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CN114628914A - 一种双波段激光低反射的多功能材料结构 - Google Patents

一种双波段激光低反射的多功能材料结构 Download PDF

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CN114628914A CN202210345469.3A CN202210345469A CN114628914A CN 114628914 A CN114628914 A CN 114628914A CN 202210345469 A CN202210345469 A CN 202210345469A CN 114628914 A CN114628914 A CN 114628914A
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Abstract

本发明提供了一种双波段激光低反射的多功能材料结构,包括超表面和微波吸收器。超表面为包含两种不同尺寸单元结构的双台阶结构,当双波段激光入射到超表面后,电磁波波前将被调制,使得反射光被散射至四个非镜面方向以减少回波信号,实现双波段激光低反射。由于对入射的红外电磁波并没有吸收效果,该超表面结构能保持红外低辐射。超表面阵列中存在的周期狭缝能使得入射的微波完全透过,并被位于下方的微波吸收器吸收掉。本发明实现了对多波段电磁波的调控。双台阶超表面结构简单,可以与纳米压印制备工艺完美兼容,为实现多波段兼容的跨尺度结构的大面积制备提供了一种有效的解决方案,具有重要的实际应用价值。

Description

一种双波段激光低反射的多功能材料结构
技术领域
本发明涉及多波段电磁波调控的技术领域,具体涉及一种可大面积制备的双波段激光低反射的多功能材料结构。
背景技术
随着探测技术的迅速发展,基于不同原理、工作在不同波段的探测器常被结合起来使用,形成多段互补的探测手段。常用的探测器包括主动探测器和被动探测器,其中主动探测器包括激光探测器和微波探测器,激光探测器工作波长主要包括0.93μm,1.06μm,1.54μm,和10.6μm,其中1.06μm和10.6μm两个波长最为主要,微波探测器主要工作波长为1mm-1000mm,要实现对以上探测器的不可见,需要降低目标散射回波。被动探测器包括红外探测器,红外探测器的常用工作波长包括3-5μm和8-14μm,要实现对红外探测器的不可见,要求材料具有低红外辐射特征,对应的是对该波段电磁波的高反射、低吸收特性。红外探测器与激光探测器的工作波段有重叠。可见,要实现对多种探测器的同时不可见,需要材料在覆盖从微米到厘米的宽光谱范围内不同的性能。另外,激光探测器有两个主要的工作波长1.06μm和10.6μm,传统的超表面阵列只能在其中一个波段降低目标散射回波,而无法兼顾两个波段范围,从而导致物体被激光探测器发现。同时复杂超表面阵列在兼容更多波段的同时保证材料的大面积低成本制备是另一个亟待解决的关键难题。
发明内容
为了解决上述问题,本发明提供了一种双波段激光低反射的多功能材料结构,该材料结构能够大面积制备,且具有双波段激光低反射、红外低辐射与微波高吸收特性,该材料结构由全金属超表面和微波吸收器复合组成。当双波段激光入射到超表面后,电磁波波前将被调制,使得反射光被散射至四个非镜面方向以减少回波信号,实现双波段激光低反射。由于对入射的红外电磁波并没有吸收效果,该超表面结构能保持红外低辐射。同时,超表面中存在的周期狭缝能使得入射的微波完全透过超表面,并被位于下方的微波吸收器吸收掉。更巧妙地,所设计的全金属超表面结构简单,可以与纳米压印制备工艺完美兼容,使得该双波段激光低反射、红外低辐射与微波高吸收一体化结构材料可以实现大面积、低成本制备。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案为:
一种双波段激光低反射的多功能材料结构,所述材料结构包括超表面和微波吸收器,所述超表面包括金属衬底、两种不同尺寸的金属单元结构和介质层I;所述两种不同尺寸的金属单元结构分别为大单元结构和小单元结构;所述大单元结构在金属衬底上交错排列,小单元结构在金属衬底和大单元结构上交错排列;相邻的所述金属衬底间具有狭缝,所述金属衬底制备在所述介质层I上;
所述微波吸收器包括N层微波吸收器单元和金属层,其中,N≥1;所述金属层用于阻止微波透过;所述微波吸收器单元包括薄膜电阻层、作为薄膜电阻层基底的第一介质层、以及第二介质层;所述薄膜电阻层和第二介质层共同用于调节微波吸收器阻抗。
进一步的,所述金属层包括薄膜电阻层IV和介质层VIII;所述薄膜电阻层IV用于阻止微波透过,所述介质层VIII是薄膜电阻层IV的基底,用于支撑薄膜电阻层IV。
进一步的,所述大单元结的水平截面为正方形,小单元结构的水平截面为轴对称图形,金属衬底的水平截面为正方形。所述小单元结构的水平截面优选的可为正方形、三角形、圆形。
进一步的,所述小单元结构的高度为h1且0.245λ1≤h1≤0.27λ1,所述小单元结构的排列周期为p1且1.32λ1≤p1≤4.716λ1,所述λ1为所述双波段中波段一的中心波长;所述小单元结构的水平截面为边长为d1的正方形,d1与p1的比例系数为x1且0.4≤x1≤0.5;
所述大单元结构的高度为h2且0.245λ2≤h2≤0.27λ2,所述大单元结构的排列周期为p2且1.32λ2≤p2≤4.716λ2,所述λ2为所述双波段中波段二的中心波长;所述大单元结构的水平截面为边长为d2的正方形,d2与p2之间的比例系数为x2且0.4≤x2≤0.5。
进一步的,所述小单元结构、大单元结构和金属衬底的材质为金、银、铝、铜和铂中的任一种。
进一步的,所述金属衬底的排列周期为p3且180μm≤p3≤320μm,水平截面为边长为d3的正方形,d3与p3之间的比例系数为x3且0.9≤x3≤0.94;所述金属衬底的厚度为0.1μm-0.2μm。
进一步的,所述微波吸收器的周期为p4且8mm≤p4≤20mm,所述薄膜电阻层的水平截面为正方形,该正方形的边长与p4之间的比例系数位于0.8-0.98范围内。
进一步的,所述介质层I和所述第一介质层的厚度的取值范围为0.1-0.2μm,介电常数的取值范围为2-6,介电损耗tanδ1的取值范围为0.001-0.09;所述微波吸收器单元中调节微波吸收器工作波段的第二介质层的厚度的取值范围为2-10mm,介电常数的取值范围为1-5,介电损耗tanδ2的取值范围为0.001-0.03。
进一步的,所述微波吸收器单元的薄膜电阻层的方阻Rs的取值范围为80-300Ω/□;所述金属层为金属板。
进一步的,所述N的值为3,所述薄膜电阻层IV的取值范围为5-6Ω/□;所述介质层VIII的厚度为0.1-0.2μm,介电常数的取值范围为2-6,介电损耗的取值范围为0.001-0.09。
本发明具有以下有益效果:
本发明巧妙地结合了全金属超表面与微波吸波器,能实现对包含双波段激光、红外波段以及微波波段的同时操控,突破了传统单一功能伪装材料的限制,拓展了应用范围。同时,得益于纳米压印技术的发展,可以在加工双台阶压模的基础上,采取纳米压印的方法一次性加工双台阶全金属超表面结构,为实现多波段兼容的跨尺度结构的大面积制备提供了一种非常有效的解决方案。
附图说明
图1为本发明实施例1的层状结构示意图;
图2为实施例1的超表面的结构示意图;
图3为实施例1的小单元结构和大单元结构剖视图;
图4为实施例1的超表面的金属衬底在介质层I上的排布图;
图5为实施例1中超表面正入射下在8-14μm波段内吸收率(发射率)仿真结果;
图6为实施例1中超表面正入射下在1-1.2μm(图6(a))及9-12μm(图6(b))波段内的反射光相位及其差值仿真结果;
图7为实施例1中超表面在1.06μm(图7(a))和10.6μm(图7(b))激光正入射下的远场散射三维示意图仿真结果;
图8为实施例1中微波吸收器在2-26GHz波段内的吸收率仿真结果;
图9为实施例1中制备的双波段激光低反射、红外低辐射与微波高吸收一体化结构材料样品实物图;
图10为实施例1中所制备样品的测试结果:
图10(a)为TE和TM极化正入射下在0.9-1.2μm波段内的反射率测试结果;
图10(b)为TE和TM极化正入射下在9-12μm波段内的反射率测试结果;
图10(c)为TE和TM极化正入射下在2-26GHz波段内的微波吸收率测试结果;
图10(d)为通过热像仪测试得到的结果。
附图标记:1为超表面、2为介质层I、3为薄膜电阻层I、4为介质层II、5为介质层III,6为薄膜电阻层II、7为介质层IV、8为介质层V、9为薄膜电阻层III、10为介质层VI、11为介质层VII、12为薄膜电阻层IV、13为介质层VIII、14为小单元结构、15为大单元结构、16为金属衬底。
具体实施方式
下面结合附图及具体实施方式对本发明进行详细说明,但本发明的保护范围并不仅限于下面实施例,应包括权利要求书中的全部内容。而且本领域技术人员从以下的一个实施例即可实现权利要求中的全部内容。
如图1所示本发明所述的双波段激光低反射的材料结构的层状结构示意图。材料结构包括超表面和微波吸收器。如图1-2所示,超表面包括金属衬底16、两种不同尺寸的金属单元结构和介质层I2。大单元结构15在金属衬底16上按交错排列,小单元结构14在金属衬底16和大单元结构15上交错排列,即在有大单元结构15存在的地方,小单元结构14位于大单元结构15之上,形成双台阶结构。小单元结构14的排布周期为p1,大单元结构15的排布周期为p2;相邻金属衬底16间具有狭缝,金属衬底16制备在介质层I2上方,介质层I2作为基底用以支撑如图2所示的金属衬底16和大单元结构15、小单元结构14。所有附图中所示出的结构的数量仅为示意性示出,并不是对具体数量的限制。超表面可以通过大单元结构15、小单元结构14控制双波段激光的反射方向来减少回波信号,实现双波段激光低反射。并且由于金属材料低红外辐射的性质,该超表面能保持红外低辐射,实现对红外探测器的不可见。此外,如图4所示金属衬底16间的周期狭缝能使得入射的微波完全透过超表面进入微波吸收器,并被微波吸收器吸收掉。
这里对方位的说明,只为方便结合附图进行说明,并不是对位置的限制。微波吸收器从上到下依次包括N(N≥1)层微波吸收器单元、金属层;金属层用于阻止微波透过。通常情况下,金属层可以直接使用金属板,金属板同样可以阻止微波透过。本实施例中为方便采用与微波吸收器单元相同工艺进行加工,金属层采用薄膜电阻层IV12和介质层VIII13共同构成。薄膜电阻层IV12的作用是阻止微波透过;如果材料结构的薄膜电阻层允许微波透过的话,会存在部分微波被反射回空气中,这部分微波容易被微波探测器捕获,材料结构就失去了对微波探测器不可见的功能。介质层VIII13是薄膜电阻层IV12的基底,用于支撑薄膜电阻层IV12,加强其力学性能。微波吸收器单元从上到下依次包括薄膜电阻层、作为薄膜电阻层基底的第一介质层和第二介质层。微波吸收器单元的薄膜电阻层和第二介质层的作用是调节微波吸收阻抗、最大化微波损耗。入射的微波能在薄膜电阻层上激发表面电流,产生欧姆损耗,是微波被吸收损耗的主要原因。当微波吸收器单元的介质层参数、薄膜电阻层参数发生改变时,微波吸收器吸收波段将发生变化。
本实施例中微波吸收器从上到下依次包括3层微波吸收器单元、薄膜电阻层IV12和介质层VIII13。3层微波吸收器单元的薄膜电阻层分别为薄膜电阻层I3、薄膜电阻层II6、薄膜电阻层III9;3层微波吸收器单元的作为薄膜电阻层基底的第一介质层分别为介质层II4、介质层IV7、介质层VI10;微波吸收器单元的作为调节微波吸收器工作波段的第二介质层分别为介质层III5,介质层V8、介质层VII11。
结合附图2,首先说明本实施例中超表面实现对双波段激光反射方向控制的基本原理,如下:
通过单元结构与金属衬底16之间的高度差,在电磁波入射后形成光程差和相位差,当单元结构按照棋盘格结构交错排布时,就可以得到在x和y方向上均有相位梯度分布的超表面。根据广义折反射定律,具有相位梯度分布的超表面可以将入射光反射到指定的方向上。当相邻的单元结构和金属基底之间的反射光相位差为ΔΦ=π时,超表面在x和y方向的相位梯度均为dΦ=π,此时反射光将会被散射到四个非镜面方向上,进而极大地降低镜面反射率。散射场具体的方位角和仰角可以通过以下公式计算:
Figure BDA0003580700750000051
Figure BDA0003580700750000052
其中,λ为入射波长,px和py分别表示单元结构在x和y方向的周期。此外,利用麦克斯韦方程组的可缩放特性,通过缩放单元结构的几何尺寸能实现对其工作波段的调节。因此,可以在一个超表面上同时构造两种不同尺寸的单元结构得到双台阶结构,以实现双波段波前调制,达到双波段激光低反射的目的。大单元结构15与金属衬底16间的高度差为其高度h2,小单元结构14与金属衬底16间的高度差为其高度h1,加工在大单元结构15上的小单元结构14的高度h1使得电磁波入射后形成光程差和相位差。小单元结构14的高度h1与大单元结构15的高度h2的高度不同,其工作的波段也不相同,实现了不同波段的激光低反射的目的。更巧妙地,这种简单且有效的双台阶结构可以完美兼容纳米压印技术,是该多波段兼容的跨尺度结构实现大面积、低成本制备的关键。
其次,说明本实施例低红外发射原理,如下:
红外大气窗口波长为3-5μm和8-14μm,根据基尔霍夫定律,红外发射率等于红外吸收率,由于金属材料对入射的红外电磁波并没有吸收效果,因此金属材料能保持红外低辐射,实现对红外探测器的不可见。本实施例中,大单元结构15、小单元结构14和金属衬底16均为金属材质,具有红外低辐射的特性。但是为了加强三者的力学性能,采用介质层I2作为金属衬底16的基底,而为了使微波透过超表面,在相邻金属衬底16间设置狭缝,但介质层I2会对透过金属衬底16的微波的红外电磁波部分进行吸收,并向外进行红外辐射。只有当超表面的金属材料所占表面积比例足够大,才能使向外辐射的红外电磁波足够少,从而避免被红外探测器发现。
最后,说明本实施例中微波吸收器的吸波原理如下:
材料的微波吸收率可以通过A=1-R-T计算得到,由于薄膜电阻层IV12能阻止电磁波透过,因此微波吸收器的透射率T=0,当微波吸收器整体阻抗与空气阻抗匹配时,微波吸收器的反射率R=0,此时,A=1-R-T=1,实现微波完美吸收。通过改变薄膜电阻层的方阻、尺寸、周期、薄膜电阻层之间的距离就可以对材料阻抗进行调节,以尽可能在更宽的波段内完成阻抗匹配,实现宽带吸波效果。
大单元结构15的水平截面为正方形,小单元结构14的水平截面可以设置为轴对称图形,在实际使用中可以将水平截面选择为正方形、三角形、圆形中的任一种;金属衬底16的水平截面为正方形。
小单元结构14的高度为h1且0.245λ1≤h1≤0.27λ1,λ1为波段一的中心波长;小单元结构14的排列周期为p1且1.32λ1≤p1≤4.716λ1;小单元结构14的水平截面为正方形时边长为d1,水平截面为圆形时,直径为d1,d1与p1的比例系数为x1且0.4≤x1≤0.5;
大单元结构15高度为h2且0.245λ2≤h2≤0.27λ2;排列周期为p2且1.32λ2≤p2≤4.716λ2,λ2为波段二的中心波长;大单元结构15的边长为d2,d2与p2之间的比例系数为x2且0.4≤x2≤0.5。
金属衬底16的排列周期为p3且180μm≤p3≤320μm,水平截面为边长为d3的正方形,d3与p3之间的比例系数为x3且0.9≤x3≤0.94;金属衬底的厚度为0.1μm-0.2μm。
小单元结构14、大单元结构15和金属衬底16的材质可以为金、银、铝、铜或铂中的任一种。
微波吸收器的周期为p4且8mm≤p4≤20mm,微波吸收器的薄膜电阻层的水平截面可以为圆形、正方形、单环形或多环形,为正方形时,正方形边长与p4之间的比例系数位于0.8-0.98范围内。为圆形时,直径与p4之间的比例系数位于0.8-0.98范围内。
介质层I2和微波吸收器单元中作为薄膜电阻层基底的介质层的厚度的取值范围为0.1-0.2μm,介电常数的取值范围为2-6,介电损耗tanδ1的取值范围为0.001-0.09;微波吸收器单元中调节微波吸收器工作波段的介质层的厚度的取值范围为2-10mm,介电常数的取值范围为1-5,介电损耗tanδ2的取值范围为0.001-0.03。
微波吸收器单元的薄膜电阻层的方阻Rs的取值范围为80-300Ω/□;微波吸收器的金属层的方阻Rs4的取值范围为5-6Ω/□。
薄膜电阻层IV12的取值范围为5-6Ω/□;介质层VIII13的厚度为0.1-0.2μm,介电常数的取值范围为2-6,介电损耗的取值范围为0.001-0.09。
为了更好的理解本发明,下面结合实施例1的具体尺寸和结构进行进一步解释。
本实施例针对波段1-1.2μm(包含激光探测器工作波长1.06μm)和波段9-12μm(包含激光探测器工作波长10.6μm)的电磁波设计了一种材料结构,材料选择为金,在对应波段内的金介电常数从Palik光学手册中获得。超表面中工作波长为1-1.2μm的小单元结构14的柱体截面形状为正方形,结构参数为周期p1=4μm,边长d1=1.8μm,高度h1=0.27μm;工作波长为9-12μm的大单元结构15的柱体截面形状为正方形,结构参数为周期p2=40μm,边长d2=20μm,高度h2=2.8μm;金属衬底16的形状为正方形,厚度为0.2μm,周期p3=220μm,边长d3=220μm,即狭缝为20μm。超表面的介质层I2的厚度为0.175μm。超表面中金属所占面积比为(200×200)/(220×220)=82.6%,金属占比足够大,能使结构材料保持很低的红外辐射特征。图5为该超表面在红外大气窗口8-14μm的红外吸收率(发射率)仿真结果,结果显示该超表面能保持与金板一致的超低红外发射率。
使用CST软件对超表面性能进行仿真验证,仿真结果如图6、7、8所示。从图6中可以看出,1-1.2μm和9-12μm的电磁波(激光探测器工作波段)照射到超表面后均能产ΔΦ=π的反射相位差。图7显示该超表面能在1-1.2μm和9-12μm这两个波段内同时保持低于20%的低反射率,相比之下,没有结构的金板的反射率接近1。图7中的(a)和(b)分别为超表面在1.06μm和10.6μm激光正入射下远场散射三维示意图,显示反射光被散射到四个对称的方向上。该超表面能在上述两个激光探测器工作波段内,实现对激光探测器的不可见。
本实例针对频率2.7-26GHz(11mm-110mm)的电磁波设计了微波吸收器。微波吸收器的单元结构周期为p4=10mm,第一层微波吸收器单元中薄膜电阻层I3的边长为d4=8.5mm,方阻为Rs1=300Ω/□;介质层III5的厚度为t1=3mm,介电常数为1.07,介电损耗为0.002;第二层微波吸收器单元中薄膜电阻层II6的边长为d5=8.5mm,方阻为Rs2=300Ω/□;介质层V7的厚度为t2=4mm,介电常数为1.07,介电损耗为0.002;第三层微波吸收器单元中薄膜电阻层III9的边长为d6=9.8mm,方阻为Rs3=150Ω/□;介质层VII11的厚度为t3=4mm,介电常数为1.07,介电损耗为0.002;薄膜电阻层IV12的边长为d7=10mm,方阻为Rs4=6Ω/□;介质层II4、介质层IV7、介质层VI10、介质层VIII13的厚度均为0.175μm。图8为电磁波正入射下微波吸收器吸收率的仿真结果。可以看到,该吸波器能在2.7-26GHz波段内保持90%以上的吸收率,实现了高效宽带吸收。
图9展示了制备得到的双波段激光低反射、红外低辐射与微波高吸收一体化结构材料的实物图,面积为300×300mm2。该样品在不同波段的测试结果如图10所示。图10的(a)为使用紫外/可见/近红外分光光度计测试得到的样品和金板在0.9-1.2μm波段内不同极化入射下的反射率,结果显示,相较于金板,样品在该波段内的反射率得到了大幅度的降低,保持在15%以下;图10的(b)为使用傅里叶红外光谱仪测试得到的样品和金板在9-12μm波段内不同极化入射下的反射率,结果显示,相较于金板,样品在该波段内的反射率同样得到了大幅度的降低,保持在20%以下;图10的(c)为在微波暗室内测得的微波吸收率,结果显示,在不同极化入射下,微波吸收器都能在2.7-26GHz的波段内保持高于90%的吸收率;图10的(d)为室温下热像仪的测试结果,可以看见样品的红外辐射特征接近背景环境的红外辐射特征,远低于人体的红外辐射特征,验证了材料的低红外辐射特性。
因此,上面结合附图对本发明的实施例进行了描述,但是本发明并不局限于上述的具体实施方式,上述的实施方式仅仅是示意性的,而不是限制性的。本发明未详细阐述部分属于本领域技术人员的公知技术。

Claims (10)

1.一种双波段激光低反射的多功能材料结构,所述材料结构包括超表面和微波吸收器,其特征在于:
所述超表面包括金属衬底(16)、两种不同尺寸的金属单元结构和介质层I(2);所述两种不同尺寸的金属单元结构分别为大单元结构(15)和小单元结构(14);所述大单元结构(15)在金属衬底(16)上交错排列,小单元结构(14)在金属衬底(16)和大单元结构(15)上交错排列;相邻的所述金属衬底(16)间具有狭缝,所述金属衬底(16)制备在所述介质层I(2)上;
所述微波吸收器包括N层微波吸收器单元和金属层,其中,N≥1;所述金属层用于阻止微波透过;所述微波吸收器单元包括薄膜电阻层、作为薄膜电阻层基底的第一介质层、以及第二介质层;所述薄膜电阻层和第二介质层共同用于调节微波吸收阻抗。
2.根据权利要求1所述的一种双波段激光低反射的多功能材料结构,其特征在于,
所述金属层包括薄膜电阻层IV(12)和介质层VIII(13);所述薄膜电阻层IV(12)用于阻止微波透过,所述介质层VIII(13)是薄膜电阻层IV(12)的基底。
3.根据权利要求1所述的一种双波段激光低反射的多功能材料结构,其特征在于,
所述大单元结构(15)的水平截面为正方形,小单元结构(14)的水平截面为轴对称图形,金属衬底(16)的水平截面为正方形。
4.根据权利要求1所述的一种双波段激光低反射的多功能材料结构,其特征在于,
所述小单元结构(14)的高度为h1且0.245λ1≤h1≤0.27λ1,λ1为双波段中波段一的中心波长;所述小单元结构(14)的排列周期为p1且1.32λ1≤p1≤4.716λ1;所述小单元结构(14)的水平截面为边长为d1的正方形,d1与p1的比例系数为x1且0.4≤x1≤0.5;
所述大单元结构(15)的高度为h2且0.245λ2≤h2≤0.27λ2,所述大单元结构(15)的排列周期为p2且1.32λ2≤p2≤4.716λ2,所述λ2为双波段中波段二的中心波长;所述大单元结构(15)的水平截面为边长为d2的正方形,d2与p2之间的比例系数为x2且0.4≤x2≤0.5。
5.根据权利要求1所述的一种双波段激光低反射的多功能材料结构,其特征在于,
所述小单元结构(14)、大单元结构(15)和金属衬底(16)的材质为金、银、铝、铜或铂中的任一种。
6.根据权利要求1所述的一种双波段激光低反射的多功能材料结构,其特征在于,
所述金属衬底(16)的排列周期为p3且180μm≤p3≤320μm,水平截面为边长为d3的正方形,d3与p3之间的比例系数为x3且0.9≤x3≤0.94;所述金属衬底(16)的厚度为0.1μm-0.2μm。
7.根据权利要求1所述的一种双波段激光低反射的多功能材料结构,其特征在于,
所述微波吸收器的周期为p4且8mm≤p4≤20mm,所述薄膜电阻层的水平截面为正方形,该正方形的边长与p4之间的比例系数位于0.8-0.98范围内。
8.根据权利要求1所述的一种双波段激光低反射的多功能材料结构,其特征在于,
所述介质层I(2)和所述第一介质层的厚度的取值范围为0.1-0.2μm,介电常数的取值范围为2-6,介电损耗tanδ1的取值范围为0.001-0.09;所述第二介质层的厚度的取值范围为2-10mm,介电常数的取值范围为1-5,介电损耗tanδ2的取值范围为0.001-0.03。
9.根据权利要求1所述的一种双波段激光低反射的多功能材料结构,其特征在于,
所述微波吸收器单元的薄膜电阻层的方阻Rs的取值范围为80-300Ω/□;所述金属层为金属板。
10.根据权利要求2所述的一种双波段激光低反射的多功能材料结构,其特征在于,
所述N的值为3,所述薄膜电阻层IV(12)的取值范围为5-6Ω/□;所述介质层VIII(13)的厚度为0.1-0.2μm,介电常数的取值范围为2-6,介电损耗的取值范围为0.001-0.09。
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