号的移位时序。选通输出使能信号GOE可以用于指定一个或更多个选通驱动器集成电路GDIC的时序信息。

为了控制数据驱动电路130，控制器140可以向数据驱动电路130供应若干类型的数据控制信号DCS，包括源极起始脉冲SSP、源极采样时钟SSC、源极输出使能(SOE)信号等。

源极起始脉冲SSP可用于控制包括在数据驱动电路130中的一个或更多个源极驱动器集成电路SDIC的相应数据采样起始时序。源极采样时钟SSC可以是用于控制一个或更多个源极驱动器集成电路SDIC的相应采样时序的时钟信号。源极输出使能(SOE)信号可以用于控制数据驱动电路130的输出时序。

触摸显示装置100可以向显示面板110、选通驱动电路120、数据驱动电路130等供应若干类型的电压或电流，或者还可以包括用于控制要供应的若干类型的电压或电流的电力管理集成电路。

每个子像素SP可以是由一条或更多条选通线GL和一条或更多条数据线DL的交叉限定的区域。根据显示装置100的类型，可以在子像素SP中设置液晶层或发光元件。

在触摸显示装置100是有机发光显示装置的实施方式中，有机发光二极管(OLED)和电路元件可以设置在子像素SP中。通过使用电路元件控制供应到有机发光二极管(OLED)的电流，每个子像素SP可以操作来以对应于相应图像数据的亮度发光。

在一个或更多个实施方式中，发光二极管(LED)、微发光二极管(μLED)或量子点发光二极管(QLED)可以设置在子像素SP中。

参考图2，多个子像素SP中的每一个可以包括发光元件ED。子像素SP可以包括驱动晶体管DRT，该驱动晶体管DRT被配置成控制供应到发光元件ED的驱动电流。

对于子像素SP的操作，除了发光元件ED和驱动晶体管DRT之外，子像素SP还可以包括至少一个电路元件。

例如，子像素SP可以包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5和存储电容器Cstg。

图2示出了其中6个晶体管和1个电容器设置在子像素SP(其可以称为6T1C结构)中的结构，但是本公开的实施方式不限于此。尽管在图2的示例中使用P型晶体管，但是设置在子像素SP中的晶体管中的至少一个或更多个晶体管可以是N型晶体管。

在一个或更多个实施方式中，设置在子像素SP中的晶体管可以包括使用低温多晶硅(LTPS)形成的半导体层或使用氧化物半导体形成的半导体层。在一个或更多个实施方式中，包括使用低温多晶硅(LTPS)形成的半导体层的一个或更多个晶体管和包括使用氧化物半导体形成的半导体层的一个或更多个晶体管可以组合地设置在子像素SP中。

第一晶体管T1可以电连接在数据线DL和第一节点N1之间。第一晶体管T1可以由通过第一扫描线GL1供应的第一扫描信号Scan1控制。第一晶体管T1可以允许向第一节点N1施加数据电压Vdata。

第二晶体管T2可以电连接在第二节点N2和第三节点N3之间。第二节点N2可以是驱动晶体管DRT的栅极节点。第三节点N3可以是驱动晶体管DRT的漏极节点或源极节点。第二晶体管T2可以由通过第二扫描线GL2供应的第二扫描信号Scan2控制。第二晶体管T2可以执行补偿驱动晶体管DRT的阈值电压的改变的操作。

第三晶体管T3可以电连接在被供应参考电压Vref的线与第一节点N1之间。第三晶体管T3可以由通过发光控制线EML供应的发光控制信号EM控制。第三晶体管T3可允许第一节点N1放电或参考电压Vref施加到第一节点N1。

第四晶体管T4可以电连接在第三节点N3和第五节点N5之间。第五节点N5可以是与发光元件ED电连接的节点。第四晶体管T4可以由通过发光控制线EML供应的发光控制信号EM控制。第四晶体管T4可以控制向发光元件ED供应驱动电流的时序。

第五晶体管T5可以电连接在被供应参考电压Vref的线与第五节点N5之间。第五晶体管T5可以由通过第二扫描线GL2供应的第二扫描信号Scan2控制。第五晶体管T5可以允许第五节点N5放电或参考电压Vre施加到第五节点N5。

驱动晶体管DRT可以电连接在第四节点N4和第三节点N3之间。第四节点N4可以电连接到被供应第一驱动电压VDD的线。第一驱动电压VDD例如可以是高电平驱动电压。第四节点N4可以是驱动晶体管DRT的源极节点或漏极节点。在下文中，术语“第一驱动电压VDD”可以指供应到每个驱动晶体管DRT的源极节点或漏极节点的电压。

驱动晶体管DRT可以由第二节点N2处的电压与第四节点N4处的电压之间的差控制。驱动晶体管DRT可以控制供应到发光元件ED的驱动电流。

驱动晶体管DRT可以包括电连接到第四节点N4的背栅极。由驱动晶体管DRT对驱动电流的输出可以由与驱动晶体管DRT的源极节点或漏极节点电连接的背栅极稳定地执行。例如，背栅极可以使用金属层来实现，以用于阻挡外部光入射到驱动晶体管DRT的沟道中。

发光元件ED可以电连接在第五节点N5和被供应第二驱动电压VSS的线之间。第二驱动电压VSS例如可以是低电平驱动电压。

发光元件ED可以包括电连接到第五节点N5的第一电极层E1、被施加第二驱动电压VSS的第二电极层E2以及设置在第一电极层E1和第二电极层E2之间的发光层EL。在下文中，术语“第二驱动电压VSS”可以指供应到每个发光元件ED的第二电极层E2的电压。第一电极层E1可以是发光元件ED的阳极。第二电极层E2可以是发光元件ED的阴极。

发光元件ED可以以与由驱动晶体管DRT供应的驱动电流相对应的亮度发光。发光元件ED的操作时序可由第四晶体管T4控制。

图2所示的子像素SP的操作时序可以简述如下。具有导通电平的第二扫描信号Scan2可通过第二扫描线GL2被供应。在设置在子像素SP中的晶体管为P型晶体管的示例中，导通电平可以是低电平。

第二晶体管T2和第五晶体管T5可以通过具有导通电平的第二扫描信号Scan2被导通。

当第二晶体管T2被导通时，第二节点N2和第三节点N3可以电连接。在驱动晶体管DRT的阈值电压被反映在第一驱动电压VDD中之后，来自第一驱动电压VDD的电压可以通过第二晶体管T2被施加到第二节点N2。通过该过程，可以补偿驱动晶体管DRT的阈值电压的改变。

当第五晶体管T5被导通时，可以向第五节点N5施加参考电压Vref。第五节点N5可以被初始化。

之后，可通过第一扫描线GL1供应具有导通电平的第一扫描信号Scan1。

第一晶体管T1可以通过具有导通电平的第一扫描信号Scan1被导通。

当第一晶体管T1被导通时，可以向第一节点N1施加数据电压Vdata。

存储电容器Cstg处于在驱动晶体管DRT的阈值电压被反映在第一驱动电压VDD中之后，数据电压Vdata和来自第一驱动电压VDD的电压被施加到存储电容器Cstg的两个端子的状态。

此后，可以通过发光控制线EML供应具有导通电平的发光控制信号EM。

第三晶体管T3和第四晶体管T4可以被导通。

当第三晶体管T3被导通时，第一节点N1处的电压可以变为参考电压Vref。可以根据第一节点N1处的电压的改变来改变联接到第一节点N1的第二节点N2处的电压。

第二节点N2和第四节点N4处于在驱动晶体管DRT的阈值电压和数据电压Vdata被反映在第一驱动电压VDD中之后，来自第一驱动电压VDD的电压被施加到第二节点N2，并且第一驱动电压VDD被施加到第四节点N4的状态。第二节点N2处的电压与第四节点N4处的电压之间的差可以是反映数据电压Vdata和驱动晶体管DRT的阈值电压的电压。由驱动晶体管DRT可以供应与数据电压Vdata对应的驱动电流。

当第四晶体管T4被导通时，由驱动晶体管DRT供应的驱动电流可以被供应到发光元件ED。

发光元件ED可以以根据驱动电流的亮度发光，并且包括发光元件ED的子像素SP可以呈现与图像数据对应的图像。

在一个或更多个实施方式中，根据本公开的方面的触摸显示装置100可以包括在用于显示图像的显示面板110中实现的触摸传感器结构，并且提供感测用户在显示面板110上的触摸的功能。

图3示出了根据本公开的方面的包括在触摸显示装置100中的示例触摸传感器结构。图4是沿图3所示的线I-I’截取的示例截面图。

参照图3，触摸显示装置100可包括设置在显示面板110中的多个触摸电极阵列TEL和多条触摸布线TL。触摸显示装置100可包括触摸驱动电路150，该触摸驱动电路150被配置成驱动多个触摸电极阵列TEL和多条触摸布线TL。

多个触摸电极阵列TEL中的每一个可以通过多条触摸布线TL中的相应触摸布线电连接至触摸驱动电路150。在一个或更多个实施方式中，触摸驱动电路150可以设置成使得其与其它电路分开实现，或者与用于显示驱动的一个或更多个电路集成。例如，触摸驱动电路150可以与数据驱动电路130集成。

多个触摸电极阵列TEL中的每一个可以包括在一个方向上彼此电连接的多个触摸电极TE。在一个或更多个实施方式中，多个触摸电极阵列TEL中的每一个可以包括用于将多个触摸电极TE彼此电互连的多个触摸电极连接图案CL。

例如，多个X触摸电极阵列X-TEL中的每一个可以包括沿着第一方向布置的多个X触摸电极X-TE，以及用于电互连多个X触摸电极X-TE的多个X触摸电极连接图案X-CL。

多个Y触摸电极阵列Y-TEL中的每一个可以包括沿着与第一方向相交的第二方向布置的多个Y触摸电极Y-TE，以及用于电互连多个Y触摸电极Y-TE的多个Y触摸电极连接图案Y-CL。

在一个或更多个实施方式中，X触摸电极阵列X-TEL和Y触摸电极阵列Y-TEL可以设置在不同的层中。在一个或更多个实施方式中，X触摸电极X-TE和Y触摸电极Y-TE可以设置在同一层中。在这些实施方式中，X触摸电极连接图案X-CL和Y触摸电极连接图案Y-CL中的任一者可以设置在与一个或更多个触摸电极TE(例如，X触摸电极X-TE和/或Y触摸电极Y-TE)不同的层上。

例如，触摸电极TE可具有矩形形状，但不限于此。

触摸电极TE可以包括例如透明导电材料，并且设置为不干扰显示面板110的图像显示功能。

在另一示例中，触摸电极TE可以包括不透明金属。在该示例中，触摸电极TE可以具有与设置在显示面板110中的发光元件ED的发光区相对应的开放区。例如，触摸电极TE可以以网格状实现，并且设置成同时避开发光区。

参考图4，基板SUB可以包括设置有多个子像素SP的有效区AA和位于有效区AA的外部的非有效区NA。

有效区AA可以包括发光区EA和非发光区NEA，在该发光区EA中，光由发光元件ED发射，该非发光区NEA是除发光区EA之外的区域。

缓冲层BUF可以设置在基板SUB上。

至少一个薄膜晶体管TFT可以设置在缓冲层BUF上。

薄膜晶体管TFT可以包括有源层ACT和栅极GE。薄膜晶体管TFT可以包括源极SE和漏极(未示出)。

有源层ACT可以位于缓冲层BUF上。有源层ACT可以包括半导体材料。有源层ACT可以包括非晶硅或多晶硅。

栅极绝缘层GI可以设置在有源层ACT上。

栅极GE可以位于栅极绝缘层GI上。可以使用第一金属层M1来设置栅极GE。

可以使用第一金属层M1来设置若干信号线。

例如，可以使用第一金属层M1设置用于供应第二驱动电压VSS(参见图2)的至少一条第二电力线VSL。

例如，至少一条第二电力线VSL可以位于非有效区NA中。在一个或更多个实施方式中，至少一条第二电力线VSL或至少一条其它第二电力线VSL的相应部分可以位于有效区AA中。

第二电力线VSL可以电连接到第二电极层E2。第二电极连接图案CCP可以位于第二电力线VSL与第二电极层E2之间的区域的至少一部分中。

第一层间绝缘层ILD1可以设置在栅极GE上。

电容器电极CE可以位于第一层间绝缘层ILD1上。可以使用第二金属层M2来设置电容器电极CE。

电容器电极CE可以与第一薄膜晶体管TFT1的栅极GE形成存储电容器Cstg。第一薄膜晶体管TFT1例如可以是图2所示的驱动晶体管DRT。

第二层间绝缘层ILD2可以设置在电容器电极CE上。

源极SE可以位于第二层间绝缘层ILD2上。源极SE可以通过接触孔与有源层ACT电连接。可以使用第三金属层M3设置源极SE。

可以使用第三金属层M3设置若干信号线。

例如，可以使用第三金属层M3设置用于供应数据电压Vdata的至少一条数据线DL。可以使用第三金属层M3来设置用于供应第一驱动电压VDD(参见图2)的至少一条第一电力线VDL。

例如，至少一条第一电力线VDL可以位于有效区AA中。在一个或更多个实施方式中，至少一条第一电力线VDL或至少一条其它第一电力线VDL的相应部分可以位于非有效区NA中。

可以使用若干金属层中的至少一者或更多者在各种实施方式中布置数据线DL、第一电力线VDL和第二电力线VSL中的每一者。

尽管图4示出了使用第三金属层M3设置数据线DL和第一电力线VDL的示例，但是在一个或更多个实施方式中，可以使用第一金属层M1或第二金属层M2设置数据线DL和第一电力线VDL。

在一个或更多个实施方式中，如图4所示的示例中，第一电力线VDL可以包括使用第三金属层M3形成的部分和使用第四金属层M4形成的部分。因此，可以减小第一电力线VDL的电阻。

第三层间绝缘层ILD3可以设置在第三金属层M3上。

第一平坦化层PAC1可设置在第三层间绝缘层ILD3上。第一平坦化层PAC1可包括例如有机材料。

第四金属层M4可以位于第一平坦化层PAC1上。

可以使用第四金属层M4形成至少一条第一电力线VDL或至少一条第一电力线VDL的相应部分。

可以使用第四金属层M4设置第一电极连接图案ACP。第二薄膜晶体管TFT2与发光元件ED可以通过第一电极连接图案ACP电连接。第二薄膜晶体管TFT2例如可以是图2所示的第四晶体管T4或第五晶体管T5。

第二平坦化层PAC2可设置在第四金属层M4上。第二平坦化层PAC2可以包括例如有机材料。

发光元件ED可设置在第二平坦化层PAC2上。

发光元件ED的第一电极层E1可位于第二平坦化层PAC2上。

堤层BNK可以设置在第二平坦化层PAC2上，同时暴露第一电极层E1的一部分。

发光层EL可位于第一电极层E1上。发光层EL可位于堤层BNK的一部分上。

第二电极层E2可以位于发光层EL和堤层BNK上。

发光区EA可以由堤层BNK限定。

封装层ENCAP可设置在发光元件ED上。封装层ENCAP可以形成为单层或多层。例如，封装层ENCAP可以包括第一无机层、有机层和第二无机层。

触摸传感器结构可以设置在封装层ENCAP上。

例如，触摸缓冲层TBUF可以位于封装层ENCAP上。触摸缓冲层TBUF可以包括例如无机材料。在另一示例中，可以不设置触摸缓冲层TBUF。在该示例中，包括在触摸传感器结构中的电极可以直接设置在封装层ENCAP上。

至少一个触摸电极连接图案CL可以位于触摸缓冲层TBUF上。

触摸绝缘层TILD可位于触摸电极连接图案CL上。触摸绝缘层TILD例如可以是有机材料或无机材料。在触摸绝缘层TILD为有机材料的示例中，还可以在触摸绝缘层TILD与触摸电极连接图案CL之间设置包括无机材料的层。

至少一个触摸电极TE可位于触摸绝缘层TILD上。

触摸保护层TPAS可设置在触摸电极TE上。

由于触摸电极TE与触摸电极连接图案CL是使用如图4所示的多个层设置的，因此如图3所示的包括X触摸电极阵列X-TEL和Y触摸电极阵列Y-TEL的触摸传感器结构可容易地在显示面板110中实现。

触摸电极TE和触摸电极连接图案CL可以设置成同时避开发光区EA。触摸电极TE与触摸电极连接图案CL可以与非发光区NEA交叠。

由于触摸电极TE和触摸电极连接图案CL设置在封装层ENCAP上，并设置成避开发光区EA，因此可以在显示面板110中实现该触摸传感器结构，而不影响显示面板110的图像显示功能。

尽管未在图4中示出，但是在一个或更多个实施方式中，连接到触摸电极TE的触摸布线TL可以沿着封装层ENCAP的倾斜表面设置。触摸布线TL可以与触摸电极TE位于同一层中，或者与触摸电极连接图案CL位于同一层中。在一个或更多个实施方式中，可以使用两层来设置触摸布线TL。触摸布线TL可电连接到位于非有效区NA中的焊盘。

在多个X触摸电极阵列X-TEL和多个Y触摸电极阵列Y-TEL设置成彼此相交的结构中，触摸驱动电路150可通过经由触摸布线TL驱动触摸电极阵列TEL来执行触摸感测。

例如，X触摸电极阵列X-TEL和Y触摸电极阵列Y-TEL中的一者可以是被施加触摸驱动信号的触摸驱动电极。X触摸电极阵列X-TEL和Y触摸电极阵列Y-TEL中的另一者可以是从其检测触摸感测信号的触摸感测电极。

触摸驱动电路150可以在不同信号被施加到X触摸电极阵列X-TEL和Y触摸电极阵列Y-TEL的情况下检测由来自用户的触摸事件引起的互电容的改变。

触摸驱动电路150可以将根据检测到的互电容的改变的感测数据提供给触摸控制器。触摸控制器可以基于从触摸驱动电路150接收的感测数据来检测显示面板110上的触摸事件的存在或不存在以及触摸坐标。

设置在显示面板110中的触摸电极阵列TEL可被划分成多个部分，并且分别设置在有效区AA中的多个区域中。

由于触摸电极阵列TEL被划分并设置在每个区域中，因此可减小触摸电极阵列TEL的负载。当显示面板110具有增大的面积时，触摸显示装置100可提高触摸感测性能，同时使触摸电极阵列TEL的负载能够被减小。

此外，触摸显示装置100可包括能够防止触摸电极TE与用于显示驱动的电极之间的干扰并降低触摸感测信号中的噪声的结构。

例如，屏蔽电极NSE可以位于设置有至少一条数据线DL的层和设置有至少一个发光元件ED的层之间。在图4中由附图标记401指示的平面图中的结构表示屏蔽电极NSE设置在包括多个发光区EA的区域中的示例结构。

例如，可以使用第四金属层M4来设置屏蔽电极NSE。屏蔽电极NSE可以设置在有效区AA中。屏蔽电极NSE可以设置在除了其中使用第四金属层M4设置一个或更多个第一电极连接图案ACP的区域之外的区域中。这里应注意，在图4中由附图标记401指示的平面图中的结构仅仅示出了设置有第四金属层M4的层以及发光区EA的位置。

屏蔽电极NSE可以设置成与一个或更多个第一电极连接图案ACP分离。屏蔽电极NSE可以包括位于与第一电极连接图案ACP对应的区域中的多个第一电极孔ANH。如在图4中由附图标记401指示的平面图中的结构所示，在一个或更多个实施方式中，第一电极连接图案ACP可以位于包括在屏蔽电极NSE中的第一电极孔ANH的内部。

屏蔽电极NSE可以与至少一条数据线DL的至少相应部分交叠。屏蔽电极NSE可以与至少一个薄膜晶体管TFT的至少相应部分交叠。尽管图4中未示出，但是在一个或更多个实施方式中，屏蔽电极NSE可以与至少一条选通线GL的至少一部分交叠。

屏蔽电极NSE可以位于发光元件ED的第一电极层E1下方，并且定位成与位于基板SUB和发光元件ED之间的至少一个薄膜晶体管TFT或多条信号线交叠。

屏蔽电极NSE可与发光元件ED的第一电极层E1的至少一部分交叠。屏蔽电极NSE可与发光元件ED的第二电极层E2的至少一部分交叠。屏蔽电极NSE可以与发光元件ED的第一电极层E1和第二电极层E2彼此交叠的区域的至少一部分交叠。

如在图4中由附图标记401指示的平面图中的结构所示，在一个或更多个实施方式中，至少一个发光区EA可以与相应第一电极连接图案ACP的全部或一部分交叠。发光区EA的一部分可以与屏蔽电极NSE交叠。由于屏蔽电极NSE与发光区EA的一部分交叠，因此屏蔽电极NSE可以与位于发光区EA中的第二电极层E2交叠。

由于屏蔽电极NSE位于至少一条信号线与发光元件ED之间，因此信号线与发光元件ED的电极的耦合可以被阻挡。在下文中，术语“耦合”可以表示磁耦合、电容耦合、电磁耦合和/或类似耦合中的全部或任一种。

例如，屏蔽电极NSE可以阻挡数据线DL与发光元件ED的第二电极层E2之间的耦合。可降低或防止由于数据线DL与第二电极层E2之间的耦合而施加到第二电极层E2的电压的波动。由于降低或防止了第二电极层E2中的电压波动，因此可以防止通过封装层ENCAP上的至少一个触摸电极TE进行的触摸感测的性能受到第二电极层E2的电压的波动的影响。

例如，可以向屏蔽电极NSE供应恒定电压。用于向屏蔽电极NSE供应恒定电压的线的类型或形状和/或布置结构可以在各种实施方式中实现。

在一个实施方式中，第一驱动电压VDD(参见图2)可以被供应到屏蔽电极NSE。

屏蔽电极NSE可以电连接到用于在有效区AA中供应第一驱动电压VDD的第一电力线VDL。

由于第一电力线VDL设置在有效区AA中，因此可通过屏蔽电极NSE与第一电力线VDL之间的连接容易地实现向屏蔽电极NSE供应恒定电压的结构。

屏蔽电极NSE可以阻挡信号线与发光元件ED的电极之间的耦合，并且防止通过封装层ENCAP上的至少一个触摸电极TE进行的触摸感测的性能通过显示驱动而被降低。

可以使用位于发光元件ED下方的若干金属层中的任一个金属层以各种形式设置屏蔽电极NSE。在一个或更多个实施方式中，可以在设置有第一电极层E1的层中，将屏蔽电极NSE设置在除了设置第一电极层E1的区域之外的区域中。

屏蔽电极NSE可以阻挡由位于屏蔽电极NSE下方的信号线引起的噪声，并且因此，可以提高通过位于封装层ENCAP上的触摸电极TE进行的触摸感测的性能。

此外，为了防止供应到屏蔽电极NSE的电压波动，还可以通过根据屏蔽电极NSE中的电压状态向屏蔽电极NSE供应补偿电压来降低可通过屏蔽电极NSE本身中的电压波动发生的噪声。

图5示出了根据本公开的方面的包括在触摸显示装置100中的屏蔽电极NSE连接到触摸显示装置100中的反馈线FBL和反馈电路160的示例结构。图6A至图6C示出了根据本公开的方面的包括在触摸显示装置100中的屏蔽电极NSE连接到触摸显示装置100中的反馈线FBL和反馈电路160的各种示例结构。

参照图5，在显示面板110中，屏蔽电极NSE可设置在基板SUB(例如，图4中的基板SUB)与设置有发光元件ED(例如，图4中的发光元件ED)的电极层的层之间。例如，可以向屏蔽电极NSE供应恒定电压。图5所示的示例表示屏蔽电极NSE通过第一电力线VDL(例如，图4中的第一电力线VDL)接收第一驱动电压VDD(参见图2)的实现方式。

屏蔽电极NSE可以设置在有效区AA中。在一个或更多个实施方式中，屏蔽电极NSE的一部分可以设置在非有效区NA中。

屏蔽电极NSE可以电连接到至少一条反馈线FBL，并且电连接到诸如第一电力线VDL的线(通过该线诸如第一驱动电压VDD的电压被供应到屏蔽电极NSE)。至少一条反馈线FBL可以在屏蔽电极NSE的至少一个点处电连接到屏蔽电极NSE。

反馈线FBL可以电连接到反馈电路160。在一个或更多个实施方式中，反馈电路160可以与用于显示驱动的电路或触摸驱动电路150分开设置。在一个或更多个实施方式中，反馈电路160可以与用于显示驱动的元件中的一个或更多个元件或触摸驱动电路150的至少一部分集成。反馈电路160可以设置在安装有一个或更多个其它驱动电路的印刷电路板上。

反馈电路160可以通过反馈线FBL电连接到屏蔽电极NSE。反馈电路160可通过第一电力线VDL电连接到屏蔽电极NSE。反馈电路160可以通过第一电力线VDL向屏蔽电极NSE供应第一驱动电压VDD。反馈电路160可以通过反馈线FBL从屏蔽电极NSE接收反馈信号。

反馈电路160可以包括例如放大器161、第一电阻器R1和第二电阻器R2。第一电阻器R1和第二电阻器R2的电阻值可以具有各种值。例如，第一电阻器R1的电阻值可以大于第二电阻器R2的电阻值。

反馈电路160可以使通过反馈线FBL接收的反馈信号反相并放大，并且然后将通过使反馈信号反相并放大获得的信号输出至第一电力线VDL。反馈电路160可以将通过将使反馈信号反相并放大获得的信号添加到第一驱动电压VDD获得的补偿电压输出到第一电力线VDL。

由于反馈电路160输出通过将使反馈信号反相并放大获得的信号添加到第一驱动电压VDD获得的电压作为第一驱动电压VDD，因此可以减小供应到屏蔽电极NSE的电压的波纹。

作为示例，参照图5所示的比较例1和比较例2，比较例1示出了屏蔽电极NSE设置成没有反馈电路160的实现方式，比较例2示出了设置有通过反馈电路160被供应有补偿电压的屏蔽电极NSE的实现方式。

在不包括反馈电路160的实现方式中，即使当设置有屏蔽电极NSE时，屏蔽电极NSE的电压的波动也可以通过位于屏蔽电极NSE下方的信号线发生。因此，如比较例1中所示的实例中，可发生第二电极层E2(例如，图4中的第二电极层E2)的电压的波纹。作为噪声的这种波纹可以影响位于第二电极层E2上的触摸电极TE(例如，图4中的触摸电极TE)。

相反，在包括反馈电路160的实现方式中，可以将由将通过使从屏蔽电极NSE接收的反馈信号反相并放大而获得的信号添加到第一驱动电压VDD而产生的补偿电压供应到屏蔽电极NSE。在该实现方式中，即使在屏蔽电极NSE的电压的波动通过位于屏蔽电极NSE下方的信号线发生时，屏蔽电极NSE的电压的波动范围也可以减小，因为通过使波动反相并放大而获得的补偿电压被供应到屏蔽电极NSE。如比较例2所示，第二电极层E2的电压可具有很小波纹或没有波纹。

通过屏蔽电极NSE可以防止用于供应用于显示驱动的信号的信号线直接影响第二电极层E2。此外，由于基于反馈信号的补偿电压被供应到屏蔽电极NSE，因此可以通过屏蔽电极NSE防止信号线间接影响第二电极层E2。

通过在显示驱动期间减小第二电极层E2的电压的波动来防止或降低由第二电极层E2与邻近第二电极层E2的触摸电极TE之间的耦合引起的触摸感测信号中的噪声。由此，可提高通过设置在显示面板110中的触摸电极TE进行的触摸感测的性能。

可以以各种结构形成与屏蔽电极NSE连接的反馈线FBL和反馈电路160的布置结构，使得可以降低或消除屏蔽电极NSE的电压的波动。

参考图6A，屏蔽电极NSE可设置在显示面板110的有效区AA中。在该实现方式中，屏蔽电极NSE的一部分可以设置在非有效区NA中。

屏蔽电极NSE可以设置在发光元件ED的电极层和基板SUB上的信号线在有效区AA中交叠的区域的至少一部分中。

在一个或更多个实施方式中，屏蔽电极NSE可以包括至少一个孔。

例如，屏蔽电极NSE可以包括第一电极连接图案ACP设置在其中的电极孔ANH，该电极孔ANH电互连位于基板SUB上方的发光元件ED的薄膜晶体管和第一电极层E1。

在一个或更多个实施方式中，屏蔽电极NSE可包括至少一个虚设孔DMH。虚设孔DMH可以位于除了与位于屏蔽电极NSE下方的信号线交叠的区域之外的区域中。例如，虚设孔DMH可以位于除了与数据线DL交叠的区域之外的区域中。虚设孔DMH可以提供路径，在位于屏蔽电极NSE下方的至少一个薄膜晶体管TFT的工艺和/或一个或更多个其它工艺中产生的气体穿过该路径被排放。

反馈电路160可以通过第一电力线VDL电连接到屏蔽电极NSE。

例如，第一电力线VDL可以电连接到设置在显示面板110中的屏蔽电极NSE，同时在上面安装有数据驱动电路130的膜COF上延伸。

反馈线FBL可以电连接到供应到屏蔽电极NSE的恒定电压的强度是最弱的点。如图6A所示，在平面图中，反馈电路160位于屏蔽电极NSE下方的示例中，反馈线FBL可以电连接到屏蔽电极NSE的上边缘的至少一个点。

反馈电路160可以通过反馈线FBL从通过第一电力线VDL供应到屏蔽电极NSE的恒定电压的强度或波动状态是最弱或最差的区域接收反馈信号。

反馈电路160可以基于通过反馈线FBL接收的反馈信号通过第一电力线VDL向屏蔽电极NSE输出补偿电压。可以防止屏蔽电极NSE的电压状态的波动，并且因此，可以提高通过屏蔽电极NSE阻挡噪声的性能。

在另一示例中，反馈线FBL可以在一个或更多个其它点处连接到屏蔽电极NSE。例如，如图6B所示，反馈线FBL可以在显示面板110的中间部分电连接到屏蔽电极NSE。在该实现方式中，第一驱动电压VDD(参见图2)被供应到屏蔽电极NSE的点可以对应于反馈线FBL连接到屏蔽电极NSE的点。

在一个或更多个实施方式中，可以设置多条反馈线FBL，并且触摸显示装置100可以包括两个或更多个反馈电路160。

例如，参考图6C，触摸显示装置100可以包括位于显示面板110的下边缘处的第一反馈电路160a和位于显示面板110的上边缘处的第二反馈电路160b。

第一反馈电路160a可以通过第一电力线VDL向屏蔽电极NSE供应第一驱动电压VDD。第一反馈电路160a可以通过反馈线FBL接收反馈信号，将通过使反馈信号反相并放大获得的信号添加到第一驱动电压VDD，并输出由添加到屏蔽电极NSE得到的信号。

以与第一反馈电路160a类似的方式，第二反馈电路160b可以通过第一电力线VDL向屏蔽电极NSE供应第一驱动电压VDD。第二反馈电路160b可以通过反馈线FBL接收反馈信号，将通过使反馈信号反相并放大获得的信号添加到第一驱动电压VDD，并供应由添加到第一电力线VDL得到的信号。

连接至第一反馈电路160a的第一电力线VDL连接至屏蔽电极NSE所在的点可以与连接至第二反馈电路160b的第一电力线VDL连接至屏蔽电极NSE所在的点基本相同或不同。

连接到第一反馈电路160a的反馈线FBL连接到屏蔽电极NSE所在的点可以与连接到第二反馈电路160b的反馈线FBL连接到屏蔽电极NSE所在的点基本相同或不同。

由于反馈电路160a和160b接收反馈信号(或相应的反馈信号)，并且在将通过使反馈信号(或相应的反馈信号)反相并放大而获得的信号添加到恒定电压之后，供应由添加到屏蔽电极NSE而得到的信号，可以减少发光元件ED的电极层的电压的纹波的发生，并且可以提高通过位于封装层ENCAP上的触摸电极TE进行的触摸感测的性能。

另外，屏蔽电极NSE可以以各种结构设置在显示面板110中，并且用于向屏蔽电极NSE供应恒定电压的一条或更多条电力线和连接到屏蔽电极NSE的一条或更多条反馈线FBL可以以各种形状或类型和/或各种布置结构设置。

图7至图13示出了根据本公开的方面的相应反馈线FBL设置在触摸显示装置100中的示例结构。图7至图13是沿着图3所示的线I-I’截取的各种示例截面图。这里应当注意，图4的叠层配置中的一些元件同样应用于图7至图13的叠层配置。因此，以上参考图4提供的描述被提供用于对图7至图13的结构中的此类元件的描述。

参照图7，至少一条信号线(例如至少一条数据线DL等)可以设置在基板SUB上，并且至少一个发光元件ED可以设置在信号线上方。至少一个触摸电极TE可设置在发光元件ED上的封装层ENCAP上。

屏蔽电极NSE可以位于设置有信号线的层与设置有发光元件ED的层之间。

例如，可以使用位于设置有第四金属层M4的层与设置有第一电极层E1的层之间的第五金属层M5来设置屏蔽电极NSE。第二平坦化层PAC2可设置在第五金属层M5下方，并且第三平坦化层PAC3可设置在第五金属层M5上。

屏蔽电极NSE可以设置在有效区AA中。在该实现方式中，屏蔽电极NSE的一部分可以设置在非有效区NA中。

屏蔽电极NSE可以电连接到设置在有效区AA中的第一电力线VDL。屏蔽电极NSE可以通过第一电力线VDL接收第一驱动电压VDD(参见图2)。可以将诸如第一驱动电压VDD的恒定电压供应到屏蔽电极NSE，并且屏蔽电极NSE可以阻挡用于显示驱动的诸如数据线DL的信号线与发光元件ED的第二电极层E2之间的耦合。

屏蔽电极NSE可以电连接到反馈线FBL。反馈线FBL可以连接到供应到屏蔽电极NSE的恒定电压的电压降为最大所在的点。在一个或更多个实施方式中，反馈线FBL可以在多个点处电连接到屏蔽电极NSE。

例如，反馈线FBL可以设置在非有效区NA中并且电连接到屏蔽电极NSE。在一个或更多个实施方式中，反馈线FBL的至少一部分可以设置在有效区AA中并且电连接到屏蔽电极NSE。

在图7的示例中，屏蔽电极NSE可以电连接到有效区AA中的第一电力线VDL，并且电连接到非有效区NA中的反馈线FBL。如在图7的示例中，反馈线FBL可以与第一电力线VDL设置在同一层中，或者在一个或更多个实施方式中，可以与第一电力线VDL设置在不同的层中。

由于屏蔽电极NSE位于发光元件ED的第二电极层E2下方，因此反馈线FBL可位于第二电极层E2连接至第二电力线VSL和第二电极连接图案CCP所在的部分与有效区AA之间。

反馈线FBL可以从非有效区NA延伸并且电连接到反馈电路160。

屏蔽电极NSE可以通过第一电力线VDL接收第一驱动电压VDD，并通过反馈线FBL向反馈电路160传输反馈信号。通过将使反馈信号反相并放大获得的信号添加至第一驱动电压VDD而获得的补偿电压可以由反馈电路160输出，并通过第一电力线VDL被供应到屏蔽电极NSE。

由于实现了基于恒定电压的补偿电压和反馈信号被供应到位于发光元件ED的电极层下方的屏蔽电极NSE的结构，所以可以提高通过屏蔽电极NSE阻挡噪声的性能，并且可以提高通过一个或更多个触摸电极TE进行的触摸感测的性能。

可以根据屏蔽电极NSE的布置结构或者用于向屏蔽电极NSE供应恒定电压的电力线与屏蔽电极NSE之间的连接结构而不同地实现反馈线FBL与屏蔽电极NSE之间的连接结构。

参考图8，屏蔽电极NSE可以位于第二平坦化层PAC2和第三平坦化层PAC3之间。屏蔽电极NSE可以与基板SUB上方的信号线(诸如数据线DL)交叠，并且阻挡信号线与发光元件ED的第二电极层E2之间的耦合。

屏蔽电极NSE可以电连接到用于供应第二驱动电压VSS的第二电力线VSL(参见图2)。例如，如附图标记801所示，屏蔽电极NSE可以电连接到非有效区NA中的第二电极连接图案CCP和第二电力线VSL的至少相应部分。屏蔽电极NSE和反馈电路160可以通过第二电力线VSL电连接。

在该实现方式中，用于屏蔽电极NSE与电力线之间的连接的接触孔可以不位于有效区AA中。

如在图8的示例中，反馈线FBL可以设置在非有效区NA中。在一个或更多个实施方式中，反馈线FBL可以设置在有效区AA中。由于反馈线FBL可以与施加到屏蔽电极NSE的诸如第二驱动电压VSS的电压的压降为最大所在的点连接，因此在各个实施方式中可以定位设置有反馈线FBL的区域。

反馈线FBL可以电连接到非有效区NA中的屏蔽电极NSE。屏蔽电极NSE可以从连接到反馈线FBL的点延伸并且电连接到第二电力线VSL。反馈线FBL可位于第二电力线VSL与有效区AA之间。

可以通过反馈线FBL向反馈电路160供应反馈信号，并且可以通过第二电力线VSL从反馈电路160向屏蔽电极NSE供应基于反馈信号的补偿电压。

可以阻挡由屏蔽电极NSE中的电压波动引起的噪声，并且可以提高由屏蔽电极NSE阻挡噪声的性能。

在屏蔽电极NSE在连接至第二电力线VSL的同时接收诸如第二驱动电压VSS的恒定电压的示例中，屏蔽电极NSE可以在有效区AA的至少一个点处电连接至第二电极层E2。

参考图9，屏蔽电极NSE可以电连接到非有效区NA中的第二电力线VSL。反馈线FBL可以设置在非有效区NA中，并且在非有效区NA中与屏蔽电极NSE电连接。

在屏蔽电极NSE通过第二电力线VSL接收诸如第二驱动电压VSS的恒定电压的示例中，屏蔽电极NSE可以在有效区AA的至少一个点处电连接到第二电极层E2。

例如，如图9所示，屏蔽电极NSE可以通过与有效区AA中的第一电极层E1设置在同一层中的第二电极连接图案CCP与第二电极层E2电连接。第二电极连接图案CCP可以包括与第一电极层E1相同的材料。

第二电极层E2可以通过在堤层BNK中形成的接触孔与第二电极连接图案CCP连接，并且第二电极连接图案CCP可以通过在第三平坦化层PAC3中形成的接触孔与屏蔽电极NSE电连接。

通过应用第二电极层E2电连接到有效区AA中的屏蔽电极NSE的结构，可以减小第二电极层E2的电阻。屏蔽电极NSE可以通过第二电力线VSL和第二电极层E2中的至少一者接收第二驱动电压VSS。

在屏蔽电极NSE电连接到有效区AA中的第二电极层E2的示例中，屏蔽电极NSE可以不连接到非有效区NA中的第二电力线VSL。在该示例中，屏蔽电极NSE可以仅具有连接到非有效区NA中的反馈线FBL的结构。

屏蔽电极NSE可以在电连接到有效区AA中的第二电极层E2的同时接收恒定电压(例如第二驱动电压VSS)，并且通过第二电力线VSL或第二电极层E2接收基于通过反馈线FBL传输的反馈信号的补偿电压。

在一个或更多个实施方式中，在第二电极层E2使用设置在第二电极层E2下方的金属层连接到图案的结构中，屏蔽电极NSE可以通过除了第二电力线VSL之外的电力线接收恒定电压。

参考图10，可以使用第五金属层M5设置屏蔽电极NSE。

屏蔽电极NSE可以电连接到设置在有效区AA中的第一电力线VDL。

发光元件ED的第二电极层E2可电连接至有效区AA中的第二电力线VSL。第二电极层E2可以通过多个第二电极连接图案(CCP1、CCP2和CCP3)电连接到第二电力线VSL。

在一个或更多个实施方式中，可以在触摸显示装置100中设置屏蔽电极NSE与有效区AA中的第一电力线VDL电连接，第二电极层E2与第二电力线VSL电连接的结构。

由于第二电极层E2电连接到使用第四金属层M4和第五金属层M5形成的第二电极连接图案(CCP1和CCP2)以及使用与第一电极层E1相同的材料形成的第二电极连接图案CCP3，第二电极层E2的电阻可以减小。

由于设置有第二电极连接图案(CCP1、CCP2和CCP3)的区域不与设置有信号线的区域交叠，因此可以防止诸如数据线DL的信号线与第二电极层E2之间的耦合。

由于屏蔽电极NSE设置在除了设置有第二电极连接图案(CCP1、CCP2和CCP3)的区域之外的区域中，因此可以防止信号线和第二电极层E2之间的耦合。

屏蔽电极NSE可以包括位于设置有使用第五金属层M5形成的第二电极连接图案CCP2的区域中的孔。屏蔽电极NSE可以电连接到非有效区NA中的反馈线FBL。

屏蔽电极NSE可以通过第一电力线VDL接收第一驱动电压VDD(参见图2)。屏蔽电极NSE可以通过第一电力线VDL接收基于通过反馈线FBL传输到反馈电路160的反馈信号的补偿电压。

通过应用屏蔽电极NSE和第二电极连接图案CCP在有效区AA中设置在同一层中的结构，可以减小第二电极层E2的电阻，并且可以阻止第二电极层E2中产生的噪声影响触摸感测。

如上所述，屏蔽电极NSE可以通过显示面板110中的设置成用于显示驱动的第一电力线VDL或第二电力线VSL接收恒定电压和补偿电压，并且因此，显示装置100可以不包括用于驱动屏蔽电极NSE的单独电力线。在一个或更多个实施方式中，屏蔽电极NSE可以通过单独的电力线接收恒定电压。

参考图11，可以使用第五金属层M5设置屏蔽电极NSE。

第一电力线VDL可以设置在显示面板110的有效区AA中，第二电力线VSL可以设置在非有效区NA中。

屏蔽电极NSE可以不电连接到第一电力线VDL和第二电力线VSL。屏蔽电极NSE可以电连接到与第一电力线和第二电力线分开设置的电力线。

例如，屏蔽电极NSE可以设置成阻挡有效区AA中的噪声，并且可以延伸到非有效区NA中，如附图标记1101所示。

屏蔽电极NSE可以通过非有效区NA中的单独电力线接收恒定电压(例如，基础电压、接地电压等)。屏蔽电极NSE可以电连接到非有效区NA中的反馈线FBL。

反馈线FBL可电连接到反馈电路160并且可将反馈信号传输到反馈电路160。反馈电路160可以通过单独的电力线向屏蔽电极NSE供应基于反馈信号的补偿电压。

以这种方式，可以在各种实施方式中实现这样的结构，在该结构中设置有用于向屏蔽电极NSE供应恒定电压的电力线和用于将反馈信号从屏蔽电极NSE传输到反馈电路160的反馈线FBL。

由于反馈电路160通过电力线电连接到屏蔽电极NSE的至少一个点，通过反馈线FBL连接到屏蔽电极NSE的至少另一个点，并且提供基于恒定电压和反馈信号的补偿电压，所以可以提高由屏蔽电极NSE阻挡噪声的性能。

在一个或更多个实施方式中，用于根据显示驱动阻挡触摸感测信号中的噪声的屏蔽电极NSE可以设置在封装层ENCAP上。即使当屏蔽电极NSE位于封装层ENCAP上时，也可以向屏蔽电极NSE供应基于恒定电压和反馈信号的补偿电压，并且可以提高由屏蔽电极NSE阻挡噪声的性能。

参考图12，屏蔽电极NSE可以设置在封装层ENCAP的至少一部分中，例如，设置在封装层ENCAP的上表面的至少一部分中。

屏蔽电极NSE可以设置成同时避开发光元件ED的发光区EA。屏蔽电极NSE可以包括例如不透明金属。屏蔽电极NSE可以设置成与位于屏蔽电极NSE上方的触摸电极TE对应的形状。

触摸平坦化层TPAC可设置在屏蔽电极NSE上。触摸平坦化层TPAC例如可包括有机层，但不限于此。

触摸缓冲层TBUF可设置在触摸平坦化层TPAC上。例如，触摸缓冲层TBUF可以形成在无机层中，但不限于此。

触摸平坦化层TPAC的厚度可以大于触摸缓冲层TBUF的厚度。

由于触摸平坦化层TPAC设置成具有恒定的厚度，因此即使在设置屏蔽电极NSE时，设置有触摸电极TE或触摸电极连接图案CL的层也可以变平坦。

由于触摸缓冲层TBUF设置在触摸平坦化层TPAC上，因此触摸电极TE或触摸电极连接图案CL可以容易地设置在触摸缓冲层TBUF上。

触摸电极连接图案CL、触摸绝缘层TILD、至少一触摸电极TE和触摸保护层TPAS可设置在触摸缓冲层TBUF上。

由于屏蔽电极NSE位于发光元件ED的触摸电极TE与第二电极层E2之间，并且设置成对应触摸电极TE，因此可阻挡由第二电极层E2引起的显示噪声传递至触摸电极TE。

屏蔽电极NSE可以通过电力线接收恒定电压。在一个或更多个实施方式中，屏蔽电极NSE可以通过反馈线FBL电连接到反馈电路160。

在一个或更多个实施方式中，用于向屏蔽电极NSE和反馈线FBL供应恒定电压的电力线可以设置在与设置有屏蔽电极NSE的层相同的层中。在一个或更多个实施方式中，电力线和反馈线FBL的至少相应部分可以设置在设置有触摸电极TE或触摸电极连接图案CL的层中。

电力线和反馈线FBL可以沿着非有效区NA中的封装层ENCAP的倾斜表面设置，并且电连接到反馈电路160。

反馈电路160可以通过电力线向屏蔽电极NSE供应基于通过反馈线FBL接收的反馈信号的补偿电压。

可以通过屏蔽电极NSE减小第二电极层E2与触摸电极TE之间的寄生电容，并且因此，可以降低触摸感测信号中的噪声。此外，可以防止通过第二电极层E2与屏蔽电极NSE之间的耦合的屏蔽电极NSE的电压的波动成为触摸电极TE的噪声。

而设置在封装层ENCAP上的屏蔽电极NSE以对应于触摸电极TE的形式设置，以提高噪声阻挡性能。屏蔽电极NSE的一部分可以设置成与发光区EA交叠。

参考图13，屏蔽电极NSE可以设置在封装层ENCAP上。

屏蔽电极NSE可以包括第一屏蔽电极NSE1和第二屏蔽电极NSE2。

第一屏蔽电极NSE1可以设置在封装层ENCAP上，并且可以包括具有高透明度的材料。

例如，第一屏蔽电极NSE1可以设置在有效区AA的整个区域中。在一个或更多个实施方式中，第一屏蔽电极NSE1可以设置成在有效区AA中与除了至少一个发光区EA之外的区域交叠。在一个或更多个实施方式中，第一屏蔽电极NSE1可以设置成与除了至少一个发光区EA之外的区域交叠，并且设置在与至少一个发光区EA交叠的相应区域的一部分中。

第二屏蔽电极NSE2可以设置在第一屏蔽电极NSE1上。在一个或更多个实施方式中，第二屏蔽电极NSE2可以设置在封装层ENCAP与第一屏蔽电极NSE1之间。

第二屏蔽电极NSE2可以包括例如不透明金属。第二屏蔽电极NSE2可通过避开发光区EA而设置。第二屏蔽电极NSE2可以以对应于触摸电极TE的形式设置。

在一个或更多个实施方式中，第二屏蔽电极NSE2和第一屏蔽电极NSE1可以设置成彼此直接接触。在一个或更多个实施方式中，第二屏蔽电极NSE2和第一屏蔽电极NSE1可以设置有插设在它们之间的至少一个绝缘层，并且通过绝缘层的接触孔电连接。

第二电极层E2与触摸电极TE在与触摸电极TE交叠的区域的耦合可以被第二屏蔽电极NSE2阻挡，并且可以通过第一屏蔽电极NSE1减小可以在触摸电极TE的侧向方向上与第二电极层E2形成的寄生电容。

可以向包括第一屏蔽电极NSE1和第二屏蔽电极NSE2的屏蔽电极NSE供应恒定电压。在一个或更多个实施方式中，通过反馈线FBL反馈信号可以通过第一屏蔽电极NSE1和第二屏蔽电极NSE2中的每一者的至少相应部分或任一者的至少一部分被传输到反馈电路160。反馈电路160可以向第一屏蔽电极NSE1和第二屏蔽电极NSE2供应通过使反馈信号反向并放大获得的补偿电压。

在屏蔽电极NSE包括第一屏蔽电极NSE1和第二屏蔽电极NSE2的示例中，可以使用与具有低电阻的第二屏蔽电极NSE2相同的材料来设置用于向屏蔽电极NSE和反馈线FBL供应恒定电压的电力线。在一个或更多个实施方式中，可以使用与触摸电极TE或触摸电极连接图案CL相同的材料来设置电力线和反馈线FBL。

以这种方式，即使在屏蔽电极NSE设置在封装层ENCAP上时，通过向屏蔽电极NSE供应基于从屏蔽电极NSE接收的反馈信号的补偿电压，可以提高由屏蔽电极NSE阻挡噪声的性能，并且可以提高通过位于封装层ENCAP上的触摸电极TE进行的触摸感测的性能。

下面将简要描述上述实施方式。

根据本文所述的实施方式，触摸显示装置100可包括：基板SUB，该基板SUB包括有效区AA和非有效区NA，多个子像素SP设置在该有效区AA中，该非有效区NA位于有效区AA的外部；多条信号线和多条电力线，该多条信号线和多条电力线设置在基板SUB上方；多个发光元件ED，该多个发光元件ED位于多条信号线和多条电力线上方；封装层ENCAP，该封装层ENCAP设置在多个发光元件ED上；多个触摸电极TE，该多个触摸电极TE设置在封装层ENCAP上；屏蔽电极NSE，该屏蔽电极NSE位于设置有多条信号线的层与设置有多个发光元件ED的层之间，并且电连接至多条电力线中的至少一条；至少一条反馈线FBL，该至少一条反馈线FBL电连接至屏蔽电极NSE；以及反馈电路160，该反馈电路160被配置成通过至少一条反馈线FBL接收反馈信号，并且基于反馈信号向多条电力线当中的与屏蔽电极NSE电连接的电力线输出补偿电压。

与屏蔽电极NSE电连接的电力线可以供应用于驱动多个子像素SP的电压。

在一个或更多个实施方式中，电连接到屏蔽电极NSE的电力线可以与设置在多个子像素SP中的元件绝缘。

屏蔽电极NSE连接到至少一条反馈线FBL的点的数量可以小于屏蔽电极NSE连接到多条电力线中的至少一条电力线的点的数量。

屏蔽电极NSE可以在有效区AA中电连接到多条电力线中的至少一条电力线，并且在非有效区NA中电连接到至少一条反馈线FBL。

至少一条反馈线FBL可以位于电连接到屏蔽电极NSE的电力线与有效区AA之间。

至少一条反馈线FBL的一部分可以位于有效区AA中。

屏蔽电极NSE可以包括位于有效区AA中的多个孔。

屏蔽电极NSE可以与多个发光元件ED中的一个或更多个发光元件交叠或一个或更多个发光元件的至少相应部分交叠。

多个发光元件ED中的每一个可以包括第一电极层E1、位于第一电极层E1上的发光层EL和位于发光层EL上的第二电极层E2，并且屏蔽电极NSE可以与有效区AA中的第二电极层E2电连接。

屏蔽电极NSE可以通过包括与第一电极层E1相同的材料的连接图案电连接到第二电极层E2。

触摸显示装置100还可以包括第一电极连接图案，该第一电极连接图案设置在与设置有屏蔽电极NSE的层相同的层中，并且与第一电极层E1电连接。

根据本文所述的实施方式，触摸显示装置100可以包括：多条电力线，该多条电力线用于向设置在显示面板110中的多个子像素SP供应用于显示驱动的电压；屏蔽电极NSE，该屏蔽电极NSE位于设置有用于向多个子像素SP供应用于显示驱动的信号的多条信号线的层与设置有包括在显示面板110中的多个触摸电极TE的层之间，并且电连接至多条电力线中的至少一条；至少一条反馈线FBL，该至少一条反馈线FBL电连接至屏蔽电极NSE；以及反馈电路160，该反馈电路160被配置成通过至少一条反馈线FBL接收反馈信号，并且基于通过至少一条反馈线接收的反馈信号向与屏蔽电极电连接的电力线输出补偿电压。

触摸显示装置100还可以包括位于设置有屏蔽电极NSE的层与设置有多个触摸电极TE的层之间的多个发光元件ED。

至少一条反馈线FBL可以通过屏蔽电极NSE电连接到包括在多个发光元件ED中的每一个发光元件或一个或更多个发光元件中的电极层。

根据本文所述的实施方式，触摸显示装置100可以包括：多个发光元件ED，该多个发光元件ED设置在有效区AA中；封装层ENCAP，该封装层ENCAP位于多个发光元件ED上；多个触摸电极TE，该多个触摸电极TE位于封装层ENCAP上；屏蔽电极NSE，该屏蔽电极NSE位于封装层ENCAP与多个触摸电极TE之间；至少一条反馈线FBL，该至少一条反馈线FBL电连接至屏蔽电极NSE；以及反馈电路160，该反馈电路160被配置成通过至少一条反馈线FBL接收反馈信号，并且基于反馈信号向屏蔽电极NSE输出补偿电压。

屏蔽电极NSE可以设置成对应于多个触摸电极TE。

屏蔽电极NSE可以包括：第一屏蔽电极NSE1，该第一屏蔽电极NSE1在有效区AA中设置在封装层ENCAP上的整个区域中，并且包括透明材料；以及第二屏蔽电极NSE2，该第二屏蔽电极NSE2位于第一屏蔽电极NSE1上或封装层ENCAP与第一屏蔽电极NSE1之间，对应于多个触摸电极TE，并且包括不透明材料。

至少一条反馈线FBL可以包括与第二屏蔽电极NSE2相同的材料。

触摸显示装置100还可以包括位于屏蔽电极NSE上的第一绝缘层和位于第一绝缘层与多个触摸电极TE之间的第二绝缘层。第一绝缘层的厚度可以大于第二绝缘层的厚度。

以上描述已经被呈现以使得本领域技术人员能够制造、使用和实践本发明的技术特征，并且已经在作为示例的特定应用及其要求的上下文中提供。对所描述的实施方式的各种修改、添加和替换对于本领域的技术人员而言将是显而易见的，并且在不脱离本发明的范围的情况下，本文描述的原理可以应用于其它实施方式和应用。以上描述和附图仅出于说明性目的提供了本发明的技术特征的示例。也就是说，所公开的实施方式旨在说明本发明的技术特征的范围。因此，本发明的范围不限于所示的实施方式，而是符合与权利要求一致的最宽范围。

Claims

1.一种触摸显示装置，所述触摸显示装置包括：

基板，所述基板包括有效区和非有效区，多个子像素设置在所述有效区中，所述非有效区位于所述有效区的外部；

多条信号线和多条电力线，所述多条信号线和所述多条电力线设置在所述基板上方；

多个发光元件，所述多个发光元件位于所述多条信号线和所述多条电力线上方；

封装层，所述封装层设置在所述多个发光元件上；

多个触摸电极，所述多个触摸电极设置在所述封装层上；

屏蔽电极，所述屏蔽电极位于设置有所述多条信号线的层与设置有所述多个发光元件的层之间，并且与所述多条电力线中的至少一条电力线电连接；

至少一条反馈线，所述至少一条反馈线与所述屏蔽电极电连接；以及

反馈电路，所述反馈电路被配置成通过所述至少一条反馈线接收反馈信号，并且基于所述反馈信号向所述多条电力线当中的与所述屏蔽电极电连接的电力线输出补偿电压。

2.根据权利要求1所述的触摸显示装置，其中，与所述屏蔽电极电连接的所述电力线供应用于驱动所述多个子像素的电压。

3.根据权利要求1所述的触摸显示装置，其中，与所述屏蔽电极电连接的所述电力线与设置在所述多个子像素中的元件绝缘。

4.根据权利要求1所述的触摸显示装置，其中，所述屏蔽电极与所述至少一条反馈线连接的点的数量小于所述屏蔽电极与所述多条电力线中的至少一条电力线连接的点的数量。

5.根据权利要求1所述的触摸显示装置，其中，所述屏蔽电极在所述有效区中与所述多条电力线中的所述至少一条电力线电连接，并且在所述非有效区中与所述至少一条反馈线电连接。

6.根据权利要求1所述的触摸显示装置，其中，所述至少一条反馈线位于与所述屏蔽电极电连接的所述电力线和所述有效区之间。

7.根据权利要求1所述的触摸显示装置，其中，所述至少一条反馈线的一部分位于所述有效区中。

8.根据权利要求1所述的触摸显示装置，其中，所述屏蔽电极包括位于所述有效区中的多个孔。

9.根据权利要求1所述的触摸显示装置，其中，所述屏蔽电极与所述多个发光元件中的一个或更多个发光元件交叠或与所述多个发光元件中的所述一个或更多个发光元件的至少相应部分交叠。

10.根据权利要求1所述的触摸显示装置，其中，所述多个发光元件中的每个发光元件包括第一电极层、所述第一电极层上的发光层、以及所述发光层上的第二电极层，并且所述屏蔽电极与所述有效区中的所述第二电极层电连接。

11.根据权利要求10所述的触摸显示装置，其中，所述屏蔽电极通过包括与所述第一电极层相同的材料的连接图案与所述第二电极层电连接。

12.根据权利要求10所述的触摸显示装置，所述触摸显示装置还包括：第一电极连接图案，所述第一电极连接图案设置在与设置有所述屏蔽电极的层相同的层中，并且与所述第一电极层电连接。

13.一种触摸显示装置，所述触摸显示装置包括：

多条电力线，所述多条电力线用于向设置在显示面板中的多个子像素供应用于显示驱动的电压；

屏蔽电极，所述屏蔽电极位于设置有用于向所述多个子像素供应用于显示驱动的信号的多条信号线的层与设置有包括在所述显示面板中的多个触摸电极的层之间，并且所述屏蔽电极与所述多条电力线中的至少一条电力线电连接；

反馈电路，所述反馈电路被配置成通过所述至少一条反馈线接收反馈信号，并基于所述反馈信号向与所述屏蔽电极电连接的电力线输出补偿电压。

14.根据权利要求13所述的触摸显示装置，所述触摸显示装置还包括：多个发光元件，所述多个发光元件位于设置有所述屏蔽电极的层与设置有所述多个触摸电极的层之间。

15.根据权利要求14所述的触摸显示装置，其中，所述至少一条反馈线通过所述屏蔽电极与包括在所述多个发光元件中的每个发光元件或一个或更多个发光元件中的电极层电连接。

16.一种触摸显示装置，所述触摸显示装置包括：

多个发光元件，所述多个发光元件设置在有效区中；

封装层，所述封装层设置在所述多个发光元件上；

多个触摸电极，所述多个触摸电极设置在所述封装层上；

屏蔽电极，所述屏蔽电极位于所述封装层与所述多个触摸电极之间；

反馈电路，所述反馈电路被配置成通过所述至少一条反馈线接收反馈信号，并基于所述反馈信号向所述屏蔽电极输出补偿电压。

17.根据权利要求16所述的触摸显示装置，其中，所述屏蔽电极设置成对应于所述多个触摸电极。

18.根据权利要求16所述的触摸显示装置，其中，所述屏蔽电极包括：

第一屏蔽电极，所述第一屏蔽电极在所述封装层上设置在所述有效区的整个区域中，并且所述第一屏蔽电极包括透明材料；以及

第二屏蔽电极，所述第二屏蔽电极位于所述第一屏蔽电极上或所述封装层与所述第一屏蔽电极之间，所述第二屏蔽电极与所述多个触摸电极相对应，并且包括不透明材料。

19.根据权利要求18所述的触摸显示装置，其中，所述至少一条反馈线包括与所述第二屏蔽电极相同的材料。

20.根据权利要求16所述的触摸显示装置，所述触摸显示装置还包括：

第一绝缘层，所述第一绝缘层在所述屏蔽电极上；以及

第二绝缘层，所述第二绝缘层位于所述第一绝缘层与所述多个触摸电极之间，

其中，所述第一绝缘层的厚度大于所述第二绝缘层的厚度。