CN116705728A - 一种带有插接端子结构的场效应晶体管 - Google Patents
一种带有插接端子结构的场效应晶体管 Download PDFInfo
- Publication number
- CN116705728A CN116705728A CN202310766417.8A CN202310766417A CN116705728A CN 116705728 A CN116705728 A CN 116705728A CN 202310766417 A CN202310766417 A CN 202310766417A CN 116705728 A CN116705728 A CN 116705728A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- field effect
- effect transistor
- heat conduction
- silicone grease
- terminal structure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005669 field effect Effects 0.000 title claims abstract description 38
- 239000004519 grease Substances 0.000 claims abstract description 43
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims abstract description 43
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims abstract description 25
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 16
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 claims description 7
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 13
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001727 in vivo Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/40—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
- H01L23/3672—Foil-like cooling fins or heat sinks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
- H01L23/49548—Cross section geometry
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
- H01L23/49565—Side rails of the lead frame, e.g. with perforations, sprocket holes
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Geometry (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了一种带有插接端子结构的场效应晶体管,包括导热硅脂封装外壳体、芯片主体、插接件和内置弹性件,导热硅脂封装外壳体的内部安装有芯片主体,芯片主体的底部且与导热硅脂封装外壳体内底部固定连接有插脚座,插脚座的两侧内连接有活动槽,活动槽内部的两侧连接有限位滑槽,活动槽的内侧通过内置弹性件连接有插接件,插接件的两侧固定有限位滑块。本发明通过在利用限位滑块沿限位滑槽内滑动且配合内置弹性件的回弹性实现插接件可自动与电路板上预设的插槽进行插接,可对导热硅脂封装外壳体起到预先卡固作用,为后期引脚与电路板固定连接以及整体与电路板装配的工作提供便捷性以及安装速度得以提升。
Description
技术领域
本发明涉及场效应晶体管技术领域,具体为一种带有插接端子结构的场效应晶体管。
背景技术
场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型:结型场效应管(junction FET—JFET)和金属-氧化物半导体场效应管(metal-oxidesemiconductor FET,简称MOS-FET)。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(107~1015Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者,场效应晶体管简称场效应管,主要有两种类型:结型场效应管和金属-氧化物半导体场效应管。场效应晶体由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(107~1015Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者,因此,行业内的研发人员也在竭力不断改进场效应晶体管的结构,提升其使用寿命,进而继续提升其市场份额。
现有的场效应晶体管,结构上与电路板连接无法做到稳固,导致在引脚与电路板安装连接的工作上不够稳定,容易出现位移,影响后续装配的质量,且现有的场效应晶体管引脚长期裸露在外会出现破损以及操作时变形的问题,影响使用寿命以及使用的工作质量。
其次,现有的场效应晶体管自身散热速度过慢,从而影响使用寿命,增加场效应晶体管消耗能量,亟待开发。
发明内容
本发明的目的在于提供一种带有插接端子结构的场效应晶体管,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种带有插接端子结构的场效应晶体管,包括导热硅脂封装外壳体、芯片主体、插接件和内置弹性件,所述导热硅脂封装外壳体的内部安装有芯片主体,所述芯片主体的底部且与导热硅脂封装外壳体内底部固定连接有插脚座,所述插脚座的两侧内连接有活动槽,所述活动槽内部的两侧连接有限位滑槽,所述活动槽的内侧通过内置弹性件连接有插接件,所述插接件的两侧固定有限位滑块。
优选的,所述导热硅脂封装外壳体的两侧内连接有散热孔。
优选的,所述导热硅脂封装外壳体外部的顶部通过连接轴活动连接有防护挡片。
优选的,所述导热硅脂封装外壳体外部一侧的顶部连接有安装固定座。
优选的,所述芯片主体的端部连接有引脚。
优选的,所述引脚的端部内连接有安装螺孔。
优选的,所述插脚座的底部连接有粘贴底层。
优选的,所述限位滑块与限位滑槽为滑动连接。
优选的,所述粘贴底层的底部且连接于导热硅脂封装外壳体外部的底部有外粘贴膜。
优选的,所述防护挡片端部的底部和端部内侧皆连接有散热翅条。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:
(1)该种带有插接端子结构的场效应晶体管,通过在利用限位滑块沿限位滑槽内滑动且配合内置弹性件的回弹性实现插接件可自动与电路板上预设的插槽进行插接,可对导热硅脂封装外壳体起到预先卡固作用,为后期引脚与电路板固定连接以及整体与电路板装配的工作提供便捷性以及安装速度得以提升;
(2)该种带有插接端子结构的场效应晶体管,通过在引脚的端部开设有安装螺孔,该结构设置可使引脚通过螺丝与电路板位置连接固定,则通过导热硅脂封装外壳体底部连接的粘贴底层和外粘贴膜的设置,外粘贴膜撕开后便于将导热硅脂封装外壳体与电路板上进行预定位粘接,通过粘贴底层先与电路板相应的地方贴紧,防止后期在固定引脚时发生位置偏移,影响装配的质量,进一步提高插接件的插接稳定性;
(3)该种带有插接端子结构的场效应晶体管,通过在利用连接轴可将防护挡片旋转支引脚顶部范围位置,使引脚被遮挡在内,避免因为碰撞而导致引脚的变形或者损坏,通过散热翅条的设置,使导热硅脂封装外壳体和引脚的热量可通过散热翅条进行散发,提升导热硅脂封装外壳体整体散热的速度,从而降低插脚座的能耗,则导热硅脂封装外壳体内部与芯片主体连接位置处的可产生导热腔体,配合散热孔实现可加强芯片主体在腔内的散热速度。
附图说明
图1为本发明正视结构示意图;
图2为本发明图1中A处放大结构示意图;
图3为本发明俯视结构示意图;
图4为本发明仰视结构示意图;
图5为本发明导热硅脂封装外壳体与插脚座以及插接件俯视结构示意图。
图中:1、导热硅脂封装外壳体;101、散热孔;2、芯片主体;3、引脚;4、安装螺孔;5、插脚座;6、插接件;601、限位滑块;7、粘贴底层;8、外粘贴膜;9、连接轴;10、防护挡片;11、散热翅条;12、安装固定座;13、活动槽;1301、限位滑槽;14、内置弹性件。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
请参阅图1-5,本发明提供的一种实施例:一种带有插接端子结构的场效应晶体管,包括导热硅脂封装外壳体1、芯片主体2、插接件6和内置弹性件14,导热硅脂封装外壳体1的内部安装有芯片主体2,芯片主体2的端部连接有引脚3;
芯片主体2的底部且与导热硅脂封装外壳体1内底部固定连接有插脚座5,插脚座5的底部连接有粘贴底层7;
插脚座5的两侧内连接有活动槽13,活动槽13内部的两侧连接有限位滑槽1301,活动槽13的内侧通过内置弹性件14连接有插接件6,插接件6的两侧固定有限位滑块601,利用限位滑块601沿限位滑槽1301内滑动且配合内置弹性件14的回弹性实现插接件6可自动与电路板上预设的插槽进行插接,可对导热硅脂封装外壳体1起到预先卡固作用。
导热硅脂封装外壳体1的两侧内连接有散热孔101。
导热硅脂封装外壳体1外部的顶部通过连接轴9活动连接有防护挡片10,利用连接轴9可将防护挡片10旋转支引脚3顶部范围位置,使引脚3被遮挡在内,避免因为碰撞而导致引脚3的变形或者损坏。
导热硅脂封装外壳体1外部一侧的顶部连接有安装固定座12。
引脚3的端部内连接有安装螺孔4,引脚3的端部开设有安装螺孔4,该结构设置可使引脚3通过螺丝与电路板位置连接固定。
限位滑块601与限位滑槽1301为滑动连接。
粘贴底层7的底部且连接于导热硅脂封装外壳体1外部的底部有外粘贴膜8,外粘贴膜8撕开后便于将导热硅脂封装外壳体1与电路板上进行预定位粘接,通过粘贴底层7先与电路板相应的地方贴紧,防止后期在固定引脚3时发生位置偏移。
防护挡片10端部的底部和端部内侧皆连接有散热翅条11,散热翅条11的设置,使导热硅脂封装外壳体1和引脚3的热量可通过散热翅条11进行散发,提升导热硅脂封装外壳体1整体散热的速度。
本申请实施例在使用时:引脚3的端部开设有安装螺孔4,该结构设置可使引脚3通过螺丝与电路板位置连接固定,则通过导热硅脂封装外壳体1底部连接的粘贴底层7和外粘贴膜8的设置,外粘贴膜8撕开后便于将导热硅脂封装外壳体1与电路板上进行预定位粘接,通过粘贴底层7先与电路板相应的地方贴紧,防止后期在固定引脚3时发生位置偏移,利用限位滑块601沿限位滑槽1301内滑动且配合内置弹性件14的回弹性实现插接件6可自动与电路板上预设的插槽进行插接,可对导热硅脂封装外壳体1起到预先卡固作用,利用连接轴9可将防护挡片10旋转支引脚3顶部范围位置,使引脚3被遮挡在内,避免因为碰撞而导致引脚3的变形或者损坏,通过散热翅条11的设置,使导热硅脂封装外壳体1和引脚3的热量可通过散热翅条11进行散发,提升导热硅脂封装外壳体1整体散热的速度。
Claims (10)
1.一种带有插接端子结构的场效应晶体管,其特征在于,包括导热硅脂封装外壳体(1)、芯片主体(2)、插接件(6)和内置弹性件(14),所述导热硅脂封装外壳体(1)的内部安装有芯片主体(2),所述芯片主体(2)的底部且与导热硅脂封装外壳体(1)内底部固定连接有插脚座(5),所述插脚座(5)的两侧内连接有活动槽(13),所述活动槽(13)内部的两侧连接有限位滑槽(1301),所述活动槽(13)的内侧通过内置弹性件(14)连接有插接件(6),所述插接件(6)的两侧固定有限位滑块(601)。
2.根据权利要求1所述的一种带有插接端子结构的场效应晶体管,其特征在于:所述导热硅脂封装外壳体(1)的两侧内连接有散热孔(101)。
3.根据权利要求2所述的一种带有插接端子结构的场效应晶体管,其特征在于:所述导热硅脂封装外壳体(1)外部的顶部通过连接轴(9)活动连接有防护挡片(10)。
4.根据权利要求3所述的一种带有插接端子结构的场效应晶体管,其特征在于:所述导热硅脂封装外壳体(1)外部一侧的顶部连接有安装固定座(12)。
5.根据权利要求1所述的一种带有插接端子结构的场效应晶体管,其特征在于:所述芯片主体(2)的端部连接有引脚(3)。
6.根据权利要求5所述的一种带有插接端子结构的场效应晶体管,其特征在于:所述引脚(3)的端部内连接有安装螺孔(4)。
7.根据权利要求1所述的一种带有插接端子结构的场效应晶体管,其特征在于:所述插脚座(5)的底部连接有粘贴底层(7)。
8.根据权利要求1所述的一种带有插接端子结构的场效应晶体管,其特征在于:所述限位滑块(601)与限位滑槽(1301)为滑动连接。
9.根据权利要求7所述的一种带有插接端子结构的场效应晶体管,其特征在于:所述粘贴底层(7)的底部且连接于导热硅脂封装外壳体(1)外部的底部有外粘贴膜(8)。
10.根据权利要求3所述的一种带有插接端子结构的场效应晶体管,其特征在于:所述防护挡片(10)端部的底部和端部内侧皆连接有散热翅条(11)。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202310766417.8A CN116705728A (zh) | 2023-06-27 | 2023-06-27 | 一种带有插接端子结构的场效应晶体管 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202310766417.8A CN116705728A (zh) | 2023-06-27 | 2023-06-27 | 一种带有插接端子结构的场效应晶体管 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN116705728A true CN116705728A (zh) | 2023-09-05 |
Family
ID=87825563
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202310766417.8A Pending CN116705728A (zh) | 2023-06-27 | 2023-06-27 | 一种带有插接端子结构的场效应晶体管 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN116705728A (zh) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105007020A (zh) * | 2015-07-29 | 2015-10-28 | 无锡新洁能股份有限公司 | 采用功率模块的电机控制器 |
CN210350266U (zh) * | 2019-06-26 | 2020-04-17 | 深圳市芯仙半导体有限公司 | 一种电路板插接件连接结构 |
CN213816130U (zh) * | 2020-12-28 | 2021-07-27 | 东莞市中之电子科技有限公司 | 一种场效应晶体管 |
CN215342557U (zh) * | 2021-04-23 | 2021-12-28 | 成都永铭科技有限公司 | 一种场效应管的保护装置 |
CN216648288U (zh) * | 2021-12-15 | 2022-05-31 | 深圳市登辰易科技有限公司 | 一种半导体场效应mosfet二极管 |
CN217848488U (zh) * | 2022-08-03 | 2022-11-18 | 江门市江海区科诺微电子有限公司 | 一种便于接线的电路板 |
-
2023
- 2023-06-27 CN CN202310766417.8A patent/CN116705728A/zh active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105007020A (zh) * | 2015-07-29 | 2015-10-28 | 无锡新洁能股份有限公司 | 采用功率模块的电机控制器 |
CN210350266U (zh) * | 2019-06-26 | 2020-04-17 | 深圳市芯仙半导体有限公司 | 一种电路板插接件连接结构 |
CN213816130U (zh) * | 2020-12-28 | 2021-07-27 | 东莞市中之电子科技有限公司 | 一种场效应晶体管 |
CN215342557U (zh) * | 2021-04-23 | 2021-12-28 | 成都永铭科技有限公司 | 一种场效应管的保护装置 |
CN216648288U (zh) * | 2021-12-15 | 2022-05-31 | 深圳市登辰易科技有限公司 | 一种半导体场效应mosfet二极管 |
CN217848488U (zh) * | 2022-08-03 | 2022-11-18 | 江门市江海区科诺微电子有限公司 | 一种便于接线的电路板 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN213816130U (zh) | 一种场效应晶体管 | |
CN218568825U (zh) | 一种利于散热的新能源汽车用场效应管 | |
CN207282486U (zh) | 一种控制器mos管的固定结构、控制器以及电动车 | |
CN116705728A (zh) | 一种带有插接端子结构的场效应晶体管 | |
CN207304360U (zh) | 一种高效散热的桥式整流器 | |
CN218526489U (zh) | 一种高散热芯片板体结构 | |
CN208489832U (zh) | 一种光伏接线盒安装结构及光伏组件 | |
CN218336888U (zh) | 散热装置及电路板 | |
CN217822769U (zh) | 一种高散热的电子芯片 | |
CN221575896U (zh) | 一种表面带麻点铝散热器结构 | |
CN219610423U (zh) | 一种贴片ic塑封结构 | |
CN213186695U (zh) | 电路板散热结构和路由器 | |
CN219421152U (zh) | 一种新型组合式通用集成电路板 | |
CN212676890U (zh) | 一种便于散热的电涌保护器壳体 | |
CN220421647U (zh) | 一种微型逆变器外壳组件及微型逆变器 | |
CN221149999U (zh) | 一种分立器件散热装置 | |
CN218634631U (zh) | 一种线路板及液体加热器 | |
CN220208185U (zh) | 一种改进的机箱散热模块及结构 | |
CN212543829U (zh) | 一种高散热效率的手机散热器 | |
CN216120285U (zh) | 一种应用于直流电机控制器的晶体管封装框架 | |
CN212257379U (zh) | 一种高效散热集成电路结构 | |
CN216532356U (zh) | 一种使用ble配网的wifi通信模组 | |
CN211045444U (zh) | 贴片式igbt芯片 | |
CN221427556U (zh) | 一种简易一体成型放电结构 | |
CN214901425U (zh) | 一种散热性能好的硬质电路板 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |