CN115910910A - 浅沟槽隔离结构的制备方法及浅沟槽隔离结构 - Google Patents
浅沟槽隔离结构的制备方法及浅沟槽隔离结构 Download PDFInfo
- Publication number
- CN115910910A CN115910910A CN202211332074.6A CN202211332074A CN115910910A CN 115910910 A CN115910910 A CN 115910910A CN 202211332074 A CN202211332074 A CN 202211332074A CN 115910910 A CN115910910 A CN 115910910A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- shallow trench
- stop layer
- isolation structure
- trench isolation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000002955 isolation Methods 0.000 title claims abstract description 66
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 8
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims abstract description 54
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 49
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 42
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims abstract description 40
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 73
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 28
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 10
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013043 chemical agent Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Element Separation (AREA)
Abstract
本发明提供一种浅沟槽隔离结构的制备方法及浅沟槽隔离结构，其中化学机械平坦化的方法包括：形成衬底，衬底内具有浅沟槽，且衬底表面具有研磨停止层，浅沟槽贯穿研磨停止层；沉积绝缘材料并进行退火工艺，以形成绝缘介质层，绝缘介质层的表面形成有凹槽，绝缘介质层的上表面不低于研磨停止层的上表面，凹槽的底端在衬底的上方，凹槽与浅沟槽一一对应，每个凹槽位于相应的浅沟槽的正上方；沉积第一分隔材料，以形成第一分隔层，在同等研磨条件下第一分隔层的去除速率低于绝缘介质层的去除速率；在同等研磨条件下进行化学机械平坦化处理，以在浅沟槽内形成浅沟槽隔离结构。本发明能够使浅沟槽隔离结构的表面更加平整。
Description
技术领域
本发明涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种浅沟槽隔离结构的制备方法及浅沟槽隔离结构。
背景技术
超平坦的晶圆表面是降低光刻焦深、提高光刻图形质量的重要前提。浅沟槽隔离结构作为集成电路制造的第一层图形结构，其化学机械平坦化后表面平整度对后续多层结构形成与薄膜生长后的平整度具有重要影响，因此浅沟槽隔离化学机械平坦化后多层表面的微起伏控制更为关键。
在平面晶体管高密度集中工艺中，结合图1和图2，在按照基线工艺使用绝缘材料完成浅沟槽11填充并完成退火后，在器件的激活区与沟槽隔离区之间会存在薄膜厚度落差。具体是在退火后填充沟道隔离区所形成的填充结构6的顶部会出现向下微凹陷的凹槽31，且凹槽31与浅沟槽11位于垂直于衬底1的直线上。其中，填充结构6中位于衬底1上方的部分的厚度为基准厚度，基准厚度的尺寸范围为600nm±200nm。
在化学机械平坦化(CMP)工艺过程中，由于抛光垫具有一定微变形，上述的薄膜厚度差会在CMP工艺过程中一直传递，如此在CMP工艺结束后，将会导致浅沟槽隔离结构7的表面产生微凹陷(dishing)，从而使得CMP工艺后芯片表面出现微起伏的情况。因此，如何提高浅沟槽隔离结构7的均匀性成为亟需解决的问题。
发明内容
为解决上述问题，本发明提供的浅沟槽隔离结构的制备方法及浅沟槽隔离结构，通过在绝缘介质层上沉积一层第一分隔层，能够在化学机械平坦化的过程中降低凹槽对浅沟槽隔离结构的影响，从而使得浅沟槽隔离结构的表面更加平整。
第一方面，本发明提供一种浅沟槽隔离结构的制备方法，包括：
形成衬底，所述衬底内具有浅沟槽，且所述衬底表面具有研磨停止层，所述浅沟槽贯穿所述研磨停止层；
填充绝缘材料并进行退火工艺，以形成绝缘介质层，所述绝缘介质层的表面形成有凹槽，其中，所述绝缘介质层的上表面不低于所述研磨停止层的上表面，所述凹槽的底端在所述衬底的上方，所述凹槽与所述浅沟槽一一对应，每个凹槽位于相应的浅沟槽的正上方；
沉积第一分隔材料，以形成第一分隔层，在同等研磨条件下所述第一分隔层的去除速率低于所述绝缘介质层的去除速率；
在同等研磨条件下进行化学机械平坦化处理，以在所述浅沟槽内形成所述浅沟槽隔离结构。
可选地，所述第一分隔材料包括：氮化硅、多晶硅、非晶硅或氧氮化硅。
可选地，所述凹槽的底端位于所述研磨停止层的上方，或与所述研磨停止层的上表面平齐，或与所述研磨停止层的顶部在水平方向重合；
在所述凹槽的底端位于所述研磨停止层的上方，或与所述研磨停止层的上表面平齐时，所述在同等研磨条件下进行化学机械平坦化处理的步骤包括：在同等研磨条件下对所述绝缘介质层和所述第一分隔层进行化学机械平坦化处理，以在所述浅沟槽内形成所述浅沟槽隔离结构；
在所述凹槽的底端与所述研磨停止层的顶部在水平方向重合时，所述在同等研磨条件下进行化学机械平坦化处理的步骤包括：在同等研磨条件下对所述绝缘介质层、所述研磨停止层和所述第一分隔层进行化学机械平坦化处理，以在所述浅沟槽内形成所述浅沟槽隔离结构。
可选地，在所述在同等研磨条件下进行化学机械平坦化处理的步骤之前，所述方法还包括：
在所述第一分隔层上沉积第二分隔材料，以形成第二分隔层，在同等研磨条件下所述第一分隔层的去除速率低于所述第二分隔层的去除速率；
所述在同等研磨条件下进行化学机械平坦化处理的步骤包括：
在同等研磨条件下对所述第二分隔层、所述绝缘介质层和所述第一分隔层进行化学机械平坦化处理，直至去除所述第一分隔层；
或，在同等研磨条件下对所述第二分隔层、所述绝缘介质层、所述第一分隔层和所述研磨停止层进行化学机械平坦化处理，直至去除所述第一分隔层。
可选地，所述第二分隔材料包括所述绝缘材料。
可选地，所述绝缘材料包括：氧化硅。
可选地，所述研磨停止层的材料包括：氮化硅。
可选地，所述绝缘介质层的上表面高出所述研磨停止层上表面的距离为所述浅沟槽深度的0至0.25倍。
可选地，所述第一分隔层的厚度为所述研磨停止层厚度的0.1至1倍。
可选地，所述凹槽位于所述研磨停止层中背离所述衬底的一侧。
可选地，所述凹槽的底端与所述研磨停止层中背离所述衬底的端部在水平方向重合。
第二方面，本发明提供一种浅沟槽隔离结构，浅沟槽隔离结构采用如上述任一项所述的方法制造而成。
本发明实施例提供的浅沟槽隔离结构的制备方法及浅沟槽隔离结构，通过在绝缘介质层上沉积一层第一分隔层，能够在化学机械平坦化的过程中使得凹槽内的第一分隔层晚于周侧的绝缘介质层被研磨掉，从而避免了在化学机械平坦化处理后在浅沟槽隔离结构的表面对应凹槽的位置形成凹陷，降低了凹槽对浅沟槽隔离结构的影响，从而使得浅沟槽隔离结构的表面更加平整。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有制备浅沟槽隔离结构的方法中形成填充结构下的结构示意图；
图2为现有制备浅沟槽隔离结构的方法中形成沟道隔离结构的结构示意图；
图3为本申请一实施例的浅沟槽隔离结构的制备方法的示意性流程图；
图4a至图4e为本申请一实施例的浅沟槽隔离结构的制备方法中形成浅沟槽隔离结构的结构示意图；
图5为本申请一实施例的浅沟槽隔离结构的制备方法的示意性流程图；
图6a至图6g为本申请一实施例的浅沟槽隔离结构的制备方法中形成浅沟槽隔离结构的结构示意图。
附图标记
1、衬底；11、浅沟槽；2、研磨停止层；3、绝缘介质层；31、凹槽；4、第一分隔层；5、第二分隔层；6、填充结构；7、浅沟槽隔离结构。
具体实施方式
为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的实施例。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使本申请的公开内容更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。
空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在这里可以用于描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在...下面”和“在...下”可包括上和下两个取向。此外，器件也可以包括另外地取向(譬如，旋转90度或其它取向)，并且在此使用的空间描述语相应地被解释。
需要说明的是，当元件被称为“固定连接”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。相反，当元件被称作“直接在”另一元件“上”时，不存在中间元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。
在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也可以包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应当理解的是，术语“包括/包含”或“具有”等指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的存在，但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的可能性。
实施例一
本实施例提供一种浅沟槽隔离结构的制备方法，该方法包括步骤S101至步骤S104：
步骤S101：形成衬底1。
衬底1内具有浅沟槽11，且衬底1表面具有研磨停止层2，浅沟槽11贯穿研磨停止层2。
步骤S102：填充绝缘材料并进行退火工艺，以形成绝缘介质层3。
其中，绝缘介质层3的表面形成有多个凹槽31，且凹槽31的底端在研磨停止层2的下表面之上；绝缘介质层3的上表面的最高处不低于研磨停止层2的上表面，同时绝缘介质层3的上表面高出研磨停止层2上表面的距离为浅沟槽11深度的0至0.25倍，如0倍、0.1倍和0.25倍。其中，绝缘介质层3的上表面高出研磨停止层2上表面的距离为浅沟槽11深度的0倍时，表示绝缘介质层3的上表面与研磨停止层2的上表面平齐；绝缘介质层3的上表面高出研磨停止层2上表面时，表示绝缘介质层3的顶部覆盖研磨停止层2的上表面。浅沟槽11深度为400nm±200nm。在本实施例中，不对浅沟槽11的深度做具体限定，绝缘介质层3上表面的最高处高出研磨停止层2上表面的距离为浅沟槽11深度的0.15倍。
需要说明的是，由绝缘介质层3的上表面存在凹槽31，绝缘介质层3上表面即为绝缘介质层3的上表面除去凹槽31以外的部分，凹槽31的内壁不属于绝缘介质层3的上表面。
对于凹槽31相对于研磨停止层2的位置需要说明的是，凹槽31可位于研磨停止层2的上侧，其包括凹槽31的底端与研磨停止层2的上表面在同一水平面上；或者，凹槽31的底端与研磨停止层2顶部在水平方向重合。其中，凹槽31相对于研磨停止层2的位置的不同可通过调整绝缘介质层3位于研磨停止层2上方的厚度以及退火的具体方式实现，本实施例对此不作过多赘述。
在本实施例中，凹槽31位于研磨停止层2的上侧，且凹槽31的底端与研磨停止层2的上表面相间隔。
步骤S103：沉积第一分隔材料，以形成第一分隔层4。
其中，在同等研磨条件下第一分隔层4的去除速率低于绝缘介质层3的去除速率；同等研磨条件为同一研磨盘在相同转速、相同进给速度并用同一种研磨液进行研磨的情况。第一分隔材料包括：氮化硅、多晶硅、非晶硅或氧氮化硅。第一分隔层4的厚度为研磨停止层2厚度的0.1至1倍，如0.1倍、0.5倍以及1倍；研磨停止层2的厚度为60nm±30nm。在本实施例中，不对研磨停止层2的厚度做具体限定，第一分隔材料与研磨停止层2的材料相同，均为氮化硅；第一分隔层4的厚度为研磨停止层2厚度的0.5倍。将第一分隔材料选用为与研磨停止层2相同的材料，能够避免因选材而造成制备时间的延长，同时在一定程度上可降低浅沟槽隔离结构7的制作成本。
需要说明的是，在本实施例中，采用沉积或生长的工艺，其形成的层结构厚度均匀。如第一分隔层4的厚度均匀，即第一分隔层4会随绝缘介质层3上表面的变化在凹槽31处下凹。
步骤S104：在同等研磨条件下进行化学机械平坦化处理，以在浅沟槽11内形成浅沟槽隔离结构7。
其中，化学机械平坦化处理中所使用的抛光液包括：SiO2基抛光液和CeO2基抛光液中的至少一种，但不限于此。在本实施例中抛光液为SiO2基抛光液和CeO2基抛光液的混合。
需要说明的是，在凹槽31的底端位于研磨停止层2的上方，或与研磨停止层2的上表面平齐时，步骤S104包括：在同等研磨条件下，对绝缘介质层3和第一分隔层4进行化学机械平坦化处理，以在浅沟槽11内形成浅沟槽隔离结构7。如此在对研磨停止层2进行去除前即可得到表面平整的浅沟槽隔离结构7，且由此得到的浅沟槽隔离结构7适用于平面晶体管器件，特别是可适用于技术节点在28nm及以上的平面晶体管器件。
在凹槽31的底端与研磨停止层2的顶部在水平方向重合时，步骤S104包括：在同等研磨条件下，对绝缘介质层3、第一分隔层4和研磨停止层2进行化学机械平坦化处理，以在浅沟槽11内形成浅沟槽隔离结构7。如此在平坦化研磨停止层2的顶部时，即可得到表面平整的浅沟槽隔离结构7，在此不对研磨停止层2去除的厚度做具体限定。
若同时存在深度不同的凹槽31，则以深度最大的凹槽31的底端相对研磨停止层2的位置选取相应的研磨方式。
该浅沟槽隔离结构的制备方法通过在绝缘介质层3上沉积一层第一分隔层4，能够在化学机械平坦化的过程中使得凹槽31内的第一分隔层4晚于同一水平上面的绝缘介质层3被研磨掉，从而避免了在化学机械平坦化处理后在浅沟槽隔离结构7的表面对应凹槽31的位置形成凹陷，降低了凹槽31对浅沟槽隔离结构7的影响，从而使得浅沟槽隔离结构7的表面更加平整。
在一种可选的实施例中，在对绝缘介质层3和第一分隔层4进行化学机械平坦化处理的步骤之前，方法还包括：在第一分隔层4上沉积第二分隔材料，以形成第二分隔层5，在同等研磨条件下第一分隔层4的去除速率低于第二分隔层5的去除速率。
所述在同等研磨条件下进行化学机械平坦化处理的步骤包括：在同等研磨条件下对所述第二分隔层5、所述绝缘介质层3和所述第一分隔层4进行化学机械平坦化处理，直至去除所述第一分隔层4；或，在同等研磨条件下对所述第二分隔层5、所述绝缘介质层3、所述第一分隔层4和所述研磨停止层2进行化学机械平坦化处理，直至去除所述第一分隔层4。
其中，第二分隔材料包括绝缘材料。在该可选的实施例中，第二分隔材料和绝缘材料均为氧化硅。
需要说明的是，在形成第二分隔层5的过程中，可对第二分隔材料进行退火处理或不进行退火处理，具体采用的方式由第二分隔材料的性质和相应的工艺条件决定，本实施例对此不作进一步限定；同时，形成第二分隔层5能够在平坦化处理前使器件在衬底1以上的厚度达到基准厚度，即衬底1以上绝缘介质层3、第一分隔层4和第二分隔层5的总厚度与基准厚度相等，避免不必要的薄膜生长成本。
同时，在不形成第二分隔层5，且直接在形成第一分隔层4后进行化学机械平坦化处理的情况下，通过增加第一分隔层4在衬底1上方的厚度进行实现，本实施例对此不作具体限定。
在一种可选的实施例中，在对绝缘介质层3和第一分隔层4进行化学机械平坦化处理的步骤之后，方法还包括：对研磨停止层2进行化学湿法腐蚀去除处理。在该可选实施例中，采用磷酸作为化学腐蚀液对研磨停止层2进行腐蚀去除处理。
需要说明的是，在衬底1和研磨停止层2之间生长有栅氧层。对研磨停止层2进行化学腐蚀去除处理包括：采用化学机械平坦化的方法对研磨停止层2进行减薄处理，并进一步采用化学试剂去除研磨停止层2。技术人员可根据实际情况采用上述任一一种进行处理。其中，在采用磷酸去除研磨停止层2后，可通过氢化氟去除衬底1上方的栅氧层，之后再重新生长栅氧层。
实施例二
本实施例提供一种浅沟槽隔离结构的制备方法，该方法包括步骤S201至步骤S206：
步骤S201：形成衬底1。
其中，衬底1内具有浅沟槽11，且衬底1表面具有研磨停止层2，浅沟槽11贯穿研磨停止层2。
步骤S202：填充绝缘材料并进行退火工艺，以形成绝缘介质层3。其中，凹槽31的底端与研磨停止层2的上表面在同一水平面上。
步骤S203：沉积第一分隔材料，以形成第一分隔层4。
步骤S204：沉积第二分隔材料并进行退火工艺，以形成第二分隔层5。
步骤S205：对器件进行化学机械平坦化处理，以去除第二分隔层5、第一分隔层4和研磨停止层2上方的绝缘介质层3。
步骤S206：对研磨停止层2进行化学机械平坦化处理。如此即可得到表面平整的浅沟槽隔离结构7。
实施例三
本实施例提供一种浅沟槽隔离结构，浅沟槽隔离结构采用如上述任一实施例中的方法制造而成。
在本说明书的描述中，参考术语“有些实施例”、“其他实施例”、“理想实施例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特征包含于本申请的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性描述不一定指的是相同的实施例或示例。
以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种浅沟槽隔离结构的制备方法，其特征在于，包括：
形成衬底，所述衬底内具有浅沟槽，且所述衬底表面具有研磨停止层，所述浅沟槽贯穿所述研磨停止层；
填充绝缘材料并进行退火工艺，以形成绝缘介质层，所述绝缘介质层的表面形成有凹槽，其中，所述绝缘介质层的上表面不低于所述研磨停止层的上表面，所述凹槽的底端在所述衬底的上方，所述凹槽与所述浅沟槽一一对应，每个凹槽位于相应的浅沟槽的正上方；
沉积第一分隔材料，以形成第一分隔层，在同等研磨条件下所述第一分隔层的去除速率低于所述绝缘介质层的去除速率；
在同等研磨条件下进行化学机械平坦化处理，以在所述浅沟槽内形成所述浅沟槽隔离结构。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一分隔材料包括：氮化硅、多晶硅、非晶硅或氧氮化硅。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述凹槽的底端位于所述研磨停止层的上方，或与所述研磨停止层的上表面平齐，或与所述研磨停止层的顶部在水平方向重合；
在所述凹槽的底端位于所述研磨停止层的上方，或与所述研磨停止层的上表面平齐时，所述在同等研磨条件下进行化学机械平坦化处理的步骤包括：在同等研磨条件下对所述绝缘介质层和所述第一分隔层进行化学机械平坦化处理，以在所述浅沟槽内形成所述浅沟槽隔离结构；
在所述凹槽的底端与所述研磨停止层的顶部在水平方向重合时，所述在同等研磨条件下进行化学机械平坦化处理的步骤包括：在同等研磨条件下对所述绝缘介质层、所述研磨停止层和所述第一分隔层进行化学机械平坦化处理，以在所述浅沟槽内形成所述浅沟槽隔离结构。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述在同等研磨条件下进行化学机械平坦化处理的步骤之前，所述方法还包括：
在所述第一分隔层上沉积第二分隔材料，以形成第二分隔层，在同等研磨条件下所述第一分隔层的去除速率低于所述第二分隔层的去除速率；
所述在同等研磨条件下进行化学机械平坦化处理的步骤包括：
在同等研磨条件下对所述第二分隔层、所述绝缘介质层和所述第一分隔层进行化学机械平坦化处理，直至去除所述第一分隔层；
或，在同等研磨条件下对所述第二分隔层、所述绝缘介质层、所述第一分隔层和所述研磨停止层进行化学机械平坦化处理，直至去除所述第一分隔层。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第二分隔材料包括所述绝缘材料。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于，所述绝缘材料包括：氧化硅。
7.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于，所述研磨停止层的材料包括：氮化硅。
8.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于，所述绝缘介质层的上表面高出所述研磨停止层上表面的距离为所述浅沟槽深度的0至0.25倍。
9.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于，所述第一分隔层的厚度为所述研磨停止层厚度的0.1至1倍。
10.一种浅沟槽隔离结构，其特征在于，所述浅沟槽隔离结构采用如权利要求1至9中任一项所述的方法制造而成。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202211332074.6A CN115910910A (zh) | 2022-10-28 | 2022-10-28 | 浅沟槽隔离结构的制备方法及浅沟槽隔离结构 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202211332074.6A CN115910910A (zh) | 2022-10-28 | 2022-10-28 | 浅沟槽隔离结构的制备方法及浅沟槽隔离结构 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN115910910A true CN115910910A (zh) | 2023-04-04 |
Family
ID=86482561
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202211332074.6A Pending CN115910910A (zh) | 2022-10-28 | 2022-10-28 | 浅沟槽隔离结构的制备方法及浅沟槽隔离结构 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN115910910A (zh) |
-
2022
- 2022-10-28 CN CN202211332074.6A patent/CN115910910A/zh active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8105899B2 (en) | Method and structure for performing a chemical mechanical polishing process | |
| CN106571294B (zh) | 一种半导体器件的制造方法 | |
| CN107845636B (zh) | 一种闪存晶圆的制作方法 | |
| KR100843140B1 (ko) | 소자 분리 영역 형성 방법 및 그 구조 | |
| CN102437047B (zh) | 一种sti结构cmp方法以及sti结构制作方法 | |
| CN111354675B (zh) | 浅沟槽隔离结构的形成方法及浅沟槽隔离结构 | |
| KR100361102B1 (ko) | 트렌치 아이솔레이션의 형성방법 | |
| CN115910910A (zh) | 浅沟槽隔离结构的制备方法及浅沟槽隔离结构 | |
| CN215600375U (zh) | 一种半导体结构及半导体装置 | |
| US6204149B1 (en) | Methods of forming polished material and methods of forming isolation regions | |
| KR20070007696A (ko) | 반도체 장치의 제조 방법과 반도체 장치 | |
| CN108520863B (zh) | 浅沟槽绝缘结构的制造方法 | |
| CN115910911A (zh) | 浅沟槽隔离结构的制备方法及浅沟槽隔离结构 | |
| US8084364B2 (en) | Method of fabricating semiconductor device | |
| CN113830726A (zh) | 一种半导体器件的制造方法和半导体器件 | |
| CN112750755A (zh) | 一种半导体器件及其形成方法 | |
| CN103208454B (zh) | 实现浅沟道隔离的工艺方法 | |
| CN113437134B (zh) | 一种半导体结构、半导体结构制备方法及半导体装置 | |
| KR19990004561A (ko) | 반도체 소자의 소자분리막 제조방법 | |
| CN112397519B (zh) | 一种半导体器件及其制备方法 | |
| KR100728649B1 (ko) | 반도체소자의 소자분리막 제조방법 | |
| US20010053583A1 (en) | Shallow trench isolation formation process using a sacrificial layer | |
| KR100303358B1 (ko) | 에스오아이 웨이퍼 제조방법 | |
| KR100539001B1 (ko) | 반도체 소자의 소자분리막 형성 방법 | |
| KR100333393B1 (ko) | 에스오아이 웨이퍼 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |