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CN114446820A - 基片处理系统和基片处理方法 - Google Patents

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CN114446820A CN202111254312.1A CN202111254312A CN114446820A CN 114446820 A CN114446820 A CN 114446820A CN 202111254312 A CN202111254312 A CN 202111254312A CN 114446820 A CN114446820 A CN 114446820A
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Abstract

本发明提供即使在处理单元中发生了异常的情况下，也能够减少废弃的基片的数量的技术。本发明的一个方式的基片处理系统包括：能够对基片实施同种的处理的多个处理单元；对多个处理单元进行基片的输送的输送装置；以及控制多个处理单元和输送装置的控制部。此外，控制部具有救济处理部、输送处理部和再救济处理部。救济处理部对在发生了异常的异常处理单元中正在处理的滞留基片，在异常处理单元中进行救济处理。输送处理部在异常处理单元中不能对滞留基片进行救济处理的情况下，基于预先设定的输送模式，将滞留基片从异常处理单元输送到另一处理单元。再救济处理部对被输送到另一处理单元的滞留基片再次进行救济处理。

Description

基片处理系统和基片处理方法
技术领域
本发明的实施方式涉及基片处理系统和基片处理方法。
背景技术
一直以来，已知有在处理半导体晶片(以下，也称为晶片。)等基片的基片处理装置中，使所处理的基片的成品率提高的技术(参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2009-148734号公報
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明提供即使在处理单元中发生了异常的情况下，也能够减少废弃的基片的数量的技术。
用于解决技术问题的技术手段
本发明的一方式的基片处理系统包括：能够对基片实施同种的处理的多个处理单元；对多个上述处理单元进行上述基片的输送的输送装置；以及控制多个上述处理单元和上述输送装置的控制部。此外，控制部具有救济处理部、输送处理部和再救济处理部。救济处理部对在发生了异常的异常处理单元中正在处理的滞留基片，在上述异常处理单元中进行救济处理。输送处理部在上述异常处理单元中不能对上述滞留基片进行救济处理的情况下，基于预先设定的输送模式，将上述滞留基片从上述异常处理单元输送到另一上述处理单元。再救济处理部对被输送到另一上述处理单元的上述滞留基片再次进行救济处理。
发明效果
依照本发明，即使在处理单元中发生了异常的情况下，也能够减少废弃的基片的数量。
附图说明
图1是表示实施方式的基片处理系统的概要结构的示意图。
图2是表示实施方式的处理单元的具体的结构例的示意图。
图3是表示实施方式的检查装置的具体的结构例的示意图。
图4是表示实施方式的清洗装置的具体的结构例的示意图。
图5是表示实施方式的清洗装置的具体的结构例的示意图。
图6是表示实施方式的控制装置的具体的结构例的框图。
图7是表示实施方式的输送模式存储部的一例的图。
图8是用于说明实施方式的输送模式的模式1的图。
图9是用于说明实施方式的输送模式的模式2的图。
图10是用于说明实施方式的输送模式的模式3的图。
图11是表示实施方式的检查信息存储部的一例的图。
图12是表示实施方式的方案信息存储部的一例的图。
图13是表示实施方式的输送信息存储部的一例的图。
图14是表示在实施方式的基片处理系统中执行的基片处理的流程的流程图。
具体实施方式
以下，参照附图，对本申请公开的基片处理系统和基片处理方法的实施方式详细地进行说明。此外，本发明并不由以下所示的各实施方式限定。此外，需要注意，附图为示意性的图，各要素的尺寸的关系、各要素的比例等有时与现实不同。而且，有时，在附图彼此间，包含各自的尺寸关系、比例不同的部分。
一直以来，已知有在处理半导体晶片(以下，也称为晶片。)等基片的基片处理装置中，使所处理的基片的成品率提高的技术。
然而，在现有技术中，在处理单元中发生了异常的情况下，难以在发生了该异常的处理单元(以下，也称为“异常处理单元”。)内救济所处理的基片。
尤其是，对在异常处理单元中所处理的基片在相同的单元内进行救济处理时发生了其他异常的情况下，难以救济该基片，因此不得不废弃基片。
因此，人们期待一种克服上述的问题，即使在处理单元中发生了异常的情况下，也能够减少废弃的基片的数量的技术。
＜基片处理系统的概要＞
首先，参照图1，对实施方式的基片处理系统1的概要结构进行说明。图1是表示实施方式的基片处理系统1的概要结构的图。在下文中，为了明确位置关系，规定彼此正交的X轴、Y轴和Z轴，将Z轴正方向作为铅垂向上方向。
如图1所示，基片处理系统1包括送入送出站2和处理站3。送入送出站2与处理站3相邻地配置。
送入送出站2包括承载器载置部11和输送部12。在输送部12配置检查装置15。在承载器载置部11载置将多个基片——实施方式中为半导体晶片W(以下，称为晶片W。)——以水平状态进行收纳的多个承载器C。
输送部12与承载器载置部11相邻地配置，在内部设有基片输送装置13和交接部14。基片输送装置13包括保持晶片W的晶片保持机构。此外，基片输送装置13能够在水平方向和铅垂方向上移动并且以铅垂轴为中心转动，使用晶片保持机构在承载器C、交接部14与检查装置15之间进行晶片W的输送。
检查装置15检查所处理的晶片W的处理状态。在本发明中，检查装置15被设置为能够将多个处理单元17中所处理的晶片W送出到承载器C之前进行检查的在线(in-line)检查装置。关于该检查装置15的详情，在后文说明。
处理站3与输送部12相邻地配置。处理站3包括输送部16、多个(图中为10个)处理单元17和清洗装置19。多个处理单元17和清洗装置19在输送部16的两侧排列地配置。
输送部16在内部设有基片输送装置18。基片输送装置18是输送装置的一例。基片输送装置18包括保持晶片W的晶片保持机构。此外，基片输送装置18能够在水平方向和铅垂方向上移动并且以铅垂轴为中心转动，使用晶片保持机构在交接部14与处理单元17之间进行晶片W的输送。
处理单元17对由基片输送装置18输送的晶片W进行规定的基片处理。配置在处理站3的多个处理单元17，能够进行所有同种的基片处理。关于该处理单元17的详情，在后文说明。
清洗装置19清洗基片输送装置18。关于该清洗装置19的详情，在后文说明。
另外，基片处理系统1包括控制装置4。控制装置4例如为计算机，包括控制部5和存储部6。在存储部6，保存控制在基片处理系统1中执行的各种处理的程序。控制部5通过读出并执行存储于存储部6的程序来控制基片处理系统1的动作。关于控制装置4的详情，在后文说明。
另外，该程序也可以记录于计算机可读取的存储介质，从该存储介质被安装到控制装置4的存储部6。作为计算机可读取的存储介质，例如有硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储器卡等。
另外，存储部6不限于设置在基片处理系统1的控制装置4的情况，也可以设置在处于与基片处理系统1不同的部位的存储装置，该存储装置与基片处理系统1的控制装置4经由网络连接。
在如上述那样构成的基片处理系统1中，首先，送入送出站2的基片输送装置13从载置于承载器载置部11的承载器C取出晶片W，将所取出的晶片W载置在交接部14。载置于交接部14的晶片W由处理站3的基片输送装置18从交接部14取出，并被送入处理单元17。
被送入处理单元17的晶片W由处理单元17进行了处理后，由基片输送装置18从处理单元17送出，并载置在交接部14。然后，载置于交接部14的已处理的晶片W，由基片输送装置13送入检查装置15。
被送入检查装置15的已处理的晶片W由检查装置15进行了检查后，由基片输送装置13从检查装置15送出，并送回承载器载置部11的承载器C。
＜处理单元的结构＞
下面，参照图2，对实施方式的处理单元17的结构进行说明。图2是表示实施方式的处理单元17的具体的结构例的示意图。如图2所示，处理单元17包括腔室20、基片处理部30、液供给部40和回收杯状体50。
腔室20收纳基片处理部30、液供给部40和回收杯状体50。在腔室20的顶部，配置FFU(Fan Filter Unit：风机过滤器)21。FFU21在腔室20内形成下降流(downflow)。
基片处理部30包括保持部31、支柱部32和驱动部33，对所载置的晶片W实施液处理。保持部31水平地支承晶片W。支柱部32是在铅垂方向上延伸的部件，根端部由驱动部33可旋转地支承，在前端部水平地支承保持部31。驱动部33使支柱部32绕铅垂轴旋转。
该基片处理部30使用驱动部33使支柱部32旋转来使支承于支柱部32的保持部31旋转，由此，使保持于保持部31的晶片W旋转。
在基片处理部30所具有的保持部31的上表面，配置从侧面保持晶片W的保持部件31a。晶片W由该保持部件31a以从保持部31的上表面离开稍许的状态被水平地保持。此外，晶片W以使要进行基片处理的表面朝向上方的状态被保持部31保持。
液供给部40对晶片W供给处理流体。液供给部40包括喷嘴41a～41d、水平地支承该喷嘴41a～41d的臂42以及使臂42转动和升降的转动升降机构43。
喷嘴41a经由阀44a和流量调节器45a与蚀刻液供给源46a连接。蚀刻液例如用于蚀刻处理。喷嘴41b经由阀44b和流量调节器45b与DIW供给源46b连接。DIW(DeIonized Water：去离子)例如用于冲洗处理。
喷嘴41c经由阀44c和流量调节器45c与清洗液供给源46c连接。清洗液例如为SC1(氨水和过氧化氢水溶液的混合液)，用于清洗处理。喷嘴41d经由阀44d和流量调节器45d与IPA供给源46d连接。IPA(IsoPropyl Alcohol：异丙醇)例如用于干燥处理。
喷嘴41a释放从蚀刻液供给源46a供给的蚀刻液。喷嘴41b释放从DIW供给源46b供给的DIW。喷嘴41c释放从清洗液供给源46c供给的清洗液。喷嘴41d释放从IPA供给源46d供给的IPA。
另外，在实施方式的处理单元17中，给出了喷嘴41a～41d配置于晶片W的上方(正面侧)的例子，不过喷嘴41a～41d也可以配置于晶片W的下方(背面侧)。
回收杯状体50以包围保持部31的方式配置，收集因保持部31的旋转而从晶片W飞散的处理液。在回收杯状体50的底部，配置有排液口51，由回收杯状体50收集到的处理液，从该排液口51被排出到处理单元17的外部。此外，在回收杯状体50的底部，配置有将从FFU21供给的气体排出到处理单元17的外部的排气口52。
＜检查装置的结构＞
下面，参照图3，对实施方式的检查装置15的结构进行说明。图3是表示实施方式的检查装置15的具体的结构例的示意图。如图3所示，检查装置15包括壳体61、旋转载置台62、照明部63、摄像机64和数据处理部65。
壳体61具有将晶片W对内部进行送入送出的开口部61a，在内部收纳有旋转载置台62、照明部63和摄像机64。旋转载置台62水平地支承晶片W，并且调节所支承的晶片W的朝向。照明部63对支承于旋转载置台62的晶片W的表面进行照射。
摄像机64拍摄支承于旋转载置台62的晶片W的正面。摄像机64例如具有CCD(Charge Coupled Device：电荷耦合器件)图像传感器或者CMOS(Complementary MetalOxide Semiconductor：互补型金属氧化物半导体)图像传感器。
数据处理部65对由摄像机64得到的晶片W的图像进行处理，基于该所处理的晶片W的图像，实施晶片W的各种检查。
实施方式的检查装置15例如能够进行用于检测附着于晶片W的颗粒数量的颗粒数量检测、用于检测形成于晶片W的图案的崩塌的图案崩塌检测等。
另外，实施方式的检查装置15也能够进行检测从晶片W表面飞出的抗蚀剂液的溶剂再次附着于晶片W的溅回(splashback)的溅回检测、用于检测抗蚀剂液的涂敷斑的涂敷斑检测等。
另外，实施方式的检查装置15能够实施的检查不限于上述的例子，能够实施用于在处理单元17中确认所处理的晶片W的处理状态的各种检查。
另外，在图3的例子中，对摄像机64拍摄晶片W的正面进行检查的情况进行了例示，但是摄像机64并不限于摄像机64拍摄晶片W的正面进行检查的情况，也可以拍摄晶片W的背面、边缘部进行检查。
＜清洗装置的结构＞
下面，参照图4和图5，对实施方式的清洗装置19的结构进行说明。图4和图5是表示实施方式的清洗装置19的具体的结构例的示意图。
另外，图4为从侧旁观察清洗装置19时的截面图，图5是从上方观察清洗装置19时的截面图。此外，在图4和图5中，均示出了作为清洗对象的基片输送装置18。
如图4和图5所示，基片输送装置18具有保持晶片W(参照图1)的外周部进行输送的输送臂110。如图5所示，输送臂110具有框部111和臂部112。
框部111例如为支承晶片W的外周部而构成为3/4圆环状。臂部112与该框部111一体地构成，且支承框部111。
在框部111，例如在3个部位配置直接支承晶片W的外周部的多个保持部113。该多个保持部113等间隔地配置在框部111的内圆周，并突出到框部111的内侧。
如图4所示，在输送臂110的下表面侧，配置支承输送臂110的基部114。在该基部114，设置驱动机构115。基片输送装置18通过使该驱动机构115动作，能够使输送臂110在水平方向(图4中的X轴方向)上移动。
在驱动机构115的下表面侧，配置支承基部114的轴116。在轴116的下表面侧，还设置有驱动机构117。基片输送装置18通过使该驱动机构117动作，能够使输送臂110在铅垂方向(图4中的Z轴方向)上升降，并且能够使输送臂110旋转。
清洗装置19具有基片输送装置18侧的侧面开口的处理容器120。而且，清洗装置19通过使输送臂110从该处理容器120的侧面的开口部121进入，能够在处理容器120内清洗输送臂110的保持部113。
在处理容器120的开口部121的上部和下部，配置喷射气体的气体喷射部130。该气体喷射部130分别被固定在处理容器120的上表面侧的内壁和下表面侧的内壁。
气体喷射部130具有配置有多个气体的喷射口131的气体喷射嘴132。位于开口部121的上部的气体喷射部130的喷射口131，配置在气体喷射嘴132的下端。由此，位于开口部121的上部的气体喷射部130，从喷射口131向铅垂下方(图4中的Z轴负方向)喷射气体。
另一方面，位于开口部121的下部的气体喷射部130的喷射口131，配置在气体喷射嘴132的上端。由此，位于开口部121的下部的气体喷射部130，从喷射口131向铅垂上方(图4中的Z轴正方向)喷射气体。
如图5所示，气体喷射嘴132在处理容器120的短边方向(图5中的X轴方向)上延伸，其两端由固定于处理容器120的上部或者下部的固定部件133支承。
另外，在气体喷射嘴132，经由供给管134连接有气体供给源135。在供给管134，配置加热器等加热机构136。加热机构136加热从气体供给源135供给的气体。
而且，从气体供给源135对气体喷射嘴132供给气体，并从气体喷射嘴132喷射气体时，开口部121被所喷射的气体的气流封闭，在开口部121形成所谓的气帘(air curtain)。此外，从气体喷射嘴132喷射的气体，例如采用空气。
另外，也可以在处理容器120内配置未图示的排气口，以使得气帘的气流不流动到处理容器120的外部。在该情况下，控制部5(参照图1)通过在形成了气帘时从排气口排气，能够抑制气帘的气流流动到处理容器120的外部。
如图4，在处理容器120内的上部，配置释放清洗气体和清洗液的清洗喷嘴140。该清洗喷嘴140具有能够对输送臂110的保持部113从上方均匀地释放清洗气体和清洗液的大小(例如，与保持部113大致相等的大小)。
在清洗喷嘴140，经由清洗气体的供给管141连接有清洗气体供给源142。在供给管141，设置有加热器等加热机构143。加热机构143加热从清洗气体供给源142供给的清洗气体。
另外，在清洗喷嘴140，经由清洗液的供给管144连接有清洗液供给源145。在供给管144，设置有加热器等加热机构146。加热机构146加热从清洗液供给源145供给的清洗液。该清洗液例如被加热至成为雾状。
而且，从清洗液供给源145供给的清洗液，借助于从清洗气体供给源142供给的清洗气体以高释放压力从清洗喷嘴140释放。
另外，清洗气体，例如使用氮气、压缩空气、氦气等。清洗液例如使用纯水(优选高温)、稀释剂、胺类有机溶剂、HFE(氢氟醚)、丙酮、IPA等。
清洗喷嘴140如图5所示经由臂147与移动机构148连接。臂147能够通过移动机构148沿在处理容器120的长边方向(图5中的Y轴方向)上延伸地设置的导轨149移动。
另外，臂147能够通过移动机构148在处理容器120的短边方向(图5中的X轴方向)上移动，并且也能够在铅垂方向(图5中的Z轴方向)上移动。
如图4所示，在处理容器120的底面配置有排液口150，该排液口150用于回收从清洗喷嘴140释放而下落到处理容器120的底面的清洗液。此外，在排液口150，连接有排液管151。此外，该排液口150也能够作为排气口使用。
下面，对由至此说明的清洗装置19进行的输送臂110的清洗处理，进行说明。首先，控制部5使输送臂110从开口部121进入处理容器120内。此时，停止从气体喷射嘴132喷射气体。
然后，控制部5使输送臂110进入至规定的位置后，使清洗喷嘴140移动到输送臂110中的一个保持部113的正上方。
下面，控制部5从清洗喷嘴140向一个保持部113释放清洗气体和清洗液。此时，清洗液被加热机构146加热至例如70℃，成为雾状。此外，清洗气体也同样地，被加热机构143加热至例如70℃。
然后，从清洗喷嘴140释放的清洗液，借助于清洗气体以强压力释放，因此雾状的清洗液的液粒撞击到保持部113，将附着于保持部113的异物除去。
另外，下落到处理容器120的底面的清洗液，从排液口150被排出。此外，在从该清洗喷嘴140释放清洗气体和清洗液时，控制部5使气体从气体喷射嘴132喷射。
这样一来，在开口部121形成气帘，从清洗喷嘴140释放的清洗液不会飞散到处理容器120的外部。此外，在释放清洗气体和清洗液时，控制部5也可以在将清洗气体和清洗液混合而成为混合体之后，将该混合体从清洗喷嘴140释放。
控制部5以规定的时间实施该清洗气体和清洗液的释放，在清洗一个保持部113后，接着从清洗喷嘴140仅喷射清洗气体。由此，控制部5使被清洗液润湿的保持部113干燥。此外，在对该保持部113进行干燥处理时，也优选控制部5从气体喷射嘴132喷射气体，在开口部121形成了气帘。
在像这样一个保持部113的清洗处理和干燥处理结束后，控制部5接着使清洗喷嘴140移动到另一保持部113的正上方，进行该另一保持部113的清洗处理和干燥处理。这样一来，控制部5对输送臂110的3个部位的保持部113全部进行清洗。
然后，当所有保持部113的清洗结束后，控制部5使输送臂110从处理容器120退出。此时，控制部5从气体喷射嘴132喷射气体，利用加热机构136将该气体加热至例如70℃。
由此，控制部5能够在输送臂110的保持部113通过开口部121时，利用所加热的气体使输送臂110完全干燥。
＜控制装置的结构＞
下面，参照图6～图13，对实施方式的控制装置4的详细结构进行说明。图6是表示实施方式的控制装置4的具体的结构例的框图。如上所述，控制装置4包括控制部5和存储部6。
另外，基片处理系统1也可以具有：从利用该基片处理系统1的用户等受理各种操作的输入部(例如，键盘、鼠标等)；用于显示各种信息的显示部(例如，液晶显示器等)。
控制部5例如通过由CPU(Central Processing Unit：中央处理器)、MPU(MicroProcessing Unit：微处理器)等将RAM(Random Access Memory：随机存取存储器)作为作业区域执行存储于存储部6的各种程序来实现。此外，控制部5例如通过ASIC(ApplicationSpecific Integrated Circuit：专用集成电路)、FPGA(Field Programmable Gate Array：现场可编程门阵列)等集成电路来实现。
如图6所示，控制部5具有基片处理部5a、救济处理部5b、选择部5c、输送处理部5d、再救济处理部5e和检查部5f，实现或执行以下说明的基片处理的功能、作用。此外，控制部5的内部构成不限于图6所示的构成，至少为进行后述的基片处理的构成即可，也可以为其他结构。
存储部6例如由RAM、闪存(Flash Memory)等半导体存储元件、或者硬盘、光盘等存储装置实现。如图6所示，存储部6具有输送模式存储部6a、检查信息存储部6b、方案信息存储部6c和输送信息存储部6d。
基片处理部5a从存储部6等读出晶片W的处理方案和输送方案，基于这些方案控制各部，在多个处理单元17中分别实施晶片W的处理。在处理方案中预先设定了晶片W的处理条件，在输送方案中预先设定了晶片W的输送条件。
例如，在处理方案中，依次设定了利用蚀刻液的蚀刻处理、利用冲洗液的冲洗处理、利用清洗液的清洗处理、利用冲洗液的冲洗处理和利用干燥液的干燥处理。此外，处理方案中设定的处理不限于上述的例子，也可以设定处理单元17中可实施的各种处理。
救济处理部5b在多个处理单元17中的一者发生了异常的情况下，对在该异常处理单元17A(参照图8)中发生了异常时所处理的晶片W(以下，也称为滞留晶片。)，在同一异常处理单元17A中进行救济处理。滞留晶片为滞留基片的一例。
该救济处理例如为使用冲洗液对附着于滞留晶片的药液进行水洗的处理。通过该救济处理(水洗处理)，由附着于滞留晶片的药液引起的化学反应停止，因此通过另行实施此后继续的基片处理，能够不废弃滞留晶片。
即，在实施方式中，即使在处理单元17中发生了异常的情况下，通过该救济处理，能够减少废弃的晶片W的数量。
选择部5c在异常处理单元17A中不能对滞留晶片进行救济处理时，从存储于输送模式存储部6a的多个输送模式中，选择供输送处理部5d实施的一个输送模式。此外，关于由选择部5c进行的输送模式的选择处理的详情，在后文说明。
输送处理部5d在异常处理单元17A中不能对滞留晶片进行救济处理的情况下，基于预先设定的输送模式，将滞留晶片从异常处理单元17A输送到正常的另一处理单元17。
例如，输送处理部5d在异常处理单元17A中不能对滞留晶片进行救济处理的情况下，基于由选择部5c选择出的一个输送模式，将滞留晶片从异常处理单元17A输送到另一处理单元17。
图7是表示实施方式的输送模式存储部6a的一例的图。如图7所示，输送模式存储部6a存储多个输送模式(例如，模式1～模式3)。
在存储于输送模式存储部6a的输送模式中，包含与多个处理单元17全部正常时实施的多个晶片W的输送顺序不同的输送顺序。关于该输送模式的具体例，在以下进行说明。
图8是用于说明实施方式的输送模式的模式1的图。此外，在图8～图10中，为了便于理解，在左侧表示正常时的晶片W的输送顺序，在右侧表示异常时的晶片W的输送顺序。此外，在图8～图10中，用圆内的数字表示从10个处理单元17送出晶片W的次序。
如图8所示，作为多个输送模式中的一者的模式1，为优先送出能够正常地处理的晶片W，最后实施在异常处理单元17A中所处理的滞留晶片的输送。
例如，在模式1中，将在异常处理单元17A中所处理的滞留晶片的输送顺序从正常时的第7个改变为最后的第10个。此外，在多个处理单元17中分别正常地被处理了的多个晶片W彼此之间，按依照预定的输送顺序的顺序送出晶片W。
而且，输送处理部5d控制基片输送装置18等，将正常地被处理了的晶片W按基于所选择的模式1的顺序进行送出，并且将滞留晶片按基于模式1的顺序从异常处理单元17A输送到空置的另一处理单元17。
图9是用于说明实施方式的输送模式的模式2的图。如图9所示，作为多个输送模式中的一者的模式2，是优先输送在异常处理单元17A中滞留的滞留晶片，先实施在异常处理单元17A中所处理的滞留晶片的输送的输送模式。
例如，在模式2中，将在异常处理单元17A中所处理的滞留晶片的输送顺序从正常时的第7个改变为第2个。之所以不为最先(第1个)而为第2个，是因为为了将滞留晶片输送到另一处理单元17，需要首先从作为输送目标的另一处理单元17送出晶片W。
另外，在多个处理单元17中分别正常的被处理了的多个晶片W彼此之间，按依照预定的输送顺序的顺序送出晶片W。
而且，输送处理部5d控制基片输送装置18等，将正常地被处理了的晶片W按基于所选择的模式2的顺序送出，并且将滞留晶片按基于模式2的顺序从异常处理单元17A输送到空置的另一处理单元17。
图10是用于说明实施方式的输送模式的模式3的图。如图10所示，作为多个输送模式中的一者的模式3，是从在包含异常处理单元17A的所有处理单元17中被处理的晶片W之中，优选输送Q-Time短的晶片W的输送模式。
此处，Q-time是指，例如为了防止因干蚀刻而露出的金属配线的氧化等，对干蚀刻后的放置时间进行设定的限制时间。
而且，输送处理部5d控制基片输送装置18等，将正常地被处理了的晶片W按基于所选择的模式3的顺序送出，并且将滞留晶片按基于模式3的顺序从异常处理单元17A输送到空的另一处理单元17。
返回图6的说明。再救济处理部5e对被输送到另一处理单元17的滞留晶片，再次进行救济处理(以下，也称为再救济处理。)。该再救济处理为与上述的救济处理同样的处理，例如为使用冲洗液对附着于滞留晶片的药液进行水洗的处理。
通过该再救济处理，由附着于滞留晶片的药液引起的化学反应停止，因此通过另行实施此后继续的基片处理，能够不废弃滞留晶片。。
即，在实施方式中，即使在异常处理单元17A中不能实施救济处理的情况下，通过再救济处理，也能够减少废弃的晶片W的数量。
另外，在实施方式中，也可以在输送处理部5d刚刚将滞留晶片从异常处理单元17A输送到空的另一处理单元17之后(即，输送下一次序的晶片W之前)，在清洗装置19中对基片输送装置18进行清洗。
由此，即使在基片输送装置18被附着于滞留晶片的药液污染了的情况下，也能够抑制正常地被处理了的晶片W被基片输送装置18污染。
检查部5f利用检查装置15检查进行了救济处理或者再救济处理的滞留晶片的处理状态。另外，检查部5f将由检查装置15检查出的滞留晶片的各种参数存储在存储部6的检查信息存储部6b、方案信息存储部6c和输送信息存储部6d中。
检查信息存储部6b存储与滞留晶片的检查结果有关的检查信息。图11是表示实施方式的检查信息存储部6b的一例的图。在图11所示的检查信息存储部6b中，将晶片ID、工艺处理时警报、救济处理时警报、处理再次开始时间、输送模式和检查结果相关联地存储。
此处，晶片ID是指，用于识别滞留晶片的识别标志。工艺处理时警报是指，表示在对相关联的晶片ID所示的滞留晶片进行了处理的异常处理单元17A中，在工艺处理时(即，在救济处理前)产生的警报的种类的信息。
救济处理时警报是指，表示在对相关联的晶片ID所示的滞留晶片进行了处理的异常处理单元17A中，在救济处理时(即，再救济处理前)产生的警报的种类的信息。工艺处理时警报和救济处理时警报为异常信息的一例。
处理再次开始时间是指，表示在相关联的晶片ID所示的滞留晶片中，从正常的处理中断开始，至继续的处理再次开始为止经过的时间的信息。
输送模式是指，表示在将相关联的晶片ID所示的滞留晶片从异常处理单元17A输送到正常的处理单元17时，由选择部5c选择出的输送模式的信息，为输送模式信息的一例。检查结果是指，表示相关联的晶片ID所示的滞留晶片的检查装置15的检查结果的信息，为检查信息的一例。
方案信息存储部6c存储与滞留晶片的输送处理和工艺处理有关的方案信息。图12是表示实施方式的方案信息存储部6c的一例的图。在图12所示的方案信息存储部6c中，存储有上述的晶片ID、输送方案和处理方案。
输送方案是指，表示在相关联的晶片ID所示的滞留晶片中预先设定的输送方案的信息。处理方案是指，表示在相关联的晶片ID所示的滞留晶片中预先设定的处理方案的信息。输送方案和处理方案为方案信息的一例。
输送信息存储部6d存储与滞留晶片的输送处理有关的输送信息。图13表示实施方式的输送信息存储部6d的一例的图。在图13所示的输送信息存储部6d中，将上述的晶片ID、Q-Time设定时间、承载器送出送入时间和输送通过模块相关联地存储。
Q-Time设定时间是指，表示在相关联的晶片ID所示的滞留晶片中预先设定的Q-Time的信息。承载器送出送入时间是指，将相关联的晶片ID所示的滞留晶片从承载器C(参照图1)送出开始，至送入承载器C为止的时间的信息。
输送通过模块是指，表示相关联的晶片ID所示的滞留晶片在基片处理系统1中被输送时通过的各种模块的信息。在输送通过模块中，例如存储有载置了承载器C的工作台的编号(S1等)、处理了滞留晶片的处理单元17的编号(P1等)和检查了滞留晶片的检查装置15的编号(T1等)等。
另外，也可以在输送信息存储部6d中，存储有滞留晶片分别位于基片处理系统1内的各种模块的时间的详情。
此处，在实施方式中，也可以使用至此说明的存储于存储部6的检查信息存储部6b、方案信息存储部6c和输送信息存储部6d的各种信息，选择部5c从多个输送模式中选择一个输送模式。关于由选择部5c进行的输送模式的选择处理的详情，在以下进行说明。
首先，选择部5c抽取存储在检查信息存储部6b中的“工艺处理时警报”和“救济处理时警报”、存储在方案信息存储部6c中的“输送方案”和“处理方案”全部一致的数据。
然后，在所抽取的数据为给定的数以上的情况下，选择部5c从所抽取的数据中，进一步分别抽取各“输送模式”的每一输送模式的数据。
然后，在所抽取的各“输送模式”的每一输送模式的数据为给定的数以上的情况下，选择部5c计算各“输送模式”的每一输送模式的检查结果中的异常率，选择计算出的异常率最低的输送模式。
像这样，选择部5c也可以基于在异常处理单元17A中发生的异常的种类，从多个输送模式中选择一个输送模式。由此，输送处理部5d能够在异常率最低的输送模式下将滞留晶片从异常处理单元17A输送到另一处理单元17。
因此，依照实施方式，能够使由再救济处理救济的滞留晶片的数量进一步增加，因此能够进一步减少废弃的晶片W的数量。
另外，在上述的选择处理中抽取的数据比给定的数少的情况下，选择部5c也可以选择预先设定的输送模式。例如，选择部5c也可以在通常状态下选择滞留晶片的救济处理优先的模式2，并且在基片处理系统1中晶片W的待处理待任务不多的情况下，选择正常的晶片W的处理优先的模式1。
另外，选择部5c也可以在比基片处理系统1靠后的工序的产品检查中多见由超过Q-Time导致的产品不良的情况下，优先Q-Time短的晶片W的处理的模式3。
另外，在上述的选择处理中抽取的数据比给定的数少的情况下，选择部5c也可以单纯地选择异常率最低的输送模式。
另外，在某一特定的处理单元17中进行了再救济处理的情况，与在另一处理单元17中进行了再救济处理的情况相比异常率显著增高时，输送处理部5d也可以不将滞留晶片输送到该异常率高的处理单元17。
由此，能够进一步使由再救济处理救济滞留晶片的数量进一步增加，因此能够进一步减少废弃的晶片W的数量。
实施方式的基片处理系统1包括多个处理单元17、输送装置(基片输送装置18)和控制部5。多个处理单元17能够对基片(晶片W)实施同种的处理る。输送装置(基片输送装置18)对多个处理单元17进行基片(晶片W)的输送。控制部5控制多个处理单元17和输送装置(基片输送装置18)。此外，控制部5具有救济处理部5b、输送处理部5d和再救济处理部5e。救济处理部5b对在发生了异常的异常处理单元17A中正在处理的滞留基片(滞留晶片)，在异常处理单元17A中进行救济处理。输送处理部5d在异常处理单元17A中不能对滞留基片(滞留晶片)进行救济处理的情况下，基于预先设定的输送模式，将滞留基片(滞留晶片)从异常处理单元17A输送到另一处理单元17。再救济处理部5e对被输送到另一处理单元17的滞留基片(滞留晶片)再次进行救济处理。由此，即使在处理单元17中发生了异常的情况下，也能够减少废弃的晶片W的数量。
另外，在实施方式的基片处理系统1中，在输送模式中，包含与多个处理单元17全部正常时实施的多个基片(晶片W)的输送顺序不同的输送顺序。由此，即使在处理单元17中发生了异常的情况下，也能够减少废弃的晶片W的数量。
另外，在实施方式的基片处理系统1中，还包括控制部5从输送顺序各自不同的多个输送模式中，选择供输送处理部5d实施的一个输送模式的选择部5c。由此，即使在处理单元17中发生了异常的情况下，也能够减少废弃的晶片W的数量。
另外，在实施方式的基片处理系统1中，选择部5c基于在异常处理单元17A中产生的异常的种类，从多个输送模式中选择一个输送模式。由此，能够进一步减少废弃的晶片W的数量。
另外，实施方式的基片处理系统1包括检查装置15和存储部6。检查装置15检查处理后的基片(晶片W)的处理状态。存储部6将检查信息、输送模式信息、异常信息和方案信息相关联地存储。检查信息是与检查装置15中被检查了的滞留基片(滞留晶片)的处理状态有关的信息。输送模式信息是与将滞留基片(滞留晶片)输送到另一处理单元17时的输送模式有关的信息。异常信息是与在异常处理单元17A中产生的异常的种类有关的信息。方案信息是与滞留基片(滞留晶片)的处理相关的方案有关的信息。由此，即使在处理单元17中发生了异常的情况下，也能够减少废弃的晶片W的数量。
另外，在实施方式的基片处理系统1中，选择部5c基于存储于存储部6的检查信息、输送模式信息、异常信息和方案信息，从多个输送模式中选择一个输送模式。由此，能够进一步减少废弃的晶片W的数量。
另外，实施方式的基片处理系统1还包括清洗输送装置(基片输送装置18)的清洗装置19。此外，输送处理部5d在由输送装置(基片输送装置18)将滞留基片(滞留晶片)从异常处理单元17A刚刚输送到另一处理单元17后，在清洗装置19中对输送装置(基片输送装置18)进行清洗。由此，即使在基片输送装置18被附着于滞留晶片的药液污染了的情况下，也能够抑制正常地被处理了的晶片W被基片输送装置18污染。
＜基片处理的流程＞
下面，参照图14，对实施方式的基片处理的流程进行说明。图14是表示在实施方式的基片处理系统1中执行的基片处理的流程的流程图。
首先，控制部5基于预先设定的输送方案控制基片输送装置13、18等，将晶片W送入各处理单元17(步骤S101)。然后，基片处理部5a基于预先设定的处理方案控制各处理单元17，处理多个晶片W(步骤S102)。
接着，控制部5判断在所有的处理单元17中处理是否正常地结束了(步骤S103)。此处，在所有的处理单元17中处理正常地结束了的情况下(步骤S103，是)，控制部5从各处理单元17送出晶片W(步骤S104)，完成一连串处理。
另一方面，在任意处理单元17中处理没有正常地结束的情况下(步骤S103，否)，救济处理部5b对滞留于异常处理单元17A的滞留晶片，在该异常处理单元17A中实施救济处理(步骤S105)。然后，控制部5判断在该异常处理单元17A中救济处理是否正常地结束了(步骤S106)。
此处，在异常处理单元17A中救济处理正常地结束了的情况下(步骤S106，是)，控制部5行进到步骤S104的处理。
另一方面，在异常处理单元17A中救济处理没有正常地结束的情况下(步骤S106，否)，选择部5c从多个输送模式中选择一个输送模式(步骤S107)。
接着，输送处理部5d基于所选择的输送模式，将滞留晶片从异常处理单元17A输送到另一处理单元17(步骤S108)。然后，再救济处理部5e对滞留晶片在另一处理单元17中实施再救济处理(步骤S109)，行进到步骤S104的处理。
实施方式的基片处理方法包括救济工序(步骤S105)、输送工序(步骤S108)和再救济工序(步骤S109)。救济工序(步骤S105)对于在能够对基片(晶片W)实施同种的处理的多个处理单元17中、发生了异常的异常处理单元17A中正在处理的滞留基片(滞留晶片)，在异常处理单元17A中进行救济处理。输送工序(步骤S108)在异常处理单元17A中不能对滞留基片(滞留晶片)进行救济处理的情况下，基于预先设定的输送模式，将滞留基片(滞留晶片)从异常处理单元17A输送到另一处理单元17。再救济工序(步骤S109)对被输送到另一处理单元17的滞留基片(滞留晶片)再次进行救济处理。由此，即使在处理单元17中发生了异常的情况下，也能够减少废弃的晶片W的数量。
以上，对本发明的实施方式进行了说明，但本发明并不限定于上述的实施方式，在只要不脱离其主旨就能够进行各种改变。例如，在上述的实施方式中，给出了设置有多个通过湿式处理对晶片W进行处理的处理单元17的例子，不过也可以设置有多个通过各种干式处理对晶片W进行处理的处理单元。
应当认为，本次公开的实施方式在所有方面均是例示，而并非限定性的。实际上，上述的实施方式能够以多种多样的方式实现。此外，上述的实施方式在不超出所附的权利要求及其主旨的情况下，能够以各种方式省略、替换、改变。
另外，上述的“部(section、module、unit)”，也能够替换地读作“机构”、“电路”等。例如，选择部也能够替换地读作选择机构、选择电路。
附图标记说明
W 晶片(基片的一例)
1 基片处理系统
4 控制装置
5 控制部
5b 救济处理部
5c 选择部
5d 输送处理部
5e 再救济处理部
5f 检查部
6 存储部
6a 输送模式存储部
6b 检查信息存储部
6c 方案信息存储部
6d 输送信息存储部
15 检查装置
17 处理单元
17A 异常处理单元
18 基片输送装置(输送装置的一例)
19 清洗装置。

Claims (8)

1.一种基片处理系统，其特征在于，包括：
能够对基片实施同种的处理的多个处理单元；
对多个所述处理单元进行所述基片的输送的输送装置；和
控制多个所述处理单元和所述输送装置的控制部，
所述控制部具有：
救济处理部，其对在发生了异常的异常处理单元中正在处理的滞留基片，在所述异常处理单元中进行救济处理；
输送处理部，其在所述异常处理单元中不能对所述滞留基片进行救济处理的情况下，基于预先设定的输送模式，将所述滞留基片从所述异常处理单元输送到另一所述处理单元；和
再救济处理部，其对被输送到另一所述处理单元的所述滞留基片再次进行救济处理。
2.如权利要求1所述的基片处理系统，其特征在于：
在所述输送模式中，包含与多个所述处理单元全部正常时实施的多个所述基片的输送顺序不同的输送顺序。
3.如权利要求1或2所述的基片处理系统，其特征在于：
所述控制部还具有选择部，所述选择部从输送顺序各自不同的多个所述输送模式中，选择供所述输送处理部实施的一个所述输送模式。
4.如权利要求3所述的基片处理系统，其特征在于：
所述选择部基于在所述异常处理单元中发生的异常的种类，从多个所述输送模式中选择一个所述输送模式。
5.如权利要求4所述的基片处理系统，其特征在于，还包括：
检查装置，其检查处理后的所述基片的处理状态；和
将检查信息、输送模式信息、异常信息和方案信息相关联地存储的存储部，其中，所述检查信息与在所述检查装置中进行了检查的所述滞留基片的处理状态有关，所述输送模式信息与将所述滞留基片输送到另一所述处理单元时的所述输送模式有关，所述异常信息与在所述异常处理单元中发生的异常的种类有关，所述方案信息与所述滞留基片的处理相关的方案有关。
6.如权利要求5所述的基片处理系统，其特征在于：
所述选择部基于存储于所述存储部的所述检查信息、所述输送模式信息、所述异常信息和所述方案信息，从多个所述输送模式中选择一个所述输送模式。
7.如权利要求1～6中任一项所述的基片处理系统，其特征在于：
还包括清洗所述输送装置的清洗装置，
所述输送处理部在由所述输送装置将所述滞留基片从所述异常处理单元刚刚输送到另一所述处理单元后，在所述清洗装置中清洗所述输送装置。
8.一种基片处理方法，其特征在于，包括：
救济工序，其对于在能够对基片实施同种的处理的多个处理单元中、发生了异常的异常处理单元中正在处理的滞留基片，在所述异常处理单元中进行救济处理；
输送工序，其在所述异常处理单元中不能对所述滞留基片进行救济处理的情况下，基于预先设定的输送模式，将所述滞留基片从所述异常处理单元输送到另一所述处理单元；和
再救济工序，其对被输送到另一所述处理单元的所述滞留基片再次进行救济处理。
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