CN117098433A - 显示面板、显示装置及显示面板制备方法 - Google Patents
显示面板、显示装置及显示面板制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN117098433A CN117098433A CN202311271736.8A CN202311271736A CN117098433A CN 117098433 A CN117098433 A CN 117098433A CN 202311271736 A CN202311271736 A CN 202311271736A CN 117098433 A CN117098433 A CN 117098433A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- sub
- layer
- pixel
- electrode layer
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 387
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 120
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims abstract description 84
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims abstract description 41
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 claims description 15
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 11
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 9
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 9
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 18
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 5
- -1 Polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 3
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 2
- UBSJOWMHLJZVDJ-UHFFFAOYSA-N aluminum neodymium Chemical compound [Al].[Nd] UBSJOWMHLJZVDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- KTIXQXHWQGVBHH-UHFFFAOYSA-N dizinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [In+3].[O-2].[Zn+2].[O-2].[Zn+2].[In+3] KTIXQXHWQGVBHH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8052—Cathodes
- H10K59/80523—Multilayers, e.g. opaque multilayers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8052—Cathodes
- H10K59/80521—Cathodes characterised by their shape
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本申请一种显示面板、显示装置及显示面板制备方法，涉及显示技术领域。该显示面板包括在衬底基板上呈阵列排布的多个像素，每个像素包括多个子像素，每个子像素包括层叠设置在衬底基板上的第一电极层、有机发光功能层以及第二电极层；导电隔离柱，设置在像素界定层的远离衬底基板的一侧，且导电隔离柱用于围绕各个所述子像素设置，用于隔断相邻子像素的有机发光功能层；第二电极层包括层叠设置的第一子电极层和第二子电极层，第一子电极层设置于有机发光功能层的远离衬底基板的一侧，第二子电极层覆盖于第一子电极层的远离衬底基板的一侧，且第二子电极层搭接于位于对应的像素开口周围的导电隔离柱。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板、显示装置及显示面板制备方法。
背景技术
随着显示技术的发展，对显示面板分辨率的要求越来越高。为了实现高分辨率，通常采用高精度掩模板(mask)设计如高精度金属掩模板(Fine Metal Mask，FMM)，但是工艺实现上存在技术难度，尤其是分辨率大于800ppi之后，难以实现高精度的张网技术和蒸镀对位技术，并且mask材料成本较高。由此，采用光刻技术来实现显示面板的子像素图案(pattern)化的工艺应运而生。相比FMM技术，使用光刻技术得到的显示面板具有更高的精度和更高的像素开口率。
发明内容
本申请提供一种显示面板、显示装置及显示面板制备方法，用于解决现有技术中显示面板的电极层与导电隔离柱搭接不良，影响显示效果的问题。
第一方面，本申请提供了一种显示面板，包括：
衬底基板；
在衬底基板上呈阵列排布的多个像素，每个像素包括多个子像素，每个子像素包括层叠设置在衬底基板上的第一电极层、有机发光功能层以及第二电极层；
位于衬底基板上的像素界定层，像素界定层包括多个像素开口，每个像素开口对应于一个子像素；
导电隔离柱，设置在像素界定层的远离衬底基板的一侧，且导电隔离柱用于围绕各个所述子像素设置，用于隔断相邻子像素的有机发光功能层；
其中，第二电极层包括层叠设置的第一子电极层和第二子电极层，第一子电极层设置于有机发光功能层的远离衬底基板的一侧，第二子电极层覆盖于第一子电极层的远离衬底基板的一侧，且第二子电极层搭接于位于对应的像素开口周围的导电隔离柱。
在一种可能的实施方式中，导电隔离柱剖面的形状为梯形，其中，梯形的远离衬底基板的底边的长度大于梯形的靠近衬底基板的底边的长度，或者，梯形的远离衬底基板的底边的长度小于梯形的靠近衬底基板的底边的长度。
在一种可能的实施方式中，梯形的导电隔离柱的底边和腰边的倾角范围为(50度，80度)。
在一种可能的实施方式中，导电隔离柱包括金属层和用于塑造导电隔离柱的形状的塑形层，塑形层设置于像素界定层的远离衬底基板的一侧，金属层覆盖于塑形层的远离衬底基板的一侧，第二子电极层与金属层搭接。
在一种可能的实施方式中，像素界定层包括有机像素界定层和无机像素界定层，无机像素界定层覆盖于有机像素界定层的远离衬底基板的一侧和有机像素界定层的侧壁。
在一种可能的实施方式中，导电隔离柱的远离衬底基板的一侧设置有遮挡区，且导电隔离柱在衬底基板上的正投影，位于遮挡区在衬底基板上的正投影内。
在一种可能的实施方式中，0.1μm小于(W1-W2)/2小于3μm，其中，W1为遮挡区的宽度，W2为导电隔离柱的宽度。
在一种可能的实施方式中，第二子电极层为透明金属氧化物层。
在一种可能的实施方式中，导电隔离柱的在垂直于衬底基板的方向上的高度范围为400nm-3000nm。
第二方面，本申请还提供了一种显示面板制备方法，包括：
在衬底基板的一侧形成第一电极层；
在第一电极层的远离衬底基板的一侧形成像素界定层，像素界定层包括多个像素开口，每个像素开口对应一个子像素；每个像素开口的在衬底基板上的正投影，位于第一电极层在衬底基板上的正投影内；
在像素界定层的远离衬底基板的一侧形成导电隔离柱；
在第一电极层上依次形成有机发光功能层和第二电极层，其中，第二电极层包括第一子电极层和第二子电极层，第一子电极层设置于有机发光功能层的远离衬底基板的一侧且第一子电极层位于对应的像素开口内，且第二子电极层搭接于位于对应的像素开口周围的导电隔离柱。
在一种可能的实施方式中，在第一电极层上依次形成有机发光功能层和第二电极层，包括：
在第一电极层上形成有机发光功能层；
在有机发光功能层的远离衬底基板的一侧，蒸镀第一子电极层；
在第一子电极层的远离衬底基板的一侧，溅射第二子电极层。
在一种可能的实施方式中，像素界定层包括层叠设置的有机像素界定层和无机像素界定层，在衬底基板的一侧形成像素界定层，包括：
在衬底基板的一侧形成有机像素界定层；
有机像素界定层的远离衬底基板的一侧和有机像素界定层的侧壁覆盖无机像素界定层。
在一种可能的实施方式中，在第一电极层上依次形成有机发光功能层和第二电极层，包括：
在导电隔离柱、多个像素开口，依次形成多个子像素中的第一子像素的有机发光功能层和第二电极层；
刻蚀多个子像素中的第二子像素和第三子像素分别对应的像素开口中的有机发光功能层和第二电极层，以及刻蚀导电隔离柱一侧的第一子像素的有机发光功能层和第二电极层；
在导电隔离柱、第一子像素对应的第二电极层、以及第二子像素和第三子像素分别对应的像素开口，依次蒸镀多个子像素中的第二子像素的有机发光功能层和第二电极层；
刻蚀导电隔离柱、第一子像素对应的第二电极层、第三子像素的像素开口，分别对应的第二子像素的有机发光功能层和第二电极层；
在导电隔离柱、第一子像素对应的第二电极层、第二子像素对应的第二电极层以及第三子像素对应的像素开口，依次蒸镀多个子像素中的第三子像素对应的有机发光功能层和第二电极层；
刻蚀在导电隔离柱、第一子像素对应的第二电极层、第二子像素对应的第二电极层一侧的第三子像素的有机发光功能层和第二电极层。
第三方面，本申请还提供了一种显示装置，包括本申请第一方面提供的显示面板。
本申请提供一种显示面板，由于第二电极层包括层叠设置的第一子电极层和第二子电极层，第一子电极层设置于有机发光功能层的远离衬底基板的一侧，第二子电极层覆盖于第一子电极层的远离衬底基板的一侧，且第二子电极层搭接于位于对应的像素开口周围的导电隔离柱。这样一来，第一子电极层和第二子电极层共同构成子像素的阴极，使得子像素的阴极能够良好的搭接在导电隔离柱上，使得子像素的阳极和阴极能够正常激发有机发光功能层发光，保证了显示面板的显示效果。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的显示面板的剖视图之一；
图2为本申请实施例提供的显示面板的用于表征各个子像素分布的俯视图；
图3为本申请实施例提供的显示面板的用于表征各个子像素和导电隔离柱分布的俯视图；
图4为本申请实施例提供的显示面板的剖视图之二；
图5为本申请实施例提供的遮挡区、导电隔离柱之间的宽度示意图；
图6为本申请实施例提供的显示面板制备方法的流程图；
图7为本申请实施例提供的显示面板在制备过程中的剖视图之一；
图8为本申请实施例提供的显示面板在制备过程中的剖视图之二；
图9为本申请实施例提供的显示面板在制备过程中的剖视图之三；
图10为本申请实施例提供的显示面板在制备过程中的剖视图之四。
具体实施方式
以下，将参照附图来描述本公开的实施例。但是应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本公开的范围。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本公开的概念。
在附图中示出了根据本公开实施例的各种结构示意图。这些图并非是按比例绘制的，其中为了清楚表达的目的，放大了某些细节，并且可能省略了某些细节。图中所示出的各种区域、层的形状以及它们之间的相对大小、位置关系仅是示例性的，实际中可能由于制造公差或技术限制而有所偏差，并且本领域技术人员根据实际所需可以另外设计具有不同形状、大小、相对位置的区域/层。
在本公开的上下文中，当将一层/元件称作位于另一层/元件“上”时，该层/元件可以直接位于该另一层/元件上，或者它们之间可以存在居中层/元件。另外，如果在一种朝向中一层/元件位于另一层/元件“上”，那么当调转朝向时，该层/元件可以位于该另一层/元件“下”。
目前，在使用光刻技术制备显示面板的过程中，在向显示面板的像素开口内蒸镀有机发光功能层时，有机发光功能层会附着于导电隔离柱，导致后续再蒸镀显示面板的电极层时，造成电极层与附着于导电隔离柱上的有机发光功能层接触，导致电极层与导电隔离柱搭接不良，进而影响显示效果。
基于上述技术问题，本申请的发明构思在于：使得第二电极层包括层叠设置的第一子电极层和第二子电极层，第一子电极层设置于有机发光功能层的远离衬底基板的一侧，第二子电极层覆盖于第一子电极层的远离衬底基板的一侧，且第二子电极层搭接于位于对应的像素开口周围的导电隔离柱。这样一来，第一子电极层和第二子电极层共同构成子像素的阴极，使得子像素的阴极能够良好的搭接在导电隔离柱上，使得子像素的阳极和阴极能够正常激发有机发光功能层发光，保证了显示面板的显示效果。
下面，以具体地实施例对本申请的技术方案以及本申请的技术方案如何解决上述技术问题进行详细说明。下面这几个具体的实施例可以相互结合，对于相同或相似的概念或过程可能在某些实施例中不再赘述。下面将结合附图，对本申请的实施例进行描述。
请参阅图1，本申请实施例提供了一种显示面板，包括衬底基板101、像素驱动层102、像素界定层116、第一电极层104、发光器件117、第二电极层115、导电隔离柱109、以及封装层113。
其中，衬底基板101可以为刚性衬底。该刚性衬底例如可以包括玻璃衬底、PMMA(Polymethyl methacrylate，聚甲基丙烯酸甲酯)衬底、硅衬底等。在此情况下，上述显示面板可以为刚性显示面板。又例如，衬底基板101可以为柔性衬底。该柔性衬底例如可以包括PET(Polyethylene terephthalate，聚对苯二甲酸乙二醇酯)衬底、PEN(Polyethylenenaphthalate two formic acid glycol ester，聚萘二甲酸乙二醇酯)衬底或PI(Polyimide，聚酰亚胺)衬底等。在此情况下，上述显示面板可以为柔性显示面板。需要说明的是，衬底基板101可以为一层结构，也可以为多层结构。例如，衬底基板101可以包括至少一个柔性衬底和至少一个缓冲层，柔性衬底和缓冲层交替层叠设置。
在衬底基板101上呈阵列排布有多个像素，每个像素包括多个子像素201。每个子像素201可以显示单一一种颜色，如红色子像素显示红色，绿色子像素显示绿色，蓝色子像素显示蓝色。每个像素中不同颜色的子像素201的亮度(灰阶)可被调节，通过颜色组合和叠加可以实现多种颜色的显示，从而实现全彩化显示。
示例性地，本申请实施例提供的显示面板，像素排布方式可以为标准的RGB排布方式(如图2中的(a)所示)、Delta像素排布方式(如图2中的(b)所示)、Pentile排布方式(如图2中的(c)所示)、以及类钻排布方式(如图2中的(d)所示)。
需要说明的是，本申请实施例提供的显示面板还可以包括：平坦层103、和像素驱动层102，平坦层103设置于衬底基板101的一侧。像素驱动层102设置于平坦层103的远离衬底基板101的一侧。其中，像素驱动层102位于多个子像素201的邻近衬底基板101的一侧，像素驱动层102包括多个像素驱动电路，每个像素驱动电路与一个子像素201电连接，用于驱动子像素201发光。
像素驱动电路可以包括多个晶体管和电容器等电子元件。例如，像素驱动电路均可以包括三个晶体管和一个电容器，构成3T1C(即一个驱动晶体管、两个开关晶体管和一个电容器)。还可以包括三个以上的晶体管和至少一个电容器，如4T1C(即一个驱动晶体管、三个开关晶体管和一个电容器)、5T1C(即一个驱动晶体管、四个开关晶体管和一个电容器)或7T1C(即一个驱动晶体管、六个开关晶体管和一个电容器)等。其中，晶体管可以为薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)、场效应晶体管(metal oxide semiconductor，简称MOS)或其他特性相同的开关器件。
每个子像素201包括层叠设置在衬底基板101上的第一电极层104、有机发光功能层107以及第二电极层115。第一电极层104、有机发光功能层107以及第二电极层115构成了发光器件117。发光器件117远离衬底基板101的一侧还设置有发光器件封装层112，用于对发光器件117进行密封，以避免发光器件117被侵蚀。
其中，发光器件117可以为有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)。或者，发光器件117也可以为微型有机发光二极管(Micro Organic Light-EmittingDiode，Micro OLED)或量子点有机发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes，QLED)等。例如，红色子像素可以包括用于发红光的发光器件117，绿色子像素可以包括用于发绿光的发光器件117，蓝色子像素可以包括用于发红光的发光器件117。
具体地，有机发光功能层107可以包括发光层以及功能材料层。例如，功能材料层可以包括：空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)以及电子注入层(EIL)中的一者或多者，具体根据实际需要设置，本实施例对此不做限制。
例如，第一电极层104可以为阳极，第二电极层115为阴极。例如，第一电极层104的结构可以为由透明导电氧化物薄膜/金属薄膜/透明导电氧化物薄膜依次层叠构成的复合结构。其中，上述透明导电氧化物薄膜的材料例如为ITO(Indium tin oxide氧化铟锡)和IZO(Indium zinc oxide氧化铟锌)中的任意一种，上述金属薄膜的材料例如为金(Au)、银(Ag)、铝(AL)、铝钕(ALNd)、钼(Mo)、钛(Ti)、镍(Ni)和铂(Pt)中的任意一种。又例如，第一电极层104的结构也可以为单层结构，单层结构的材料可以为ITO、IZO、Au、Ag、Ni、Pt中的任意一种。
位于衬底基板101上的像素界定层116，像素界定层116包括多个像素开口，每个像素开口对应于一个子像素201。导电隔离柱109，设置在像素界定层116的远离衬底基板101的一侧，且导电隔离柱109用于围绕各个子像素201设置，用于隔断相邻子像素201的有机发光功能层107。以图2中的(a)的像素排布为例，如图3所示，导电隔离柱109围绕各个子像素201之间。
其中，第二电极层115包括层叠设置的第一子电极层108和第二子电极层110，第一子电极层108设置于有机发光功能层107的远离衬底基板101的一侧，第二子电极层110覆盖于第一子电极层108的远离衬底基板101的一侧，且第二子电极层110搭接于位于对应的像素开口周围的导电隔离柱109。
示例性地，导电隔离柱109的在垂直于衬底基板101的方向上的高度范围为400nm-3000nm。这样一来，导电隔离柱109的在垂直于衬底基板101的方向上的高度为1000nm、2000nm、以及3000nm，方便第二子电极层110搭接于位于对应的像素开口周围的导电隔离柱109。
其中，第一子电极层108可以是Mg&AL混蒸金属膜、Mg&Al+Al的叠层金属膜、Yb&AL混蒸金属膜，Mg&Ag+Ag叠层金属膜、Li&AL混蒸金属膜或者LiF和AL叠层膜，混蒸的两个金属之间的体积比的范围可以为但不限于(1:9～4:6)，各个混蒸金属膜的厚度范围为(4nm～20nm)。
第二子电极层110为透明金属氧化物层。透明金属氧化物层可以作为耦合出光层，透明金属氧化物层溅射成膜覆盖性较好，容易与导电隔离柱109搭接，且降低金属薄膜表面等离子体极化模式，提高显示面板的出光效率，透明金属氧化物层的厚度范围为50nm～300nm，例如，透明金属氧化物层的厚度可以是50nm、100nm以及200nm等，在此不作限定。示例性地，透明金属氧化物层可以是但不限于IZO、ITO、AZO、GZO等一种或几种。
封装层113可以为无机封装薄膜，例如，无机封装薄膜可以为SiNx层，,SiOx层或者SiONx等，无机封装薄膜的厚度可以为但不限于400nm-1200nm。
封装层113还可以是叠层无机薄膜，叠层无机薄膜的厚度范围为(400nm-1000nm)。其中，叠层无机薄膜可以SiNx(TFE CVD)/SiOx(TFE CVD&ALD)/Al2O3(ALD)两叠层或三叠层结构。需要说明的是，封装层113的制备工艺可以采用化学气相沉积(Chemical VaporDeposition，CVD)工艺，如采用等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced ChemicalVapor Deposition，PECVD)工艺。例如，封装层113可以采用腈纶、六甲基二硅氧皖、聚丙烯酸酯类、聚碳酸脂类、聚苯乙烯等材料制作而成，制备工艺可以采用喷墨打印(Ink JetPrinting，IJP)工艺。其中，封装层113的透光率大于80％。
封装层113用于对各个子像素201进行封装，并确保后续发光器件117刻蚀去除时能充分保护下层器件免受损伤。
需要说明的是，在使用光刻技术制备显示面板的过程中，在向显示面板的像素开口内蒸镀有机发光功能层时，有机发光功能层会附着于导电隔离柱，导致后续再蒸镀显示面板的电极层时，造成电极层与附着于导电隔离柱上的有机发光功能层接触，导致电极层与导电隔离柱搭接不良，进而影响显示效果。
而本申请实施例提供一种显示面板，由于第二电极层115包括层叠设置的第一子电极层108和第二子电极层110，第一子电极层108设置于有机发光功能层107的远离衬底基板101的一侧，第二子电极层110覆盖于第一子电极层108的远离衬底基板101的一侧，且第二子电极层110搭接于位于对应的像素开口周围的导电隔离柱109。这样一来，第一子电极层108和第二子电极层110共同构成子像素201的阴极，使得子像素201的阴极能够良好的搭接在导电隔离柱109上，使得子像素201的阳极和阴极能够正常激发有机发光功能层107发光，保证了显示面板的显示效果。
另外，本申请实施例提供的显示面板的有效发光面积为60％左右，也可使像素密度提升至1500ppi*以上，显示面板的器件寿命高或亮度也高。另外，导电隔离柱109可以用于隔断子像素201之间混色问题及低亮度驱动时子像素201之间串扰问题，进一步提升了显示清晰度、色彩表现、均一度等画质表现。
在一些实施方式中，导电隔离柱109剖面的形状为梯形，其中，梯形的远离衬底基板101的底边的长度大于梯形的靠近衬底基板101的底边的长度，或者，梯形的远离衬底基板101的底边的长度小于梯形的靠近衬底基板101的底边的长度。当导电隔离柱109剖面的形状为梯形时，第二子电极层110容易搭接于导电隔离柱109。梯形的导电隔离柱109的底边和腰边的倾角范围为(50度，80度)，这样一来，更方便第二子电极层110搭接于导电隔离柱109。如，梯形的导电隔离柱109的底边和腰边的倾角可以是60度、75度、80度等。
另外，导电隔离柱109还可以是多层结构，材料至少含有一层导电层如金属层，具有上大下小，或者中间凹，上下凸出的底切结构。由于图形的阴影效应，蒸镀层无法在导电隔离柱109上完全连续沉积，因此可以实现蒸镀层如有机发光功能层的隔断及子像素的图案化。以导电隔离柱109为三层结构为例，导电隔离柱109可以包括自下而上依次层叠设置的第一金属层、第二金属层以及第三金属层。例如，可以采用钛/铝/钛的金属叠层结构。第一金属层和第三金属层的边缘相对于第二金属层凸出。
在一些实施方式中，仍如图1所示，导电隔离柱109可以是金属隔离柱。在另一些实施方式中，如图4所示，导电隔离柱109还可以包括金属层117和用于塑造导电隔离柱109的形状的塑形层118。塑形层118设置于像素界定层116的远离衬底基板101的一侧，金属层117覆盖于塑形层118的远离衬底基板101的一侧，第二子电极层110与金属层117搭接。可以理解地，可以选择在像素界定层116上形成任意方便与第二子电极层110搭接的塑形层118，这样一来，后续形成的金属层117的形状与塑形层118的形状相同，也方便与第二子电极层110搭接。需要说明的是，本申请实施例提供的塑形层118可以为但不限于有机层。
示例性地，如图1或图4所示，像素界定层116包括有机像素界定层105和无机像素界定层106，无机像素界定层106覆盖于有机像素界定层105的远离衬底基板101的一侧和有机像素界定层105的侧壁。其中，无机像素界定层106可以是但不限于无机SiNx层、SiOx层、或者SiONx层等无机介质膜层，无机像素界定层106的厚度范围可以是50nm-300nm，如无机像素界定层106的厚度可以是100nm、200nm或300nm，可避免干法刻蚀去除发光器件117的各层时，无机像素界定层106不会被刻蚀。这样一来，可以避免在制备下一种颜色的发光器件117时，导致第二电极层115连接导电隔离柱109失败。
另外，导电隔离柱109的远离衬底基板101的一侧设置有遮挡区111，且导电隔离柱109在衬底基板101上的正投影，位于遮挡区111在衬底基板101上的正投影内。其中，遮挡区111可以在蒸镀发光器件117时，避免发光器件117的各层蒸镀到导电隔离柱109上，如此，可以避免第二电极层115连接导电隔离柱109失败。示例性地，遮挡区111可以是SiNx层、SiON层、或者金属层(Ti/Mo)，或者金属氧化物层(ITO/IZO)等，在此不作限定。如图5所示，进一步地，0.1μm小于(W1-W2)/2小于3μm，W2为导电隔离柱109的宽度，W1为遮挡区111的宽度。这样一来，使得遮挡区111可以更可靠的避免第二电极层115连接导电隔离柱109失败。
如图6所示，本申请实施例还提供了一种显示面板制备方法，需要说明的是，本申请实施例所提供的显示面板制备方法，其基本原理及产生的技术效果和上述实施例相同，为简要描述，本申请实施例部分未提及之处，可参考上述的实施例中相应内容。本申请实施例提供的方法包括：
S501：在衬底基板101的一侧形成第一电极层104。
S502：在第一电极层104的远离衬底基板101的一侧形成像素界定层116，像素界定层116包括多个像素开口，每个像素开口对应一个子像素201；每个像素开口的在衬底基板101上的正投影，位于第一电极层104在衬底基板101上的正投影内。
具体地，S502可以具体实现为：如图7所示，在衬底基板101的一侧形成有机像素界定层105，在有机像素界定层105的远离衬底基板101的一侧和有机像素界定层105的侧壁覆盖无机像素界定层106。
S503：在像素界定层116的远离衬底基板101的一侧形成导电隔离柱109。可选地，还可以在导电隔离柱109的远离衬底基板101的一侧形成遮挡区111。具体地，如图8中的(a)所示，在像素界定层116的远离衬底基板101的一侧沉积导电层118，在导电层118的远离衬底基板101的一侧沉积遮挡层119。如图8中的(b)所示，使用ICP(电感耦合等离子刻蚀)刻蚀遮挡层119形成遮挡区111，如图8中的(c)所示，使用湿刻法刻蚀导电层118形成导电隔离柱109。如图8中的(d)所示，对于无机像素界定层106进行刻蚀，使得第一电极层104裸露，且无机像素界定层106覆盖于有机像素界定层105的侧壁。
S504：在第一电极层104上依次形成有机发光功能层107、和第二电极层115。
其中，第二电极层115包括第一子电极层108和第二子电极层110，第一子电极层108设置于有机发光功能层107的远离衬底基板101的一侧且第一子电极层108位于对应的像素开口内，且第二子电极层110搭接于位于对应的像素开口周围的导电隔离柱109。
具体地，S504可以实现为：在第一电极层104上形成有机发光功能层107。在有机发光功能层107的远离衬底基板101的一侧，蒸镀第一子电极层108；在第一子电极层108的远离衬底基板101的一侧，溅射第二子电极层110。
示例性地，S504的制备流程可以具体为：
如图9中的(a)所示，在导电隔离柱109、多个像素开口，依次形成多个子像素201中的第一子像素的有机发光功能层107和第二电极层115，以及发光器件封装层112。
如图9中的(b)所示，刻蚀多个子像素201中的第二子像素和第三子像素分别对应的像素开口中的有机发光功能层107和第二电极层115，以及刻蚀导电隔离柱109一侧的第一子像素的有机发光功能层107、第二电极层115以及发光器件封装层112。其中，导电隔离柱109的第一子像素的有机发光功能层107、第二电极层115以及发光器件封装层112可能被部分刻蚀掉，也可能全部刻蚀掉，在此不作限定。
如图9中的(c)所示，在导电隔离柱109、第一子像素对应的第二电极层115、以及第二子像素和第三子像素分别对应的像素开口，依次形成多个子像素201中的第二子像素的有机发光功能层107、第二电极层115以及发光器件封装层112。
如图9中的(d)所示，刻蚀导电隔离柱109、第一子像素对应的第二电极层115、第三子像素的像素开口，分别对应的第二子像素的有机发光功能层107、第二电极层115以及沉积发光器件封装层112。
如图10中的(a)所示，在导电隔离柱109、第一子像素对应的第二电极层115、第二子像素对应的第二电极层115以及第三子像素对应的像素开口，依次形成多个子像素201中的第三子像素对应的有机发光功能层107、第二电极层115以及发光器件封装层112。
如图10中的(b)所示，刻蚀在导电隔离柱109、第一子像素对应的第二电极层115、第二子像素对应的第二电极层115一侧的第三子像素的有机发光功能层107、第二电极层115以及发光器件封装层112。
如图10中的(c)所示，本申请实施例提供的方法还可以包括：
S505：在第二电极层115上沉积封装层113。
另外，本申请实施例提供了一种显示装置，包括显示面板。其中，显示装置可以是但不限于穿戴设备、手机、平板、车载显示屏、电视等。
在以上的描述中，对于各层的构图等技术细节并没有做出详细的说明。但是本领域技术人员应当理解，可以通过各种技术手段，来形成所需形状的层、区域等。另外，为了形成同一结构，本领域技术人员还可以设计出与以上描述的方法并不完全相同的方法。另外，尽管在以上分别描述了各实施例，但是这并不意味着各个实施例中的措施不能有利地结合使用。
尽管已描述了本申请的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本申请范围的所有变更和修改。
显然，本领域的技术人员可以对本申请进行各种改动和变型而不脱离本申请的精神和范围。这样，倘若本申请的这些修改和变型属于本申请权利要求及其等同技术的范围之内，则本申请也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (14)
1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：
衬底基板；
在所述衬底基板上呈阵列排布的多个像素，每个像素包括多个子像素，每个子像素包括层叠设置在所述衬底基板上的第一电极层、有机发光功能层以及第二电极层；
位于所述衬底基板上的像素界定层，所述像素界定层包括多个像素开口，每个所述像素开口对应于一个所述子像素；
导电隔离柱，设置在所述像素界定层的远离所述衬底基板的一侧，且导电隔离柱用于围绕各个所述子像素设置，用于隔断相邻子像素的有机发光功能层；
其中，所述第二电极层包括层叠设置的第一子电极层和第二子电极层，所述第一子电极层设置于所述有机发光功能层的远离所述衬底基板的一侧，所述第二子电极层覆盖于所述第一子电极层的远离所述衬底基板的一侧，且所述第二子电极层搭接于位于对应的所述像素开口周围的所述导电隔离柱。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述导电隔离柱剖面的形状为梯形，其中，所述梯形的远离所述衬底基板的底边的长度大于所述梯形的靠近所述衬底基板的底边的长度，或者，所述梯形的远离衬底基板的底边的长度小于所述梯形的靠近所述衬底基板的底边的长度。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，梯形的所述导电隔离柱的底边和腰边的倾角范围为(50度，80度)。
4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述导电隔离柱包括金属层和用于塑造所述导电隔离柱的形状的塑形层，所述塑形层设置于所述像素界定层的远离所述衬底基板的一侧，所述金属层覆盖于所述塑形层的远离所述衬底基板的一侧，所述第二子电极层与所述金属层搭接。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述像素界定层包括有机像素界定层和无机像素界定层，所述无机像素界定层覆盖于所述有机像素界定层的远离所述衬底基板的一侧和所述有机像素界定层的侧壁。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述导电隔离柱的远离所述衬底基板的一侧设置有遮挡区，且所述导电隔离柱在所述衬底基板上的正投影，位于所述遮挡区在所述衬底基板上的正投影内。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，0.1μm小于(W1-W2)/2小于3μm，其中，W1为所述遮挡区的宽度，W2为所述导电隔离柱的宽度。
8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二子电极层为透明金属氧化物层。
9.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述导电隔离柱的在垂直于所述衬底基板的方向上的高度范围为400nm-3000nm。
10.一种显示面板制备方法，其特征在于，所述方法包括：
在衬底基板的一侧形成第一电极层；
在所述第一电极层的远离衬底基板的一侧形成像素界定层，所述像素界定层包括多个像素开口，每个像素开口对应一个子像素；每个所述像素开口的在所述衬底基板上的正投影，位于所述第一电极层在所述衬底基板上的正投影内；
在所述像素界定层的远离所述衬底基板的一侧形成导电隔离柱；
在所述第一电极层上依次形成有机发光功能层和第二电极层，其中，所述第二电极层包括第一子电极层和第二子电极层，所述第一子电极层设置于有机发光功能层的远离所述衬底基板的一侧且所述第一子电极层位于对应的所述像素开口内，且所述第二子电极层搭接于位于对应的所述像素开口周围的所述导电隔离柱。
11.根据权利要求10所述的显示面板制备方法，其特征在于，所述在所述第一电极层上依次形成有机发光功能层和第二电极层，包括：
在所述第一电极层上形成有机发光功能层；
在所述有机发光功能层的远离衬底基板的一侧，蒸镀所述第一子电极层；
在所述第一子电极层的远离衬底基板的一侧，溅射所述第二子电极层。
12.根据权利要求10所述的显示面板制备方法，其特征在于，所述像素界定层包括层叠设置的有机像素界定层和无机像素界定层，在衬底基板的一侧形成像素界定层，包括：
在所述衬底基板的一侧形成有机像素界定层；
所述有机像素界定层的远离所述衬底基板的一侧和所述有机像素界定层的侧壁覆盖所述无机像素界定层。
13.根据权利要求10所述的显示面板制备方法，其特征在于，所述在所述第一电极层上依次形成有机发光功能层和第二电极层，包括：
在所述导电隔离柱、多个所述像素开口，依次形成多个子像素中的第一子像素的有机发光功能层和第二电极层；
刻蚀所述多个子像素中的第二子像素和第三子像素分别对应的像素开口中的有机发光功能层和第二电极层，以及刻蚀所述导电隔离柱一侧的所述第一子像素的有机发光功能层和第二电极层；
在所述导电隔离柱、所述第一子像素对应的第二电极层、以及所述第二子像素和所述第三子像素分别对应的像素开口，依次蒸镀多个子像素中的所述第二子像素的有机发光功能层和第二电极层；
刻蚀所述导电隔离柱、所述第一子像素对应的第二电极层、所述第三子像素的像素开口，分别对应的所述第二子像素的有机发光功能层和第二电极层；
在所述导电隔离柱、所述第一子像素对应的第二电极层、所述第二子像素对应的第二电极层以及所述第三子像素对应的像素开口，依次蒸镀多个子像素中的所述第三子像素对应的有机发光功能层和第二电极层；
刻蚀在所述导电隔离柱、所述第一子像素对应的第二电极层、所述第二子像素对应的第二电极层一侧的所述第三子像素的有机发光功能层和第二电极层。
14.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-9任一所述的显示面板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311271736.8A CN117098433A (zh) | 2023-09-28 | 2023-09-28 | 显示面板、显示装置及显示面板制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311271736.8A CN117098433A (zh) | 2023-09-28 | 2023-09-28 | 显示面板、显示装置及显示面板制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN117098433A true CN117098433A (zh) | 2023-11-21 |
Family
ID=88780004
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202311271736.8A Pending CN117098433A (zh) | 2023-09-28 | 2023-09-28 | 显示面板、显示装置及显示面板制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN117098433A (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117412639A (zh) * | 2023-12-14 | 2024-01-16 | 惠科股份有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
| CN118475178A (zh) * | 2023-12-26 | 2024-08-09 | 荣耀终端有限公司 | 一种显示模组、显示面板及电子设备 |
-
2023
- 2023-09-28 CN CN202311271736.8A patent/CN117098433A/zh active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117412639A (zh) * | 2023-12-14 | 2024-01-16 | 惠科股份有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
| CN118475178A (zh) * | 2023-12-26 | 2024-08-09 | 荣耀终端有限公司 | 一种显示模组、显示面板及电子设备 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP7342157B2 (ja) | 画素アレイ及び表示装置 | |
| US11844239B2 (en) | Display substrate and preparation method thereof, and display apparatus | |
| US20240008335A1 (en) | Display substrate, display device and high-precision metal mask | |
| CN117098433A (zh) | 显示面板、显示装置及显示面板制备方法 | |
| CN112490272A (zh) | 一种显示基板及其制备方法、显示装置 | |
| CN112470287A (zh) | 一种显示基板及相关装置 | |
| US11974482B2 (en) | Display substrate and related devices | |
| US20230143544A1 (en) | Display substrate, display device and high-precision metal mask | |
| CN114730800A (zh) | 像素阵列及显示装置 | |
| CN114420859B (zh) | 一种显示基板、显示装置及显示基板的制备方法 | |
| US20240155879A1 (en) | Display panel, manufacturing method, and mobile terminal | |
| CN117202697A (zh) | 显示基板及其制备方法、显示装置 | |
| US11600807B2 (en) | Method of manufacturing a display apparatus | |
| CN112397668A (zh) | 一种oled显示面板及其制备方法 | |
| CN216213464U (zh) | 显示基板、显示装置 | |
| WO2023097529A1 (zh) | 显示基板及其制作方法、显示装置 | |
| CN115132815A (zh) | 显示基板及显示装置 | |
| WO2022052192A1 (zh) | 像素阵列及显示装置 | |
| CN114335071A (zh) | 显示基板及显示面板 | |
| CN219068849U (zh) | 一种显示基板及显示装置 | |
| CN117015275A (zh) | 显示面板、显示装置及显示面板制备方法 | |
| WO2023030110A9 (zh) | 显示基板、显示装置 | |
| US20240292663A1 (en) | Display Substrate and Display Apparatus | |
| US20240224635A1 (en) | Display panel and display device | |
| CN116546845A (zh) | 一种显示基板及显示装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |