CN116633304A - 一种声学谐振器及其制备方法、滤波器 - Google Patents

Abstract

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种声学谐振器及其制备方法、滤波器。该声学谐振器包括由下至上依次设置的支撑衬底、压电薄膜层和叉指电极结构，支撑衬底内设有多边形空腔；支撑衬底为{111}单晶硅衬底；多边形空腔的周面包括硅<110>晶向；压电薄膜层靠近多边形空腔，且压电薄膜层设有多个刻蚀通孔，多个刻蚀通孔与多边形空腔连通。本申请提供的该声学谐振器具有优异的电学和机械性能。

Description

一种声学谐振器及其制备方法、滤波器

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种声学谐振器及其制备方法、滤波器。

背景技术

随着通信技术的快速发展，要求声学谐振器具有更高频率和带宽。

然而现有技术中，声学谐振器通常为声表面波谐振器或者体声波谐振器，声表面波谐振器由衬底、压电薄膜和金属电极构成，其制备过程是通过在衬底与压电薄膜键合后，再在压电薄膜层上制备金属电极，上述结构的声学谐振器存在低频和低带宽的缺点。

发明内容

为解决上述技术问题，本申请于一方面公开了一种声学谐振器，其包括：

支撑衬底，支撑衬底内设有多边形空腔；支撑衬底为{111}单晶硅衬底；多边形空腔的周面包括硅<110>晶向；

位于支撑衬底上的压电薄膜层，压电薄膜层靠近多边形空腔，且压电薄膜层设有多个刻蚀通孔，多个刻蚀通孔与多边形空腔连通；通过调整刻蚀通孔的高度能够调整声学谐振器的电学特性；

以及位于压电薄膜层上的叉指电极结构。

于一个可行的实施例中，多边形空腔的顶面和底面为{111}晶面，或者多边形空腔的底面为{111}晶面。

于一个可行的实施例中，多边形空腔投影在所述压电薄膜层的底面的的形状为六边形。

于一个可行的实施例中，压电薄膜层与多边形空腔之间的距离大于零，且小于或者等于1000纳米。

于一个可行的实施例中，还包括介质层；

介质层位于压电薄膜层与支撑衬底之间，或者介质层位于压电薄膜层上；

介质层的材料为SiO_x，SiN_x，Al₂O₃，AlN，SiC中的任一种或者多种。

于一个可行的实施例中，叉指电极结构包括第一汇流条、与第一汇流条连接的多个第一叉指电极、第二汇流条和与第二汇流条连接的多个第二叉指电极；

多个第一叉指电极和多个第二叉指电极交错排布；

多个刻蚀通孔分布在第一叉指电极和第二汇流条之间的区域，以及第二叉指电极和第一汇流条之间的区域；或者，多个刻蚀通孔分布在相邻的叉指电极之间的区域。

于一个可行的实施例中，相邻的第一叉指电极的中心线与第二叉指电极的中心线之间的距离大于2微米；

叉指电极结构的金属化率大于或者等于5％，且小于或者等于40％。

于一个可行的实施例中，压电薄膜层的材料为铌酸锂或者钽酸锂。

于一个可行的实施例中，压电薄膜层的晶体切型为Z切，或者YXθ切型，且θ满足80°≤θ≤180°。

于一个可行的实施例中，压电薄膜层的厚度大于或者等于100纳米，且小于或者等于900纳米。

本申请于另一方面还提供了一种制备上述的声学谐振器的方法，其包括：

提供一压电结构；压电结构包括层叠的支撑衬底和压电薄膜层；支撑衬底为{111}单晶硅衬底；

由压电薄膜层的表面对压电结构进行正面刻蚀，以在压电结构内形成多个刻蚀通孔；

在压电薄膜层上制备叉指电极结构；

利用湿法刻蚀工艺对支撑衬底进行各向异性刻蚀，以在支撑衬底中形成多边形空腔；多边形空腔与多个刻蚀通孔连通。

于一个可行的实施例中，多边形空腔的顶面和底面为{111}晶面，或者多边形空腔的底面为{111}晶面。

于一个可行的实施例中，利用湿法刻蚀工艺对支撑衬底进行各向异性刻蚀，以在支撑衬底中形成多边形空腔之前，方法还包括：

在叉指电极结构上制备介质层。

于一个可行的实施例中，支撑衬底与压电薄膜层之间设有介质层。

本申请于另一方面还公开了一种滤波器，其包括至少两个上述的声学谐振器；至少两个声学谐振器依次通过串联或并联的方式进行电学连接形成所述滤波器，且串联声学谐振器的频率大于作为并联声学谐振器的频率。

采用上述技术方案，本申请提供的一种声学谐振器具有如下有益效果：

该声学谐振器包括支撑衬底，支撑衬底内设有多边形空腔；支撑衬底为{111}单晶硅衬底；多边形空腔的周面包括硅<110>晶向，且多边形空腔的周面与多边形空腔的底面存在预设夹角；位于支撑衬底上的压电薄膜层，压电薄膜层靠近多边形空腔，且压电薄膜层设有多个刻蚀通孔，多个刻蚀通孔与多边形空腔连通；通过调整刻蚀通孔的高度能够调整声学谐振器的电学特性；以及位于压电薄膜层上的叉指电极结构。由于支撑衬底为{111}单晶硅衬底，多边形空腔的周面包括硅<110>晶向，从而能够有效保证多边形空腔的刻蚀精度，使得包含有该多边形空腔的声学谐振器具有高频和高带宽的特点，且结构稳定性更高、制备精度更好，成本更低。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请实施例提供的一种声学谐振器的结构示意图；

图2是本申请实施例提供的一种硅晶胞结构示意图；

图3是本申请实施例提供的一种声学谐振器的截面图；

图4是本申请实施例提供的第一种声学谐振器的俯视图；

图5是本申请实施例提供的另一种声学谐振器的截面图；

图6是本申请实施例提供的第二种声学谐振器的俯视图；

图7是本申请实施例提供的第三种声学谐振器的俯视图；

图8是本申请实施例提供的一种制备声学谐振器的流程示意图；

图9是本申请实施例提供的一种制备声学谐振器的过程示意图；

图10是本申请实施例提供的两种声学谐振器的仿真导纳响应图；

图11是本申请实施例提供的一种滤波器的结构示意图；

图12是本申请实施例提供的一种滤波器的俯视图。

以下对附图作补充说明：

1-支撑衬底；11-多边形空腔；2-压电薄膜层；3-刻蚀通孔；4-叉指电极结构；41-第一汇流条；42-第一叉指电极；43-第二汇流条；44-第二叉指电极；5-介质层。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

此处所称的“一个实施例”或“实施例”是指可包含于本申请至少一个实现方式中的特定特征、结构或特性。在本申请的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“顶”、“底”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含的包括一个或者更多个该特征。而且，术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本申请的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。

为了下面的详细描述的目的，应当理解，本发明可采用各种替代的变化和步骤顺序，除非明确规定相反。此外，除了在任何操作实例中，或者以其他方式指出的情况下，表示例如说明书和权利要求中使用的成分的量的所有数字应被理解为在所有情况下被术语“约”修饰。因此，除非相反指出，否则在以下说明书和所附权利要求中阐述的数值参数是根据本发明所要获得的期望性能而变化的近似值。至少并不是试图将等同原则的适用限制在权利要求的范围内，每个数值参数至少应该根据报告的有效数字的个数并通过应用普通舍入技术来解释。

尽管阐述本发明的广泛范围的数值范围和参数是近似值，但是具体实例中列出的数值尽可能精确地报告。然而，任何数值固有地包含由其各自测试测量中发现的标准偏差必然产生的某些误差。

当本文中公开一个数值范围时，上述范围视为连续，且包括该范围的最小值及最大值，以及这种最小值与最大值之间的每一个值。进一步地，当范围是指整数时，包括该范围的最小值与最大值之间的每一个整数。此外，当提供多个范围描述特征或特性时，可以合并该范围。换言之，除非另有指明，否则本文中所公开之所有范围应理解为包括其中所归入的任何及所有的子范围。例如，从“1至10”的指定范围应视为包括最小值1与最大值10之间的任何及所有的子范围。范围1至10的示例性子范围包括但不限于1至6.1、3.5至7.8、5.5至10等。

实施例1

请参阅图1，图1是本申请实施例提供的一种声学谐振器的结构示意图。该声学谐振器包括：支撑衬底1，位于支撑衬底1上的压电薄膜层2，以及位于压电薄膜层2上的叉指电极结构4。支撑衬底1内设有多边形空腔11，支撑衬底1为{111}单晶硅衬底，多边形空腔11的周面包括硅<110>晶向；压电薄膜层2靠近多边形空腔11，且压电薄膜层2设有多个刻蚀通孔3，多个刻蚀通孔3与多边形空腔11连通；通过调整刻蚀通孔3的高度能够调整声学谐振器的电学特性。

请参阅图2，图2是本申请实施例提供的一种硅晶胞结构示意图。本申请所涉及的硅<110>晶向，是指硅<110>晶向族，即与[110]晶向位于同一平面的晶向，具体可以包括硅[101]晶向、硅[011]晶向和硅[110]晶向，同理，本申请所涉及的{111}晶面，是指{111}晶面族，具体可以包括(11-1)、(1-1-1)、(-1-1-1)等等晶面。请参阅图1，多边形空腔11的周面与多边形空腔11的底面存在预设夹角α，具体可以是锐角，如70.5°左右。

于一个可行的实施例中，多边形空腔11的顶面和底面为{111}晶面，或者多边形空腔11的底面为{111}晶面。当该多边形空腔11如图1所示，压电薄膜层2与多边形空腔11之间存在硅薄膜层，则多边形空腔11的底面为{111}晶面，可选的，还可以是如图3所示的结构，多边形空腔11的顶面是压电薄膜层2的底部，则仅多边形空腔11的底面为{111}晶面。请参阅图1，该多边形空腔11的投影在xz平面的形状为一个平行四边形，在湿法刻蚀形成空气腔的过程中，由于该多边形空腔11的上/下面均为硅{111}晶面，刻蚀速率极低，因而Si{111}薄膜的厚度由刻蚀通孔3的刻蚀深度决定，不受湿法刻蚀步骤的影响，具有刻蚀可控精度高的优点。

于一个可行的实施例中，压电薄膜层2与多边形空腔11之间的距离大于零，且小于或者等于1000纳米。也就是说，上述硅薄膜层的厚度大于零，且小于或者等于1000纳米。当存在硅薄膜层时，通过硅薄膜层与压电薄膜层2的配合能够实现更高频率、带宽，且提高了器件的稳定性和散热性。

于一个可行的实施例中，请参阅图4，多边形空腔11投影在压电薄膜层2的底面的形状为六边形(如图4中的虚线框)；该六边形的每条边均为<110>晶向。可选的，图1所示的为图4中A-A’虚线对应的截面图。

于一个可行的实施例中，该声学谐振器还包括介质层5，介质层5位于压电薄膜层2与支撑衬底1之间(请参阅图5)，或者，介质层5还可以位于压电薄膜层2上(请参阅图3)；介质层5的材料为SiO_x，SiN_x，Al₂O₃，AlN，SiC中的任一种或者多种，其中，x基于沉淀情况不同，数值也会相应变化。根据需要可以选择介质层5的位置以及材料，介质层5的设置可以影响声学谐振器的电学特性、结构稳定性和温度稳定性，例如，当介质层5的材料为氧化硅，可以提高器件质量和温度稳定性，氧化铝可以作为键合材料，以提高压电薄膜层2与所述支撑衬底1之间的键合强度，以及改善器件在后续退火过程中的热失配问题。碳化硅可以提高器件的散热性能。

可以理解的是，本申请提供的该种声学谐振器的工作模式为高阶兰姆波，阶数N满足关系式：1≤N≤n，其中，n为悬空薄膜的总层数。例如图1所示的结构为双层悬空薄膜结构(即包括压电薄膜层2和硅薄膜层)，那么兰姆波既可以是一阶，也可以是二阶，根据实际设计需求来确定。具体设置的介质层的数量和类型不限于上述1种。

于一个可行的实施例中，请参阅图4，叉指电极结构4包括第一汇流条41、与第一汇流条41连接的多个第一叉指电极42、第二汇流条43和与第二汇流条43连接的多个第二叉指电极44；多个第一叉指电极42和多个第二叉指电极44交错排布；多个刻蚀通孔3分布在第一叉指电极42和第二汇流条43之间的区域，以及第二叉指电极44和第一汇流条41之间的区域；或者，多个刻蚀通孔3分布在相邻的第一叉指电极42和第二叉指电极44之间的区域。刻蚀通孔3可以是分布在叉指电极的端部与对应临近的汇流条之间的间隙，该种分布结构一定程度上会影响叉指电极区域的热量的耗散，不利于功率容量的提升。例如，假定第一汇流条41与和第二汇流条43之间的距离为H，刻蚀通孔3的分布情况如图4所示，每个刻蚀通孔3朝y方向的刻蚀速率相同，所以每个刻蚀通孔3朝y轴正负方向均刻蚀H/2，得到的多边形空腔11在y轴方向的宽度为2H，使得空腔较大，为了避免上述问题，可以在相邻的叉指电极之间设置刻蚀通孔3(如图6所示)，具体可以是在相邻的第一叉指电极42之间，或者，相邻的第二叉指电极44之间，刻蚀通孔3的宽度、长度和数量可以根据需要设置，刻蚀通孔3的长度小于或者等于所述第一叉指电极42或者第二叉指电极44的长度，可使得空腔区域面积大大缩小。

于一个可行的实施例中，相邻的第一叉指电极42的中心线与第二叉指电极44的中心线之间的距离大于2微米；叉指电极结构4的金属化率大于或者等于5％，且小于或者等于40％。

于一个可行的实施例中，压电薄膜层2的材料为铌酸锂或者钽酸锂。

于一个可行的实施例中，压电薄膜层2的晶体切型为Z切，或者YXθ切型，其中θ满足80°≤θ≤180°。

于一个可行的实施例中，压电薄膜层2的厚度大于或者等于100纳米，且小于或者等于900纳米。

请参阅图4和图7，叉指换能器的叉指电极(包括第一叉指电极42和第二叉指电极44)可以平行或者垂直于硅<110>晶向。

实施例2

请参阅图8和图9，图8是本申请实施例提供的一种制备声学谐振器的流程示意图；图9是本申请实施例提供的一种制备声学谐振器的过程示意图。该制备上述的声学谐振器的方法包括：

S801：提供一压电结构；压电结构包括层叠的支撑衬底1和压电薄膜层2；支撑衬底1为{111}单晶硅衬底。

请参阅图9，该压电结构具体可以是如图9中的图(a)所示的结构，可选的，制备该压电结构的方法可以是采用离子注入和退火剥离工艺制备得到，也可以直接在支撑衬底1上直接键合压电晶圆，然后再对压电晶圆进行减薄处理得到；可选的，该支撑衬底1与压电薄膜层2之间设有上述介质层5，最终可以制备如图5所示的器件结构。

S803：由压电薄膜层2的表面对压电结构进行正面刻蚀，以在压电结构内形成多个刻蚀通孔3，得到如图9中图(b)所示的结构。

本实施例中，多个刻蚀通孔3的分布情况可以详见上述实施例。

S805：在压电薄膜层2上制备叉指电极结构4，得到如图9中图(c)所示的结构。

S807：利用湿法刻蚀工艺对支撑衬底1进行各向异性刻蚀，以在支撑衬底1中形成多边形空腔11；多边形空腔11与多个刻蚀通孔3连通。

为了避免叉指电极结构4和压电薄膜层2在刻蚀过程中被影响，步骤S807之前，该方法还包括：在叉指电极结构4上制备介质层5，得到如图9中图(d)所示的结构。

可选的，步骤S807的具体实施方式可以包括：进一步对所述多个刻蚀通孔3进行延伸刻蚀，直至达到预设深度位置，可以得到如图9中图(e)所示的结构，再利用湿法刻蚀工艺对支撑衬底1进行各向异性刻蚀，从而可以在支撑衬底1中形成如图9中图(f)所示的多边形空腔11，由于本申请中的支撑衬底1为{111}单晶硅衬底，所以在刻蚀过程中，刻蚀的上下面均为{111}晶面，侧面为硅<110>晶向，对{111}晶面进行刻蚀的刻蚀速率小于对硅<110>晶向刻蚀的刻蚀速率，形成各向异性刻蚀，形成的多边形空腔11的高度为上述延伸刻蚀的刻蚀通孔3的长度，采用上述方式可以实现对多边形空腔11大小的精准刻蚀，提高了器件的电学和机械性能。

后续，可以根据需要选择是否去除介质层5，如果去除介质层5，则可以得到如图9中图(g)所示的结构。

可选的，可以利用KOH或者TMAH(四甲基氢氧化铵)溶液进行湿法刻蚀，由于硅在湿法刻蚀中存在极强的各向异性，且硅{111}晶面反应速率极低，因此在厚度方向上硅难以被刻蚀，所得到的悬空的硅薄膜层的厚度由S803步骤中的刻蚀深度决定，在水平方向上，将形成图4所示的六边形边界。

具体的，其他关于制备声学谐振器的参数可以详见上述描述，在此不再赘述。

由于现有常用的刻蚀方式为各向同性刻蚀，若采用其来制备本申请的声学谐振器，会使得悬空区域的面积难以控制，进而导致器件的机械稳定性差、散热能力差，而本申请通过这种各向异性刻蚀的刻蚀方式能够精准的控制刻蚀空腔的大小，且刻蚀边缘较平滑，从而有效提高了声学谐振器的稳定性和散热性，且制备工艺简单，有效提高了生产加工效率和产品品质的一致性。

实施例3

请参阅图10，其所示为本申请实施例提供的两种声学谐振器的仿真导纳响应图。提供声学谐振器1，其为双层复合薄膜的一阶兰姆波谐振器，支撑衬底1为200nm的Si{111}，压电薄膜层2为400nm，YX128°切型的铌酸锂；相邻的叉指电极之间的距离为5微米。另提供声学谐振器2，其为三层复合薄膜的一阶兰姆波谐振器，支撑衬底1为100nm Si{111}，压电薄膜层2为400nm，YX128°切型的铌酸锂，介质层5为位于支撑衬底1和压电薄膜层2之间的100nm SiO₂，相邻的叉指电极之间的距离为5微米。通过对声学谐振器1和声学谐振器2进行仿真计算，可以得到如图10所示的仿真导纳响应图，其中，图10中的虚线对应声学谐振器2，图10中的实线对应声学谐振器1，从图10可以看出，二者均展现出高频、高机电耦合系数、高Q值的特性。

实施例4

本申请于另一方面还公开了一种滤波器，其包括至少两个上述的声学谐振器；所述至少两个声学谐振器依次通过串联或并联的方式进行电学连接形成所述滤波器，且串联声学谐振器的频率大于并联声学谐振器的频率。

可选的，由于高阶兰姆波谐振器的工作频率与薄膜厚度呈反比，串联声学谐振器的频率大于作为并联声学谐振器的频率，因此，对于一个高阶兰姆波滤波器，需要两种薄膜厚度的声学谐振器，如图11所示，串联声学谐振器和并联声学谐振器的压电薄膜厚度相同，可以是仅并联声学谐振器包含一定厚度的硅薄膜层，而串联声学谐振器不包含硅薄膜层，可选的，硅薄膜层的厚度大于零，且小于或者等于1000纳米。可选的，还可以是串联声学谐振器和并联声学谐振器均包含有硅薄膜层，但二者包含的硅薄膜层的厚度不同，串联声学谐振器的硅薄膜层的长度小于并联声学谐振器的硅薄膜层的厚度。

该串联声学谐振器和并联声学谐振器的制备方法详见上述实施例2，由于这两种声学谐振器的硅薄膜层的厚度不同，所以在制备时只需要设置不同长度的刻蚀通孔3即可，从而使得串联声学谐振器的硅薄膜层的长度小于并联声学谐振器的硅薄膜层的厚度。

请参阅图12，其所示为本申请实施例提供的一种滤波器的俯视图。该滤波器由三个串联声学谐振器和两个并联声学谐振器依次电学级联，共设置三个刻蚀通孔3(图12中的白色镂空区域)，均位于叉指电极区域(即第一叉指电极42和第二叉指电极44所在区域)以外。通过合理设计刻蚀通孔3位置和电极版图的关系，可以使得绝大部分的叉指电极区域均悬空(即位于白色虚线框以内)，且使得非叉指电极区域绝大部分处于非悬空状态，从而在提高刻蚀精度的基础上，提高了器件的电学特性(如频率、机电耦合系数等)。因此，本申请中的刻蚀通孔不限于上述实施例提及的设置位置，只要属于本申请的发申请构思下的刻蚀通孔的位置和形状变换，均属于本申请的保护范围。

以上所述仅为本申请可选实施例，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (15)

1.一种声学谐振器，其特征在于，包括：

支撑衬底，所述支撑衬底内设有多边形空腔；所述支撑衬底为{111}单晶硅衬底；所述多边形空腔的周面包括硅<110>晶向；

位于所述支撑衬底上的压电薄膜层，所述压电薄膜层靠近所述多边形空腔，且所述压电薄膜层设有多个刻蚀通孔，多个所述刻蚀通孔与所述多边形空腔连通；通过调整所述刻蚀通孔的高度能够调整所述声学谐振器的电学特性；

以及位于所述压电薄膜层上的叉指电极结构。

2.根据权利要求1所述的声学谐振器，其特征在于，所述多边形空腔的顶面和底面为{111}晶面，或者所述多边形空腔的底面为{111}晶面。

3.根据权利要求1所述的声学谐振器，其特征在于，所述多边形空腔投影在所述压电薄膜层的底面的形状为六边形。

4.根据权利要求1所述的声学谐振器，其特征在于，所述压电薄膜层与所述多边形空腔之间的距离大于零，且小于或者等于1000纳米。

5.根据权利要求1所述的声学谐振器，其特征在于，还包括介质层；

所述介质层位于所述压电薄膜层与所述支撑衬底之间，或者所述介质层位于所述压电薄膜层上；

所述介质层的材料为SiO_x，SiN_x，Al₂O₃，AlN，SiC中的任一种或者多种。

6.根据权利要求1所述的声学谐振器，其特征在于，所述叉指电极结构包括第一汇流条、与所述第一汇流条连接的多个第一叉指电极、第二汇流条和与所述第二汇流条连接的多个第二叉指电极；

多个所述第一叉指电极和多个所述第二叉指电极交错排布；

多个所述刻蚀通孔分布在所述第一叉指电极和所述第二汇流条之间的区域，以及所述第二叉指电极和所述第一汇流条之间的区域；或者，多个所述刻蚀通孔分布在相邻的叉指电极之间的区域。

7.根据权利要求6所述的声学谐振器，其特征在于，相邻的所述第一叉指电极的中心线与所述第二叉指电极的中心线之间的距离大于2微米；

所述叉指电极结构的金属化率大于或者等于5％，且小于或者等于40％。

8.根据权利要求1所述的声学谐振器，其特征在于，所述压电薄膜层的材料为铌酸锂或者钽酸锂。

9.根据权利要求8所述的声学谐振器，其特征在于，所述压电薄膜层的晶体切型为Z切，或者YXθ切型，且θ满足80°≤θ≤180°。

10.根据权利要求8所述的声学谐振器，其特征在于，所述压电薄膜层的厚度大于或者等于100纳米，且小于或者等于900纳米。

11.一种制备权利要求1-10任一项所述的声学谐振器的方法，其特征在于，包括：

提供一压电结构；所述压电结构包括层叠的支撑衬底和压电薄膜层；所述支撑衬底为{111}单晶硅衬底；

由所述压电薄膜层的表面对所述压电结构进行正面刻蚀，以在所述压电结构内形成多个刻蚀通孔；

在所述压电薄膜层上制备叉指电极结构；

利用湿法刻蚀工艺对所述支撑衬底进行各向异性刻蚀，以在所述支撑衬底中形成多边形空腔；所述多边形空腔与多个所述刻蚀通孔连通。

12.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，所述多边形空腔的顶面和底面为{111}晶面，或者所述多边形空腔的底面为{111}晶面。

13.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，所述利用湿法刻蚀工艺对所述支撑衬底进行各向异性刻蚀，以在所述支撑衬底中形成多边形空腔之前，所述方法还包括：

在所述叉指电极结构上制备介质层。

14.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，所述支撑衬底与所述压电薄膜层之间设有介质层。

15.一种滤波器，其特征在于，包括至少两个如权利要求1-10任一项所述的声学谐振器；所述至少两个声学谐振器依次通过串联或并联的方式进行电学连接形成所述滤波器，且串联声学谐振器的频率大于作为并联声学谐振器的频率。