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CN117438326A - 一种焊线机焊头协同键合方法和焊线机 - Google Patents

一种焊线机焊头协同键合方法和焊线机 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种焊线机焊头协同键合方法和焊线机，涉及焊接设备技术领域，方法应用于包括焊头和微动台的焊线机，所述微动台包括底座上垂直升降机构，所述垂直升降机构顶部配置有用于承载目标加工芯片的载物台，所述垂直升降机构的初始高度为芯片键合位置减去焊盘距离载物台面的距离，在所述焊头完成过冲之前，所述垂直升降机构下降预置距离，当所述焊头完成高加速运动并完成过冲后，所述垂直升降机构上升到初始高度位置，其中，所述垂直升降机构上升到初始高度位置的过程中芯片焊盘不越过焊头的残余振动曲线。达到了在避免焊头高加速定位的过冲对芯片造成冲击的基础上，以小的搜索区间提高焊头键合效率的技术效果。

Description

一种焊线机焊头协同键合方法和焊线机
技术领域
本发明涉及焊接设备技术领域，尤其涉及一种焊线机焊头协同键合方法和焊线机。
背景技术
微电子器件及其芯片具有微细间距和高集成度的特点，对封装装备的效率、精度提出了越来越高的要求。焊线机作为芯片封装装备中的关键核心那设备，在键合操作效率和质量方面面临着速度、精度和稳定性等技术指标挑战。在焊线装备中，焊头机构通常需要以超高加速度(大于100g)在极短时间内实现对芯片上焊盘的高精度对位(小于3um)，在这样的高动态工况下，焊头在到位时会产生惯性冲击和残余振动，为了避免该冲击对芯片造成冲击，通常需要在焊盘上方80～150um区域加入一端搜索区间用以容纳焊头过冲及残余振动，使焊头在高加速运动后在此区域消减其振动，并以低速匀速运动与芯片上的焊盘进行接触。显然，搜索区间的引入，可避免焊头高加速定位的过冲和振动对芯片的冲击，但搜索区间过大会影响键合效率，搜索区间过小又会使得焊头过冲冲击芯片而影响芯片质量。因此，如何在避免焊头高加速定位的过冲对芯片造成冲击的基础上，以小的搜索区间提高焊头键合效率，是本领域技术人员亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明实施例提供了一种焊线机焊头协同键合方法和焊线机，用于在避免焊头高加速定位的过冲对芯片造成冲击的基础上，以小的搜索区间提高焊头键合效率。
有鉴于此，本发明第一方面提供了一种焊线机焊头协同键合方法，应用于包括焊头和微动台的焊线机，所述微动台包括底座上垂直升降机构，所述垂直升降机构顶部配置有用于承载目标加工芯片的载物台，所述焊线机焊头协同键合方法包括：
将所述垂直升降机构的初始高度设置为芯片键合位置减去焊盘距离载物台面的距离；
在接收到焊接指令后，控制焊头对目标加工芯片进行对位操作，在焊头对目标加工芯片进行对位操作中，在所述焊头完成过冲之前，控制所述垂直升降机构下降预置距离，预置距离为：
其中，u为垂直升降机构下降的预置距离，H为焊头高加速运动行程，高加速运动为加速度大于100g的运动，为焊头阻尼比，wn为焊头自由振动频率，wd为焊头有阻尼振动频率，tp为焊头过冲最大幅值发生时刻，Hm为垂直升降机构下降前的载物台面高度，h为焊盘距离载物台面的距离，ψ为焊头振动初始相位角；
在焊头对目标加工芯片进行对位操作中，当所述焊头完成高加速运动并完成过冲后，控制所述垂直升降机构上升到初始高度位置，其中，所述垂直升降机构上升到初始高度位置的过程中芯片焊盘不越过焊头的残余振动曲线。
可选地，所述垂直升降机构采用音圈电机或压电陶瓷驱动。
可选地，所述垂直升降机构做高速上升运动的轨迹为：
其中，y(t)为垂直升降机构做高速上升运动的轨迹函数。
本发明第二方面提供了一种焊线机，所述焊线机用于执行第一方面任一种所述的焊线机焊头协同键合方法，包括焊头和微动台，所述微动台包括底座上垂直升降机构，所述垂直升降机构顶部配置有用于承载目标加工芯片的载物台。
从以上技术方案可以看出，本发明提供的焊线机焊头协同键合方法具有以下优点：
本发明提供的焊线机焊头协同键合方法，应用于包括焊头和微动台的焊线机，所述微动台包括底座上垂直升降机构，所述垂直升降机构顶部配置有用于承载目标加工芯片的载物台，所述垂直升降机构的初始高度为芯片键合位置减去焊盘距离载物台面的距离，在所述焊头完成过冲之前，所述垂直升降机构下降预置距离，且预置距离为：其中，u为垂直升降机构下降的预置距离，H为焊头高加速运动行程，/>为焊头阻尼比，wn为焊头自由振动频率，wd为焊头有阻尼振动频率，tp为焊头过冲最大幅值发生时刻，Hm为垂直升降机构下降前的载物台面高度，h为焊盘距离载物台面的距离，ψ为焊头振动初始相位角，当所述焊头完成高加速运动并完成过冲后，所述垂直升降机构上升到初始高度位置，其中，所述垂直升降机构上升到初始高度位置的过程中芯片焊盘不越过焊头的残余振动曲线。本发明提供的焊线机焊头协同键合方法避免了焊头过冲和残余振动对芯片造成冲击，并以小的焊头搜索区间在保证了键合质量的同时提升了键合效率，达到了在避免焊头高加速定位的过冲对芯片造成冲击的基础上，以小的搜索区间提高焊头键合效率的技术效果。
同时，本发明提供的焊线机焊头协同键合方法考虑了芯片焊盘高度位置不一而引起的键合质量问题，在垂直升降机构下降的预置距离中考虑了焊盘距离载物台面的距离h，进一步保证了芯片键合质量。
附图说明
为了更清楚的说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为本发明提供的焊线机焊头协同键合方法的流程示意图；
图2为本发明提供的焊线机焊头协同键合方法工作原理与传统焊线机焊头焊接原理的对比图；
图3为本发明提供的焊线机焊头协同键合方法工作原理逻辑框图。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
为了便于理解，请参阅图1至图3，本发明中提供了一种焊线机焊头协同键合方法的实施例，应用于包括焊头和微动台的焊线机，所述微动台包括底座上垂直升降机构，所述垂直升降机构顶部配置有用于承载目标加工芯片的载物台，所述焊线机焊头协同键合方法包括：
步骤101、将所述垂直升降机构的初始高度设置为芯片键合位置减去焊盘距离载物台面的距离。
步骤102、在接收到焊接指令后，控制焊头对目标加工芯片进行对位操作，在焊头对目标加工芯片进行对位操作中，在所述焊头完成过冲之前，控制所述垂直升降机构下降预置距离，预置距离为：
其中，u为垂直升降机构下降的预置距离，H为焊头高加速运动行程，高加速运动为加速度大于100g的运动，为焊头阻尼比，wn为焊头自由振动频率，wd为焊头有阻尼振动频率，tp为焊头过冲最大幅值发生时刻，Hm为垂直升降机构下降前的载物台面高度，h为焊盘距离载物台面的距离，ψ为焊头振动初始相位角。
步骤103、在焊头对目标加工芯片进行对位操作中，当所述焊头完成高加速运动并完成过冲后，控制所述垂直升降机构上升到初始高度位置，其中，所述垂直升降机构上升到初始高度位置的过程中芯片焊盘不越过焊头的残余振动曲线。
需要说明的是，焊线机是芯片封装过程中的核心装备，在其键合过程中，其焊头机构通常以超高的加速度接近芯片上的焊盘，这使得焊头在到位时会产生过冲和残余振动，容易对芯片造成冲击，进而影响键合质量。在生产中，为了避免该冲击对芯片造成损伤，一般会在焊盘上方设置一段搜索区间用以容纳焊头过冲，焊头在以高加速运动进入该区间，然后转为低速匀速运动来接近焊盘，搜索区间的加入避免了焊头对芯片的直接冲击，保证了键合质量，但同时会延长焊头定位周期，进而影响整体的封装效率。如图2所示，本发明实施例中，微动台本身作为载物台，包括升降机构，垂直升降机构顶部配置有用于承载目标加工芯片的载物台。垂直升降机构采用音圈电机或压电陶瓷驱动，具有高速高精度的响应能力，能基于高加速封装装备焊头的运动状态和焊盘位置信息做出及时精确的响应，提高封装精度与速度。焊头高加速运行到位后，会产生过冲和残余振动，根据动力学原理可知，过冲和残余振动的过程可描述为：
其中，Y1(t)为过冲和残余振动函数，H为焊头高加速运动行程，为焊头阻尼比，wn为焊头自由振动频率，wd为焊头有阻尼振动频率，t为时间变量，ψ为焊头振动初始相位角，焊头振动初始相位角ψ与焊头加速度以及阻尼比有关。为避免焊头对芯片造成冲击，在所述焊头完成高加速运动之前，垂直升降机构下降预置距离，预置距离为：
其中，u为垂直升降机构下降的预置距离，H为焊头高加速运动行程，为焊头阻尼比，wn为焊头自由振动频率，wd为焊头有阻尼振动频率，tp为焊头过冲最大幅值发生时刻，Hm为垂直升降机构下降前的载物台面高度，h为焊盘距离载物台面的距离，ψ为焊头振动初始相位角。
焊头在高加速运动到位时发生过冲，过冲结束后，垂直升降机构做高速上升运动准确到达初始位置，使得芯片处于键合位置，由于在过冲结束后焊头仍存在残余振动，垂直升降机构做高速上升运动到达初始高度位置的过程中芯片焊盘不越过焊头的残余振动曲线，以避免微动台向上运动过程中焊头的参与振动对微动台上的芯片造成冲击，即在过冲结束后到焊头稳定下来前，垂直升降机构做高速上升运动的轨迹为：
其中，y(t)为垂直升降机构做高速上升运动的轨迹函数。
焊头稳定下来后，微动台根据当前焊盘与键合位置的距离承载芯片进行快速准确的上升运动，使芯片到达键合位置。之后焊头匀速运动至键合位置开始键合操作。此时，由于微动台的上下运动，焊头的搜索区间大幅减小，大大提高了键合操作效率。
图2中，H1为传统焊头机构的搜索区间，H2为本发明提供的焊线机焊头协同键合装置的搜索区间，T为焊头高加速运动的时间，T1为传统焊头机构的焊头匀速运动时间，T2为本发明提供的焊线机焊头协同键合装置的焊头匀速运动时间，从图2中可以看出，在本发明提供的焊线机焊头协同键合装置中，焊头的搜索区间相较于原工作过程，从H1减小到了H2，焊头匀速运动时间从T1减小到了T2，减少了ΔT(ΔT＝T1-T2)，键合操作效率提升了
需要说明的是，本发明提供的焊线机焊头协同键合装置中，焊头是在高加速到位并稳定后才进行匀速运动的，实际上，焊头也可以在高加速到位后直接转为匀速运动，本发明提供的焊线机焊头协同键合装置依然适用于上述情形。即焊头高加速到位后转为匀速运动到达键合位置，此时焊头存在过冲，而微动台承载芯片避开过冲后，承载芯片上升到达键合位置，减少焊头搜索区间。
此外，由于焊头到位过冲与焊头的加速度有关，而所提出的方法可以通过微动台本身的下降作用使焊头过冲无法对承载芯片造成冲击，因此焊头本身可以更高的加速度运行到位而不会对承载芯片造成冲击，这也提升了焊头的定位效率。
在本发明提供的焊线机焊头协同键合装置中，一方面，微动台初始时也可以处于一个不会受焊头过冲影响的安全位置，待焊头过冲结束后再进行上升运动以减小焊头搜索区间，不必在焊头过冲发生时再进行下降运动。该安全位置即垂直升降机构下降的预置距离，预置距离为：
其中，u为垂直升降机构下降的预置距离，H为焊头高加速运动行程，为焊头阻尼比，wn为焊头自由振动频率，wd为焊头有阻尼振动频率，tp为焊头过冲最大幅值发生时刻，Hm为垂直升降机构下降前的载物台面高度，h为焊盘距离载物台面的距离，ψ为焊头振动初始相位角。
另一方面，可以设定一个焊盘与焊头之间的距离阈值，在焊头高加速运动过程中，当焊盘与焊头之间的距离小于设定阈值时，微动台做下降运动带动芯片避开焊头的过冲，下降的预置距离满足：
其中，u为垂直升降机构下降的预置距离，H为焊头高加速运动行程，为焊头阻尼比，wn为焊头自由振动频率，wd为焊头有阻尼振动频率，tp为焊头过冲最大幅值发生时刻，Hm为垂直升降机构下降前的载物台面高度，h为焊盘距离载物台面的距离，ψ为焊头振动初始相位角。等到焊头完成高加速运动并完成过冲时，微动台做高速上升运动，带动芯片快速、精准定位到键合位置。
本发明提供的焊线机焊头协同键合方法，应用于包括焊头和微动台的焊线机，所述微动台包括底座上垂直升降机构，所述垂直升降机构顶部配置有用于承载目标加工芯片的载物台，所述垂直升降机构的初始高度为芯片键合位置减去焊盘距离载物台面的距离，在所述焊头完成过冲之前，所述垂直升降机构下降预置距离，且预置距离为：其中，u为垂直升降机构下降的预置距离，H为焊头高加速运动行程，/>为焊头阻尼比，wn为焊头自由振动频率，wd为焊头有阻尼振动频率，tp为焊头过冲最大幅值发生时刻，Hm为垂直升降机构下降前的载物台面高度，h为焊盘距离载物台面的距离，ψ为焊头振动初始相位角，当所述焊头完成高加速运动并完成过冲后，所述垂直升降机构上升到初始高度位置，其中，所述垂直升降机构上升到初始高度位置的过程中芯片焊盘不越过焊头的残余振动曲线。本发明提供的焊线机焊头协同键合方法避免了焊头过冲和残余振动对芯片造成冲击，并以小的焊头搜索区间在保证了键合质量的同时提升了键合效率，达到了在避免焊头高加速定位的过冲对芯片造成冲击的基础上，以小的搜索区间提高焊头键合效率的技术效果。
同时，本发明提供的焊线机焊头协同键合方法考虑了芯片焊盘高度位置不一而引起的键合质量问题，在垂直升降机构下降的预置距离中考虑了焊盘距离载物台面的距离h，进一步保证了芯片键合质量。
本发明中提供了一种焊线机的实施例，所述焊线机用于执行本发明中提供的焊线机焊头协同键合方法，所述焊线机包括焊头和微动台，所述微动台包括底座上垂直升降机构，所述垂直升降机构顶部配置有用于承载目标加工芯片的载物台。
本发明中提供的焊线机，用于执行本发明中提供的焊线机焊头协同键合方法，其原理与所取得的技术效果与本发明中提供的焊线机焊头协同键合方法相同，在此不再赘述。
以上所述，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (4)

1.一种焊线机焊头协同键合方法，其特征在于，应用于包括焊头和微动台的焊线机，所述微动台包括底座上垂直升降机构，所述垂直升降机构顶部配置有用于承载目标加工芯片的载物台，所述焊线机焊头协同键合方法包括：
将所述垂直升降机构的初始高度设置为芯片键合位置减去焊盘距离载物台面的距离；
在接收到焊接指令后，控制焊头对目标加工芯片进行对位操作，在焊头对目标加工芯片进行对位操作中，在所述焊头完成过冲之前，控制所述垂直升降机构下降预置距离，预置距离为：
其中，u为垂直升降机构下降的预置距离，H为焊头高加速运动行程，高加速运动为加速度大于100g的运动，为焊头阻尼比，wn为焊头自由振动频率，wd为焊头有阻尼振动频率，tp为焊头过冲最大幅值发生时刻，Hm为垂直升降机构下降前的载物台面高度，h为焊盘距离载物台面的距离，ψ为焊头振动初始相位角；
在焊头对目标加工芯片进行对位操作中，当所述焊头完成高加速运动并完成过冲后，控制所述垂直升降机构上升到初始高度位置，其中，所述垂直升降机构上升到初始高度位置的过程中芯片焊盘不越过焊头的残余振动曲线。
2.根据权利要求1所述的焊线机焊头协同键合方法，其特征在于，所述垂直升降机构采用音圈电机或压电陶瓷驱动。
3.根据权利要求1所述的焊线机焊头协同键合方法，其特征在于，所述垂直升降机构做高速上升运动的轨迹为：
其中，y(t)为垂直升降机构做高速上升运动的轨迹函数。
4.一种焊线机，其特征在于，所述焊线机用于执行权利要求1-3中任一项所述的焊线机焊头协同键合方法，包括焊头和微动台，所述微动台包括底座上垂直升降机构，所述垂直升降机构顶部配置有用于承载目标加工芯片的载物台。
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Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2928931A (en) * 1957-09-26 1960-03-15 Philco Corp Fabrication of electrical devices
GB2051418A (en) * 1979-06-14 1981-01-14 Boc Ltd Control of tool movement
CN2684382Y (zh) * 2004-03-26 2005-03-09 深圳市比克电池有限公司 电池壳体的激光焊接辅助装置
CN1672855A (zh) * 2005-04-20 2005-09-28 艾逖恩机电(深圳)有限公司 超声波焊线方法及其焊线装置
CN101388352A (zh) * 2008-10-22 2009-03-18 深圳市晶导电子有限公司 金属氧化物半导体场效应晶体管及其键合方法
CN207205488U (zh) * 2017-08-30 2018-04-10 漳浦比速光电科技有限公司 一种光电配件加工用半导体激光锡焊机
CN207840506U (zh) * 2018-01-30 2018-09-11 昆明光泓工贸有限公司 一种数控焊接机
CN211219120U (zh) * 2019-12-12 2020-08-11 江苏京沂电器有限公司 一种元器件连续点焊设备
CN112809158A (zh) * 2020-12-29 2021-05-18 上海骄成机电设备有限公司 超声波焊接控制方法及超声波焊接系统
CN113241319A (zh) * 2021-05-31 2021-08-10 广东工业大学 一种快速定位方法及系统
CN113478132A (zh) * 2021-08-10 2021-10-08 航天科工深圳（集团）有限公司 一种龙门焊线机振动抑制方法

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2928931A (en) * 1957-09-26 1960-03-15 Philco Corp Fabrication of electrical devices
GB2051418A (en) * 1979-06-14 1981-01-14 Boc Ltd Control of tool movement
CN2684382Y (zh) * 2004-03-26 2005-03-09 深圳市比克电池有限公司 电池壳体的激光焊接辅助装置
CN1672855A (zh) * 2005-04-20 2005-09-28 艾逖恩机电(深圳)有限公司 超声波焊线方法及其焊线装置
CN101388352A (zh) * 2008-10-22 2009-03-18 深圳市晶导电子有限公司 金属氧化物半导体场效应晶体管及其键合方法
CN207205488U (zh) * 2017-08-30 2018-04-10 漳浦比速光电科技有限公司 一种光电配件加工用半导体激光锡焊机
CN207840506U (zh) * 2018-01-30 2018-09-11 昆明光泓工贸有限公司 一种数控焊接机
CN211219120U (zh) * 2019-12-12 2020-08-11 江苏京沂电器有限公司 一种元器件连续点焊设备
CN112809158A (zh) * 2020-12-29 2021-05-18 上海骄成机电设备有限公司 超声波焊接控制方法及超声波焊接系统
CN113241319A (zh) * 2021-05-31 2021-08-10 广东工业大学 一种快速定位方法及系统
CN113478132A (zh) * 2021-08-10 2021-10-08 航天科工深圳（集团）有限公司 一种龙门焊线机振动抑制方法

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