CN114509903B - 显示面板 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 128
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 10
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 15
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 72
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 4
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 3
- 230000003190 augmentative effect Effects 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 241001270131 Agaricus moelleri Species 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 230000009931 harmful effect Effects 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
- G02F1/134345—Subdivided pixels, e.g. for grey scale or redundancy
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136209—Light shielding layers, e.g. black matrix, incorporated in the active matrix substrate, e.g. structurally associated with the switching element
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
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- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
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- G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
- G09G3/3648—Control of matrices with row and column drivers using an active matrix
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
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- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
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Abstract
本申请提供一种显示面板;该显示面板包括位于第一数据线和第二数据线之间的第一子像素和第三子像素、以及位于第二数据线和第三数据线之间的第二子像素;显示面板还包括第一晶体管,第一晶体管与第一像素电极、第二像素电极和第三像素电极的其中之一电性连接,第一晶体管包括第一半导体,第一半导体的至少局部与第一像素电极或第二像素电极重叠设置。本申请通过将第一半导体设置在与第一像素电极或第二像素电极至少局部重合的位置,减小了数据线对第一半导体的影响,提升了薄膜晶体管的工作稳定性,提升了显示面板的显示品质。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板。
背景技术
虚拟现实(Virtual Reality,VR)和增强现实(Augmented Reality,AR)技术已经应用于军事和航空领域。显示技术的发展必将带动VR技术和AR技术的进步,显示装置的分辨率和视角场的提升是显示技术的长期开发方向,而像素密度(Pixel Per Inch,PPI)是决定显示装置分辨率和视角场的重要因素。液晶显示技术在VR装备中的应用较为广泛;在液晶显示装置的阵列基板中设置有大量的扫描线、数据线和薄膜晶体管,其中,数据线用于通过薄膜晶体管向显示装置传递数据信号,扫描线用于调控数据线传递信号的时序。数据线在通电状态下会产生电场,该电场会对薄膜晶体管中的半导体产生影响,导致薄膜晶体管性能稳定性变差,进而导致液晶显示装置的显示效果变差。
所以,目前液晶显示装置存在数据线影响薄膜晶体管性能稳定的技术问题。
发明内容
本申请提供一种显示面板,用于缓解目前液晶显示装置存在的数据线对薄膜晶体管性能稳定性产生不良影响的技术问题。
本申请提供一种显示面板,其包括:沿第一方向延伸且彼此绝缘临近设置的第一扫描线和第二扫描线,沿第二方向延伸且彼此绝缘临近设置的第一数据线、第二数据线和第三数据线,以及位于所述第一扫描线和所述第二扫描线之间的像素单元;
所述像素单元包括:位于所述第一数据线和所述第二数据线之间的第一子像素和第三子像素,以及位于所述第二数据线和所述第三数据线之间的第二子像素;所述第一子像素与所述第二子像素沿所述第一方向排列,所述第一子像素与所述第三子像素沿所述第二方向排列,所述第一子像素包括第一像素电极,所述第二子像素包括第二像素电极,所述第三子像素包括第三像素电极;
所述显示面板还包括第一晶体管,所述第一晶体管与所述第一像素电极、所述第二像素电极和所述第三像素电极的其中之一电性连接,所述第一晶体管包括第一半导体,所述第一半导体的至少局部与所述第一像素电极或所述第二像素电极重叠设置。
在本申请的显示面板中,所述第一晶体管与所述第一像素电极电性连接,所述第一半导体的至少局部与所述第一像素电极重叠。
在本申请的显示面板中,所述显示面板还包括第二晶体管,所述第二晶体管与所述第二像素电极或所述第三像素电极电性连接;
所述第二晶体管包括第二半导体,所述第二半导体的至少局部与所述第二像素电极重叠。
在本申请的显示面板中,所述显示面板还包括第三晶体管,所述第三晶体管包括第三半导体,所述第二晶体管位于所述第一晶体管和所述第三晶体管之间。
在本申请的显示面板中,所述第二晶体管与所述第二像素电极电性连接,所述第三晶体管与所述第三像素电极电性连接。
在本申请的显示面板中,所述第一半导体的第一端通过第一连接孔与所述第一像素电极电性连接,所述第二半导体的第一端通过第二连接孔与所述第二像素电极电性连接,所述第三半导体的第一端通过第三连接孔与所述第三像素电极电性连接;
所述第一连接孔和所述第二连接孔均位于所述第一扫描线的第一侧,所述第三连接孔位于与所述第一扫描线的第一侧相对的所述第一扫描线的第二侧。
在本申请的显示面板中,所述第一半导体的第二端通过第四连接孔与所述第一数据线电性连接,所述第二半导体的第二端通过第五连接孔与所述第二数据线电性连接,所述第三半导体的第二端通过第六连接孔与所述第三数据线电性连接;
所述第四连接孔和所述第五连接孔均位于所述第一扫描线的第二侧,所述第六连接孔位于所述第一扫描线的第一侧。
在本申请的显示面板中,所述第二半导体与所述第三像素电极电性连接,所述第三半导体与所述第二像素电极电性连接。
在本申请的显示面板中,所述第一半导体的第一端通过第一连接孔与所述第一像素电极电性连接,所述第二半导体的第一端通过第三连接孔与所述第三像素电极电性连接,所述第三半导体的第一端通过第二连接孔与所述第二像素电极电性连接;
所述第一连接孔和所述第二连接孔均位于所述第一扫描线的第一侧,所述第三连接孔位于与所述第一扫描线的第一侧相对的所述第一扫描线的第二侧。
在本申请的显示面板中,所述第一半导体的第二端通过第四连接孔与所述第一数据线电性连接,所述第二半导体的第二端通过第六连接孔与所述第二数据线电性连接,所述第三半导体的第二端通过第五连接孔与所述第三数据线电性连接;
所述第四连接孔和所述第五连接孔均位于所述第一扫描线的第二侧,所述第六连接孔位于所述第一扫描线的第一侧。
在本申请的显示面板中,所述显示面板还包括位于所述第三数据线的远离所述第二数据线的一侧且沿所述第二方向延伸的第四数据线,所述第三半导体的至少局部位于所述第三数据线与所述第四数据线之间。
在本申请的显示面板中,所述第三连接孔位于所述第二数据线与所述第三数据线之间,且与所述第三子像素沿所述第一方向排列,且与所述第二子像素沿所述第二方向排列。
在本申请的显示面板中,所述显示面板还包括第一遮光层,所述第一遮光层至少覆盖所述第三连接孔。
在本申请的显示面板中,所述显示面板还包括第二遮光层;所述第二遮光层位于所述第一子像素与所述第三子像素之间,且沿所述第一方向延伸。
在本申请的显示面板中,所述第一半导体包括氧化铟镓锌。
本申请的有益效果:本申请提供一种显示面板,该显示面板包括位于第一数据线和第二数据线之间的第一子像素和第三子像素、以及位于第二数据线和第三数据线之间的第二子像素;所述第一子像素包括第一像素电极,所述第二子像素包括第二像素电极,所述第三子像素包括第三像素电极;所述显示面板还包括第一晶体管,所述第一晶体管与所述第一像素电极、所述第二像素电极和所述第三像素电极的其中之一电性连接,所述第一晶体管包括第一半导体,所述第一半导体的至少局部与所述第一像素电极或所述第二像素电极重叠设置。本申请通过将第一半导体设置在与第一像素电极或第二像素电极至少局部重合的位置,使得第一半导体的设置位置与数据线的设置位置彼此错开,减小了数据线对第一半导体的影响,提升了薄膜晶体管的工作稳定性,进而提升了显示面板的显示品质。
附图说明
下面结合附图,通过对本申请的具体实施方式详细描述,将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1是本申请实施例提供的第一种显示面板的第一透视结构示意图。
图2是本申请实施例提供的第一种显示面板的第二透视结构示意图。
图3是本申请实施例提供的包含多个像素单元的第一种显示面板的结构示意图。
图4是本申请实施例提供的第二种显示面板的第一透视结构示意图。
图5是本申请实施例提供的第二种显示面板的第二透视结构示意图。
图6是本申请实施例提供的包含多个像素单元的第二种显示面板的结构示意图。
图7是本申请实施例提供的显示面板的截面结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
本申请实施例提供一种显示面板,该显示面板包括:沿第一方向延伸且彼此绝缘临近设置的第一扫描线和第二扫描线,沿第二方向延伸且彼此绝缘临近设置的第一数据线、第二数据线和第三数据线,以及位于所述第一扫描线和所述第二扫描线之间的像素单元;所述像素单元包括:位于所述第一数据线和所述第二数据线之间的第一子像素和第三子像素,以及位于所述第二数据线和所述第三数据线之间的第二子像素;所述第一子像素与所述第二子像素沿所述第一方向排列,所述第一子像素与所述第三子像素沿所述第二方向排列,所述第一子像素包括第一像素电极,所述第二子像素包括第二像素电极,所述第三子像素包括第三像素电极;所述显示面板还包括第一晶体管,所述第一晶体管与所述第一像素电极、所述第二像素电极和所述第三像素电极的其中之一电性连接,所述第一晶体管包括第一半导体,所述第一半导体的至少局部与所述第一像素电极或所述第二像素电极重叠设置。本申请实施例通过将第一半导体设置在与第一像素电极或第二像素电极至少局部重合的位置,使得第一半导体的设置位置与数据线的设置位置彼此错开,减小了数据线对第一半导体的影响,提升了薄膜晶体管的工作稳定性,进而提升了显示面板的显示品质。
下面结合附图对本申请实施例提供的显示面板相关技术特征进行说明。
在一种实施例中,请参阅图1至图3,图1是本申请实施例提供的第一种显示面板的第一透视结构示意图,图2是本申请实施例提供的第一种显示面板的第二透视结构示意图,图3是本申请实施例提供的包含多个像素单元的第一种显示面板的结构示意图。需要说明的是,图1所示的第一透视结构示意图示出了显示面板的薄膜晶体管、数据线、扫描线、像素电极等组成元件的相对位置关系;图2所示的第二透视结构示意图示出了显示面板的色阻单元、遮光层等组成元件的相对位置关系。
本实施例提供的显示面板包括多个像素单元,所述多个像素单元在所述显示面板中阵列分布。可以理解,所述像素单元是所述显示面板中的最小重复单元,所述显示面板的显示功能是通过所述多个像素单元的协作发光来实现的;每个所述像素单元可以是所述显示面板上的局部区域,在该局部区域内设置有实现该像素单元发光所需的背光单元、数据线、扫描线、薄膜晶体管、像素电极、液晶、色阻等。
具体地,所述显示面板包括:沿第一方向X延伸且彼此绝缘临近设置的第一扫描线S1和第二扫描线S2,沿第二方向Y延伸且彼此绝缘临近设置的第一数据线D1、第二数据线D2和第三数据线D3,以及位于所述第一扫描线S1和所述第二扫描线S2之间的像素单元。其中,第一数据线D1、第二数据线D2和第三数据线D3依次临近排列,且均用于提供数据信号;所述第一扫描线S1和所述第二扫描线S2彼此临近排列,且均用于提供扫描信号。
所述像素单元包括:位于所述第一数据线D1和所述第二数据线D2之间的第一子像素P1和第三子像素P3,以及位于所述第二数据线D2和所述第三数据线D3之间的第二子像素P2。所述第一子像素P1与所述第二子像素P2沿所述第一方向X排列,所述第一子像素P1与所述第三子像素P3沿所述第二方向Y排列;且所述第一子像素P1包括第一像素电极P11,所述第二子像素P2包括第二像素电极P21,所述第三子像素P3包括第三像素电极P31。所述第一方向X和所述第二方向Y是两个不同且不平行的方向。可选地,所述第一方向X与所述第二方向Y相互垂直。
本实施例通过将第一子像素P1与第二子像素P2沿第一方向X排列,并将第一子像素P1与第三子像素P3沿不同于第一方向X的第二方向Y排列,缩减了所述像素单元中沿第一方向X排列的子像素的数量,有利于在不改变制程条件的前提下,缩小每个像素单元沿第一方向X的宽度,提高显示面板的像素排布密度。
进一步地,所述显示面板还包括第一晶体管T1、第二晶体管T2和第三晶体管T3,所述第一晶体管T1包括第一半导体T11,所述第二晶体管T2包括第二半导体T21,所述第三晶体管T3包括第三半导体T31。所述第一晶体管T1、所述第二晶体管T2和所述第三晶体管T3沿所述第一方向X排列,且所述第二晶体管T2位于所述第一晶体管T1和所述第三晶体管T3之间。
所述第一晶体管T1与所述第一像素电极P11电性连接,所述第二晶体管T2与所述第二像素电极P21电性连接,所述第三晶体管T3与所述第三像素电极P31电性连接。所述第一半导体T11、所述第二半导体T21和所述第三半导体T31的至少其中之一的至少局部与所述第一像素电极P11或所述第二像素电极P21重叠设置。可以理解,所述显示面板中的各个像素电极均位于数据线之间的区域,本实施例将半导体中的至少局部设置在于像素电极对应的区域,实现了半导体与数据线的错开分布,有效减小了数据线对半导体性能的影响,提升了薄膜晶体管的工作稳定性,有利于提升显示面板的显示品质。
此外,在显示面板的膜层结构中,像素电极所在膜层与半导体所在膜层之间的距离要远大于数据线所在膜层与半导体所在膜层之间的距离,因此,本实施例将半导体与像素电极重叠设置,并不会导致像素电极产生的电场对半导体的影响明显增加,却大大削弱了数据线产生的电场对半导体的影响。
具体地,所述第一半导体T11的至少局部与所述第一像素电极P11重叠设置,所述第二半导体T21的至少局部与所述第二像素电极P21重叠设置,从而削弱所述第一数据线D1对所述第一晶体管T1的影响,并削弱所述第二数据线D2对所述第二晶体管T2的影响。
进一步地,所述显示面板还包括位于所述第三数据线D3的远离所述第二数据线D2的一侧且沿所述第二方向Y延伸的第四数据线D4,所述第三半导体T31的至少局部位于所述第三数据线D3与所述第四数据线D4之间。本实施例有利于进一步削弱所述第三数据线D3对所述第三晶体管T3的影响,提升显示面板的显示品质。
可选地,所述第一半导体T11、所述第二半导体T21和所述第三半导体T31的至少其中之一包括氧化铟镓锌(IGZO)。可以理解,氧化铟镓锌是一种透明半导体材料,因此,当将其设置在与像素电极重叠的位置时,不会对显示面板的显示出光产生明显影响;并且所述第一半导体T11、所述第二半导体T21和所述第三半导体T31采用氧化铟镓锌(IGZO)时,所述第一晶体管T1、所述第二晶体管T2和所述第三晶体管T3会表现出更小的漏电流,从而进一步提升显示面板的显示品质。基于此,所述第一半导体T11、所述第二半导体T21和所述第三半导体T31还可以包含其它透明半导体材料,此处不再赘述。
进一步地,所述第一半导体T11的第一端通过第一连接孔H1与所述第一像素电极P11电性连接,所述第二半导体T21的第一端通过第二连接孔H2与所述第二像素电极P21电性连接,所述第三半导体T31的第一端通过第三连接孔H3与所述第三像素电极P31电性连接;所述第一连接孔H1和所述第二连接孔H2均位于所述第一扫描线S1的第一侧,所述第三连接孔H3位于与所述第一扫描线S1的第一侧相对的所述第一扫描线S1的第二侧。
所述第一半导体T11的第二端通过第四连接孔H4与所述第一数据线D1电性连接,所述第二半导体T21的第二端通过第五连接孔H5与所述第二数据线D2电性连接,所述第三半导体T31的第二端通过第六连接孔H6与所述第三数据线D3电性连接;所述第四连接孔H4和所述第五连接孔H5均位于所述第一扫描线S1的第二侧,所述第六连接孔H6位于所述第一扫描线S1的第一侧。
具体地,所述第三连接孔H3位于所述第二数据线D2与所述第三数据线D3之间,且所述第三连接孔H3与所述第三子像素P3沿所述第一方向X排列,且与所述第二子像素P2沿所述第二方向Y排列。本实施例将所述第三连接孔H3设置在所述第一子像素P1、所述第二子像素P2、所述第三子像素P3按上文记载的方法进行两行排列后形成的空白区域内,充分利用了显示面板中一个像素单元的空间,有利于提高第三连接孔H3设置位置的自由度,提升制程良率。
进一步地,所述显示面板还包括第七连接孔H7,所述第一半导体T11的第一端首先通过所述第一连接孔H1引出,并进一步通过所述第七连接孔H7连接至所述第一像素电极P11,其中,所述第一连接孔H1与所述第七连接孔H7可以部分重叠或无重叠。
所述显示面板还包括第八连接孔H8,所述第二半导体T21的第一端首先通过所述第二连接孔H2引出,并进一步通过所述第八连接孔H8连接至所述第二像素电极P21,其中,所述第二连接孔H2与所述第八连接孔H8可以部分重叠或无重叠。
所述显示面板还包括第九连接孔H9,所述第三半导体T31的第一端首先通过所述第三连接孔H3引出,并进一步通过所述第九连接孔H9连接至所述第三像素电极P31,其中,所述第三连接孔H3与所述第九连接孔H9可以部分重叠或无重叠。
并且,所述第九连接孔H9位于所述第二数据线D2与所述第三数据线D3之间,且所述第九连接孔H9与所述第三子像素P3沿所述第一方向X排列,且与所述第二子像素P2沿所述第二方向Y排列。本实施例将所述第三连接孔H3和所述第九连接孔H9均设置在所述第一子像素P1、所述第二子像素P2、所述第三子像素P3进行两行排列后形成的空白区域内,充分利用了像素单元的空间,有利于提高第三连接孔H3和第九连接孔H9设置位置的自由度,提升制程良率。
所述显示面板还包括第一遮光层B1,所述第一遮光层B1位于所述第二数据线D2与所述第三数据线D3之间,且与所述第三子像素P3沿所述第一方向X排列,且与所述第二子像素P2沿所述第二方向Y排列;并且,所述第一遮光层B1至少覆盖所述第三连接孔H3;所述第一遮光层B1还可以覆盖所述第九连接孔H9。本实施例利用第一遮光层B1对所述第三连接孔H3进行遮挡,防止第三连接孔H3所在区域内的金属走线反射光线而影响显示面板的显示效果。
进一步地,所述第一子像素P1包括第一色阻单元C1,所述第二子像素P2包括第二色阻单元C2,所述第三子像素P3包括第三色阻单元C3;所述第一色阻单元C1、所述第二色阻单元C2和所述第三色阻单元C3可以分别是红色阻、绿色阻和蓝色阻中的一种,所述第一色阻单元C1、所述第二色阻单元C2和所述第三色阻单元C3用于实现所述显示面板的彩色发光。
所述显示面板还包括设置在所述第一子像素P1和所述第三子像素P3之间的第二遮光层B2,所述第二遮光层B2的一侧与所述第一色阻单元C1交接,所述第二遮光层B2的另一侧与所述第三色阻单元C3交接。所述第二遮光层B2用于遮挡部分所述第一子像素P1发出的光线和部分所述第三子像素P3发出的光线,防止所述第一子像素P1和所述第三子像素P3出现混色问题。
进一步地,所述显示面板还包括沿所述第一方向X延伸且与所述第二扫描线S2相邻的第三扫描线S3。以上文记载的位于所述第一扫描线S1和所述第二扫描线S2之间的所述像素单元为第一像素单元,并将位于所述第二扫描线S2和所述第三扫描线S3之间的像素单元记为第二像素单元。所述显示面板还包括设置于所述第一像素单元与所述第二像素单元之间的第三遮光层B3。所述第三遮光层B3用于遮挡部分所述第一像素单元发出的光线和部分所述第二像素单元发出的光线,防止所述第一像素单元和所述第二像素单元出现混色问题。
可选地,所述第二遮光层B2和所述第三遮光层B3均具有沿所述第一方向X延伸的条状结构,所述显示面板可以包括多条所述第二遮光层B2和多条所述第三遮光层B3。
在另一种实施例中,请参阅图4至图6,图4是本申请实施例提供的第二种显示面板的第一透视结构示意图,图5是本申请实施例提供的第二种显示面板的第二透视结构示意图,图6是本申请实施例提供的包含多个像素单元的第二种显示面板的结构示意图。需要说明的是,本实施例记载的显示面板与上述实施例记载的显示面板具有相同或相似的结构,在上述实施例中记载的特征同样适用于本实施例。
本实施例提供一种显示面板,包括多个像素单元,所述多个像素单元在所述显示面板中阵列分布。所述显示面板包括:沿第一方向X延伸且彼此绝缘临近设置的第一扫描线S1和第二扫描线S2,沿第二方向Y延伸且彼此绝缘临近设置的第一数据线D1、第二数据线D2和第三数据线D3,以及位于所述第一扫描线S1和所述第二扫描线S2之间的像素单元。第一数据线D1、第二数据线D2和第三数据线D3均用于提供数据信号,所述第一扫描线S1和所述第二扫描线S2均用于提供扫描信号。
所述像素单元包括:位于所述第一数据线D1和所述第二数据线D2之间的第一子像素P1和第三子像素P3,以及位于所述第二数据线D2和所述第三数据线D3之间的第二子像素P2。所述第一子像素P1与所述第二子像素P2沿所述第一方向X排列,所述第一子像素P1与所述第三子像素P3沿所述第二方向Y排列;且所述第一子像素P1包括第一像素电极P11,所述第二子像素P2包括第二像素电极P21,所述第三子像素P3包括第三像素电极P31。所述第一方向X和所述第二方向Y是两个不同且不平行的方向。可选地,所述第一方向X与所述第二方向Y相互垂直。
所述显示面板还包括第一晶体管T1、第二晶体管T2和第三晶体管T3,所述第一晶体管T1包括第一半导体T11,所述第二晶体管T2包括第二半导体T21,所述第三晶体管T3包括第三半导体T31。所述第一晶体管T1、所述第二晶体管T2和所述第三晶体管T3沿所述第一方向X排列,且所述第二晶体管T2位于所述第一晶体管T1和所述第三晶体管T3之间。
所述第一晶体管T1与所述第一像素电极P11电性连接,所述第二晶体管T2与所述第三像素电极P31电性连接,所述第三晶体管T3与所述第二像素电极P21电性连接。所述第一半导体T11、所述第二半导体T21和所述第三半导体T31的至少其中之一的至少局部与所述第一像素电极P11或所述第二像素电极P21重叠设置。可以理解,所述显示面板中的各个像素电极均位于数据线之间的区域,本实施例将半导体中的至少局部设置在于像素电极对应的区域,实现了半导体与数据线的错开分布,有效减小了数据线对半导体性能的影响,提升了薄膜晶体管的工作稳定性,有利于提升显示面板的显示品质。
进一步地,所述第一半导体T11的至少局部与所述第一像素电极P11重叠设置,所述第二半导体T21的至少局部与所述第二像素电极P21重叠设置,从而削弱所述第一数据线D1对所述第一晶体管T1的影响,并削弱所述第二数据线D2对所述第二晶体管T2的影响。
进一步地,所述显示面板还包括位于所述第三数据线D3的远离所述第二数据线D2的一侧且沿所述第二方向Y延伸的第四数据线D4,所述第三半导体T31的至少局部位于所述第三数据线D3与所述第四数据线D4之间。本实施例有利于进一步削弱所述第三数据线D3对所述第三晶体管T3的影响,提升显示面板的显示品质。
可选地,所述第一半导体T11、所述第二半导体T21和所述第三半导体T31的至少其中之一包括氧化铟镓锌(IGZO)。可以理解,氧化铟镓锌是一种透明半导体材料,因此,当将其设置在与像素电极重叠的位置时,不会对显示面板的显示出光产生明显影响;并且所述第一半导体T11、所述第二半导体T21和所述第三半导体T31采用氧化铟镓锌(IGZO)时,所述第一晶体管T1、所述第二晶体管T2和所述第三晶体管T3会表现出更小的漏电流,从而进一步提升显示面板的显示品质。基于此,所述第一半导体T11、所述第二半导体T21和所述第三半导体T31还可以包含其它透明半导体材料,此处不再赘述。
进一步地,所述第一半导体T11的第一端通过第一连接孔H1与所述第一像素电极P11电性连接,所述第二半导体T21的第一端通过第三连接孔H3与所述第三像素电极P31电性连接,所述第三半导体T31的第一端通过第二连接孔H2与所述第二像素电极P21电性连接;所述第一连接孔H1和所述第二连接孔H2均位于所述第一扫描线S1的第一侧,所述第三连接孔H3位于与所述第一扫描线S1的第一侧相对的所述第一扫描线S1的第二侧。
所述第一半导体T11的第二端通过第四连接孔H4与所述第一数据线D1电性连接,所述第二半导体T21的第二端通过第六连接孔H6与所述第二数据线D2电性连接,所述第三半导体T31的第二端通过第五连接孔H5与所述第三数据线D3电性连接;所述第四连接孔H4和所述第五连接孔H5均位于所述第一扫描线S1的第二侧,所述第六连接孔H6位于所述第一扫描线S1的第一侧。
具体地,所述第三连接孔H3位于所述第二数据线D2与所述第三数据线D3之间,且所述第三连接孔H3与所述第三子像素P3沿所述第一方向X排列,且与所述第二子像素P2沿所述第二方向Y排列。本实施例将所述第三连接孔H3设置在所述第一子像素P1、所述第二子像素P2、所述第三子像素P3按上文记载的方法进行两行排列后形成的空白区域内,充分利用了显示面板中一个像素单元的空间,有利于提高第三连接孔H3设置位置的自由度,提升制程良率。
进一步地,所述显示面板还包括第七连接孔H7,所述第一半导体T11的第一端首先通过所述第一连接孔H1引出,并进一步通过所述第七连接孔H7连接至所述第一像素电极P11,其中,所述第一连接孔H1与所述第七连接孔H7可以部分重叠或无重叠。
所述显示面板还包括第九连接孔H9,所述第二半导体T21的第一端首先通过所述第三连接孔H3引出,并进一步通过所述第九连接孔H9连接至所述第三像素电极P31,其中,所述第三连接孔H3与所述第九连接孔H9可以部分重叠或无重叠。
并且,所述第九连接孔H9位于所述第二数据线D2与所述第三数据线D3之间,且所述第九连接孔H9与所述第三子像素P3沿所述第一方向X排列,且与所述第二子像素P2沿所述第二方向Y排列。本实施例将所述第三连接孔H3和所述第九连接孔H9均设置在所述第一子像素P1、所述第二子像素P2、所述第三子像素P3进行两行排列后形成的空白区域内,充分利用了像素单元的空间,有利于提高第三连接孔H3和第九连接孔H9设置位置的自由度,提升制程良率。
所述显示面板还包括第八连接孔H8,所述第三半导体T31的第一端首先通过所述第二连接孔H2引出,并进一步通过所述第八连接孔H8连接至所述第二像素电极P21,其中,所述第二连接孔H2与所述第八连接孔H8可以部分重叠或无重叠。
所述显示面板还包括第一遮光层B1,所述第一遮光层B1位于所述第二数据线D2与所述第三数据线D3之间,且与所述第三子像素P3沿所述第一方向X排列,且与所述第二子像素P2沿所述第二方向Y排列;并且,所述第一遮光层B1至少覆盖所述第三连接孔H3;所述第一遮光层B1还可以覆盖所述第九连接孔H9。本实施例利用第一遮光层B1对所述第三连接孔H3进行遮挡,防止第三连接孔H3所在区域内的金属走线反射光线而影响显示面板的显示效果。
进一步地,所述第一子像素P1包括第一色阻单元C1,所述第二子像素P2包括第二色阻单元C2,所述第三子像素P3包括第三色阻单元C3;所述第一色阻单元C1、所述第二色阻单元C2和所述第三色阻单元C3可以分别是红色阻、绿色阻和蓝色阻中的一种,所述第一色阻单元C1、所述第二色阻单元C2和所述第三色阻单元C3用于实现所述显示面板的彩色发光。
所述显示面板还包括设置在所述第一子像素P1和所述第三子像素P3之间的第二遮光层B2,所述第二遮光层B2的一侧与所述第一色阻单元C1交接,所述第二遮光层B2的另一侧与所述第三色阻单元C3交接。所述第二遮光层B2用于遮挡部分所述第一子像素P1发出的光线和部分所述第三子像素P3发出的光线,防止所述第一子像素P1和所述第三子像素P3出现混色问题。
进一步地,所述显示面板还包括沿所述第一方向X延伸且与所述第二扫描线S2相邻的第三扫描线S3。以上文记载的位于所述第一扫描线S1和所述第二扫描线S2之间的所述像素单元为第一像素单元,并将位于所述第二扫描线S2和所述第三扫描线S3之间的像素单元记为第二像素单元。所述显示面板还包括设置于所述第一像素单元与所述第二像素单元之间的第三遮光层B3。所述第三遮光层B3用于遮挡部分所述第一像素单元发出的光线和部分所述第二像素单元发出的光线,防止所述第一像素单元和所述第二像素单元出现混色问题。
可选地,所述第二遮光层B2和所述第三遮光层B3均具有沿所述第一方向X延伸的条状结构,所述显示面板可以包括多条所述第二遮光层B2和多条所述第三遮光层B3。
在一种实施例中,请参阅图7,图7是本申请实施例提供的显示面板的截面结构示意图。所述显示面板包括第一衬底基板101、设置于所述第一衬底基板101上的遮挡层102、覆盖所述遮挡层102的缓冲层103、设置于所述缓冲层103上的半导体层104、覆盖所述半导体层104的栅极绝缘层105、设置于所述栅极绝缘层105上的栅极106、覆盖所述栅极106的层间绝缘层107、设置于所述层间绝缘层107上的源极108和漏极109、覆盖所述源极108和漏极109的平坦层110、设置于所述平坦层110上的公共电极111、覆盖所述公共电极111的钝化层112、设置于所述钝化层112上的像素电极113、位于所述钝化层112上的液晶层114、位于所述液晶层114上的色阻层115、以及位于所述色阻层115上的第二衬底基板116。
所述遮挡层102用于防止光线从所述第一衬底基板101射向所述半导体层104。图1或图4所示的第一晶体管T1的第二端、第二晶体管T2的第二端和第三晶体管T3的第二端均可以相当于与所述源极108连接的所述半导体层104的一端;图1或图4所示的第一晶体管T1的第一端、第二晶体管T2的第一端和第三晶体管T3的第一端均可以相当于与所述漏极109连接的所述半导体层104的一端。所述像素电极113可以相当于图1或图4所示的第一像素电极P11或第二像素电极P21或第三像素电极P31。所述色阻层115可以相当于图2或图5所示的第一色阻单元C1或第二色阻单元C2或第三色阻单元C3。
所述半导体层104、所述栅极106、所述源极108和所述漏极109构成薄膜晶体管,所述薄膜晶体管相当于图1或图4所示的第一晶体管T1或第二晶体管T2或第三晶体管T3。
所述液晶层114内设置有液晶,所述液晶在所述公共电极111和所述像素电极113共同提供的交叉电场的作用下产生多种角度的偏转,从而使显示面板呈现不同灰阶的显示。
所述显示面板还包括与所述色阻层115同层或相邻层设置的黑色矩阵,所述黑色矩阵包括图1至图6中任一所示的第一遮光层B1、第二遮光层B2和第三遮光层B3。
进一步地,所述显示面板还包括背光模组,所述背光模组设置于所述第一衬底基板101的远离所述遮挡层102的一侧。所述背光模组用于为所述显示面板提供背光源。
本申请实施例还提供一种显示装置,所述显示装置包括本申请实施例提供的显示面板。所述显示装置可以是笔记本电脑、平板电脑、手机、电脑显示器、电视机、导航仪等具有显示画面功能的仪器。
综上所述,本申请实施例提供的显示面板,通过将第一半导体、第二半导体、第三半导体中的至少其中之一设置在与第一像素电极或第二像素电极至少局部重合的位置,使得半导体的设置位置与数据线的设置位置彼此错开,减小了数据线对半导体性能的影响,提升了薄膜晶体管的工作稳定性,进而提升了显示面板的显示品质;并且本申请实施例通过将第一子像素与第二子像素沿第一方向排列,并将第一子像素与第三子像素沿不同于第一方向的第二方向排列,缩减了像素单元中沿第一方向排列的子像素的数量,有利于在不改变制程条件的前提下,缩小每个像素单元沿第一方向的宽度,提高显示面板的像素排布密度。
需要说明的是,虽然本申请以具体实施例揭露如上,但上述实施例并非用以限制本申请,本领域的普通技术人员,在不脱离本申请的精神和范围内,均可作各种更动与润饰,因此本申请的保护范围以权利要求界定的范围为准。
Claims (15)
1.一种显示面板,其特征在于,包括:沿第一方向延伸且彼此绝缘临近设置的第一扫描线和第二扫描线,沿第二方向延伸且彼此绝缘临近设置的第一数据线、第二数据线和第三数据线,以及位于所述第一扫描线和所述第二扫描线之间的像素单元;
所述像素单元包括:位于所述第一数据线和所述第二数据线之间的第一子像素和第三子像素,以及位于所述第二数据线和所述第三数据线之间的第二子像素;所述第一子像素与所述第二子像素沿所述第一方向排列,所述第一子像素与所述第三子像素沿所述第二方向排列,所述第一子像素包括第一像素电极,所述第二子像素包括第二像素电极,所述第三子像素包括第三像素电极;
所述显示面板还包括第一晶体管,所述第一晶体管与所述第一像素电极、所述第二像素电极和所述第三像素电极的其中之一电性连接,所述第一晶体管包括第一半导体,所述第一半导体的至少局部与所述第一像素电极或所述第二像素电极重叠设置,使得第一半导体的设置位置与数据线的设置位置彼此错开;
所述第一半导体的第一端通过第一连接孔与所述第一像素电极电性连接,所述第一连接孔位于所述第一扫描线的第一侧;所述第一半导体的第二端通过第四连接孔与所述第一数据线电性连接;所述第四连接孔位于与所述第一扫描线的第一侧相对所述第一扫描线的第二侧。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一晶体管与所述第一像素电极电性连接,所述第一半导体的至少局部与所述第一像素电极重叠。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括第二晶体管,所述第二晶体管与所述第二像素电极或所述第三像素电极电性连接;
所述第二晶体管包括第二半导体,所述第二半导体的至少局部与所述第二像素电极重叠。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括第三晶体管,所述第三晶体管包括第三半导体,所述第二晶体管位于所述第一晶体管和所述第三晶体管之间。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述第二晶体管与所述第二像素电极电性连接,所述第三晶体管与所述第三像素电极电性连接。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述第一半导体的第一端通过第一连接孔与所述第一像素电极电性连接,所述第二半导体的第一端通过第二连接孔与所述第二像素电极电性连接,所述第三半导体的第一端通过第三连接孔与所述第三像素电极电性连接;
所述第一连接孔和所述第二连接孔均位于所述第一扫描线的第一侧,所述第三连接孔位于与所述第一扫描线的第一侧相对的所述第一扫描线的第二侧。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述第一半导体的第二端通过第四连接孔与所述第一数据线电性连接,所述第二半导体的第二端通过第五连接孔与所述第二数据线电性连接,所述第三半导体的第二端通过第六连接孔与所述第三数据线电性连接;
所述第四连接孔和所述第五连接孔均位于所述第一扫描线的第二侧,所述第六连接孔位于所述第一扫描线的第一侧。
8.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述第二半导体与所述第三像素电极电性连接,所述第三半导体与所述第二像素电极电性连接。
9.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,所述第一半导体的第一端通过第一连接孔与所述第一像素电极电性连接,所述第二半导体的第一端通过第三连接孔与所述第三像素电极电性连接,所述第三半导体的第一端通过第二连接孔与所述第二像素电极电性连接;
所述第一连接孔和所述第二连接孔均位于所述第一扫描线的第一侧,所述第三连接孔位于与所述第一扫描线的第一侧相对的所述第一扫描线的第二侧。
10.根据权利要求9所述的显示面板,其特征在于,所述第一半导体的第二端通过第四连接孔与所述第一数据线电性连接,所述第二半导体的第二端通过第六连接孔与所述第二数据线电性连接,所述第三半导体的第二端通过第五连接孔与所述第三数据线电性连接;
所述第四连接孔和所述第五连接孔均位于所述第一扫描线的第二侧,所述第六连接孔位于所述第一扫描线的第一侧。
11.根据权利要求4至10中任一所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括位于所述第三数据线的远离所述第二数据线的一侧且沿所述第二方向延伸的第四数据线,所述第三半导体的至少局部位于所述第三数据线与所述第四数据线之间。
12.根据权利要求6、7、9、10中任一所述的显示面板,其特征在于,所述第三连接孔位于所述第二数据线与所述第三数据线之间,且与所述第三子像素沿所述第一方向排列,且与所述第二子像素沿所述第二方向排列。
13.根据权利要求12所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括第一遮光层,所述第一遮光层至少覆盖所述第三连接孔。
14.根据权利要求13所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括第二遮光层;所述第二遮光层位于所述第一子像素与所述第三子像素之间,且沿所述第一方向延伸。
15.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一半导体包括氧化铟镓锌。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202210123744.7A CN114509903B (zh) | 2022-02-10 | 2022-02-10 | 显示面板 |
PCT/CN2022/076551 WO2023151107A1 (zh) | 2022-02-10 | 2022-02-17 | 显示面板 |
US17/760,773 US20240111197A1 (en) | 2022-02-10 | 2022-02-17 | Display panel |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202210123744.7A CN114509903B (zh) | 2022-02-10 | 2022-02-10 | 显示面板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN114509903A CN114509903A (zh) | 2022-05-17 |
CN114509903B true CN114509903B (zh) | 2024-02-13 |
Family
ID=81552261
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202210123744.7A Active CN114509903B (zh) | 2022-02-10 | 2022-02-10 | 显示面板 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20240111197A1 (zh) |
CN (1) | CN114509903B (zh) |
WO (1) | WO2023151107A1 (zh) |
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-
2022
- 2022-02-10 CN CN202210123744.7A patent/CN114509903B/zh active Active
- 2022-02-17 WO PCT/CN2022/076551 patent/WO2023151107A1/zh active Application Filing
- 2022-02-17 US US17/760,773 patent/US20240111197A1/en active Pending
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN114509903A (zh) | 2022-05-17 |
WO2023151107A1 (zh) | 2023-08-17 |
US20240111197A1 (en) | 2024-04-04 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
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GR01 | Patent grant | ||
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