CN118055651A - 电致发光显示装置 - Google Patents

Abstract

根据本公开内容的示例性实施方式的电致发光显示装置包括：显示部，其包括有源区和非有源区。此外，该电致发光显示装置包括：设置在显示部上方的封装部；以及附接至显示部的一侧的柔性膜。此外，该电致发光显示装置包括被供应有来自柔性膜的低电位电力的低电位电力线。此外，该电致发光显示装置包括：导电膏，其在柔性膜之间涂覆在封装部的侧表面上，并且其一侧连接至低电位电力线。因此，可以改善电磁干扰(EMI)。

Description

电致发光显示装置

相关申请的交叉引用

本申请要求于2022年11月15日提交于韩国专利局的韩国专利申请第10-2022-0152891号的权益和优先权，该韩国专利申请的全部内容在此出于所有目的通过引用以此并入本文中，如同在本文中完全阐述的一样。

技术领域

本公开内容涉及一种电致发光显示装置，并且更特别地，涉及一种能够改善电磁干扰(EMI)的电致发光显示装置。

背景技术

随着信息时代的到来，用于视觉地显示电子信息信号的显示装置的领域正在迅速发展。因此，用于研发诸如薄化、重量减少并且低功耗的性能的研究继续进行。

显示装置的代表性示例包括液晶显示(LCD)装置、电润湿显示(EWD)装置、有机发光显示(OLED)装置等。

包括OLED装置的电致发光显示装置是自发光显示装置，并且与LCD装置不同，电致发光显示装置不需要单独的光源。因此，电致发光显示装置可以以轻量且薄的形式制造。此外，电致发光显示装置不仅由于低电压驱动而在功耗方面是有利的，而且具有优异的颜色表现能力、响应速度、视角和对比度(CR)。因此，电致发光显示装置有望在各个领域得到应用。

发明内容

本公开内容的方面提供了一种具有增加的显示面板刚性和改善的散热的电致发光显示装置。

本公开内容的另一方面提供了一种能够改善电磁干扰(EMI)的电致发光显示装置。

因此，本公开内容的实施方式涉及基本上消除由于相关技术的局限和缺点而引起的一个或更多个问题的装置。

附加的特征和方面将在下面的描述中阐述，并且部分地根据描述将变得明显，或者可以通过本文提供的发明构思的实践获知。本发明构思的其他特征和方面可以通过书面描述中特别指出的或可推导出的结构以及其权利要求和附图来实现和获得。

根据本公开内容的方面，一种电致发光显示装置包括：显示部，其包括有源区和非有源区。此外，该电致发光显示装置包括：设置在显示部上方的封装部；以及附接至显示部的一侧的柔性膜。此外，该电致发光显示装置包括被供应有来自柔性膜的低电位电力的低电位电力线。此外，该电致发光显示装置包括：导电膏，其在柔性膜之间涂覆在封装部的侧表面上，并且其一侧连接至低电位电力线。

根据本公开内容，封装结构具有包括相对厚的增强基板的多层结构。因此，可以实现足够的刚性和散热。

根据本公开内容，导电膏被施加至封装部的侧表面，并且连接至源极焊盘之间的低电位电力线(VSS)的接触部分。因此，可以改善EMI。

在研究了以下附图和详细描述之后，其他系统、方法、特征和优点对本领域技术人员而言将是明显的或将变得明显。其旨在使所有这样的附加的系统、方法、特征和优点包括在本描述中，在本公开内容的范围内，并受所附权利要求的保护。本节中的任何内容都不应被看作是对这些权利要求的限制。下面结合本公开内容的各方面讨论其他方面和优点。

应当理解，本公开内容的前述一般描述和以下详细描述两者都是示例性和说明性的，并且旨在提供对所要求保护的本公开内容的进一步说明。

附图说明

附图——其被包括以提供对本公开内容的进一步理解，并且被并入本申请中并构成本申请的一部分——示出了本公开内容的实施方式，并且与说明书一起用于说明本公开内容的原理。

图1是示出根据本公开内容的第一示例性实施方式的电致发光显示装置的框图；

图2是图1的电致发光显示装置的子像素的电路图；

图3至图5是示意性地示出图1的电致发光显示装置的平面结构的视图；

图6是沿图3的线I-I’截取的截面图；

图7是示出图6的电致发光显示装置的子像素的截面图；

图8是示意性示出根据本公开内容的第二示例性实施方式的电致发光显示装置的截面图；

图9是示意性示出根据本公开内容的第三示例性实施方式的电致发光显示装置的截面图；

图10是示意性示出根据本公开内容的第四示例性实施方式的电致发光显示装置的截面图；以及

图11和图12是示意性示出根据本公开内容的第五示例性实施方式的电致发光显示装置的平面图。

在整个附图和具体实施方式中，除非另有说明，否则相同的附图标记应当被理解为指相同的元件、特征和结构。为了清晰、说明和方便起见，这些元件的相对尺寸和描述可能被夸大。

具体实施方式

通过参照下面与附图一起详细描述的示例性实施方式，本公开内容的优点和特性以及实现优点和特性的方法将变得清楚。然而，本公开内容不限于本文中公开的示例性实施方式，而是将以各种形式实现。示例性实施方式仅通过示例的方式提供，使得本领域技术人员能够充分理解本公开内容的公开内容和本公开内容的范围。

附图中示出的用于描述本公开内容的示例性实施方式的形状、尺寸、比率、角度、数量等仅是示例，并且本公开内容不限于此。在整个说明书中，类似的附图标记通常表示类似的元件。此外，在本公开内容的以下描述中，可以省略对已知相关技术的详细说明，以避免不必要地模糊本公开内容的主题。在本文中所使用的诸如“包括”、“具有”和“由......构成”的术语通常意在允许添加其它部件，除非这些术语与术语“仅”一起使用。除非另有明确说明，否则对单数的任何引用都可以包括复数。

即使没有明确说明，部件也被解释为包括普通误差范围。

当使用术语诸如“上”、“上方”、“下方”和“靠近”来描述两个部分之间的位置关系时，一个或更多个部分可以定位在两个部分之间，除非这些术语与术语“紧接”或“直接”一起使用。

当元件或层设置在另一元件或层“上”时，另一层或另一元件可以直接置于其它元件上或直接置入其间。

尽管术语“第一”、“第二”等用于描述各个部件，但这些部件不受这些术语限制。这些术语仅仅用于将一个部件与其他部件区分开。因此，下面提到的第一部件可以是本公开内容的技术构思中的第二部件。

在整个说明书中，类似附图标记通常表示类似的元件。

为了便于描述，示出了附图中所示出的每个部件的尺寸和厚度，而本公开内容不限于所示部件的尺寸和厚度。

本公开内容的各种实施方式的特征可以部分地或完全地彼此附着或组合且可以以技术上不同的方式互锁和操作，并且实施方式可以彼此独立地或彼此相关联地实施。

在下文中，将参照附图详细描述根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置。

图1是示出根据本公开内容的第一示例性实施方式的电致发光显示装置的框图。

参照图1，根据本公开内容的第一示例性实施方式的电致发光显示装置100可以包括图像处理器111、时序控制器112和数据驱动器113。此外，电致发光显示装置100包括栅极驱动器114和显示部DP。垂直同步信号和水平同步信号可以用于限定每个行和每个帧的端。

图像处理器111可以输出从外侧供应的数据信号DATA和数据使能信号DE。除了数据使能信号DE之外，图像处理器111还可以输出垂直同步信号、水平同步信号和时钟信号中的一个或更多个。

时序控制器112从图像处理器111接收数据信号DATA和包括数据使能信号DE或垂直同步信号、水平同步信号及时钟信号的驱动信号。时序控制器112可以基于驱动信号来输出用于控制栅极驱动器114的操作时序的栅极时序控制信号GDC和用于控制数据驱动器113的操作时序的数据时序控制信号DDC。

此外，数据驱动器113可以响应于从时序控制器112供应的数据时序控制信号DDC，对从时序控制器112供应的数据信号DATA进行采样和锁存。然后，数据驱动器113可以将经采样和锁存的数据信号DATA转换为伽马参考电压，并输出伽马参考电压。数据驱动器113可以通过数据线DL1至DLn来输出数据信号DATA。

栅极驱动器114可以在响应于从时序控制器112供应的栅极时序控制信号GDC对栅极电压的电平进行移位的同时输出栅极信号。栅极驱动器114可以通过栅极线GL1至GLm输出栅极信号。

当子像素P响应于分别从数据驱动器113和栅极驱动器114接收的数据信号DATA和栅极信号发光时，显示部DP可以显示图像。将参照图2和图6描述每个子像素P的详细结构。

图2是图1的电致发光显示装置的子像素的电路图。

参照图2，根据本公开内容的第一示例性实施方式的电致发光显示装置的子像素可以包括开关晶体管ST和驱动晶体管DT。此外，子像素包括补偿电路135和发光二极管150。

发光二极管150可以响应于由驱动晶体管DT形成的驱动电流进行操作以发光。

开关晶体管ST可以执行开关操作，使得通过数据线117供应的数据信号响应于通过栅极线116供应的栅极信号被存储在电容器C_ST中作为数据电压。

驱动晶体管DT可以进行操作，使得恒定的驱动电流响应于在电容器C_ST中存储的数据电压，在高电位电力线VDD与低电位电力线VSS之间流动。

补偿电路135是用于补偿驱动晶体管DT的阈值电压的电路。补偿电路135可以包括电容器及一个或更多个薄膜晶体管。补偿电路135的配置可以根据补偿方法进行各种各样的修改。

图2中所示的子像素具有包括开关晶体管ST、驱动晶体管DT、电容器C_ST和发光二极管150的2T(晶体管)-1c(电容器)结构。然而，当子像素添加了补偿电路135时，子像素可能具有3T1C、4T2C、5T2C、6T1C、6T2C、7T1C、7T2C等各种结构。

图3至图5是示意性地示出图1的电致发光显示装置的平面结构的视图。

图3示出了其中在显示部DP上设置有封装部FSPM的电致发光显示装置100的平面结构。图4和图5示出了其中封装部FSPM被移除的电致发光显示装置100的平面结构。特别地，图4示出了其中设置有阴极153的电致发光显示装置100的平面结构。

参照图3至图5，根据本公开内容的第一示例性实施方式的电致发光显示装置100可以包括显示部DP、封装部FSPM和柔性膜180。

显示部DP是用于向用户显示图像的面板。

例如，显示部DP可以包括用于显示图像的显示元件、用于驱动显示元件的驱动元件以及用于向显示元件和驱动元件传输各种信号的线。显示元件可以根据显示部DP的类型以不同方式限定。例如，如果显示部DP是有机发光显示面板，则显示元件可以是包括阳极、有机层和阴极的有机发光二极管。例如，如果显示部DP是液晶显示面板，则显示元件可以是液晶显示元件。

在下文中，尽管将显示部DP描述为有机发光显示面板，但本公开内容的显示部DP不限于有机发光显示面板。

显示部DP可以包括有源区域AA和非有源区域NA。

有源区域AA是显示部DP中显示图像的区域。

在有源区域AA中可以设置有形成多个像素的多个子像素以及用于驱动多个子像素的电路。多个子像素是有源区域AA的最小单元，并且在多个子像素中的每一个上可以设置有显示元件。多个子像素可以形成像素。例如，在多个子像素中的每一个上可以设置有包括阳极、有机层和阴极的有机发光二极管。然而，本公开内容不限于此。此外，用于驱动多个子像素的电路可以包括驱动元件和线。例如，电路可以包括薄膜晶体管、存储电容器、栅极线、数据线等，但不限于此。

非有源区域NA是不显示图像的区域。

虽然图3至图5示出了非有源区域NA包围具有矩形形状的有源区域AA，但有源区域AA和非有源区域NA的形状和布置不限于图3至图5所示的示例。

例如，有源区域AA和非有源区域NA可以具有适于配备有根据本公开内容的示例性实施方式的电致发光显示装置100的电子装置的设计的形状。例如，有源区域AA可以具有五边形形状、六边形形状、圆形形状、椭圆形形状等。

在非有源区域NA中，可以设置有用于驱动有源区域AA中的有机发光二极管的各种线和电路。例如，在非有源区域NA中可以设置有用于向有源区域AA中的电路和多个子像素传输信号的链接线、或者诸如栅极驱动IC或数据驱动IC的驱动IC。然而，本公开内容不限于此。

此外，电致发光显示装置100还可以包括用于生成各种信号或驱动有源区域AA中的像素的各种附加部件。例如，用于驱动像素的附加部件可以包括逆变器电路、多路复用器、静电放电(ESD)电路等。电致发光显示装置100还可以包括与除了用于驱动像素的功能以外的功能相关联的部件。例如，电致发光显示装置100可以包括用于提供触摸感测功能、用户认证功能(例如，指纹扫描)、多级压力感测功能、触觉反馈功能等的附加部件。上述附加部件可以位于非有源区域NA中和/或位于连接至连接接口的外部电路上。

柔性膜180可以是其中在具有延展性的基膜上设置有各种部件的膜。具体地，柔性膜180用于向有源区域AA的多个子像素和电路供应信号，并且可以电连接至显示部DP。柔性膜180可以设置在显示部DP的一端处，以向有源区域AA的多个子像素和电路供应电力电压或数据电压。虽然在图3和图4中示出了五个柔性膜180作为示例，但柔性膜180的数目可以根据设计而变化，并且不限于所示的示例。

同时，在柔性膜180上可以设置有驱动IC例如栅极驱动IC或数据驱动IC。驱动IC可以是用于处理用于显示图像的数据和用于处理该数据的驱动信号的部件。驱动IC可以根据安装方法以玻璃上芯片(COG)、膜上芯片(COF)或带载封装(TCP)的方式安装。

此外，例如，在柔性膜180的一端处可以设置有印刷电路板，并且该印刷电路板连接至柔性膜180。例如，印刷电路板可以是用于向驱动IC供应信号的部件。此外，印刷电路板可以向驱动IC供应各种信号，例如驱动信号或数据信号。例如，在印刷电路板上可以安装有用于生成数据信号的数据驱动器，并且生成的数据信号可以通过柔性膜180供应给显示部DP上的子像素和电路。

同时，在显示部DP上可以安装有封装部FSPM。

封装部FSPM可以包括密封构件和增强基板。

根据本公开内容，封装结构具有包括相对厚的增强基板的多层结构。因此，可以实现足够的刚性和散热。但是，如果将诸如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)的塑料聚合物用于增强基板，则难以抑制电磁干扰(EMI)。例如，需要电连接显示部DP和机构部件以避免电致发光显示装置100中的EMI。在本文中，本公开内容的封装部FSPM采用由塑料聚合物制成的增强基板，并且其间插入有绝缘粘合剂层。因此，无法如常规方法使用封装部FSPM上的导电胶带与显示部DP进行电连接(接地)。此外，根据本公开内容，如果由诸如铝(Al)箔的金属材料制成的阻挡层不与阴极153形成公共接地，则可能形成大小等同于显示部DP的大电容器。因此，当向阴极153施加电压时，电路中可能由于电荷累积而发生短路。

根据本公开内容，导电膏160被施加于封装部FSPM的侧表面，以便与封装部FSPM的金属阻挡层的侧表面接触。此外，连接至低电位电力线161的低电位电力线接触部分165在柔性膜180或源极焊盘之间被暴露，以便电连接至导电膏160。因此，可以改善EMI。阻挡层的暴露的侧表面通过使用导电膏160来连接至低电位电力线161。在此，低电位电力线161可以与数据驱动IC共享低电位电力供应。在本公开内容的实施方式中，可以在多个柔性膜180的相邻的对之间设置多个导电膏160。

在本公开内容的实施方式中，导电膏160的作用或功能可以由任意导电材料来执行，所述任意导电材料包括金属带、导电线缆、光学导电粘合剂、具有导电通道的树脂、箔或其他能够传导电流的材料。在本公开内容的各种实施方式中，导电膏160可以称为导电通道或导电元件。

例如，柔性膜180可以附接至显示部DP一侧上的梢端，以便覆盖源极焊盘和驱动IC。此外，电力电压和数据电压可以通过链接线171供应给有源区域AA中的多个子像素和电路。

例如，如果链接线171是高电位电力线，则其可以连接至与显示部DP的宽度方向平行设置的第一短条172。然后，链接线171可以通过在有源区域AA中设置的多条高电位电力线173连接至第二短条174。多条高电位电力线173可以被设置成与显示部DP的高度方向平行。

例如，链接线171可以形成为遮光层和栅极层上的双层结构。此外，第一短条172和第二短条174可以在栅极层上形成，并且多条高电位电力线173可以在遮光层上形成。然而，本公开内容不限于此。

第一短条172可以位于有源区域AA的上端处，并且第二短条174可以位于有源区域AA的下端处。然而，本公开内容不限于此。

本公开内容的低电位电力线161可以设置在链接线171的外侧或旁边，并且设置在柔性膜180之间或柔性膜180旁边。低电位电力线161可以形成为遮光层和栅极层上的双层结构，或者包括遮光层和栅极层上的双层结构。

在低电位电力线161上设置有低电位电力线接触部分165，并且低电位电力线接触部分165可以与低电位电力线161接触(或连接)。

低电位电力线接触部分165可以在阳极层上形成。

图5(和图4)示出了低电位电力线接触部分165在柔性膜180之间具有倒三角形形状的示例，但本公开内容不限于此。低电位电力线接触部分165可以在柔性膜180之间具有与第一短条172的宽度方向平行的条形形状。替选地，如果高电位电力线分别在左侧和右侧设置在最外面的柔性膜180的外侧，则低电位电力线接触部分165可以被设置成不与高电位电力线交叠。这是因为如果低电位电力线接触部分165与高电位电力线交叠，则可能发生短路。例如，低电位电力线接触部分165可以具有环形形状，其不在显示部DP的各自设置有高电位电力线的左上部和右上部中设置。具有环形形状的低电位电力线接触部分165可以与封装部FSPM的边缘接触。

低电位电力线接触部分165的上表面的一部分可以随着平坦化层和/或堤部的去除而暴露。阴极153和导电膏160可以设置在低电位电力线接触部分165的上表面的暴露部分上，以便与低电位电力线接触部分165接触(或连接)。

在下文中，将参照图6和图7详细描述本公开内容的包括接地结构的电致发光显示装置100的截面结构。

图6是沿图3的线I-I’截取的截面图。

图7是示出图6的电致发光显示装置的子像素的截面图。

为了方便描述，图6中未示出显示部DP的一些部件，并且示意性地示出了有源区域AA中的像素单元125。

图7是示出根据本公开内容的第一示例性实施方式的显示部DP的子像素的截面图。

参照图6和图7，驱动元件120可以设置在基板101上。

此外，在驱动元件120上可以设置平坦化层105。

在平坦化层105上设置电连接至驱动元件120的有机发光二极管150，并且在有机发光二极管150上可以设置盖层107。

在盖层107上可以顺序地设置密封构件130和增强基板140。然而，增强基板140或密封构件130也可以被省略，或者如果存在，则可以是柔性的或可弯曲的，并且本公开内容的实施方式不限于此，并且可以使用刚性或半刚性的增强基板140。

根据本公开内容的第一示例性实施方式的电致发光显示装置100不限于这种层叠结构。

具体而言，基板101可以是玻璃或塑料基板。如果基板101是塑料基板，则聚酰亚基于胺的或聚碳酸酯基材料可以被使用以具有柔性。特别地，聚酰亚胺可以应用于高温工艺，并且被广泛用于塑料基板，因为它是可以被涂覆的材料。

在基板101上可以设置缓冲层102。

缓冲层102用于保护各种电极/线免受从基板101或下层流出的诸如碱离子等杂质的影响。缓冲层102可以具有包括第一缓冲层102a和第二缓冲层102b的多层结构，但不限于此。缓冲层102可以由硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)或其多层形成，并且本公开内容的实施方式不限于此，因为有机材料、其他无机材料、其他陶瓷或氧化物可以用于缓冲层。

例如，缓冲层102可以延迟渗透到基板101中的湿气和氧气的扩散。缓冲层102可以包括多缓冲区和/或有源缓冲区。有源缓冲区保护驱动元件120的由半导体制成的有源层124，并且可以用于阻挡从基板101引入的各种杂质。有源缓冲区可以由非晶硅(a-Si)等制成。

此处，例如，驱动元件120可以包括有源层124、栅电极121、源电极122和漏电极123。驱动元件120可以通过连接电极115电连接至有机发光二极管150，并且因此可以将电流或信号传输至有机发光二极管150。

有源层124可以设置在缓冲层102上。有源层124可以由多晶硅(p-Si)制成。在这种情况下，预定区域可以掺杂有杂质。有源层124也可以由非晶硅(a-Si)制成，或者可以由各种有机半导体材料例如并五苯制成。替选地，有源层124可以由氧化物半导体制成。

在有源层124上可以设置栅极绝缘层103。

栅极绝缘层103可以由诸如硅氧化(SiOx)或硅氮化(SiNx)的无机绝缘材料制成，或者可以由有机绝缘材料制成。

栅电极121可以设置在栅极绝缘层103上。

栅电极121可以由各种导电材料例如镍(Ni)、铬(Cr)、镁(Mg)、铝(Al)、钼(Mo)、钨(W)、金(Au)或其合金制成。

链接线171可以设置在非有源区NA中的与栅电极121相同的层上。链接线171可以延伸至有源区AA。

低电位电力线161可以设置在非有源区NA中的与栅电极121相同的层上，但不限于此。低电位电力线161可以设置在与源电极122和漏电极123相同的层上。替选地，低电位电力线161可以在与栅电极121、源电极122和漏电极123相同的层上形成为两层结构。低电位电力线161可以延伸至封装部FSPM的外侧。换句话说，低电位电力线161可以延伸超过封装部FSPM的边缘。

在栅电极121上可以设置层间绝缘层104。

层间绝缘层104可以由诸如硅氧化物(SiOx)或硅氮化物(SiNx)的绝缘材料制成，或者可以由有机绝缘材料制成。

可以通过选择性地去除栅极绝缘层103和层间绝缘层104以使有源层124的源极区和漏极区暴露来形成接触孔。例如，源电极122和漏电极123可以在层间绝缘层104上以单层结构或多层结构由电极材料制成。此外，源电极122和漏电极123可以分别连接至源极区和漏极区。

如果需要，还可以形成由无机绝缘材料制成的钝化层以覆盖源电极122和漏电极123。

平坦化层105可以设置在如上所述配置的驱动元件120上。

平坦化层105可以具有包括至少两层的多层结构。例如，平坦化层105可以包括第一平坦化层105a和第二平坦化层105b。第一平坦化层105a被设置成覆盖驱动元件120，并且可以被设置成使驱动元件120的源电极122的一部分和漏电极123的一部分暴露。

例如，平坦化层105可以延伸至非有源区NA，以便覆盖链接线171的一部分和低电位电力线161的一部分。例如，平坦化层105可以延伸至封装部FSPM的外侧。

平坦化层105可以覆盖低电位电力线161的一部分。

可以通过去除平坦化层105的一部分以使低电位电力线161的上表面的一部分暴露来形成第一开孔OH1。

平坦化层105可以具有约2μm的厚度，但不限于此。

平坦化层105可以是外涂层，但不限于此。

同时，连接电极115可以设置在第一平坦化层105a上，以电连接驱动元件120和有机发光二极管150。尽管在图7中未示出，但是用作线/电极例如数据线或信号线的各种金属层可以设置在第一平坦化层105a上。

此外，第二平坦化层105b可以设置在第一平坦化层105a和连接电极115上。

例如，根据本公开内容的第一示例性实施方式，平坦化层105在显示部DP中包括两层。这是因为各种信号线的数目随着显示部DP的分辨率的增加而增加。因此，难以将所有线设置在单层中，以便彼此间隔开最小距离。因此，形成了附加层。由于附加层即第二平坦化层105b，所述线可以被设置为具有备用空间。换言之，由于附加层，线可以被设置得更简洁。因此，可以更容易地设计线/电极的布局。此外，如果介电材料用于具有多层结构的平坦化层105，则平坦化层105可以用于在金属层之间形成电容。

第二平坦化层105b可以被形成为使连接电极115的一部分暴露。驱动元件120的漏电极123和有机发光二极管150的阳极151可以通过连接电极115彼此电连接。

有机发光二极管150可以具有其中顺序地设置有阳极151、多个有机层152和阴极153的结构。

例如，有机发光二极管150可以包括形成在平坦化层105上的阳极151、形成在阳极151上的有机层152和形成在有机层152上的阴极153。

根据发光方向，电致发光显示装置100可以是顶部发射型或底部发射型。对于顶部发射型，从有机层152发射的光可以从阳极151朝向向上方向即朝向其上方的阴极153反射。为此，由具有高反射率的不透明导电材料例如银(Ag)、铝(Al)、金(Au)、钼(Mo)、钨(W)、铬(Cr)或其合金制成的反射层可以进一步设置在阳极151下方。对于底部发射型，阳极151可以由透明导电材料例如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)等制成。在下文中，本公开内容的电致发光显示装置100将被描述为底部发射型电致发光显示装置。

例如，低电位电力线接触部分165也可以设置在非有源区NA中的与阳极151相同的层上。低电位电力线接触部分165可以通过第一开孔OH1连接至低电位电力线161。如上所述，低电位电力线接触部分165可以在柔性膜180之间具有倒三角形形状。替选地，低电位电力线接触部分165可以在柔性膜180之间具有与第一短条172的宽度方向平行的条形形状。如果高电位电力线分别在左侧和右侧设置在最外面的柔性膜的外侧，则低电位电力线接触部分165可以设置成不与高电位电力线交叠。例如，低电位电力线接触部分165可以具有不在分别设置有高电位电力线的显示部DP的左上端和右上端设置的环形形状。

在平坦化层105上除了发射区之外可以形成堤部106。例如，堤部106可以具有堤部孔，与发射区对应的阳极151通过该堤部孔被暴露。堤部106可以由诸如硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx)的无机绝缘材料或诸如BCB、丙烯酸树脂或酰亚基于胺的树脂的有机绝缘材料制成。

堤部106可以延伸至非有源区NA。例如，堤部106延伸至封装部FSPM的外侧，以便完全覆盖平坦化层105并抑制平坦化层105暴露到外侧。换言之，堤部106可以延伸超过封装部FSPM的边缘，以便完全覆盖平坦化层105并抑制平坦化层105暴露到外侧。

因此，具有较高湿气吸收率(moisture absorption rate)的平坦化层105被具有较低湿气吸收率的堤部106覆盖。因此，当显示装置100暴露于湿气时，可以使湿气吸收最小化，从而可以提高关于湿气渗透的可靠性。此外，形成在平坦化层105中的第一开孔OH1被由透明导电材料制成的低电位电力线接触部分165覆盖。透明导电材料可以包括铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)等。因此，可以抑制湿气渗透。

此处，堤部106可以设置成覆盖低电位电力线接触部分165的除低电位电力线接触部分165的中心部分之外的边缘的部分。因此，第二开孔OH2可以形成为使低电位电力线接触部分165的中心部分暴露。例如，第一开孔OH1具有比第二开孔OH2大的面积，并且低电位电力线接触部分165可以具有比第一开孔OH1大的面积。

堤部106可以具有约1μm的厚度，但不限于此。

有机层152可以设置在由堤部106暴露的阳极151上。有机层152可以包括发射层、电子注入层、电子传输层、空穴传输层和空穴注入层等。

有机层152可以延伸至非有源区NA。

有机层152可以延伸至非有源区NA的一部分，以便与低电位电力线161间隔开预定距离。预定距离可以可选地取决于显示面板的尺寸。

在非有源区NA中，有机层152可以设置在堤部106的一部分上。

阴极153可以设置在有机层152上。

对于顶部发射型，阴极153可以包含透明导电材料。例如，阴极153可以由铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)等制成。对于底部发射型，阴极153可以包含由诸如金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、钼(Mo)、镁(Mg)、钯(Pd)和铜(Cu)的金属材料或者它们的合金组成的组中的任何一种。替选地，阴极153可以具有层叠结构。层叠结构可以包括由诸如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)或铟镓锌氧化物(IGZO)的透明导电材料制成的层。此外，层叠结构可以包括由诸如金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、钼(Mo)、镁(Mg)、钯(Pd)和铜(Cu)的金属材料或其合金制成的层。然而，本公开内容不限于此。

阴极153可以延伸至非有源区NA。

阴极153可以延伸至非有源区NA，以便通过第二开孔OH2与低电位电力线接触部分165的一部分接触。

在非有源区NA中，阴极153可以设置成覆盖有机层152的侧表面。在这种情况下，有机层152可以被设置成与阴极153的梢端间隔开预定距离。换言之，有机层152可以被设置成与阴极153的侧端(lateral end)间隔开预定距离，可选地与导电膏260接触。然而，本公开内容不限于此。梢端可以被描述为侧端。

由具有高折射率和光吸收率的材料制成的盖层107可以设置在有机发光二极管150上，以减少外部光的漫反射。

盖层107可以是由有机材料制成的有机层，并且如果需要可以被省略。

盖层107可以延伸至非有源区NA。在非有源区NA中，盖层107可设置在阴极153上。

在阴极153上可以设置具有包括密封构件130和增强基板140的多层结构的封装结构。然而，本公开内容不限于此。如果需要，可以省略增强基板140。如果需要，可以省略密封构件130。

在移动和便携式装置中使用的小尺寸显示面板具有小的面板面积。因此，热量从装置中迅速消散，并且几乎不存在粘附问题。然而，在监视器、平板电脑和电视机中使用的大尺寸面板具有大的面板面积。因此，需要封装结构来实现最佳散热和粘附。

此外，为了补偿不足的刚性，电致发光显示装置还可以包括设置在封装基板上的单独内板。在这种情况下，需要确保或具有用于在其中容纳单独内板的空间。由于内板的相对重量，在电致发光显示装置的纤薄和重量减轻方面存在限制。此外，由于在封装基板与内板之间通过被设置成将封装基板与内板彼此附接的粘合带的厚度而生成的空气间隙，生成了垂直分离空间。因此，可以减少散热。垂直分离空间可以在显示面板的堆叠方向上。

因此，在本公开内容的第一示例性实施方式中，可以引入具有包括密封构件130的多层结构的封装结构。在封装结构中，可以去除单独的内板，并且可以固定具有相对较大厚度的增强基板140。因此，封装结构可以抑制工艺缺陷的发生。工艺缺陷可能由于显示器上的外部颗粒(例如，污染物或灰尘)或制造显示器时的对准问题等而发生。

本公开内容的密封构件130可以包括面向基板101的第一粘合剂层131和面向增强基板140的第二粘合剂层133。此外，密封构件130可以包括设置在第一粘合剂层131与第二粘合剂层133之间的阻挡层132。

第一粘合剂层131和第二粘合剂层133中的每一个可以由具有粘合性的聚合物材料制成。例如，第一粘合剂层131可以由基于烯烃的、基于环氧的和基于丙烯酸酯的聚合物中的一种的聚合物材料制成。此外，第二粘合剂层133可以由不含羧基的基于烯烃的、基于环氧的、基于丙烯酸酯的、基于胺的、基于酚的和基于酸酐的聚合物中的一种的聚合物材料制成。例如，为了阻挡层132的腐蚀抑制和膜均匀性，第二粘合剂层133可以由不含羧基的聚合物材料制成。

为了基板101的散热，第一粘合剂层131和第二粘合剂层133当中的至少第一粘合剂层131可以由包括具有粘合性的聚合物材料和金属颗粒的混合物制成。例如，金属颗粒可以是由Ni制成的粉末。与基板101直接接触的第一粘合剂层131由包括具有粘合性的聚合物材料和金属颗粒的混合物制成。因此，第一粘合剂层131可以具有比具有粘合性的聚合物材料更高的热导率。

同样，第二粘合剂层133由包括具有粘合性的聚合物材料和金属颗粒的混合物制成。因此，第二粘合剂层133可以具有比具有粘合性的聚合物材料更高的热导率。

通过这种方式，可以提高从基板101生成的热量通过密封构件130消散的速率。因此，可以改善从基板101的散热。

此外，为了抑制湿气渗透到像素单元125中，第一粘合剂层131可以由还包括吸湿无机填料(hygroscopic inorganic filler)的混合物制成。吸湿无机填料可以是钡氧化物(BaO)、钙氧化物(CaO)和镁氧化物(MgO)中的至少一种，但是本公开内容的实施方式不限于此，因为可以使用其他氧化物、陶瓷或无机材料。

与第一粘合剂层131不同，第二粘合剂层133不与像素单元125直接接触。因此，第二粘合剂层133不需要包括用于抑制湿气渗透到像素单元125中的吸湿无机填料。因此，第二粘合剂层133不包括吸湿无机填料，而是可以仅包括具有粘合性的聚合物材料和金属颗粒。通过这种方式，可以减少注入到密封构件130中的相对昂贵的吸湿无机填料的量。因此，可以降低制备密封构件130的成本。

此外，由于第二粘合剂层133不包括吸湿无机填料，因此与第一粘合剂层131中的聚合物材料相比，包括在第二粘合剂层133中的聚合物材料的混合比可以增加。因此，第二粘合剂层133的粘合性可以高于第一粘合剂层131的粘合性。因此，随着增强基板140更牢固地固定在第二粘合剂层133上，可以进一步提高基板101与增强基板140之间的粘合可靠性。

由于密封构件具有包括第一粘合剂层131和第二粘合剂层133的多层结构，因此可以减少显示面板弯曲的翘曲量。因此，还可以提高可靠性。

第一粘合剂层131和第二粘合剂层133中的每一个可以具有被限制为等于或小于可以抑制工艺缺陷的阈值厚度的厚度。此外，第一粘合剂层131和第二粘合剂层133的厚度之和可以被限制为等于或大于可以确保固定增强基板140的可靠性的阈值厚度。

例如，第一粘合剂层131和第二粘合剂层133中的每一个的厚度可以在10μm至100μm的范围内。

阻挡层132可以由金属材料制成。例如，阻挡层132可以包括诸如Al、Cu、Sn、Ag、Fe或Zn的金属材料。

可以引入阻挡层132以实现层压结构，以增强与第一粘合剂层131和第二粘合剂层133的粘附性并减少翘曲。

例如，第一粘合剂层131和第二粘合剂层133中的每一个包括具有粘合性的聚合物材料。因此，由相对硬的材料(当与第一粘合剂层131和第二粘合剂层133相比时)制成的阻挡层132设置在第一粘合剂层131与第二粘合剂层133之间。因此，第一粘合剂层131和第二粘合剂层133分别附接至阻挡层132的一个表面和另一表面。因此，可以提高粘附性。

在这种情况下，阻挡层132的厚度可以被限制为小于第一粘合剂层131和第二粘合剂层133的厚度，以使由阻挡层132引起的密封构件130的厚度增加最小化。例如，阻挡层132的厚度可以大于10μm且小于第一粘合剂层131和第二粘合剂层133的厚度中的每一个。

根据本公开内容的第一示例性实施方式的密封构件130包括经由阻挡层132分离的第一粘合剂层131和第二粘合剂层133。因此，密封构件130可以具有单层粘合剂材料的厚度的约两倍的厚度，同时抑制工艺缺陷的发生。因此，由密封构件130固定的增强基板140可以具有更大的厚度。因此，可以增加刚性并且可以容易地实现散热。例如，当密封构件130的厚度在30μm至300μm的范围内时，增强基板140的厚度可以在0.1mm至1.5mm的范围内。

例如，增强基板140可以由选自玻璃和塑料聚合物例如PET的一种材料制成。

例如，密封构件130和增强基板140可以延伸至非有源区NA，以便覆盖平坦化层105的一部分和堤部106的一部分。

例如，密封构件130的梢端和增强基板140的梢端可以位于第二开孔OH2内。因此，第一粘合剂层131可以通过第二开孔OH2与低电位电力线接触部分165接触。第一粘合剂层131可以仅位于第二开孔OH2的一部分中，而另外部分可以被暴露。

如上所述，根据本公开内容，封装结构具有包括相对厚的增强基板140的多层结构。因此，可以实现足够的刚性和散热。然而，如果诸如PET的塑料聚合物用于增强基板140，则难以抑制EMI。本公开内容的封装部FSPM采用由塑料聚合物制成的增强基板140，其间插入绝缘的第二粘合剂层133。因此，不能进行像在常规方法中那样使用封装部FSPM上的导电带来进行到显示部DP的电连接。

因此，根据本公开内容，将导电膏160施加至封装部FSPM的侧表面，以便与金属阻挡层132的侧表面接触(或连接)。此外，导电膏160通过第二开孔OH2与低电位电力线接触部分165接触(或连接)，该第二开孔的另外部分被暴露。因此，可以改善EMI。例如，阻挡层132可以通过导电膏160连接至低电位电力线接触部分165。此外，低电位电力线接触部分165、导电膏160、阻挡层132和阴极153可以通过低电位电力线161共享低电位电力供应。

例如，导电膏160可以包括银膏。

例如，导电膏160可以具有至少100μm的宽度。

图6示出了导电膏160延伸至增强基板140的上表面以便覆盖增强基板140的上表面的一部分的示例。然而，本公开内容不限于此。

参照图6，导电膏160的一端比导电膏160的主体薄，并且该较薄端设置在第二开孔OH2内。当在第二开孔OH2内部时，第一粘合剂层131的薄部分可以压靠于导电膏160的较薄端，并且接触低电位电力线接触部分165，但是这不是必需的，并且导电膏160的较薄端可以直接接触盖层107和/或阴极153。此外，导电膏160的较薄端不需要直接接触低电位电力线接触部分165，而是可以在导电膏160的较薄端与低电位电力线接触部分165之间插入导电材料以提供电连接。在本公开内容的各种实施方式中，导电膏160的较薄端也可以直接接触低电位电力线161。在这样的示例中，导电膏160可以接触低电位电力线接触部分165和低电位电力线161两者，或者导电膏160可以直接接触低电位电力线161，并且由于低电位电力线接触部分165与低电位电力线161之间的直接或电接触而间接(例如，电)连接至低电位电力线接触部分165。

虽然导电膏160被示出为在向增强基板140延伸时具有恒定厚度，但是本公开内容的实施方式不限于此。例如，导电膏160的厚度可以在顶端处较大，并且当接近第二开孔OH2时减小，或者导电膏160的厚度可以在第二开孔OH2附近较大，并且当接近增强基板140时减小。在其他实施方式中，导电膏160中的导电膏160接触阻挡层132的中间可以具有比端处的厚度大的厚度。在另一示例中，导电膏160中的接触阻挡层132的厚度可以比端薄。

在本公开内容的各种实施方式中，导电膏160可以是分层结构或层压体，其具有在接触阻挡层132的内侧上设置的导电膏160和位于分层结构或层压体的外侧上的树脂或带。在该实施方式中，内侧上的导电膏160可以从第二开孔OH2延伸至阻挡层132，而树脂或带可以从第二开孔OH2一直延伸至增强基板140的顶部。

在本公开内容的各种实施方式中，参照图3至图6，设置在相邻柔性膜180之间的导电膏160不需要是单片或单结构，而是可以是多条带，或者可以是在第二开孔OH2处具有单一基底的结构，但是具有当接近阻挡层132或增强基板140的顶部时分离的延伸指状物。例如，该结构可以具有“E”形状。相反的情况也是可行的，其中单一基底接触阻挡层132，但是指状物在接近第二开孔OH2时延伸。

同时，金属板可以替代封装部中的增强基板。这将参照图8进行详细描述。

图8是示意性地示出根据本公开内容的第二示例性实施方式的电致发光显示装置的截面图。

除了增强基板由金属板245替代之外，如图8所示的根据本公开内容的第二示例性实施方式的电致发光显示装置200与如图6所示的根据本公开内容的第一示例性实施方式的电致发光显示装置100基本相同。因此，将省略其重复描述。

参照图8，封装部FSPM在根据第二示例性实施方式的电致发光显示装置200中可以以与上述第一示例性实施方式中相同的方式设置在显示部DP上。

例如，根据本公开内容的第二示例性实施方式的封装部FSPM可以包括密封构件130和金属板245。

例如，密封构件130可以包括面向基板101的第一粘合剂层131和面向金属板245的第二粘合剂层133。此外，密封构件130可以包括设置在第一粘合剂层131与第二粘合剂层133之间的阻挡层132。

第一粘合剂层131和第二粘合剂层133中的每一个均可以由具有粘合性的聚合物材料制成。例如，第一粘合剂层131可以由基于烯烃的、基于环氧的和基于丙烯酸酯的聚合物之一的聚合物材料制成。此外，第二粘合剂层133可以由不含羧基的基于烯烃的、基于环氧的、基于丙烯酸酯的、基于胺的、基于酚的和基于酸酐的聚合物之一的聚合物材料制成。例如，为了阻挡层132的腐蚀抑制和膜均匀性，第二粘合剂层133可以由不含羧基的聚合物材料制成。

为了基板101的散热，第一粘合剂层131和第二粘合剂层133当中的至少第一粘合剂层131可以由包括具有粘合性的聚合物材料和金属颗粒的混合物制成。例如，金属颗粒可以是由Ni制成的粉末。与基板101直接接触的第一粘合剂层131由包括具有粘合性的聚合物材料和金属颗粒的混合物制成。因此，第一粘合剂层131可以具有比具有粘合性的聚合物材料更高的热导率。

同样，第二粘合剂层133由包括具有粘合性的聚合物材料和金属颗粒的混合物制成。因此，第二粘合剂层133可以具有比具有粘合性的聚合物材料更高的热导率。

此外，为了抑制湿气渗透至像素单元125中，第一粘合剂层131可以由还包括吸湿无机填料的混合物制成。吸湿无机填料可以是钡氧化物(BaO)、钙氧化物(CaO)和镁氧化物(MgO)中的至少一种。

与第一粘合剂层131不同，第二粘合剂层133不与像素单元125直接接触。因此，第二粘合剂层133不需要包括用于抑制湿气渗透至像素单元125中的吸湿无机填料。因此，第二粘合剂层133不包括吸湿无机填料，而是可以仅包括具有粘合性的聚合物材料和金属颗粒。

阻挡层132可以由金属材料制成。例如，阻挡层132可以包括诸如Al、Cu、Sn、Ag、Fe或Zn的金属材料。

例如，金属板245可以包括诸如Al、Cu、Sn、Ag、Fe或Zn的金属材料。由于由金属材料制成的金属板245被添加至上述第一示例性实施方式，因此可以进一步改善散热。

例如，密封构件130和金属板245可以延伸至非有源区NA，以便覆盖平坦化层105的一部分和堤部106的一部分。

例如，密封构件130的梢端和金属板245的梢端可以位于第二开孔OH2内。因此，第一粘合剂层131可以通过第二开孔OH2与低电位电力线接触部分165接触。此外，第一粘合剂层131可以仅位于第二开孔OH2的一部分中，而另外部分可以被暴露。

导电膏260可以被施加至封装部FSPM的侧表面，以便与阻挡层132的侧表面接触。此外，导电膏260可以通过第二开孔OH2与低电位电力线接触部分165接触，该第二开孔的另外部分被暴露。

例如，阻挡层132可以通过导电膏260连接至低电位电力线接触部分165。因此，低电位电力线接触部分165、导电膏260、阻挡层132和阴极153可以通过低电位电力线161共享低电位电力供应。

例如，导电膏260可以包括银膏。

例如，导电膏260可以具有至少100μm的宽度。

图8示出了导电膏260延伸至金属板245的侧表面的一部分且未延伸至金属板245的顶部的示例。然而，本公开内容不限于此。

同时，金属板245还可以在封装部中设置在增强基板上，其间插入有粘合剂层。这将参照图9进行详细描述。

图9是示意性地示出根据本公开内容的第三示例性实施方式的电致发光显示装置的截面图。

除了还在增强基板340上设置金属板345，其间插入有第三粘合剂层341之外，如图9所示的根据本公开内容的第三示例性实施方式的电致发光显示装置300与如图6所示的根据本公开内容的第一示例性实施方式的电致发光显示装置100基本相同。因此，将省略其重复描述。

参照图9，封装部FSPM在根据第三示例性实施方式的电致发光显示装置300中可以以与上述第一示例性实施方式和第二示例性实施方式中相同的方式设置在显示部DP上。

例如，根据本公开内容的第三示例性实施方式的封装部FSPM可以包括密封构件130、增强基板340和金属板345。

例如，密封构件130可以包括面向基板101的第一粘合剂层131和面向增强基板340的第二粘合剂层133。此外，密封构件130可以包括设置在第一粘合剂层131与第二粘合剂层133之间的阻挡层132。

例如，增强基板340可以由选自玻璃和塑料聚合物例如PET的一种材料制成。

可以在增强基板340上设置第三粘合剂层341，并且可以在第三粘合剂层341上设置金属板345。因此，封装结构可以具有比上述第一示例性实施方式和第二示例性实施方式的厚度大的厚度。因此，可以进一步增加刚性。此外，由于添加了由金属材料制成的金属板345，因此可以进一步改善散热。

第三粘合剂层341可以由具有粘合性的聚合物材料制成。例如，第三粘合剂层341可以由不含羧基的基于烯烃的、基于环氧的、基于丙烯酸酯的、基于胺的、基于酚的和基于酸酐的聚合物之一的聚合物材料制成。然而，本公开内容不限于此。

第三粘合剂层341可以由包括具有粘合性的聚合物材料和金属颗粒的混合物制成。

此外，第三粘合剂层341不包括吸湿无机填料，但是可以仅包括具有粘合性的聚合物材料和金属颗粒。

例如，金属板345可以包括诸如Al、Cu、Sn、Ag、Fe或Zn的金属材料。

例如，密封构件130、第三粘合剂层341和金属板345可以延伸至非有源区NA，以便覆盖平坦化层105的一部分和堤部106的一部分。

例如，密封构件130的梢端、第三粘合剂层341的梢端和金属板345的梢端可以位于第二开孔OH2内。因此，第一粘合剂层131可以通过第二开孔OH2与低电位电力线接触部分165接触。此外，如上所述，第一粘合剂层131可以仅位于第二开孔OH2的一部分中，而另外部分可以被暴露。

导电膏360可以被施加至封装部FSPM的侧表面，以便与阻挡层132的侧表面接触。此外，导电膏360可以通过第二开孔OH2与低电位电力线接触部分165接触，该第二开孔的另外部分被暴露。

例如，阻挡层132可以通过导电膏360连接至低电位电力线接触部分165。因此，低电位电力线接触部分165、导电膏360、阻挡层132和阴极153可以通过低电位电力线161共享低电位电力供应。

例如，导电膏360可以包括银膏。

例如，导电膏360可以具有至少100μm的宽度。

图9示出了导电膏360延伸至第三粘合剂层341的侧表面的一部分且未延伸至第三粘合剂层的顶部或金属板345的顶部的示例。然而，本公开内容不限于此。

同时，本公开内容的封装结构可以包括粘合剂层和封装基板。这将参照图10进行详细描述。

图10是示意性地示出根据本公开内容的第四示例性实施方式的电致发光显示装置的截面图。

除了封装结构包括粘合剂层430和封装基板440之外，如图10所示的根据本公开内容的第四示例性实施方式的电致发光显示装置400与如图6所示的根据本公开内容的第一示例性实施方式的电致发光显示装置100基本相同。因此，将省略其重复描述。

参照图10，封装部FSPM在根据第四示例性实施方式的电致发光显示装置400中可以以与上述第一示例性实施方式、第二示例性实施方式和第三示例性实施方式中相同的方式设置在显示部DP上。

例如，根据本公开内容的第四示例性实施方式的封装部FSPM可以包括粘合剂层430和封装基板440。

例如，封装基板440可以形成为薄金属层，例如铝(Al)箔，但是不限于此。

粘合剂层430可以由光学透明粘合剂(OCA)或压敏粘合剂(PAS)制成。

例如，粘合剂层430和封装基板440可以延伸至非有源区NA，以便覆盖平坦化层105的一部分和堤部106的一部分。

例如，粘合剂层430的梢端和封装基板440的梢端可以位于第二开孔OH2内或与其交叠。因此，粘合剂层430可以通过第二开孔OH2与低电位电力线接触部分165接触。此外，如上所述，粘合剂层430的一部分例如梢端可以仅位于第二开孔OH2的一部分中，而另外部分可以被暴露。

例如，导电膏460可以设置在封装部FSPM的侧表面上，以便与封装基板440的侧表面接触。此外，导电膏460可以通过第二开孔OH2与低电位电力线接触部分165接触，该第二开孔的另外部分被暴露。

例如，封装基板440可以通过导电膏460连接至低电位电力线接触部分165。因此，低电位电力线接触部分165、导电膏460、封装基板440和阴极153可以通过低电位电力线161共享低电位电力供应。

例如，导电膏460可以包括银膏。

例如，导电膏460可以具有至少100μm的宽度。

图10示出了导电膏460延伸至封装基板440的上表面以便覆盖封装基板440的上表面的一部分的示例。然而，本公开内容不限于此。

同时，如上所述，本公开内容的低电位电力线接触部分165可以在柔性膜之间具有与第一短条172的宽度方向平行的条形形状。这将参照图11进行详细描述。

图11和图12是示意性地示出根据本公开内容的第五示例性实施方式的电致发光显示装置的平面图。

除了低电位电力线接触部分565的形状之外，如图11和图12所示的根据本公开内容的第五示例性实施方式的电致发光显示装置500与如图3至图6所示的根据本公开内容的第一示例性实施方式的电致发光显示装置100基本相同。因此，将省略其重复描述。

图11示出了封装部FSPM设置在显示部DP上的电致发光显示装置500的平面结构。图12示出了移除了封装部FSPM的电致发光显示装置500的平面结构。

参照图11和图12，根据本公开内容的第五示例性实施方式的电致发光显示装置500可以包括显示部DP、封装部FSPM和柔性膜180。

封装部可以包括密封构件和增强基板。

如上所述，根据本公开内容，导电膏560被施加至封装部FSPM的侧表面，以便与封装部FSPM的金属阻挡层的侧表面接触。此外，连接至低电位电力线161的低电位电力线接触部分565在柔性膜180或源极焊盘之间被暴露，以便与导电膏560接触并且电连接至导电膏560。阻挡层的暴露的侧表面通过使用导电膏560连接至低电位电力线161。此处，低电位电力线161可以与数据驱动器IC共享低电位电力供应。

例如，柔性膜180可以附接至显示部DP的一侧的梢端，以便覆盖源极焊盘和驱动IC。此外，电力电压和数据电压可以通过链接线171供应至有源区AA中的多个子像素和电路。

如上所述，如果链接线171是高电位电力线，则其可以连接至第一短条172，该第一短条被设置成与显示部DP的宽度方向平行。然后，链接线171可以通过设置在有源区AA中的多条高电位电力线173连接至第二短条174。高电位电力线173可以被设置成与显示部DP的高度方向平行。

第一短条172可以位于有源区AA的上端处，而第二短条174可以位于有源区AA的下端处。然而，本公开内容不限于此。

本公开内容的低电位电力线161可以在柔性膜180之间设置在链接线171的外侧。换言之，本公开内容的低电位电力线161可以被设置成在柔性膜180之间延伸超过链接线171的边缘。

低电位电力线接触部分565设置在低电位电力线161上，并且低电位电力线接触部分565可以与低电位电力线161接触(或连接)。

例如，低电位电力线接触部分565可以在柔性膜180与第一短条172之间具有与宽度方向平行的条形形状。可替选地，如果高电位电力线分别在左侧和右侧设置在最外面的柔性膜180的外侧，则低电位电力线接触部分565可以设置成不与高电位电力线交叠。这是因为如果低电位电力线接触部分565与高电位电力线交叠，则可能发生短路。例如，低电位电力线接触部分565可以具有环形形状，其不包括显示部DP的分别设置有高电位电力线的左上端和右上端。具有环形形状的低电位电力线接触部分565可以与封装部FSPM的边缘接触。

在去除平坦化层和/或堤部时，可以使低电位电力线接触部分565的上表面的一部分暴露。阴极和导电膏560可以设置在低电位电力线接触部分565的上表面的暴露部分上，以便与低电位电力线接触部分565接触(或连接)。

低电位电力线接触部分565可以在柔性膜180之间具有与第一短条172的宽度方向平行的条形形状，如在本公开内容的第五示例性实施方式中。可替选地，低电位电力线接触部分565可以具有不在显示部DP的分别设置有高电位电力线的左上端和右上端设置的环形形状，如在本公开内容的第五示例性实施方式中。在这种情况下，低电位电力线接触部分565可以更有效地接地。

本公开内容的示例性实施方式还可以如下描述：

根据本公开内容的方面，提供了一种电致发光显示装置。该电致发光显示装置包括：显示部，其包括有源区和非有源区；设置在显示部上方的封装部；附接至显示部的一侧的柔性膜；被供应有来自柔性膜的低电位电力的低电位电力线；以及导电膏，其在柔性膜之间涂覆在封装部的侧表面上，并且其一侧连接至低电位电力线。

封装部可以包括：设置在显示部上方的密封构件；以及设置在密封构件上方的增强基板。

密封构件可以包括：第一粘合剂层；第二粘合剂层；以及阻挡层，其设置在第一粘合剂层与第二粘合剂层之间，并且由金属材料制成。

增强基板可以由玻璃或塑料聚合物之一制成。

导电膏可以延伸至增强基板的上表面，以便覆盖增强基板的上表面的一部分。

电致发光显示装置还可以包括：被供应有来自柔性膜的电力电压或数据电压的链接线；连接至链接线且设置在显示部的一个方向上的第一短条；连接至第一短条且在有源区中设置在另外的方向上的多条高电位电力线；以及连接至高电位电力线且设置在显示部的一个方向上的第二短条。

低电位电力线可以设置在连接至相邻柔性膜的链接线之间。

电致发光显示装置还可以包括：设置在低电位电力线上方且连接至低电位电力线的低电位电力线接触部分。

电致发光显示装置还可以包括：延伸至封装部的外侧以便覆盖低电位电力线的一部分的平坦化层。

平坦化层可以包括通过去除平坦化层的一部分以使低电位电力线的上表面的一部分暴露而制备的第一开孔。

电致发光显示装置还可以包括：延伸至封装部的外侧以便完全覆盖平坦化层的堤部。

堤部可以被设置成覆盖低电位电力线接触部分的除了低电位电力线接触部分的中心部分之外的边缘的一部分，并且可以包括第二开孔，低电位电力线接触部分的中心部分通过该第二开孔被暴露。

电致发光显示装置还可以包括：延伸至非有源区且通过第二开孔与低电位电力线接触部分的一部分接触的阴极。

封装部的梢端可以位于第二开孔内，以便通过第二开孔与低电位电力线接触部分接触，并且封装部的梢端可以仅位于第二开孔的一部分中，并且第二开孔的另外部分可以被暴露。

导电膏可以通过第二开孔与低电位电力线接触部分接触，该第二开孔的另外部分被暴露。

导电膏可以包括银膏。

封装部可以包括：设置在显示部上方的密封构件；以及金属板，其设置在密封构件上方，并且由金属材料制成。

导电膏可以延伸至金属板的侧表面的一部分。

电致发光显示装置还可以包括：设置在增强基板上方的金属板，其间插入有粘合剂层。

封装部可以包括：设置在显示部上方的粘合剂层；以及设置在粘合剂层上方的封装基板。

导电膏可以延伸至封装基板的上表面，以便覆盖封装基板的上表面的一部分。

低电位电力线接触部分可以在柔性膜之间具有倒三角形形状。

低电位电力线接触部分可以在柔性膜与有源区之间具有与一个方向平行的条形形状，并且不与分别在左侧和右侧设置在最外面的柔性膜的外侧的高电位电力线交叠。

低电位电力线接触部分可以具有环形形状，并且可以与封装部的边缘接触，该环形形状不包括显示部的分别设置有高电位电力线的左上端和右上端。

根据本公开内容的另一方面，提供了一种电致发光显示装置。该电致发光显示装置包括：显示部，其包括有源区和非有源区；设置在显示部上的封装部；设置在显示部的一侧上的多个柔性膜；被供应有来自多个柔性膜中的至少一个柔性膜的低电位电力的低电位电力线；以及导电膏，其在多个柔性膜之间设置在封装部的侧表面上，并且连接至低电位电力线。

导电膏可以接触封装部的侧表面。

电致发光显示装置还可以包括平坦化层。

平坦化层可以包括用于使低电位电力线的上表面的一部分暴露的第一开孔。

电致发光显示装置还可以包括设置在基板上的堤部。

堤部可以被设置成覆盖低电位电力线接触部分的边缘的一部分，并且可以包括通过其使低电位电力线接触部分的中心部分暴露的第二开孔。

封装部的梢端可以位于第二开孔内，以便通过第二开孔与低电位电力线接触部分接触。

封装部可以包括：密封构件；以及设置在密封构件上的增强基板。

增强基板可以包括塑料聚合物。

增强基板可以是金属板。

封装部还可以包括设置在增强基板上的金属板。

封装部还可以包括设置在增强基板与金属板之间的第三粘合剂层。

封装部还可以包括设置在密封构件与增强基板之间的绝缘粘合剂层。

密封构件可以包括第一粘合剂层和第二粘合剂层。

密封构件还可以包括设置在第一粘合剂层与第二粘合剂层之间的阻挡层。

第一粘合剂层可以包括聚合物材料，并且第二粘合剂层可以包括聚合物材料。

第一粘合剂层还可以包括吸湿无机填料。

阻挡层可以通过导电膏连接至低电位电力线的低电位电力线接触部分。

导电膏可以延伸至增强基板的上表面，以便覆盖增强基板的上表面的一部分。

电致发光显示装置还可以包括高电位电力线，并且低电位电力线的低电位电力线接触部分不与高电位电力线交叠。

电致发光显示装置还可以包括阴极，并且低电位电力线接触部分、导电膏、阻挡层和阴极可以通过低电位电力线共享低电位电力供应。

导电膏可以在柔性膜之间连接至低电位电力线接触部分。

密封构件可以具有30μm至300μm的厚度，并且增强基板可以具有0.1mm至1.5mm的厚度。

对于本领域技术人员将明显的是，在不脱离本公开内容的技术构思或范围的情况下，可以对本公开内容的显示装置进行各种修改和变化。因此，因此，本公开内容旨在覆盖本公开内容的修改和变化，只要这些修改和变化落入所附权利要求及其等同物的范围内即可。

Claims (24)

1.一种电致发光显示装置，包括：

显示部，其包括有源区和非有源区；

设置在所述显示部上方的封装部；

附接至所述显示部的一侧的柔性膜；

被供应有来自所述柔性膜的低电位电力的低电位电力线；以及

导电膏，所述导电膏在所述柔性膜之间涂覆在所述封装部的侧表面上，并且所述导电膏的一侧连接至所述低电位电力线。

2.根据权利要求1所述的电致发光显示装置，其中，所述封装部包括：

设置在所述显示部上方的密封构件；以及

设置在所述密封构件上方的增强基板。

3.根据权利要求2所述的电致发光显示装置，其中，所述密封构件包括：

第一粘合剂层；

第二粘合剂层；以及

阻挡层，其设置在所述第一粘合剂层与所述第二粘合剂层之间，并且由金属材料制成。

4.根据权利要求2所述的电致发光显示装置，其中，所述增强基板由玻璃或塑料聚合物之一制成。

5.根据权利要求2所述的电致发光显示装置，其中，所述导电膏延伸至所述增强基板的上表面，以便覆盖所述增强基板的上表面的一部分。

6.根据权利要求1所述的电致发光显示装置，还包括：

被供应有来自所述柔性膜的电力电压或数据电压的链接线；

连接至所述链接线且设置在所述显示部的一个方向上的第一短条；

连接至所述第一短条且在所述有源区中设置在另外的方向上的多条高电位电力线；以及

连接至所述高电位电力线且设置在所述显示部的所述一个方向上的第二短条。

7.根据权利要求6所述的电致发光显示装置，其中，所述低电位电力线设置在连接至相邻的所述柔性膜的所述链接线之间。

8.根据权利要求1所述的电致发光显示装置，还包括：

设置在所述低电位电力线上方且连接至所述低电位电力线的低电位电力线接触部分。

9.根据权利要求8所述的电致发光显示装置，还包括：

延伸至所述封装部的外侧以便覆盖所述低电位电力线的一部分的平坦化层。

10.根据权利要求9所述的电致发光显示装置，其中，所述平坦化层包括通过去除所述平坦化层的一部分以使所述低电位电力线的上表面的一部分暴露而制备的第一开孔。

11.根据权利要求10所述的电致发光显示装置，还包括：

延伸至所述封装部的外侧以便完全覆盖所述平坦化层的堤部。

12.根据权利要求11所述的电致发光显示装置，其中，所述堤部被设置成覆盖所述低电位电力线接触部分的除了所述低电位电力线接触部分的中心部分之外的边缘的部分，并且包括第二开孔，所述低电位电力线接触部分的中心部分通过所述第二开孔被暴露。

13.根据权利要求12所述的电致发光显示装置，还包括：

延伸至所述非有源区且通过所述第二开孔与所述低电位电力线接触部分的一部分接触的阴极。

14.根据权利要求12所述的电致发光显示装置，其中，所述封装部的梢端位于所述第二开孔内，以便通过所述第二开孔与所述低电位电力线接触部分接触，并且

其中，所述封装部的梢端仅位于所述第二开孔的一部分中，并且所述第二开孔的其他部分被暴露。

15.根据权利要求14所述的电致发光显示装置，其中，所述导电膏通过所述第二开孔的所述其他部分与所述低电位电力线接触部分接触。

16.根据权利要求1所述的电致发光显示装置，其中，所述导电膏包括银膏。

17.根据权利要求1所述的电致发光显示装置，其中，所述封装部包括：

设置在所述显示部上方的密封构件；以及

金属板，其设置在所述密封构件上方，并且由金属材料制成。

18.根据权利要求17所述的电致发光显示装置，其中，所述导电膏延伸至所述金属板的侧表面的一部分。

19.根据权利要求2所述的电致发光显示装置，还包括：

设置在所述增强基板上方的金属板，所述增强基板与所述金属板之间插入有粘合剂层。

20.根据权利要求1所述的电致发光显示装置，其中，所述封装部包括：

设置在所述显示部上方的粘合剂层；以及

设置在所述粘合剂层上方的封装基板。

21.根据权利要求20所述的电致发光显示装置，其中，所述导电膏延伸至所述封装基板的上表面，以便覆盖所述封装基板的上表面的一部分。

22.根据权利要求8所述的电致发光显示装置，其中，所述低电位电力线接触部分在所述柔性膜之间具有倒三角形形状。

23.根据权利要求8所述的电致发光显示装置，其中，所述低电位电力线接触部分在所述柔性膜与所述有源区之间具有与一个方向平行的条形形状，并且不与分别设置在左侧和右侧最外面的所述柔性膜的外侧的高电位电力线交叠。

24.根据权利要求8所述的电致发光显示装置，其中，所述低电位电力线接触部分具有环形形状，并且与所述封装部的边缘接触，所述环形形状不包括所述显示部的分别设置有高电位电力线的左上端和右上端。