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CN114708839B - 背光模组及显示装置 - Google Patents

背光模组及显示装置 Download PDF

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CN114708839B
CN114708839B CN202210350992.5A CN202210350992A CN114708839B CN 114708839 B CN114708839 B CN 114708839B CN 202210350992 A CN202210350992 A CN 202210350992A CN 114708839 B CN114708839 B CN 114708839B
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Abstract

本申请公开一种背光模组及显示装置。背光模组包括多个发光单元、多个驱动芯片、多个级联设置的电压比较器以及电压调整模块。其中，驱动芯片的控制端与相应的发光单元的负极连接。连接于同一驱动芯片的控制端的发光单元接入相同初始驱动电压。第1级电压比较器的第一输入端接入一预设电压，第N级电压比较器的第二输入端接入第N级待检测电压，第N级待检测电压为与第N级电压比较器对应的驱动芯片中一控制端的电压。多个级联的电压比较器可根据预设电压和多个待检测电压输出第N级调整电压，电压调整模块可用于根据第N级调整电压调整初始驱动电压。本申请能够降低驱动芯片的功耗，同时减少驱动芯片过热的风险。

Description

背光模组及显示装置
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种背光模组及显示装置。
背景技术
随着显示技术与面板行业的不断发展，MLED(Micro/Mini Light-EmittingDiode，微发光二极管)背光技术出现在大众的视野。MLED背光相比于传统的LED(Light-Emitting Diode，发光二极管)背光，具备Local dimming(局部背光调节)功能，能够实现高对比度和高亮度，显示效果接近OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)。而相比较于OLED，MLED在成本上更具优势。因此，MLED背光驱动具有巨大的发展潜力。
然而，在MLED背光中，多个LED分区的正极是连在一起的，当LED灯珠分区需要达到某一亮度时，由于LED灯珠的工艺制成误差，每分区灯珠所需要的电压是有差异的，为了保证所有灯区达到同一亮度，电源板输出的初始驱动电压往往会偏高，这就造成了与多个LED分区的负极连接的驱动芯片(LED Driver IC)的控制端电压过高，使得驱动芯片的功耗和温度上升。
发明内容
本申请提供一种背光模组及显示装置，以解决现有技术中驱动芯片的控制端电压过高，使得驱动芯片的功耗和温度上升的技术问题。
本申请提供一种背光模组，其包括：
多个发光单元，每一所述发光单元均具有正极和负极，至少部分所述发光单元的所述正极均接入同一初始驱动电压；
多个驱动芯片，所述驱动芯片包括控制端，所述控制端与对应的所述发光单元的所述负极对应连接，连接于同一驱动芯片的控制端的所述发光单元接入相同初始驱动电压；
多个级联设置的电压比较器，每一所述驱动芯片至少对应一所述电压比较器设置，每一所述电压比较器均具有第一输入端、第二输入端以及输出端；第N级电压比较器的第二输入端接入第N级待检测电压，所述第N级待检测电压为与所述第N级电压比较器对应的所述驱动芯片的所述控制端的电压，所述第N级电压比较器的输出端输出第N级调整电压；其中，第1级电压比较器的第一输入端接入一预设电压，第1级调整电压为所述预设电压和第1级待检测电压中电压值较小的一者；第N级电压比较器的第一输入端接入第N-1级调整电压，第N级调整电压为所述第N级待检测电压与所述第N-1级调整电压中电压值较小的一者，N为大于1的整数；以及
电压调整模块，所述电压调整模块接入第N级调整电压，所述电压调整模块用于根据所述第N级调整电压调整所述初始驱动电压。
可选的，在本申请一些实施例中，所述电压比较器与所述驱动芯片一一对应设置，所述驱动芯片包括多个控制端，每一所述控制端与对应的发光单元的负极连接，所述第N级待检测电压为与所述第N级电压比较器对应的所述驱动芯片的多个所述控制端中电压最小的一者。
可选的，在本申请一些实施例中，每一所述电压比较器均包括比较器和反相器；
在同一所述电压比较器中，所述比较器的第一极与所述第一输入端连接，所述比较器的第二极与所述第二输入端连接；所述反相器包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管的栅极和所述第二晶体管的栅极均与所述比较器的输出极连接，所述第一晶体管的源极与所述第二输入端连接，所述第二晶体管的源极与所述第一输入端连接，所述第一晶体管的漏极和所述第二晶体管的漏极均与所述输出端连接；
当所述比较器的第一极为正极性输入端，所述比较器的第二极为负极性输入端时，所述第一晶体管为N型晶体管，所述第二晶体管为P型晶体管；
当所述比较器的第一极为负极性输入端，所述比较器的第二极为正极性输入端时，所述第一晶体管为P型晶体管，所述第二晶体管为N型晶体管。
可选的，在本申请一些实施例中，所述初始驱动电压的电压值小于或等于所述发光单元正常发光时所述正极和所述负极之间的压差；
当所述第N级调整电压小于所述预设电压时，所述电压调整模块增大所述初始驱动电压。
可选的，在本申请一些实施例中，所述电压调整模块包括控制单元和电源板；
所述控制单元与所述第N级电压比较器的输出端连接，用于根据所述第N级调整电压输出一反馈电压至所述电源板；所述电源板用于在所述反馈电压的控制下调整所述初始驱动电压。
可选的，在本申请一些实施例中，所述控制单元包括微控制单元和时序控制器；
所述微控制单元与所述第N级电压比较器的输出端连接，用于对所述第N级调整电压进行处理，所述时序控制器与所述微控制单元连接，所述时序控制器包括电源管理集成芯片，所述时序控制器根据处理后的所述第N级调整电压输出一电压补偿指令至所述电源管理集成芯片，所述电源管理集成芯片根据所述电压补偿指令输出所述反馈电压。
可选的，在本申请一些实施例中，所述电源板包括控制芯片、电感、第一电阻以及第二电阻；
所述控制芯片具有输入引脚、开关引脚以及反馈引脚，所述输入引脚接入一初始电压，所述电感的一端连接至所述开关引脚，所述电感的另一端和所述第一电阻的一端连接于初始驱动电压输出端，所述第一电阻的另一端和所述第二电阻的一端均连接于反馈节点，所述反馈节点电连接至所述反馈引脚并接入所述反馈电压，所述第二电阻的另一端接地。
可选的，在本申请一些实施例中，所述发光单元包括一个或多个发光二极管。
可选的，在本申请一些实施例中，所述电压比较器集成设置在相应的所述驱动芯片内部。
可选的，在本申请一些实施例中，每一所述驱动芯片均包括数据传输引脚，相邻所述驱动芯片之间通过所述数据传输引脚连接；
其中，每一所述驱动芯片用于根据一信号传输协议并通过所述数据传输引脚输出或接收相应的调整电压。
可选的，在本申请一些实施例中，每一所述驱动芯片均包括调整电压传输引脚，设有所述第N级电压比较器的所述驱动芯片还包括反馈引脚，所述驱动芯片之间通过所述调整电压传输引脚连接，设有所述第N级电压比较器的所述驱动芯片通过所述反馈引脚连接于所述电压调整模块。
相应的，本申请还提供一种显示装置，其包括显示面板和背光模组，所述背光模组为上述任一项所述的背光模组。
本申请公开一种背光模组和显示装置。背光模组包括多个发光单元、多个驱动芯片、多个级联设置的电压比较器以及电压调整模块。其中，驱动芯片的控制端与相应的发光单元的负极连接。第1级电压比较器的第一输入端接入一预设电压，第N级电压比较器的第二输入端接入第N级待检测电压，N为大于1的整数。由于第N级待检测电压为与第N级电压比较器对应的驱动芯片中一控制端的电压，多个级联的电压比较器可以对每一驱动芯片中的至少一控制端的电压进行检测。也即，多个级联的电压比较器可根据预设电压和多个待检测电压输出第N级调整电压，然后电压调整模块用于根据第N级调整电压调整初始驱动电压。由此可避免驱动芯片的控制端的电压过高，从而降低驱动芯片的功耗，同时减少驱动芯片过热的风险。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获取其他的附图。
图1是本申请提供的背光模组的第一结构示意图；
图2是本申请提供的多个级联设置的电压比较器的结构示意图；
图3是本申请提供的发光单元和驱动芯片的连接示意图；
图4是本申请提供的背光模组的第二结构示意图；
图5是本申请提供的多个级联设置的电压比较器的第一电路示意图；
图6是本申请提供的多个级联设置的电压比较器的第二电路示意图；
图7是本申请提供的电压调整模块的一种结构示意图；
图8是本申请提供的电路板的一种结构示意图；
图9是本申请提供的背光模组的第三结构示意图；
图10是本申请提供的显示装置的一种结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获取的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“第一”和“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”和“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征，因此不能理解为对本申请的限制。
本申请提供一种背光模组及显示装置，以下进行详细说明。需要说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对本申请实施例优选顺序的限定。
请参阅图1和图2，图1是本申请提供的背光模组的第一结构示意图。图2是本申请提供的多个级联设置的电压比较器21的结构示意图。在本申请实施例中，背光模组100包括多个发光单元10、多个驱动芯片20、多个级联设置的电压比较器21以及电压调整模块30。
其中，每一发光单元10均具有正极10a和负极10b。至少部分发光单元10的正极10a均接入同一初始驱动电压VLED。
其中，每一驱动芯片20包括控制端M。控制端M与相应的发光单元10的负极10b连接。其中，每一驱动芯片20至少对应一电压比较器21设置。每一电压比较器21均具有第一输入端a、第二输入端b以及输出端c。第N级电压比较器21(N)的第二输入端b接入第N级待检测电压Vt(N)。第N级待检测电压Vt(N)为与第N级电压比较器21(N)对应的驱动芯片20的控制端M的电压。第N级电压比较器21(N)的输出端c输出第N级调整电压Va(N)。其中，第1级电压比较器21(1)的第一输入端a接入一预设电压V0。第1级调整电压Va(1)为预设电压V0和第1级待检测电压Vt(1)中电压值较小的一者。第N级电压比较器21(N)的第一输入端a接入第N-1级调整电压Va(N-1)。第N级调整电压Va(N)为第N级待检测电压Vt(N)与第N-1级调整电压Va(N-1)中电压值较小的一者。N为大于1的整数。
其中，电压调整模块30接入第N级调整电压Va(N)。电压调整模块30用于根据第N级调整电压Va(N)调整初始驱动电压VLED。第N级电压比较器21(N)可以理解为多级级联的电压比较器21中的最后一级电压比较器。
其中，多个电压比较器21可以按照图1中所示右向左依次级联，也可以从左向右依次级联，本申请对此不作限定。
其中，每一发光单元10包括一个或多个发光二极管D。发光二极管D可以是MicroLED也可以是Mini LED。比如，在本申请实施例中，每一发光单元10包括四个发光二极管D。其中，每两个发光二极管D串联在一起，然后再并联。当然，本申请实施例中的发光单元10的结构并不限于此，在此不一一赘述。
可以理解的是，驱动芯片20可以包括一个或多个控制端M。由于驱动芯片20的控制端M与发光单元10的负极10b一一对应连接。因此，第N级待检测电压Vt(N)为与第N级电压比较器21(N)对应的驱动芯片20中一控制端M的电压，也即第N级待检测电压Vt(N)为相应的发光单元10的负极10b的电压。
根据上述多个电压比较器21的级联关系可知，当驱动芯片20的多个控制端M的电压均大于预设电压V0时，第N级电压比较器21输出的调整电压为预设电压V0。当其中一驱动芯片20中至少一个控制端M的电压小于预设电压V0，且该控制端M的电压即为输入至相应电压比较器21的待检测电压Vt时，第N级电压比较器21输出的第N级调整电压Va(N)为该待检测电压Vt。由此，本申请实施例可通过判断驱动芯片20的控制端M的电压与预设电压V0的关系，进而判断驱动芯片20的控制端M的电压是否偏高。
本申请实施例在背光模组100中设置多个级联的电压比较器21。其中，第1级电压比较器21(1)的第一输入端a接入一预设电压V0。第N级电压比较器21(N)的第二端b接入第N级待检测电压Vt(N)。由于第N级待检测电压Vt(N)为与第N级电压比较器21(N)对应的驱动芯片20中一控制端M的电压，多个级联的电压比较器21可以对每一驱动芯片20中的至少一控制端M的电压进行检测。也即，多个级联的电压比较器21可根据预设电压V0和多个待检测电压输出第N级调整电压Va(N)，然后电压调整模块30根据第N级调整电压Va(N)调整初始驱动电压VLED。从而避免驱动芯片20的控制端M的电压过高，进而降低驱动芯片20的功耗，同时减少驱动芯片20过热的风险。
需要说明的是，在本申请实施例中，“多个”指的是至少两个。
本申请实施例中的背光模组100具有local dimming的功能。若发光单元10的负极10b直接接地，正极10a一旦有电压，多个发光单元10就会全部亮，此时就不具备localdimming。
在本申请实施例中，当发光单元10的数量比较少时，所有的发光单元10的正极10a均可以接入同一初始驱动电压VLED。从而减少输出初始驱动电压VLED的输出端口的数量及相应连接线路，降低背光模组100的信号产生线路的复杂性。
当然，在本申请其它实施例中，当背光模组100的尺寸较大，发光单元10的数量较多时。为了更好的实现local dimming的功能，可以将多个发光单元10划分为多个区域。每一区域的多个发光单元10的正极10a接入一个初始驱动电压VLED。也即，背光模组100中存在多个可独立控制的初始驱动电压VLED。多个初始驱动电压VLED的电压值可以相等也可以不等，具体可根据背光模组100的发光亮度需求设定。多个初始驱动电压VLED的电压值也可根据本申请实施例的方案单独调整。
具体的，请同时参阅图3，图3是本申请提供的发光单元和驱动芯片的连接示意图。将发光单元10的负极10b与驱动芯片20的控制端M相连接，进一步再与接地端连接。驱动芯片20内设有开关晶体管T0。开关晶体管T0控制发光单元10的负极10b与接地端之间的连通。如此，就可以通过驱动芯片20的控制端M实现local dimming的功能。
在本申请实施例中，初始驱动电压VLED的电压值小于或等于发光单元10正常发光时正极10a和负极10b之间的压差。当第N级调整电压Va(N)小于预设电压V0时，电压调整模块30增大初始驱动电压VLED。
可以理解的是，预设电压V0的电压值通常由驱动芯片20的工作性能决定。比如，当驱动芯片20在控制端M的电压低于0.2V的时候，会出现工作异常的情况。所以要保证驱动芯片20的控制端M的电压不低于0.2V。在本申请实施例中，预设电压V0的电压范围为0.2V-0.5V。比如，预设电压V0可以是0.2V、0.3V、0.4V、0.5V等。
此外，如图1所示，假设发光单元10在发光时的压降为3V，每个发光单元10包括4个发光二极管D。而每一发光二极管D在制程中存在偏差，实际发光压降可能在2.8V-3.3V之间。则每个发光单元10正常发光需要的电压为6V左右。相关背光模组中，为了保证所有发光二极管D都可以亮，通常会把初始驱动电压VLED设置的比较大，比如设为7.5V。如果某一发光单元10内的发光二极管D的发光压降恰好均为2.8V，那该发光单元10正常发光只需要5.6V的电压。此时，多余的电压会落在驱动芯片20的控制端M。多余的电压约为7.5-5.6＝1.9V。这样就可能会造成驱动芯片20过热以及功耗增加，存在损坏的风险。
因此，本申请实施例设置初始驱动电压VLED的电压值小于或等于发光单元10正常发光时正极10a和负极10b之间的压差。此时，控制端M的电压会小于预设电压V0。第N级电压比较器21输出的第N级调整电压Va(N)会小于预设电压V0。电压调整模块30即可根据第N级调整电压Va(N)增大初始驱动电压VLED。依次循环，直至第N级调整电压Va(N)等于预设电压V0。
本申请实施例可避免驱动芯片20的控制端M的电压过高，从而降低驱动芯片20的功耗和温度。同时，通过电压调整模块30的调整功能可以保证驱动芯片20正常工作一级发光单元10正常发光。
当然，在本申请实施例中，也可以设置初始驱动电压VLED的电压值大于发光单元10正常发光时正极10a和负极10b之间的压差。如此，可以设定预设电压V0的值稍大于驱动芯片20正常工作时控制端M的电压。此时，驱动芯片20的控制端M的电压会大于预设电压V0。则第N级电压比较器21输出的第N级调整电压Va(N)为预设电压V0。此时，说明初始驱动电压VLED的电压值较大，则电压调整模块30可根据第N级调整电压Va(N)减小初始驱动电压VLED。依次循环，直至第N级调整电压Va小于预设电压V0。
在本申请实施例中，对应每一驱动芯片20可以设置至少一个电压比较器21。比如，对应每一驱动芯片可以设置一个电压比较器21、五个电压比较器21、二十个电压比较器21等。
当对应每一驱动芯片20设置一个电压比较器21时，第N级待检测电压Vt(N)可以是与第N级电压比较器21(N)对应的驱动芯片20中任一控制端M的电压。也即，多个级联的电压比较器21对每一驱动芯片20中的任意一个控制端M的电压进行检测。从而通过随机检测驱动芯片20的控制端M的电压，反应驱动芯片20的整体工作状态。
在其它实施例中，当对应每一驱动芯片20设置一个电压比较器21时，第N级待检测电压Vt(N)可以是与第N级电压比较器21(N)对应的驱动芯片20的多个控制端M中电压最小的一者。也即驱动芯片20可以对其内的多个控制端M的电压进行侦测，然后将多个控制端M中电压最小的一者输出至对应的电压比较器21。从而可以更精确的反映出驱动芯片20的工作状态，经电压调整模块30的调整后，能够保证每一发光单元10均能正常发光。
当然，在另一些实施例中，可以对应每一控制端M设置一电压比较器21，以对每一控制端M的电压进行检测，提高检测的精确度。
请继续参阅图1，在本申请实施例中，电压比较器21集成设置在相应的驱动芯片20内部。由此，可以提高驱动芯片20的集成度。同时减小背光模组100中的走线，降低走线密集度，避免出现信号串扰或走线短路。同理，若考虑到驱动芯片20的尺寸有限，可以在每一驱动芯片20内仅设置一个电压比较器21。
此外，在本申请实施例中，每一驱动芯片20均包括数据传输引脚20a。相邻驱动芯片20之间通过数据传输引脚20a连接。设有第N级电压比较器21(N)的驱动芯片20通过数据传输引脚20a连接于电压调整模块30。其中，每一驱动芯片20用于根据一信号传输协议并通过数据传输引脚20a输出或接收相应的调整电压。
其中，数据传输引脚20a为驱动芯片20原有的引脚，用于传输背光控制信号等。传输协议由驱动芯片20的内部代码控制。比如，可通过传输协议改变数据传输引脚20a的传输数据位，在传输背光控制信号的同时传输相应的的调整电压。
由于电压比较器21集成设置在相应的驱动芯片20内部，对于第N-1级电压比较器21(N)而言，可以通过第N-1级电压比较器21(N-1)所在的驱动芯片20已有的数据传输引脚20a将第N-1级调整电压Va(N)输出至第N级电压比较器21(N)。由此，不需要额外增加驱动芯片20的引脚，从而减小驱动芯片20的尺寸。
当然，在本申请其它实施例中，请参阅图4，图4是本申请提供的背光模组的第二结构示意图。与图1所述的背光模组100的不同之处在于，在本申请实施例中，每一驱动芯片20均包括调整电压传输引脚20b。设有第N级电压比较器21(N)的驱动芯片20还包括反馈引脚20c。驱动芯片20之间通过调整电压传输引脚20b连接。设有第N级电压比较器21(N)的驱动芯片20通过反馈引脚20c连接于电压调整模块30。
当然，在本申请实施例中，在批量生产驱动芯片20的基础上，每一驱动芯片20均可以包括反馈引脚20c。
在本申请实施例中，每一驱动芯片20仍包括数据传输引脚20a。调整电压传输引脚20b是额外设置的引脚，直接通过调整电压传输引脚20b单独传输相应的调整电压。
请参阅图5，图5是本申请提供的多个级联设置的电压比较器的第一电路示意图。在本申请实施例中，每一电压比较器21均包括比较器211和反相器212。
在同一电压比较器21中，比较器211的第一极与第一输入端a连接。比较器211的第二极与第二输入端b连接。反相器212包括第一晶体管T1和第二晶体管T2。第一晶体管T1的栅极和第二晶体管T2的栅极均与比较器211的输出极连接。第一晶体管T1的源极与第二输入端b连接。第二晶体管T2的源极与第一输入端a连接。第一晶体管T1的漏极和第二晶体管T2的漏极均与输出端c连接。
本申请所有实施例中采用的晶体管可以为薄膜晶体管或场效应管或其他特性相同的器件，由于这里采用的晶体管的源极、漏极是对称的，所以其源极、漏极是可以互换的。在本申请实施例中，为区分晶体管除栅极之外的两极，将其中一极称为源极，另一极称为漏极。按附图中的形态规定开关晶体管的中间端为栅极、信号输入端为源极、输出端为漏极。此外本申请实施例所采用的晶体管可以包括P型晶体管和/或N型晶体管两种，其中，P型晶体管在栅极为低电平时导通，在栅极为高电平时截止，N型晶体管为在栅极为高电平时导通，在栅极为低电平时截止。
在本申请实施例中，当比较器211的第一极为正极性输入端，比较器211的第二极为负极性输入端时，第一晶体管T1为N型晶体管，第二晶体管T2为P型晶体管。
具体的，在第1级电压比较器21(1)中，比较器211的正极性输入端接入预设电压V0。比较器211的负极性输入端接入第1级待检测信号Vt(1)。当预设电压V0的电压值大于第1级待检测信号Vt(1)的电压值时，比较器211输出高电平信号。此时，第一晶体管T1打开，第二晶体管T2关闭。反相器212输出的第1级调整电压Va(1)为第1级待检测信号Vt(1)。当预设电压V0的电压值小于第1级待检测信号Vt(1)的电压值时，比较器211输出低电平信号。此时，第一晶体管T1关闭，第二晶体管T2打开。反相器212输出的第1级调整电压Va(1)为预设电压V0。
在第二级电压比较器21(2)中，比较器211的正极性输入端接入第1级调整电压Va(1)。比较器211的负极性输入端接入第二级待检测信号Vt(2)。当第1级调整电压Va(1)的电压值大于第二级待检测信号Vt(2)的电压值时，比较器211输出高电平信号。此时，第一晶体管T1打开，第二晶体管T2关闭。反相器212输出第二级待检测信号Vt(2)。当第1级调整电压Va(1)的电压值小于第二级待检测信号Vt(2)的电压值时，比较器211输出低电平信号。此时，第一晶体管T1关闭，第二晶体管T2打开。反相器212输出第1级调整电压Va(1)的电压值。
需要说明的是，本申请实施例以第1级电压比较器21(1)和第二级电压比较器21(2)为例进行说明，但不能理解为对本申请的限定。
请参阅图6，图6是本申请提供的多个级联设置的电压比较器的第二电路示意图。与图4所示的多个级联设置的电压比较器21的不同之处在于，在本申请实施例中，当比较器211的第一极为负极性输入端，比较器211的第二极为正极性输入端时，第一晶体管T1为P型晶体管，第二晶体管T2为N型晶体管。
具体的，在第1级电压比较器21(1)中，比较器211的正极性输入端接入第1级待检测信号Vt(1)。比较器211的负极性输入端接入预设电压V0。当预设电压V0的电压值大于第1级待检测信号Vt(1)的电压值时，比较器211输出低电平信号。此时，第一晶体管T1打开，第二晶体管T2关闭。反相器212输出的第1级调整电压Va(1)为第1级待检测信号Vt(1)。当预设电压V0的电压值小于第1级待检测信号Vt(1)的电压值时，比较器211输出低电平信号。此时，第一晶体管T1关闭，第二晶体管T2打开。反相器212输出的第1级调整电压Va(1)为预设电压V0。
在第二级电压比较器21(2)中，比较器211的正极性输入端接入第二级待检测信号Vt(2)。比较器211的负极性输入端接入第1级调整电压Va(1)。当第1级调整电压Va(1)的电压值大于第二级待检测信号Vt(2)的电压值时，比较器211输出高电平信号。此时，第一晶体管T1打开，第二晶体管T2关闭。反相器212输出第二级待检测信号Vt(2)。当第1级调整电压Va(1)的电压值小于第二级待检测信号Vt(2)的电压值时，比较器211输出低电平信号。此时，第一晶体管T1关闭，第二晶体管T2打开。反相器212输出第1级调整电压Va(1)的电压值。
请同时参阅图1和图7，图7是本申请提供的电压调整模块的结构示意图。在本申请实施例中，电压调整模块30包括控制单元31和电源板32。
其中，控制单元31与第N级电压比较器21的输出端c连接，以接入第N级调整电压Va(N)。控制单元31用于根据第N级调整电压Va(N)输出一反馈电压Vf至电源板32。电源板32用于在反馈电压Vf的控制下调整初始驱动电压VLED。
进一步的，控制单元31包括微控制单元(Microcontroller Unit,MCU)311和时序控制器312。微控制单元311与第N级电压比较器21的输出端c连接。微控制单元311用于对第N级调整电压Va(N)进行处理。比如进行模数转换、降噪处理等。时序控制器312与微控制单元311连接。时序控制器312包括电源管理集成芯片3120。时序控制器312根据处理后的第N级调整电压Va(N)输出一电压补偿指令至电源管理集成芯片3120。电源管理集成芯片3120根据电压补偿指令输出反馈电压Vf。
其中，微控制单元311又称单片微型计算机或者单片机，是把中央处理器的频率与规格做适当缩减，并将内存、计数器、模数转换器、存储器等周边接口，甚至面板驱动电路都整合在一起的单一芯片。
其中，时序控制器312可将第N级调整电压Va(N)的电压值与预设电压V0的电压进行比较，判断是否需要调整初始驱动电压VLED。若需要调整，则输出电压补偿指令至电源管理集成芯片3120。电源管理集成芯片3120根据电压补偿指令输出反馈电压Vf。电压补偿指令可以是指示电源管理集成芯片3120输出反馈电压Vf的电压值大小的指令。
当然，在本申请一些实施例中，控制单元31可以仅包括时序控制器312。时序控制器312直接接收第N级调整电压Va(N)。具体可根据时序控制器312的逻辑功能进行设计，本申请对此不作限定。
请参阅图8，图8是本申请提供的电源板的一种结构示意图。在本申请实施例中，电源板32包括至少一电压调整电路32A。每一电压调整电路32A包括控制芯片320、电感L、第一电阻R1以及第二电阻R2。
具体的，控制芯片320具有输入引脚VIN、开关引脚SW以及反馈引脚FB。输入引脚VIN接入一初始电压Vin。电感L的一端连接至开关引脚SW。电感L的另一端和第一电阻R1的一端连接于初始驱动电压输出端。第一电阻R1的另一端和第二电阻R2的一端连接于反馈节点K。反馈节点K连接至反馈引脚FB并接入反馈电压Vf。第二电阻R2的另一端接地。
其中，控制芯片320为电压转换芯片，通常为降压芯片。初始电压Vin通过控制芯片320的内部逻辑电路转换为一电压由开关引脚SW输出。开关引脚SW通过外部电感L过滤，以及反馈回路(第一电阻R1和第二电阻R2)检测输出电压，从而达到稳压功能。
其中，反馈引脚FB的电位固定，由控制芯片320决定。比如，反馈引脚FB的电位为0.8V，故流过第二电阻R2的电流IR2＝0.8/R2，为一定值。
在本申请实施例中，当时序控制器312识别到需要提高初始驱动电压VLED时，会发送电压补偿指令至电源管理集成芯片3120。电源管理集成芯片3120通过输出反馈电压Vf至反馈引脚FB，增加流经第一电阻R1的电流。此时，流经第一电阻R1的电流IR1＝IR2+Vf/R2，当反馈电压Vf增加时，流经第一电阻R1的电流IR1电流也增大。初始驱动电压VLED＝0.8+(IR2+Vf/R2)*R1。其中，R2、R1均为定值，故当反馈电压增加时，初始驱动电压VLED相应增加。
进一步的，电压调整电路32A还包括第一电容C1和第二电容C2。第一电容C1的一端连接至输入引脚VIN，第二电容C2的一端连接初始驱动电压输出端。第一电容C1的另一端和第二电容C2的另一端均连接至接地端。第一电容明C1和第二电容C2起到稳压的作用。
进一步的，在一些实施例中，电源板32还需要在外部开关引脚SW与接地端之间连接一个肖特基二极管D1，此可根据控制芯片320的内部逻辑电路进行设置，在此不再赘述。
当然，在本申请实施例中，电源板32还可以包括其它电路结构，只要能够根据反馈电压Vf实现对初始驱动电压VLED的调整即可。
此外由有上述实施例可知，背光模组100中可以存在多个独立的初始驱动电压VLED，以分区驱动多个发光单元10发光。对此，电源板32可以包括多个电压调整电路32A，以输出多个独立的初始驱动电压VLED。电源板32的数量可以与初始驱动电压VLED的个数一一对应。
请参阅图9，图9是本申请提供的背光模组的第二结构示意图。与图1所示的背光模组100的不同之处在于，在本申请实施例中，多个级联设置的电压比较器21设置在驱动芯片20的外部。
由此，本申请实施例可进一步降低驱动芯片20的功耗，避免驱动芯片20的温度过高引起工作不良。
相应的，本申请还提供一种显示装置，其包括显示面板和背光模组。背光模组为上述任一实施例的背光模组100，在此不再赘述。此外，显示装置可以是智能手机、平板电脑、电子书阅读器、智能手表、摄像机、游戏机等，本申请对此不作限定。
具体的，请参阅图10，图10是本申请提供的显示装置的一种结构示意图。显示装置包括相对设置的背光模组100和显示面板200。背光模组100用于提供显示面板200正常显示所需的光源。
在本申请提供的显示装置1000中，背光模组包括多个发光单元、多个驱动芯片、多个级联设置的电压比较器以及电压调整模块。其中，驱动芯片的控制端与接入同一初始驱动电压的发光单元的负极一一对应连接。第1级电压比较器的第一输入端接入一预设电压，第N级电压比较器的第二输入端接入第N级待检测电压，N为大于等于1的整数。由于第N级待检测电压为与第N级电压比较器对应的驱动芯片中一控制端的电压，多个级联的电压比较器可以对每一驱动芯片中的至少一控制端的电压进行检测。也即，多个级联的电压比较器可根据预设电压和多个待检测电压输出第N级调整电压，然后电压调整模块用于根据第N级调整电压调整初始驱动电压。由此可避免驱动芯片的控制端的电压过高，从而降低驱动芯片的功耗和温度，提高显示装置1000的品质。
以上对本申请提供的背光模组及显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (12)

1.一种背光模组，其特征在于，包括：
多个发光单元，每一所述发光单元均具有正极和负极，至少部分所述发光单元的所述正极均接入同一初始驱动电压；
多个驱动芯片，所述驱动芯片包括控制端，所述控制端与对应的所述发光单元的所述负极连接，连接于同一驱动芯片的控制端的所述发光单元接入相同的所述初始驱动电压；
多个级联设置的电压比较器，每一所述驱动芯片至少对应一所述电压比较器设置，每一所述电压比较器均具有第一输入端、第二输入端以及输出端；第N级电压比较器的第二输入端接入第N级待检测电压，所述第N级待检测电压为与所述第N级电压比较器对应的所述驱动芯片的所述控制端的电压，所述第N级电压比较器的输出端输出第N级调整电压；其中，第1级电压比较器的第一输入端接入一预设电压，第1级调整电压为所述预设电压和第1级待检测电压中电压值较小的一者；第N级电压比较器的第一输入端接入第N-1级调整电压，第N级调整电压为所述第N级待检测电压与所述第N-1级调整电压中电压值较小的一者，N为大于1的整数；以及
电压调整模块，所述电压调整模块接入所述第N级调整电压，所述电压调整模块用于根据所述第N级调整电压调整所述初始驱动电压。
2.根据权利要求1所述的背光模组，其特征在于，所述电压比较器与所述驱动芯片一一对应设置，所述驱动芯片包括多个控制端，每一所述控制端与对应的发光单元的负极连接，所述第N级待检测电压为与所述第N级电压比较器对应的所述驱动芯片的多个所述控制端中电压最小的一者。
3.根据权利要求1所述的背光模组，其特征在于，每一所述电压比较器均包括比较器和反相器；
在同一所述电压比较器中，所述比较器的第一极与所述第一输入端连接，所述比较器的第二极与所述第二输入端连接；所述反相器包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管的栅极和所述第二晶体管的栅极均与所述比较器的输出极连接，所述第一晶体管的源极与所述第二输入端连接，所述第二晶体管的源极与所述第一输入端连接，所述第一晶体管的漏极和所述第二晶体管的漏极均与所述输出端连接；
当所述比较器的第一极为正极性输入端，所述比较器的第二极为负极性输入端时，所述第一晶体管为N型晶体管，所述第二晶体管为P型晶体管；
当所述比较器的第一极为负极性输入端，所述比较器的第二极为正极性输入端时，所述第一晶体管为P型晶体管，所述第二晶体管为N型晶体管。
4.根据权利要求1所述的背光模组，其特征在于，所述初始驱动电压的电压值小于或等于所述发光单元正常发光时所述正极和所述负极之间的压差；
当所述第N级调整电压小于所述预设电压时，所述电压调整模块增大所述初始驱动电压。
5.根据权利要求1所述的背光模组，其特征在于，所述电压调整模块包括控制单元和电源板；
所述控制单元与所述第N级电压比较器的输出端连接，用于根据所述第N级调整电压输出一反馈电压至所述电源板；所述电源板用于在所述反馈电压的控制下调整所述初始驱动电压。
6.根据权利要求5所述的背光模组，其特征在于，所述控制单元包括微控制单元和时序控制器；
所述微控制单元与所述第N级电压比较器的输出端连接，用于对所述第N级调整电压进行处理，所述时序控制器与所述微控制单元连接，所述时序控制器包括电源管理集成芯片，所述时序控制器根据处理后的所述第N级调整电压输出一电压补偿指令至所述电源管理集成芯片，所述电源管理集成芯片根据所述电压补偿指令输出所述反馈电压。
7.根据权利要求5所述的背光模组，其特征在于，所述电源板包括至少一电压调整电路，每一所述电压调整电路包括控制芯片、电感、第一电阻以及第二电阻；
所述控制芯片具有输入引脚、开关引脚以及反馈引脚，所述输入引脚接入一初始电压，所述电感的一端连接至所述开关引脚，所述电感的另一端和所述第一电阻的一端连接于初始驱动电压输出端，所述第一电阻的另一端和所述第二电阻的一端均连接于反馈节点，所述反馈节点电连接至所述反馈引脚并接入所述反馈电压，所述第二电阻的另一端接地。
8.根据权利要求1所述的背光模组，其特征在于，所述发光单元包括一个或多个发光二极管。
9.根据权利要求1-8任一项所述的背光模组，其特征在于，所述电压比较器集成设置在相应的所述驱动芯片内部。
10.根据权利要求9所述的背光模组，其特征在于，每一所述驱动芯片均包括数据传输引脚，相邻所述驱动芯片之间通过所述数据传输引脚连接，设有所述第N级电压比较器的所述驱动芯片通过所述数据传输引脚连接于所述电压调整模块；
其中，每一所述驱动芯片用于根据一信号传输协议并通过所述数据传输引脚输出或接收相应的调整电压。
11.根据权利要求9所述的背光模组，其特征在于，每一所述驱动芯片均包括调整电压传输引脚，设有所述第N级电压比较器的所述驱动芯片还包括反馈引脚，所述驱动芯片之间通过所述调整电压传输引脚连接，设有所述第N级电压比较器的所述驱动芯片通过所述反馈引脚连接于所述电压调整模块。
12.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括显示面板和背光模组，所述背光模组为权利要求1-11任一项所述的背光模组。
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